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2013-2014

Coleccin de Problemas
Ciencia de Materiales II

2013-2014
2
2 Estructura y geometra
de materiales
2.1 Red de Bravais 2D
Demostrar que la siguiente red (2D) es de Bravais:
b
a

Solucin: por inspeccin se comprueba que el aspecto de la red es el mismo desde
cualquier punto de la misma (satisface la 1 definicin)
Eligiendo como vectores primitivos los que estn indicados en la siguiente figura, la red
se genera como combinacin lineal de ambos, con coeficientes perteneciente a los enteros
(2 definicin).
2
a
1
a

1
2
( , 0)
( cos , sen )
a a
a b b
=


Respecto de los siguientes ejes coordenados, y numerando celdas como se indica:

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3
2
1 k =
2
2 k =
2
3 k =
2
4 k =
2
0 k =
1
1 k =
1
0 k =
filas
(se numeran
con )
2
k
columnas
(se numeran con )
1
k
1
2 k =
1
x
2
x

se asocia un punto de red con el vrtice inferior izquierdo de cada celda; las coordenadas
del punto de red asociado con la celda de ndices
1 2
k , k son:

1 1 2
2 2
( 1) ( 1) cos
( 1) sen
x k a k b
x k b

= +


Estas coordenadas se pueden construir como combinacin lineal:

1 1 2 2 1 2 2
1 2 2
1 1 2 2
( cos , sen )
(( 1) ( 1) cos , ( 1) sen )
donde 1, 1
R n a n a n a n b n b
k a k b k b
k n k n


= + = + =
+
+ +

que tiene la forma requerida.
Por ltimo, si se considera el conjunto de vectores de la forma:

1 2
, 1 2 2
(( 1) ( 1) cos , ( 1) sen )
k k
R k a k b k b = +
donde
1 2
y k k son nmeros enteros, sumando dos de ellos se obtiene:

1 2 3 4
, , 1 2 3 4 2 4
1 2 2
(( 1) ( 1) cos ( 1) ( 1) cos , ( 1) sen ( 1) sen )
(( 1) ( 1) cos , ( 1) sen )
k k k k
R R k a k b k a k b k b k b
K a K b K b


+ = + + + +
= +

con
1 1 3 2 2 4
1 1 K k k K k k = + = +
que es un vector que pertenece al mismo conjunto de vectores de red, es decir, el
conjunto es cerrado frente a la suma algebraica.

1 1 2
2 2
( 1) ( 1) cos
( 1) sen
x k a k b
x k b

= +


________________________________________________________________________

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2.2 Red Hexagonal
Verificar si la siguiente red es una red Bravais (bidimensional, 2D):

Sol.: los puntos A y B no satisfacen la primera definicin (un conjunto infinito
enumerable de puntos que tiene exactamente el mismo aspecto cuando se observa desde
cualquiera de ellos). Luego no es una red de Bravais (para demostrar que no es una red de
Bravais, basta con un nico contraejemplo).
B
A
2
a
1
a
1
R
2
R

De otra manera: los vectores primitivos
1 2
a ,a generan puntos que pertenecen a la red, por
ejemplo el vector
1 1 2
3 R a a = + pero tambin puntos que no pertenecen a la red, como el
2 1 2
R a a = + ; luego tampoco satisfacen la 2 definicin.
La red hexagonal no es una red de Bravais, sin embargo s es una estructura cristalina (red
+ base). La siguiente figura muestra cmo puede construirse la red hexagonal como una
red de Bravais + una base:

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5
base
malla

El hexgono no es la celda unitaria del sistema hexagonal, ni en dos ni en tres
dimensiones. En 2D es un rombo de ngulo agudo 60. En 3D es un prisma recto
construido sobre este rombo.
________________________________________________________________________
2.3 Sistema Trigonal
Para describir la red del sistema trigonal pueden usarse dos celdas diferentes, la trigonal
(no primitiva) y la rombodrica R (primitiva).
1. representarlas grficamente,
2. cul es el elemento cristalogrfico de simetra caracterstico en ambos casos? y
3. verificar que ambas redes son invariantes respecto de los elementos del grupo de
simetra de este elemento cristalogrfico.
Sol.: la celda trigonal (no primitiva) es, en cuanto a los ngulos y distancias entre puntos
de red, igual que la hexagonal P, pero contiene tres puntos de red por celda (en vez de
uno, como en la hexagonal P, por eso la celda trigonal no es primitiva).
a
c a
a
2 1 1
, ,
3 3 3



1 2 2
, ,
3 3 3



a
a 120
c
90 ; 120 = = =
a b c =

La celda rombodrica R (primitiva) en cambio tiene un slo punto de red, las tres aristas
iguales y los tres ngulos iguales.

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6
a
a
a
; a b c = = = =

Y, como debe ocurrir necesariamente, las dos celdas sirven para construir/describir
cristales del sistema trigonal. La figura siguiente muestra cmo estn relacionadas las dos.
El elemento caracterstico es un eje ternario de inversin, como corresponde al holohedro
del sistema trigonal, clase 3m . Se observa especialmente bien en la celda rombodrica R.

