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Calentador por induccin de alta frecuencia

http://www.qsl.net/lw1ecp Ing. Daniel Prez LW1ECP (ltima actualizacin: Abril 2009) (Febrero 2009, la nota se ir ampliando y corrigiendo prximamente. No apunta necesariamente a cmo construir el circuito, sino brindar criterios de diseo y detalles de cmo se lleg al circuito final). Esto naci para incorporarlo a un trabajo prctico de la carrera Mecnica de la UTN FRBA, ao 2008 (*) en que se deba automatizar un proceso. - Proceso elegido: dilatar un buje o camisa de hierro, y calzarlo alrededor de un rodamiento. Habitualmente se calienta los bujes en un horno a gas y luego se colocan manualmente. - Proyecto: producir el aumento de temperatura de aprox. 200 grados en un lapso de 20 segundos, por medios electrnicos, y manipular las piezas en forma neumtica y/o magntica. El calentamiento se har aplicando un intenso campo magntico de decenas o cientos de kHz al buje. Esto genera calor debido a: - Las corrientes parsitas inducidas (llamadas corrientes de Foucault o "eddy"), que producen calor gracias a las prdidas por resistividad del metal (efecto Joule), reforzadas por el efecto pelicular. - En el caso de metales ferromagnticos tambin se produce calor por histresis: las molculas del material se resisten a los cambios del campo magntico. (*) El grupo "Calentador por Induccin para el Montaje de Rodamientos sobre Camisas" obtuvo el 1er puesto de la categora Trabajos Prcticos en la Feria de Proyectos 2009 UTN FRBA, el 30/04/09. Clculo de la potencia necesaria: La pieza elegida para el trabajo tiene peso = 133g, alto = 26mm, D interno mnimo = 43mm, externo = 55mm. El calor especfico del hierro es de 3537 joule / (dm3 * Kelvin) a la temperatura ambiente (el nmero exacto depende de cmo fue trabajado el metal). Expresado en palabras, esto significa que para aumentar en 1 grado la temperatura de 1dm3 de hierro hace falta entregarle 3537 joules de energa. Como ese dm3 pesa 7,87kg (o mejor dicho, tiene una masa de 7,87kg), equivale a decir que hace falta 449 joule por kg. Como comparacin, el agua necesita 4186 joules/kg, o bien 1 "calora chica" por gramo para los nostlgicos. Para elevar 200 grados en 20s a nuestros 133g se necesitar 449J/(kg*K) * 0,133kg * 200K / 20s = 600W. Se debe proyectar el circuito para entregar una potencia mayor, ya que parte de su salida se perder en la bobina, en las partes metlicas circundantes, y adems la pieza calentada ir disipando parte de lo recibido durante el perodo de calentamiento. Se decidi adoptar 1kW como meta. Para tener una estimacin del gradiente de temperatura en las pruebas, se recurri a determinar el instante en que la pieza es capaz de fundir un trozo de la soldadura comn para electrnica (60% Sn 40% Pb), que comienza a ablandarse a los 183 grados y se funde completamente a los 190. Si se necesitase una forma definitiva de medir la temperatura en produccin sera por mtodos sin contacto, mediante la longitud de onda pico en el espectro radiado por la pieza (leyes de Wien y Planck). Los mtodos tradicionales (diodo, termistor, termocupla, PT100) no son convenientes para medir la temperatura de una pieza removible, ya que precisamente una recomendacin comn a ellos es que tengan un buen contacto trmico con ella. De todos modos, como todas las piezas en el proceso seriado tendrn la misma masa y aleacin, bastar con medir la temperatura por nica vez cada vez que haya un cambio en las mismas. Por otro lado, la temperatura final no es un parmetro crtico, sino un compromiso entre la dilatacin (cuanto mayor, menos crtica la colocacin) y el tiempo y potencia necesarios.

