Campo de la electricidad

viernes, 2 de diciembre de 2011

SCR
DEFINICIN. El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

Figura 1: Smbolo del SCR.

ESTRUCTURA.

Figura 2 : Estructura bsica del SCR.

CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.

La curva caracterstica del SCR es la representada en el siguiente Applet:

En el Applet se muestra la curva caracterstica tpica de un tiristor SCR, representndose la corriente de nodo (Ia) en funcin de la tensin aplicada entre nodo y ctodo (Vak). Cuando la tensin Vak es nula, tambin lo es la intensidad de corriente Ia. Al aumentar dicha tensin en sentido directo, con corriente de puerta nula, si se supera la tensin Vb0, la transicin de estado OFF a ON deja de ser controlada. Si se desea que el paso al estado "ON" se realice para tensiones Vak inferiores a Vb0, ser necesario dotar al dispositivo de la corriente de puerta (Ig) adecuada para que dicha transicin se realice cuando la intensidad de nodo supere la intensidad de enganche (IL ). Por el contrario, si el dispositivo esta en conduccin, la transicin al estado "OFF" se produce cuando la corriente de nodo caiga por debajo de la intensidad de corriente de mantenimiento (Ih). Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas pequeas corrientes de fugas. Cuando se polariza inversamente se observa una dbil corriente

inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo.

El SCR es, por tanto, un dispositivo conductor solo en el primer cuadrante, en el cual el disparo se provoca por: - tensin suficientemente elevada aplicada entre nodo y ctodo, - intensidad en la puerta. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF ON, usando la corriente de puerta adecuada.

CARACTERSTICAS DINMICAS. Caractersticas dinmicas. Tensiones transitorias: - Valores de la tensin superpuestos a la seal de la fuente de alimentacin. - Son breves y de gran amplitud. - La tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM) debe estar dentro de esos valores. Impulsos de corriente: - Para cada tiristor se publican curvas que dan la cantidad de ciclos durante los cuales puede tolerarse una corriente de pico dada (Figura 4). - A mayor valor del impuso de corriente, menor es la cantidad de ciclos. - El tiempo mximo de cada impulso est limitado por la temperatura media de la unin.

Figura 4. Curva de limitacin de impulsos de corriente. ngulos de conduccin: - La corriente y tensin media de un SCR dependen del ngulo de conduccin. - A mayor ngulo de conduccin, se obtiene a la salida mayor potencia. - Un mayor ngulo de bloqueo o disparo se corresponde con un menor ngulo de conduccin (Figura 5):

ngulo de conduccin = 180 - ngulo de disparo

- Conociendo la variacin de la potencia disipada en funcin de los diferentes ngulos de conduccin podremos calcular las protecciones necesarias.

Figura 5. ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor. MTODOS DE DISPARO. Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente larga como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir. Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular una corriente mnima de valor IH, marcando el paso del estado de conduccin al estado de bloqueo directo.

Los distintos mtodos de disparo de los tiristores son:

- Por puerta. - Por mdulo de tensin. - Por gradiente de tensin (dV/dt) - Disparo por radiacin. - Disparo por temperatura.

El modo usado normalmente es el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin son modos no deseados. 5.1 DISPARO POR PUERTA. Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta de un impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que mantenemos una tensin positiva entre nodo y ctodo.

Figura 8. Circuito de control por puerta de un SCR. - El valor requerido de VT necesario para disparar el SCR es: VT = VG + IG R - R viene dada por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia para obtener la mxima seguridad en el disparo (Figura 9). R = VFG / IFG

Figura 9. Recta tangente a la curva de mxima disipacin de potencia. 5.2 DISPARO POR MDULO DE TENSIN. Es el debido al mecanismo de multiplicacin por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los equipos electrnicos. 5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN. Una subida brusca del potencial de nodo en el sentido directo de conduccin provoca el disparo. Este caso ms que un mtodo, se considera un inconveniente.

Figura 10. Zona de disparo por gradiente de tensin. 5.4 DISPARO POR RADIACIN. Est asociado a la creacin de pares electrn-hueco por la absorcin de la luz del elemento semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR. 5.5 DISPARO POR TEMPERATURA. El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las uniones del semiconductor. As, la suma (a1+ a2) tiende rpidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensin de ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la temperatura y disminuye al aumentar sta. 6. CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR. Para el control en el disparo: - nodo positivo respecto al ctodo. - La puerta debe recibir un pulso positivo con respecto al ctodo. - En el momento del disparo Iak > IL. Para el control en el corte: - Anulamos la tensin Vak. - Incrementamos RL hasta que Iak< IH.