La red entera permanece inalterada al aplicar las operaciones de un eje ternario de
inversin. Por cada punto de red pasa uno de estos ejes.
1/ 3 2/ 3
1/ 3 2/ 3
1/ 3 2/ 3
1/ 3 2/ 3 1/ 3 2/ 3
2/ 3
1/3 de vuelta
inversin
eje ternario de inversin

En la siguiente figura se observa cmo tres celdas rombodricas R (con un punto de red
cada una) son equivalentes a una celda trigonal (con tres puntos de red).

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Si esta equivalencia es cierta, es el volumen de las tres celdas rombodricas igual al
volumen de una trigonal?
(la respuesta est incluida en la figura anterior).
________________________________________________________________________
2.4 Representacin Matricial de Elementos de Simetra
Representar matricialmente los elementos del grupo de simetra de la clase 32 .
y
x

u
32

Sol.: este problema sirve para ilustrar la diferencia entre:
elementos de simetra en sentido cristalogrfico y
elementos (operaciones) del grupo puntual de simetra
Los elementos de simetra en sentido cristalogrfico estn representados en el
estereograma correspondiente y son:
un eje ternario
tres ejes binarios
un eje monario (la identidad)
Para denominar los diferentes elementos de simetra del grupo puntual de simetra, se usa
a continuacin la siguiente nomenclatura estndar:

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1
3
c
orden del eje
direccin del eje de rotacin
en caso necesario,
el exponente indica el
n de veces
que se repite el
generador
(en este caso,
un giro de 120)

Un eje ternario (elemento de simetra cristalogrfico): 3
genera en este caso dos elementos del grupo de simetra:
1 2
3 3
c c

Atencin: estos dos elementos son inversos entre s; el inverso de un tercio de giro es 2/3
de giro, NO -1/3 de giro; y viceversa.
Los 6 elementos (operaciones) de simetra del grupo puntual de simetra de la clase 32
pueden representarse por las matrices (ortogonales, de rotacin, expresadas en funcin de
los ejes convencionales ) que realizan las operaciones geomtricas
correspondientes:
1
3
1/ 2 3 / 2 0
3 / 2 1/ 2 0
0 0 1
c
L

2
3
1/ 2 3 / 2 0
3 / 2 1/ 2 0
0 0 1
c
L



=


112
2
1/ 2 3 / 2 0
3 / 2 1/ 2 0
0 0 1
L



121
2
1/ 2 3 / 2 0
3 / 2 1/ 2 0
0 0 1
L






=


211
2
1 0 0
0 1 0
0 0 1
L





=

giro de 180 en torno a este eje


giro de 180 en torno a este eje
giro de 180 en torno a este eje
giro de 120 en torno a este eje
giro de 240 en torno a este eje
1
1 0 0
0 1 0
0 0 1
L


=


elemento unidad
y
x

u

________________________________________________________________________
2.5 Pirmide de Base Triangular Equiltera
Para una pirmide de base triangular equiltera, determinar:
1. a qu clase cristalogrfica pertenece,
2. enumerar los elementos cristalogrficos de simetra,
3. dibujar los ejes convencionales y cartesianos,

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4. enumerar los elementos del grupo puntual de simetra,
5. verificar el orden del grupo,
6. escribir la tabla del producto de este grupo y
7. verificar que cumple los axiomas de grupo.

Sol.: puesto que la base es un tringulo equiltero, la pirmide tiene un eje ternario
perpendicular a la misma, y tres planos de simetra (figura A). Estos son los elementos
cristalogrficos de simetra de la clase 3m (comprobarlo en la tabla de estereogramas). La
orientacin de los ejes convencionales y cartesianos (dibujados en la proyeccin sobre la
base) es la de la figura B.
A
B
3m
y
x

z
u

Los elementos del grupo puntual de simetra y su accin sobre un punto arbitrario de
coordenadas cristalogrficas ( ) , , x y z aparecen en la siguiente tabla:
elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra
(operacin)
[ ] 0001
3 3 3
z c

1
3
c
matriz de
representacin
(referida a ejes x y z)
0 1 0
1 1 0
0 0 1





M

x
M y
z

y
x y
z




2
3
c
1 1 0
1 0 0
0 0 1





y x
x
z





3
3
c
E
1 0 0
0 1 0
0 0 1





x
y
z





1
2
3
notas
elemento unidad
( )
2110
x a
m m m
1 1 0
0 1 0
0 0 1





y x
y
z





4
x
m
el subndice en
identifica el plano
por sus ndices de
Miller
( )
2110
m


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10
Nota importante: las coordenadas ( ) , , x y z estn medidas a lo largo de los ejes
cristalogrficos, en general NO CARTESIANOS: en la celda de este problema los ejes
, x y forman un ngulo de 120. No confundir la matriz M

con la matriz ortogonal L

del
problema anterior. Para las coordenadas cartesianas se usan exclusivamente los smbolos
1 2 3
, , x x x .

elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra
(operacin)
M

x
M y
z

notas
( )
1210
y b
m m m
1 0 0
1 1 0
0 0 1





x
x y
z




5
( )
1120
u
m m
0 1 0
1 0 0
0 0 1





y
x
z




6
y
m
u
m
En total 6 elementos orden del grupo es 6. Mientras que elementos cristalogrficos slo hay 4:
( )
1210
y
m m
( )
1120
u
m m
[ ] 0001
3 3 3
z c

( )
2110
x
m m
genera 3 elementos del
grupo
generan 1 cada uno
matriz de
representacin
(referida a ejes x y z)

Elementos cristalogrficos:
x
m
u
m
3
z
y
m
perpendicular al eje x
perpendicular al eje y
perpendicular al eje u
3m
y
x

z
u

El producto del grupo corresponde:
en trminos fsicos (geomtricos) a realizar dos operaciones de simetra una tras otra
(el orden importa, en general no son grupos abelianos)
como grupo abstracto, al producto de las matrices de representacin.
Como ejemplo, se va a realizar el producto de los elementos 1 y 2:
2 1
3 3
c c

Para visualizar el resultado se coloca en un punto arbitrario cualquier figura no simtrica
p.ej. :

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( )
1
3
c
( )
2
3
c
accin del elemento 1
accin del elemento 2
O bien se realiza el producto de las
matrices de representacin
1 1 0 0 1 0 1 0 0
1 0 0 1 1 0 0 1 0
0 0 1 0 0 1 0 0 1




=






2
3
c
1
3
c
E


El resultado de las dos acciones devuelve el punto a la posicin inicial, es decir, el
producto de estos dos elementos es la identidad:

2 1
3 3
c c
E =

importante: los factores del producto se ordenan de derecha a izquierda de acuerdo con el
orden en que actan.
El producto de los elementos 1 y 4:
1
3
x c
m
x
m
1
3
c
accin del elemento 1
1 1 0 0 1 0 1 0 0
0 1 0 1 1 0 1 1 0
0 0 1 0 0 1 0 0 1




=






O bien se realiza el producto de las
matrices de representacin
accin del
elemento 4
x
m
y
m
x
m
1
3
c
y
m


El resultado es igual que una reflexin en el plano
y
m (elemento 5). Luego el producto
de estos dos elementos es:

1
3
x c y
m m =
Procediendo de esta manera para todos los productos (son 36) se construye la tabla de
multiplicacin. Por convencin, el factor que opera primero, el que aparece ms a la
derecha en el producto, se coloca en la fila superior:

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12
1 2
1 2
1 1 2
2 2 1
1 2
2 1
1 2
3 3
3 3
3 3 3
3 3 3
3 3
3 3
3 3
c c x y u
c c x y u
c c c u x y
c c c y u x
x x y u c c
y y u x c c
u u x y c c
E m m m
E E m m m
E m m m
E m m m
m m m m E
m m m m E
m m m m E

este elemento es su
propio inverso
elementos
mutuamente inversos

Se satisfacen los axiomas de grupo:
el producto est definido
existe un elemento unidad nico
el producto de dos elementos sigue perteneciendo al grupo (en la tabla no aparecen
elementos que no pertenezcan al grupo)
cada elemento tiene un inverso (en todas las filas/columnas aparece la unidad slo una vez)
es asociativo (no es evidente, hay que comprobarlo con la tabla).
________________________________________________________________________
2.6 Holoedro del Sistema Cbico
Para la clase de mxima simetra 3 m m (holoedro) del sistema cbico,
1. identificar y enumerar los elementos cristalogrficos de simetra sobre el estereograma
de la clase,
2. enumerar los elementos del grupo puntual de simetra y
3. verificar el orden del grupo.
Sol.: en las siguientes tablas se hace el recuento del nmero de operaciones que se
puede hacer con cada elemento de simetra cristalogrfico y se suman al final para
confirmar el orden de la clase. La identidad se cuenta slo una vez, y tambin aquellas
operaciones que son sinnimo de otra incluida anteriormente en el recuento.

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y
z
x

y
z
x

y
z
x

elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra notas
sinnimo de E
representacin en el
estereograma
1
4
a
2
4
a
sinnimo de
1
2
a
3
4
a
4
4
a
1
2
3
4
sinnimo de E
[ ] 010
4 4 4
b y

1
4
b
2
4
b
sinnimo de
1
2
b
3
4
b
4
4
b
5
6
7
sinnimo de E
[ ] 001
4 4 4
c z

1
4
c
2
4
c
sinnimo de
1
2
c
3
4
c
4
4
c
8
9
10
[ ] 100
4 4 4
a x


y
z
x

y
z
x

elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra notas
sinnimo de E
representacin en el
estereograma
[ ]
2
110
2
11
[ ] 110
2
[ ]
1
110
2
sinnimo de E
2
110
2