Cmo inducir las prdidas:

Bsicamente se coloca una bobina alrededor o cerca de la pieza a calentar, y se le aplicar la excitacin. La etapa de potencia ver una carga que es parcialmente resistiva y parcialmente inductiva. Veamos por qu la parte inductiva impide aprovechar al mximo esta etapa. Podemos estudiarlo usando indistintamente el equivalente R L serie o el paralelo (obviamente cada uno tendr distintos valores de R y XL): - Si queremos verlo como R y X en serie, pensemos que la X impide aplicar la totalidad de la tensin a la R, desperdiciando parte de la tensin de que es capaz la etapa de potencia. - Si lo vemos como un paralelo, entonces la X obliga a la etapa de salida a entregar una parte de corriente reactiva intil, que slo sirve para aumentar la corriente total a la salida. Debemos cancelar de algn modo la reactancia inductiva mediante una capacitiva, a la frecuencia fundamental de la excitacin. Hay dos o tres maneras: 1) Capacitor en paralelo con la bobina: la Z del conjunto ser mxima en la f de resonancia, pero baja en las armnicas. Dicho de otra forma, un generador de tensin de onda cuadrada ideal, aplicado a un capacitor ideal, produce picos de corriente infinita en los flancos. Por lo tanto, no admite una excitacin de onda cuadrada desde una salida de baja Z como los totem-pole (transistor saturado arriba / transistor saturado abajo). S puede excitarse por un nico transistor o vlvula, en clase C, en que el elemento activo conduce sobre slo una parte del ciclo: cuando la tensin que tiene aplicada es ms bien baja. Un ejemplo se muestra en: http://repairfaq.ece.drexel.edu/sam/sspo1sch.pdf

circuito cuya impresionante sencillez tent a construir una versin estado slido de menor potencia:

Idealmente la tensin pico a pico en drenaje es de 2 * Vdd. Es importante evitar un excesivo ngulo de conduccin, porque ello aumenta la Vds pico tras pasar al corte, tendiendo a funcionar como una salida horizontal. El diodo se encarga de ajustar automticamente la polarizacin para evitar este peligro.

Finalmente se abandon el prototipo al comprobar que sera imposible aprovechar al mximo el transistor (debido al bajo ciclo de trabajo de Id a que obliga la clase C), sumado al desafo de lograr una etapa de potencia autooscilante que se comportase de forma predecible. 2) Capacitor en serie: la alta Z del conjunto en las armnicas es bienvenida por los transistores de salida. Es la configuracin finalmente adoptada. 3) Varios circuitos usan una red que involucra una bobina de acoplamiento adicional a la de "trabajo", logrando una transformacin de impedancia en dos etapas. Por ejemplo: www.richieburnett.co.uk/indheat.html (buena explicacin terica con formas de onda) http://webpages.charter.net/dawill/tmoranwms/Elec_IndHeat1.html (circuito bien explicado, casi listo para armar, pero algo complicado).

Circuito finalmente armado (a la fecha de la ltima actualizacin de esta pgina):

C2: 1n

R21: shunt no

Todos los NPN y PNP

mylar inductivo C17: 330u R22, R42: 47k 385V 1W C23: 1000u R38: ajustar para 50V Vce Q18 a punto C15, 16, 32, de cambiar, con 19, 20, 25, Vent=0 26, 27, 28: R30: 4 de 0,47 MKP, ver 10W en serietexto paralelo

no indicados son BC548 y BC558. Todos los diodos no indicados son 1N4148. L1: cuenta ferrite VR1: 1k lineal Contactor: opcional

Frecuencia: La frecuencia para estas aplicaciones depende de la profundidad del material a calentar. Cientos de kHz producen un calentamiento ms superficial que con decenas, debido a la menor profundidad del efecto pelicular. Pero esto tiene relevancia slo para ciertos tratamientos trmicos, y que involucran temperaturas muy superiores a la buscada aqu. Arbitrariamente se adopt 50kHz. Nota: la tradicional calificacin de "alta frecuencia" es simplemente para destacar que es mucho ms alta que la de red; la definicin que se aplica no es la de "HF = 3 ... 30MHz".

