Sobre Diseño de Amplis

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIERA DE
TELECOMUNICACIN

Universidad Politcnica de Cartagena

Proyecto Fin de Carrera

ESTUDIO DE TCNICAS DE DISEO PARA
REDUCIR EL NIVEL DE RUIDO EN DISEOS DE
LNAs PARA UN RADIOTELESCOPIO EN LA
BANDA DE 1400 MHz

Autor: Gonzalo Peafiel Beltrn
Directores: Jos Luis Gmez Tornero
David Caete Rebenaque

Cartagena, Julio 2007

2

Autor Gonzalo Peafiel Beltrn
E-mail del Autor gonza_tc@hotmail.com
Director(es) Jos Luis Gmez Tornero, David Caete Rebenaque
E-mail del Director josel.gomez@upct.es, david.canete@upct.es
Codirector(es)
Ttulo del PFC
Estudio de tcnicas de diseo para reducir el nivel de ruido en
diseos de LNAs para un radiotelescopio en la banda de 1400 MHz

Descriptores
Radiotelescopio, amplificadores de microondas, factor de ruido

Resumen

Este PFC se plantea como una mejora de las prestaciones del amplificador
de bajo ruido diseado en el PFC previo. Este amplificador, sintonizado a 1420
MHz, formar parte de un receptor de bajo ruido para aplicaciones de
radioastronoma.

El objetivo fundamental de este PFC ser reducir el factor de ruido
obtenido en el PFC previo de diseo del LNA, buscando establecerlo por debajo de
1 dB. Para conseguir tal objetivo realizaremos un diseo nicamente con
componentes concentrados, en lugar de con lneas de transmisin y componentes
concentrados, como se efectu en el anterior proyecto.

Tambin cabe destacar que la metodologa empleada en este proyecto ser
diferente respecto a los dos PFC previos de diseo del LNA, ya que se analizar
qu coeficientes de reflexin necesitamos obtener a la entrada y a la salida de la red
de adaptacin para obtener un diseo de mnimo ruido, y se analizarn las posibles
redes de adaptacin, consiguiendo as un diseo bastante ms sistematizado que en
proyectos anteriores.

La simulacin de todos los circuitos se efectuar mediante el software de
simulacin circuital Microwave Office, que permite desarrollar circuitos reales.

Una vez diseados, simulados y optimizados, los circuitos sern fabricados
y medidos, comprobando entonces si se han cumplido los objetivos propuestos.

Titulacin Ingeniera de Telecomunicacin
Intensificacin Sistemas y Redes de Telecomunicacin
Departamento Tecnologas de la Informacin y las Comunicaciones
Fecha de
Presentacin
Julio- 2007

3

ndice

Captulo 1: Introduccin y Objetivos...................................................... 5

1.1. Introduccin................................................................................................. 5
1.2. Objetivos....................................................................................................... 7

Captulo 2: Proceso de Diseo.................................................................. 8

2.1. Diseo del transistor polarizado................................................................. 9
2.1.1. Especificaciones del transistor ATF-35143...................................................... 9
2.1.2. Red de polarizacin del transistor.................................................................. 13
2.1.2.1. Eleccin de las dimensiones ptimas de las lneas de transmisin de la red
de polarizacin de surtidor. Comprobacin de estabilidad............................................ 15

2.2. Diseo del amplificador bajo el criterio de mnimo ruido..................... 27
2.2.1. Eleccin de los coeficientes de reflexin. Comprobacin de estabilidad.. 27
2.2.2. Diseo ideal de la red de adaptacin de entrada....................................... 31
2.2.2.1. Primera red de adaptacin de entrada..................................................... 33
2.2.2.1.1. Primera red de adaptacin de entrada con red de desacoplo y red de
polarizacin de puerta........................................................................................ 37
2.2.2.2. Segunda red de adaptacin de entrada.................................................... 46
2.2.2.2.1. Segunda red de adaptacin de entrada con red de desacoplo y red de
polarizacin de puerta........................................................................................ 49

2.2.3. Diseo ideal de la red de adaptacin de salida........................................... 54
2.2.3.1. Primera red de adaptacin de salida....................................................... 56
2.2.3.1.1. Primera red de adaptacin de salida con red de desacoplo y red de
polarizacin de drenador.................................................................................... 58
2.2.3.2. Segunda red de adaptacin de salida...................................................... 60
2.2.3.2.1. Segunda red de adaptacin de salida con red de desacoplo y red de
polarizacin de drenador.................................................................................... 63

2.2.4. Diseo ideal del amplificador....................................................................... 66

2.2.5. Diseo real del amplificador........................................................................ 69
2.2.5.1. Diseo real del amplificador 1_1 y sus alternativas de diseo... 71
2.2.5.2. Diseo real del amplificador 1_2 y su alternativa de diseo.................. 79
2.2.5.3. Diseo real del amplificador 2_1 y su alternativa de diseo.................. 84
2.2.5.4. Diseo real del amplificador 2_2............................................................ 89

Captulo 3: Fabricacin y realizacin de medidas............................... 95

3.1. Implementacin fsica............................................................................... 95
3.1.1. Fabricacin del circuito................................................................................ 116

3.2. Realizacin de medidas.......................................................................... 120
3.2.1. Medida de los parmetros S......................................................................... 121
4
3.2.2. Medida de la figura de ruido........................................................................ 122

Captulo 4: Resultados obtenidos y optimizacin............................... 124

4.1. Resultados obtenidos............................................................................... 124
4.1.1. Amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior............... 124
4.1.2. Amplificador 2_1.......................................................................................... 127
4.1.3. Amplificador 1_1 con plano de masa tambin en la cara superior............... 130

4.2. Optimizacin de los resultados obtenidos.............................................. 133
4.2.1. Amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior........ 133
4.2.1.1. Modificaciones en la red de adaptacin de entrada.............................. 135
4.2.1.2. Modificaciones en la red de adaptacin de salida................................ 146
4.2.2. Amplificador 2_1........................................................................................ 151
4.2.2.1. Modificaciones en la red de adaptacin de entrada............................. 153
4.2.2.2. Modificaciones en la red de adaptacin de salida............................... 163
4.2.3. Amplificador 1_1 con plano de masa tambin en la cara superior........ 174

4.3. Amplificador final de bajo ruido.. . 178
4.3.1. Factor de ruido....................... 180
4.3.2. Parmetros S.................. 183

Captulo 5: Conclusiones. Lneas futuras............................................ 191

5.1. Conclusiones............................................................................................. 191
5.2. Lneas futuras........................................................................................... 193

Anexos.............................................................................................................. 195
Anexo A. Dimensiones fsicas del transistor ATF-35143................................... 195
Anexo B. Dimensiones fsicas de las bobinas de la serie 36501J....................... 196
Anexo C. Dimensiones fsicas de los condensadores SMD Kemet formato 0603. 197
Anexo D. Dimensiones fsicas de los condensadores SMD Epcos formato 0805...... 198
A nexo E. Chequeo de funcionamiento de la fuente de ruido............................ 200
A nexo F. Introduccin de la tabla de ENR al medidor de la figura de ruido. 201
Anexo G. Calibracin del analizador de redes................................................... 202

Referencias................................................................................................................. 204

Agradecimientos........................................................................................................ 205

5

Captulo 1
Introduccin y Objetivos

1.1. Introduccin

El presente proyecto fin de carrera se plantea como una mejora en el diseo de un
amplificador de bajo ruido, LNA (Low Noise Amplifier), previamente realizado en el PFC
titulado: Mejoras en el diseo del amplificador de bajo ruido en la banda de 1420 MHz para
aplicaciones de radioastronoma [5]. Este amplificador formar parte del diseo de un pequeo
radiotelescopio en la banda de 1420 MHz.

Un radiotelescopio es un receptor extremadamente sensible que puede captar seales
mucho ms dbiles que las transmisiones de radio y televisin normales. La posibilidad de
captar estas seales se debe a la presencia de una ventana en la atmsfera correspondiente al
rango de longitudes de onda de 2 cm a 10 m, llamada Ventana de Radio. Con un valor tan
elevado de longitud de onda, las ondas en su recorrido no interfieren apenas con el material que
se encuentran a su paso, gas o polvo, permitiendo as el estudio de objetos en regiones densas y
oscurecidas, como pueden ser las regiones de formacin estelar, imposibles de observar con los
telescopios pticos. Estas regiones, en gran parte, estn formadas por hidrgeno fro, debido a
que el 90 % de los tomos del Universo son de hidrgeno. La longitud de onda de emisin de
hidrgeno es de 21 cm, que corresponde a la frecuencia de 1420.4 MHz, lo que la convierte en
frecuencia de inters para el diseo del radiotelescopio.

El esquema simplificado de un radiotelescopio se puede observar en la siguiente figura:

Figura 1.1-1. Esquema simplificado de un radiotelescopio.
6

El plato reflector recoge y enfoca la radiacin hacia la bocina, a la que sigue un LNB
(Low Noise Block), que constituye la primera etapa del sistema y que se compone de dos
amplificadores de bajo ruido y un filtro paso banda que selecciona la frecuencia deseada. Como
el LNA pertenece a la primera etapa del sistema, su parmetro de ruido contribuir de manera
significativa al parmetro de ruido total del radiotelescopio, tal y como refleja la formula de
Friis:

Por lo tanto, nuestro principal objetivo no ser alcanzar una gran amplificacin, sino la
consecucin de un factor de ruido mnimo, realizando para tal fin un diseo nicamente con
componentes concentrados, sin emplear lneas de transmisin, a diferencia de los PFC previos
[4] y [5], y buscando una figura de ruido por debajo de 1 dB.

En [4] se dise un amplificador de bajo ruido con redes de adaptacin formadas
nicamente por lneas de transmisin, mientras que en [5] se efectuaron dos diseos de
amplificador, uno empleando nicamente lneas de transmisin para el diseo de las redes de
adaptacin, y otro en el que se combinaron lneas de transmisin y componentes concentrados.
En [5] se comprob que el factor de ruido disminuye considerablemente cuando se efecta un
diseo combinando lneas de transmisin y componentes concentrados, NF = 1.17 dB, en lugar
de nicamente lneas de transmisin, NF = 5.2 dB, ya que los componentes concentrados no
introducen prdidas al diseo. Tambin cabe destacar la mejora que se produjo en adaptacin a
la entrada y a la salida, as como en ganancia, al realizar el diseo con lneas de transmisin y
componentes concentrados respecto a la otra opcin de diseo comentada.

El empleo de componentes concentrados para realizar el diseo de las redes de
adaptacin del amplificador conlleva tambin una disminucin del tamao del amplificador,
respecto al caso de utilizar nicamente lneas de transmisin, lo que supone una gran ventaja, ya
que el tamao del amplificador constituye tambin un factor a tener muy en cuenta en el diseo.
El principal problema de este tipo de elementos radica en el hecho de que, tras la optimizacin
del circuito, podemos obtener valores no normalizados y, como tan slo disponemos de ciertos
valores de componentes, al fijar el valor normalizado al componente los resultados de la
simulacin se vern afectados, lo que supone una dificultad aadida a la hora de mejorar los
parmetros del amplificador.

En el presente PFC, como ya hemos comentado, utilizaremos para el diseo de las redes
de adaptacin del amplificador nicamente componentes concentrados, buscando as reducir el
nivel de ruido respecto a [5], aunque esto pueda suponer obtener una peor adaptacin que la
conseguida en [5], ya que para lneas de transmisin puedo fijar cualquier anchura y longitud,
mientras que para componentes concentrados me tengo que ceir a los valores concretos de los
que dispongo.

En este PFC la metodologa empleada, en relacin a [4] y [5], ser diferente. El motivo
es que se explicar detenidamente cada uno de los pasos de diseo del amplificador final,
analizando qu coeficientes de reflexin necesitamos obtener a la entrada y a la salida de la red
de adaptacin de entrada y salida para obtener un diseo de mnimo ruido. Asimismo, otra
diferencia importante en este PFC respecto a [4] y [5] es que se analizarn todas las posibles
redes de adaptacin, comparando sus prestaciones. De esta forma, se pretende proponer un
diseo mucho ms sistematizado que los anteriores, abordando todas las posibles
combinaciones, y sin dejar duda alguna.

7
Para la implementacin fsica del amplificador emplearemos tecnologa microstrip, en
lugar de tecnologa coaxial o gua de onda, debido a que es la tecnologa que mejor permite la
integracin y conexin de componentes, es de fcil fabricacin (circuitos impresos), lo que
conlleva una reduccin de costes, y la ms utilizada, ya que el 90% de los circuitos de
microondas emplean esta tecnologa.

Las fases de este PFC sern las siguientes:

- Diseo terico del amplificador de bajo ruido mejorado.

- Comparacin de las diferentes redes de adaptacin tericas posibles.

- Seleccin de la(s) red(es) de adaptacin ms adecuadas.

- Sistematizacin del proceso de diseo, pasando de redes ideales a redes reales, que incluyan el
efecto de lneas de transmisin reales (prdidas, discontinuidades), as como de las redes de
polarizacin.

- Estudio detallado de la posicin que deben ocupar las redes de polarizacin, y su influencia en
las redes de adaptacin.

- Fabricacin del amplificador diseado.

- Medidas del amplificador fabricado.

- Optimizacin de los resultados obtenidos al medir.

1.2. Objetivos

Este PFC forma parte de un proyecto global de realizacin de un radiotelescopio en la
banda de 1420 MHz, y sus objetivos fundamentales son los siguientes:

Mejorar las prestaciones del PFC previo [5], es decir, reducir el factor de ruido y mejorar la
adaptacin, empleando para ello nicamente componentes concentrados.

Redisear las redes de adaptacin del amplificador, analizando qu coeficientes de reflexin
son necesarios a la entrada y a la salida de las mismas para realizar el diseo final.

Usar software de anlisis circuital, Microwave Office, para confirmar el diseo y tener en
cuenta los efectos de las lneas de transmisin reales (discontinuidades, prdidas),

Fabricar el LNA en tecnologa de circuito impreso y medir sus prestaciones elctricas.

Reducir el tamao del amplificador final fabricado, empleando para tal fin nicamente
componentes concentrados.

Proponer futuras mejoras para su aplicacin como parte de un radiotelescopio.

8
Captulo 2
Proceso de Diseo

En este proyecto fin de carrera se pretende mejorar el diseo de un amplificador de bajo
ruido, (LNA, Low Noise Amplifer), sintonizado a frecuencia de 1420.4 MHz, respecto al PFC
previo, [5]. Estas mejoras consistirn en reducir el factor de ruido, fundamentalmente, intentar
mejorar la ganancia, parmetro S
21
, y la adaptacin a la entrada y a la salida del amplificador,
intentando obtener unos parmetros S
11
y S
22
lo ms cercanos posibles a cero en escala lineal, -
dB en escala logartmica, consiguiendo as mxima transferencia de potencia (MTP) de un
puerto a otro.

El amplificador constar de una red de adaptacin de entrada, un transistor, con su
correspondiente red de polarizacin del surtidor, y una red de adaptacin de salida. A las redes
de adaptacin de entrada y salida se les aadir la red de polarizacin de puerta y de drenador,
respectivamente.

Figura 2-1. Esquema de un amplificador de microondas.
Nuestro objetivo ser disear un amplificador de microondas bajo el criterio de mnimo
ruido, que conlleva la imposicin de dos condiciones:
S
=
S OPT
L
=
OUT
*

Se realizarn diferentes diseos de las redes de adaptacin de entrada y salida, y se
elegir el ptimo para el diseo final del amplificador. Se elaborar el layout del amplificador
final en Microwave Office y se ultimarn sus detalles en Circuit Cam. Finalmente, el circuito
ser fabricado, empleando una mquina fresadora de modelo LPKF Protomat C60/S, controlada
por el software Board Master, medido y, una vez comprobadas las prestaciones del
amplificador, optimizado, buscando obtener los mejores resultados posibles.

El procedimiento de diseo comprende una serie de pasos en comn: inicialmente, se
realizar un diseo ideal, empleando para ello lneas de transmisin sin prdidas, y se obtendrn
sus parmetros elctricos. Los parmetros obtenidos se convertirn en parmetros fsicos
mediante la herramienta de Microwave Office, TxLine, y a partir de ellos se realizar el diseo
real. Para la implementacin fsica de los diseos reales se tendrn en cuenta las caractersticas
del sustrato a emplear en la fabricacin, Duroid RT6006:

- Constante dielctrica relativa:
r
= 6.15 0.15
- Altura del substrato: H = 1.27
9
- Espesor del material conductor: T = 0.035 mm.
- Tangente de prdidas: Tand = 0.0027
- Resistividad normalizada respecto del oro: Rho = 1

En el PFC previo [5], se efectuaron dos diseos de amplificador, uno empleando
nicamente lneas de transmisin para el diseo de las redes de adaptacin, y otro en el que se
combinaron lneas de transmisin y componentes concentrados. Se comprob que el factor de
ruido disminuye considerablemente cuando se efecta un diseo combinando lneas de
transmisin y componentes concentrados a cuando se realiza utilizando nicamente lneas de
transmisin.

El empleo de componentes concentrados conlleva una disminucin del tamao del
amplificador respecto al caso de utilizar nicamente lneas de transmisin. El principal
problema de este tipo de elementos radica en que, tras la optimizacin del circuito, podemos
obtener valores no normalizados y, como tan slo disponemos de ciertos valores de
componentes, al fijar el valor normalizado al componente los resultados de la simulacin se
vern afectados, lo que supone una dificultad aadida a la hora de mejorar los parmetros del
amplificador.

En el presente PFC, como ya hemos comentado, utilizaremos para el diseo de las redes
de adaptacin del amplificador nicamente componentes concentrados, buscando as reducir el
nivel de ruido respecto a [5], aunque esto pueda suponer obtener una peor adaptacin que la
conseguida en [5], ya que para lneas de transmisin puedo fijar cualquier anchura y longitud,
mientras que para componentes concentrados me tengo que ceir a los valores concretos de los
que dispongo.

El primer paso en el proceso de diseo de un amplificador de microondas consiste en el
diseo del transistor, con su correspondiente red de polarizacin del surtidor.

2.1. Diseo del transistor polarizado.
En este primer apartado del captulo dedicado al proceso de diseo, se seguir el
desarrollo paso a paso del diseo de un circuito de transistor polarizado. Para la implementacin
de dicho circuito se ha optado por un transistor de tecnologa MESFET de Arseniuro de Galio
(GaAs) de modelo ATF-35143, debido a la compatibilidad de sus caractersticas con las
especificaciones del diseo (la hoja de caractersticas se adjunta en el anexo A).

2.1.1. Especificaciones del transistor ATF- 35143.
Una vez elegido el transistor, se elegir su punto de polarizacin, correspondiente al
parmetro de mnima figura de ruido, y se disearn sus redes de polarizacin, optando por una
red autopolarizada.
Los pasos realizados en el diseo del transistor son los siguientes:
Elegir el punto de polarizacin del transistor y extraer sus parmetros S para la frecuencia de
trabajo, 1420 MHz:
10
(
=
) ( ) (
) ( ) (
) (
0 22 0 21
0 12 0 11
0
f S f S
f S f S
f S
pol

Las hojas del catlogo de caractersticas proporcionan los parmetros S del transistor
para diferentes polarizaciones. Debido a que el diseo que se pretende realizar es de mnimo
ruido, se seleccionarn los parmetros S del transistor que proporcionen un factor de ruido
mnimo, NF
mn
. Realizando una comparacin de los parmetros de ruido mnimo y ganancia
para diferentes polarizaciones, a frecuencia de 1420 MHz, se llega a la conclusin de que el
punto de polarizacin ha de ser V
DS
= 2 V, I
DS
= 10 mA, ya que es el que proporciona el mejor
compromiso entre mnimo ruido y mxima ganancia.

Punto de Polarizacin NF
mn
(dB) G
a
(dB)
V
DS
= 2 V, I
DS
= 5 mA 0.20 16.3
V
DS
= 2 V, I
DS
= 10 mA 0.15 17.5
V
DS
= 2 V, I
DS
= 15 mA 0.19 17.9

Tabla 2.1-1. Factores de ruido mnimos y ganancias para diferentes puntos de polarizacin
del transistor ATF-35143.

La caracterizacin en parmetros S y parmetros de ruido, suministrada por el
fabricante para el punto de polarizacin elegido, ser la siguiente:

S
11
S
21
S
12
S
22
frec.
(Ghz) Mag Ang Mag Ang Mag Ang Mag Ang
0.50 0.99 -19 6.23 165 0.024 78 0.63 -14
0.75 0.97 -29 6.16 156 0.036 71 0.61 -20
1.00 0.95 -38 6.03 148 0.047 65 0.60 -26
1.50 0.91 -56 5.73 134 0.066 54 0.57 -39
1.75 0.89 -64 5.57 127 0.074 49 0.56 -45
2.0 0.86 -72 5.40 120 0.082 44 0.54 -51
2.5 0.81 -88 5.08 107 0.096 35 0.51 -62
3.00 0.76 -103 4.76 95 0.107 26 0.47 -72
4.00 0.66 -135 4.17 72 0.122 9 0.41 -91
5.00 0.61 -165 3.67 50 0.131 -6 0.34 -110
6.00 0.58 166 3.26 30 0.136 -20 0.27 -129
7.00 0.57 137 2.91 11 0.139 -34 0.21 -150
8.00 0.58 111 2.61 -8 0.139 -46 0.17 -175
9.00 0.61 87 2.32 -26 0.138 -58 0.13 154
10.00 0.65 66 2.10 -44 0.138 -68 0.11 118
11.00 0.69 47 1.89 -62 0.137 -79 0.14 78
12.00 0.72 28 1.69 -80 0.135 -91 0.19 50
13.00 0.74 9 1.49 -97 0.129 -102 0.26 30
14.00 0.77 -5 1.31 -113 0.123 -111 0.33 9
15.00 0.82 -16 1.16 -129 0.118 -120 0.39 -8
16.00 0.82 -28 1.02 -145 0.115 -130 0.45 -22
17.00 0.84 -40 0.91 -159 0.115 -140 0.51 -32
18.00 0.86 -56 0.80 -175 0.108 -149 0.57 -44

Tabla 2.1-2. Parmetros S del transistor ATF-35143 polarizado a V
DS
= 2 V, I
DS
= 10 mA
proporcionada por el fabricante.

11
NF pt Gamma pt
frec. (GHz)
dB Mag Ang
Rn/Zo
0.50 0.10 0.88 5 0.15
0.90 0.11 0.84 14 0.15
1.00 0.12 0.83 16 0.15
1.50 0.17 0.77 26 0.15
1.80 0.20 0.74 32 0.15
2.00 0.23 0.71 37 0.14
2.50 0.29 0.66 49 0.14
3.00 0.34 0.60 61 0.12
4.00 0.46 0.52 87 0.12
5.00 0.58 0.45 115 0.08
6.00 0.69 0.40 146 0.05
7.00 0.81 0.37 178 0.05
8.00 0.92 0.35 -149 0.07
9.00 1.04 0.35 -116 0.12
10.00 1.16 0.37 -82 0.22

Tabla 2.1-3. Parmetros de ruido del transistor ATF-35143 polarizado a V
DS
= 2 V, I
DS
= 10
mA proporcionados por el fabricante.

Importar los parmetros del transistor para el punto de polarizacin elegido en formato de un
archivo de datos con la extensin .s2p (Data FilesImport Data File). El archivo
importado se asigna al transistor de nuestro diseo, dejndolo, de esta manera, totalmente
caracterizado por los parmetros S y de ruido proporcionados por el fabricante.

1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2

Figura 2.1-1. Esquemtico del transistor ATF-35143.

Los parmetros S del transistor para la frecuencia de 1420.4 MHz se obtienen
realizando una interpolacin en Microwave Office (Project options Single point
1420.4 MHz):

|
|
\
|

=
=
85 . 36 57273 . 0 31 . 136 7539 . 5
3 . 55 06286 . 0 06 . 53 91017 . 0
5 . 1420 MHz f
S

En cuanto a los parmetros de ruido, obtenemos:

NF
mn
= 0.16209;
S OPT
= 0.7788324.416; Rn/Zo = 0.15

12
Comprobar si es incondicionalmente estable empleando el factor de estabilidad K:
| | 2
| | | | | | 1
21 12
2
22
2
11
2
S S
S S
K
+
= ;
21 12 22 11
) det( S S S S S = =
Obtenemos un valor de K = 0.2361, por tanto, K < 1, que representa:

K = Unilaterales (S
12
= 0), Incondicionalmente estables y Adaptables.
| | 1 Incondicionalmente Estables y Adaptables. K > 1
| | > 1 Condicionalmente Estables y Adaptables.
-1 < K < 1 Condicionalmente Estables y No Adaptables.
K < -1 Inestables con posibilidad de estabilizacin resistiva (padding)

Tabla 2.1-4. Expresiones que determinan la estabilidad de un dispositivo.

K < 1 significa que el dispositivo es condicionalmente estable y no adaptable.

Si no es incondicionalmente estable, como sucede en este caso, realizaremos un estudio de
estabilidad a la entrada y a la salida, teniendo en cuenta los crculos de estabilidad de fuente y
de carga, respectivamente, y escogeremos las redes de adaptacin adecuadas para evitar que se
produzca esta inestabilidad.

En la misma Carta de Smith representamos los crculos de ruido espaciados 0.3 dB,
representados en color rosa, y el coeficiente de reflexin para mnimo ruido a la entrada del
dispositivo, obtenido mediante la funcin GMN de Microwave Office.

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.
0
- 4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Circulo de estabilidad de fuente y circulos de ruido
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_solo
NFCIR[2,0.3]
TRT_solo
GMN
TRT_solo

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.
0
- 4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Circulo de estabilidad de carga
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_solo

Figura 2.1-2. Crculo de estabilidad de fuente Figura 2.1-3. Crculo de estabilidad de
y crculos de ruido del TRT. carga del TRT.
13
La zona de la Carta de Smith que delimita el tramo de lnea continua del crculo de
estabilidad representa la regin estable, y la lnea discontinua encierra la regin inestable.
Esto tambin se puede comprobar observando el valor de los parmetros S
11
y S
22
. As, como
|S
22
| = 0.57 < 1, el centro de la carta de Smith de fuente (
S
) es estable. De la misma forma,
como |S
11
| = 0.91 < 1, el centro de la carta de Smith de carga (
L
) tambin es estable. Como se
puede observar en las figuras, se confirma que el transistor no es incondicionalmente estable, ya
que los crculos definen zonas inestables en la carta de Smith. Sin embargo, se manifiesta que el
diseo de mnimo ruido es posible, debido a que el coeficiente de reflexin para mnimo ruido
se encuentra en la zona estable.

2.1.2. Red de polarizacin del transistor

A la hora de elegir la red de polarizacin para el transistor MESFET de Arseniuro de
Galio se ha optado por una red autopolarizada, debido a su facilidad de diseo y el empleo de
una nica tensin de alimentacin, en vez de una tensin continua para la puerta (G) y otra para
el drenador (D) como ocurre en otras redes de polarizacin.