12
110
2


1
110
2


sinnimo de E
[ ]
2
101
2
13
[ ] 101
2
[ ]
1
101
2
sinnimo de E
2
101
2


14
101
2


1
101
2


y
z
x

y
z
x



2013-2014
14
y
z

y
z

y
z

y
z
x

elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra notas
sinnimo de E
representacin en el
estereograma
[ ]
2
011
2
15
[ ] 011
2
[ ]
1
011
2
sinnimo de E
2
011
2


16
011
2


1
011
2


17
( ) 100
m
18
( ) 010
m
x
x
x

y
z
x

y
z
x

y
z
x

elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del grupo
de simetra
notas
representacin en el
estereograma
19
( ) 001
m
20
( ) 110
m
21
( ) 1 10
m
22
( ) 101
m
y
z
x



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15
elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del grupo
de simetra
notas
representacin en el
estereograma
23
( ) 101
m
24
( ) 011
m
25
( ) 0 11
m
y
z
x

y
z
x

y
z
x


elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del grupo
de simetra
notas
representacin en el
estereograma
26
[ ] 111
3
[ ]
1
111
3
sinnimo de E
[ ]
2
111
3
[ ]
3
111
3
sinnimo de
1
[ ]
4
111
3
[ ]
5
111
3
[ ]
6
111
3
27
28
29
30
31
111
3


1
111
3


sinnimo de E
2
111
3


3
111
3


sinnimo de 1
4
111
3


5
111
3


6
111
3


32
33
34
y
z
x

y
z
x



2013-2014
16
y
z
x

y
z
x

elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra notas
representacin en el
estereograma
35
111
3


1
111
3


sinnimo de E
2
111
3


3
111
3


sinnimo de
1
4
111
3


5
111
3


6
111
3


36
37
38
39
111
3


1
111
3


sinnimo de E
2
111
3


3
111
3


sinnimo de
1
4
111
3


5
111
3


6
111
3


40
41
42

y
z
x

y
z
x

y
z
x

elemento
cristalogrfico
de simetra
elemento del
grupo
de simetra notas
sinnimo de E
representacin en el
estereograma
1
4
a
2
4
a
sinnimo de
1
2
a
3
4
a
4
4
a
43
44
sinnimo de E
[ ] 010
4 4 4
b y

1
4
b
2
4
b
sinnimo de
1
2
b
3
4
b
4
4
b
45
46
sinnimo de E
[ ] 001
4 4 4
c z

1
4
c
2
4
c
sinnimo de
1
2
c
3
4
c
4
4
c
47
48
[ ] 100
4 4 4
a x

orden del grupo
(nmero de elementos del
grupo)

________________________________________________________________________

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17
2.7 Clase Cristalogrfica Material AB
La estructura cristalina de un material AB est definida por:
la red: cbica centrada en las caras y
la base: formada por un tomo de A en el punto de coordenadas (0, 0, 0) , y un tomo
de B en el punto de coordenadas
( )
1 1 1
, ,
4 4 4
.
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece este material.
Sol.: el cristal se construye colocando la base en cada punto de la red F; esta base ha sido
definida con un tomo de A y uno de B, en las coordenadas indicadas. El origen de
coordenadas y la base se colocan en todos los vrtices y centros de cara de la celda
unitaria convencional de la red. Representando los planos 0 ( 1) z z = = y 0.5 z =
primero con los puntos de red solamente y a continuacin con la base en cada punto de
red, resulta:
0 z = 0.5 z =
0 z = 0.5 z =
puntos de red
red+base

En esta figura los tomos de la base (uno de A y uno de B) estn marcados como crculos
de lnea ms gruesa. Cada tomo B, ms oscuro, se encuentra siempre por encima del
plano representado. En 3D, si la celda cbica se divide en 8 octantes, se observa (figura
siguiente) que los tomos B ocupan el centro de los octantes de forma alternada (uno s,
uno no).
La estructura cristalina tiene los elementos de simetra caractersticos del sistema cbico
(cuatro ejes ternarios). No tiene ejes cuaternarios, pero s tiene tres ejes cuaternarios de
rotacin-inversin: cada uno de estos ejes atraviesa por sus centros un par de caras
opuestas. Tiene adems seis planos de reflexin, trazados por las seis diagonales de cara
y no tiene centro de simetra. Es de la clase: 43m .


2013-2014
18

________________________________________________________________________
2.8 Clase Cristalogrfica de Diferentes Materiales
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenecen los siguientes monocristales
eumrficos.
Variante 1.

Sol.: se observa claramente que el monocristal tiene un eje de rotacin ternario y un
plano de simetra perpendicular a l:

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19
m m

Esto equivale a un eje senario de inversin e implica que el monocristal pertenece al
sistema hexagonal. Se encuentran ademas tres ejes de rotacin binarios y tres planos de
simetra; no hay centro de inversin. Es de la clase: 6 2 m .

m
m
m m
m
m

Variante 2.


2013-2014
20
Sol.: de nuevo se observa un eje de rotacin ternario y un plano de reflexin
perpendicular a l, luego se trata de un eje senario de inversin. No hay ms planos, ni
ejes binarios, ni centro de inversin. Es de la clase: 6 .
m m
m
m

Variante 3.