Alimentacin: Para simplificar la alimentacin de la etapa de potencia, inicialmente se decidi disearla para 300Vcc (220V rectificados y filtrados, menos cadas en diodos y R en serie). El C de filtro sera del orden de 1000 a 2000uF. No es necesario estabilizar frente a variaciones de la red, stas simplemente ocasionan una variacin del tiempo necesario para alcanzar la temperatura. Luego se cambi de idea: ya que no es importante si la seal de salida tiene o no amplitud constante, por la gran inercia trmica de la pieza, se decidi utilizar 220V rectificados onda completa pero sin filtrar. Esto har que el valor eficaz de la tensin de alta frecuencia se divida por raz de 2 (promediando a lo largo de un semiciclo de la red), esto reduce la potencia entregada a la mitad. Se corrige reduciendo a la mitad la R de carga para mantener la potencia, y se debe elegir transistores con doble corriente de pico, pero esto se compensa ampliamente con el menor costo en electrolticos (1000uF cuestan aprox. como cuatro de los transistores). Otros bonus: - Se evita los picos en la corriente de red caractersticos de los rectificadores con capacitor de entrada. Y como la corriente consumida por la etapa de salida es prcticamente proporcional a la tensin recibida, la corriente sobre la red ser bastante senoidal, con pocas armnicas, y en fase con la V de red, o sea con un excelente factor de potencia. - Tampoco se producir un pico de corriente desmedido en el momento de conectar a la red con los electrolticos descargados, el puente rectificador estar agradecido, y no har falta sobredimensionar el fusible. - Tambin se ahorra un volumen importante. Esta misma solucin es comn en los "transformadores electrnicos" para lmparas dicroicas: se prescinde del electroltico de filtro. A la lmpara le llega una onda (cuadrada en este caso) modulada por la alimentacin de onda completa no filtrada. Se aprecia que hay una pequea capacitancia (~2uF) filtrando la alimentacin, pero ello es slo para desacoplarla a la frecuencia de trabajo. Sobretensiones breves desde la red: Al no usar electrolticos tras el puente, desgraciadamente tampoco se filtran los picos peligrosos desde la red, breves pero con tensiones muy altas. Son producidos por la conmutacin de grandes consumos, o la cada de un rayo cercano. En "Protect your equipment from damaging power-line transients" QST Feb 1982 se menciona la probabilidad de picos de 6kV por 10us en lneas de 115V. Soluciones posibles:

- Agregar una R en serie desde la red, y un varistor en paralelo, el cual debe ser capaz de absorber una energa importante. - O bien, reemplazar el varistor con un electroltico en serie con un diodo, del lado rectificado. El diodo carga al C al valor pico de la onda normal de red por nica vez, y luego evita que ste la provea a la etapa de potencia. Pero ante una sobretensin breve, el C actuar como un varistor. Se agrega un R de "sangrado" en paralelo para evitar que la tensin del C se vaya incrementando ante una sucesin de sobretensiones. De todos modos, si la etapa de potencia va a permanecer inactiva la mayor parte del da, convendr que el circuito de control le corte la alimentacin mediante un contactor para minimizar la probabilidad de daos. En ese caso, el transformador de alimentacin tendr un secundario de doble tensin y se agregar un regulador de 24V para la bobina. De no usarse contactor, el mismo transistor que se encargara de la bobina se utiliza para controlar la pata de reset del divisor como forma de habilitar o no la excitacin.

Transistores de salida: Se decidi utilizar MOS de potencia. Su alta velocidad de conmutacin y amplia rea segura de operacin (SOA) (por carecer de segunda ruptura) simplifica el diseo, obviando algunas preocupaciones que exigen los bipolares. Por otro lado, los precios de los MOS han bajado tanto que ya no es necesario hacer los balances de costos para tomar decisiones que se encuentran en los textos de los '90 u '80. La preocupacin ms bsica en cuanto a la seguridad de los transistores se logra con zeners espalda contra espalda entre compuerta y surtidor, se conectaron directamente sobre cada MOS (no en la placa) a fin de mantenerlos protegidos an si accidentalmente se cortaran las conexiones a la placa de control durante las pruebas. Las protecciones dinmicas se detallan en otro apartado. Trabajar con una carga resonante tiene como ventaja adicional que los transistores no necesariamente deben tener alta velocidad de conmutacin, ya que un transistor se cortar en el momento en que su corriente haba cado a cero, y el otro se encender con una corriente que subir gradualmente desde cero. El resistor de 0,1 ohm es un shunt no inductivo al slo efecto de monitorear la corriente durante el desarrollo. El resistor de 1M entre la masa del circuito de control y la flotante es para descargar tensiones estticas entre ambas secciones. Debe ser un modelo de alta tensin (metal glaze, cuerpo celeste). En teora, el diodo interno de cada transistor debera garantizar que la Vds del otro no pueda exceder la V de alimentacin. Sin embargo es inevitable la presencia de picos de tensin debidos a L * di/dt donde L es la inductancia de las conexiones, y di/dt es la velocidad de variacin de Id. Por ello conviene disear la ubicacin fsica de los MOS en el disipador de modo que la conexin entre ellos y el desacople de la alimentacin sean bien cortos. Este efecto es menos serio si se hace conmutar de un transistor al otro cuando Id es baja.

