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Semiconductores en equilibrio.

Indice
Enlace Cristalino. Estructuras Cristalinas
Bandas de Energa en Slidos
Conduccin en Slidos
Masa Efectiva Concepto de Hueco Masa Efectiva. Concepto de Hueco
Semiconductores intrnsecos
Densidad de estados
Clculo del nmero de portadores Clculo del nmero de portadores
Semiconductores extrnsecos.
Dopado de Semiconductores
C t d d i Concepto de degeneracin
Materiales Semiconductores
Otros Materiales. Tecnologa de Semiconductores g
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 1
Enlace:Energa Potencial de dos tomos en funcin de la distancia
Fuerza Repulsiva Ncleos
Ep
d (Enlace)
Fuerza Repulsiva Ncleos
Atraccin Van del Waals
r
Interaccin Dipolar
Repulsin Culombiana
Apantallamiento e
-
Ep min
Interaccin Electrnica
(e
-
de valencia)
Enlace entre ms tomos, superposicin de Energa, si menor
tienden a formar agrupaciones simtricas: Molculas, Redes Cristalinas
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 2
Red Si-Diamante
Si Ge (estructura diamante o Zinc-Blenda) Si, Ge,... (estructura diamante o Zinc-Blenda)
Enlace
con
estructura estructura
tetragonal
Si
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 3
Hibridacin: Estructura tetragonal
E p
s
sp
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 4
Bandas de energa en slidos
Descripcin Cualitativa:
Qu pasa cuando N tomos e aproximan lo suficiente para que sus e-
interaccionen? !No pueden ocupar el mismo estado cuntico!
=> Niveles energticos se desdoblan en N
=> Muchos niveles energticos prximos: Bandas de Energa
E
r (distancia interatmica)
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 5
Bandas de energa
4Nestados
E
8N estados
4N electrones
4N estados
0N electrones
sp
2p
6N estados
2N electrones
Eg
2N electrones
2N estados
2s
sp
3
Eg
4N estados
4N electrones
r
equi
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 6
Anlisis Cuantitativo: Electrn libre
| | 0 ) ( ) (
2
) (
0
2
V | u | u V E
m
Resolver eq. Schoedinger para diferentes aproximaciones de V
M d l d l t lib V 0
| | 0 ) , , ( ) (
2
) , , (
2
0
2
= + V | u | u r r V E
m
r

E
Modelo de electrn libre V=0
En una dimensin
Relacin E-k
k
x
E m
x
x
= +
c
c
0 ) (
2 ) (
2
2
0
2
2

m
k
E
2
0
2 2
=

k
jkx jkx
k
Be Ae x

+ = ) (
2

momento k
p
mv E
1
2
2
0
= =
k
) (
A
momento k
m
mv E
j
k
kr
) (
2 2
= =
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 7
vector Ae
j
k r
kr
; ) ( =
Anlisis Cuantitativo: Atomo de Bohr
Modelo de un electrn ligado (Bohr)
S l i V l di t ti
r
e
r V
2
4
) (
tc
=
Solucin: Valores discretos=> nmeros cunticos
n=1,2,3..
l=n-1, n-2,....,0
r
0
4tc
|m|=l, l-1,.....,0
V(r)
E
4
0
e m
E
E
2
E
3
E
4
2 2 2
0
0
2 ) 4 ( n
e m
E
n
tc
=
E
1
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 8
Anlisis Cuantitativo: Potencial peridico
V( )
Atomos Contiguos
V(r)
E
2
E
3
E
2
E
1
Potencial Peridico V(x)=V(x+a)
Modelo Aproximado (Kronig-Penney)
( ) ( )
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 9
Anlisis Cuantitativo: Modelo de Kroenig Penney
Potencial Peridico V(x)=V(x+a)
V(x)
Modelo Aproximado (Kronig-Penney)
V
0
V(x)
I II I II I
V(x)=V(x+a) I ) V(x)=V
0
-b 0 a
II) V(x)=0
jkx
k
e x U x ) ( ) ( =
Soluciones de la forma
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 10
k
Anlisis Cuantitativo: Modelo de Kroenig Penney
Sustituyendo en ec. Schoedinger, imponiendo continuidad
en la funcin y primera derivada en la funcin y primera derivada
Suponemos por simplicidad
kte bV b V =
0 0
, 0 ,
2 2
0
2
; cos cos
sen

