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Los Transistores IGBT

Transistor Bipolar de Compuerta Aislada (Insulated-gate bipolar transistor)


Es una presentacin de la: ACADEMIA VIRTUAL EYSER

Cmo Funcionan Caractersticas Smbolos Comprobacin Aplicaciones

Lic. Felipe Orozco Cuautle

Produccin general de: Electrnica y Servicio Mxico Digital Comunicacin

Director General: Profr. Jos Luis Orozco Cuautle

FEBRERO 2014

Introduccin
La aplicacin de los transistores IGBT va en

aumento cada vez ms, sobre todo por su capacidad de responder a seales de conmutacin, que permita controlar elementos que demanden grandes e instantneas intensidades de corriente elctrica para su funcionamiento. En esta jornada, tenemos oportunidad de aprender los detalles mas relevantes de estos transistores, entre ellos su principio de funcionamiento, smbolo, forma de medirlos e incluso algunas aplicaciones en la prctica.

Definiciones:
El transistor bipolar de puerta

aislada (IGBT, del ingls: Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Actualmente existen muy diversas aplicaciones industriales y de uso domsticos.

Aplicaciones:
Driver Flash cmaras digitales
Driver en Tarjetas Y-sus y Z-sus

en tv plasma Fuente alimentacin TV plasma Fuente de alimentacin hornos micro-ondas Panasonic Inverter Amplificadores de audio musical Equipo electrodomstico (Lavadoras, Refrigeradores, Climas, etc.) Automvil (Control de motores PMSM), Servofrenos (ABS), Driver ignicin en ECU, etc. Maquinarias y herramientas industrailes.

Smbolo:
Se emplean

indistintamente tres smbolos de transistor IGBT. Dos de estos le sealan mas como un transistor bipolar y la tercera lo dibuja como un MOSFET con doble flecha de sustrato.

Is (Corriente de Sangra) Ibe (Corriente base-emisor) Ic (Corriente de colector)

AMPLIFICADOR TRANSISTORIZADO NPN, EMISOR COMUN

Transistor Mosfet
Los transistores MOSFET o MetalOxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o MOS y MOSFET de canal P o PMOS. Este segundo prcticamente se encuentra en desuso. A su vez, estos transistores pueden ser de crecimiento (enhancement) o angotamiento (deplexion). En la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso. es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas.

MOSFET CRECIMIENTO CANAL P


G D

CANAL N
G

S CANAL P G
D

S CANAL N G
D

S S MOSFET ANGOTAMIENTO

APAGADO (SW. OFF)


SEMICONDUCTOR

DRENADOR
METAL OXIDO

N P APAGADO OFF

COMPUERTA

0v

N SURTIDOR

NO HAY CANAL DE CONDUCCION

ENCENDIDO (SW. ON)


DRENADOR N COMPUERTA ON ON P ENCENDIDO ON

N OFF SURTIDOR

SE FORMA EL CANAL DE CONDUCCION N

Video con prctica resoldado SMD

https://www.youtube.com/watch?v=6IrYBgKDtTQ

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR IGBT.


El transistor IGBT posee la

caracterstica de control con seales de compuerta, de los transistores de efecto de campo y con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar simultneamente en un solo dispositivo.
El IGBT ha sustituido al

bipolar NPN o PNP en muchas aplicaciones de potencia. Es ideal para operar seales de disparo instantneas.

Se puede concebir el IGBT

como un transistor Darlington hbrido, ya que se forma con un transistor bipolar y un transistor mosfet. Cuando le es aplicado un voltaje Vge a la puerta , el IGBT enciende al instante, la corriente de colector Ic es conducida y el voltaje Vce se va desde el valor de bloqueo hasta cero. El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje Vge de la terminal Gate.

Vge Ic Vce= 0v

Equivalente elctrico discreto de un Transistor IGBT

La tensin de control de

puerta es de unos 15v. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. Los transistores IGBT se fabrican exclusivamente en canal tipo N.

En aplicaciones de electrnica

de potencia es intermedio entre los tiristores o SCR y los transistores Mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.
Grandes mdulos de IGBT, que

consiste en muchos dispositivos colocados en paralelo, pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de hasta 6.000 voltios !

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CIRCUITO INVERTER HORNO PANASONIC

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Transistores IGBT empleados en fuente de alimentacin para hornos micro-ondas Panasonic con inverter.

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