La bobina: Se construy experimentalmente, con un dimetro interior algo mayor al externo de la pieza, y tanteando la cantidad de espiras para que en resonancia ofrezca a los transistores el valor de componente resistiva necesario para la potencia deseada. Puede considerrsela como un transformador de impedancia, en que el secundario es 1 espira, la pieza a calentar. Si p. ej. se disminuye la cantidad de espiras, la bobina se ver como una menor reactancia, necesitar mayor C en serie, los transistores vern una R menor y entregarn mayor potencia, tericamente. Termin constando de 29 espiras d=2mm en tres capas de 9 2/3 cada una. Estn bobinadas al aire, manteniendo su posicin enhebrando las espiras en costillas como se muestra en la imagen, mtodo similar al de las bobinas de salida en transmisores. Cada capa se bobin sobre un cilindro de dimetro algo inferior al definitivo, y luego se fue insertando la punta del alambre por cada agujero de costilla. Se lubric los agujeros para facilitar el deslizamiento. Una vez terminadas de insertar las tres capas, se procede a conectarlas en serie cuidando que queden en fase: por

razones constructivas, el extremo izquierdo de una capa deber unirse al derecho de la siguiente pasando por encima del conjunto.

Las costillas se hicieron de plaquetas de fiberglass. Para dar rigidez al conjunto, se aplic cianoacrilato alrededor de los agujeros, previo enjuague de los restos de aceite. Si se requiriese que la pieza alcance mayores temperaturas, ser necesario usar otro material como el PTFE (Tefln (R) ) y prever el enfriamiento de la bobina p. ej. soplndola entre operaciones. Se coloc lengetas de tela trmica entre capas en los lugares donde la irregularidad del devanado pudiese hacer que haya contacto fsico, para no depender de la integridad del esmalte. No conviene recubrir las capas totalmente para permitir que se ventilen los alambres.

Los capacitores: Deben ser capaces de tolerar la corriente de la bobina. Para tratar de utilizar un modelo que sea comn en plaza, se pens en el tipo utilizado para acoplar las bobinas de los yugos horizontales. El dielctrico MKP es de los mejores, polipropileno con un tipo de metalizacin (film-foil) resistente a las altas corrientes impulsivas. Se dispona de un lote de capacitores de 0,68uF 400Vcc Siemens Brasil modelo TMACF, empleados precisamente para acople de yugo. Fue imposible hallar la hoja de caractersticas, pero se asumi que son similares a los Siemens B32651-B32656

En las ondas, "I" y "S" son los tiempos en que conduce el transistor inferior y superior respectivamente.

Etapa driver: Debe considerar estos aspectos: - Los MOS de potencia poseen una capacitancia de entrada en el orden de miles de pF, lo que obliga a suministrar generosos impulsos de corriente (del orden del ampere o ms) si se la desea cargar y descargar rpidamente. Adems est el "efecto Miller" introducido por la capacitancia de realimentacin interna (Cdg) que complica el anlisis. - Por otro lado, uno de los transistores debe tener una excitacin flotante con respecto al otro (el surtidor del transistor superior est a 300Vpp de "distancia" del inferior). Se decidi usar un excitador totem-pole de simetra complementaria. Alimentado con la tensin antes del regulador de 12V producir una salida de aprox. 14Vpp. en los emisores. El transformador tiene relacin 1:2 entre primario y cada secundario, por lo que las compuertas recibirn +14 y -14V en conduccin y corte respectivamente. +14V es un valor generoso en comparacin con los +10V que se suele recomendar para plena conduccin. Por simplicidad, se eligi como excitacin una simple onda cuadrada, sin tiempo muerto entre semiciclos. Esto implica el peligro de que un transistor comience a conducir cuando el otro an no se haya cortado totalmente, por ms que los MOS casi no tengan tiempo de almacenamiento. Tendramos un cortocircuito (crowbar) momentneo sobre la alimentacin, con serio peligro para los transistores. La idea en {simult} es agregar una red resistor-diodo en cada compuerta de modo que la Cgs se cargue lentamente pero se descargue rpido.