Sol.: en esta estructura nicamente hay un eje de rotacin ternario. Es de la clase: 3 .

2013-2014
21

Variante 4.

Sol.: este cristal tiene un eje de rotacin ternario y adems tres planos de reflexin. Es de
la clase: 3m .
m
m
m m
m
m

Variante 5.

2013-2014
22

Sol.: este cristal tiene un eje ternario de inversin, tres planos de reflexin, tres ejes de
rotacin binarios y centro de inversin (elemento incluido en el eje ternario de inversin).
m
m
m
m
m
m
m
m

Se observa que no hay un plano de simetra perpendicular al eje ternario de inversin. Se
trata del holoedro del sistema trigonal: clase 3m .
________________________________________________________________________
2.9 Clase Cristalogrfica de Diferentes Materiales
Determinar la clase cristalogrfica de los siguientes materiales cermicos a partir de la
simetra de sus correspondientes monocristales eumrficos:

Variante 1.

2013-2014
23

Sol.: este cristal tiene un eje ternario de inversin (incluye un eje de rotacin ternario y
un centro de simetra), tres planos de simetra y tres ejes de rotacin binarios. Se trata de
la clase 3m .
m
m
m
m
m
m

Variante 2.

2013-2014
24

Sol.: en esta estructura se observa inmediatamente un eje de rotacin senario (y/o un
senario de inversin), un plano de reflexin perpendicular al eje senario y tambin se ve
claramente que el cristal es centrosimtrico. La clase es 6/ m y en los estereogramas el
nombre va recuadrado para hacer ver que es una clase con centro de simetra.
m m

Tambin se podra haber visto en primer lugar un eje senario de inversin y/o un eje
ternario de inversin: el eje senario de inversin incluye en sus operaciones un plano de
reflexin perpendicular a l y el eje ternario de inversin incluye el centro de inversin.
Obsrvese que ninguno de estos dos elementos de simetra han sido representados en el
estereograma: cuando un cristal tiene un eje senario y un centro de simetra, esto implica
que tambin tiene un eje senario de inversin y un eje ternario de inversin (esta
implicacin no se cumple en sentido inverso).
La clase es de orden 12. Si se cuentan las 5 operaciones del eje senario
1 2 3 4 5
6 , 6 , 6 , 6 y 6 ,
1 plano de simetra, 1 centro de inversin y la identidad, resultan 8 operaciones. Todava
faltan 4 operaciones, que se pueden realizar combinando un eje senario y un centro de

2013-2014
25
inversin y que no se incluyen en el recuento anterior: dos de ellas a partir de un senario
de inversin :
1 5
6 y 6 , y otras dos,
1 5
3 y 3 , de un ternario de inversin.
Variante 3.

Sol.: este cristal tiene un eje de rotacin ternario y un plano de reflexin perpendicular a
l, es decir, un eje senario de inversin. Como tiene adems tres planos de simetra y tres
ejes binarios, se trata de la clase 6 2 m .
m
m
m m
m
m
m m

Variante 4.

2013-2014
26

Sol.: la estructura tiene un eje ternario de inversin, que incluye un centro de simetra,
tres planos de reflexin y tres ejes de rotacin binarios. La clase es 3m .
m
m
m m
m
m

Variante 5.


2013-2014
27
Sol.: aqu se observa un eje de rotacin ternario, pero no hay un plano de reflexin
perpendicular a l, slo tres planos que lo contienen. No hay centro de inversin, ni
binarios: es la clase 3m .
m
m
m m
m
m
________________________________________________________________________
2.10 Clase Cristalogrfica del Colgeno
De modo muy simplificado, y sin considerar detalles qumicos, el colgeno est formado
por tres molculas lineales del mismo tipo de protena, que forman una triple hlice. Cada
una de las molculas de protena est rotada respecto de las otras 120 en torno al eje de la
estructura. La molcula de colgeno es mucho ms larga que el fragmento que se muestra
en la figura, y se obtiene por repeticin de este fragmento (en esta figura, como ayuda
para visualizarlas, las hlices se representan arrolladas en torno a un cilindro recto; este
cilindro no tiene existencia real, es puramente una ayuda para la visualizacin):

Determinar, desde el punto de vista de su estructura, a qu clase pertenece la triple hlice
del colgeno.