El esquema de la red a emplear es el siguiente:

Figura 2.1-4. Red de alimentacin autopolarizada.
El voltaje aplicado a la puerta (G), necesario para proporcionar la corriente deseada al
drenador (D) de I
ds
= 10 mA, depende de la tensin de pinchoff del dispositivo, y de la corriente
de saturacin I
dss
. Para el clculo de la tensin entre la puerta y el surtidor se recurre a la
siguiente expresin:
) 1 (
dss
d
p gs
I
I
V V =
Para un transistor ATF-35143 con la corriente I
d
de 10 mA, con una I
dss
= 60 mA, y una
tensin de pinchoff V
p
= -0.5, el voltaje V
gs
requerido ser de -0.296 V.

14
De esta manera, la resistencia de surtidor, Rs, necesaria en la red de polarizacin ser
=
= 6 , 29
d
gs
S
I
V
R . Puesto que no hay resistencias normalizadas de 29,6 , se recurrir a la
normalizada ms cercana, R
S
= 24 .

Por otro lado, para la puerta se elige un valor alto de resistencia normalizada, por
ejemplo, R
G
= 47 .
Finalmente, para determinar los valores de R
d
y V
dd
se recurre a la expresin:
( )
s d d ds dd
R R I V V + + =

Donde I
d
es la corriente continua que alimenta la red de polarizacin por el drenador,
mientras que V
ds
es la tensin de polarizacin, cuyo valor deseado es de 2 V. Entonces fijando
V
ds
= 2 V, I
d
= 10 mA, R
s
= 24 y considerando que R
D
= 33 , obtenemos el valor de V
dd
=
2.57V.

El transistor elegido, ATF-35143, tiene cuatro patas de contacto: puerta (G), drenador
(D) y dos patas para la fuente (S), tal y como se muestra en la figura de abajo:

Figura 2.1-5. Posicin de las patas de un transistor ATF-35143.

Dado que la fuente tiene dos patas, para formar una resistencia de 24 se conectarn
dos resistencias de 47 en paralelo. Adems se conectarn dos lneas de transmisin a cada una
de las patas de la fuente, y un condensador de 33 pF en paralelo con las resistencias. La
introduccin de estas lneas de transmisin mejorar notablemente la estabilidad del circuito.

Al transistor inicialmente planteado se le aade la red de polarizacin del surtidor,
nicamente la del surtidor, ya que las redes de polarizacin de la puerta y del drenador se
aadirn a la red de adaptacin de entrada y de salida, respectivamente.

Si cogemos slo una de las dos patas del transistor para la fuente, para la red de
polarizacin tendremos:
15

Figura 2.1-6. Red de polarizacin de una de las dos patas del surtidor del transistor.

Sabemos que la admitancia del condensador es Y
C
= jC. En DC, como = 0,
entonces, Y
C
= 0, y el condensador se comporta como un circuito abierto, quedando la red de la
siguiente forma:

Figura 2.1-7. Red de polarizacin de surtidor en continua.

En radiofrecuencia, RF, Y
C
= jC ser muy alto, ya que es muy elevada, = 1420.4
MHz, por lo que el condensador se comportar como un cortocircuito, anulando, por tanto, el
paso de corriente por la resistencia, por lo que slo me queda la lnea de transmisin como parte
de la red de polarizacin.

2.1.2.1. Eleccin de las dimensiones ptimas de las lneas de transmisin de
la red de polarizacin de surtidor. Comprobacin de estabilidad.

Las dimensiones de las lneas de transmisin de la red de polarizacin de surtidor,
anchura (w) y longitud (L), van a influir en la estabilidad del transistor polarizado, como
podremos apreciar a continuacin.

16
Elegimos, en primer lugar, una anchura w = 0.5 mm y una longitud L = 9.956 mm, tal y como
se hizo en [5], quedando el transistor polarizado de la siguiente forma:

Figura 2.1-8. Transistor con red de polarizacin del surtidor.

Procedemos a estudiar la estabilidad del circuito, y elegir los coeficientes de reflexin
de fuente y de carga que cumplan con el criterio de mnimo ruido.

Los parmetros S obtenidos a la frecuencia de 1420.4 MHz son los siguientes:

|
|
\
|

=
=
161 . 4 7548 . 0 588 . 99 6039 . 2
417 . 94 087 . 0 29 . 17 7144 . 0
4 . 1420 MHz f
S

Representamos los crculos de ruido, el crculo de estabilidad de fuente y el coeficiente
de reflexin de fuente ptimo, mediante la funcin GMN de Microwave Office, para la entrada
del amplificador, y el crculo de estabilidad de carga para la salida del amplificador.

17
01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.
0
-
4 .
0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Fuente y Ruido TRT con Surtidor
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_RED_SURTIDOR
NFCIR[2,0.3]
TRT_RED_SURTIDOR
GMN
TRT_RED_SURTIDOR

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
- 4
. 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Carga TRT con Surtidor
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_RED_SURTIDOR

Figura 2.1-9. Crculo de estabilidad de Figura 2.1-10. Crculo de estabilidad de
fuente y crculos de ruido del TRT polarizado carga del TRT polarizado para
para w =0.5mm y L = 9.956mm. w =0.5mm y L =9.956mm.

As, como |S
22
| = 0.754 < 1, el centro de la carta de Smith de fuente (
S
) ser estable. De
la misma forma, como |S
11
| = 0.714 < 1, el centro de la carta de Smith de carga (
L
) tambin ser
estable. Como se puede observar en las figuras, se confirma que el transistor polarizado es
incondicionalmente estable, ya que la zona inestable queda completamente fuera de la carta de
Smith. El conseguir un transistor incondicionalmente estable supone una enorme ventaja, ya que
cualquier
S
elegido pertenecer siempre a la zona estable, elijamos un
S
u otro. El coeficiente
S
debe pertenecer siempre a la zona estable para que se pueda realizar el diseo del
amplificador.

Por supuesto, el diseo de mnimo ruido ser posible, ya que el valor del coeficiente de
reflexin de fuente correspondiente a mnimo ruido se encuentra en la zona estable.

Podemos corroborar que se trata de un diseo incondicionalmente estable mediante el
clculo de K a partir de los parmetros S.

Aplicamos la ecuacin anteriormente comentada:

| | 2
| | | | | | 1
21 12
2
22
2
11
2
S S
S S
K
+
=

Obtenemos un valor de K= 1.0172 >1, con | | = 0.7355 < 1, lo cual, segn explicbamos
anteriormente, representa que el circuito es incondicionalmente estable.

El coeficiente de reflexin ptimo obtenido, mediante la funcin GMN de Microwave
Office, es el siguiente:
S OPT
= 0.73438 24.468

Probamos con otras dimensiones de las lneas de transmisin que forman parte de la red
de polarizacin del surtidor para comprobar si, reduciendo la longitud de la lnea, el transistor
polarizado sigue siendo incondicionalmente estable, condicin que conseguamos para w = 0.5
mm, L = 9.956 mm. Realizamos un estudio comparativo para distintas dimensiones de las
lneas, y nos quedaremos con aquellas dimensiones que presenten una menor longitud,
18
principalmente, y una menor anchura, siempre y cuando el transistor polarizado mantenga la
propiedad de ser incondicionalmente estable.

Probamos, en segundo lugar, con w = 1.856 mm y una longitud L = 1 mm. Intentamos,
principalmente, reducir la longitud de la lnea, de ah que probemos con longitudes inferiores a
9.956 mm, ya que se hace innecesario colocar una lnea de 9.956 mm de longitud para
simplemente un elemento de unin en la red de polarizacin del surtidor del transistor.

Representamos los crculos de estabilidad de fuente, de ruido y de carga para w = 1.856
mm, L = 1 mm. Elegimos una anchura de 1.856 mm porque es la anchura que se obtiene para
una lnea real cuando tenemos una lnea ideal de 50 de impedancia y, en nuestro caso, una
longitud elctrica de 90 y frecuencia 1420.4 MHz.

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4
.0
- 4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Estab fuente TRT SURTIDOR 2
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_SURTIDOR_2
NFCIR[2,0.3]
TRT_SURTIDOR_2
GMN
TRT_SURTIDOR_2

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Estab carga TRT SURTIDOR 2
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_SURTIDOR_2

para w =1.856mm y L = 1mm. w =1.856mm y L =1mm.

Podemos comprobar que este transistor polarizado ya no presenta la propiedad de ser
incondicionalmente estable, por lo que, aunque estas dimensiones sean menores, tendremos que
descartarlas. Esto es as porque perdemos la propiedad fundamental de ser incondicionalmente
estable, aunque
S OPT
se encuentre en la regin estable, ya que finalmente elegir un
S
que no
ser
S OPT
, y tendr que asegurarme que ese
S
cae en regin estable, y eso slo lo puedo
garantizar si el transistor polarizado es incondicionalmente estable.

La siguiente comprobacin es para w = 1.856 mm y L = 5 mm:

19
01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_SURTIDOR_3
NFCIR[2,0.3]
TRT_SURTIDOR_3
GMN
TRT_SURTIDOR_3

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_SURTIDOR_3


Podemos comprobar como este transistor polarizado tampoco es incondicionalmente
estable, por lo que, aunque estas dimensiones sean menores, tendremos tambin que
descartarlas.

La siguiente comprobacin es para w = 1.856 mm y L = 10 mm:

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_SURTIDOR_4
NFCIR[2,0.3]
TRT_SURTIDOR_4
GMN
TRT_SURTIDOR_4

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_SURTIDOR_4


Si hacemos zoom sobre la carta de Smith podremos observar que no es
incondicionalmente estable, ya que hay una pequesima zona de la carta de Smith que
pertenece a la regin inestable:
20

Figura 2.1-17. Zoom sobre la carta de Smith para w =1.856mm y L = 10mm.

Esta apreciacin grfica la podemos corroborar mediante el clculo del parmetro K con
Microwave Office:

Tabla 2.1-5. Parmetro K a la frecuencia de inters para w =1.856mm y L = 10mm.

K = 0.99038 < 1, por lo que, como sabemos, no es incondicionalmente estable, ya que
una condicin necesaria para serlo es que K sea mayor que 1.

Probamos ahora con w = 0.2 mm y L = 5 mm:

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_SURTIDOR_5


Si hacemos zoom sobre la carta de Smith podremos observar que no es
incondicionalmente estable, ya que hay una pequea zona de la carta de Smith que pertenece a
la regin inestable.
0
1.0
1.0
-1.0
10.0
10.0
-10.0
5.0
5.0
-5.0
2.0
2.0
-2.0
3.0
3.0
-3.0
4.0
4.0
-4.0
0.2 0.2
-0.2
0.4
0.4
-0.4
0.6
0.6
-0.6
0.8
0.8
-0.8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_SURTIDOR_5
NFCIR[2,0.3]
TRT_SURTIDOR_5
GMN
TRT_SURTIDOR_5
21


Microwave Office:


K = 0.98589 < 1, por lo que, como sabemos, no es incondicionalmente estable, ya que
una condicin necesaria para serlo es que K sea mayor que 1.

Comprobamos que resultado obtenemos con w = 0.2 mm y L = 6 mm, 1 mm ms de longitud
que en el caso anterior, intentando as que cumpla la condicin de ser incondicionalmente
estable. Obtenemos la siguiente situacin:


22
Si hacemos zoom sobre la carta de Smith podremos observar que la regin inestable
queda por completo fuera de la zona delimitada por la carta de Smith.


Microwave Office:


K > 1, con
21 12 22 11
) det( S S S S S = = , y unos parmetros S para el transistor
polarizado:

Tabla 2.1-8. Parmetros S del transistor polarizado para w =0.2mm y L = 6mm.

Si pasamos estos parmetros a forma compleja tenemos:

S
11
= 0.617-0.277j.
S
21
= -0.863+3.104j.
S
12
= -3.493*10
-3
+0.078j.
S
22
= 0.684-0.072j.

| | = 0.659 < 1, por lo que hemos comprobado que el transistor polarizado es
incondicionalmente estable.

Comprobamos, por ltimo, que sucede si en lugar de coger la anchura mnima posible en un
diseo real, w = 0.2 mm, cogemos una anchura ligeramente superior, w = 0.3 mm, manteniendo
la longitud anterior de L = 6 mm. En este caso obtenemos:

23
01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.
0
- 4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_SURTIDOR_7
NFCIR[2,0.3]
TRT_SURTIDOR_7
GMN
TRT_SURTIDOR_7

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.
0
- 4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_SURTIDOR_7


Hacemos zoom sobre la carta de Smith para observar mejor la situacin:


Se puede apreciar como una pequesima zona perteneciente a la carta de Smith queda
dentro de la regin inestable, por lo que el transistor polarizado no es incondicionalmente
estable. Este resultado se puede corroborar obteniendo el parmetro K:


Al ser K < 1, podemos garantizar que el resultado obtenido grficamente era cierto y el
transistor polarizado no es incondicionalmente estable, por lo que tendremos que descartar estas
dimensiones.

Si aumentamos an ms la anchura, de w = 0.3 mm a w = 0.4 mm, manteniendo la misma
longitud L = 6 mm, obtenemos:
24

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.
0
- 4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_SURTIDOR_8
NFCIR[2,0.3]
TRT_SURTIDOR_8
GMN
TRT_SURTIDOR_8

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.
0
- 4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_SURTIDOR_8


Si hacemos zoom sobre la carta de Smith observamos mejor la situacin:

Figura 2.1-29. Zoom sobre la carta de Smith para w =0.4mm y L = 6mm

En este caso se aprecia mejor, respecto al caso de w = 0.3 mm, como el transistor no es
incondicionalmente estable. Por tanto, al aumentar la anchura w, el transistor ser cada vez en
menor medida incondicionalmente estable, hecho que no nos interesa.

Realizamos una comparativa de los crculos de estabilidad de fuente y de carga para una
longitud L fija de 6 mm, y una anchura que vara, con w = 0.2 mm, w = 0.3 mm y w = 0.4 mm.
En el esquemtico TRT_SURTIDOR_6, la anchura es de 0.2 mm, en TRT_SURTIDOR_7,
la anchura es 0.3 mm, mientras que en TRT_SURTIDOR_8, w = 0.4 mm.
25
01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4
.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Estab fuente para L fija
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_SURTIDOR_6
SCIR1
TRT_SURTIDOR_7
SCIR1
TRT_SURTIDOR_8

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4
.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Estab carga para L fija
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_SURTIDOR_6
SCIR2
TRT_SURTIDOR_7
SCIR2
TRT_SURTIDOR_8

Figura 2.1-30. Comparacin de crculos de Figura 2.1-31. Comparacin de crculos de
estabilidad de fuente para L fija. estabilidad de carga para L fija.

Si hacemos zoom podemos observar mejor las pequesimas diferencias entre los
crculos de estabilidad de fuente:

Figura 2.1-32. Zoom sobre la carta de Smith para L fija.

En esta grfica, en color azul se representa para anchura w = 0.2 mm, en rosa para w =
0.3 mm, y en marrn para w = 0.4 mm. Por lo tanto, podemos observar que al aumentar la
anchura w, el transistor tiende a ser cada vez menos incondicionalmente estable, hecho que no
nos interesa que suceda.

Comparamos tambin que sucede cuando variamos la longitud L, manteniendo la
anchura w = 1.856 mm, que es la anchura correspondiente a una lnea de impedancia
caracterstica 50 .

En el esquemtico TRT_SURTIDOR_2, la longitud es de 1 mm, en
TRT_SURTIDOR_3, la longitud es 5 mm, mientras que en TRT_SURTIDOR_4, L = 10
mm.
26
01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4
.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Estab fuente para w fija
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
TRT_SURTIDOR_2
SCIR1
TRT_SURTIDOR_3
SCIR1
TRT_SURTIDOR_4

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.
0
- 4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Estab carga para w fija
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
TRT_SURTIDOR_2
SCIR2
TRT_SURTIDOR_3
SCIR2
TRT_SURTIDOR_4

Figura 2.1-33. Comparacin de crculos de Figura 2.1-34. Comparacin de crculos de
estabilidad de fuente para w fija. estabilidad de carga para w fija.

Podemos apreciar como, conforme la longitud aumenta, el transistor polarizado se va
aproximando a ser incondicionalmente estable, aunque no lo sea en ninguno de estos 3 casos.

Despus del estudio llevado a cabo, elegiremos, por tanto, la anchura w = 0.2 mm y
longitud L = 6 mm como dimensiones de las lneas de transmisin de la red de polarizacin del
surtidor, ya que con estas dimensiones el transistor es incondicionalmente estable, y
conseguimos as tambin reducir las dimensiones de la lnea de w = 0.5 mm, L = 9.956 mm,
obtenido para el primer caso, a w = 0.2 mm, L = 6 mm.

El transistor con la red de polarizacin del surtidor finalmente empleado es el siguiente:

CAP
C=
ID=
33 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL2
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2

Figura 2.1-35. Transistor polarizado escogido.

27
El coeficiente de reflexin ptimo obtenido, mediante la funcin GMN de Microwave
Office, es el siguiente:

S OPT
= 0.74853 24.357 = 0.682+0.309j.

Tanto NF
mn
como
S OPT
son dos parmetros que obtenemos para poder efectuar un
diseo de mnimo ruido.

Una vez hemos diseado el transistor con su red de polarizacin de surtidor, efectuamos
el diseo del amplificador de una etapa, empleando para ello nicamente componentes
concentrados.

2.2. Diseo del amplificador bajo el criterio de mnimo
ruido.

Realizaremos el diseo de un amplificador bajo el criterio de mnimo ruido, por lo que
tendremos 2 condiciones que aplicar:

S
=
S OPT
= 0.74853 24.357

*
*
11
21 12
22
1
out
S
S
L
S
S S
S
=
|
|
\
|
+ =

El primer paso en el proceso de diseo del amplificador ser determinar los coeficientes
de reflexin
S OPT
y
OUT
*.

2.2.1. Eleccin de los coeficientes de reflexin. Comprobacin de
estabilidad.

Sustituyendo los parmetros S calculados anteriormente y haciendo
S
=
S OPT,
llegamos
a que
OUT
* = 0.402+0.328j = 0.51939.212.

Podemos comprobar este resultado mediante otro procedimiento:

Basndonos en el transistor con red de polarizacin de surtidor diseado en el apartado
anterior, cargamos el puerto de entrada con
S OPT,
y calculando el parmetro S
22
estaremos
obteniendo el valor de
OUT
.
28
CAP
C=
ID=
33 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL2
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2
PORTG
GA=
GM=
P=
24.36 Deg
0.7485
1

Figura 2.2-1. Transistor polarizado con el puerto de entrada cargado con
S OPT.

El puerto de entrada para cualquier circuito siempre lo cargaremos con aquello que ve
ese puerto hacia su izquierda, ya sea Z
0
= 50 o el correspondiente coeficiente de reflexin,
visto desde el puerto hacia la izquierda. Por ejemplo, en esta situacin, el puerto de entrada al
transistor polarizado ve hacia su izquierda
S
, con lo que este puerto estar cargado con
S
,
quedando el transistor polarizado como en la figura de arriba, en el que
S
es
S OPT
.

Figura 2.2-2. Situacin descrita para el puerto de entrada.

Para el puerto de salida, se cargar el puerto con aquello que vea hacia su derecha:

Figura 2.2-3. Situacin descrita para el puerto de salida.

En este caso, el puerto de salida del transistor polarizado quedar cargado con
L
.
29

Indicar que el parmetro S
22
representa el coeficiente de reflexin visto desde la salida
del circuito en cuestin hacia la izquierda. El parmetro S
11
representa, por otro lado, el
coeficiente de reflexin visto desde la entrada hacia la derecha.

Figura 2.2-4. Esquema representativo de que representan los parmetros S
11
y S
22
.

Por MTP, siempre tendremos una situacin de impedancias conjugadas al obtener la
impedancia vista desde un punto hacia la derecha y la impedancia vista desde ese mismo punto
hacia la izquierda, lo cual se entiende mejor en esta representacin:

Figura 2.2-5. Coeficientes de reflexin conjugados por MTP.

Obtenemos el siguiente coeficiente de reflexin
OUT
, al calcular S
22
como hemos
explicado anteriormente:

Tabla 2.2-1. Coeficiente de reflexin
OUT
.

OUT
= 0.52117 -39.21. ste ser el valor de
OUT
que utilizaremos de aqu en
adelante, que se aproxima muchsimo al calculado matemticamente,
OUT
= 0.519 -39.21.

Finalmente obtenemos un amplificador ideal, que se obtiene de cargar el transistor, con
su correspondiente red de polarizacin del surtidor, con
S OPT
en el puerto de entrada, y
OUT
*
en el puerto de salida.
30
CAP
C=
ID=
33 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL2
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORTG
GA=
GM=
P=
39.21 Deg
0.5212
2
PORTG
GA=
GM=
P=
24.36 Deg
0.7485
1

Figura 2.2-6. Amplificador ideal.

Por ltimo, presentamos los resultados obtenidos para el amplificador ideal diseado.
Estos resultados deben coincidir con los que luego obtendremos al aadirle, al transistor con red
de polarizacin del surtidor, las redes de adaptacin de entrada y salida.

Tabla 2.2-2. Resultados obtenidos para el amplificador ideal.

A la frecuencia de inters, 1420.4 MHz, el resultado obtenido para el parmetro S
11
es,
como era de esperar, alto, tan slo -8.631 dB. Se trata, por tanto, de un resultado obtenido no
deseado. Siempre buscaremos unos parmetros S
11
y S
22
lo ms bajos posibles. Obtenemos un
resultado ptimo para el parmetro S
22
, S
22
= -107.57 dB, y tambin para S
21
, que representa la
ganancia, siendo sta alta como queremos, y para S
12
, que presenta un valor relativamente bajo.
El factor de ruido obtenido es exactamente igual que el mnimo, cumplindose el criterio de
mnimo ruido, NF = NF
mn
.

Comprobamos la estabilidad del amplificador ideal diseado mediante los crculos de
estabilidad de fuente y carga.

31
01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Estabilidad fuente TRT cargado
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR1
Ampli_ideal
NFCIR[2,0.3]
Ampli_ideal

01
.
0
1
.
0
-
1
.
0
1
0
.
0
10.0
- 1 0 . 0
5
.
0
5.0
- 5 . 0
2
.
0
2
.
0
-
2
.
0
3
.
0
3
.
0
-
3
.
0
4
.
0
4.0
-
4 . 0
0
.
2
0 . 2
-0.2
0
.
4
0
.
4
-
0
.
4
0
.
6
0
.
6
-
0
.
6
0
.
8
0
.
8
-
0
.
8
Estabilidad carga TRT cargado
Swp Max
1420.4MHz
Swp Min
1420.4MHz
SCIR2
Ampli_ideal

Figura 2.2-7. Crculo de estabilidad de fuente Figura 2.2-8. Crculo de estabilidad de
carga y crculos de ruido del TRT polarizado y del TRT polarizado y cargado con
cargado con coeficientes de reflexin. coeficientes de reflexin.

Segn los resultados obtenidos, podemos concluir que se trata de un circuito
incondicionalmente estable, ya que la regin inestable queda fuera de la zona comprendida por
la carta de Smith.

Comprobamos matemticamente, sabiendo que:
| | 2
| | | | | | 1
21 12
2
22
2
11
2
S S
S S
K
+
= ;
21 12 22 11
) det( S S S S S = =
y obtenemos un factor K >1, con | | <1, que corrobora lo obtenido grficamente.

Una vez calculados los coeficientes de reflexin de fuente y carga, se procede a disear
las redes de adaptacin de entrada y de salida.

2.2.2. Diseo ideal de la red de adaptacin de entrada

El objetivo de esta etapa del proceso de diseo ser disear una red de adaptacin de
entrada que me permita conseguir el
S OPT
calculado anteriormente, alcanzando las mejores
prestaciones en cuanto a adaptacin a la entrada y a la salida, y factor de ruido posibles.

Recordar que
S OPT
lo habamos obtenido anteriormente, siendo
S OPT
=
0.748524.36, que en forma compleja sera 0.682+0.309j. Este coeficiente nos determinar
qu redes de adaptacin de entrada se van a poder disear y cules no, segn explicamos a
continuacin.

32

Figura 2.2-9. Diseo de la red de adaptacin de entrada segn el valor de
S OPT
.

Podemos obtener la impedancia normalizada
SOPT
Z a partir del coeficiente de reflexin
mediante la expresin:

=
+
=
SOPT
SOPT
SOPT
Z
1
1
2.235 + 3.143j

Situamos
SOPT
Z = 2.235+3.143j en la Carta de Smith, teniendo en cuenta que su
representacin ser el punto de unin del crculo de parte real 2.235 y el crculo de parte
imaginaria 3.143.

A continuacin podemos apreciar diferentes posibles diseos de redes de adaptacin de
entrada, con el esquemtico de la red y su representacin en la carta de Smith. En esta
representacin la zona interesante es la que queda comprendida dentro de la regin delimitada
por la lnea verde. Esto quiere decir que, si
SOPT
Z , representada en la carta de Smith mediante
un punto rojo, queda dentro de la zona comprendida por la lnea verde, esa red de adaptacin se
podr disear, mientras que si el punto rojo queda fuera de la zona delimitada, esa red no se
podr disear, ya que obtendremos valores de inductancia o capacidad negativos, hecho que no
se puede dar en la prctica.
33

Figura 2.2-10. Posibles redes de adaptacin de entrada con la zona de diseo delimitada.

En este caso, en base a la representacin anterior, podemos decir que slo podremos
disear dos redes de adaptacin de entrada, la red tipo 1y la red tipo 2.

2.2.2.1. Primera red de adaptacin de entrada

Esta red de adaptacin corresponde a la red tipo 1 de la figura 2.2-10.

34

Figura 2.2-11. Primera red de adaptacin de entrada.

La impedancia que ve
S OPT
es Z
S OPT
, resultado de asociar L y los 50 del puerto de
entrada en serie, y esta impedancia resultante en paralelo con C.

Figura 2.2-12. Primera red de adaptacin de entrada simplificada.

( )
C j
L j Z
SOPT
1
// 50 + = = 111.75 + 157.15j, resultado de desnormalizar la impedancia
normalizada
SOPT
Z = 2.235+3.143j con respecto a Z
0
= 50.

Al tratarse de impedancias en paralelo, podemos trabajar con admitancias, mediante la
relacin Y=1/Z, y as poder sumar admitancias en paralelo. Nos queda:

Y
S OPT
= Y
X
+jC = 3.005*10
-3
j 4.226*10
-3
, siendo
L j
Y
X
+
=
50
1

Vemos que Y
S OPT
tiene parte real y parte imaginaria, y su parte real slo puede venir de
la parte real de Y
X
, con lo que, multiplicando numerador y denominador por el conjugado del
denominador, nos quitamos la j del denominador y llegamos a que L = 13.3 nH.

Por otro lado, llegamos a que Im(Y
X
) +C = Im(Y
S OPT
) y, habiendo calculado el valor
de L anteriormente, concluimos que C = 0.328 pF.

Hemos obtenido los valores de los componentes de la red de adaptacin mediante
clculo terico. Ahora comprobamos con simulaciones que los valores de L y C obtenidos son
correctos.
35

En el circuito anterior, una vez hemos introducido los valores calculados de L y C,
medimos el parmetro S
22
, que nos dar el valor del coeficiente
S OPT
:

Figura 2.2-13. Obtencin del coeficiente
S OPT
para la primera red de adaptacin de entrada.

