PreInforme de Laboratorio No.

0: COMPARACIN DE TECNOLOGAS

%ean #ri&am Par!o C'! ()*++,- Diego Ale.an!ro Delga!illo C'!.

Informe de Laboratorio No. 0 Comparaci&n de Tecnolo! as

Abstract Este informe da una antesala al desarrollo de las diferentes tecnologas digitales, que tena por objeto la primera prctica de laboratorio, en la cual se compararon dos compuertas lgicas iguales (NOT) pero de diferente tecnologa !"O# $ TT%& #e reali'aron simulaciones que comprueben los datos presentados por los fabricantes en los respecti(os datas)eet $ se obtu(ieron los datos requeridos que confirmaron las simulaciones presentadas& Index Terms !"O#, TT%, !ompuerta %gica&

8i!. 7. Re!iones operaci&n compuerta l&!ica I. INTRODUCIN este documento se presentan las caracter sticas principales de cada tecnolo! a "a mencionada. Los aspectos m#s importantes $ue se tu%ieron en cuenta para la medici&n " %erificaci&n en el laboratorio fueron los tiempos de subida' ba(ada' de retardo " de almacenamiento de cada uno de los dispositi%os. )dem#s se reali*aron mediciones de +olta(es de umbral m#,imo " m nimo para los estados altos -./ " ba(o -L/.

Una se6al por encima de +oC min o por deba(o de +ol ma, es considerada alta o ba(a respecti%amente. A. RETARDO DE PROPAGACIN (Propagation Delay Time t p! " 0s el inter%alo de tiempo entre un cambio de ni%el l&!ico en una entrada " el correspondiente cambio en la salida de la misma compuerta. 0ste par#metro limita la frecuencia m#,ima de operaci&n de la compuerta. 0n mucCas compuertas el retardo de propa!aci&n para una transici&n de alto a ba(o en la salida es diferente al retardo asociado a un cambio de ba(o a alto en la salida. 0sto es indicado en las Co(as de dato con los s mbolos: t P.L " t PL. . #. RETARDO DE TRANSICIN (Tran$ition Delay Time" 0s el tiempo transcurrido durante una transici&n de ni%el l&!ico en la salida. 3e mide entre los puntos de 70D " 50D de amplitud en el dia!rama de tiempos' " en !eneral %ale distinto para una transici&n de ba(o a alto -rise time/ : tTL. ' $ue para una transici&n de alto a ba(o -fall time/: tT.L . La %elocidad de conmutaci&n de una compuerta usualmente es proporcional a la cantidad de ener! a transformada en calor. De CecCo' en mucCos circuitos di!itales Ca" $ue asumir un compromiso entre %elocidad " disipaci&n de potencia. 0ntonces' un circuito puede dise6arse para traba(ar a una alta %elocidad -o sea $ue los par#metros de retardo son pe$ue6os/' al costo de un ma"or consumo de potencia. )lternati%amente' puede implementarse una %ersi&n m#s lenta del circuito para aCorrar consumo de potencia. Como resultado' una medida de performance -o fi!ura de mErito/ com;nmente encontrada para una familia l&!ica es el producto %elocidadFpotencia' obtenido al multiplicar el retardo de propa!aci&n promedio' la corriente de alimentaci&n promedio " la tensi&n de alimentaci&n recomendada. Cuanto menor este producto' me(or es la

