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UNIVERSIDAD LA SALLLE NOROESTE A.C.

DEPARTAMENTO DE INGENIERA MECATRNICA

Laboratorio F4 Prctica #1 SCR

Cd. Obregn, Sonora

NDICE
Pgina

RESUMEN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 INTRODUCCIN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 MARCO TERICO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 DESARROLLO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18 DATOS EXPERIMENTALES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28 BIBLIOGRAFA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

RESUMEN
El objetivo fundamental de esta prctica es probar y entender el funcionamiento de las distintas etapas (encendido y apagado) de un SCR montado en un circuito desarrollado, as como la obtencin de las curvas caractersticas de VGK vs IG y VAK vs IA del SCR. Tambin se mostrarn las curvas del funcionamiento de dicho circuito con diferentes frecuencias. Primeramente se desarrollar el circuito necesario montando el SCR. Despus de elaborar el circuito, se pasar a probar el funcionamiento de cuatro diferentes maneras para obtener los voltajes VL, VAK y VRB: Primero se abrir el circuito en la parte que se une a la compuerta del SCR con la resistencia RB y alimentando todo el circuito con dos fuentes de voltaje de 5V, generando que el SCR se encuentre apagado, para despus medir los voltajes antes mencionados. Despus sin apagar las fuentes de voltaje se pasar a la segunda parte, que consiste en cerrar el circuito donde se encontraba abierto en el paso anterior, generando que el SCR se encienda obteniendo diferentes voltajes VL, VAK y VRB. Del mismo modo, con las fuentes encendidas, se proceder a la tercera parte, abriendo el circuito de la misma manera que en la primera parte, generando que el SCR siga encendido, pero con diferentes voltajes VL, VAK y VRB. Para terminar, con las fuentes encendidas, abriendo el circuito en la parte de la compuerta del SCR y la resistencia RB y abriendo la parte que sale del ctodo del SCR y la fuente de 5V, se procede a medir los voltajes como en los pasos anteriores.Para seguir con la prctica, se representarn las curvas caractersticas comparando VGK vs IG variando la fuente de voltaje que alimentan al ctodo y nodo del SCR y la resistencia RL y dejando estable en 5V la otra fuente. Para obtener la curva caracterstica de VAK vs IA, se vara la fuente de voltaje que alimenta al ctodo y la resistencia RL.Para finalizar, se probar el funcionamiento del circuito en diferentes frecuencias, mostrando cada una de las grficas que representan. El circuito se probar de dos diferentes maneras: Se aplicarn distintas frecuencias al circuito funcionando normalmente para visualizar dichas grficas en un osciloscopio, y la segunda manera ser abriendo el circuito en la parte que se unen la compuerta del SCR y la resistencia RB aplicndole las mismas frecuencias para generar grficas distintas, y con esto, terminar la prctica.

INTRODUCCIN En la actualidad, los estudiantes no estn familiarizados con los SCR y con la medicin de todos los valores que ste genera, as como las distintas funcionalidades que ofrece cuando est operando de diferentes maneras. Por esa razn, esta prctica tiene como objetivo conocer ms acerca de los SCR y el efecto que crea cada vez que el SCR se encuentre encendido o apagado, as como la representacin de los voltajes en relacin de sus corrientes, para al final, entender el modo de operar dichos componentes y para en un futuro utilizarlos en diferentes situaciones.

MARCO TERICO 1. DEFINICIN.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Figura 1: Smbolo del SCR.

2.

ESTRUCTURA.

Figura 2: Estructura bsica del SCR.

3.

CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.

En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y la corriente de compuerta. Cuando el SCR est polarizado en inversa se comporta como un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra en el grfico).

En la regin de polarizacin en directo el SCR se comporta tambin como un diodo comn, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de nodo a ctodo es menor (VC).

Si la IG disminuye, el voltaje nodo-ctodo aumenta. ( ver el punto B y A, y el voltaje anodo-ctodo VB y VA). Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje nodo-ctodo tender a aumentar antes de que el SCRconduzca (se ponga en On / est activo). 4. CARACTERSTICAS GENERALES. Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria). 4.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS.

Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en lmite de sus posibilidades: - Tensin inversa de pico de trabajo.............................................: VRWM - Tensin directa de pico repetitiva...............................................: VDRM - Tensin directa...........................................................................: VT - Corriente directa media...............................................................: ITAV - Corriente directa eficaz................................................................: ITRMS - Corriente directa de fugas............................................................: IDRM - Corriente inversa de fugas............................................................: IRRM - Corriente de mantenimiento..........................................................: IH

Las caractersticas trmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son: - Temperatura de la unin ................................................................: Tj - Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg - Resistencia trmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d - Resistencia trmica unin-contenedor ............................................: Rj-c - Resistencia trmica unin-ambiente.................................................: Rj-a - Impedancia trmica unin-contenedor.............................................: Zj-c 4.2 CARACTERSTICAS DE CONTROL.

Corresponden a la regin puerta-ctodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes caractersticas: -Tensin directa mx. ....................................................................: VGFM - Tensin inversa mx. ...................................................................: VGRM - Corriente mxima..........................................................................: IGM - Potencia mxima..........................................................................: PGM - Potencia media.............................................................................: PGAV - Tensin puerta-ctodo para el encendido......................................: VGT - Tensin residual mxima que no enciende ningn elemento.............: VGNT - Corriente de puerta para el encendido...........................................: IGT - Corriente residual mxima que no enciende ningn elemento............: IGNT Entre los anteriores destacan: - VGT e IGT, que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor. - VGNT e IGNT, que dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado. 4.2.1 rea de disparo seguro.

En esta rea (Figura 3) se obtienen las condiciones de disparo del SCR. Las tensiones y corrientes admisibles para el disparo se encuentran en el interior de la zona formada por las curvas: Curva A y B: lmite superior e inferior de la tensin puerta-ctodo en funcin de la corriente positiva de puerta, para una corriente nula de nodo. Curva C: tensin directa de pico admisible VGF. Curva D: hiprbola de la potencia media mxima PGAV que no debemos sobrepasar.

Figura 3. Curva caractersticas de puerta del tiristor. El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en los siguientes puntos: Una cada de tensin en sentido directo ms elevada. Mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.

4.3 CARACTERSTICAS DINMICAS. 4.3.1 Caractersticas dinmicas. Tensiones transitorias: - Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin. - Son breves y de gran amplitud. - La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores. Impulsos de corriente: - Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). - A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos. - El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

Figura 4. Curva de limitacin de impulsos de corriente.

ngulos de conduccin: - La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin. - A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia. - Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de conduccin (Figura 5):

ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo - Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

Figura 5. ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor. 4.3.2 Caractersticas de conmutacin. Los tiristores no son interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar de corte a conduccin y viceversa. Vamos a analizar este hecho. 4.3.2.1 Tiempo de encendido (Ton): Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin. Se divide en dos partes (Figura 6): Tiempo de retardo (td): tiempo que transcurre desde que la corriente de puerta alcanza el 50 % de su valor final hasta que la corriente de nodo alcanza el 10 % de su valor mximo. Depende de la corriente de mando, de la tensin nodo ctodo y de la temperatura (td disminuye si estas magnitudes aumentan). Tiempo de subida (tr): tiempo necesario para que la corriente de nodo pase del 10 % al 90 % de su valor mximo, o, el paso de la cada de tensin en el tiristor del 90 % al 10 % de su valor inicial.

Ton = td + tr

Figura 6. Tiempo de encendido.

4.3.2.2

Tiempo de apagado (Toff):

Es el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte. Se divide en dos partes (Figura 7): Tiempo de recuperacin inversa (trr): tiempo en el que las cargas acumuladas en la conduccin del SCR, por polarizacin inversa de este, se eliminan parcialmente. Tiempo de recuperacin de puerta (tgr): tiempo en el que, en un nmero suficiente bajo, las restantes cargas acumuladas se recombinan por difusin, permitiendo que la puerta recupere su capacidad de gobierno. Toff = trr + tgr

Figura 7. Tiempo de apagado.

La extincin del tiristor se producir por dos motivos: reduccin de la corriente de nodo por debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.

4.4

CARACTERSTICAS TRMICAS.

Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, ste disipa una cantidad de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del semiconductor. Este aumento de la temperatura provoca un aumento de la corriente de fugas, que a su vez provoca un aumento de la temperatura, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser evitado. Para ello se colocan disipadores de calor.

5.

MTODOS DE DISPARO.

Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo. Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son: - Por puerta. - Por mdulo de tensin. - Por gradiente de tensin (dV/dt) - Disparo por radiacin. - Disparo por temperatura. El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados.

5.1

DISPARO POR PUERTA.

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR.