El coeficiente
S OPT
obtenido es:

Tabla 2.2-3. Coeficiente
S OPT
obtenido para la primera red de adaptacin de entrada.

Resultado obtenido muy parecido al terico:
S OPT
= 0.74853 24.357, por lo que
podemos concluir que los valores de L y C obtenidos de forma terica son correctos.

Obtenemos los valores de los parmetros que me indicarn cmo es la adaptacin a la
entrada y a la salida de la red, S
11
y S
22
respectivamente, as como su ganancia, S
21
.

Tabla 2.2-4. Parmetros S obtenidos para la primera red de adaptacin de entrada.

Podemos apreciar en la figura de arriba que la adaptacin a la entrada y a la salida de la
red no es muy alta. Esto es debido a que no hemos cargado el puerto de salida con lo que
realmente ve la red hacia su derecha, que sera el equivalente a
S OPT
*, sino con 50 .
Deberemos tambin proceder a optimizar los valores de L y C, para intentar conseguir Mxima
Transferencia de Potencia (MTP), es decir, S
11
y S
22
= - dB.

Definimos como parmetros a optimizar S
11
y S
22,
mediante la opcin Optimizer
Goals, Add Opt Goal, con |S
11
| y |S
22
| = -100 dB, y la ventana configurada de la siguiente
forma:

36

Figura 2.2-14. Definicin del objetivo a alcanzar con la optimizacin.

El siguiente paso ser ir a la pestaa Var, en lugar de la pestaa Proj en la que nos
encontrbamos. Pinchamos en el esquemtico en cuestin y seleccionamos las variables cuyo
valor se va a ver modificado, con unos valores superiores e inferiores de L y C arbitrarios.

Figura 2.2-15. Definicin de las variables a optimizar.

El ltimo paso sera seleccionar en la pestaa Simulate, la opcin Optimize y
proceder a optimizar.

El proceso de optimizacin constituye la 3 y ltima forma de comprobar que los
valores obtenidos para la red de salida nos proporcionan el valor de
S OPT
buscado. Tendremos
el siguiente esquemtico:

Figura 2.2-16. Esquemtico para el proceso de optimizacin de la primera red de adaptacin
de entrada.
37
En este circuito hemos cargado el puerto de salida con
S OPT
*, ya que, por MTP, el
puerto 2 ve hacia su derecha el conjugado del coeficiente de reflexin visto hacia la izquierda
desde ese mismo punto. Al ser el conjugado de
S OPT
, tendr igual mdulo, pero fase con signo
cambiado.

Obtenemos los siguientes resultados despus de optimizar con Microwave Office:

Tabla 2.2-5. Resultados obtenidos despus de optimizar la primera red de adaptacin de
entrada.

La adaptacin a la entrada y a la salida de la red mejora notablemente despus de haber
cargado el puerto 2 con
S OPT
*, as como tambin lo hace el parmetro S
12
. Estos resultados se
podan esperar, ya que sabamos que la adaptacin a la entrada y a la salida mejorara al realizar
el paso de optimizacin. Los valores de L y C obtenidos despus de optimizar son muy
parecidos a los que tenamos antes de realizar este paso, lo que nos indica la validez de los
valores de L y C obtenidos inicialmente. Obtenemos L = 13.32 nH y C =0.3278 pF.

2.2.2.1.1. Primera red de adaptacin de entrada con red de desacoplo y red de
polarizacin de puerta

A continuacin, aadiremos al diseo ideal de la red de adaptacin de entrada la red de
polarizacin de la puerta del transistor y la red de desacoplo o bloqueo de RF. La red de
polarizacin de puerta consiste en la resistencia de polarizacin de puerta, cuyo valor ya fue
calculado en el apartado 2.1.2, R
G
= 47 . Para la red de desacoplo hay 2 posibles opciones:

La primera est formada por una bobina de choque, L
CHOKE
, y un condensador de pico, C
PICO
,
conectados de la siguiente manera, con la bobina conectada a la red de adaptacin de entrada:

Figura 2.2-17. Primera red de desacoplo.

Si conectamos la red de polarizacin de puerta a la primera red de desacoplo tendremos
lo siguiente:

38

Figura 2.2-18. Primera red de desacoplo a la que se aade red de polarizacin de puerta.

Explicamos detalladamente el funcionamiento del circuito de desacoplo:

Si cogemos 2 lneas de transmisin de 50 de impedancia caracterstica y 180 de
longitud elctrica:

Figura 2.2-19. Circuito que representa una situacin ideal.

Comprobamos que resultados obtendramos:

Tabla 2.2-6. Resultados obtenidos para este circuito.

Como era de esperar, obtenemos unos resultados ideales.

Insertamos ahora la resistencia de polarizacin de puerta, R
G
.
TLIN
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420.4 MHz
180 Deg
50 Ohm
TL1
TLIN
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420.4 MHz
180 Deg
50 Ohm
TL2
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2
39
RES
R=
ID=
47 Ohm
Rg
TLIN
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420 MHz
180 Deg
50 Ohm
TL1
TLIN
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420 MHz
180 Deg
50 Ohm
TL2
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2

Figura 2.2-20. Circuito ideal al que se aade red de polarizacin de puerta.

Comprobamos que resultados se obtienen:

Tabla 2.2-7. Resultados obtenidos para circuito ideal al que se aade red de polarizacin de
puerta.

Vemos que los resultados han empeorado de forma drstica, debido a la introduccin de
la resistencia de polarizacin.

Necesita la introduccin de la red de desacoplo para que el circuito vuelva a funcionar
correctamente:

Figura 2.2-21. Circuito ideal al que se aade red de polarizacin de puerta y red de
desacoplo.

Donde Idc es la corriente de continua, para = 0, e Irf es la corriente de
radiofrecuencia, para frecuencia, la frecuencia de trabajo, = 1420.4 MHz.

40
La corriente de radiofrecuencia, Irf, no queremos que circule por la rama de la red de
desacoplo, ya que pretendemos que toda la corriente circule hacia la red de entrada. Por tanto,
como Z
LCHOKE
= jL
CHOKE
, con elevada, y queremos que se comporte como un circuito
abierto, ya que por un circuito abierto, Intensidad = 0, L
CHOKE
debe ser muy elevada, para que
Z
LCHOKE
tienda a , circuito abierto por tanto. Sabemos tambin que la admitancia del
condensador es Y
CPICO
= jC
PICO
, con elevada. Queremos que esa admitancia se comporte
como un cortocircuito para que, si ha entrado algo de Irf por la rama, a pesar de la bobina de
choque, se vaya a masa y no circule por R
POL
. Para ello, C
PICO
debe ser muy elevado, y as
Y
CPICO
tender a ., cortocircuito por tanto.

Por tanto, llegamos a la conclusin que tanto L
CHOKE
como C
PICO
deben presentar valores
muy altos. Por ello cogeremos los valores suministrados por el fabricante de valor ms alto, que
sern L
CHOKE
= 390 nH, y C
PICO
= 33 nF

Para estos valores, resultados obtenidos:

Tabla 2.2-8. Resultados obtenidos para circuito ideal al que se aade red de polarizacin de
puerta y red de desacoplo.

Observamos que los resultados han mejorado considerablemente en cuanto a
adaptacin, ganancia y nivel de ruido respecto al caso de slo red de polarizacin, por lo que se
demuestra que se hace necesario aadir la red de desacoplo.

La red de adaptacin, al aadirle la red de polarizacin de puerta y la primera red de
desacoplo, queda de la siguiente forma:

Figura 2.2-22. Primera red de adaptacin de entrada a la que se aade red de polarizacin de
puerta y primera red de desacoplo.

41
A este circuito se le debe aadir el condensador de bloqueo de continua, C
DC
, cuya
misin es la de evitar que circule la corriente continua, I
DC
, hacia el puerto de entrada, y circule
toda ella hacia la red de adaptacin de entrada. Para el caso que nos ocupa, Cdc evita que
Idc circule hacia el puerto de entrada, como podemos apreciar en la figura de abajo.

Sabemos que Y
CDC
= jC
DC
, y que en DC, Y
CDC
= 0, circuito abierto. En RF, Y
CDC
debe
tender a , cortocircuito, para lo que C
DC
debe presentar un valor alto. Y
CDC
debe ser un
cortocircuito porque la red de adaptacin de entrada se ha calculado con una bobina y un
condensador, y no se puede aadir ningn elemento ms a la red porque eso variara todos los
clculos realizados con anterioridad.

Figura 2.2-23. Primera red de entrada, polarizada con la primera red de desacoplo, a la que
se aade condensador de bloqueo de continua.

Para un valor alto del condensador de bloqueo de continua, como C
DC
= 33 nF, los
resultados obtenidos son:

Tabla 2.2-9. Resultados obtenidos para la primera red de entrada, polarizada con la primera
red de desacoplo, a la que se aade condensador de bloqueo de continua.

Hemos calculado el parmetro S
22
, que me proporciona el coeficiente de reflexin
SOPT
.
Tericamente
SOPT
= 0.7485324.357, por lo que el resultado obtenido,
SOPT
=
0.750224.211, se asemeja mucho al obtenido tericamente. Esto confirma que el diseo
realizado para la red de adaptacin de entrada es correcto. Observamos tambin la mala
adaptacin a la entrada y a la salida al cargar el puerto de salida con 50 .

Podemos comprobar que la red de adaptacin de entrada est correctamente diseada
mediante el siguiente procedimiento:

42
Conectamos la red de adaptacin de entrada, con su red de desacoplo, red de
polarizacin y condensador de bloqueo de continua, al transistor con red de polarizacin de
surtidor, para obtener el parmetro S
22
.

Figura 2.2-24. Diagrama de bloques de la situacin descrita.

El esquemtico representativo de esta situacin sera el siguiente:

CAP
C=
ID=
33 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL2
CAP
C=
ID=
0.328 pF
C4
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cpico
IND
L=
ID=
13.3 nH
L2
IND
L=
ID=
390 nH
Lchoke
RES
R=
ID=
47 Ohm
Rpol
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cdc
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1

Figura 2.2-25. Esquemtico para obtener el coeficiente
OUT
empleando la primera red de
entrada y la primera red de desacoplo.

Si medimos el parmetro S
22
, obtendremos el coeficiente de reflexin
OUT
. Cmo de
parecido sea el coeficiente
OUT
al terico depender de lo bien diseada que est la red de
adaptacin.
OUT
debera ser:
OUT
= 0.519-39.212, como ya habamos obtenido y explicado
anteriormente. El coeficiente obtenido mediante Microwave Office es:

OUT
obtenido con la primera red de entrada.
43

Podemos observar que se trata de un resultado obtenido muy similar al terico, por lo
que la red de adaptacin de entrada est bien diseada.

La segunda opcin de red de desacoplo estar formada por dos lneas de transmisin, una de
longitud g/4, es decir, longitud elctrica 90, terminada en circuito abierto, y otra de longitud
tambin g/4, y una Z
0
alta, conectada a la red de adaptacin de entrada:

Figura 2.2-26. Segunda opcin de red de desacoplo.

Si conectamos la red de polarizacin de puerta a la segunda red de desacoplo,
tendremos lo siguiente:

Figura 2.2-27. Segunda opcin de red de desacoplo a la que se aade red de polarizacin de
puerta.

La red de adaptacin de entrada, al aadirle ahora la red de polarizacin de puerta y la
segunda red de desacoplo, queda de la siguiente forma:

44

Figura 2.2-28. Primera red de adaptacin de entrada a la que se aade red de polarizacin de
puerta y segunda red de desacoplo.

Los valores de impedancia caracterstica de las lneas de transmisin los determinamos
de forma experimental, quedndonos con aquellos valores que nos proporcionan unos mejores
resultados de adaptacin y nivel de ruido. Estos valores son de Z
0
= 125 para la primera lnea
y Z
0
= 50 para la lnea acabada en circuito abierto.

Figura 2.2-29. Primera red de entrada polarizada con los valores de las lneas de la segunda
red de desacoplo.

A este circuito se le debe aadir el condensador de bloqueo de continua, C
DC
.

45

Figura 2.2-30. Primera red de entrada, polarizada con la segunda red de desacoplo, a la que
se aade condensador de bloqueo de continua.

DC
= 33 nF, los

Tabla 2.2-11. Resultados obtenidos para la primera red de entrada, polarizada con la segunda
red de desacoplo, a la que se aade condensador de bloqueo de continua.

22
SOPT
.
Tericamente
SOPT
SOPT
=
realizado para la red de adaptacin de entrada es correcto. Observamos tambin la mala
adaptacin a la entrada y a la salida al cargar el puerto de salida con 50 .

mediante el procedimiento descrito anteriormente:

Conectamos la red de adaptacin de entrada, con su red de desacoplo, red de
polarizacin y condensador de bloqueo de continua, al transistor con red de polarizacin de
surtidor, para obtener el parmetro S
22
.

Figura 2.2-31. Esquema representativo de la situacin descrita.
46

CAP
C=
ID=
33 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL2
CAP
C=
ID=
0.328 pF
C4
IND
L=
ID=
13.3 nH
L2
RES
R=
ID=
47 Ohm
Rpol
TLIN
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420 MHz
90 Deg
125 Ohm
TL3
TLOC
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420 MHz
90 Deg
50 Ohm
TL4
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cdc
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1

OUT
empleando la primera red de
entrada y la segunda red de desacoplo.

22
OUT
. Como de
OUT
adaptacin.
OUT
debera ser:
OUT
anteriormente:

El coeficiente
OUT
obtenido mediante Microwave Office es el siguiente:

OUT
para la primera red de entrada y la segunda red de desacoplo.


2.2.2.2. Segunda red de adaptacin de entrada

Analizamos ahora la segunda red de adaptacin de entrada que podemos disear
teniendo en cuenta el valor de
S OPT
. Esta red de adaptacin corresponde a la red tipo 2 de la
figura 2.2-10:

47

Figura 2.2-33. Segunda red de adaptacin de entrada.

S OPT
es Z
S OPT
, resultado de asociar C y los 50 del puerto de
entrada en serie, y esta impedancia resultante en paralelo con L.

Figura 2.2-34. Segunda red de adaptacin de entrada simplificada.

L j
C j
Z
SOPT

//
1
50
|
|
\
|
+ = = 111.75 + 157.15j, resultado de desnormalizar la impedancia
normalizada
SOPT
0
= 50.

relacin Y=1/Z, y as poder sumar las admitancias en paralelo. Nos queda:

L j
Y Y
X SOPT
1
+ = = 3.005*10
-3
j 4.226*10
-3
, siendo
C j
Y
X
1
50
1
+
=
Vemos que Y
S OPT
la parte real de Y
X
denominador, nos quitamos la j del denominador y llegamos a que C = 0.942 pF.

X
) +C = Im(Y
S OPT
de L anteriormente, concluimos que L = 9.855 nH.
48

correctos.

22
S OPT
:

S OPT
empleando la segunda red de
entrada.

El coeficiente
S OPT
obtenido es:

S OPT
obtenido empleando la segunda red de entrada.

S OPT
= 0.74853 24.357, por lo que

11
y S
22
21
.

Tabla 2.2-14. Parmetros S obtenidos para la segunda red de adaptacin de entrada.

Podemos apreciar que la adaptacin a la entrada y a la salida de la red no es muy alta.
Esto es debido a que no hemos cargado el puerto de salida con lo que realmente ve la red hacia
su derecha, que sera el equivalente a
S OPT
*, sino con 50 . Deberemos tambin proceder a
optimizar los valores de L y C, para intentar conseguir Mxima Transferencia de Potencia
(MTP), es decir, S
11
y S
22
= - dB.

49

S OPT
buscado. Tendremos
el siguiente esquemtico:

CAP
C=
ID=
0.9427 pF
C1
IND
L=
ID=
9.854 nH
L1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1
PORTG
GA=
GM=
P=
-24.36 Deg
0.7485
2

Figura 2.2-36. Esquemtico para el proceso de optimizacin de la segunda red de adaptacin
de entrada.

En este circuito hemos cargado el puerto de salida con
S OPT
*, ya que, por MTP, el
puerto 2 ve hacia su derecha el conjugado del coeficiente de reflexin visto hacia la izquierda
desde ese mismo punto. Al ser el conjugado de
S OPT
, tendr igual mdulo, pero la fase con
signo cambiado.

Obtenemos los siguientes resultados despus de optimizar con Microwave Office:

Tabla 2.2-15. Resultados obtenidos despus de optimizar la segunda red de entrada.

La adaptacin a la entrada y a la salida de la red mejora notablemente despus de haber
cargado el puerto 2 con
S OPT
*, as como tambin lo hace el parmetro S
12
. Estos resultados se
podan esperar, ya que sabamos que la adaptacin a la entrada y a la salida mejorara al realizar
valores de L y C obtenidos inicialmente. Obtenemos que L = 9.854 nH y C =0.9427 pF.

2.2.2.2.1. Segunda red de adaptacin de entrada con red de desacoplo y red de
polarizacin de puerta

A continuacin, aadiremos al diseo ideal de la segunda red de adaptacin de entrada
la red de polarizacin de la puerta del transistor, ms la red de desacoplo o bloqueo de RF, como
ya hicimos para la primera red de adaptacin de entrada.

50
La red de adaptacin, al aadirle la red de polarizacin de puerta y la primera red de

Figura 2.2-37. Segunda red de adaptacin de entrada a la que se aade red de polarizacin
de puerta y primera red de desacoplo.

A este circuito no es necesario aadirle el condensador de bloqueo de continua, C
DC
, ya
que el mismo condensador de la red de adaptacin realiza la funcin del condensador de
bloqueo de continua, evitar que la corriente continua se desve hacia el puerto de entrada.

Los resultados obtenidos son:

Tabla 2.2-16. Resultados obtenidos para la segunda red de adaptacin de entrada a la que se
aade red de polarizacin de puerta y primera red de desacoplo.

22
SOPT
.
Tericamente
SOPT
SOPT
=
realizado para la red de adaptacin de entrada es correcto.
Observamos tambin la mala adaptacin a la entrada y a la salida al cargar el puerto de salida
con 50 .

mediante el siguiente procedimiento:

Conectamos la red de adaptacin de entrada, con su red de desacoplo y red de
polarizacin, al transistor con red de polarizacin de surtidor, para obtener el parmetro S
22
.
51



OUT
entrada y primera red de desacoplo.

22
OUT
. Como de
OUT
adaptacin.
OUT
debera ser:
OUT
anteriormente:

El coeficiente
OUT

52

OUT
para la segunda red de entrada y primera red de desacoplo.


La red de adaptacin de entrada, al aadirle ahora la red de polarizacin de puerta y la segunda
red de desacoplo, queda de la siguiente forma:

RES
R=
ID=
47 Ohm
Rpol
TLIN
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420 MHz
90 Deg
125 Ohm
TL1
TLOC
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420 MHz
90 Deg
50 Ohm
TL2
CAP
C=
ID=
0.942 pF
C1
IND
L=
ID=
9.855 nH
L1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2

Figura 2.2-40. Segunda red de adaptacin de entrada a la que se aade red de polarizacin
de puerta y segunda red de desacoplo.


Tabla 2.2-18. Resultados obtenidos para la segunda red de adaptacin de entrada a la que se
aade red de polarizacin de puerta y segunda red de desacoplo.

22
SOPT
.
Tericamente
SOPT
SOPT
=
realizado para la red de adaptacin de entrada es correcto.
53
Observamos tambin la mala adaptacin a la entrada y a la salida al cargar el puerto de
salida con 50 .

mediante el procedimiento descrito anteriormente:

Conectamos la red de adaptacin de entrada, con su red de desacoplo y red de
polarizacin al transistor con red de polarizacin de surtidor, para obtener el parmetro S
22
.



CAP
C=
ID=
33 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL2
CAP
C=
ID=
0.942 pF
C4
IND
L=
ID=
9.855 nH
L2
RES
R=
ID=
47 Ohm
Rpol
TLIN
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420 MHz
90 Deg
125 Ohm
TL5
TLOC
F0=
EL=
Z0=
ID=
1420 MHz
90 Deg
50 Ohm
TL6
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1

OUT
entrada y segunda red de desacoplo.

54
22
OUT
. Cmo de
OUT
adaptacin.
OUT
debera ser:
OUT
anteriormente:

El coeficiente
OUT

OUT
obtenido para la segunda red de entrada y segunda red de
desacoplo.


2.2.3. Diseo ideal de la red de adaptacin de salida

Nuestro objetivo ahora ser disear una red de adaptacin de salida que nos permita
conseguir el
OUT
* calculado anteriormente, alcanzando las mejores prestaciones en cuanto a
adaptacin a la entrada y a la salida, y factor de ruido posibles.

La red de adaptacin de salida no influir en el factor de ruido del amplificador final.

Recordar que
OUT
* lo habamos obtenido anteriormente, siendo
OUT
* = 0.52117
39.21, en forma compleja,
OUT
* = 0.404 + 0.329j. Este coeficiente nos determinar qu redes
de adaptacin de salida se van a poder disear y cules no, segn explicamos ya para la red de
entrada.

Figura 2.2-43. Diseo de la red de adaptacin de salida segn el valor de
OUT
*.

Podemos obtener la impedancia normalizada *
OUT
Z a partir del coeficiente de
reflexin mediante la expresin:
* 1
* 1
OUT
OUT
SOPT
Z
+
= = 1.572+ 1.42j

Situamos *
OUT
Z = 1.572+1.42j en la Carta de Smith, teniendo en cuenta que su
representacin ser el punto de unin del crculo de parte real 1.572 y el crculo de parte
imaginaria 1.42.

A continuacin podemos apreciar diferentes posibles diseos de redes de adaptacin de
salida, con el esquemtico de la red y su representacin en la carta de Smith. En esta
55
representacin la zona interesante, til, es la que queda comprendida dentro de la regin
delimitada por la lnea verde. Esto quiere decir que, si *
OUT
Z , representada en la carta de
Smith mediante un punto rojo, queda dentro de la zona comprendida por la lnea verde, esa red
de adaptacin se podr disear, mientras que si el punto rojo queda fuera de la zona delimitada,
esa red no se podr disear, ya que obtendremos valores de inductancia o capacidad negativos,
hecho que no se puede dar en la prctica.

Figura 2.2-44. Posibles redes de adaptacin de salida con la zona estable delimitada.

En este caso, segn apreciamos en la figura de arriba, podemos decir que slo podremos
disear dos redes de adaptacin de salida, la red tipo 1y la red tipo 2.

56
2.2.3.1. Primera red de adaptacin de salida

Esta red de adaptacin corresponde a la red tipo 1 de la figura 2.2-44:

Figura 2.2-45. Primera red de adaptacin de salida.

OUT
*es Z
OUT
*, resultado de asociar L y los 50 del puerto de
salida en serie, y esta impedancia resultante en paralelo con C.

Figura 2.2-46. Primera red de adaptacin de salida simplificada.

( )
C j
L j Z
OUT
1
// 50 * + = = 78.6 +j71, resultado de desnormalizar la impedancia
normalizada *
OUT
0
= 50.


Y
OUT
*

= Y
X
+jC = 7.006*10
-3
j 6.328*10
-3
, siendo
L j
Y
X
+
=
50
1

Vemos que Y
OUT
*

la parte real de Y
X
denominador, nos quitamos la j del denominador y llegamos a que L = 7.63 nH.

57
X
) +C = Im(Y
OUT
*) y, habiendo calculado el valor
de L anteriormente, concluimos que C = 0.36 pF.

correctos.

11
OUT
*:

Figura 2.2-47. Esquemtico para la obtencin de
OUT
*empleando la primera red de
adaptacin de salida.

El coeficiente
OUT
* obtenido es:

OUT
*obtenido para la primera red de adaptacin de salida.

OUT
* = 0.52117 39.21, por lo que

11
y S
22
21
.

Tabla 2.2-21. Parmetros S obtenidos para la primera red de salida.

red no es muy buena. Esto es debido a que no hemos cargado el puerto de salida con lo que
realmente ve la red hacia su izquierda, que sera el equivalente a
OUT
, sino con 50 .
Deberemos tambin proceder a optimizar los valores de L y C, para intentar conseguir Mxima
Transferencia de Potencia (MTP), es decir, S
11
y S
22
= - dB.

58
Definimos como parmetros a optimizar S
11
y S
22,
mediante la opcin Optimizer
Goals, Add Opt Goal, con |S
11
| y |S
22
| = -100 dB:

El proceso de optimizacin se efecta de forma anloga a como fue descrito en la
seccin anterior para la red de adaptacin de entrada.

OUT
*

buscado. Tendremos
el siguiente circuito, en el que hemos cargado el puerto de entrada con
OUT
, situacin que nos
permitir conocer realmente como es la adaptacin a la entrada y salida de la red.

CAP
C=
ID=
0.36 pF
C1
IND
L=
ID=
7.63 nH
L1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2
PORTG
GA=
GM=
P=
-39.21 Deg
0.52117
1

Figura 2.2-48. Esquemtico para el proceso de optimizacin de la primera red de adaptacin
de salida.

En este circuito hemos cargado el puerto de entrada con
OUT
, ya que, por MTP, el
puerto 1 ve hacia su izquierda el conjugado del coeficiente de reflexin visto hacia la derecha
desde ese mismo punto. Al ser
OUT
, tendr igual mdulo, y la fase con signo cambiado respecto
a
OUT
*.

Obtenemos los siguientes resultados al simular con Microwave Office:

Tabla 2.2-22. Resultados obtenidos despus de optimizar la primera red de salida.

La adaptacin a la entrada y a la salida de la red mejora considerablemente despus de
haber cargado el puerto 1 con
OUT
, as como tambin lo hace el parmetro S
12
. Esta situacin
era de esperar, ya que sabamos que la adaptacin a la entrada y a la salida mejorara al realizar

2.2.3.1.1. Primera red de adaptacin de salida con red de desacoplo y red de
polarizacin de drenador

59
A continuacin, aadiremos al diseo ideal de la red de adaptacin de salida la red de
polarizacin del drenador del transistor ms la red de desacoplo o bloqueo de RF. La red de
polarizacin de drenador consiste en una resistencia de polarizacin de drenador, cuyo valor ya
calculamos en el apartado 2.1.2, R
D
= 33 . Para la red de desacoplo hay, como vimos para la
red de adaptacin de entrada, 2 posibles opciones, que fueron ya comentadas.

El proceso es completamente anlogo al descrito para la red de adaptacin de entrada,
con la nica salvedad que, en lugar de R
G
= 47 , colocar R
D
= 33 .

La red de adaptacin, al aadirle la red de polarizacin de drenador, la primera red de
desacoplo y el condensador de bloqueo de continua, C
DC
, queda de la siguiente forma:

Figura 2.2-49. Primera red de salida a la que se aade la red de polarizacin de drenador,
primera red de desacoplo y condensador de bloqueo de continua.

DC
= 33 nF, los

Tabla 2.2-23. Resultados obtenidos para la primera red de salida a la que se aade la red de
polarizacin de drenador y primera red de desacoplo.

11
OUT
*. Tericamente
OUT
* = 0.5211739.21, por lo que el resultado obtenido,
OUT
* =
realizado para la red de adaptacin de salida es correcto.
Observamos tambin la mala adaptacin a la entrada y a la salida al cargar el puerto de entrada
con 50 .

