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Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

2.a. Tema: Amplificación de pequeña señal con


transistores BJT
Las señales de pequeña amplitud y baja frecuencia permiten al BJT trabajar en la zona
lineal. En estas condiciones, el modelo de parámetros híbridos se convierte en la mejor
herramienta para analizar el funcionamiento del transistor BJT en pequeña señal. De
este modo,

 el comportamiento del transistor se puede describir mediante unas ecuaciones


lineales y sencillas.

 el transistor se puede sustituir por un circuito equivalente compuesto por


elementos lineales, lo cual permite utilizar las leyes comunes de la electrónica
(Ohm, Kirchoff, Thevenin) para su resolución.

2.a.1. Definición de los parámetros híbridos

Para conseguir el modelo de pequeña señal de un transistor BJT analizaremos el


transistor como un cuadripolo, desarrollando las ecuaciones que relacionan las tensiones
y corrientes de entrada y salida.

variables iI y vI, valores instantáneos de entrada


variables iS y vS, valores instantáneos de salida

las variables iS y vI son dependientes, mientras iI y vS son independientes

vI = f1 (iI , vS )
iS = f 2 (iI , vS )

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Desarrollando estas funciones en serie de Taylor:

∂v I ∂v I
∆v I = ⋅ ∆i I + ⋅ ∆v S
∂iI vS = kte
∂v S iI = kte

∂iS ∂iS
∆iS = ⋅ ∆i I + ⋅ ∆v S
∂i I vS = kte
∂v S iI = kte

Las derivadas parciales son los incrementos de las variables y en pequeña señal, dado
que dichos incrementos son pequeños, coinciden con los valores instantáneos:

∆v I ∆v I
vI = ⋅ iI + ⋅ vS
∆i I vS = kte
∆v S iI = kte

∆i S ∆i S
iS = ⋅ iI + ⋅ vS
∆i I v S = kte
∆v S iI = kte

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Rescribiendo las ecuaciones de otra manera, el significado de los parámetros híbridos se


entiende mucho mejor:

vi vi
vi = ⋅ ii + ⋅ vs
ii vs = 0
vs ii = 0

is is
is = ⋅ ii + ⋅ vs
ii vs = 0
vs ii =0

hi [Ω] impedancia de entrada con la salida en cortocircuito.

hr [adimensional] ganancia inversa de tensión con entrada en circuito abierto.

hf [adimensional] ganancia de corriente con la salida cortocircuitada.

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ho [Ω-1] conductancia de salida con la entrada en circuito abierto.

v I = hi ⋅ i I + hr ⋅ v S
iS = h f ⋅ i I + ho ⋅ v S

Estas ecuaciones permiten dibujar el circuito equivalente de pequeña señal del BJT.

2.a.2. Circuito equivalente del BJT para pequeña señal

Dependiendo del electrodo común, cambiarán los subíndices de las corrientes, tensiones
y parámetros híbridos. El circuito equivalente de pequeña señal es el mismo en un PNP
que en NPN.

2.a.2.1. Emisor común

vbe = hie ⋅ ib + hre ⋅ vce


ic = h fe ⋅ ib + hoe ⋅ vce

ib ic
ib ic

vbe vce

ib ic
vbe vce

vbe vce

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2.a.2.2. Colector común

vbc = hic ⋅ ib + hrc ⋅ vec


ie = h fc ⋅ ib + hoc ⋅ vec

ib ie
ib ie

vbc vec

ib ie
vbc vec

vbc vec

2.a.2.3. Base común

veb = hib ⋅ ie + hrb ⋅ vcb


ic = h fb ⋅ ie + hob ⋅ vcb

ie ic
ie ic

veb vcb

veb vcb
ie ic

veb vcb

2.a.3. Valores típicos de los parámetros híbridos

En la siguiente tabla se muestran los valores típicos de los parámetros híbridos, siendo
Q[|IC|=1.3mA, |VCE|=5V], Ta=25ºC eta fS=1Khz.

hi hr hf ho
EK 2.1 KΩ 10-4 100 10-2 (KΩ)-1
KK 2.1 KΩ 1 -101 10-2 (KΩ)-1
BK 20 Ω ~10-4 -0.99 10-4 (KΩ)-1

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 hib es menor que en las otras dos configuraciones.


 hrb eta hre son muy pequeños (la salida apenas influye en la entrada).
 hfb es menor que uno.
 hfb eta hfc son negativos.
 hob es menor que en las otras dos configuraciones.