2013-2014
28
Sol.: si no se consideran los detalles de cmo estn organizadas las tres hlices de
protena, la estructura del colgeno puede asignarse a una clase lmite con un solo eje de
orden infinito (el eje del cilindro). No puede ser ninguna de las dos clases esfricas y
tampoco tiene un sentido preferencial, por lo que no puede ser ninguna de las dos clases
cnicas.
Puesto que el arrollamiento de las hlices tiene un eje de orden infinito, y tambin
infinitos ejes binarios perpendiculares al eje de orden infinito, y no tiene ningn plano de
simetra, se trata de la clase cilndrica 2 .
Si se considera en ms detalle el modo en que estn organizadas las hlices, el eje de la
estructura es un eje ternario (la estructura queda invariante girndola un tercio de vuelta).
No existe un plano de simetra perpendicular a este eje ternario, luego es trigonal. Tiene
adems tres ejes binarios perpendiculares al eje ternario. Pertenece a la clase 32 y sta es
la solucin ms correcta.
hlice vista en la
direccin del eje

________________________________________________________________________
2.11 Clase Cristalogrfica de Diferentes Materiales
Un monocristal eumrfico de un material cermico tiene una estructura cristalina como la
que se muestra en la figura. Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece.
Variante 1.

2013-2014
29

Sol.: lo ms caracterstico de este monocristal es un eje cuaternario de inversin (no tiene
ni eje de rotacin cuaternario ni centro de inversin). Adems tiene dos planos de
reflexin y dos ejes de rotacin binarios:
m m
m
m

Se trata de la clase 42m .
Variante 2.

2013-2014
30

Sol.: en este monocristal se ven los mismos elementos de simetra que en el caso anterior,
es la misma clase 42m ; obsrvese que el hecho de tener un eje cuaternario de inversin
no implica la existencia de un eje de rotacin cuaternario ni un centro de inversin.
m m
m m

Variante 3.


2013-2014
31

Sol.: en esta estructura hay exclusivamente un eje cuaternario de inversin: la clase es 4.

Variante 4.

Sol.: ahora se ve, adems de un eje cuaternario, un centro de inversin, lo que implica la
existencia de un eje cuaternario de inversin (esta implicacin s es correcta, mientras que
la inversa no es correcta, como se ha visto en los casos anteriores). Existe adems un
plano perpendicular al eje cuaternario: clase 4/ m (en el estereograma el nombre est
recuadrado para indicar un centro de simetra).
m m

Variante 5.

2013-2014
32

Sol.: en este monocristal se ve claramente que hay un eje de rotacin cuaternario y cuatro
ejes binarios; no hay planos de simetra ni centro de inversin. La clase es 422 .

________________________________________________________________________
2.12 Simetra de Diferentes Materiales Compuestos
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenecen los materiales siguientes (en los
compuestos, cada lmina tiene direcciones preferentes indicadas por las lneas; p.ej. cada
lmina est constituida por fibras embebidas en una matriz de polmero y orientadas
unidireccionalmente, bidireccionalmente o sin direccin preferente).
1. material. compuesto desequilibrado (0/ 45)
0
+45
- 45


2013-2014
33
Sol.: esta morfologa tiene como nico elemento de simetra un eje binario, pertenece al
sistema monoclnico y es clase 2 :


Importante: observar cul debe ser la orientacin de las capas respecto de los ejes
convencionales monoclnicos (el cartesiano debe ser paralelo a Oy y al eje de rotacin
binario caracterstico de esta clase). La estructura de las matrices de complianza y rigidez
dada en el captulo 3 slo es vlida si se respetan las orientaciones convencionales. Es
esencial tener siempre este aspecto en cuenta.
2. material compuesto (0/ 45)s 90
0
+45
90
+45
0

Sol.: esta morfologa tiene un plano de simetra (que coincide con la lmina central), un
eje binario perpendicular al plano de simetra y centro de inversin, luego pertenece al
sistema monoclnico y es la clase holodrica 2/ m . Como en el caso anterior, se hace
coincidir el eje cartesiano con la direccin del eje de rotacin binario.

3. material orttropo (0/ 45)s
0
+45
-45
-45
+45
0


2013-2014
34
Sol.: este material tiene igualmente un plano de simetra, un eje binario perpendicular al
plano de las capas y un centro de inversin; tambin pertenece al sistema monoclnico y
es clase 2/ m :

Nota importante: la denominacin orttropo para el material (0/ 45)s es habitual en
la prctica industrial y as aparece en muchos textos. Sin embargo este material
compuesto no tiene los elementos de simetra caractersticos del sistema ortorrmbico. El
comportamiento es slo aproximadamente como el de un material realmente orttropo.
Sin embargo, para describir el comportamiento mecnico de un material monoclnico son
precisos 13 parmetros independientes frente a los 9 para un material orttropo
(ortogonal). Los 13 parmetros son rara vez conocidos y se tiende a considerar el material
ms simtrico de lo que es en realidad.
4. material cuasi-istropo (0/ 45/90)s
0
+45
- 45
90
90
- 45
+45
0

Sol.: a pesar del nombre, este material es idntico a los dos anteriores y pertenece al
sistema monoclnico, clase 2/ m .