60
La red de adaptacin, al aadirle la red de polarizacin de drenador, la segunda red de
desacoplo en lugar de la primera opcin, y el condensador de bloqueo de continua, queda de la
siguiente forma:

Figura 2.2-50. Primera red de salida a la que se aade la red de polarizacin de drenador,
segunda red de desacoplo y condensador de bloqueo de continua

DC
= 33 nF, los

Tabla 2.2-24. Resultados obtenidos para la primera red de salida a la que se aade la red de
polarizacin de drenador, segunda red de desacoplo y condensador de bloqueo de continua

11
OUT
*. Tericamente
OUT
OUT
* =
con 50 .

Para los dos casos de red de desacoplo que hemos presentado para la red de adaptacin
de salida, se debe cumplir, si la red est bien diseada, que al cargar el puerto 1con
OUT
, el
puerto 2 con Z
0
= 50, y medir el parmetro S
22
, ste debe ser 0. Esta situacin ocurre en los
dos diseos, por lo que ambos diseos funcionan correctamente, ya que 0 en lineal, - dB en
logartmico.

2.2.3.2. Segunda red de adaptacin de salida

Analizamos ahora la segunda red de adaptacin de salida que podemos disear:
61

Figura 2.2-51. Segunda red de adaptacin de salida.

OUT
*es Z
OUT
*, resultado de asociar C y los 50 del puerto de
salida en serie, y esta impedancia resultante en paralelo con L.

Figura 2.2-52. Segunda red de adaptacin de salida simplificada.

L j
C j
Z
OUT

//
1
50 *
|
|
\
|
+ = = 78.6 + j71, resultado de desnormalizar la impedancia
normalizada *
OUT
0
= 50.


L j
Y Y
X OUT
1
* + = = 7.006*10
-3
j 6.328*10
-3
, siendo
C j
Y
X
1
50
1
+
=
Vemos que Y
OUT
*

la parte real de Y
X
denominador, nos quitamos la j del denominador y llegamos a que C = 1.645 pF.

X
) +C = Im(Y
S OPT
de L anteriormente, concluimos que L = 7.06 nH.

62
correctos.

11
OUT
*:

Figura 2.2-53. Esquemtico para la obtencin de
OUT
* empleando la segunda red de salida.

El coeficiente
OUT
* obtenido es:

OUT
* obtenido para la segunda red de salida.

OUT
* = 0.52117 39.21, por lo que

11
y S
22
21
.

Tabla 2.2-26. Parmetros S para la segunda red de adaptacin de salida.

red no es muy buena. Esto es debido a que no hemos cargado el puerto de salida con lo que
realmente ve la red hacia su izquierda, que sera el equivalente a
OUT
, en lugar de los 50 que
hemos puesto.

Deberemos tambin proceder a optimizar los valores de L y C, para intentar conseguir
Mxima Transferencia de Potencia (MTP), es decir, S
11
y S
22
= - dB.

El proceso de optimizacin se efecta de forma anloga a como fue descrito en la
seccin anterior para la red de adaptacin de entrada.
63

OUT
*

buscado. Tendremos
el siguiente circuito, en el que hemos cargado el puerto de entrada con
OUT
, situacin que nos
permitir conocer realmente como es la adaptacin a la entrada y salida de la red.

CAP
C=
ID=
1.645 pF
C1
IND
L=
ID=
7.06 nH
L1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
2
PORTG
GA=
GM=
P=
-39.21 Deg
0.5212
1

Figura 2.2-54. Esquemtico para el proceso de optimizacin de la segunda red de salida.

En este circuito hemos cargado el puerto de entrada con
OUT
, ya que, por MTP, el
puerto 1 ve hacia su izquierda el conjugado del coeficiente de reflexin visto hacia la derecha
desde ese mismo punto. Al ser
OUT
, tendr igual mdulo, pero fase con signo cambiado
respecto a
OUT
*.

Obtenemos los siguientes resultados al simular con Microwave Office:

Tabla 2.2-27. Resultados obtenidos despus de optimizar la segunda red de salida.

La adaptacin a la entrada y a la salida de la red mejora considerablemente despus de
haber cargado el puerto 1 con
OUT
, as como tambin lo hace el parmetro S
12
. Esta situacin
era de esperar, ya que sabamos que la adaptacin a la entrada y a la salida mejorara al realizar

2.2.3.2.1. Segunda red de adaptacin de salida con red de desacoplo y red de
polarizacin de drenador

A continuacin, aadiremos al diseo ideal de la segunda red de adaptacin de salida la
red de polarizacin del drenador del transistor ms la red de desacoplo o bloqueo de RF, como
ya hicimos para la primera red de adaptacin de salida.

La red de adaptacin, al aadirle la red de polarizacin de drenador y la primera red de
64

Figura 2.2-55. Segunda red de adaptacin de salida aadiendo red de polarizacin de
drenador y primera red de desacoplo.

Observamos la misma situacin que ya comentamos para la segunda red de adaptacin
de entrada. No es necesario aadir el condensador de bloqueo de continua, ya que el
condensador de la red de adaptacin ya realiza esa funcin.


Tabla 2.2-28. Resultados obtenidos para la segunda red de adaptacin de salida aadiendo
red de polarizacin de drenador y primera red de desacoplo.

11
OUT
*. Tericamente
OUT
OUT
* =
realizado para la red de adaptacin de salida es correcto. Observamos tambin la mala
adaptacin a la entrada y a la salida al cargar el puerto de entrada con 50 .

La red de adaptacin, al aadirle la red de polarizacin de drenador y la segunda red de
desacoplo en lugar de la primera opcin, queda de la siguiente forma:

65

Figura 2.2-56. Segunda red de adaptacin de salida aadiendo red de polarizacin de
drenador y segunda red de desacoplo.


Tabla 2.2-29. Resultados obtenidos para la segunda red de adaptacin de salida aadiendo
red de polarizacin de drenador y segunda red de desacoplo.

11
OUT
*. Tericamente
OUT
OUT
* =
con 50 .

Para los dos casos de red de desacoplo que hemos presentado para la red de adaptacin
de salida, se debe cumplir, si la red est bien diseada, que al cargar el puerto 1con
OUT
, el
puerto 2 con Z
0
= 50, y medir el parmetro S
22
, ste debe ser 0. Esta situacin ocurre en ambos
diseos, por lo que ambos diseos funcionan correctamente, ya que 0 en lineal, - dB en
logartmico.

Cabe destacar que la segunda red de desacoplo, formada por dos lneas de transmisin,
no ser empleada en el diseo real del amplificador, por considerar que la primera red de
desacoplo, formada por componentes concentrados, introducir menos ruido, ya que las lneas
de transmisin se caracterizan por introducir bastante ruido en relacin a los componentes
concentrados.

66

2.2.4. Diseo ideal del amplificador

Una vez hemos diseado el transistor, la red de adaptacin de entrada y la red de
adaptacin de salida, con sus correspondientes redes de polarizacin y desacoplo, podemos unir
los componentes para dar lugar al amplificador final de una etapa.

Figura 2.2-57. Esquema de un amplificador de microondas.
Para la descripcin de cmo efectuar el diseo ideal de un amplificador, tomaremos
como referencia el amplificador formado por la 1 red de adaptacin de entrada y la 1 red de
adaptacin de salida, siendo sta una de las cuatro posibles combinaciones de redes de
adaptacin que dan lugar a un amplificador.
En primer lugar presentamos el amplificador ideal, que estar formado por la red de
adaptacin de entrada, el transistor, con su correspondiente red de polarizacin de surtidor, y la
red de adaptacin de salida, con ambos puertos a 50 . Ni la red de adaptacin de entrada ni la
de salida llevarn la red de desacoplo, red de polarizacin o condensador de bloqueo de
continua, que sern incorporados en sucesivos pasos.

Figura 2.2-58. Amplificador ideal formado por la primera red de adaptacin de entrada y la
primera red de adaptacin de salida.

67
Los resultados obtenidos para el diseo ideal son los siguientes:

Tabla 2.2-30. Resultados para el diseo ideal del amplificador con red de entrada 1 y red de
salida 1.

Podemos observar que tenemos una muy buena adaptacin a la salida, S
22
= -47.733dB,
tendiendo a - dB, y una mala adaptacin a la entrada, ya que S
11
tan slo es igual a -8.7731dB.
Obtenemos un valor ptimo de ganancia, 14.074 dB, y un factor de ruido igual al mnimo, y de
valor 0.16563 dB.

El siguiente paso consiste en aadir al amplificador ideal anterior la red de polarizacin de
puerta y de drenador, sin red de desacoplo, a la red de adaptacin de entrada y de salida,
respectivamente. Vimos que la red de polarizacin de puerta era R
G
= 47, y la red de
polarizacin de drenador, R
D
= 33. El amplificador queda de la siguiente forma, donde Vcc
representa la alimentacin del circuito.

Figura 2.2-59. Amplificador ideal, con primera red de entrada y primera red de salida, al que
se aaden red de polarizacin de puerta y de drenador.

Los resultados obtenidos son los siguientes:

Tabla 2.2-31. Resultados obtenidos para el amplificador ideal, con red de entrada 1 y red de
salida 1, al que se aade red de polarizacin de puerta y de drenador.

68
Podemos apreciar como los resultados empeoran drsticamente al aadir la red de
polarizacin de puerta y drenador, ya que S
22
empeora notablemente, as como la ganancia, y el
factor de ruido, que aumenta considerablemente.

El siguiente paso es aadir la red de desacoplo al diseo anterior, buscando que los resultados
mejoren. La red de desacoplo ya fue explicada con anterioridad al disear las redes de
adaptacin de entrada y salida. El amplificador con red de desacoplo quedara de la siguiente
forma:

Figura 2.2-60. Amplificador ideal, con primera red de entrada y primera red de salida, al que
se aaden red de polarizacin de puerta y drenador y red de desacoplo.

Los resultados que se obtienen son:

Tabla 2.2-32. Resultados obtenidos para el amplificador ideal, con red de entrada 1 y red de
salida 1, al que se aaden red de polarizacin de puerta y drenador y red de desacoplo.

Podemos apreciar que los resultados se reestablecen respecto al caso de amplificador
con slo red de polarizacin. La adaptacin a la salida es muy buena, as como la ganancia,
mientras que la adaptacin a la entrada no es muy buena, tan slo -8.66 dB. El factor de ruido
obtenido es el factor de ruido mnimo, por lo que el amplificador funciona de forma ideal.

69
Aadimos ahora el condensador de bloqueo de continua a la entrada de la red de adaptacin de
entrada y a la salida de la red de adaptacin de salida. La funcin de este condensador ya fue
explicada con detalle al disear las redes de adaptacin, y evita que la corriente continua Idc
circule hacia el puerto de entrada o de salida, segn el caso, y se desve de su trayectoria hacia
la red de adaptacin en cuestin. Esto es as ya que la corriente que circula por un circuito
abierto es cero.

Figura 2.2-61. Amplificador ideal, formado por red de entrada 1 y red de salida 1, con red de
polarizacin, red de desacoplo y condensador de bloqueo de continua.

Los resultados obtenidos aadiendo el condensador de bloqueo de continua son:

Tabla 2.2-33. Resultados para el amplificador ideal, formado por red de entrada 1 y red de
salida 1, con red de polarizacin, red de desacoplo y condensador de bloqueo de continua.

Resultados prcticamente idnticos a los obtenidos en el caso anterior sin condensador
de bloqueo de continua.

2.2.5. Diseo real del amplificador

El ltimo paso para obtener el amplificador final de una etapa es proceder al diseo real
del amplificador, para lo cual habr que realizar una serie de cambios.

70
Inicialmente, se realizar una transformacin de los parmetros elctricos de las lneas
de transmisin a parmetros fsicos, es decir, pasaremos de lneas ideales a lneas reales. Para
ello se emplear la herramienta de clculo de Microwave Office TxLine. En su ventana de
dilogo se introducen los parmetros del sustrato a emplear, como constante dielctrica,
tangente de prdidas y conductividad, y los parmetros elctricos de la lnea de transmisin, es
decir, impedancia, frecuencia y longitud elctrica, y se obtienen sus dimensiones fsicas, como
se puede apreciar en la figura:

Figura 2.2-62. Herramienta de Microwave Office TxLine.

Para realizar un diseo real del amplificador hay que tener varios detalles en cuenta que
en el diseo ideal todava no se haban considerado. Para una correcta conexin fsica entre los
elementos se deben introducir en el diseo unos tramos de lnea cortos, en nuestro caso, de 1
mm de longitud e impedancia 50 . De esta manera se crean pequeas superficies de soldadura
necesarias para conectar elementos. En segundo lugar, se aadirn al diseo los via holes,
agujeros verticales que sirven para la conexin con el plano inferior del sustrato. A estos via
holes habr que aadir una lnea de transmisin terminada en circuito abierto en paralelo con el
via hole para su mejor conexin a masa al fabricar el circuito. Elegiremos lneas, elemento
MLEF, de dimensiones w = 1.9 mm, L = 2 mm.

Introducimos 2 lneas de transmisin terminadas en circuito abierto, de anchura y
longitud 8 mm, una conectada a la red de polarizacin de puerta y otra conectada a la red de
polarizacin de drenador mediante una lnea de anchura 0.3 mm y longitud 2 mm. La lnea
terminada en circuito abierto conectada a la red de polarizacin de puerta representar masa,
mientras que la lnea terminada en circuito abierto conectada a la red de polarizacin de
drenador representar el voltaje de alimentacin.

Tambin se aaden los elementos MTEE$, para el caso de 3 accesos, y los elementos
MCROSS$ para el caso de 4 accesos, que resuelven los encuentros entre los diferentes
componentes.

Introduciendo estos elementos en el diseo final del amplificador, los resultados de la
simulacin se ajustarn ms a los que se pueden obtener de forma experimental, una vez
fabricado el circuito.

71
2.2.5.1. Diseo real del amplificador 1_1 y sus diferentes alternativas de
diseo

Recordar que el amplificador 1_1 representa el formado por la red de adaptacin de
entrada 1 y la red de adaptacin de salida 1.

El diseo real del primer amplificador es el siguiente, donde C
DC
es el condensador de
bloqueo de continua.

Figura 2.2-63. Diseo real del amplificador con red de entrada 1 y red de salida 1.


Tabla 2.2-34. Resultados obtenidos para el diseo real del amplificador con red de entrada 1
y red de salida 1.

Observamos que los resultados obtenidos en cuanto a adaptacin a la entrada y factor de
ruido no son muy satisfactorios, por lo que decidimos optimizar.

Red de adaptacin de entrada
Transistor polarizado
Red de adaptacin de salida
Red de polarizacin de puerta
Red de polarizacin de drenador
Redes de desacoplo
C
DC

C
DC

72
El proceso de optimizacin lo realizamos en 3 fases:
- Optimizar el factor de ruido variando slo los componentes de la red de adaptacin de
entrada, es decir, L y C de la red de entrada.
- Optimizar el parmetro S
22
variando slo los componentes de la red de adaptacin de
salida, es decir, L y C de la red de salida.
- Optimizar los parmetros S
11,
S
22
, y factor de ruido variando los componentes de la red
de adaptacin de entrada y salida.

Los resultados que se obtienen tras la optimizacin son los siguientes:

Tabla 2.2-35. Resultados despus de optimizar el diseo real del amplificador con red de
entrada 1 y red de salida 1.

Vemos que la adaptacin a la entrada y, sobre todo, a la salida, han mejorado, pero
fundamentalmente ha sido el factor de ruido lo que ha experimentado una mayor mejora.

El problema de la optimizacin radica en que optimiza los valores de los componentes
de la red de adaptacin buscando cumplir los objetivos marcados, pero en determinados casos,
establece unos valores para los componentes que son irrealizables en la prctica. Esto sucede en
este caso, ya que al condensador de la red de entrada y el de la red de salida le establece un
valor de 0 pF, valor imposible, por lo que los resultados obtenidos empeorarn al colocarle un
valor real a cada condensador.

El ltimo paso ya slo consiste en aproximar los valores de los componentes de la red
de adaptacin de entrada y salida a los valores normalizados suministrados por el fabricante.
Disponemos de una serie de valores de bobinas, condensadores y resistencias suministrados por
el fabricante, y tenemos que ajustarnos a los valores de los que disponemos buscando, en todo
caso, obtener los mejores resultados posibles en cuanto a adaptacin a la entrada, a la salida,
ganancia y factor de ruido. Estos resultados dependern fundamentalmente de los valores
escogidos para los componentes de la red de entrada y salida, buscando siempre escoger el valor
ptimo del componente.

Es importante resaltar un cambio que se ha realizado en el esquemtico. La longitud de
las lneas de transmisin conectadas directamente al transistor era de 1 mm, como elementos de
unin, pero en este diseo previo ya a la fabricacin, se ha optado por aumentar esa longitud
hasta los 4.5 mm. Esto es as debido a que necesitbamos una mayor longitud en esas lneas
para que los elementos en el layout, que posteriormente veremos, mantuvieran siempre una
distancia mnima de separacin de 1 mm.

El aumento de la longitud de las lneas conectadas al transistor afecta negativamente a
los resultados, pero es necesario para que los componentes se encuentren con una distancia
mnima de separacin entre ellos en el layout. Se ha optado por poner la misma distancia de
separacin, 4.5 mm, en las 4 alternativas de diseo de este primer amplificador, para poder
comparar las prestaciones de cada uno en igualdad de condiciones, y poder decidirnos por uno
de ellos.

En posteriores diseos del amplificador, la longitud de estas lneas no tiene porque ser
la misma, ya que siempre buscaremos que esta longitud sea la mnima necesaria, y lo sabremos
al realizar el layout del amplificador, por lo que esta longitud depender del layout realizado en
el proceso de fabricacin.

73
El empeoramiento de los resultados debido al aumento de longitud se puede subsanar,
en parte, modificando los valores de los componentes de las redes de adaptacin. Esto quiere
decir que unos determinados valores de componentes, para una longitud de 1 mm de las lneas
conectadas al transistor, pueden ser los ptimos para esa longitud, pero al modificar la longitud,
estos valores de componentes dejan de ser los que mejores prestaciones le dan al circuito.
Tendremos, por tanto, que redisear las redes de adaptacin debido al aumento de longitud de
las lneas conectadas al transistor.

Obtenemos los siguientes resultados para lneas de longitud 4.5 mm:

Tabla 2.2-36. Resultados del amplificador, formado por red de entrada 1 y red de salida 1,
con valores normalizados de componentes y lneas de longitud 4.5 mm.

Los resultados obtenidos no son muy satisfactorios, por lo que buscamos posibles
alternativas a este diseo. Una alternativa que puede afectar a los resultados es la posicin de la
red de desacoplo y de polarizacin en la red de entrada y salida. Para el caso que nos ocupa, no
tenemos ni en la red de adaptacin de entrada ni en la de salida un condensador que realice la
misin del condensador de bloqueo de continua, por lo que era necesario aadir uno a la entrada
y otro a la salida. Esta situacin permite que para la entrada y para la salida haya dos posibles
posiciones de la red de desacoplo y de polarizacin.

Tendremos cuatro posibles diseos para este primer amplificador. En el diseo ya
realizado, la red de desacoplo y de polarizacin se encontraba a la entrada de la red de
adaptacin, pudiendo situarse tambin justo entre la bobina y el condensador de la red de
adaptacin. En la red de salida las opciones de posicin son las mismas, estando en el diseo ya
analizado, la red de desacoplo y de polarizacin entre la bobina y el condensador de la red de
adaptacin.

La siguiente opcin consistira en colocar la red de desacoplo y de polarizacin entre la bobina
y el condensador de la red de adaptacin de entrada, y a la salida de la red de adaptacin de
salida, como se aprecia en el siguiente esquemtico:
74

Figura 2.2-64. Primera alternativa al diseo real del primer amplificador.

Resultados obtenidos:

Tabla 2.2-37. Resultados de la primera alternativa al diseo real del primer amplificador.

Los resultados obtenidos son bastante deficientes, por lo que procedemos a optimizar de
la forma anteriormente comentada, obteniendo ahora:

Tabla 2.2-38. Resultados despus de optimizar la primera alternativa al diseo real del
amplificador.

Se observa una notable mejora tras el proceso de optimizacin en los resultados
obtenidos, sobre todo porque el factor de ruido se ha reducido considerablemente.

Pasamos ahora a valores normalizados los componentes de la red de adaptacin.
Comentar que no es necesario modificar el valor del resto de componentes del amplificador, ya
que para su anlisis ya fueron escogidos valores normalizados disponibles.

Obtenemos los siguientes resultados:
75

Tabla 2.2-39. Resultados para la segunda alternativa al diseo real del primer amplificador.

Resultados que siguen siendo muy poco satisfactorios, ya que la adaptacin a la entrada
y a la salida debera estar por debajo de los -10 dB, y en ninguno de los 2 casos sucede.

La tercera opcin sera colocar las dos redes de desacoplo y de polarizacin justo entre la
bobina y el condensador de la correspondiente red de adaptacin, tal y como se muestra en la
siguiente figura:

Figura 2.2-65. Segunda alternativa al diseo real del primer amplificador.

Resultados alcanzados:

Tabla 2.2-40. Resultados de la segunda alternativa al diseo real del primer amplificador.

76
Optimizamos buscando mejorar los resultados:

Tabla 2.2-41. Resultados despus de optimizar la segunda alternativa al diseo real del
primer amplificador.

Como era de esperar, la adaptacin a la entrada y a la salida, as como el factor de ruido,
mejoran considerablemente.

Colocamos ahora los valores normalizados de los componentes de las redes de
adaptacin, lo que significar que los resultados empeoren ligeramente, ya que no podremos
colocar exactamente los valores de los componentes que optimizan la adaptacin a la entrada,
salida y factor de ruido, y nos tendremos que conformar con el suministrado por el fabricante.

Los resultados son los siguientes:

Tabla 2.2-42. Resultados de la segunda alternativa al diseo real del primer amplificador
con valores normalizados.

Seguimos obteniendo unos resultados deficientes, muy parecidos a los del caso anterior,
con un factor de ruido bastante superior al mnimo y una mala adaptacin.

La ltima opcin consiste en situar el conjunto, red de desacoplo y red de polarizacin, antes
de la red de adaptacin de entrada y despus de la red de adaptacin de salida, como podemos
apreciar en la siguiente figura:

77

Figura 2.2-66. Tercera alternativa al diseo real del primer amplificador.

Alcanzamos los siguientes resultados:

Tabla 2.2-43. Resultados de la tercera alternativa al diseo real del primer amplificador.

Optimizamos, realizando las 3 fases anteriormente comentadas, y obtenemos:

Tabla 2.2-44. Resultados despus de optimizar la tercera alternativa al diseo real del primer
amplificador.

Si pasamos a valores normalizados los componentes de las redes de adaptacin,
tenemos los siguientes resultados:

Tabla 2.2-45. Resultados de la tercera alternativa al diseo real del primer amplificador con
valores normalizados.

78
No tenemos una buena adaptacin ni a la entrada ni a la salida, pero el factor de ruido
no presenta un valor demasiado alto, lo cual constituye una enorme ventaja.

Hemos analizado las 4 posibles opciones para este primer diseo de un amplificador, el
que est formado por la red de adaptacin de entrada 1 y la red de adaptacin de salida 1. Si
comparamos los resultados obtenidos para las 4 opciones, tenemos:

1 opcin:

Tabla 2.2-46. Resultados de la primera opcin de diseo real del primer amplificador con

2 opcin:

Tabla 2.2-47. Resultados de la segunda opcin de diseo real del primer amplificador con

3 opcin:

Tabla 2.2-48. Resultados de la tercera opcin de diseo real del primer amplificador con

4 opcin:

Tabla 2.2-49. Resultados de la cuarta opcin de diseo real del primer amplificador con

Nos quedamos con la 4 opcin como mejor diseo, ya que es el diseo que presenta un
menor factor de ruido, y una mejor adaptacin a la entrada y a la salida. En este diseo hemos
colocado la red de desacoplo y de polarizacin, en ambos casos, muy alejadas del transistor, lo
que ha proporcionado unos mejores resultados que si estuvieran muy prximas a ste. Este
diseo pasar al proceso de fabricacin que posteriormente analizaremos. Recordemos que el
esquemtico era:
79

Figura 2.2-67. Diseo escogido para el primer amplificador.

2.2.5.2. Diseo real del amplificador 1_2 y su alternativa de diseo

Recordemos que ste es el amplificador formado por la red de adaptacin de entrada 1 y
la red de adaptacin de salida 2.

Presentamos ahora el segundo diseo de amplificador realizado, cuyo diseo ideal es el
siguiente:

Figura 2.2-68. Amplificador ideal formado por la primera red de adaptacin de entrada y la
segunda red de adaptacin de salida.

80
Si efectuamos un diseo real del amplificador, tendramos el circuito de la figura 2.2-
67, en el que podremos observar que no es necesario el condensador de bloqueo de continua a la
salida de la red de adaptacin de salida, ya que el propio condensador de la red de adaptacin
realiza esa funcin.



Tabla 2.2-50. Resultados del diseo real del amplificador con red de entrada 1 y red de salida
2.

Optimizamos, realizando el proceso en 3 fases, como ya explicamos anteriormente, y
obtenemos:

Tabla 2.2-51. Resultados despus de optimizar el diseo real del segundo amplificador.
C
DC

Red de adaptacin de entrada Red de adaptacin de salida
81
El factor de ruido mejora, pero la adaptacin a la salida empeora ligeramente.

Elegimos el valor normalizado ms cercano al valor de componente de las redes de
adaptacin.

En este caso es suficiente una longitud de 4.3 mm en las lneas conectadas al transistor
para que los componentes guarden una mnima distancia de separacin en el layout. Esto se
apreciar cuando posteriormente realicemos el layout.

Resultados alcanzados:

Tabla 2.2-52. Resultados del diseo real del segundo amplificador con valores normalizados.

Estos resultados sern comparados con la otra opcin de diseo para ver que diseo
presenta mejores prestaciones.

La otra opcin de diseo consiste en colocar la red de desacoplo y de polarizacin entre la
bobina y el condensador de la red de entrada. Comentar que la posicin de la red de desacoplo y
de polarizacin a la salida no es modificable, ya que es la nica posicin con la que
conseguimos que el condensador de la red de adaptacin realice la funcin de bloqueo de
continua, ya que si colocramos la red de desacoplo a la salida de la red de adaptacin, sera
necesario otro condensador que hiciera la funcin de bloqueo de continua. Encuadramos la red
de desacoplo y de polarizacin que ha variado su posicin en el amplificador.

82

Figura 2.2-70. Alternativa al diseo real del segundo amplificador.


Tabla 2.2-53. Resultados de la alternativa al diseo real del segundo amplificador.

Optimizamos y obtenemos:

Tabla 2.2-54. Resultados despus de optimizar la alternativa al diseo real del segundo
amplificador.

El hecho fundamental es que hemos reducido el factor de ruido casi a la mitad de su
valor en decibelios, pero no confundir esto con su valor en escala lineal.

Los resultados, despus de colocar los valores normalizados de componentes, son los
siguientes:
83

Tabla 2.2-55. Resultados de la alternativa al diseo real del segundo amplificador con valores
normalizados de componentes.