Cabe aclarar que estas formas de onda valen para impedancia de generador cero. En nuestro circuito, la Z desde el excitador no result tan baja como sera deseable, lentificando la velocidad de crecimiento de Vgs, por lo que an sin la red R-D no debera haber mucho problema. El transformador consta de 5 espiras en primario, y 10 en cada secundario. Los secundarios se devanaron bifilarmente, con el primario sobre ellos tratando de cubrir la misma longitud. Estas precauciones apuntan a maximizar el acoplamiento (disminuir la L de dispersin). El ncleo est groseramente sobredimensionado: E42/15 (42 x 42 entre las dos E, 15 x 12 de rama central). Se prefiri un ncleo con seccin generosa (alto Al) para conseguir la L de magnetizacin necesaria con mnima cantidad de espiras, otra medida para bajar la L de dispersin. An as, sta es el factor limitante para la velocidad de crecimiento de Vgs. La R de 1 ohm en el retorno del primario se haba colocado inicialmente para medir la I primaria, pero despus se comprob su necesidad para evitar una oscilacin subamortiguada en Vgs. Se emple alambre forrado tomado de un multipar telefnico, con mejor aislacin que un esmaltado. En el esquemtico se incluyen muchos componentes entre el transformador y los MOS, que no estn colocados. Son en previsin de que se necesite excitar cargas capacitivas an mayores, en caso de utilizar MOS en paralelo. La excitacin ser de una sola polaridad (~+12V y 0V). El transformador ser de relacin 1:(1+1). Tambin se prev unos pocos V de semiciclo negativo en caso de emplear IGBTs que lo requieran. An si no se emplean los transistores adicionales, excitar con una sola polaridad beneficiara a los transistores del primario por la menor relacin de transformacin: vern la cuarta parte de capacitancia reflejada. Ya que un MOS est perfectamente cortado con Vgs=0, aplicarle un semiciclo negativo simtrico al positivo es desperdiciar coulombs. El primario es excitado por un totem-pole que suministra las altas corrientes de pico en los flancos. En el caso del NPN fue necesario poner dos en paralelo ya que se quedaba corto de hfe a esas corrientes. La tcnica de retornar los resistores retornados al primario es el conocido mtodo de bootstrap para tener la mxima excursin posible en las bases. El inductor mostrado es una cuenta de ferrite para desalentar oscilaciones de MHz. El diodo de germanio entre base y colector en el pre-driver disminuye su tiempo de apagado al evitar la saturacin (conduce cuando el colector es 0,2 o 0,3V ms negativo que la base). La red RC en base del pre-driver tambin es vital para acelerar el apagado. Tengamos en cuenta que a 50kHz cada semiciclo dura 10us, y sin estas precauciones el apagado se demora en el orden de 1us, lo que altera seriamente la simetra de la excitacin. Precauciones ya olvidadas sobre los diodos de germanio: evitar recalentarlos, y que se fracture el vidrio al doblar las patas. Las altas Ic transitorias de los drivers exigieron un desacople de su alimentacin bien cercano, y con un cermico en paralelo con el electroltico.

Protecciones:

Una vez seguros de que nuestros MOS trabajan holgados en cuanto a tensin y temperatura, restan dos factores de peligro durante el uso: - Exceso de corriente. Se toma una muestra de la corriente de salida mediante un transformador de corriente. Su primario es 1 espira de chapa de cobre en serie con el retorno de la bobina de trabajo, y su secundario de cientos de espiras est cargado con una R sobre la que se desarrolla una tensin proporcional a la corriente muestreada. Un C en paralelo plancha el fuerte ringing en los flancos. Si cualquiera de los picos de esta tensin excede un umbral de 1 juntura, se obliga al oscilador a aumentar su frecuencia, con lo que el LC se lo excitar fuera de resonancia, disminuyendo as la corriente. sta podra darse p. ej. por la ausencia de pieza (la salida ver muy baja R debido a que la bobina no tiene amortiguacin de su Q), o la introduccin de una pieza no ferrosa (ausencia de prdidas por histresis). El secundario de este transformador es el balasto de una fluorescente compacta de 20W. Su inductancia con ncleo era de 5,3mH segn rezaba una inscripcin. Se estima visualmente que tiene 8 capas de unas 35 espiras c/u. Bastara con sensar uno solo de los semiciclos ya que ambos son prcticamente iguales, ms an en rgimen permanente o si la carga vara lentamente. Pero se decidi sensar los dos en caso de que resultase importante alivianar el filtrado del lazo, para duplicar la velocidad de respuesta ante excesos de corriente repentinos. Un transistor sensa un semiciclo entrando por la base, y el otro por emisor. Las impedancias de entrada de cada caso son muy distintas, pero no importa frente a la baja Z desde la cual se los excita.