mE
ka a
a
a ba mV
= = + o o
o
o
) ( f o ) ( a f o
No todos los valores de o son permitidos
solo si -1<f(oa) <1
B d d l i id d E Bandas de valores permitidos de E
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 11
Anlisis Cuantitativo: Modelo de Kroenig Penney
o
1
E
1
ka=0
o
2
E
2
ka=t
o
3
E
3
ka=t
f(oa)
) ( cos
sen
2
0
a f a
a
a ba mV
o o
o
o
= +

3 3
o
4
E
4
ka=0

0 0
0 0
0
V bV bandas mas estrechas GAP mayor
V bV k electrn libre o
| |
+ =
oa
0 0
cos( ) cos( )
sen
ka ka n
repre tacion reducida k
t
t t
=
> > sen repre tacion reducida k
a a
> >
Primera zona de Brillouin
2 3
0
a a a a
t t t t

Primera zona de Brillouin


Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 12
Estructura de Bandas
Sntesis de construccin de bandas
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 13
Estructura de Bandas
Estructura de bandas de Ge, Si y GaAs
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 14
Velocidad de los electrones
Consideremos un paquete de ondas siendo cada componente proporcional a
exp[ ( ) exp[ ( / )] j t kx j Et kx e e p[ ( ) e p[ ( / )]
; / ;
j j
E hf p h k
e
e

= = = =


( / )
g
E E
v
k k k
e c c c
= = =
c c c

La velocidad de grupo del paquete


2 2
g
E k
E F x Fv t F t F
k t
d
d E d E d E dk
o o
o o o o
o o
= = = =
| | c

Aplicando una fuerza externa,


la variacin de energa
2 2
2
2
g
dv
d E d E d E dk
a
dt dt k dtdk dk dt
d E dk
| | c
= = = =
|
c
\ .

la aceleracin

2 2
(1/ *)
F
m
d E dk
a
dk dt
=

Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 15


Esquema a, v, m*
Diagrama
2
E c
E
Diagrama
de una
banda
2
k
E
c
c
k
1
2

|
|

| c E
aceleracin
a / t
k
k
E
c
c
2 |
|
.
|

\
|
c
c
k
E
Masa
k
k
velocidad
Masa
efectiva
m*
k
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 16
m*, hueco
Aproximacin de bandas parablicas
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
E
V
k
Banda de Conduccin
E
2 2
2
0 2
) (
V
E d
k k C E E =

E
C
k
2 2
2
0 1
) (
C
k k C E E + =
2
*
2 2
0
2
2
BV
e e
Si
C
m C
dk
E d
E E
E

< = =

1
2
*
1 2
2
0
2
2
BC
e
C
m C
dk
E d
E

> = =

* *
BV BV
m m
Si a E =

=
*
BC
m
e
Si
E
a E =
Electrn: q=|e
-
| m
*
=|m
*
| Hueco: q=|e
-
| m
*
=|m
*
|
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 17
Electrn: q=-|e| m
p
=|m
BC
| Hueco: q=|e| m
p
=|m
BV
|
Imagen del hueco
A T=0K, la BV est llena, y la BC vaca.
No puede haber conduccin (no hay estados disponibles)
E
C Si
E
g
(GAP)
A T>0K, habr
E
V
saltos trmicos
de e- de la BV
a la BC
La BV casi
E
Un nivel ocupado en BC
Un electrn libre en el slido
La BV casi
llena, n
electrones/cm
3
, BC casi vaca
E
C
Si
p huecos//cm3.
Habr
conduccin en
presencia de
E
V
+
Un enlace roto Ausencia de un e
-
Un nivel vaco en BV
presencia de
campo elctrico
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 18
Un enlace roto. Ausencia de un e
Movimiento de huecos
Movimiento de e- en BV=> Movimiento de huecos
Tras t
1
E
Tras t
1
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 19
Tensor m*
Debido a la anisotropa en diferentes direcciones k las bandas tienen
diferente forma en diferentes direcciones m* es un tensor diferente forma en diferentes direcciones m es un tensor
Si mn. BC no coincide mx. BV Gap Indirecto
c c
c
=
|
.
|