Comparamos estos resultados con los obtenidos para la 1 opcin de diseo de este
amplificador.

1 opcin:

Tabla 2.2-56. Resultados del diseo real del segundo amplificador con valores normalizados
de componentes.

2 opcin:

Tabla 2.2-57. Resultados de la alternativa al diseo real del segundo amplificador con valores
normalizados de componentes.

Los resultados son mejores para la 1 opcin, ya que presenta un menor factor de ruido,
una mejor adaptacin a la entrada, una mayor ganancia, y una adaptacin a la salida similar. Al
igual que ocurriera en el primer diseo, se alcanzan mejores resultados con la red de desacoplo
y polarizacin ms alejada del transistor.

sta es la opcin elegida para el 2 diseo de amplificador:
84

Figura 2.2-71. Diseo elegido para el amplificador formado por red de entrada 1 y red de
salida 2.

2.2.5.3. Diseo real del amplificador 2_1 y su alternativa de diseo


Presentamos el tercer diseo de amplificador realizado, cuyo diseo ideal del
amplificador es el siguiente:

85

Figura 2.2-72. Amplificador ideal formado por la segunda red de adaptacin de entrada y la
primera red de adaptacin de salida.

71, en el que podemos observar que no es necesario el condensador de bloqueo de continua a la
entrada de la red de adaptacin de entrada, ya que el propio condensador de la red de adaptacin
realiza esa funcin.

86


Obtenemos los siguientes resultados:

Tabla 2.2-58. Resultados obtenidos para el diseo real del tercer amplificador.

Optimizamos buscando mejorar los resultados:

Tabla 2.2-59. Resultados obtenidos despus de optimizar el diseo real del tercer
amplificador.

Obtenemos un factor de ruido prximo al mnimo y una buena adaptacin a la entrada.

C
DC

87
En este caso slo han sido necesarios 4 mm de longitud en las lneas conectadas al
transistor para que en el layout no haya problemas de separacin entre componentes.

Llegamos a los siguientes resultados con valores normalizados de componentes:

Tabla 2.2-60. Resultados del diseo real del tercer amplificador con valores normalizados.

Resultados bastante ptimos, sobre todo en cuanto a factor de ruido y adaptacin a la
entrada.

La otra opcin de diseo consiste en colocar la red de desacoplo y de polarizacin a la salida
de la red de salida, justo antes del condensador de bloqueo de continua. Comentar que la
posicin de la red de desacoplo y polarizacin a la entrada no es modificable, ya que es la nica
posicin con la que consigo que el condensador de la red de adaptacin realice la funcin de
bloqueo de continua.

Figura 2.2-74. Alternativa al diseo real del tercer amplificador.

Para esta alternativa al tercer amplificador obtenemos:
88

Tabla 2.2-61. Resultados de la alternativa al diseo real del tercer amplificador.

Despus de optimizar, llegamos a que:

Tabla 2.2-62. Resultados despus de optimizar la alternativa al diseo real del tercer
amplificador.

En este caso slo ha sido necesario una longitud de 1.5 mm para las lneas conectadas al
transistor, ya que los elementos se encuentran suficientemente separados en el layout, al estar
las redes de desacoplo muy separadas entre s.

Los resultados a los que llegamos son:

Tabla 2.2-63. Resultados de la alternativa al diseo real del tercer amplificador con valores
normalizados.

Factor de ruido muy prximo al mnimo, buena adaptacin tanto a la entrada como a la
salida, es decir, obtenemos resultados muy satisfactorios.

Comparamos los resultados obtenidos para ambas opciones de diseo:

1 opcin:

Tabla 2.2-64. Resultados del diseo real del tercer amplificador con valores normalizados.

2 opcin:

Tabla 2.2-65. Resultados de la alternativa al diseo real del tercer amplificador con valores
normalizados.

Elegimos la 2 opcin, ya que presenta un menor factor de ruido, una mejor adaptacin
a la salida y, aunque la adaptacin a la entrada no es tan buena como para la 1 opcin,
conseguimos unos parmetros S
11
y S
22
por debajo de -10 dB, situacin que tiene preferencia
89
sobre la de tener un parmetro S tendiendo a - dB, pero el otro parmetro S por encima de -10
dB. El esquemtico era ste:

Figura 2.2-75. Diseo elegido para el tercer amplificador.

Una conclusin importante a la que hemos llegado en este proyecto es que se obtienen
mejores resultados si la red de desacoplo y de polarizacin se encuentra alejada del transistor,
respecto a si se encuentra prxima a ste.

2.2.5.4. Diseo real del amplificador 2_2


Presentamos el cuarto diseo de amplificador realizado, cuyo diseo ideal es el
siguiente:
90

Figura 2.2-76. Amplificador ideal formado por la segunda red de adaptacin de entrada y
segunda red de adaptacin de salida.

75, en el que podemos observar que no es necesario el condensador de bloqueo de continua a la
entrada de la red de adaptacin de entrada, ni a la salida de la red de adaptacin de salida, ya
que el propio condensador de la red de adaptacin realiza esa funcin. En este caso slo
tendremos una opcin, ya que las redes de desacoplo y de polarizacin slo pueden ir situadas
ah, porque de otra forma se hara necesaria la presencia de condensadores de bloqueo de
continua, uno a la entrada y otro a la salida.

91



Tabla 2.2-66. Resultados obtenidos para el diseo real del cuarto amplificador.

Si optimizamos el amplificador obtenemos:

Tabla 2.2-67. Resultados obtenidos despus de optimizar el diseo real del cuarto
amplificador.
92

Alcanzamos unos resultados extraordinarios, pero sin que los valores de los
componentes de las redes de adaptacin sean los suministrados por el fabricante, por lo que al
realizar este cambio, llegamos a que:

Tabla 2.2-68. Resultados del diseo real del cuarto amplificador con valores normalizados.

Resultados extraordinarios, ya que el factor de ruido es muy bajo y muy prximo al
mnimo, tanto la adaptacin a la entrada como a la salida est por debajo de -10 dB, y la
ganancia es elevada.

Llegados a este punto tenemos que decidir qu circuitos de los diseados vamos a
fabricar. Hasta este momento tenemos 4 posibles diseos, 4 porque tenamos 2 posibles redes de
adaptacin de entrada y 2 de salida, que combinadas dan lugar a 4 posibles amplificadores.
Comparamos resultados para ver que 2 diseos sern fabricados, siendo los elegidos,
lgicamente, los que presenten mejores prestaciones.

1
er
diseo:

Tabla 2.2-69. Resultados para el primer amplificador diseado.

2 diseo:

Tabla 2.2-70. Resultados para el segundo amplificador diseado.

3
er
diseo:

Tabla 2.2-71. Resultados para el tercer amplificador diseado.

4 diseo:

Tabla 2.2-72. Resultados para el cuarto amplificador diseado.

93
Nos quedamos, claramente, con los dos ltimos diseos, ya que presentan un factor de
ruido bastante menor en decibelios que los dos primeros, y una adaptacin tanto a la entrada
como a la salida por debajo de -10 dB, aspecto que no sucede en los dos primeros diseos.
Si realizamos un barrido en frecuencia de 0 a 3 GHz para los dos amplificadores
escogidos, tenemos las siguientes representaciones:

Figura 2.2-78. Parmetros S del amplificador con red de entrada 2 y red de salida 2.

Figura 2.2-79. Parmetros S del amplificador con red de entrada 2 y red de salida 1.

Recordamos cmo era el esquemtico de los dos diseos seleccionados:
94
CAP
C=
ID=
33 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
CAP
C=
ID=
1.5 pF
C3
CAP
C=
ID=
1.5 pF
C4
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cpico1
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cpico2
IND
L=
ID=
3.9 nH
L1
IND
L=
ID=
4.3 nH
L2
IND
L=
ID=
390 nH
Lchoke1
IND
L=
ID=
390 nH
Lchoke2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
RES
R=
ID=
33 Ohm
R3
RES
R=
ID=
47 Ohm
R4
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL2
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL3
1
2
3 MTEE$
ID= TL4
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL5
1
2
3
MTEE$
ID= TL6
1
2
3 MTEE$
ID=TL7
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL8
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL9
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL10
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL11
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL12
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL14
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL15
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL16
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL17
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL18
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL19
1
2
3
4
MCROSS$
ID= TL20
MLIN
L=
W=
ID=
4.6 mm
1.9 mm
TL21
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL22
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL23
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL24
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL25
MLIN
L=
W=
ID=
10 mm
1.9 mm
TL26
MLIN
L=
W=
ID=
4.6 mm
1.9 mm
TL27
MLIN
L=
W=
ID=
10 mm
1.9 mm
TL28
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL29
1
2
3
4
MCROSS$
ID= TL30
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL31
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL33
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL34
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL35
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL36
1
2
3
MTEE$
ID=TL37
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL38
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V1 VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V2
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V3
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V4
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V7
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V8
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V9 VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V10
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL39
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL40
MBEND90X$
M=
ID=
0
MS1
MBEND90X$
M=
ID=
0
MS2
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL41
MLEF
L=
W=
ID=
8 mm
8 mm
TL13 MLEF
L=
W=
ID=
8 mm
8 mm
TL42
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL32
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V5
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1 PORT
Z=
P=
50 Ohm
2
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
CAP
C=
ID=
33 pF
C3
CAP
C=
ID=
1 pF
C4
CAP
C=
ID=
0.5 pF
C5
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cpico1
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cpico2
IND
L=
ID=
5.6 nH
L1
IND
L=
ID=
5.6 nH
L2
IND
L=
ID=
390 nH
Lchoke1
IND
L=
ID=
390 nH
Lchoke2
MBEND90X$
M=
ID=
0
MS1
MBEND90X$
M=
ID=
0
MS2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
RES
R=
ID=
33 Ohm
R3
RES
R=
ID=
47 Ohm
R4
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL2
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL3
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL4
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL5
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL6
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL7
1
2
3
MTEE$
ID=TL8
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL9
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL10
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL11
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL12
1
2
3 MTEE$
ID=TL13
1
2
3
MTEE$
ID=TL14
1
2
3 MTEE$
ID=TL15
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL16
MLIN
L=
W=
ID=
10 mm
1.9 mm
TL17
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL18
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL19
1 2
3
MTEE$
ID=TL20
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL21 MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL22
1 2
3
MTEE$
ID=TL23
MLEF
L=
W=
ID=
8 mm
8 mm
TL24
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL25
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL26
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL27
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL28
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL29
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL30
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL31
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL32
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL33
MLIN
L=
W=
ID=
10 mm
1.9 mm
TL34
MLEF
L=
W=
ID=
8 mm
8 mm
TL35
1
2
3
4
MCROSS$
ID=TL36
MLIN
L=
W=
ID=
1.5 mm
1.9 mm
TL37
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL38
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL39
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL40
MLIN
L=
W=
ID=
1.5 mm
1.9 mm
TL41
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL42
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.2 mm
TL43
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL44
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL45
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V1
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V2
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V3
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V4
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V5
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V6 VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V7
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V8
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V9
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1 PORT
Z=
P=
50 Ohm
2

Figura 2.2-80. Los dos amplificadores elegidos para el proceso de fabricacin.

95
Captulo 3
Fabricacin y Realizacin de medidas

3.1. Implementacin fsica

Una vez seleccionados los diseos a fabricar, se procede a preparar su layout para la
posterior fabricacin. Previamente, se importa el archivo de las capas de proceso (Layer Process
File), que define las opciones por defecto de la visualizacin del layout, incluyendo las capas de
dibujo, mapeo de capas, visin 3D, etc. Para ello se pulsa sobre la opcin Layout, disponible en
la parte inferior derecha de la ventana de trabajo. Al aparecer el rbol de las opciones, se pulsa
con el botn derecho sobre la opcin de Layer Setup y se elige la opcin Import Process
Definition, con lo que aparece una ventana de dilogo. Se localiza el directorio C:\Program
Files\AWR\AWR2002 (directorio por defecto de la instalacin de Microwave Office, si en el
proceso de instalacin se cambia, se indica nuevo directorio de instalacin). Se elige el fichero
MIC_English.lpf y se abre. El rbol de layout, entonces, adquiere la siguiente forma:

Figura 3.1-1. Importacin del archivo de las capas de proceso.

El siguiente paso es establecer la unidad de base de datos y el tamao de la cuadrcula.
Se elige: Options Layout Options y aparece el siguiente cuadro de dilogo:

Figura 3.1-2. Cuadro de dilogo de las opciones del layout.

Como se puede observar, las unidades estn en milsimas de pulgada, que es una unidad
de medida del sistema anglosajn. Al cargar el archivo de las capas de proceso se produjo un
cambio en el sistema de unidades del proyecto. Para cambiarlo otra vez a milmetros hay que
96
acceder a la opcin Project Options y en la pestaa Global Units cambiar las unidades globales
de la longitud a milmetros. Entonces el cuadro de las opciones de layout adquiere el siguiente
aspecto:

Figura 3.1-3. Cuadro de dilogo de las opciones del layout con las unidades mtricas
cambiadas.

El siguiente paso es la creacin de una biblioteca GDSII. Como no se dispone del layout
de los componentes concentrados que se van a emplear en el diseo, se procede a la creacin de
una biblioteca, que contendr los layouts necesarios de resistencias, condensadores, bobinas y
transistor. Se pincha con el botn derecho sobre la opcin Cell Libraries, se elige New GDSII
Library y se denomina a la nueva biblioteca como layouts_creados. Pinchando con el botn
derecho sobre el nombre de la biblioteca creada, se selecciona la opcin New Layout Cell y se
asigna un nombre a la celda creada y se abre una ventana para la edicin del layout. En el
proceso de creacin del layout de un componente se tienen en cuenta sus dimensiones fsicas.
stas vienen definidas en la hoja de caractersticas, ofrecida por el fabricante. Teniendo en
cuenta los parmetros fsicos del transistor empleado en el diseo, ATF-35143 (Anexo A), se
elabora su layout:

Figura 3.1-4. Creacin del layout del transistor.

Seguidamente creamos el layout de las bobinas. Indicar que todas las bobinas
empleadas en los diseos de estos amplificadores pertenecen a la misma familia, serie 3650 ->
formato 0603, por lo que todas ellas presentarn el mismo layout. Las dimensiones fsicas de las
bobinas pertenecientes a esta familia vienen especificadas en el anexo B.

97

Figura 3.1-5. Creacin del layout de la bobina.

A continuacin creamos el layout de las resistencias, sabiendo que todas las utilizadas
en el proceso de diseo pertenecen a la misma familia.

Figura 3.1-6. Creacin del layout de la resistencia.

Nos queda crear el layout de los condensadores utilizados en el diseo del amplificador.

En primer lugar creamos los condensadores de la marca Epcos, serie BS3794->
formato 0805, cuyos valores utilizados son 1pF y 1.5 pF. Las dimensiones fsicas aparecen en el
anexo D.

Figura 3.1-7. Creacin del layout del condensador Epcos.

98
En segundo lugar creamos los condensadores de la marca Kemet, de formato 0603,
cuyos valores utilizados en el diseo son 0.5 pF y 1 pF, dimensiones que vienen especificadas
en el anexo C.

Figura 3.1-8. Creacin del layout del condensador Kemet.

Por ltimo queda crear el layout de unos condensadores cuyo valor no pertenece a
ninguna de las dos familias de condensadores presentadas. Se trata de los condensadores de 33
nF, de formato 0805:

Figura 3.1-9. Creacin del layout del condensador de 33 nF.

El siguiente paso consiste en asignar a cada componente su layout correspondiente. Para
ello, es necesario ir a las propiedades del layout de un elemento (se pincha con el botn derecho
sobre un elemento y se selecciona la opcin de properties layout) y seleccionar su nombre,
tal y como lo indica la figura de abajo en el ejemplo del transistor:

99

Figura 3.1-10. Asignacin del layout creado a un elemento.

Una vez que todos los elementos tengan su layout asignado, se pulsa el botn con el
icono en Microwave Office para visualizar el layout completo del circuito. Se observa
entonces que los elementos aparecen desordenados, pero unidos por unas lneas rojas
discontinuas que nos indican las relaciones entre los componentes, ayudando a ordenarlos,
como podemos apreciar en la siguiente imagen obtenida para un amplificador a fabricar.

Figura 3.1-11. Layout desordenado.

Recordemos que tenamos 2 amplificadores para fabricar, el formado por la red de
entrada 2 y red de salida 2, le llamaremos amplificador 2_2, y el formado por la red de entrada 2
y red de salida 1, le llamaremos amplificador 2_1.

El resultado de ordenar este layout en funcin de las lneas rojas discontinuas es, para el
amplificador formado por la red de entrada 2 y la red de salida 2, el siguiente:

100

Figura 3.1-12. Layout del amplificador 2_2.

Este mismo layout podemos observarlo en 3 dimensiones si pulsamos sobre el botn
con el smbolo :

Figura 3.1-13. Layout del amplificador 2_2 en 3D.

El layout obtenido para el amplificador, formado por la red de entrada 2 y la red de
salida 1, es:
101

Figura 3.1-14. Layout del amplificador 2_1.

Este mismo layout podemos verlo en 3 dimensiones:

Figura 3.1-15. Layout del amplificador 2_1 en 3D.

Una vez que se tiene el layout final ya perfectamente ordenado en Microwave Office, es
necesario exportarlo en un fichero tipo Gerber para importarlo posteriormente en otro
programa, llamado CircuitCam, donde se le darn los ltimos retoques para la fabricacin. La
exportacin del layout se realiza por capas. Primero, se exporta la capa superior de cobre, para
ello se pulsa sobre el men principal Layout -> Export Layout. Se abre un cuadro de dialogo
Guardar como donde se indica el tipo de archivo a exportar: .Gerber y se le asigna un
nombre.
102

Figura 3.1-16. Guardar como un fichero Gerber.

En este momento termina el trabajo con Microwave Office, y pasamos a trabajar con el
programa Circuit Cam.

En el programa Circuit Cam se ejecutan los siguientes pasos:
- Se importa el archivo .ger exportado desde Microwave Office File -> Import ->*.ger.
- Aparece la ventana de dialogo representada en la figura, en la que se tiene que indicar el
tipo de Layer como TopLayer, el tipo de Aperture List como ApeTutor y
especificar las unidades si hace falta.

Figura 3.1-17. Cuadro de dilogo de importacin de archivos en Circuit Cam.

Se puede apreciar el tamao del circuito en el cuadro Size x,y, as como hacer su
Preview, para comprobar que el circuito a importar est bien exportado.

103

Figura 3.1-18. Vista previa del amplificador.

Despus de especificar todos los campos en el cuadro de dilogo, se importa el archivo
mediante Import. El resultado es una figura con las pistas de cobre de la parte superior del
circuito, en la que se puede apreciar los huecos para los componentes.

A partir de este momento iremos mostrando el proceso de fabricacin para los 2
amplificadores elegidos, que hemos llamado amplificador 2_2 y amplificador 2_1, como ya
explicamos, segn las redes de adaptacin de entrada y salida elegidas.

Para el amplificador 2_2 tenemos:

Figura 3.1-19. Esquema de las pistas de cobre del amplificador 2_2 en Circuit Cam.

Para el amplificador 2_1:
104

Figura 3.1-20. Esquema de las pistas de cobre del amplificador 2_1 en Circuit Cam.

A continuacin se crean los va holes. Se indican en la barra de herramientas las
siguientes opciones: DrillPlated, LpkfDrillingTools y Spirall Drill 0.7mm, lo que
significa que se emplear una broca de 0.7 mm para realizar los orificios de masa. Se pincha
sobre el botn con el siguiente icono en la barra de herramientas de grficos y se marcan las
posiciones de los va holes de acuerdo a lo establecido en el layout.

Figura 3.1-21. Esquema de pistas de cobre del amplificador 2_2 con los via holes.

Figura 3.1-22. Esquema de pistas de cobre del amplificador 2_1 con los via holes.
105
El siguiente paso es crear el borde del circuito, para ello se tendr que elegir la opcin
BoardOutline en la principal barra de herramientas y se delimitar el contorno pinchando
sobre el botn con el smbolo , dejando 2 mm de separacin entre el borde del circuito y el
componente por la parte superior e inferior, como se aprecia en la figura:

Figura 3.1-23. Creacin del borde del circuito.

Cuando el borde est delimitado, se pincha sobre el botn con el icono para
ejecutar el enrutamiento del contorno, aparecer un cuadro de dialogo en el que tendremos que
elegir las siguientes opciones:

Figura 3.1-24. Cuadro de dilogo de enrutamiento de contorno.

Estas opciones nos indican que en el proceso de delimitacin del borde, que realizar la
mquina, se emplear una broca de 1 mm de dimetro y el corte se ejecutar por fuera de la
lnea del borde marcada. El resultado de la ejecucin ser el siguiente:

106

Figura 3.1-25. El circuito del amplificador 2_2 delimitado por un borde.

Figura 3.1-26. El circuito del amplificador 2_1 delimitado por un borde.

A continuacin se seleccionan la esquina superior izquierda y la esquina inferior
derecha del borde, pinchando sobre el botn con el smbolo para romper la continuidad
del borde.

107

Figura 3.1-27. El circuito del amplificador con el borde fragmentado.

El siguiente paso es delimitar las zonas de cobre a eliminar dejando las pistas de cobre
tiles, para ello, primero, se pincha sobre el botn con el smbolo que permite seleccionar
el circuito entero, y segundo, se elige la opcin Insulate en el men desplegable del Edit o
pinchando sobre el botn con el icono , y en la ventana de dilogo que aparece se
seleccionan las siguientes opciones:

Figura 3.1-28. Ventana de dilogo de la opcin Insulate.

El resultado que se obtiene al ejecutar, botn Run, es el siguiente:

108

Figura 3.1-29. El circuito de amplificador 2_2 con las pistas a vaciar marcadas.

Figura 3.1-30. El circuito de amplificador 2_1 con las pistas a vaciar marcadas.

Finalmente, slo queda exportar el archivo resultante en formato *.LMD mediante el
botn , para posteriormente volver a importarlo, en el programa Board Master, software
que ofrece una interfaz con la mquina fresadora.

Una vez hemos preparado para la fabricacin los dos amplificadores elegidos para tal
fin, introducimos una variante para cada uno de los dos amplificadores presentados. Hasta
ahora, en los dos amplificadores expuestos, tenamos el plano de masa slo en la cara inferior
del amplificador. La variante consiste en fabricar los dos amplificadores anteriores, pero ahora
con el plano de masa tambin en la cara superior, no slo en la cara inferior, con lo que
pretendemos mejorar los resultados al fabricar, ya que tendremos tambin conexin a masa en la
cara superior. Esto implicar tambin agujerear el layout obtenido, que realizaremos con el
109
programa Circuit Cam, buscando agujerear lo ms posible el diseo, ya que esto mejorar las
prestaciones del amplificador.

En primer lugar, hay que realizar una modificacin en el esquemtico respecto al
original. Antes, para la conexin a masa, ponamos el via hole y una lnea acabada en circuito
abierto en paralelo, ahora pondremos un via hole y una lnea de transmisin conectada a masa
en paralelo, elemento MLSC. Los esquemticos quedan de la siguiente forma:

Amplificador 2_2:

Figura 3.1-31. Amplificador 2_2 con plano de masa tambin en la cara superior.

Amplificador 2_1:

110

Figura 3.1-32. Amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior.

El siguiente paso consiste en rellenar de masa, en la medida de lo posible, el layout
obtenido a partir del esquemtico. El layout obtenido a partir del esquemtico ser como el que
obtuvimos para los dos primeros amplificadores presentados, ya que la modificacin
introducida en el esquemtico no se refleja en el layout. A partir de ese layout tenemos que ir a
la pestaa inferior de Microwave Office, Layout, seleccionar Copper y rellenar el layout,
mediante rectngulos o polgonos, de masa.
Tenemos que tener en cuenta que debemos guardar una distancia de masa a cualquier lnea de
transmisin del triple de la anchura de la lnea, y buscaremos siempre unir la masa que estamos
dibujando en el layout con la masa que ya hubiramos colocado en el esquemtico.

Para el amplificador 2_2, tendramos un layout as:

111

Figura 3.1-33. Layout del amplificador 2_2 con plano de masa tambin en la cara superior.

Para el amplificador 2_1, el layout sera ste:

Figura 3.1-34. Layout del amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior.

El siguiente paso sera exportar el layout como un .Gerber, e importarlo en el Circuit
Cam, como ya explicamos detenidamente para los 2 primeros amplificadores.

Tendramos el siguiente circuito importado en Circuit Cam para el amplificador 2_2:
112

Figura 3.1-35. Esquema de las pistas de cobre del amplificador 2_2 con plano de masa
tambin en la cara superior en Circuit Cam.

Y para el amplificador 2_1:

Figura 3.1-36. Esquema de las pistas de cobre del amplificador 2_1 con plano de masa
tambin en la cara superior en Circuit Cam.

Ahora es cuando tenemos que colocar los via holes en la zona de masa aadida
anteriormente en el layout, adems de situar los que correspondan porque ya aparecieran
representados en el layout.

Debe guardarse una distancia de separacin de unos 2.5 mm entre via holes, e intentar
agujerear lo ms posible el circuito, ya que esto pensamos que mejorar los resultados obtenidos
al fabricar.

Para el amplificador 2_2, quedara as el circuito:

113

Figura 3.1-37. Esquema de pistas de cobre del amplificador 2_2 con plano de masa tambin
en la cara superior con via holes.

Para el amplificador 2_1:

Figura 3.1-38. Esquema de pistas de cobre del amplificador 2_1 con plano de masa tambin
en la cara superior con via holes.

El proceso a partir de aqu es completamente anlogo al explicado para los 2 primeros
amplificadores sin plano de masa en la cara superior. Se delimita el borde del circuito, se realiza
el enrutamiento del contorno, se seleccionan la esquina superior izquierda y la esquina inferior
derecha del borde y se procede a romper la continuidad de ese borde, y se delimitan las zonas
de cobre a eliminar dejando las pistas de cobre tiles. El resultado final, despus de ejecutar,
para el amplificador 2_2 es:

114

Figura 3.1-39. El circuito de amplificador 2_2 con plano de masa tambin en la cara superior
con las pistas a vaciar marcadas.

Y para el amplificador 2_1, obtenemos finalmente:

Figura 3.1-40. El circuito de amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior
con las pistas a vaciar marcadas.

Finalmente, slo queda exportar estos dos archivos en formato *.LMD.

Los 4 amplificadores finales son exportados como fichero *.LMD, amplificador 2_2,
amplificador 2_2 con plano de masa tambin en la cara superior, amplificador 2_1 y
amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior.

Importamos en el programa Board Master los 4 amplificadores anteriores, obteniendo el
archivo necesario para pasar ya al proceso definitivo de fabricacin.

115

Figura 3.1-41. Los 4 amplificadores a fabricar importados en el programa Board Master.

Es importante destacar que finalmente decidimos no fabricar los amplificadores
formados por la red de adaptacin de entrada 2 y la red de adaptacin de salida 2. Esto es debido
a que nos dimos cuenta de una circunstancia. Dicha circunstancia radica en que, cuando
alimentramos el circuito con la tensin de alimentacin, tensin continua, la bobina de la red
de adaptacin de salida actuara como un cortocircuito, por lo que toda la intensidad se ira a
masa y no llegara al transistor, dejando ste de funcionar correctamente para el amplificador.
Recordar que en continua, las bobinas se comportan como un cortocircuito y los condensadores
como circuito abierto. Esta situacin se puede apreciar en la siguiente figura:

Figura 3.1-42. Esquema representativo de que la corriente no llega al transistor en continua.