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El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = V G + I G R - R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura 9). R = VFG / IFG

Figura 9. Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia.

5.2

DISPARO POR MDULO DE TENSIN.

Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos. 5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN.

Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Figura 10. Zona de disparo por gradiente de tensin.

11

5.4

DISPARO POR RADIACIN.

Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.

5.5 DISPARO POR TEMPERATURA. El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn1 2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta.

6.

CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR.

Para el control en el disparo: - nodo positivo respecto al ctodo. - La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo. - En el momento del disparo Iak > IL. Para el control en el corte: - Anulamos la tensin Vak. - Incrementamos RL hasta que Iak< IH. 7. LIMITACIONES DEL TIRISTOR.

7.1

LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO.

- La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores. - El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo. - La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.

7.2

LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.

"dV/dt" es el valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo del cual no se producen picos transitorios de tensin de corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento. a) Causas: - La alimentacin principal produce transitorios difciles de prever en aparicin, duracin (inversamente proporcional a su amplitud) y amplitud.

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- Los contactores entre la alimentacin de tensin y el equipo: cuya apertura y cierre pueden producir transitorios de elevada relacin dV/dt (hasta 1.000 V/s) produciendo el basculamiento del dispositivo. - La conmutacin de otros tiristores cercanos que introducen en la red picos de tensin. b) Efectos: - Puede provocar el cebado del tiristor, perdiendo el control del dispositivo. - La dV/dt admisible vara con la temperatura. 7.3 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.

"dI/dt" es el valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos calientes. a) Causas: - Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor. - Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de Intensidad es mayor (puntos calientes). b) Efectos: - En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede alcanzar valores muy altos. - La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite trmico crtico, podra destruir el dispositivo. 7.4 PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.

Solucin: colocar una red RC en paralelo con el SCR y una L en serie. Calculo: mtodo de la constante de tiempo y mtodo de la resonancia.

Figura 11. Circuito de proteccin contra dV/dt y dI/dt. 7.4.1 Mtodo de la constante de tiempo.

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Clculo de R y C: 1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del dispositivo y el valor de R y C: = (0,63 VDRM) / (dV/dt) mn C = / RL Rs = VA (mx) / (ITSM - IL) donde: VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo. IL = corriente en la carga. RL = resistencia de carga. ITSM = corriente directa de pico no repetitiva. VA (mx) = tensin de nodo mxima. = coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1). 2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima especificada (a partir de la ecuacin de descarga de C): R mn = (VA (mx) / (dI /dt) C) Clculo de L: L = VA (mx) / (dI / dt) 7.4.2 Mtodo de la resonancia.

Elegimos R, L y C para entrar en resonancia. El valor de la frecuencia es: f = (dV / dt) / En resonancia: f= 1/ (LC)

VA (mx) C = 1 / (2 L

El valor de L es el que ms nos interese, normalmente: L= 50 H. El valor de R ser: 7.5 Rs = (L / C)

LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.

En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen en un calentamiento del dispositivo. Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada en un tiristor ser:

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La potencia disipada en los tiristores durante la conduccin, es mucho mayor que la disipada durante el bloqueo y que la potencia disipada en la unin puerta - ctodo. Podemos decir que las prdidas con una tensin de alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin (). Si la conduccin se inicia en t1 y termina en t2, la potencia media de perdidas ser:

Si representamos la VAK en funcin de la IA, tendremos la siguiente relacin: VAK = V0 + IA R V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste caso nos encontraremos dentro de la zona directa de la curva caracterstica (Figura 12).

Figura 12. Operando con las ecuaciones anteriores: PAV = V0 IA (AV) + R ( IA(RMS))2

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Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura siguiente. La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del valor eficaz, entonces depender del factor de forma: a = f = IA (RMS) / IA(AV) Figura 13. Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.

8. EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN. Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo. El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar de nuevo a corte. Este estado implica simultneamente dos cosas: 1. La corriente que circula por el dispositivo debe quedar completamente bloqueada. 2. La aplicacin de una tensin positiva entre nodo y ctodo no debe provocar un disparo indeseado del tiristor. Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo podemos agruparlos en dos grandes grupos:

8.1

CONMUTACIN NATURAL.

a) Libre. b) Asistida. 8.2 CONMUTACIN FORZADA.

a) Por contacto mecnico.

