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Programa Asignatura (Syllabus) Unidad Acadmica Responsable: Facultad de Ingeniera/Departamento de Ingeniera Elctrica CARRERA a las que se imparte: Ingeniera

Civil en Telecomunicaciones/ Civil Elctrica MDULO: Ciclo Profesional I.- IDENTIFICACION


Nombre: Dispositivos semiconductores Cdigo: 543241 Crditos: 4 Crditos SCT: 7 Prerrequisitos: Prerrequisitos: 543201 Electromagnetismo 549140 Teora de Circuitos Modalidad: presencial Calidad: obligatorio Duracin: semestral Semestre en el plan de carrera 3324,3318,3311 estudios: V Trabajo Acadmico promedio trabajo acadmico total del alumno semanal Horas Tericas: 3 Horas Prcticas: 2 Horas Laboratorio: Horas de otras actividades: 5

Docente Guilherme Xavier Ph.D. guilherme.xavier@cefop.udec.cl, Responsable gxavier@udec.cl Docente Colaborador Comisin Miguel Figueroa, Rubn Pea Evaluacin Duracin 17 Semanas (semanas) Fecha: 10 de marzo de 2014 Aprobado por:
II.- DESCRIPCION Curso aplicado a la Ingeniera Civil en Telecomunicaciones, Elctrica y Electrnica, de carcter obligatorio, que entrega una visin global de los principios fsicos involucrados en el desarrollo de la electrnica de estado slido. Comprende desde el estudio de la fsica de los semiconductores hasta la descripcin de diversos dispositivos semiconductores modernos. Esta asignatura aporta a las siguientes competencias del perfil de egreso del Ingeniero Civil en Telecomunicaciones: una slida base en ciencias bsicas que le permiten integrar y proyectar los principios de la ingeniera para plantear soluciones a problemas del mbito tecnolgico usando como herramientas la formulacin de modelos matemticos, el diseo y el clculo. III.- RESULTADOS DE APRENDIZAJE ESPERADOS 1) Comprender los fundamentos de la mecnica cuntica 2) Comprender los fundamentos bsicos de la fsica de estado slido 3) Comprender la operacin de dispositivos semiconductores usando la fsica de estado slido. 4) Comprender la importancia del semiconductor en la electrnica 5) Calcular los parmetros microelectrnicos de dispositivos semiconductores. 6) Analizar diagramas de bandas de energa para dispositivos semiconductores 7) Desarrollo de modelos matemticos para dispositivos semiconductores. 8) Desarrollar modelos de circuitos para dispositivos semiconductores.

IV.- CONTENIDOS

1) Banda de Energa en los slidos. Naturaleza del tomo. Niveles de energa atmica. Colisin de los electrones con los tomos. Naturaleza del fotn de luz. Mecnica ondulatoria. Estructura electrnica de los elementos. El principio de exclusin. Teora de las bandas de energa. Aislantes, semiconductores y metales. 2) Fsica de los Semiconductores. Movilidad y Conductividad. Los huecos y los electrones en un semiconductor intrnseco. El enlace covalente. Impurezas donadoras y receptoras. El efecto Hall. Generacin y recombinacin de cargas. Difusin. La ecuacin de continuidad. Funcin de Fermi-Dirac. Nivel de Fermi en los semiconductores con impurezas. 3) Caractersticas de los Diodos de unin. Unin pn en circuito abierto. La unin pn como rectificador. Modelo circuital. Componentes de corriente en un diodo pn. Caractersticas tensin-corriente. Dependencia de la caracterstica V/I con respecto a la temperatura. Capacidad de la carga espacial o de transicin. Modelo del control de carga de un diodo. Tiempo de conmutacin del diodo de unin. Diodos de avalancha. Diodo tnel. Diodo Schottky. Efecto fotovoltaico. 4) Transistores de unin bipolar. El transistor de unin pnp y npn. Componentes de la corriente de un transistor. Ecuacin generalizada del transistor. Modelo circuital. El transistor como amplificador. Fabricacin de transistores. Expresiones analticas de las caractersticas estticas y dinmicas del transistor. El fototransistor. Polarizacin BJT. 5) Transistores de efecto de campo. Transistores de efecto de campo y sus principios de operacin. Tensin de contraccin. Caractersticas tensin-corriente de un JFET, ecuaciones fsicas y modelo circuital. Transistores de compuerta aislada, ecuaciones fsicas y modelo circuital. Circuitos Mosfets digitales. MOS Complementarios. 6) Dispositivos Semiconductores de Potencia. El diodo de potencia. El transistor bipolar de potencia. El Mosfet de potencia. Dispositivos de cuatro capas (SCR, GTO, ASCR). Dispositivos hbridos. V.- METODOLOGIA El curso se desarrolla en base a clases tericas y desarrollo de tareas individuales. VI.- EVALUACION Si el promedio de los 3 certamenes for mayor o igual a 4.0, alumno aprobado. Si est condicin no es hecha, el alumno tiene que hacer el examn de recuperacin. En esto caso las notas de los 3 certamenes corresponden a 60% de la nota final, mientras el examen de recuperacin corresponde a 40%. La presencia en los 3 certmenes es obligatoria. Si un alumno falta a un certamen debe automaticamente rendir el examen de recuperacin. VII.- BIBLIOGRAFIA Y MATERIAL DE APOYO

Streetman B., "Solid State Electronics Devices, 6th edition" Prentice Hall Inc., (2006). Kasap S. "Principles of Electronic Materials and Devices, McGraw Hill, " (2005). Sze S., Physics of semiconductor devices Wiley (2006).

VIII. - PLANIFICACIN
Semana Actividad Responsable Trabajo acadmico Resultado de aprendizaje

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Presentacin asignatura / Introduccin. tomos y electrones

Docente Docente

3h 3h

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Ejercicios tomos y electrones Ejercicios Bandas de energa Bandas de energa Ejercicios Certamen I Portadores en exceso Portadores en exceso Exercicios Uniones Ejercicios Uniones Ejercicios Certamen II FETs Ejercicios FETs Ejercicios Transitores bipolares Dispositicos de alta frecuencia y potencia elevada Ejercicios Dispositivos optoelectrnicos Ejercicios Certamen III

Docente Docente Docente Docente Docente Docente Alumno Docente Docente Docente Docente Docente Docente Docente Alumno Docente Docente Docente Docente Docente Docente Docente Docente docente docente

2h 3h 3h 5h 3h 2h 2h 3h 3h 2h 5h 3h 5h 2h 2h 3h 3h 3h 2h 5h 3h 2h 3h 2h 2h

IX.- OTROS Profesor: Dr. Guilherme Barreto Xavier. E-mail: guilherme.xavier@cefop.udec.cl; gxavier@udec.cl Horario de atencin: Pedir por correo electronico.