\
|
2
2 *
1 1
k k
E
m
j i ij

|
|

|
| |
. \
*
1
/ 1 m
j i ij
Si superficies de energa constante son
esferas: m* es un escalar
|
|
|
.

\
=
|
.
|

\
|
*
3
*
2
1
*
/ 1
/ 1
1
m
m
m
esferas: m es un escalar
elipsoides m
2
*
= m
3
*=
m
t
*
m*
l
> m*
t
. \
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 20
Conduccin
A T=0K, la BV est llena, y la BC vaca. No , , y
puede haber conduccin.
A T> 0K, habr saltos trmicos de e- de la BV a la BC BV casi llena, , ,
BC casi vaca. Habr conduccin en presencia de campo elctrico.
El movimiento de portadores en presencia de Fuerza
F Fi El f d l Fi d l b externas : Fext + Fint = ma. El efecto de las Fint se puede englobar
en la masa efectiva m* Fext = m*a
La masa efectiva m* viene determinada por el diagrama de bandas al La masa efectiva m viene determinada por el diagrama de bandas, al
estar ste determinado por las interacciones de la red con los
portadores. La curvatura de las bandas es un indicio de la capacidad de
movimiento en presencia de Fext
Dos tipos de portadores: electrones en BC y huecos en BV
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 21
Conductores, Semiconductores y Aislantes
Diferencias en cuanto a su capacidad para conducir
Diferente nmero de portadores
Semiconductores
Aislantes
Conductores
E
2
E
3
E
11
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 22
Conductores, Semiconductores y Aislantes
Diferencias en cuanto a su capacidad para conducir
Diferente nmero de portadores
Semiconductores
Aislantes
Conductores
E
2
E
3
E
11
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 23
Conductores, Semiconductores y Aislantes
Diferencias en cuanto a su capacidad para conducir
Diferente nmero de portadores
Semiconductores
Aislantes
Conductores
E
2
E
3
E
11
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 24
Constantes para algunos Semiconductores
Grupo
Semicondu
ctor
T
m
[C] d [g/cm
3
] a[] cs/c
0
Eg [eV] m
n
*/m
0
m
p
*/m
0