- Recuperacin forzada del diodo interno. Sabemos que un MOS excitado en conduccin presenta una baja Rds que tambin vale para Id negativa. Pero cuando Vds se hace ms negativa que 1 juntura, conduce su diodo interno. Bien, cuando el LC es excitado con una f inferior a la de resonancia, o sea que su perodo es demasiado largo, la orden de cortarse le llegar al MOS despus que su Id haya llegado a 0, o sea que intentar cortarse teniendo Id negativa. Muy poco despus, ser el otro MOS el que conduzca. Si en ese momento an estaba conduciendo el diodo del transistor anterior, tenemos un serio problema: el diodo de un MOS es mucho ms lento para cortarse (recuperarse) que su transistor propiamente dicho, e insistir en seguir conduciendo un ratito ms hasta que acepte la realidad de que debera estar cortado. Entonces tendremos un breve cortocircuito sobre la alimentacin: un diodo que an no lleg a cortarse, en serie con un MOS recin encendido. Esto puede causar la destruccin de los transistores. Esta condicin de corriente muy breve y muy alta tambin aumenta el ringing en Vds debido a las inductancias de las conexiones, esto se observa fcilmente con el osciloscopio. La forma en que se lo evit es detectando la polaridad de la corriente muestreada en la 2a mitad de cada semiciclo: si se detecta polaridad anormal en algn momento, se hace subir la f del oscilador aumentando la fuente de corriente. La ventana de tiempo para la deteccin se implement usando la frecuencia de excitacin, ms una onda con el doble de frecuencia, y compuertas NAND. A su vez, esta frecuencia doble se obtiene tras dividir por 2 el oscilador maestro para lograr un ciclo de trabajo constante frente a los cambios de frecuencia del VCO, por lo tanto ste funciona al cudruple de la f de excitacin. Debido a los retardos de la etapa driver y de salida, el cambio de un MOS al otro se produce un cierto tiempo despus que se cerr la ventana de deteccin, por lo que puede llegar a haber algo de corriente negativa que pase inadvertida. Para corregir esto, se decidi producir un adelanto de fase en el transformador de corriente, disminuyendo su inductancia. Se termin por eliminar su ncleo de ferrite quedando en 443uH. Como se necesit disminuirla un poco ms, se le conect en paralelo un inductor de 600uH (una bobina de FI de AM, Spica). Nota: por un error grosero, se omiti agregar un inversor en una de las entradas de las NAND, por lo que slo se detecta la corriente negativa en uno de los semiciclos, pero la efectividad de la proteccin result ser adecuada de todos modos, gracias a la simetra de la salida. Si se insistiese en sensar ambos semiciclos sin agregar packs de compuertas, una idea es usar una cudruple NAND de 2 entradas: la NAND extra se usara para el inversor omitido, y R33 se alimentara desde la salida D0.

Oscilador: Es un VCO que en el 1er prototipo consista en un NE555. Como luego se necesit hacerlo trabajar al cudruple de la f de salida (por lo mencionado en Protecciones), variable entre 200 y unos 800kHz, fue necesario apelar a otra solucin. Se adopt un oscilador basado en un inversor CMOS con histresis (disparador Schmitt). El C es cargado por una fuente de corriente variable, y descargado desde la salida del Schmitt, con la ayuda de un PNP para rapidizar la descarga a fin de maximizar la relacin frecuencia / corriente. El C es de mylar. Con un potencimetro se le da un rango de 200 a 400kHz (normalmente trabajar cerca de la mnima). Ante la actuacin de una de las protecciones, su frecuencia sube. Se aprovecha el resto de la cadena divisora del contador para bajar hasta una frecuencia audible = fsal / 128, la que es aplicada a un parlantito, dando as al operador una respuesta inmediata del estado del funcionamiento. La forma de usar el calentador por primera vez es, con el ncleo colocado, comenzar con el potencimetro en mxima frecuencia, e irla reduciendo hasta notar que el sonido se hace sucio, al modularse 100 veces por segundo debido a la proteccin contra Id negativa. Entonces se retrocede el control ligeramente. Los LED verdes en base de la fuente de corriente limitan la mxima excitacin a la misma. Si no se toma esta precaucin podra darse un caso extremo en que el transistor se sature en el pico positivo del diente de sierra. El R de descarga inicialmente no exista, y la descarga era tan rpida que el Schmitt no reaccionaba a tiempo al alcanzarse el umbral inferior y la descarga segua por debajo de ste. Por otro lado, el diodo en emisor es necesario porque la Vbe inversa durante la carga excede la Vbe de ruptura del transistor. Inicialmente se haba colocado en serie con la base, pero esto retardaba mucho el corte del transistor.