Este problema se puede solucionar colocando un condensador de bloqueo de continua
entre la red de desacoplo y la entrada de la red de adaptacin de salida. Este condensador, de
valor muy alto, actuar en continua como un circuito abierto, por lo que la corriente no se
116
desviar hacia la red de adaptacin de salida, ya que la corriente que circula por un circuito
abierto es cero, y se ir toda ella hacia el transistor, como era nuestro objetivo.

Figura 3.1-43. Esquema de cmo solucionar el problema descrito.

El problema de la modificacin efectuada es que, debido a que aadimos un elemento
ms al diseo del amplificador, los resultados empeoran drsticamente y el amplificador deja de
proporcionar resultados satisfactorios. Esto provoca que este amplificador sea descartado para el
diseo final del amplificador de una etapa, quedndonos con el amplificador formado por la red
de adaptacin de entrada 2 y la red de adaptacin de salida 1 como diseo de amplificador a
fabricar.

3.1.1. Fabricacin del circuito

Una vez tenemos el archivo de Board Master con los dos amplificadores diseados
editado, el siguiente paso es ir al Servicio de Apoyo a la Investigacin Tecnolgica (SAIT),
donde se encuentra la mquina fresadora de circuitos impresos LPKF ProtoMat C60/S.

117

Figura 3.1-44. Fresadora LPKF ProtoMat C60/S.

En el ordenador conectado a la mquina fresadora, cargamos el archivo del programa
BoardMaster, software que controla a la mquina. En este ltimo programa solamente habr
que ajustar la posicin del layout dentro del substrato.

En primer lugar, la fresadora se encarga de hacer los agujeros a masa en el substrato, tal
y como estn dispuestos stos en el archivo de BoardMaster que le pasamos a la fresadora.

Una vez la fresadora ha realizado los agujeros sobre el substrato, comienza el proceso
de metalizacin de la placa, necesario para que los agujeros efectuados vayan realmente
conectados a masa, y conlleva la realizacin de los siguientes pasos:

Paso 1:
- Limpieza de la placa.
- Limpieza de la placa durante 30 segundos con agua destilada.
- Introducirla en la cubeta (Cleaner 110) 25 minutos a 55 grados.
- Secado

Paso 2:
- Limpieza de la placa con agua corriente durante 30 segundos.
- Limpieza de la placa con agua destilada durante 30 segundos.
- Introducirla en la cubeta (Cleaner 210) durante 20minutos.
- Limpieza de la placa con agua corriente 30 segundos.
- Limpieza de la placa con agua destilada 30 segundos.
- Secado

Paso 3:
- Introducir la placa en la cubeta (Activador 310) 25 minutos a 55 grados.
- Limpieza de los restos de grafito mediante la esptula.
- Secado.

Paso 4:
- Introducir la placa en la cubeta (Copper Plater 410) con una corriente de 8.4 amperios
durante 15 a 20 minutos.
- Limpieza de la placa con agua corriente durante 30 segundos.
- Limpieza de la placa con agua destilada durante 30 segundos.
- Secado
- Limpieza de la placa con estropajo, hasta la eliminacin de residuos.
118

Terminado el proceso de metalizacin de la placa, se ajusta y coloca la primera broca de
fresado, y la mquina se encarga de eliminar las partes sobrantes de cobre, quedando el layout
sobre el dielctrico. Posteriormente habr que colocar una segunda broca, ms fina que la
anterior, que delimita de forma ms precisa la forma del circuito de cobre sobre el substrato
Duroid RT6006.

Debido a las caractersticas del dielctrico de la placa con la que se trabaja, es necesaria
una gran precisin y puede que, en ocasiones, queden imperfecciones que deben ser extradas a
mano.

Figura 3.1-45. Mquina Fresadora realizando el circuito impreso.

Al terminar el fresado, la mquina recorta el circuito y ya se puede extraer el circuito de
la placa. Como ya hemos comentado, es normal la presencia de restos de dielctrico, que con un
raspador o una cuchilla, pueden ser eliminados y la placa quedar totalmente limpia.

El paso siguiente es soldar los componentes, tales como condensadores, bobinas,
resistencias y transistores, y los conectores al circuito fabricado.

En cuanto a los conectores, usaremos de tipo SMA, que tienen un bao de oro y que
poseen 4 patillas que facilitan su montaje.

Figura 3.1-46. Conectores y componentes.

Realizaremos las soldaduras con dos estaos y dos puntas de diferente grosor, segn
trabajemos con conectores o con componentes, ya que a menor tamao, ms precisin requiere.
Usaremos la estacin de soldadura Pace ST-25 disponible en el laboratorio, que se puede
observar en la siguiente imagen:

119

Figura 3.1-47. Estao y soldador para realizar la soldadura de los componentes al circuito.

El aspecto final del amplificador fabricado, una vez raspados los restos de dielctrico,
soldados los componentes y conectores, es el siguiente:

Figura 3.1-48. Fotografa del amplificador 2_1 fabricado.

Los dos cables soldados al amplificador de la figura 2.3-48 servirn para suministrar la
alimentacin de la fuente de tensin continua al circuito. El cable conectado a la red de
polarizacin de puerta ir a masa, mientras que el cable conectado a la red de polarizacin de
drenador ir a alimentacin.

Figura 3.1-49. Fotografa del plano de masa del amplificador 2_1 fabricado.

120

Figura 3.1-50. Fotografa del amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara
superior fabricado.

Figura 3.1-51. Fotografa de la cara inferior del amplificador 2_1 con plano de masa
tambin en la cara superior fabricado.

3.2. Realizacin de medidas

Una vez fabricados los dos amplificadores, se comprobar, haciendo uso de un
multmetro, que todos los componentes estn bien soldados, que no se haya formado ningn
cortocircuito, que los conectores estn bien fijos y la correcta polarizacin del transistor.

En primer lugar debemos comprobar qu voltaje de alimentacin del circuito nos
proporciona un voltaje entre drenador y surtidor de 2V, V
DS
= 2 V, siendo sta una de las
especificaciones del transistor vistas en el apartado 2.1.1. Este voltaje de alimentacin resulta
ser 2.7 V.

Realizaremos la medida de:

Parmetros S del amplificador. Se comprobar la adaptacin a la entrada y a la salida, as
como la ganancia del amplificador.
Parmetro de ruido. Se obtendr el parmetro prctico de la figura de ruido del
amplificador.

121
Todos los parmetros medidos van a ser comparados con los obtenidos va software y
analizados.

3.2.1. Medida de los parmetros S

En la medida de los parmetros S se emplea un analizador de redes de modelo HP 8714
ES (0.3 MHz 3 GHz) y una fuente de tensin continua para la alimentacin del circuito,
Protek 3033B. Es importante decir que, antes de empezar con las medidas, es necesario calibrar
el analizador de redes. Los pasos que se siguen en este proceso se explican con detalle en el
anexo G. A continuacin se ofrece un esquema en el que se muestran las conexiones a realizar
entre los dispositivos para efectuar la medida de los parmetros S.

Figura 3.2-1. Esquema de las conexiones a realizar entre dispositivos para poder medir los
parmetros S.

En la siguiente fotografa se puede apreciar el proceso de medida del amplificador fabricado:

Figura 3.2-2. Fotografa de la medida de los parmetros S del amplificador.

Las medidas se pueden guardar en un disquete, seleccionando las siguientes opciones en
el panel de control del analizador de redes: SAVE RECALL -> SELECT DISK->
INTERNAL 3.5. Para guardar cada uno de los parmetros medidos se selecciona en el panel
de control: SAVE RECALL y se guardan uno a uno en formato ASCII, seleccionando las
122
opciones: DEFINE SAVE -> SAVE ASCII -> TOUCHSTONE FORMAT -> SAVE
MEAS 1. De esta manera, los datos de la traza se guardan como un archivo con la extensin
.s1p.

Una vez tenemos los datos de la traza almacenados en un archivo con la extensin
.s1p, el siguiente paso es conseguir representar cada uno de los parmetros S. Para ello,
debemos cargar cada uno de los archivos con la extensin .s1pen Matlab, y mediante un
sencillo programa, representarlos. Debemos tener en cuenta que el parmetro se encuentra
almacenado en el archivo correspondiente en forma de parte real e imaginaria, por lo que
debemos calcular su mdulo y pasarlo a decibelios, todo esto en Matlab, para poder
representarlo frente a la frecuencia.

Para mostrar en una misma grfica las curvas obtenidas en Microwave Office y con el
analizador de redes, hemos recurrido al programa Matlab, creando un programa ejecutable
donde importamos los archivos en formato texto. Para ello tenemos que exportar las grficas de
Microwave Office en formato txt, seleccionando la opcin Graph > Save to file y guardar las
grficas del analizador de redes en formato txt tambin. Despus quitamos los encabezados en
los archivos de texto para poder ser importados en Matlab y representados con la funcin
plot.

3.2.2. Medida de la figura de ruido

El esquema de las conexiones entre dispositivos se ofrece en la figura 2.4-3. La salida
del medidor de ruido, HP 8970B, ofrecer los 28 V de alimentacin para la fuente de ruido, HP
346B, cuya salida se conecta con el puerto de entrada del dispositivo bajo test. La salida del
dispositivo bajo test es, a su vez, la entrada del medidor de ruido, que ofrecer en su display la
lectura de la figura de ruido. Adems, para que el dispositivo funcione correctamente, tiene que
estar alimentado por una fuente, en nuestro caso una fuente Protek de modelo 3033B.

Figura 3.2-3. Esquema de las conexiones a realizar para la medida de ruido.

Para realizar la medida del factor de ruido y ganancia del circuito se siguen los
siguientes pasos:

1. Se presiona el botn PRESET, situado en el panel de control del equipo de medida de
ruido HP 8970B, para establecer las condiciones iniciales del modo de medida 1.0.

2. Se establece el rango de frecuencias tanto de calibracin como de medida (por ejemplo
entre 50 y 1600 MHz), para ello hay que introducir:
-START -> 50 -> ENTER.
-STOP -> 1600 -> ENTER.
-STEP -> 100 -> ENTER.
123

3. Se introduce la tabla de valores de ENR, tal y como se explica en el anexo F, de la
fuente a emplear en la medida, si sta todava no estuviera almacenada.

4. Se calibra el medidor de la figura de ruido. Para ello se conecta el medidor de ruido
nicamente con la fuente de ruido HP 346B a travs de la lnea through, y se pulsa dos
veces el botn de CALIBRATE.

Figura 3.2-4. Fotografa del proceso de calibracin del equipo medidor de la Figura de
Ruido.

5. Una vez terminado el proceso de calibracin, se sustituye el dispositivo bajo test por la
lnea through y se presiona el botn CORRECTED NOISE FIGURE AND GAIN
para obtener los resultados de medida, ganancia y factor de ruido en decibelios.

Figura 3.2-5. Fotografa del proceso de medicin de ruido del amplificador.

En esta fotografa podemos apreciar el factor de ruido obtenido, 0.85 dB, para nuestro
amplificador de bajo ruido, que ya describiremos posteriormente.

Una vez explicado cmo medir los parmetros S y el factor de ruido, presentamos los
resultados obtenidos para los 2 amplificadores fabricados, as como las distintas modificaciones
efectuadas en ambos amplificadores.

124
Captulo 4
Resultados obtenidos y Optimizacin

4.1. Resultados obtenidos

Presentamos los resultados obtenidos para cada uno de los amplificadores fabricados.

4.1.1. Amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior

Una vez fabricamos el amplificador, medimos, de la forma explicada anteriormente,
factor de ruido y ganancia, buscando aquella tensin de alimentacin que proporcione unos
mejores resultados, menor factor de ruido y mayor ganancia, y obteniendo la tensin de 1.2 V
como tensin de alimentacin del circuito. Alimentando el amplificador con 1.2 V llegamos a
que, a la frecuencia de 1420 MHz:

Parmetro Simulado Medido
NF (dB) 0.21 1.3
G (dB) 12.8 9

Tabla 4.1-1. Comparacin del factor de ruido y ganancia simulado y medido a frecuencia de
inters para el amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior.

Comprobamos la frecuencia a la que se obtiene el factor de ruido mnimo, 1310 MHz,
con un factor de ruido de 1.18 dB. Esta frecuencia dista bastante de nuestra frecuencia de
inters, por lo que nuestro objetivo ser, aparte de intentar reducir el ruido, trasladar en
frecuencia el mnimo del factor de ruido a 1420 MHz.

El mnimo de factor de ruido al simular se encontraba a 1375 MHz, por lo que al
fabricar se ha producido un desplazamiento en frecuencia de 65 MHz, hacia frecuencias
inferiores, siendo ste un factor determinante, saber en que sentido se produce el
desplazamiento en frecuencia de lo fabricado respecto a lo simulado para, en posteriores
simulaciones, intentar contrarrestar este desplazamiento en frecuencia.

Medimos ahora los parmetros S con el analizador de redes, de la forma comentada
anteriormente. Representamos cada uno de los parmetros S medidos junto al correspondiente
parmetro simulado en Microwave Office. Indicar que debemos introducir una determinada
potencia al circuito, Power en el analizador de redes, escogiendo aqulla que proporcione
unos mejores resultados, en este caso -10 dBm, y, por supuesto, debemos alimentar el circuito
con la misma tensin con la que obtuvimos el menor factor de ruido, 1.2 V.

125

Figura 4.1-1. Comparacin del parmetro S
11
simulado y medido para el amplificador 2_1
con plano de masa tambin en la cara superior.

Podemos observar que el mnimo del parmetro S
11
medido tiene lugar a una frecuencia
menor que el mnimo simulado, presentando ese mnimo medido el mismo valor que el mnimo
simulado. El valor mnimo pasa de situarse a la frecuencia de 1370 MHz en simulacin, a estar
a 1280 MHz despus de fabricar, presentando, por tanto, un desplazamiento de 180 MHz, que
habr que tener en cuenta para posteriores diseos.

21

126
Observamos que el parmetro simulado y medido presentan la misma forma, con un
ligero desplazamiento hacia frecuencias inferiores del medido respecto al simulado y con un
menor valor de ganancia mxima el parmetro medido.

12

22

127
Apreciamos que la forma del parmetro medido vara respecto a la del simulado,
aspecto que no suceda en los otros tres parmetros, pero que ya veremos que seguir
sucediendo para el parmetro S
22
. En este caso, el mnimo medido es inferior al simulado,
situacin favorable, y tiene lugar a una frecuencia inferior que la del mnimo simulado. El
desplazamiento del mnimo del parmetro es de 360 MHz, ya que se traslada de 1590 MHz en
simulacin a 1410 MHz despus de fabricar.

Resumimos los valores obtenidos de los cuatro parmetros S a la frecuencia de inters:

|S
11
| (dB) -12.2 -7.4
|S
21
| (dB) 12.8 8
|S
12
| (dB) -17.6 -14.6
|S
22
| (dB) -11.1 -21

Tabla 4.1-2. Comparacin de los parmetros S simulados y medidos a frecuencia de inters
para el amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior.

Vemos que al fabricar, la adaptacin a la entrada y la ganancia empeoran, como era de
esperar, mientras que la adaptacin a la salida mejora ostensiblemente. Obtenemos unos
resultados bastante deficientes, por lo que ser necesaria una optimizacin de estos resultados.

4.1.2. Amplificador 2_1

Medimos, de igual forma que para el anterior amplificador, factor de ruido y ganancia,
buscando aquella tensin de alimentacin que proporcione unos mejores resultados, y
obteniendo la tensin de 0.9 V como tensin de alimentacin del circuito. Alimentando el
amplificador con 0.9 V llegamos a que, a la frecuencia de 1420 MHz:

NF (dB) 0.214 1.1
G (dB) 12.7 7.2

inters para el amplificador 2_1.

siendo ste de 0.95 dB. Esta frecuencia dista bastante de nuestra frecuencia de inters, por lo
que nuestro objetivo ser, aparte de intentar reducir el ruido, trasladar en frecuencia el mnimo
del factor de ruido a 1420 MHz.

El mnimo de factor de ruido simulado se encontraba a 1370 MHz, por lo que al fabricar
se ha producido un desplazamiento en frecuencia de 80 MHz hacia frecuencias inferiores.

Medimos ahora los parmetros S con el analizador de redes. Representamos cada uno
de los parmetros S medidos junto al correspondiente parmetro simulado en Microwave Office.
Indicar que introducimos una potencia al circuito, escogiendo aqulla que proporcione unos
mejores resultados, -10 dBm.

128

11
simulado y medido para el amplificador 2_1.

11
menor que el mnimo simulado, presentando ese mnimo medido un valor inferior al simulado.
El valor mnimo se traslada de la frecuencia de 1370 MHz en simulacin, a 1220 MHz despus
de fabricar, presentando, por tanto, un desplazamiento de 150 MHz, que habr que tener en
cuenta para posteriores diseos.

21

ligero desplazamiento hacia frecuencias inferiores del medido respecto al simulado y con un
129
menor valor de ganancia mxima el parmetro medido, aspectos que tambin ocurran para el
anterior amplificador presentado.

12

22

Apreciamos que la forma del parmetro medido vara significativamente respecto a la
del simulado, aspecto que no suceda en los otros tres parmetros, pero que ya veremos que
seguir sucediendo para el parmetro S
22
. En este caso, el mnimo medido es inferior al
simulado, situacin favorable, y tiene lugar a una frecuencia superior que la del mnimo
130
simulado. El desplazamiento del mnimo del parmetro es de 220 MHz, ya que se desplaza de
1590 MHz en simulacin a 1810 MHz despus de fabricar.


|S
11
| (dB) -12 -5.9
|S
21
| (dB) 12.7 6.5
|S
12
| (dB) -17.6 -14
|S
22
| (dB) -11.5 -13.3

para el amplificador 2_1.

Vemos que al fabricar, la adaptacin a la entrada y la ganancia empeoran
considerablemente, como era de esperar, mientras que la adaptacin a la salida mejora.
Obtenemos unos resultados bastante deficientes.

Nuestro objetivo a partir de ahora ser mejorar los resultados obtenidos, intentando
reducir el factor de ruido, objetivo primordial, aumentar la ganancia, y disminuir el valor de los
parmetros S
11
y S
22
. Para ello realizaremos modificaciones en los valores de los componentes
de las redes de adaptacin de entrada y salida, buscando llevar el mnimo del factor de ruido y
de los parmetros S
11
y S
22
a la frecuencia de 1420 MHz.


Presentamos ahora los resultados obtenidos para el amplificador 1_1 con plano de masa
tambin en la cara superior que, aunque su diseo fue inicialmente descartado por no
proporcionar unos resultados ptimos, decidimos fabricar para comprobar que resultados
aportaba, ya que el amplificador 2_2 finalmente no dio buenos resultados.

Mostramos el amplificador fabricado:

Figura 4.1-9. Fotografa del amplificador 1_1 fabricado con plano de masa tambin en la
cara superior.

Una vez fabricamos el amplificador, medimos factor de ruido y ganancia, obteniendo la
tensin de 1V como tensin de alimentacin del circuito. Alimentando el amplificador con 1 V
llegamos a que, a la frecuencia de 1420 MHz:
131

NF (dB) 0.383 1.3
G (dB) 11.1 7

inters para el amplificador 1_1 con plano de masa tambin en la cara superior.

Obtenemos un factor de ruido elevado, lejos de nuestros objetivos.

con un factor de ruido de 0.8 dB. El mnimo de factor de ruido se encuentra muy alejado de la
frecuencia de inters, por lo que debemos intentar, si es posible, trasladar en frecuencia este
mnimo a 1420 MHz.

El mnimo de factor de ruido simulado se encontraba a 1228 MHz, por lo que al fabricar
se ha producido un desplazamiento en frecuencia de 628 MHz hacia frecuencias inferiores.

Medimos ahora los parmetros S con el analizador de redes.

11

11
aproximadamente igual que el simulado, presentando ese mnimo medido el mismo valor que el
mnimo simulado.

132

21

menor valor de ganancia mxima el parmetro medido.

12

133

22

Apreciamos que la forma del parmetro medido vara respecto a la del simulado. En
este caso, la adaptacin a la salida simulada y medida es bastante mala.


|S
11
| (dB) -11 -7.9
|S
21
| (dB) 11.1 5.4
|S
12
| (dB) -18.9 -14.4
|S
22
| (dB) -5.66 -10.6

para el amplificador 1_1 con plano de masa tambin en la cara superior.

Obtenemos una adaptacin a la entrada y ganancia bastante deficientes. En general,
podemos decir que los resultados son alcanzados no son nada buenos para este amplificador.

4.2. Optimizacin de los resultados obtenidos

Debido a la deficiencia de los resultados alcanzados para los 3 amplificadores
fabricados, decidimos optimizar los resultados para cada uno de los amplificadores, buscando
bajar el nivel de ruido, aumentar la ganancia y mejorar la adaptacin a la entrada y a la salida.


134

En primer lugar presentamos el esquemtico original de este amplificador, sin
modificacin alguna en los valores de los componentes de las redes de adaptacin de entrada y
salida.

Figura 4.2-1. Esquemtico original del amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la
cara superior.

Los valores de los componentes de las redes de adaptacin de entrada y salida son:

Original
L
IN
(nH) 5.6
C
IN
(pF) 1
L
OUT
(nH) 5.6
C
OUT
(pF) 0.5

Tabla 4.2-1. Valores originales de los componentes de las redes de adaptacin.

Siendo L
IN
y C
IN
los componentes de la red de adaptacin de entrada, y L
OUT
y C
OUT
los
componentes de la red de adaptacin de salida.

Obtenemos los siguientes parmetros S y factor de ruido al simular con Microwave
Office, donde marcamos el valor de cada parmetro para la frecuencia de inters de 1420 MHz:

L
IN

C
IN

L
OUT

C
OUT

135

Figura 4.2-2. Parmetros S y factor de ruido simulados del amplificador original.

El parmetro S
11
se representa en azul, el S
21
en rosa, el S
12
en marrn, el S
22
en rojo, y
el factor de ruido en verde.

Obtenamos los siguientes resultados para este amplificador.

NF (dB) 0.21 1.3
G (dB) 12.8 9
|S
11
| (dB) -12.2 -7.4
|S
21
| (dB) 12.8 8
|S
12
| (dB) -17.6 -14.6
|S
22
| (dB) -11.1 -21

Tabla 4.2-2. Resultados obtenidos para el amplificador original 2_1 con plano de masa
tambin en la cara superior.

4.2.1.1. Modificaciones en la red de adaptacin de entrada

Nuestro primer objetivo ser encontrar un valor ptimo de la bobina de la red de
entrada, para lo que realizaremos distintas modificaciones en esta bobina. Resaltar que las
modificaciones efectuadas sobre los valores de los componentes se harn en base a los valores
de componentes suministrados por el fabricante, por lo que no dispondremos de todos los
valores posibles, sino slo de los suministrados por el fabricante.

1 modificacin de la bobina de la red de entrada

Esta bobina presentaba en el amplificador original un valor de 5.6 nH, y ahora su valor
pasar a ser de 4.7 nH. Resaltar que modificamos tambin el valor de la bobina de salida, de 5.6
136
nH a 4.7 nH, porque apreciamos en simulacin que obtendremos mejores resultados con este
valor de bobina que para un valor de L
OUT
de 5.6 nH.

Indicar que no variaremos el valor de los condensadores de las redes de adaptacin
debido a que, al simular, los resultados empeoran al realizar cualquier modificacin.

Figura 4.2-3. Esquemtico del amplificador original en el que variamos la bobina de la red
de entrada.

La grfica obtenida, con estos nuevos valores de bobina, al simular es:

L
IN

137

Figura 4.2-4. Parmetros S y factor de ruido simulados de la 1 modificacin de la bobina de
entrada.

Al realizar esta 1 modificacin sobre el amplificador original tenemos la ventaja de
conocer el desplazamiento en frecuencia que se produce entre los parmetros simulados y
medidos, centrndonos en la desviacin entre mnimos de estos parmetros. Nuestro objetivo es
situar el mnimo del factor de ruido, el mnimo de los parmetros S
11
y S
22
, y el mximo de
ganancia a 1420 MHz.

La desviacin en frecuencia que se produce entre el mnimo del parmetro simulado y el
mnimo del parmetro medido no es exactamente la misma para todos los procesos de
fabricacin del mismo amplificador, pero s lo es que se desve hacia frecuencias inferiores o
superiores. Esto significa que, como hemos comprobado que para S
11
, S
22
y NF el mnimo
medido tiene lugar a una frecuencia inferior que el mnimo simulado, situaremos el mnimo
simulado de estos parmetros a frecuencias superiores a 1420 MHz, para que al medir el
amplificador fabricado, este mnimo se site aproximadamente a 1420 MHz, consiguiendo as el
objetivo buscado.

Cabe destacar que, aunque ahora los parmetros simulados presenten unas peores
prestaciones que para el amplificador original, lo realmente importante es qu resultados
obtengamos al medir el amplificador fabricado, ya que sabemos que tiene lugar un
desplazamiento en frecuencia entre los parmetros simulados y medidos, y nos interesa tener las
mejores prestaciones de estos parmetros al medir, no al simular.

Alimentando el amplificador con 1.2 V obtenemos, a la frecuencia de 1420 MHz:

NF (dB) 0.243 1.1
G (dB) 12.4 9.3

inters para la 1 modificacin.

El factor de ruido y la ganancia han mejorado respecto al diseo original, ya que el
ruido se ha reducido de 1.3 dB a 1.1 dB, y la ganancia ha aumentado de 9 dB a 9.3 dB.

Comprobamos la frecuencia a la que se obtiene un factor de ruido mnimo, 1310 MHz,
siendo ste de 1 dB.
138

Representamos los parmetros S medidos:

11
simulado y medido para la 1 modificacin.

El mnimo del parmetro S
11
medido sigue teniendo lugar a una frecuencia inferior que
el mnimo simulado, presentando, en este caso, ese mnimo medido un valor superior respecto al
simulado.

21

139

12

22

Estas grficas no presentan grandes diferencias respecto a las obtenidas para el
amplificador original, ya que los parmetros presentan, en ambos caso, la misma forma, y el
mnimo medido sigue producindose a frecuencias inferiores respecto al simulado. S varan los
valores de los parmetros respecto al diseo original, y el intervalo de frecuencias entre el
mnimo simulado y el medido.

Resumimos los valores obtenidos de los parmetros S a la frecuencia de inters:

140
|S
11
| (dB) -9.97 -12.2
|S
21
| (dB) 12.4 8.6
|S
12
| (dB) -18 -13.8
|S
22
| (dB) -5.19 -18

para la 1 modificacin.

Obtenemos una buena adaptacin a la entrada y a la salida, ambos por debajo de -10 dB,
as como un valor alto de ganancia, 8.6 dB.


En la primera modificacin, la bobina de entrada tena un valor de 4.7 nH. Su valor
ahora ser de 4.3 nH, buscando que el mnimo de factor de ruido se aproxime a 1420 MHz, y la
adaptacin a la entrada y a la salida mejore.