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b) Por circuito resonante. -Serie -Paralelo c) Por carga de condensador. d) Por tiristor auxiliar. 9. APLICACIONES DEL SCR. Las aplicaciones de los tiristores se extiende desde la rectificacin de corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realizacin de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos, pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada por la seal de puerta. De esta forma se podr variar la tensin continua de salida si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrn diferentes ngulos de conduccin del ciclo de la tensin o corriente alterna de entrada. Adems el tiristor se bloquear automticamente al cambiar la alternancia de positiva a negativa ya que en este momento empezar a recibir tensin inversa. Por lo anteriormente sealado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones, entre ellas estn las siguientes: Controles de relevador. Circuitos de retardo de tiempo. Fuentes de alimentacin reguladas. Interruptores estticos. Controles de motores. Recortadores. Inversores. Ciclo conversores. Cargadores de bateras. Circuitos de proteccin. Controles de calefaccin. Controles de fase.

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DESARROLLO Previamente al desarrollo de la prctica en s, se calcularon los valores de las resistencias que se iban a necesitar, as como tambin el valor que deba tener la fuente de voltaje para un circuito con SCR. Una vez hechos los clculos se lleg a la conclusin de que ambas resistencias fueran de 100 para poder obtener una corriente adecuada en la compuerta y as poder asegurar que encendiera el SCR. PRUEBAS DE FUNCIONAMIENTO 1.- Se arm el circuito de la figura 1.1, con lo cual se llev a cabo la primera prueba, que fue la siguiente: se tom circuito previamente armado con los valores de resistencias mostradas anteriormente. Se le dio un valor de 8V en la fuente de nodo-Ctodo y 2.5 v en la fuente de la Compuerta.

Tomando en cuenta q el SW2 se encontraba cerrado y SW1 abierto, se comprob que el SCR no le lleg corriente a la compuerta. Con lo que se obtuvo y comprob que el SCR no entra en funcionamiento, ya que casi todo el voltaje de la fuente se qued en las terminales del SCR (nodo y Ctodo). 2.- A continuacin, se cerr el SW1, a consecuencia de esto, se introdujo una corriente a travs de la compuerta del SCR.

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Con lo que se not y se comprob que la corriente que se gener y empez a pasar por la compuerta fue la suficiente para encender el SCR. Luego, se midi el voltaje en R2 y se verific que esta tena el mayor voltaje de la fuente, excepto por una mnima cantidad que se qued en la compuerta del SCR. 3.- A continuacin, se procedi a abrir el SW1.

Una vez abierto SW1, se verific que una vez encendido el SCR, este no se apag, sin importar que no hubiera seal en la compuerta, siempre y cuando la fuente fuera de CD y se mantuviera encendida, como lo fue en este caso. 4.- Finalmente, se abri el SW2. Quedando ambos abiertos sin corriente.

Se midi el voltaje y la corriente en las dos terminales (nodo y ctodo) y se comprob que no haba ninguna de los dos presentes en estas. CURVAS CARACTERIZTICAS Primeramente, con SW1 y SW2 cerrados, se le suministr voltaje a las terminales de ctodo y compuerta mediante una fuente variable. Esto hizo variando el voltaje de 0-6 Volts de forma gradual. Se empezaron a tomar lecturas de voltaje y corriente con incrementos aleatorios (cuando cambiaba la medicin) entre cada

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lectura y se tom nota en las tablas VGK e IG respectivamente. Despus se graficaron los valores y nos dimos cuenta del comportamiento del SCR al ir aumentando el voltaje en la compuerta. Despus, con SW1 y SW2 cerrados, se repitieron los passos de la seccin anterior pero ahora en las terminales nodo-ctodo. Se registraron los valores en las tablas VAK e IA respectivamente para el voltaje y la corriente. Luego, se obtuvo la curva del comportamiento del SCR al variar los valores de lsa terminales nodo-Ctodo.

FUNCIONAMIENTO EN FRECUENCIA Finalmente, para la ltima parte de la prctica. Se realizaron pruebas en la malla que alimenta el SCR a travs de nodo-Ctodo en presencia de una seal senoidal (suministrada por un generador de funciones), con una amplitud de 8V, frecuencias que variaron de 1Hz-1MHz. Mediante un osciloscopio, se pudo observar la forma de onda en la carga y en las terminales del SCR, tomando nota de cmo era que a medida que aumentaba la frecuencia, al tomar valores altos, la grfica de la seal en la carga se empezaba a deformar, esto, hasta obtener un comportamiento distinto al esperado.