Para esta pr#ctica se cont& con los CIs 12L302 " CD2045. 0stas dos referencias corresponden a compuertas ne!adoras. La funci&n principal de estas compuertas es $ue a una se6al de entrada alta o 7 ella entre!ue una se6al ba(a o 0 " %ice%ersa. 0l informe se compone por un marco te&rico sobre las familias l&!icas en especial las usadas durante la pr#ctica' las simulaciones correspondientes de los monta(es' los datos obtenidos " un an#lisis de los datos en comparaci&n con los esperados. 8inalmente unas conclusiones. II.8)9ILI)3 L:IC)3 0l circuito interno de un compuerta est# constituido alrededor de dispositi%os semiconductores $ue act;an como <lla%es electr&nicas=. Dependiendo de cuales dispositi%os se usen para esto " de ciertas caracter sticas funci&nales' ser# el nombre de la familia lo!ica en cuesti&n. Por e(emplo' e,isten las familias: DTL -Diode > Transistor Lo!ic/' TTL -Transistor > Transistor Lo!ic/' CO93 -Complementar" 9etal > O?ID0 309ICONDUCTOR/. Las compuertas l&!icas reales son dise6adas tal $ue su se6al de salida posee @ *onas identificables. Las @ re!iones $uedan definidas por A tensiones de umbral. +OLma, -umbral ni%el ba(o/ +O.min -umbral para ni%el alto/. Por lo tanto' para una salida real se tiene:
B

PreInforme de Laboratorio No. 0: COMPARACIN DE TECNOLOGAS familia l&!ica.

TTL en !eneral ser# la corriente m#,ima de salida la $ue limitar# al fanFout' " no la capacitancia total de car!a' debido a las corrientes de entrada apreciables $ue circulan en condiciones est#ticas para esta familia. 0ntonces' una sola compuerta TTL puede e,citar a otras 70 compuertas TTL sin una disminuci&n si!nificati%a en la %elocidad de conmutaci&n. Puede $ue los retardos de propa!aci&n de peor caso sean especificados para compuertas TTL $ue est#n e,citando a otras 70 compuertas TTL -full fanFout/. 0l retardo de propa!aci&n de alto a ba(o es menor $ue a$uel de ba(o a alto. Por e(emplo' la %elocidad de conmutaci&n de una compuerta N)ND est#ndar de dos entradas %iene dada por los par#metros: t P.L H 7G ns. t PL. H AA ns. Como estos retardos fueron medidos ba(o condiciones de peor caso' la %elocidad de la compuerta ba(o condiciones t picas es usualmente ma"or. Los %alores t picos son: t P.L H 1 ns. t PL. H 77 ns. La corriente de alimentaci&n re$uerida por una compuerta TTL depende de si su salida est# en el estado alto o ba(o. La disipaci&n de potencia es considerable tanto para condiciones est#ticas como para conmutaci&n. Las salidas totemFpole son las m#s f#ciles de encontrar en los CILs TTL. 3u modelo circuital mas simple est# formado por dos transistores bipolares -M7 " MA' en la fi!ura/ funcionando como lla%es electr&nicas conectadas al terminal de salida' una de pullFup " otra de pullFdoNn. 0n condiciones est#ticas' solo una de ambas lla%es est# cerrada a la %e*' imponiendo un estado l&!ico en la salida.

8i! A. Tiempo de retardo III. 8)9ILI) TTL Los circuitos TTL se alimentan con G +. "' en su %ersi&n est#ndar' poseen los si!uientes par#metros: +O. - min/ H A'2 +. +OL - ma, / H 0'2 +. +I. - min / H A +. +IL - ma, / H 0'I +. 0sto nos da m#r!enes de ruido de peor caso de 200 m+ para ambos estados' ba(o " alto. 0stos par#metros est#n !aranti*ados sobre un ran!o de alimentaci&n de 2'1G +. a G'AG +. " un ran!o de temperatura de 0JC a 10JC' por el fabricante. Por otro lado' los %alores <t picos=' medidos a G+. " AGJC' son: +O. H @'2 +. +OL H 0'A +. + I. H A +. + ILH 0'I + ' lo cual nos da m#r!enes de ruido <t picos= de 7'2 +. en el estado alto " de 0'4 +. en el estado ba(o. Las salidas de los circuitos TTL son KfuentesL de corriente en el estado alto " KsumiderosL de corriente en el estado ba(o. 3i!uiendo la con%enci&n est#ndar de especificar la corriente entrante a un terminal como positi%a' " la saliente como ne!ati%a' los par#metros de corriente son los si!uientes: I O. - ma, / H F200 u) I OL - ma, / H 74 m) I I. - ma, / H 20 u) I IL - ma, / H F7'4 m) La salida de una compuerta TTL es capa* de car!ar " descar!ar r#pidamente a la capacitancia total $ue e,cita' !racias a su mu" ba(a resistencia e$ui%alente de salida. La capacitancia e$ui%alente en la entrada de una compuerta TTL es del orden de los @ a G p8. )l conectar una salida TTL e,citando a %arias entradas