Compatibilidad electromagntica: El circuito actualmente carece de filtrado de interferencia conducida hacia la red, e interferencia radiada. Esto implica que en las cercanas del circuito, los receptores de onda media y parte baja de HF pueden recibir fuerte interferencia al sintonizarlos en las armnicas de la frecuencia de conmutacin. - La interferencia conducida se reduce con un filtro similar al que tienen (o deberan tener) las fuentes de PC, monitores y TV; un choke bifilar en serie con los conductores de red, con capacidad de corriente adecuada, ms capacitores grado "X" en paralelo con la red, y capacitores grado "Y" entre cada polo y tierra. - La interferencia radiada normalmente se controla encerrando el circuito en un recipiente metlico, pero en nuestro caso ser ms difcil de aplicar ya que parte del sistema inevitablemente debe estar en el exterior. En todos los pases hay lmites de interferencia establecidos que deben respetarse para poder comercializar dispositivos electrnicos.

Deducciones sobre la forma de onda:

La onda de excitacin es un caso especial para analizar, debido a la particular forma de alimentar a la etapa de potencia. Necesitamos conocer el valor eficaz y pico tanto en cada transistor (que conduce durante media onda) como en la bobina. Por simplicidad adoptaremos que sta es senoidal, aunque ello sera ms rigurosamente exacto si el Q cargado del LC fuese mayor. El caso de una senoidal rectificada de onda completa y de media onda son bien conocidos, se tabul las relaciones entre los valores, tres veces, normalizando uno de ellos en cada vez para mejor conveniencia:

En nuestro caso:

Como se mencion, hubo etapas del proyecto en que se recurri a tanteos, por lo que algunos de los nmeros a continuacin no corresponden al estado final del circuito. En {potenc04} tenemos un balance de potencias para el caso de alimentar con CC pura.

En a) se ignoran las prdidas por Rds en los MOS y las prdidas propias de la bobina. Ntese que una senoidal procedente de una cuadrada a la que se le sacaron todas las armnicas tiene una tensin de pico superior. En b) se agrega la presencia de los transistores y el Q no infinito de la bobina (y capacitores). Como los transistores conducen de a uno, en c) se considera una nica Rds en serie permanentemente. Hasta ese momento se consideraba el uso de transistores IRFP450, con Rds mxima = 0,8 ohm para una temperatura de 100 grados. Por las relaciones informadas en las formas de onda, tras elegir alimentacin con continua pulsante, vemos que a igualdad del resto de valores, la I eficaz se divide por 1,41. O sea que las potencias bajan a la mitad. Para mantenerlas, se deber reducir las resistencias a la mitad. Esto implicar doble corriente de pico que con CC pura (25,3A). Por lo tanto se decidi a cambiar a transistores IRFP460, los que adems poseen menor Rds (<0,48 @ 100 grados).

Lista de deseos: - Un calentador por induccin tendr ms aplicaciones en la industria si se lo prev para tratamientos trmicos, los que requieren temperaturas muy superiores a la de este proyecto, del orden de los 900 grados para lograr la estructura en austenita. Desgraciadamente, cuando se supera la llamada temperatura de Curie del hierro (unos 768 grados segn la aleacin) desaparecen las propiedades magnticas y por lo tanto las prdidas por histresis, debiendo conformarnos con slo las prdidas Joule por las corrientes inducidas y la resistividad. Nuestro circuito, dejndolo el tiempo suficiente, llega al punto de Curie que corresponde a un rojo sombra en la pieza. Para poder seguir subiendo se necesita cambiar la transformacin de impedancia, y exagerar las prdidas por las corrientes subiendo la frecuencia, lo que achica la profundidad pelicular. - A la fecha, el circuito est restringido a menos de 1kW mediante el resistor de potencia externo de 20 ohm. ste se dej hasta localizar y corregir un indeseable aumento gradual de Vds(on) de los MOS con el correr de los segundos, tema de una prxima actualizacin. - Tambin es deseable contar con mayor potencia. 1kW es apenas el umbral de los equipos comerciales. Para aumentar la potencia puede recurrirse a transistores con mayor capacidad de corriente. Para subir an ms, se agrega transistores en paralelo. Una alternativa mejor al paralelo es tener varios mdulos individuales, sincronizados en fase, y combinar sus salidas. Es lo que se utiliza en las etapas de potencia en radiodifusin. Ante una eventual puesta en cortocircuito de uno de los transistores se evita la destruccin de los que estn en el otro lado de la alimentacin. Adems, se puede seguir con el resto de los mdulos sin interrumpir el servicio, con slo una disminucin en la potencia. En los niveles de potencia en que termina la gama de los MOS, comienza la de los IGBT (insulated gate bipolar transistor), como los usados en variadores de velocidad para motores asincrnicos. Pero como en definitiva es un bipolar interno el que se encarga de conmutar la corriente, los IGBT tienen inconvenientes similares a los bipolares en cuanto a SOA y tiempos de conmutacin, por lo