La grfica obtenida al simular con este nuevo valor de bobina es:

Figura 4.2-9. Parmetros S y factor de ruido simulados de la 2 modificacin.

Alimentando el amplificador con 1.2 V obtenemos, a frecuencia de 1420 MHz:

NF (dB) 0.327 1.0
G (dB) 11.8 9.3


Comprobamos, como era de esperar, que aumenta el factor de ruido y disminuye la
ganancia al pasar de simular a medir. De todas formas, obtenemos mejores resultados que para
la primera modificacin y pensamos que ste es el valor ptimo de la bobina de la red de
141
entrada, ya que para este valor, el factor de ruido mnimo se localiza a 1430 MHz, siendo ste
de 0.9 dB, bastante ms cercano en frecuencia a 1420 MHz que en el caso anterior.
Recordar que las variaciones en los componentes de la red de adaptacin de salida no afectan al
factor de ruido obtenido, ya que slo influye en el ruido la red de entrada.


11

El mnimo medido sigue producindose a frecuencias inferiores respecto al mnimo
simulado y, como en la primera modificacin, presenta un menor valor el mnimo simulado.

21
142

El parmetro medido sigue teniendo una forma muy similar a la del simulado, como
ocurra en anteriores casos para este amplificador.

12

22

El parmetro S22 contina siendo el parmetro que presenta una mayor diferencia de
forma entre medido y simulado.

143
Resumimos los valores obtenidos de los parmetros S a frecuencia de inters para
alimentacin de 1.2 V:

|S
11
| (dB) -6.55 -15.3
|S
21
| (dB) 11.8 8.6
|S
12
| (dB) -18.6 -13.6
|S
22
| (dB) -3.65 -13.2


Obtenemos una buena adaptacin a la entrada y a la salida, y un elevado valor de
ganancia, 8.6 dB.


Esta bobina apareca en la segunda modificacin con un valor de 4.3 nH, cambiando su
valor ahora a 3.9 nH. Con esta modificacin buscamos aproximar an ms el mnimo de factor
de ruido a 1420 MHz.

La grfica obtenida, con este nuevo valor de bobina, al simular es:



NF (dB) 0.484 1.3
G (dB) 10.8 9.1


144
Observamos que, claramente, no hemos conseguido nuestro propsito, ya que el factor
de ruido aumenta respecto a la modificacin anterior, y el mnimo de factor de ruido, 1 dB, se
traslada a la frecuencia de 1510 MHz, lejos de la frecuencia de inters.


11

La diferencia de valor entre el mnimo simulado y medido aumenta respecto a
modificaciones anteriores.

21

145

12

22

Como podemos apreciar, la forma de los parmetros no vara significativamente de una
modificacin a otra.

Resumimos los valores obtenidos de los parmetros S a la frecuencia de inters para

146
|S
11
| (dB) -4.2 -13.7
|S
21
| (dB) 10.8 8.2
|S
12
| (dB) -19.8 -13.4
|S
22
| (dB) -2.62 -8.4


Observamos que la adaptacin medida, tanto a la entrada como a la salida, mejora a la
adaptacin simulada. Esto es debido a que nuestro objetivo es obtener unos buenos resultados
tras el proceso de fabricacin, no en simulacin, ya que no nos importa obtener unos resultados
deficientes en simulacin a 1420 MHz, si sabemos que al medir a 1420 MHz esos resultados
van a ser satisfactorios. De todas formas, no obtenemos unos resultados ptimos en esta
modificacin, ni en cuanto a factor de ruido ni en cuanto a adaptacin a la salida.

Una vez realizadas las modificaciones pertinentes, resumimos en un cuadro los
resultados obtenidos para cada una de ellas, variando L
IN
y manteniendo constante el resto de
componentes.

Indicar que en el caso del amplificador original, en el que L
IN
= 5.6 nH, la bobina de la
red de salida, L
OUT
,

presenta un valor de 5.6 nH, no como en los otras 3 modificaciones, que se
calculan con el valor de L
OUT
= 4.7 nH.

L
IN
= 5.6 nH L
IN
= 4.7 nH L
IN
= 4.3 nH L
IN
= 3.9 nH
NF (dB) 1.3 1.1 1.0 1.3
G (dB) 9 9.3 9.3 9.1
|S
11
| (dB) -7.4 -12.2 -15.3 -13.7
|S
21
| (dB) 8 8.6 8.6 8.2
|S
12
| (dB) -14.6 -13.8 -13.6 -13.4
|S
22
| (dB) -21 -18 -13.2 -8.4

Tabla 4.2-9. Comparativa de los resultados obtenidos variando L
IN
.

A la vista de los resultados obtenidos, decidimos fijar el valor de la bobina de la red de
entrada a 4.3 nH, ya que para este valor obtenemos un menor factor de ruido, y una mejor
adaptacin a la entrada.

4.2.1.2. Modificaciones en la red de adaptacin de salida

Una vez hemos fijado el valor de la bobina de la red de entrada, buscamos el valor
ptimo de la bobina de la red de salida.

1 modificacin de la bobina de la red de salida

En primer lugar, el esquemtico del amplificador en el que vamos a variar la bobina de
la red de salida.

147

de salida.

La bobina de salida presentaba, en la 3 modificacin de la bobina de entrada, un valor
de 4.7 nH, y ahora su valor pasar a ser de 4.3 nH.


L
OUT

148

Figura 4.2-20. Parmetros S y factor de ruido simulados de la 1 modificacin de la bobina
de salida.


NF (dB) 0.327 1.0
G (dB) 11.7 9.3

inters para la 1 modificacin de la bobina de salida.

Obtenemos el mismo factor de ruido y ganancia que para la anterior modificacin, ya
que no hemos variado la red de adaptacin de entrada. El factor de ruido mnimo se encuentra a
1435 MHz, con valor 0.9 dB, aproximadamente como en el caso anterior.


11
simulado y medido para la 1 modificacin de
la bobina de salida.
149

21

12

150

22

La forma de los parmetros sigue siendo muy similar a la de que tenamos en
modificaciones anteriores, es decir, no hay cambios significativos en la forma de los parmetros
tras realizar esta modificacin.


|S
11
| (dB) -6.34 -15.9
|S
21
| (dB) 11.7 8.5
|S
12
| (dB) -18.8 -13.2
|S
22
| (dB) -3.46 -14.1

para la 1 modificacin de la bobina de salida.

Observamos que mejora la adaptacin a la entrada y a la salida con respecto a la
modificacin anterior.

Indicar que no realizamos ms modificaciones porque al simular observamos que los
resultados no van a mejorar en ningn aspecto.

L
OUT
= 4.7 nH L
OUT
= 4.3 nH
NF (dB) 1.0 1.0
G (dB) 9.3 9.3
|S
11
| (dB) -15.3 -15.9
|S
21
| (dB) 8.6 8.5
|S
12
| (dB) -13.6 -13.2
|S
22
| (dB) -13.2 -14.1

OUT
.
151
A la vista de los resultados obtenidos, decidimos que el valor ptimo de L
OUT
es el de
4.3 nH, ya que mejora tanto la adaptacin a la entrada como a la salida respecto al otro valor.

Por tanto, los valores de componentes ptimos para este amplificador son:

ptimo
L
IN
(nH) 4.3
C
IN
(pF) 1
L
OUT
(nH) 4.3
C
OUT
(pF) 0.5

Tabla 4.2-13. Valores ptimos de los componentes de las redes de adaptacin del amplificador
2_1 con plano de masa tambin en la cara superior.

4.2.2. Amplificador 2_1

En primer lugar mostramos el esquemtico original de este amplificador, sin
modificaciones en los valores de los componentes de las redes de adaptacin de entrada y salida.

Figura 4.2-25. Esquemtico original del amplificador 2_1.
C
IN

L
IN

C
OUT

L
OUT

152

Original
L
IN
(nH) 5.6
C
IN
(pF) 1
L
OUT
(nH) 5.6
C
OUT
(pF) 0.5


Siendo L
IN
y C
IN
OUT
y C
OUT
los

Office, donde marcamos el valor de cada parmetro para la frecuencia de inters de 1420 MHz:


El parmetro S
11
21
en rosa, el S
12
en marrn, el S
22
en rojo, y

Obtenamos los siguientes resultados:

NF (dB) 0.214 1.1
G (dB) 12.7 7.2
|S
11
| (dB) -12 -5.9
|S
21
| (dB) 12.7 6.5
|S
12
| (dB) -17.6 -14
|S
22
| (dB) -11.5 -13.3

Tabla 4.2-15. Resultados obtenidos para el amplificador original 2_1.

153
4.2.2.1. Modificaciones en la red de adaptacin de entrada

Nuestro primer objetivo ser encontrar un valor ptimo de la bobina de la red de
entrada, para lo que realizaremos distintas modificaciones, buscando aquel valor que
proporcione mejores resultados.


Esta primera modificacin consistir en variar el valor de la bobina de la red de de
entrada del valor que tena en el amplificador original, 5.6 nH, a 4.7 nH, con un valor de la
bobina de la red de salida de 3.9 nH.

Indicar que no variaremos el valor de los condensadores de las redes de adaptacin
debido a que, al simular, los resultados empeoran cuando realizamos cualquier modificacin.

de entrada.


L
IN

154


Al realizar esta 1 modificacin sobre el amplificador original tenemos la ventaja de
conocer el desplazamiento en frecuencia que se produce entre los parmetros simulados y
medidos, centrndonos en el desplazamiento entre los mnimos de estos parmetros.

Cabe destacar que, aunque ahora los parmetros simulados presenten unas peores
prestaciones a 1420 MHz que para el amplificador original, lo realmente importante es qu
resultados obtengamos al medir el amplificador fabricado, ya que sabemos que tiene lugar una
desviacin en frecuencia entre los parmetros simulados y medidos, y nos interesa tener las
mejores prestaciones de estos parmetros al medir a 1420 MHz, no al simular a 1420 MHz.


NF (dB) 0.234 1.0
G (dB) 12.5 8.5


El factor de ruido y la ganancia han mejorado respecto al diseo original, ya que el
ruido se ha reducido de 1.1 dB a 1 dB, y la ganancia ha aumentado de 7.2 dB a 8.5 dB.
Comprobamos la frecuencia a la que se obtiene un factor de ruido mnimo, 1335 MHz, siendo
ste de 0.9 dB.

155

11

11
el mnimo simulado, con un mayor valor el mnimo medido.

21

156

12

22

En este caso, la forma del parmetro S
22
medido se desva bastante de la del parmetro
simulado.


157
|S
11
| (dB) -10.6 -10.2
|S
21
| (dB) 12.5 8
|S
12
| (dB) -18.3 -18.2
|S
22
| (dB) -5.03 -12.8


La adaptacin a la salida mejora considerablemente respecto a la simulada, sin embargo,
la adaptacin a la entrada y la ganancia empeoran.


En la anterior modificacin esta bobina tena un valor de 4.7 nH, y ahora su valor pasar
a ser de 4.3 nH, con un valor de la bobina de la red de salida de 5.6 nH.

Elegimos, para comprobar qu resultados aporta, el valor de 4.3 nH porque tenemos la
experiencia de este mismo amplificador, pero con plano de masa tambin en la cara superior, y
en l, el valor de L
IN
que proporcionaba mejores resultados era el de 4.3 nH.



Alimentando el amplificador con 0.9 V obtenemos, a frecuencia de 1420 MHz:

NF (dB) 0.316 0.9
G (dB) 12.1 8.3


158
El factor de ruido ha mejorado respecto a la 1 modificacin, ya que se ha reducido de 1
dB a 0.9 dB. Comprobamos la frecuencia a la que se obtiene un factor de ruido mnimo, 1429
MHz, siendo ste de 0.8 dB.


11

11
el mnimo simulado, presentando, en este caso, ese mnimo medido un valor aproximadamente
igual que el mnimo simulado.

21
159

12

22

Observamos que el mnimo medido del parmetro S
22
se produce a frecuencias
superiores respecto al mnimo simulado, aspecto que no suceda en el amplificador con plano de
masa tambin en la cara superior, ni sucede en los otros tres parmetros analizados.


160
|S
11
| (dB) -7.22 -10.5
|S
21
| (dB) 12.1 7.5
|S
12
| (dB) -18.2 -12.7
|S
22
| (dB) -4.16 -13.5


La adaptacin a la entrada y a la salida mejora respecto a la simulada, lo cual es muy
satisfactorio, ya que nuestro objetivo es obtener unos resultados ptimos al medir, no al simular.


En la segunda modificacin esta bobina tena un valor de 4.3 nH, y ahora su valor
pasar a ser de 3.9 nH, buscando que el mnimo de factor de ruido est cerca de 1420 MHz, y la
adaptacin a la entrada y a la salida mejoren.

Resaltar que el valor de la bobina de la red de salida vuelve a ser 3.9 nH, ya que
aprovechamos para modificar tambin este valor debido a que en simulacin proporciona
mejores resultados que L
OUT
= 5.6 nH.

La grfica obtenida al simular con estos nuevos valores de bobina es:



NF (dB) 0.464 1.2
G (dB) 10.5 8.4


161
Observamos que los resultados empeoran respecto a la modificacin anterior, y el
mnimo del factor de ruido se desplaza a la frecuencia de 1440 MHz, por lo que se aleja
ligeramente de la frecuencia de inters.


11

La forma del parmetro medido se asemeja muchsimo a la forma del parmetro
simulado, ms an que en casos anteriores, aunque sigue habiendo un desplazamiento en
frecuencia entre simulado y medido.

21
162

12

22

Es importante destacar que, para L
IN
= 3.9 nH, L
OUT
= 3.9 nH, el mnimo medido de S
22

se encuentra a frecuencia inferior que el mnimo simulado, no como en la segunda
modificacin, que el mnimo medido tena lugar a frecuencias superiores respecto al simulado.


163
|S
11
| (dB) -4.08 -16.7
|S
21
| (dB) 10.5 7.8
|S
12
| (dB) -19.9 -12.1
|S
22
| (dB) -2.4 -11.1


Una vez realizadas las modificaciones pertinentes, resumimos en un cuadro los
resultados obtenidos para cada una de ellas, variando L
IN
, y manteniendo constante el resto de
componentes.

Indicar que en el caso de la primera y tercera modificacin, en las que L
IN
= 4.7 nH y
L
IN
= 3.9 nH, respectivamente, la bobina de la red de salida, L
OUT
,

presenta un valor de 3.9 nH,
no como en los otros dos casos, que se calculan con el valor de L
OUT
= 5.6 nH.

L
IN
= 5.6 nH L
IN
= 4.7 nH L
IN
= 4.3 nH L
IN
= 3.9 nH
NF (dB) 1.1 1.0 0.9 1.2
G (dB) 7.2 8.5 8.3 8.4
|S
11
| (dB) -5.9 -10.2 -10.5 -16.7
|S
21
| (dB) 6.5 8 7.5 7.8
|S
12
| (dB) -14 -18.2 -12.7 -12.1
|S
22
| (dB) -13.3 -12.8 -13.5 -11.1

IN
.

A la vista de los resultados obtenidos, decidimos fijar el valor de la bobina de la red de
entrada a 4.3 nH, ya que para este valor obtenemos un menor factor de ruido,
fundamentalmente, y una mejor adaptacin a la salida.

4.2.2.2. Modificaciones en la red de adaptacin de salida

Una vez hemos fijado el valor de la bobina de la red de entrada, 4.3 nH, buscamos el
valor ptimo de la bobina de la red de salida.


164

de salida.

La bobina de la red de salida presentaba un valor de 5.6 nH en la 1 modificacin de la
bobina de entrada, para L
IN
= 4.3 nH, y ahora su valor pasar a ser de 4.7 nH. Con esta
modificacin buscamos mejorar la adaptacin a la entrada y a la salida.


L
OUT

165

de salida.


NF (dB) 0.317 0.9
G (dB) 11.9 8.3



11
166

21

12

167

22

El mnimo medido de S
22
tiene lugar a frecuencias superiores respecto al mnimo
simulado. Este parmetro sigue siendo el que mayor diferencia en cuanto a forma presenta entre
simulado y medido.

alimentacin de 0.9 V. A partir de esta modificacin de la bobina de salida, decidimos situar el
nivel de potencia en -20 dBm en el analizador de redes, ya que proporciona mejores resultados
que para -10 dBm, como hemos estado haciendo para modificaciones anteriores.

|S
11
| (dB) -6.86 -11.5
|S
21
| (dB) 11.9 7.6
|S
12
| (dB) -18.5 -12.1
|S
22
| (dB) -3.79 -15.3


Observamos que la adaptacin medida, tanto a la entrada como a la salida, mejora a la
adaptacin simulada, consiguiendo mi objetivo de obtener unos buenos resultados tras el
proceso de fabricacin a 1420 MHz.


El valor de esta bobina en la primera modificacin era de 4.7 nH, su valor ahora ser de
3.9 nH. Modificamos el valor de 4.7 nH a 3.9 nH, sin pasar por 4.3 nH, porque sabemos que al
reducir el valor de L
OUT
, la adaptacin mejorar, y as nos evitamos un paso.

168

de salida.


NF (dB) 0.317 0.85
G (dB) 11.5 8.5


Obtenemos un factor de ruido bajo, el menor que hemos obtenido hasta el momento. A
pesar de no haber variado la red de adaptacin de entrada en esta modificacin, el factor de
ruido ha disminuido ligeramente de 0.9 dB a 0.85 dB, producido, quizs, por algn efecto
introducido por el medidor de ruido. El factor de ruido mnimo se encuentra, aproximadamente,
a 1430 MHz, y su valor es de 0.8 dB.


169

11

21

170

12

22

El mnimo medido de S
22
se produce ahora a frecuencias inferiores que el mnimo
simulado.


171
|S
11
| (dB) -6.42 -15.2
|S
21
| (dB) 11.5 8.4
|S
12
| (dB) -18.8 -12.4
|S
22
| (dB) -3.39 -16.5

para la 2 modificacin de la red de salida.

Mejora la adaptacin a la entrada y a la salida con respecto a la modificacin anterior,
como ya sabamos que iba a suceder antes de medir.


Esta bobina presentaba en la anterior modificacin un valor de 3.9 nH, y ahora su valor
pasar a ser de 3.3 nH, buscando mejorar an ms la adaptacin a la entrada y a la salida.


de salida.


NF (dB) 0.317 0.95
G (dB) 11.3 8.8


Obtenemos un factor de ruido superior al obtenido anteriormente, por lo que esta opcin
de diseo no nos interesar.

172

11

21

173

12

22


174
|S
11
| (dB) -6.08 -13.5
|S
21
| (dB) 11.3 8.2
|S
12
| (dB) -19.1 -12.4
|S
22
| (dB) -3.08 -15.0

para la 3 modificacin de la red de salida.

Observamos que tanto la adaptacin a la entrada como a la salida no mejoran,
empeoran, con respecto a la modificacin anterior. Por tanto, decidimos no seguir disminuyendo
el valor de L
OUT
, ya que con L
OUT
= 3.9 nH obtenemos los mejores resultados, y con L
OUT
= 3.3
nH los resultados empeoran.

Resumimos en un cuadro los resultados obtenidos para las distintas modificaciones del
valor de L
OUT
, manteniendo constante el valor de L
IN
= 4.3 nH.

L
OUT
= 5.6 nH L
OUT
= 4.7 nH L
OUT
= 3.9 nH L
OUT
= 3.3 nH
NF (dB) 0.9 0.9 0.85 0.95
G (dB) 8.3 8.3 8.5 8.8
|S
11
| (dB) -10.5 -11.5 -15.2 -13.5
|S
21
| (dB) 7.5 7.6 8.4 8.2
|S
12
| (dB) -12.7 -12.1 -12.4 -12.4
|S
22
| (dB) -13.5 -15.3 -16.5 -15.0

OUT
.

A la vista de los resultados obtenidos, decidimos que el valor ptimo de L
OUT
para este
amplificador es el de 3.9 nH, ya que, obteniendo un factor de ruido ligeramente inferior, mejora
la adaptacin a la entrada y a la salida.

Por tanto, los valores de componentes ptimos para este amplificador son:

ptimo
L
IN
(nH) 4.3
C
IN
(pF) 1
L
OUT
(nH) 3.9
C
OUT
(pF) 0.5

Tabla 4.2-30. Valores ptimos de los componentes de las redes de adaptacin del amplificador
2_1.


En primer lugar presentamos el esquemtico original de este amplificador, sin
modificaciones en los valores de los componentes de las redes de adaptacin de entrada y salida.

175

Figura 4.2-59. Esquemtico original del amplificador 1_1 con plano de masa tambin en la
cara superior.


Original
L
IN
(nH) 5.6
C
IN
(pF) 0.5
L
OUT
(nH) 8.7
C
OUT
(pF) 1


Siendo L
IN
y C
IN
OUT
y C
OUT
los

Office:

L
IN

C
IN

L
OUT

C
OUT

176


El parmetro S
11
21
en rosa, el S
12
en marrn, el S
22
en rojo, y

Obtenamos los siguientes resultados:

NF (dB) 0.383 1.3
G (dB) 11.1 7
|S
11
| (dB) -11 -7.9
|S
21
| (dB) 11.1 5.4
|S
12
| (dB) -18.9 -14.4
|S
22
| (dB) -5.66 -10.6

Tabla 4.2-32. Resultados obtenidos para el amplificador original 1_1 con plano de masa
tambin en la cara superior.

Obtenamos una adaptacin a la entrada y una ganancia bastante deficientes, por lo que
realizaremos una modificacin intentando mejorar los resultados.

1 modificacin del amplificador

Esta primera modificacin consistir en variar el valor de la bobina de la red de
adaptacin de entrada, manteniendo el valor del resto de componentes. Esta bobina presentaba
en el amplificador original un valor de 5.6 nH, y ahora su valor ser de 3.6 nH, ya que ste es el
valor con el que obtendr un menor factor de ruido a 1420 MHz.

Office:

177

Figura 4.2-61. Parmetros S y factor de ruido simulados de la modificacin del amplificador
1_1.
.

Alimentando el amplificador con 1 V obtenemos, a la frecuencia de 1420 MHz:

NF (dB) 0.448 1.3
G (dB) 10.7 7.5

inters para la 1 modificacin del amplificador 1_1.

El factor de ruido no disminuye respecto al anterior diseo, y sigue presentando un
valor muy alto, por lo que decidimos descartar este diseo para nuestro amplificador de bajo
ruido.

Podemos comparar el diseo que proporciona mejores resultados para el amplificador
2_1, con el mejor diseo para el amplificador 2_1 con plano de masa tambin en la cara superior
del amplificador, y as decidir cul es el mejor diseo para el amplificador de bajo ruido.

Amplificador 2_1 Amplificador 2_1 con plano de masa
en la cara superior
NF (dB) 0.85 1.0
G (dB) 8.5 9.3
|S
11
| (dB) -15.2 -15.9
|S
21
| (dB) 8.4 8.5
|S
12
| (dB) -12.4 -13.2
|S
22
| (dB) -16.5 -14.1

Tabla 4.2-34. Comparativa entre los mejores diseos de ambos amplificadores.

Decidimos que el mejor diseo para el amplificador de bajo ruido es el del amplificador
2_1, ya que, fundamentalmente, presenta un menor factor de ruido. Por otro lado, tiene una
ligera menor ganancia y peor adaptacin a la entrada que el otro amplificador, aunque mejor
adaptacin a la salida.
178

Amplificador 2_1
L
IN
(nH) 4.3
C
IN
(pF) 1
L
OUT
(nH) 3.9
C
OUT
(pF) 0.5

Tabla 4.2-35. Valores de componentes de las redes de adaptacin del amplificador de bajo
ruido.

4.3. Amplificador final de bajo ruido

Una vez hemos obtenido los valores ptimos de los componentes de las redes de
adaptacin del amplificador elegido, procedemos a fabricar el amplificador final de bajo ruido,
sobre el que no se realizar ninguna modificacin, buscando de esa forma confirmar los
resultados obtenidos para ese mismo amplificador con esos mismos valores de componentes.
Indicar que, el mismo amplificador con los mismos valores de componentes, fabricado en dos
ocasiones distintas, puede presentar resultados ligeramente distintos en un proceso de
fabricacin y en otro, debido a las variaciones que pueden producirse durante el proceso de
fabricacin o introducir los aparatos de medida y, fundamentalmente, debido a la tolerancia de
los componentes empleados en el proceso de fabricacin.

Recordemos que el esquemtico era el siguiente, en el que simplemente hemos variado
la longitud de la lnea conectada al puerto de entrada y la longitud de la lnea conectada al
puerto de salida, pasando de 10 mm anteriormente a 7 mm ahora, intentando as reducir las
prdidas que introducen estas lneas de transmisin.
179
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
C1
CAP
C=
ID=
33 pF
C2
CAP
C=
ID=
33 pF
C3
CAP
C=
ID=
1 pF
C4
CAP
C=
ID=
0.5 pF
C5
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cpico1
CAP
C=
ID=
3.3e4 pF
Cpico2
IND
L=
ID=
3.9 nH
L1
IND
L=
ID=
4.3 nH
L2
IND
L=
ID=
390 nH
Lchoke1
IND
L=
ID=
390 nH
Lchoke2
MBEND90X$
M=
ID=
0
MS1
MBEND90X$
M=
ID=
0
MS2
RES
R=
ID=
47 Ohm
R1
RES
R=
ID=
47 Ohm
R2
RES
R=
ID=
33 Ohm
R3
RES
R=
ID=
47 Ohm
R4
MSUB
Name=
ErNom=
Tand=
Rho=
T=
H=
Er=
RT1
3.38
0.0027
1
0.035 mm
1.27 mm
6.15
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.3 mm
TL1
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL2
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL3
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL4
1
2
3
MTEE$
ID= TL5
1
2
3
MTEE$
ID=TL6
1
2
3 MTEE$
ID= TL7
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL8
MLIN
L=
W=
ID=
7 mm
1.9 mm
TL9
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL10
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL11
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL12
1 2
3
MTEE$
ID= TL13
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL14
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL15
1 2
3
MTEE$
ID= TL16
MLEF
L=
W=
ID=
6 mm
6 mm
TL17
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL18
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL19
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL20
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL21
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL22
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL23
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL24
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL25
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL26
MLIN
L=
W=
ID=
2 mm
0.3 mm
TL27
MLIN
L=
W=
ID=
7 mm
1.9 mm
TL28
MLEF
L=
W=
ID=
6 mm
6 mm
TL29
1
2
3
4
MCROSS$
ID= TL30
MLIN
L=
W=
ID=
1.5 mm
1.9 mm
TL31
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL32
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL33
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL34
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL35
MLIN
L=
W=
ID=
1.5 mm
1.9 mm
TL36
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL37
MLIN
L=
W=
ID=
6 mm
0.3 mm
TL38
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL39
MLEF
L=
W=
ID=
2 mm
1.9 mm
TL40
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL41
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL42
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL43
1
2
3
MTEE$
ID=TL44
MLIN
L=
W=
ID=
1 mm
1.9 mm
TL45
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V1
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V2
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V3
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V4
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V5
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V6 VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V7
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V8
VIA
RHO=
T=
H=
D=
ID=
1
0.035 mm
1.27 mm
0.7 mm
V9
1
2
3
SUBCKT
NET=
ID=
"f351432b"
S1
PORT
Z=
P=
50 Ohm
1 PORT
Z=
P=
50 Ohm
2

Figura 4.3-1. Esquemtico del amplificador final de bajo ruido.