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Datos Experimentales Curvas Caractersticas: Grfica 1.2.1:

VGK (mV) vs IG (mA)


120 100 80 60 40 20 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

Voltaje En la Fuente (VF) 1.05 V 1.93 V 2.74 V 3.3 V 4.25 V 5V 6.9 V 8.49 V 9.27 V 10.21 V 11.53 V

VGK 711 mV 734 mV 749 mV 758 mV 772 mV 781 mV 802 mV 815 mV 822 mV 829 mV 838 mV

IG 3.4 mA 12.4 mA 20.8 mA 25.45 mA 34.45 mA 42.85 mA 62.57 mA 78.4 mA 86.8 mA 97.2 mA 112.5 mA

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Grfica 1.2.2:

VAK (mV) vs IA (mA)


120 100 80 60 40 20 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800

Voltaje en la Fuente VAK IA (VF) 0.5 V 620 mV 5,8 mA 0.71 V 682 mV 12,8 mA 1.88 V 702 mV 20,18 mA 2.92 V 714 mV 28,14 mA 3.71 V 721 mV 34,74 mA 4.62 V 728 mV 38,94 mA 5V 734 mV 43,14 mA 5.49 V 736 mV 47,34 mA 6.23 V 741 mV 55,13 mA 7.14 V 745 mV 64,7 mA 8.67 V 752 mV 87,7 mA 10.17 V 758 mV 96,5 mA 11.35 V 761 mV 109,5 mA Nota: Los valores de la fuente (VF) se decrementaron e incrementaron, hasta que la corrientes IA e IG respectivamente, tendan a tener un valor estable (en el multmetro).

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Seales del Funcionamiento en Distintas Frecuencias: Primera parte Seal de Entrada:

Seal entre nodo y ctodo con 10hz de frecuencia:

Seal entre nodo y ctodo con 100hz de frecuencia:

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Seal entre nodo y ctodo con 1khz de frecuencia:

Seal entre nodo y ctodo con 10khz de frecuencia:

Seal entre nodo y ctodo con 20khz de frecuencia:

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Segunda parte Seal de entrada frecuencia de 1hz:

Seal de voltaje que cae en RL, donde se compara el ngulo de disparo, con frecuencia de 112hz.

Seal de voltaje que cae en RL, donde se compara el ngulo de disparo, con frecuencia de 1khz.

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Seal de voltaje que cae en RL, donde se compara el ngulo de disparo, con frecuencia de 10khz. La seal se encuentra deformada ya que el SCR no trabaja frecuencias altas.

Seal de voltaje que cae en RL, donde se compara el ngulo de disparo, con frecuencia de 100khz. La seal se encuentra deformada ya que el SCR no trabaja frecuencias altas.

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Seal de voltaje que cae en RL, donde se compara el ngulo de disparo, con frecuencia de 1Mhz. La seal se encuentra deformada ya que el SCR no trabaja frecuencias altas.

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CONCLUSIONES Se concluye que de acuerdo a los conocimientos que previamente el maestro proporcion, se pudieron llevar a cabo todas las pruebas realizadas en esta prctica con lo que se cumpli con lo que esperbamos del SCR y se pudo comprobar la manera en la que funciona realmente. As como tambin comparar los resultados tericos del circuito diseado con los que realmente dan. Y finalmente poder comprender como funciona el SCR y poder conocerlos ms a fondo. Despus de analizar lo anteriormente descrito, se puede decir que la medicin y exactitud del trabajo efectuado es muy importante, ya que sin las conexiones correspondientes, se podra generar una prdida de material y tiempo invertido. Una recomendacin sera que al momento de estar armando el circuito, hay que tener mucho cuidado de poner bien el cableado de acuerdo al diagrama proporcionado por la prctica, ya que cualquier error en este paso, ms adelante podras tardar tiempo en detectarlo. Otra recomendacin muy importante a la hora de conectar el SCR, es de tener a la mano el datasheet, para poder identificar cada patita, ya que sin dicho documento podras tardar un poco ms en identificar cada una, y por consiguiente, llegar a daar el SCR. Finalmente, el SCR, no es bueno para frecuencias muy altas, ya que mientras se comienza aumentar la frecuencia, su comportamiento comienza a cambiar hasta que se obtiene algo totalmente diferente a lo esperado en cuanto a su funcionamiento.

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BIBLIOGRAFA http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.htm http://www.unicrom.com/Tut_scr_curva_caracteristica.asp