2.a.4. Criterios para simplificar el circuito equivalente

Para lograr un circuito equivalente más sencillo, aplicaremos dos simplificaciones:

 Despreciar hr en el circuito de entrada. Es decir, despreciamos el la influencia


que la salida pueda tener en la entrada.

 Si ho*Rl≤0.1, despreciamos ho en el circuito de salida.

2.a.5. Relación entre las distintas configuraciones

Los fabricantes de transistores sólo facilitan los parámetros híbridos en emisor común.
Por esta razón, nos conviene conocer la relación que tienen colector y base común con
emisor común.

NOTA: cuando no se conozcan los parámetros híbridos de emisor común, se utilizarán


las siguientes equivalencias:

VT V I CQ
hie = = T ⋅ h fe h fe = β hoe =
I BQ I CQ VA

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2.a.5.1. Circuito equivalente de colector común con parámetros de


emisor común

2.a.5.2. Parámetros híbridos de colector común en función de los de


emisor común

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2.a.5.3. Circuito equivalente de base común con parámetros de


emisor común

2.a.5.4. Parámetros híbridos de base común en función de los de


emisor común

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I i = −( I b + h fe ⋅ I b + I hoe )
Vi
Ib = −
hie
Vi
I hoe = − = −hoe ⋅ Vi
1
hoe
Vi V h + 1 + hie ⋅ hoe
Ii = + h fe i + hoe ⋅ Vi = fe ⋅ Vi
hie hie hie
Vib hie h 1
hib = = = ie ⋅
I ib Vob = 0
h fe + 1 + hie ⋅ hoe h fe + 1 1 + ie ⋅ hoe
h
h fe + 1

h fe + 1 + hie ⋅ hoe
Ii = ⋅ Vi
hie
 V  h + h ⋅h
I i = h fe ⋅ I b + I hoe = h fe ⋅  − i  − hoe ⋅ Vi = − fe ie oe ⋅ Vi
 hie  hie
h ⋅h
1 + ie oe
I h + h ⋅h h h fe
h fb = ob = − fe ie oe = − fe ⋅
I ib V = 0 h fe + 1 + hie ⋅ hoe h fe + 1 1 + hie ⋅ hoe
ob
h fe + 1

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Ib = −Io
h fe ⋅ I b
Vo +
hoe Vo ⋅ hoe − h fe ⋅ I o
Io = =
1 1 + hie ⋅ hoe
hie +
hoe
I o ⋅ (1 + hie ⋅ hoe ) = Vo ⋅ hoe − h fe ⋅ I o
hoe
Io = ⋅Vo
h fe + 1 + hie ⋅ hoe
I ob hoe h 1
hob = =− = − oe ⋅
Vob h fe + 1 + hie ⋅ hoe h fe + 1 h ⋅h
I ib =0 1 + ie oe
h fe + 1

V   I CQ  VT
hie ⋅ hoe =  T ⋅ h fe  ⋅  = ⋅ h fe
I  V  V
 CQ   A  A

h ⋅h V
⇒ ie oe = T
h fe VA
hie ⋅ hoe VT
⇒ ≈
h fe + 1 VA
h fe >>1

VT
<< 1
VA

hie h fe h
hib = h fb = h fb = oe
h fe + 1 h fe + 1 h fe + 1

2.a.5. Análisis de las diferentes configuraciones

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Análisis de las distintas configuraciones teniendo en cuenta todas las simplificaciones.

h fe ⋅ RL
∆v = − ∆i = −h fe
hie
Ri = hie Ro = ∞

h fe ⋅ RL
∆v = − ∆i = −h fe
hie + ( h fe + 1) ⋅ RE
Ri = hie + ( h fe + 1) ⋅ RE Ro = ∞

∆v =
(h fe + 1) ⋅ RL
∆i = h fe + 1
hie + ( h fe + 1) ⋅ RL
hie + RS
Ri = hie + ( h fe + 1) ⋅ RL Ro =
h fe + 1

h fe ⋅ RL h fe
∆v = ∆i =
hie h fe + 1
hie
Ri = Ro = ∞
h fe + 1

2.a.6. Criterios para elegir la configuración adecuada

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Δi Δv Ri Ro
E.K. 99 -452 2.1 KΩ 147 KΩ
B.K. -0.99 469 20 Ω 4.88 MΩ
K.K. -100 0.99 920 KΩ 30 Ω