n
[cm
2
/V.sec]
p
[cm
2
/V.sec]
IV Si 1415 233 5432 12 112I 108 055 1500 450 IV Si 1415 2.33 5.432 12 1.12 I 1.08 0.55 1500 450
Ge 937 5.33 5.65 16 0.67 I 0.55 0.35 3900 1900
III-V GaAs 1238 5.32 5.65 13 1.42 D 0.067 0.47 8500 400
GaP 1467 4.13 5.45 10.2 2.26 D 0.13 0.60 300 150
InAs 942 5.66 6.06 12.5 0.36 D 0.028 0.33 22600 200
InSb 525 5.77 6.47 16 0.17 D 0.0145 0.18 80000 1250
InP 1070 4.78 5.86 12.1 1.35 D 0.07 0.40 4000 600
II-VI CdS 1750 4.84 5.83 8.9 2.42 D 0.20 0.70 250 -
CdSe 1350 5.75 6.05 10.6 1.73 D 0.13 0.40 650 -
CdTe 1098 5.86 6.48 10.9 1.50 D 0.11 0.35 1050 100
ZnSe 1515 5.26 5.67 8.1 2.58 D 0.17 0.60 600 -
ZnTe 1238 5.70 6.1 9.7 2.25 D 0.15 0.60 530 900
IV-VI PbS 1077 7.5 5.93 17.0 0.37 I 0.10 0.10 500 600
PbSe 1062 8.10 6.15 23.6 0.26 0.07 0.06 1800 930
PbTe 904 8.16 6.46 30.0 0.29 I 0.24 0.30 1400 1100
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 25
Semiconductores Intrnsecos
Objetivo: Determinacin del nmero de portadores
por unidad de volumen p
electrones en BC n [cm
-3
]
huecos en BV p[cm
-3
]
}
= dE E f E g n ) ( ) (
BC
g(E)dE nmero de estados por unidad de volumen g(E)dE nmero de estados por unidad de volumen
en el intervalo [E , E+dE]
f(E) probabilidad de que un estado de energa E f(E) probab l dad de que un estado de energ a E
est ocupado
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 26
g (E): Metales
Slido de dimensiones a
x
a
y
a
z
Modelo de electrones libres confinados
en una caja a
x
a
y
a
z
(metales)
2
2 2
2
2
x y z
y
x z
n n n
n
n n
E
m a a a
t
t t
(
| |
| | | |
(
= + +
|
| |
|
(
\ . \ .
\ .

j
x y z
( )
2 2 2 2
2
x y z
m a a a
Si cubo de lado a
n n n n
(
\ . \ .
\ .

= + +
m
k
E
n
n
2
2 2

=
n
z
2
2
2
8
x y z
n n n n
h
E n
ma
= + +
=
dE E
n
+
3 2
8
1
( ) 4 (2)
ma
g E dE a n dn t
| |
|
n
x
n
y
3/2
2
( ) 4 (2)
8
4 (2 )
( )
g E dE a n dn
dn m
g E n E
t
t t
=
|
\ .
= =
n
x
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 27
3 3
( ) g E n E
a dE h
g (E): Semiconductores
g(E)
Para semiconductores mm*
g(E)
5x10
21
E E
h
m
E g
C
n
n
=
3
2 / 3 *
) 2 ( 4
) (
t
3x10
21
4x10
21
5x10
g
n
(E)
g
p
(E)
E E
h
m
E g
h
V
p
p
=
3
2 / 3 *
) 2 ( 4
) (
t
1x10
21
2x10
21
3x10


g
(
E
)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
E [eV] (Referencia E
F
=1eV)
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 28
Probabilidad de ocupacin f(E )
Estadstica de Fermi-Dirac
1.0
T
1
=300K
T 600K
E
F
=1
| |
= E f
1
) (
0.6
0.8
f(E)
Aprx. Boltzman
T
2
=600K
F
|
.
|

\
|

+
=
KT
E E
E f
F
exp 1
) (
02
0.4
f
(
E
)
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
0.0
0.2
E [eV]
T=0K E<E
F
f(E)=1 BV completamente llena
E>E f(E)=0 BC completamente vaca
E [eV]
E>E
F
f(E)=0 BC completamente vaca
Para semiconductor puro E
F
entre BV y BC (en gap)
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 29
n
i
* 3/2
0 3
4 (2 )
( ) ( ) exp
C C
n F
n C
E E
Aproximacin
m E E
n g E f E dE E E dE
h KT
t

| |
= =
|
\ .
} }

* 3/2
1/2
0 3
0
4 (2 )
; exp exp( )
Aproximacin
Boltzman
C n C F
E E m E E
n d
KT h KT
t
q q q q

| |
= =
|
\ .
}

1
2
3/2
*
0 2
2
2 exp
n C F
m KT E E
n
t
t | | | |
=
|

|
0 20
0 2
2 exp
C
N
n
h KT
|
\ .
\ .

