Produccin general de: Electrnica y Servicio Mxico Digital Comunicacin
Director General: Profr. Jos Luis Orozco Cuautle
FEBRERO 2014
Introduccin La aplicacin de los transistores IGBT va en
aumento cada vez ms, sobre todo por su capacidad de responder a seales de conmutacin, que permita controlar elementos que demanden grandes e instantneas intensidades de corriente elctrica para su funcionamiento. En esta jornada, tenemos oportunidad de aprender los detalles mas relevantes de estos transistores, entre ellos su principio de funcionamiento, smbolo, forma de medirlos e incluso algunas aplicaciones en la prctica.
Definiciones: El transistor bipolar de puerta
aislada (IGBT, del ingls: Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Actualmente existen muy diversas aplicaciones industriales y de uso domsticos.
Aplicaciones: Driver Flash cmaras digitales Driver en Tarjetas Y-sus y Z-sus
en tv plasma Fuente alimentacin TV plasma Fuente de alimentacin hornos micro-ondas Panasonic Inverter Amplificadores de audio musical Equipo electrodomstico (Lavadoras, Refrigeradores, Climas, etc.) Automvil (Control de motores PMSM), Servofrenos (ABS), Driver ignicin en ECU, etc. Maquinarias y herramientas industrailes.
Smbolo: Se emplean
indistintamente tres smbolos de transistor IGBT. Dos de estos le sealan mas como un transistor bipolar y la tercera lo dibuja como un MOSFET con doble flecha de sustrato.
Is (Corriente de Sangra) Ibe (Corriente base-emisor) Ic (Corriente de colector)
AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO NPN, EMISOR COMUN
Transistor Mosfet Los transistores MOSFET o MetalOxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o MOS y MOSFET de canal P o PMOS. Este segundo prcticamente se encuentra en desuso. A su vez, estos transistores pueden ser de crecimiento (enhancement) o angotamiento (deplexion). En la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso. es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.
MOSFET CRECIMIENTO CANAL P
G D
CANAL N G
S CANAL P G D
S CANAL N G D
S S MOSFET ANGOTAMIENTO
APAGADO (SW. OFF)
SEMICONDUCTOR
DRENADOR METAL OXIDO
N P APAGADO OFF
COMPUERTA
0v
N SURTIDOR
NO HAY CANAL DE CONDUCCION
ENCENDIDO (SW. ON)
DRENADOR N COMPUERTA ON ON P ENCENDIDO ON
N OFF SURTIDOR
SE FORMA EL CANAL DE CONDUCCION N
Video con prctica resoldado SMD
https://www.youtube.com/watch?v=6IrYBgKDtTQ
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT.
El transistor IGBT posee la
caracterstica de control con seales de compuerta, de los transistores de efecto de campo y con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar simultneamente en un solo dispositivo. El IGBT ha sustituido al
bipolar NPN o PNP en muchas aplicaciones de potencia. Es ideal para operar seales de disparo instantneas.
Se puede concebir el IGBT
como un transistor Darlington hbrido, ya que se forma con un transistor bipolar y un transistor mosfet. Cuando le es aplicado un voltaje Vge a la puerta , el IGBT enciende al instante, la corriente de colector Ic es conducida y el voltaje Vce se va desde el valor de bloqueo hasta cero. El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje Vge de la terminal Gate.
Vge Ic Vce= 0v
Equivalente elctrico discreto de un Transistor IGBT
La tensin de control de
puerta es de unos 15v. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. Los transistores IGBT se fabrican exclusivamente en canal tipo N.
En aplicaciones de electrnica
de potencia es intermedio entre los tiristores o SCR y los transistores Mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros. Grandes mdulos de IGBT, que
consiste en muchos dispositivos colocados en paralelo, pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de hasta 6.000 voltios !
HORNO MICRO-ONDAS PANASONIC
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CIRCUITO INVERTER HORNO PANASONIC
GT50J322 = GT30J22 50D060 = 30D060
Transistores IGBT empleados en fuente de alimentacin para hornos micro-ondas Panasonic con inverter.
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COMO MEDIR UN TRANSISTOR IGBT
Soldar bien es importante
LOS IGBTs EN TELEVISORES DE PLASMA
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TANDEM DE TRANSISTORES BIPOLAR, MOSFET e IGBT EN UNA ECU
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