 Cuando se requiera amplificar tensión, no se pueden utilizar las configuraciones


de KK (Δv≈1) y BK (Ri⇊), siendo la de EK la más adecuada.
 A la hora de elegir la etapa de entrada, en ocasiones es más importante la
resistencia de entrada que la ganancia de tensión.
o Para lograr una resistencia de entrada grande, utilizaremos KK.
o Para lograr una resistencia de entrada pequeña, utilizaremos BK.
 A la hora de elegir la etapa de salida, el criterio más importante la resistencia de
salida.
o Para lograr una resistencia de entrada grande, utilizaremos BK.
o Para lograr una resistencia de entrada pequeña, utilizaremos KK.

2.a.7. Variaciones de los parámetros híbridos

Los parámetros híbridos de un transistor varían con la temperatura y el punto de trabajo.


Los fabricantes proporcionan las curvas de variación de los parámetros híbridos en
emisor común para una temperatura y punto de trabajo dados.

Ejemplo: cuando T=25ºC, el transistor tiene hie=10K, siendo Q [IC=1mA; VCE=5v].


Calcular hie a T=100ºC cuando Q [IC=20mA; VCE=5v].

hie [ I c = 20mA]
= 0.2 ⇒ hie [ I c = 20mA] = 0.2 ⋅ hie [ I c = 1mA] = 0.2 ⋅10 = 2 K
hie [ I c = 1mA] T = 25 º C
Ic = 20 mA
Vce = 5 v

hie [T j = 100º C ]
≈ 1.8 ⇒ hie [T j = 100º C ] = 1.8 ⋅ hie [T j = 25º C ] = 1.8 ⋅ 2 = 3.6 K
hie [T j = 25º C ] T =100 º C
Ic = 20 mA
Vce = 5 v

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2.b. Tema: Amplificación de pequeña señal con


transistores FET
Las señales de pequeña amplitud y baja frecuencia permiten al FET trabajar en la zona
lineal. En estas condiciones, el modelo de parámetros híbridos se convierte en la mejor
herramienta para analizar el funcionamiento del transistor en alterna. De este modo,

 el comportamiento del transistor se puede describir mediante unas ecuaciones


lineales y sencillas.

 el transistor se puede sustituir por un circuito equivalente compuesto por


elementos lineales, lo cual permite utilizar las leyes comunes de la electrónica
(Ohm, Kirchoff, Thevenin) para su resolución.

Para conseguir el modelo de pequeña señal de un transistor FET analizaremos el


transistor como un cuadripolo, desarrollando las ecuaciones que relacionan las tensiones
y corrientes de entrada y salida.

iG=0 iD

vGS FET vDS

tensión Vgs, tensión instantánea de entrada.


variables Id eta Vds, valores instantáneos de salida.

la variable Id aldagaia es dependiente, mientras Vgs eta Vds son independientes.


iD = f (vGS , vDS )

Desarrollando esta función en serie de Taylor:


∂i ∂i
∆iD = D ⋅ ∆vGS + D ⋅ ∆vDS
∂iGS vDS = kte ∂vDS vGS = kte

Las derivadas parciales son los incrementos de las variables y en pequeña señal, dado
que dichos incrementos son pequeños, coinciden con los valores instantáneos:

i i 1
id = d ⋅ v gs + d ⋅ vds id = g m ⋅ v gs + ⋅ vds
v gs vds = 0 vds v gs = 0 rd
 gm [Ω-1] TRANSCONDUCTANCIA o corriente de salida con respecto a la
tensión de entrada con la salida en cortocircuito.

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gm = ⋅ I DQ ⋅ I DS
VT

 1/rd [Ω-1] conductancia de salida cuando no hay señal a la entrada.


o rd [Ω] àRESISTENCIA DE DRENADOR.

Estas ecuaciones permiten dibujar el circuito equivalente de pequeña señal del FET.

2.b.2. Análisis de las diferentes configuraciones

A la hora de analizar las distintas configuraciones supondremos que r d >> RL, por lo
tanto, podemos despreciar rd.

∆v = − g m ⋅ RL ∆i = ∞
Ri = ∞ Ro = ∞

g m ⋅ RL
∆v = ∆i = ∞
1 + g m ⋅ RL
1
Ri = ∞ Ro =
gm

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2.b.3. Variación de los parámetros

Los parámetros gm eta rd varían con la temperatura y el punto de trabajo del transistor.

gm rd

Ta

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