|
0,12
0,16
0,20
g(E)*1E-22
f(E)
f(E)*1E10
dn *1E-12
0,04
0,08
,

0,4 1,6
0,00
E (eV)
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 30
n y p grfico
2 0
[ 1-f(E) ] *10
10
1,8
2,0
[ 1 f(E) ] 10
g
p
(E) *10
-22
dp/dE *10
-12
1,6
,
i
a

E
F
=
1
e
V
)
0,4

(
R
e
f
e
r
e
n
c
i
0,2
f(E) *10
10
g
n
(E) *10
-22
E

[
e
V
]







0,0
0,0 0,1 0,2
n
dn/dE *10
-12
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 31
f(E),g(E),dn
3/2
3/2
*
E E m T | |
| | | |
19 3
0
0
3/2
3/2 *
19 3
exp 2.5 10 [ ]
300
25 10 [ ]
C F n
C C
p
F V
E E m T
n N N cm
KT m
m
E E T
N N

| | | | | |
= =
| | |
\ . \ .
\ .
| |
| | | |
|
| |
19 3
0
0
exp 2.5 10 [ ]
300
p
F V
V V
p N N cm
KT m
| | | |
= =
|
| |
|
\ . \ .
\ .
= =
0 0
Semiconductor Intrnseco
i
n p n
2
exp exp
g
C V
i C V C V
E
E E
n N N N N
KT KT
| | | |
= =
| |
\ .
\ .
=
2
0 0 i
n p n
3/2
* * 3/2
19
0
2.5 10 exp
300 2
p n g
i
m m E
T
n
m KT
| |
| |
| |
|
=
| |
|
\ .
\ .
\ .
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 32
Semiconductores N
Impurezas dadoras : P Ocupando posicin de red Impurezas dadoras : P Ocupando posicin de red
P
E
C
E
D
Si
E
V
E
V
n
0
> n
i
>p
0
Semiconductor tipo N

2
n
0
p
0
= n
i
2
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 33
Semiconductores P
Impurezas aceptoras : B Ocupando posicin de red p p p p
E
CC
E
A
Si
+
A
E
V
p
0
>>n
0
Semiconductor tipo P n
0
p
0
= n
i
2
Concentracin de impurezas 10
16
at/cm
3
<< Densidad tomos de red 10
22
at/cm3
Concentracin de impurezas 10
16
at/cm3>> Concentracin intrnseca 10
10
at/cm3
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 34
Concentracin de portadores
i i d i d i C t N N
+ +
+
Supongamos un semiconductor dopado con N
D
impurezas dadoras
ionizadas impurezas de in Concentrac N p N n
D D
+ +
+ =
0 0
1E18
n
p
T
i
temperatura intrnseca
1E16
1E17
III
p
Nd
+
[
c
m
-
3
]
i
p
1E14
1E15
II I
I
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i

n

0 200 400 600 800 1000 1200
1E13
T [K]
I Zona extrnseca : Ionizacin parcial de impurezas
II Zona exhaustiva: Todas las impurezas ionizadas
III Zona intrnseca
+
~
D
N n
0
D
N n ~
0
n n ~
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 35
III Zona intrnseca
i
n n ~
0
E
F
en semiconductores extrnsecos
Al aumentar n en BC, vara su distribucin, vara el nivel de Fermi
E
C
E E
+ +
E
C
E
V
E
Fi
E
Fi
+ +
E
C
E
V
E
F
E
+
E
C
E
V
E
F
E
F
+ +
1/2
E
Fi
1/2
E
F
1/2
(a) Intrnseco (c) Tipo p (b) Tipo n
|
.
|