que se impone un diseo ms cuidadoso. Afortunadamente, pueden trabajar en mayores frecuencias cuando la carga es resonante como en nuestro caso. Una mayor potencia tambin implicar cambiar a red trifsica. El rectificador convertir 380V eficaces en continua pulsante con 537V de pico (menos cadas). Como es sabido, 380 = 220 * sqr(3). En teora, la tensin en la carga aumentar en raz de 3, y la corriente tambin, triplicando la potencia manteniendo la misma L y C. Esto requerir transistores con Vds de 800V. Pero tambin se tendr el conocido beneficio de la trifsica, en que la tensin rectificada tiene bastante menos ripple sin necesidad de filtrar con capacitores. Su valor eficaz es 95,6% del de pico, con lo que el factor de aumento de potencia termina siendo de 3 * (0,956 / 0,707)^2 = 5,5. Mayor potencia, y lograr mayores temperaturas con un alto ciclo de trabajo, implicarn mejorar el enfriamiento de la bobina. En los diseos que emplean baja inductancia, o sea pocas espiras, se suele utilizar cao de cobre refrigerado con lquido interiormente. Los capacitores tambin requerirn una cuidadosa atencin, so pena de una muerte prematura. No se pretende que se escale el circuito de esta nota a potencias mayores, se recomienda buscar diseos de la potencia deseada ya probados. - Una mejor forma de excitar los MOS es mediante circuitos integrados especficos para ese uso, como la lnea IR2xxx, lo cual simplifica el circuito, la molestia de armar el transformador, y se evita un factor limitante de la velocidad de conmutacin (la L de dispersin). Lamentablemente en la actualidad poseen tensiones mximas que los limitaran para diseos alimentados desde 220Vca. - Otras aplicaciones para un inversor CC-CA como el de este proyecto seran soldadura por arco o por punto.

Circuito impreso:

(Al guardar la pgina quedar en tamao original)

Aspectos de seguridad: La parte de potencia de este circuito NO tiene aislacin con respecto a la red elctrica en su seccin de potencia, incluyendo la bobina. Tome todos los recaudos para evitar un contacto con el cuerpo!. Durante todo el desarrollo se trabaj sobre una mesa de madera y colocando un hardboard en el piso bajo la silla y los pies. Se tuvo que cortar a propsito la 3a pata en la ficha del osciloscopio para poder hacer mediciones con respecto a chassis vivo. Si tiene un transformador 220:220 de 1kVA ser mucho ms saludable.

Aspectos legales: La informacin de esta nota se presenta segn la modalidad "vivir y dejar vivir": haga lo que quiera con ella; rmelo tal cual o modificado; por hobby o lucro; si gana dinero no le voy a cobrar comisin; si quiere mencionar la fuente, mejor, si no, al menos atribyase slo sus mejoras. PERO me reservo el derecho de hacer dinero con ella si el da de maana me viere obligado. Aprovecho para recomendar la navegacin de Don Lancaster's Guru's Lair - Patent Avoidance Library

www.tinaja.com/patnt01.asp en especial: The Case Against Patents CASAGPAT.PDF donde recomienda "publish all your key secrets and ideas in a major magazine". Es precisamente lo que estoy haciendo aqu. Srvase descargar mi artculo a su equipo.

Las ideas de alimentar las compuertas sin tiempo muerto, y de sacar de resonancia al tanque de salida como forma de variar la potencia, se tomaron de "200kHz power FET technology in new modular power supplies", HP Journal Aug 1981 <eof>