El amplificador final fabricado presenta el siguiente aspecto:

Figura 4.3-2. Fotografa del amplificador final fabricado.

180

Figura 4.3-3. Fotografa del plano de masa del amplificador final fabricado.

4.3.1. Factor de ruido

En primer lugar medimos, de la forma explicada en el apartado 2.4.2, factor de ruido y
ganancia, buscando aquella tensin de alimentacin que proporcione mejores resultados, y
obteniendo la tensin de 0.9 V como tensin de alimentacin del circuito.

Figura 4.3-4. Proceso de medicin del factor de ruido del amplificador final.

Alimentando el amplificador con 0.9 V llegamos a que, a la frecuencia de 1420 MHz:

NF (dB) 0.312 0.85
G (dB) 11.9 9.4

Tabla 4.3-1. Comparacin del factor de ruido a frecuencia de inters para el amplificador
final.
181

El resultado obtenido lo podemos comprobar perfectamente en la siguiente imagen:

Figura 4.3-5. Factor de ruido y ganancia obtenidos en el amplificador final.

Este factor de ruido mejora el obtenido en [5], que result ser 1.17 dB, por lo que
podemos afirmar que alcanzamos el principal objetivo de este PFC, reducir el nivel de ruido
respecto a [5] y dejarlo por debajo de 1 dB, como as ha sido.

siendo ste de 0.8 dB.

Representamos la figura de ruido obtenida para el amplificador final en un rango de
frecuencias de 100 a 1600 MHz, en lugar de para una frecuencia determinada, como habamos
hecho hasta ahora. Llegamos hasta 1600 MHz porque es la frecuencia mxima para la que el
medidor de ruido mide el nivel de ruido.

182

Figura 4.3-6. Factor de ruido del amplificador final para tensin de alimentacin de 0.9 V.

A continuacin realizamos una comparativa del factor de ruido obtenido de 100 a 1600
MHz para diferentes tensiones de alimentacin, 0.9 V, 1.5 V y 2.7 V. Elegimos la tensin de 2.7
V porque comprobamos que era la tensin de alimentacin del circuito para la que se cumplan
las especificaciones del transistor, es decir, V
DS
= 2V, I
DS
= 10 mA.

Figura 4.3-7. Comparativa del factor de ruido del amplificador final para diferentes tensiones
de alimentacin.
183

Obtenemos una forma similar del factor de ruido para las tres alimentaciones distintas,
variando, eso s, los valores obtenidos de ruido segn la alimentacin del circuito.

A la frecuencia de 1420 MHz, obtenemos:

Alimentacin = 0.9 V Alimentacin = 1.5 V Alimentacin = 2.7 V
NF (dB) 0.85 1.2 1.3

Tabla 4.3-2. Factor de ruido a 1420 MHz segn la tensin de alimentacin.

4.3.2. Parmetros S

Medimos los parmetros S del amplificador final mediante el analizador de redes
Agilent E5071B disponible en los laboratorios de investigacin de la ETSIT, debido a que este
analizador de redes proporciona una mayor precisin en la medida de los parmetros S que el
analizador utilizado hasta ahora. Calibramos el analizador de redes con el kit de calibracin
Agilent E5071B disponible, y medimos los parmetros S como muestra el siguiente esquema e
imagen:

Figura 4.3-8. Esquema de las conexiones a realizar entre dispositivos para poder medir los
parmetros S.

Figura 4.3-9. Proceso de medicin de los parmetros S con el analizador de redes.
184
Representamos cada uno de los parmetros S medidos junto al correspondiente
parmetro simulado en Microwave Office, para una potencia de 20 dBm, y una tensin de
polarizacin de 0.9 V.

11
simulado y medido para el amplificador final.

11
inferior que el mnimo simulado, presentando ese mnimo medido un valor en decibelios
superior al simulado. Obtenemos una forma de onda con menos rizado que en situaciones
anteriores debido a que se ha calibrado el analizador de redes.

21

185
Apreciamos que el parmetro simulado y medido presentan la misma forma, con un
ligersimo desplazamiento hacia frecuencias inferiores del medido respecto al simulado, y con
un menor valor de ganancia mxima el parmetro medido.

12

22

Apreciamos que la forma del parmetro medido vara en cierta medida respecto a la del
simulado, aspecto que no suceda en los otros tres parmetros. Esta variacin tiene lugar para
frecuencias inferiores a 1 GHz, ya que a partir de esta frecuencia, la forma del parmetro
186
medido se asemeja en mayor medida a la del simulado. El mnimo del parmetro medido es
inferior al simulado, situacin favorable, y tienen lugar a una frecuencia semejante.


|S
11
| (dB) -6.86 -12.25
|S
21
| (dB) 11.9 9.43
|S
12
| (dB) -19 -12.5
|S
22
| (dB) -3.53 -11

Tabla 4.3-3. Comparacin de los parmetros S a frecuencia de inters para el amplificador
final.

Obtenemos una buena adaptacin a la entrada y a la salida, ya que ambos parmetros
estn por debajo de -10 dB, como era nuestro objetivo, y un valor adecuado de ganancia, 9.43
dB.

Seguidamente, calculamos el ancho de banda del amplificador final segn los
parmetros S
11
y S
22
, estableciendo el ancho de banda como el rango de frecuencias para el que
el parmetro medido presenta un valor por debajo de 10 dB. En el caso del parmetro S
11
, el
ancho de banda es de 183 MHz, mientras que para el parmetro S
22
, el ancho de banda aumenta
a 1070 MHz, ya que tenemos en cuenta que hay dos picos que se sitan por debajo de -10 dB.

Figura 4.3-14. Ancho de banda del amplificador final para el parmetro S
11
.

187

Figura 4.3-15. Ancho de banda del amplificador final para el parmetro S
22
.

A continuacin comparamos cada uno de los parmetros S medidos del amplificador
final para distintos valores de alimentacin, como ya hicimos anteriormente para el factor de
ruido. Los valores de alimentacin del circuito sern 0.9 V, 1.5 V y 2.7 V.

Figura 4.3-16. Comparativa del parmetro S
11
del amplificador final para diferentes tensiones
de alimentacin.

Observamos una forma similar del parmetro para las tres alimentaciones,
diferencindose nicamente en el valor mnimo que presenta el parmetro segn la
alimentacin. Para 1.5 V y 2.7 V el valor mnimo del parmetro es de menor valor en
188
decibelios, situacin deseada, que para 0.9 V. Sin embargo, el mnimo de S
11
para 1.5 V y 2.7 V
no tiene lugar a 1420 MHz, sino a una frecuencia inferior.

21
del amplificador final para diferentes tensiones
de alimentacin.

La forma del parmetro S
21
es muy similar para las tres alimentaciones, presentando el
valor mximo de ganancia a la misma frecuencia.

12
del amplificador final para diferentes
tensiones de alimentacin.

189

22
del amplificador final para diferentes
tensiones de alimentacin.

En este parmetro podemos apreciar una mayor diferencia de forma segn la tensin de
alimentacin. Para el caso de 0.9 V y 1.5 V, el parmetro presenta una forma similar, con un
desplazamiento hacia frecuencias superiores para el caso de 1.5 V. Ya vimos anteriormente que,
para alimentacin de 0.9 V, la forma del parmetro medido variaba respecto a la del simulado,
como podemos ver en la figura de abajo, y como ocurre tambin para 1.5 V.

Figura 4.3-20. Parmetro S
22
simulado y medido del amplificador final para alimentacin de
0.9 V.

190
Esta circunstancia no ocurre en el parmetro S
22
para alimentacin de 2.7 V, como
podemos apreciar en la siguiente imagen, donde se aprecia que la forma del parmetro medido
se asemeja ms a la del simulado que para otras alimentaciones.

Figura 4.3-21. Parmetro S
22
simulado y medido del amplificador final para alimentacin de
2.7 V.

Esta circunstancia es as debido a que sta es la tensin de alimentacin del circuito para
la que se cumplen las especificaciones del transistor, es decir, V
DS
= 2V, I
DS
= 10 mA. Este
hecho conlleva que la respuesta medida se asemeje ms a la respuesta simulada, aunque no fue
la tensin escogida para alimentar el amplificador por no ser la que mejores resultados
proporcionaba a 1420 MHz.

191
Captulo 5
Conclusiones. Lneas futuras

5.1. Conclusiones

El principal objetivo de este PFC consista en reducir la figura de ruido a 1420 MHz
respecto al PFC previo [5]. Por lo tanto, en primer lugar compararemos el factor de ruido
obtenido en este PFC con respecto al obtenido en [5].

Parmetro PFC actual PFC previo [5]
NF (dB) 0.85 1.17

Tabla 5.1-1. Comparacin del factor de ruido obtenido en este PFC respecto al logrado en el
PFC previo.

Podemos observar la reduccin que se ha producido en el factor de ruido respecto a [5],
obteniendo un factor de ruido por debajo de 1 dB, consiguiendo as los dos objetivos principales
de este proyecto, reducir el nivel de ruido y dejarlo por debajo de 1 dB. Este hecho ha sido
posible debido a que se han diseado las redes de adaptacin del amplificador empleando
nicamente componentes concentrados, a diferencia de lo que se hizo en [5], donde se efectu
un diseo combinando las lneas de transmisin con los componentes concentrados. Si
comparamos este diseo con el que se tambin se realiz en [5], en el que slo se emplearon
lneas de transmisin, podemos afirmar claramente que el diseo con lneas de transmisin
aumenta considerablemente el ruido, ya que entonces el factor de ruido obtenido fue de 5.2 dB.

Otro de los objetivos propuestos en este PFC era intentar mejorar la adaptacin y la
ganancia a 1420 MHz respecto a [5], obteniendo en cada caso:

|S
11
| (dB) -12.25 -17.266
|S
21
| (dB) 9.43 1. 10.664
|S
12
| (dB) -12.5 2. -14.621
|S
22
| (dB) -11 3. -20.539

Tabla 5.1-2. Comparacin de los parmetros S obtenidos en este PFC respecto a los logrados
en el PFC previo empleando lneas de transmisin y componentes concentrados.

Observamos que no hemos podido mejorar la adaptacin ni la ganancia respecto a [5],
pero hemos conseguido nuestro propsito de obtener unos parmetros S
11
y S
22
por debajo de -
10 dB, valor a partir del cual se considera buena adaptacin a la entrada y a la salida, y una
ganancia cercana a los 10 dB. De cualquier forma, estos resultados se podan esperar, ya que
empleando nicamente componentes concentrados buscbamos reducir el factor de ruido,
aunque la adaptacin pudiera empeorar respecto a [5]. Esto es debido a que no disponemos de
cualquier valor del componente concentrado, nos tenemos que contentar con los valores
suministrados por el fabricante, aspecto que no ocurre con las lneas de transmisin, ya que
puedo elegir cualquier anchura o longitud de lnea, lo que supone una dificultad aadida a la
hora de mejorar los parmetros del amplificador, como ya explicamos detenidamente en la
introduccin del proyecto.

192
En cualquier caso, si comparamos la adaptacin y ganancia obtenidas en este PFC con
los resultados alcanzados en el otro diseo de [5] a 1420 MHz, empleando nicamente lneas de
transmisin, nos damos cuenta que mejoramos la adaptacin y la ganancia:

|S
11
| (dB) -12.25 -13.576
|S
21
| (dB) 9.43 9.2665
|S
12
| (dB) -12.5 -19.59
|S
22
| (dB) -11 -5.19

Tabla 5.1-3. Comparacin de los parmetros S obtenidos en este PFC respecto a los logrados
en el PFC previo empleando nicamente lneas de transmisin.

Otra conclusin importante respecto a los parmetros S es que he obtenido una forma de
onda, en el rango de frecuencias de 0 a 3 GHz, bastante similar entre el parmetro simulado y
medido, en el caso de los parmetros S
11
, S
21
y S
12
. No ocurre as para el parmetro S
22
, en el que
la forma del parmetro simulado difiere respecto a la del medido, situacin que no sucede
cuando alimentamos el circuito con 2.7 V, tensin de alimentacin del circuito para la que se
cumplen las especificaciones del transistor, es decir, V
DS
= 2V, I
DS
= 10 mA. No alimentamos
el circuito con esta tensin porque no proporciona los mejores resultados a 1420 MHz, sino que
lo alimentamos con 0.9 V.

Otro de los objetivos buscados en este PFC consista en reducir el tamao del
amplificador fabricado respecto a [5]. En el PFC previo [5] el amplificador final fabricado tena
unas dimensiones de 5.6 cm de anchura x 4.7 cm de altura, mientras que en este PFC hemos
conseguido reducir el tamao a 3 cm de anchura x 3 cm de altura, por lo que podemos afirmar
que hemos conseguido nuestro propsito. Esta reduccin de tamao se debe al empleo de
componentes concentrados en lugar de lneas de transmisin.

Por otro lado, conviene destacar que en este PFC la metodologa empleada, en relacin
a [4] y [5], ha sido diferente. El motivo es que se ha explicado detenidamente cada uno de los
pasos de diseo del amplificador final, analizando qu coeficientes de reflexin necesitamos
obtener a la entrada y a la salida de la red de adaptacin de entrada y salida para obtener un
diseo de mnimo ruido. Asimismo, otra diferencia importante en este PFC respecto a [4] y [5]
es que se han analizado todas las posibles redes de adaptacin, comparando sus prestaciones. De
esta forma, se ha realizado un diseo mucho ms sistematizado que los anteriores, abordando
todas las posibles combinaciones.

Otro de los objetivos de este PFC era realizar un estudio detallado de la posicin que
deben ocupar las redes de polarizacin y de desacoplo en la red de adaptacin, y su influencia
en las redes de adaptacin, como explicamos en el apartado 2.2.5 para los 4 amplificadores
diseados. La conclusin a la que llegamos es que la posicin de la red de desacoplo y de
polarizacin dentro de la red de adaptacin influye en los resultados obtenidos, y obtenemos
mejores resultados si la red de desacoplo y de polarizacin se encuentra alejada del transistor a
si se encuentra prxima a ste.

Otra conclusin a la que llegamos despus de realizar el proyecto es que la optimizacin
de los resultados obtenidos al medir es fundamental, ya que se pueden obtener unos resultados
excelentes al simular, y luego al medir, esos resultados sean bastante nefastos. Esto es as
193
debido a que se produce una desviacin en frecuencia entre los parmetros medidos y los
simulados. Conociendo aproximadamente esta desviacin en frecuencia entre medido y
simulado puedo optimizar los resultados medidos, buscando obtener unos resultados
satisfactorios a 1420 MHz al medir, no al simular. Esta optimizacin consiste en variar los
valores de los componentes de las redes de adaptacin, variacin que se realiza sobre el
amplificador fabricado, quitando el componente ya soldado, y soldando el nuevo componente,
de valor diferente al anterior.

Esta situacin la podemos contemplar en la siguiente tabla, en al que comparamos los
resultados obtenidos para el mismo amplificador, sin ninguna modificacin y con los valores
ptimos de componentes despus de efectuar varias modificaciones.

Parmetro Amplificador Original Amplificador Final
NF (dB) 1.1 0.85
G (dB) 7.2 9.4
|S
11
| (dB) -5.9 -12.25
|S
21
| (dB) 6.5 9.43
|S
12
| (dB) -14 -12.5
|S
22
| (dB) -13.3 -11

Tabla 5.1-4. Comparacin de los resultados obtenidos para el mismo amplificador sin
ninguna modificacin y despus de varias modificaciones.

Se aprecia la notable mejora en cuanto a reduccin del factor de ruido, aumento de
ganancia, y mejora en la adaptacin.

5.2. Lneas futuras

Despus de haber realizado este PFC, podemos afirmar que la consecucin de unos
determinados objetivos para el amplificador de bajo ruido, como factor de ruido inferior a 1 dB,
se produce como fruto de un proceso basado en la experiencia, iniciado en los dos PFCs previos
[4] y [5]. En este PFC se han conseguido alcanzar una serie de objetivos, sin embargo, todava
hay margen de mejora. Por esta razn, en este apartado se proponen distintas opciones a seguir
en la mejora del diseo del LNA.

Una de las principales fuentes de ruido de la electrnica convencional basada en
semiconductores es el llamado ruido trmico, producido por el movimiento natural de las
partculas en un material que se encuentra a una temperatura diferente al cero absoluto (0 K).
Este movimiento genera corrientes parsitas an en ausencia de una seal de entrada, creando
un ruido conocido como ruido de Johnson. Estas corrientes parsitas, al estar bajo la accin del
amplificador, pueden magnificarse cientos o miles de veces. Para evitar el efecto del ruido
trmico, se ha recurrido al enfriamiento artificial de los amplificadores, ya sea mediante aire
acondicionado o, en condiciones ms extremas, mediante criogenizacin a travs del uso de
nitrgeno o helio lquido, entre otros.

Por lo tanto, una de las posibles lneas futuras para intentar reducir an ms la figura de
ruido del amplificador sera la criogenizacin del amplificador obtenido en este proyecto. El
principal inconveniente de esta medida radica en su coste y en su dificultad de aplicacin.

194
Otra alternativa que se podra realizar en futuros PFC consistira en obtener
S OPT
de
manera prctica. Esta propuesta consiste en fabricar la red de adaptacin de entrada
independientemente del resto del circuito, con la menor anchura de lnea posible. Una vez
fabricado, las anchuras de las lneas sern modificadas, haciendo uso de una cinta de plata
adhesiva, colocando segmentos de sta junto a las lneas elaboradas. Este cambio de anchura
conllevar un cambio de impedancia de la fuente y con ello, del coeficiente de reflexin. De esta
manera, obtendramos los parmetros de ruido experimentalmente, en lugar de los
proporcionados por el catlogo del fabricante.

Tambin se propone para una futura realizacin, diseos basados en la implementacin
de circuitos comerciales, de los que disponemos de la hoja de especificaciones proporcionada
por el fabricante.

195

Anexos

Anexo A. Dimensiones fsicas del transistor ATF-35143

196

Anexo B. Dimensiones fsicas de las bobinas de la serie 36501J

197
Anexo C. Dimensiones fsicas de los condensadores SMD
Kemet de formato 0603

198
Anexo D. Dimensiones fsicas de los condensadores SMD
Epcos de formato 0805

199

200
Anexo E. Chequeo de funcionamiento de la fuente de ruido

Antes de empezar a emplear la fuente de ruido realizaremos un sencillo chequeo de
funcionamiento, para lo que seguiremos los siguientes pasos:

1. Quitar todos los cables de la entrada del medidor de ruido, presionar la tecla PRESET
y asegurarse que en los display aparezcan los mensajes: 30 MHz en el de la izquierda
y -- FdB en el de la derecha.

2. Conectar la fuente de ruido al medidor.

3. Introducir la frecuencia de 100 MHz, para lo que hay que pulsar los siguientes botones:

4. Establecer la funcin especial 5.3, que nos permitir introducir el valor de ENR (Exceso
Noise Ratio) a 100 MHz, dado por el fabricante de la fuente.

5. Introducir el valor de ENR a 100 MHz, proporcionado por el fabricante en la etiqueta de
la fuente de ruido.

6. En el display de la derecha del medidor de ruido debe aparecer un valor menor de 7.4
dB para que la fuente de ruido funcione correctamente.

Frequency 1 0 0 Enter
5 . 3
.
Special
function
201
Anexo F. Introduccin de la tabla de ENR al medidor de la
figura de ruido

El medidor de ruido permite guardar los datos de cinco fuentes diferentes. Antes de
realizar las medidas de la figura de ruido tenemos que asegurarnos que la tabla de ENR de la
fuente que vamos a emplear en la operacin se encuentre almacenada en la memoria del
medidor. Comprobaremos primero los datos guardados en la tabla cero, llamada tabla de
referencia, para ello deberemos marcar:

Aparecern cinco dgitos que corresponden con los cinco ltimos dgitos del nmero de serie de
la fuente, si el nmero no coincide se comprueba en cuatro tablas restantes, marcando:

X es el nmero de la tabla, que puede ser entre 1 y 4. Si no se encuentran los datos de la fuente a
emplear se tienen que introducir los valores de la tabla, para ello se realizan los siguientes
pasos:

4. Se pulsa el botn ENR en el panel del medidor y en los displays aparecer:

FFFF corresponder al valor de la frecuencia, EEEE es el valor de ENR correspondiente a
la frecuencia, NT es el nmero de tabla y ND es la posicin del dato en la tabla.

5. Se introduce el valor de la frecuencia cuando el display empiece a parpadear y
presionamos Enter, si se equivoca antes de presionar Enter es suficiente con
presionar Noise Figure para modificar el valor. Si, en cambio, se equivoca despus de
presionar Enter, hay que emplear los botones Down arrow y Up arrow para
corregir el valor.

6. Una vez introducida la frecuencia, empieza a parpadear el display de ENR, se marca su
valor y se presiona Enter. Si ocurre un error se modifica de manera explicada en el
paso 2.

7. Introducidos los valores de frecuencia y de ENR correspondientes, se incrementa en una
unidad el nmero de posicin en la tabla y se repiten los pasos 2 y 3 hasta introducir la
tabla entera.

8. Para almacenar toda la informacin introducida es preciso marcar:

5 . 5
.
Special
function
Recall ENR X
FFFF EEEE NT-ND
Store ENR NT
202
Anexo G. Calibracin del analizador de redes

Para la calibracin del analizador de redes necesitaremos un kit de calibracin, que contiene los
siguientes circuitos:

1. Se pulsa el botn CAL, situado en el panel de control del equipo, para empezar con el
proceso de calibracin.

2. En la parte derecha de la pantalla, junto a los botones, aparecen varias opciones de
calibracin, elegimos la opcin User 2-Port pulsando el botn correspondiente. La
siguiente pantalla nos ofrece la misma opcin, que seleccionamos pulsando el botn
ms prximo.

3. Se conecta la lnea through entre dos puertos, tal y como nos indica el mensaje que
aparece en la pantalla y marcamos el botn correspondiente a la opcin Measure
Standard.

4. Se conecta el circuito open en el puerto 1 y se pulsa el botn Measure Standard.

5. Se conecta el circuito short en el puerto 1 y se pulsa Measure Standard.

6. Por ltimo, se conecta la carga en el puerto 1 y se pulsa Measure Standard.

7. Los pasos 4, 5 y 6 se repiten para el puerto 2.

203

204
Referencias

[1] David M. Pozar, Microwave Engineering, 3rd Ed., John Wiley and Sons, 1998, (ISBN: 0-
471-64451-X)

[2] Robert E. Collin, Foundations for Microwave Engineering, 2nd Ed., IEEE Press, 2001,
(ISBN: 0-7803-6031-1)

[3] Inder Bahl, Microwave Solid State Circuit Design, 2nd Ed., John Wiley and Sons, 2003,
(ISBN: 04-7120-755-1)

[4] Diseo y fabricacin de amplificadores de microondas de bajo ruido para su aplicacin en
radioastronoma PFC de Ricardo Alarcn Llamas. Director: Jos Luis Gmez Tornero
(Universidad Politcnica de Cartagena).

[5] Mejora en el diseo del amplificador de bajo ruido en la banda de 1420 MHz para
aplicaciones de radioastronoma PFC de Anna Kamasheva. Director: David Caete
Rebenaque (Universidad Politcnica de Cartagena).

[6] Transmisin por soporte fsico: lneas de transmisin y circuitos pasivos de microondas
Alejandro Daz Morcillo, Mara Eugenia Requena Prez, Juan Monz Cabrera (UPCT)

[7] Asignatura Transmisin por Soporte Fsico de Jos Luis Gmez Tornero (UPCT)

[8] Manual Microwave Office

[9] Manual Analizador de redes HP 8714ES

[10] Manual fuente de ruido HP 346B

[11] Manual medidor de ruido HP 8970B

[12] Agilent Technologies Web Page (www.agilent.com)

[13] http://www.amidata.es

[14] http://www.arrl.org/qst

[15] http://www.highfrequencyelectronics.com/

205
Agradecimientos

Sin duda alguna, que hoy pueda estar terminando el PFC y a pocos das de convertirme
en Ingeniero se lo debo fundamentalmente a mi familia. Muchas gracias a mi padre, Antonio
Peafiel Ramn, a mi madre, Mara Teresa Beltrn Noguer, a mi hermano, lvaro Peafiel
Beltrn, y a mi ta, Concepcin Peafiel Ramn, por toda la ayuda durante estos 6 aos. Gracias
por haberos sacrificado en tantas ocasiones para que yo pudiera disponer de lo que necesitaba en
cada momento, gracias por vuestra paciencia y apoyo en tantos y tantos momentos duros que he
pasado durante estos aos de carrera, sobre todo, en verano y en la convocatoria de Septiembre,
y gracias por haber estado siempre disponibles cuando lo he necesitado. Sin vosotros no hubiera
sido posible.

Gracias a todos mis amigos, compaeros de piso y de carrera que he conocido durante
estos aos en Cartagena. No me puedo olvidar de uno de los mayores personajes que he
conocido nunca, Pablo Aroca, extraordinaria persona y autor de obras que han pasado a la
historia. Gracias por haber hecho ms llevadero nuestro ltimo ao en Cartagena, he tenido la
enorme suerte de conocerte. Gracias a Leandro Garca por sus continuos e inolvidables regalos,
nunca supimos cmo corresponderte, y por toda la ayuda prestada a la realizacin de este PFC,
intentaremos seguir saliendo a la remontada. Tampoco me puedo olvidar de Vctor Cremades,
una de las mejores personas que he conocido, y extraordinario compaero de piso. Gracias por
ser cmo eres, no cambies nunca, porque vales mucho y hay muy poca gente como t.

Gracias tambin a Alfonso, Sergio, Javi, Alex, Juan, Fran, Sebas, por vuestra ayuda y
apoyo durante estos largos aos de carrera. Destacar, como no, a Martn Pez, un autntico
crack, un clsico, un amigo de toda la vida, una persona inmejorable, slo puedo decirte bien
jugado.

Mencin especial merece David Lpez Hortelano, compaero de carrera a quien le debo
muchsimo por todo lo que hizo por mi durante la carrera, muchas gracias por todo.

Por otro lado, dar las gracias a D. David Caete Rebenaque por haber estado siempre
disponible y dispuesto a ayudarme, por la inestimable ayuda prestada y tiempo dedicado a la
realizacin de este PFC.

Gracias a D. Jos Luis Gmez Tornero por haberme transmitido una parte de sus
extensos conocimientos, por transmitir esas ganas de trabajar, ese entusiasmo, y gracias por tu
enorme amabilidad, an en los momentos de mayor agobio de trabajo.

Gracias, como no, a D. David Henarejos Navarro, por su infinita paciencia a la hora de
quitar y soldar componentes, sin ti no hubiera sido posible.

A todas las personas nombradas y aquellas que no he mencionado, pero tambin
deberan estar presentes, gracias por haberme convertido en mejor persona.

Ningn pensamiento puede llegar a tener jams la fuerza, la vivacidad de una impresin
David Hume

206

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