\
|

=
|
.
|

\
|

=
KT
E E
N p
KT
E E
N n
V F
V
F C
C
exp exp
0 0
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 36
Nivel de Fermi Intrnseco E
i
Denominando E
i
al nivel de Fermi en condiciones intrnsecas
E t t d t i d t i l T i l d f i Es constante para un determinado material a un T nivel de referencia
E
exp exp
i
V
C i
C V
E E
E E
N N
KT KT

| |
| |
=
|
|
\ .
\ .
m
n
*<m
p
*
E
C
E
i
*
3
l
g
n
KT KT
E
m
E E KT
\ .
\ .
m
n
*>m
p
*
E
V
*
3
ln
2 4
i
g
n
V
p
m
E E KT
m
=
Si l s m s s f ti s i l s E mit d
T
Si las masas efectivas iguales E
i
en mitad
Vara con la temperatura (Se acerca a m* de ms ligeros)
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 37
N
+
D
, N
-
A
. Clculo n
0
y p
0
2
D
D d
N
N g
+
= =
g grado de degeneracin
2
1 exp
D d
F D
d
N g
E E
g
KT

+
g g g
4 ( , , )
1 exp
A
A a
A F
a
N
N g Si Ge GaAs
E E
g
KT

= =

+
a
KT
0 0
2
A D
n N N p
+
+ = +
Caso General: Neutralidad de carga
Si NO d i
2
0 0 i
n p n =
Si NO degeneracin
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 38
Clculo n y p en funcin de n
i
exp exp
C i i F F i
E E E E E E
n N n n
+
| | | |
+
| | 0 0
2
exp exp
C i i F F i
C i
g
F i
n N n n
KT KT
E
E E
N N
= = +
| |
\ . \ .

| |
| |
| |
2
0 0 0
exp exp
g
F i
i C V i
E E
n p n N N p n
KT KT
| |
| |
= = =
| |
\ .
\ .
E
F
?
II n
0
=N
D
i N i d lid d
i
D
i F
D
C
F C
n
N
KT E E
N
N
KT E E ln ln = =
E
F
?
si N
D
n
i
ecuacin de neutralidad
III n =n E =E
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 39
III n
0
=n
i
E
F
=E
i
Clculo grfico del Nivel de Fermi
exp exp
C F V F D
E E E E N
N N

= + exp exp
1 2exp
C V
F D
N N
E E
KT KT
KT
= +

+
10
17
10
19
p+N
+
r
t
a
d
o
r
e
s
10
15
p N
D
n c
i

n

d
e

P
o
r
10
11
10
13
n
p
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0
10
9
C
E -E [eV]
n
i
E
F
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 40
E
F
-E
V
[eV]
Degeneracin
Al aumentar la concentracin de impurezas el nivel de Fermi se acerca a BC o BV
E
C
-E
F
< 3KT o E
F
-E
V
< 3KT no es vlida la aproximacin de Boltzman E
C
E
F
3KT o E
F
E
V
3KT no es vlida la aproximacin de Boltzman
* 3/2
0
3
4 (2 ) 1
( ) ( )
n
n C
m
n g E f E dE E E dE
E E
h
t