8i!. @. modelo interno compuerta 12ls02 I+. 8)9ILI) C9O3 3us circuitos est#n basados en los transistores de efecto de campo' sistema metalFo,idoF semiconductor -9O380TLs/' complementando 9O380TLs canal N con 9O380Ts canal P.

PreInforme de Laboratorio No. 0: COMPARACIN DE TECNOLOGAS Por e(emplo' un modelo circuital de in%ersor C9O3 es el si!uiente: La familia C9O3 tiene mu" ba(a disipaci&n de potencia en condiciones est#ticas. 3u contribuci&n din#mica al consumo es apreciable' " aparece durante un cambio de estado l&!ico debido a $ue conducen ambos 9O380TLs por un bre%e inter%alo de tiempo. 0sta contribuci&n aumenta con la frecuencia de traba(o. Como %emos' en los CILs C9O3 solo es si!nificati%o el aporte din#mico a la disipaci&n de potencia' mientras $ue en los TTL ambos aportes -est#tico " din#mico/ son importantes. 3in embar!o' a mu" altas frecuencias el consumo de un C9O3 puede ser superior al de un TTL. Una compuerta C9O3 casi no toma corriente de alimentaci&n mientras se encuentra en estado estable. Un %alor t pico es de 0'G n) por compuerta. ) G + esto nos da una disipaci&n de potencia est#tica de A'G nO por compuerta. 3in embar!o' esa misma compuerta traba(ando a 7 9.* disipar# una potencia total de 7 mO. Los circuitos C9O3 pueden traba(ar sobre un amplio ran!o de tensiones de alimentaci&n' t picamente de @ a 7G +. 9#s a;n' el retardo de propa!aci&n es in%ersamente proporcional a la tensi&n de alimentaci&n' brindando al dise6ador un compromiso simple entre %elocidad " consumo. Los par#metros de ni%eles de tensi&n tambiEn dependen de la tensi&n de alimentaci&n. )l comparar C9O3 con TTL' impl citamente asumimos una tensi&n de alimentaci&n de PG + para los C9O3. Por e(emplo' podemos tener para un CI C9O3: +O. - min/ H 2'5G +. +OL - ma, / H 0'0G +. +I. - min / H @'G + +IL - ma, / H 7'G +. 0ntonces' los m#r!enes de ruido son de apro,imadamente 7'G +. en ambos estados' para +dd H G +. 0n !eneral' a i!ual tensi&n de alimentaci&n los circuitos inte!rados C9O3 tienen me(or inmunidad al ruido $ue los TTL. )l aumentar la tensi&n de alimentaci&n' aumenta a;n m#s la inmunidad al ruido. Una compuerta C9O3 -noFbuffereada/ tiene una capacidad limitada de e,citaci&n. +alores usuales son: I O. - ma, / H F0'7A m) I OL - ma, / H 0'@4 m) 3i bien estas corrientes son pe$ue6as' los circuitos C9O3 sin buffer -nomenclatura: FUQ/ a la salida -como lo eran todos los primeros C9O3/ son m#s r#pidos $ue los C9O3 con buffer -FQ/. 0stos ;ltimos tienen la %enta(a de ofrecer ma"ores ni%eles de corrientes' " de independi*ar a Estas de la tensi&n de entrada de la misma compuerta. La salida con buffer es la m#s f#cil de encontrar en los circuitos C9O3. Por otro lado' las impedancias de entrada C9O3 son mu" altasR ma!nitudes usuales de corrientes de entrada son:

I I. - ma,/ H I IL - ma, / H 0'7 S ) Por lo tanto' el fanFout para compuertas C9O3 e,citando compuertas C9O3 $ueda limitado principalmente por la car!a capaciti%a $ue <%e= la compuerta e,citadora. +alores usuales para la capacitancia de entrada de una compuerta C9O3 son: G a 7G p8. Los retardos de propa!aci&n %ar an sobre un amplio ran!o al %ariar la tensi&n de alimentaci&n " la car!a capaciti%a. Los amplios m#r!enes de ruido' la ba(a %elocidad de traba(o " las relati%amente ba(as corrientes de los CILs C9O3 Cacen pensar $ue son mu" inmunes al ruido. 3olo Ca" un detalle $ue (ue!a en contra' " es la alta impedancia de salida $ue en !eneral aparece en esta familia -70 a 700 %eces ma"or $ue en TTL/' $ue la Cace un tanto susceptible de acoplar ruidos. )un as ' la inmunidad al ruido de los CILs C9O3 es mu" buena " es una de sus principales %enta(as. Un comentario final. Todos los dispositi%os semiconductores 9O3 tienen compuertas aisladas por un &,ido' el cual es susceptible de sufrir ruptura dielEctrica si la tensi&n aplicada es suficientemente alta. Por e(emplo' en la familia C9O3 CD2000 ese &,ido tiene un espesor del orden de los 200 )n!stroms' el cual puede sufrir ruptura para tensiones ma"ores a 700 +. Para pre%enir dicCo fen&meno de ruptura sobre las entradas de un CI C9O3 a partir de una descar!a electrost#tica o de al!;n transitorio peli!roso de tensi&n' el operador $ue manipule el CI deber# tomar ciertos cuidados b#sicos. Para enfati*ar la importancia de esto solo basta mencionar $ue una persona caminando sobre ciertos pisos encerados " alfombras puede !enerar Casta 7G000 +. de potencial electrost#tico sobre su cuerpo. Las recomendaciones tienen $ue %er principalmente con estar correctamente conectado a tierra -el operador " la estaci&n de traba(o' soldador' etc./ " en ciertas pr#cticas de ensamble " terminaci&n de conectores en las PCQLs. Pueden %erse en detalle estas recomendaciones en los manuales tEcnicos de los fabricantes de CILs C9O3.

8i!.2. 9odelo interno CD204 La medici&n de los par#metros de tensi&n de umbral para ambas compuertas se puede obtener a partir de su funci&n de transferencia como lo muestra la si!uiente fi!ura:

PreInforme de Laboratorio No. 0: COMPARACIN DE TECNOLOGAS +. 3I9UL)CION03

U 3A 5 .0 0 0 V V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 0 TF = 0 PW = 500u PER = 1m V1
V

9 7 .2 4 m V 2

R 1 1k

74LS04

8i! G. 8unci&n transferencia -conmutaci&n estados/

8i!. 4 3imulaci&n compuerta 12L302

U 1A 2 4 .5 9 m V 5 .0 0 0 V V1 = 5 V2 = 0 TD = 0 TR = 0 TF = 0 PW = 500u PER = 1m V1
V

R 1 1k

2 C D 4069U B
V

8i!. 1 0s$uem#tico circuito simulaci&n compuerta CD2045 Las simulaciones correspondientes se encuentran en los arcCi%os ane,os. +I. D)TO3 OQT0NIDO3

PreInforme de Laboratorio No. 0: COMPARACIN DE TECNOLOGAS A. /0LS10

+IL +inT +I. +inU +O. +OL

#. CD01),

7.2 + A.2 + A.I+ 0.G4+

8i! I. 9edici&n t ba(ada

8i! 77. 9edici&n t ba(ada

8i! 5. 9edici&n t subida

8i! 7A. 9edici&n t subida

8i! 70. 9edici&n %olta(es umbral +oC " +ol Tabla 7 Datos obtenidos compuerta TTL *armetro +alor