= =
| |
} }
0
3
( ) ( )
1 exp
C C
n C
F
E E
g f
E E
h
KT
E E E E

| |
+
|
\ .
} }
* 3/2 1/2
4 (2 )
C F C
F
E E E E
KT KT
d
q q


= =
3/2 1/2
0
3
0
4 (2 )
1 exp( )
n
F
m d
n
h
t q q
q q

=
+
}

1/2
( )
2
0 1/2 0 1/2 0 0
2 2
( ); ( ' )
F
F
C F C F i
n N F p N F n p n
q
q q = = =
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 41
t t
Degeneracin
Si la concentracin de impurezas es muy alta, los electrones en el nivel de
impurezas empiezan a interaccionar
El nivel discreto se desdobla en una banda que se solapa con la BC o BV
La concentracin de portadores es muy alta el nivel de Fermi includo en BC o La concentracin de portadores es muy alta, el nivel de Fermi includo en BC o
BV
El semiconductor se comporta como un metal El semiconductor se comporta como un metal
E
D
E
C
E
E
F
E
E
F
E
C
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 42
E
V
Parmetros de algunos Semiconductores (T = 300 K)
Si Ge GaAs InSb
N atmico
14 32 31 - 33 49 - 51
P i Peso atmico
28.1 72.6 144.6 236.6
Estructura
Cristalina
Diamante Diamante Zinc -
Blenda
Zinc -
Blenda
Gap(eV)
1.12 0.67 1.42 0.17
Mnimos
Equivalentes en
BC
6 4 1 1
Masas Efectivas
paralaDensidad para la Densidad
de Estados
m
n
*
/m
o
1.08 0.55 0.067 0.0145
m
p
*
/m
o
0.55 0.35 0.47 0.60
N
C
(cm
-3
) 2.8310
19
1.0310
19
4.3510
17
4.3810
16
N
V
(cm
-3
) 1.0210
19
5.1810
18
8.1610
18
1.1710
19
n
i
(cm
-3
) 6.6510
9
1.510
10
1.7210
13
2.2210
6
2.6710
16
1.510

n
(cm
2
/Vseg) 1500 3900 8500 80000

p
(cm
2
/Vseg) 450 1900 400 1250
c
r
12 16 13 16
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 43
r
Tiempo de vida
t (seg)
2.5 10
-3
10
-3
~ 10
-8
~ 10
-8
Materiales Semiconductores
Grupo IV-IV
Aleaciones Si
x
Ge
1-x
Ultima generacin Transistores Bipolares Ultima generacin Transistores Bipolares
Aleaciones Si
x
C
1-x
Electrnica de alta Temperatura
Grupo III-V Grupo III V
Electrnica de alta frecuencia GaAs, InP
Optoelectrnica: GaAs, GaP, InP
Fotodectectores IR :InSb Fotodectectores IR :InSb
Compuestos emergentes GaN, LaN
Optoelectrnica azul, Electrnica de alta temperatura
Grupo II-IV Grupo II IV
Optoelectrnica azul : ZnSe
Energa Solar : CdS, CdTe
IR. Hf
x
Cd
1-x
Te f
x 1-x
Grupo IV-VI
Fotodetectores IR
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 44
Ingeniera de bandas
Ingeniera de Bandas Ingeniera de Bandas
Al
x
Ga
1-x
As
Gap Directo, 1.4eV<Eg<3eV (variando x) p g ( )
Buen acoplo con GaAs
In
1-x
Ga
x
As
y
P
1-y
G Di t 0 75 V<E <1 35 V Gap Directo, 0.75eV<Eg<1.35eV
Laseres Longitud de onda 1.66mm<<0.92mm
Hf
x
Cd
1-x
Te
x 1 x
Detector IR
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 45
Otros materiales: Contactos, Aislamiento
Pentium Intel Pentium Intel
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 46
Nanolectrnica : Quantum Dots
Espacio rodeado de barreras
d d que pueden ser atravesadas
por los electrones por efecto
tnel
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 47
Nanolectrnica : Nanotubos de Carbono
El dimetro del tubo y la manera en El dimetro del tubo y la manera en
que se enrolla determina si el nanotubo
es semiconductor (determina su
propiedades: ancho de banda etc) o p p )
metal.
Fotografa por AFM de un transistor Fotografa por AFM de un transistor
FET con un nanotubo. Los electrodos
estn separados ~1m
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 48
Nanolectrnica : Magnticos: Spintrnica
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 49
Nanolectrnica : Molculas, Molectrnica
Estados electrnicos
permitido entre dos
l t d electrodos
Niveles de energa en g
equilibrio (negro) y en
presencia de un campo
elctrico
a) Cadena lineal (Alcano)
elctrico
) ( )
b) Puente donor-aceptor (DBA)
c) Quantum Dot molecular
d) Diferentes grupos funcionales con diferentes d) Diferentes grupos funcionales con diferentes
estados intermedios. ([2] rotaxano). Mismo
tipo que ADN
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 50
Electrnica en el futuro
The system on a chip of the future? The system-on-a-chip of the future?
Electrnica I I - Semiconductores en Equilibrio 51