Tba(ada Tsubida

AA.I ns AGns

8i! 7@. 9edici&n %olta(es +ol " +oC

PreInforme de Laboratorio No. 0: COMPARACIN DE TECNOLOGAS Consid er a n d o los dat os obt e ni d o s de %olta( e um br al m nim o " m #,i m o' los C9O3 pres e n t a n un m a"or inter% alo de %olta( e " un factor de car! a m #s ele% a d o $ue los TTL. +III.CONCLU3ION03

Las Cerramientas de simulaci&n nos proporcionan un apro,imado real del comportamiento en laboratorio $ue se tienen de los monta(es de los circuitos propuestos' adem#s a"udan a reali*ar mediciones $ue dif cilmente se obtienen con instrumentos sencillos de medici&n. 3i se re$uiere un CI de ba(o consumo la familia C9O3 es la m#s indicada' pero si busca tiempos de conmutaci&n r#pidos la familia TTL es la m#s indicada. Una inte!raci&nF combinaci&n de estas es lo m#s indicado para CIs $ue sean de ba(o consumo pero r#pidos en el cambio de estados. Con respecto a esto ;ltimo la familia l&!ica 0CL se enc u e n t r a a cab allo entr e la TTL " la C9O3. 0sta familia naci& com o un intent o de cons e ! uir la rapid e * de TTL " el ba(o cons u m o de C9O3' pero en rara s ocasion e s es em pl e a d a . Una %enta(a de los C9O3 es su construcci&n' "a $ue re$ui er e n de mucC o m e n o s esp a cio -#re a en el CI/ debido a lo com p a c t o de los tran sist or e s 9O380T. )dem # s debido a su alta den si d a d de inte!r a ci & n' los C9O3 est # n sup er a n d o a los CI bipol ar e s en el #re a de inte!r a ci & n a !ra n esc al a' en L3I F m e m o ri a s !ra n d e s ' CI de calcul a d o r a ' microproc e s a d o r e s F ' as com o +L3I. R080R0NCI)3 W7X Notas sobre 8amilias L&!icas' Uni%ersidad Nacional de Quenos )ires.

8i! 72. 9edici&n de %olta(es +ol " +oC por funci&n de transferencia -modo ," osciloscopio/ Tabla A. Parametros obtenidos compuerta C9O3 *armetro +alor

Tba(ada Tsubida +IL +inT +I. +inU +O. +OL

AG ns @2ns 7.A + , @.A + 2.2 + 0.2 +

+II. )NVLI3I3 D0 D)TO3 Parti m o s de $ue la sim ul a ci&n nos entr e ! & un bue n apro,i m a d o del com p o rt a m i e n t o de las com p u e r t a s en la pr#ctic a " dond e tom a n d o sim ul a ci&n %s dat o obt e ni d o enco n t r a m o s ciert a relaci&n %er dica con los dato s esp er a d o s " Callado s' a los de la teor a. Los circuitos inte!r a d o s C9O3 son de me n o r cons u m o de pot e n ci a $ue los TTL' est o se pue d e obs er% a r en las tension e s um br al obt e ni d o. )dem # s las com p u e r t a s C9O3 re$ui er e n una tensi& n de um br al de est a d o alto muc C o ma "or $ue las TTL. 3e pue d e confirm a r $ue los C9O3 son m# s lentos en cua nt o a %elocid a d de oper a ci & n $ue los TTL. 3e!; n m e dicion e s en el labor at o rio " en sim ul a ci&n la familia TTL son com p u e r t a s con una con m u t a ci & n m #s r#pid a $ue la $ue se pres e n t a en las C9O3. Duran t e la pr#ctic a se obs er%& $ue los C9O3 tien e n una m a"or inm u ni d a d al ruido $ue los TTL' a los prim er o s se lo!r& definir una cur%a de tran sf e r e n ci a sin m a"or pres e n ci a de ruido al i!ual $ue en las cur% a s de cam bio de est a d o.

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Tiempo subida CD2045

Tiempo ba(ada CD2045

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+inY+out CD2045

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Tiempo 3ubida 12L302

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70

Tiempo Qa(ada 12L302

PreInforme de Laboratorio No. 0: COMPARACIN DE TECNOLOGAS

77

+inY+out 12L302

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7A