2013-2014
35
Nota importante: a la denominacin cuasi-istropo para el material (0/ 45/90)s se le
aplica el mismo comentario que en el caso anterior. El material es estrictamente
monoclnico, sin embargo el elevado nmero de capas y el reparto de direcciones reduce
apreciablemente la diferencia de su comportamiento con el de un material realmente
istropo.
5. material compuesto angle-ply (trama y urdimbre no son ortogonales entre s, pero son
de la misma densidad)

Sol.: este material tiene tres planos y tres ejes binarios en tres direcciones ortogonales,
pertenece al sistema ortorrmbico y es clase mmm :
vista superior

6. material compuesto cross-ply (trama y urdimbre son ortogonales entre s y de la
misma densidad).
vista superior

Sol.: este material tiene los elementos de simetra que se indican en la figura, pertenece al
sistema tetragonal y es clase 4/ mmm .
7. combinacin cross-ply / unidireccional

Sol.: este material tiene dos planos y un eje binario, pertenece al sistema ortorrmbico y
es clase 2 mm :

2013-2014
36

8. hormign, hierro, cermica PZT no polarizada

9. espuma de poliuretano (burbujas de
2
CO dispersas en una matriz de poliuretano
amorfo)

Sol.: todos los materiales anteriores son isotrpos a la escala a la que son aplicados, es
decir, cuando el tamao de las partculas dispersas es mucho menor que el del objeto que
se construye con ellos. Pertenecen a la clase lmite m .
A pequea escala, es decir, cuando el tamao de las partculas dispersas es comparable
con el objeto a fabricar, el material es en primer lugar inhomogneo y las regiones
individuales pueden ser adems anistropas.
10. mat, tapete o fieltro de fibra cortada y dispuesta desordenadamente; papel; tejidos
non-woven (tambin llamados tejidos no tejidos, en la paradjica expresin que se
oye con frecuencia),

11. fibra (de PE, de nylon, de vidrio) estirada unidireccionalmente,


2013-2014
37
12. materiales compuestos de fibra orientada unidireccionalmente (fibra de PE, de nylon,
de vidrio) en una matriz amorfa

Sol.: estos tres tipos de materiales tienen simetra cilndrica / mm (en la figura no se
representan todos los elementos de simetra).


La igualdad de las estructuras de propiedades entre la clase de simetra axial y las clases
cristalogrficas hexagonales es exacta para propiedades de 2 y 4 orden.
13. molcula individual de 1-fluoronaftaleno
14. molcula individual de trans-1,2-dicloroeteno
15. molcula individual de metano
16. molcula individual de bromometano
13.
16. 15.
14.

Sol.: las molculas con dobles enlaces son planas, luego como mnimo tienen un plano de
reflexin, que es el plano de la molcula. A continuacin se representan los elementos de
simetra ms caractersticos de cada molcula, indicando la clase cristalogrfica de cada
una de ellas.

2013-2014
38
m
2/ m
3m
43m

En la molcula individual de metano slo se representa uno de los cuatro ejes ternarios
(pertenece al sistema cbico), uno de los tres cuaternarios de inversin y uno de los seis
planos especulares. En la molcula de bromometano slo se representan el eje de rotacin
ternario y uno de los tres planos especulares.
17. in tetracloruro de platino (II)
18. ciclohexano
19. hexafluoruro de azufre
20. etano (g+)
17.
20. 19.
18.

Como en el caso anterior, se representan los elementos de simetra ms caractersticos de
cada molcula, indicando la clase cristalogrfica a la que pertenecen.

2013-2014
39
4 / mmm
3m
3 m m 32

En el in tetracloruro de platino (II) slo se representan el eje cuaternario de inversin y
tres de los cinco planos especulares.
En el ciclohexano slo se representan el eje ternario de inversin, uno de los tres ejes
binarios y uno de los tres planos especulares.
En el hexafluoruro de azufre slo se representan un eje ternario de inversin, uno
cuaternario de inversin, uno binario y uno de los planos especulares.
________________________________________________________________________
2.13 ndices de Miller-Bravais
Determinar los ndices de Miller-Bravais de la forma de planos a la que pertenece el plano
que contiene los tomos marcados con flechas en la estructura hexagonal de la figura:

Sol: colocando los ejes cristalogrficos , , x y z por ejemplo como en la siguiente figura (el
origen de coordenadas no debe coincidir con ninguno de los tomos marcados y debe
estar lo ms prximo posible al plano):

2013-2014
40
x
y
z

las intersecciones del plano con los ejes son: 1 1 . Al invertir y aadir el cuarto
ndice del sistema hexagonal, los ndices de la forma de planos resultan:
{ }
01 1 1 .
________________________________________________________________________
2.14 Factor de Empaquetamiento Atmico
Calcular el factor de empaquetamiento atmico de un material con la misma estructura
cristalina que el diamante, y que est formado por tomos cuyo radio es 2.5 veces el radio
del tomo de carbono.
Sol: la estructura cristalina del diamante es del tipo de la blenda de cinc (coordinacin
4,4) y la definicin de factor de empaquetamiento atmico es:

tomos
celda
Volumen
APF
Volumen
=

El nmero total de tomos en la celda es:


tomos
posiciones
tetradricas
centros vrtices
caras
1 1
8 6 4 8
8 2
n = + + =
y la relacin entre la arista de la celda cbica y el radio del tomo es:

2013-2014
41

8
3
R
a =
Con esto se obtiene un factor de empaquetamiento atmico:

3
3
4
8
3
0.34
8
3
R
APF
R

== =




________________________________________________________________________
2.15 Copolmero PS-PI Difsico
Debido al carcter inmiscible de los bloques de poliestireno (PS) y poliisopreno (PI), los
copolmeros derivados de los mismos son sistemas difsicos cuya morfologa est
determinada, entre otros factores, por el contenido en cada monmero. En el caso de que
el contenido en PS sea bajo (17% en volumen), los bloques de PI forman una fase
continua elastomrica en la que los bloques de PS se distribuyen en forma de esferas con
una morfologa similar a una estructura cbica centrada en el cuerpo (BCC).
Si la arista de la celda cbica es 33.2 nm a = , calcular el radio de las esferas de PS.
Sol.: de acuerdo con los datos del problema la morfologa del copolmero es similar a la
de una estructura cbica centrada en el cuerpo, con la particularidad de que la fraccin
volumtrica de PS (la fase dispersa en forma de esferas) es 0.17.
Conocida la arista de la celda cbica es inmediato determinar su volumen,
3
a , del que un
17% ser PS, y que corresponder necesariamente al volumen ocupado por 2 esferas de
PS:

1
8 (vrtices) 1(centro) 2
8
+ =

3 3
3
PS celda
4 3 0.17
0.17 0.17 2 33.2 9.056 nm
3 8
V V a R R


= = = = =




________________________________________________________________________
2.16 Clase Cristalogrfica
Determinar la clase cristalogrfica del siguiente monocristal de un material cermico:

2013-2014
42

Sol.: hay cuatro ternarios de inversin, tres ejes binarios, tres planos de simetra:
m
m
m m
m
m

Es un cristal cbico de la clase 3 m .
________________________________________________________________________
2.17 Factor de Empaquetamiento Inico
Calcular el factor de empaquetamiento inico para un material cermico AB que tiene una
estructura tipo blenda de cinc.
Datos radios inicos:
2+ 2-
A B
0.08 nm 0.180 nm r r = =

2013-2014
43
Sol.: en una estructura tipo blenda de cinc los aniones
2-
B ocupan las posiciones de una
estructura cbica centrada en las caras (FCC) y los cationes
2+
A ocupan la mitad de
huecos tetradricos. En una celda hay 4 aniones y 4 cationes.
Se cumple adems la siguiente relacin entre la arista de la celda cristalina a y los radios
del catin
2+
A
r y del anin
2-
B
r :

( ) 2+ 2-
A B
4
3
r r
a
+
=
por lo que el factor de empaquetamiento inico es:

( )
( )
2+ 2-
2+ 2-
3 3
A B
3
A B
4
4
volumen iones
3
0.491
volumen celda
4
3
r r
IPF
r r
+
= = =

+




________________________________________________________________________
2.18 Densidad Inica Superficial
Un material cermico AB cristaliza en la misma estructura que la blenda de cinc.
Sabiendo que los radios inicos son
2+ 2-
A B
0.083 nm y 0.174 nm r r = = calcular la
densidad inica superficial en
2
iones/m para los planos de la forma {1 0 1}.
Solucin: la estructura del material cermico AB es tipo blenda de cinc: los aniones
ocupan las posiciones de una estructura FCC y la mitad de los huecos tetradricos estn
ocupados por los cationes. En la figura se representa una seccin del plano {1 0 1} y los
iones (aniones y cationes) cuyo centro se encuentra contenido en la seccin elegida:
z
2 a
a
plano {1 0 1}
3 1 1
, ,
4 4 4



1 1 3
, ,
4 4 4



x
y
z
x
y

La arista de la celda y la densidad inica superficial vendrn dadas por:

( ) 2+ 2-
A B 10 18 2
2
1 1
2 2 4
4
nmero de iones
2 4
5.935 10 m 8.03 10 iones/m
rea seccin 3 2
r r
a
a

+ +
+
= = = =

________________________________________________________________________
44
2.19
Calcular la densidad (kg/m
3
) del BaTiO
3
tetragonal si los parmetros de celda son a 0.398 = nm y
c 0.403 = nm.
Sol.: la celda tetragonal contiene 1 catin Ba
2+
, 1 catin Ti
4+
y 3 aniones O
2-
. De las dimensiones de la
celdilla unidad y las masas atmicas:
a 0.398 10
9
= b a = c 0.403 10
9
= V
celda
a b c = V
celda
6.384 10
29
= m
3

1 47.9 3 16 + 1 137.34 +
V
celda
6.023 10
26

= 6066 = kg/m
3
__________________________________________________________________________________
2.20
En la estructura de la fluorita,
- los iones F
-
ocupan todos los huecos tetradricos de la estructura FCC definida por los iones Ca
2+
- los iones F
-
ocupan la mitad de los huecos tetradricos de la estructura FCC definida por los iones Ca
2+
- los iones Ca
2+
ocupan la mitad de los huecos octadricos de la estructura FCC definida por los iones F
-
- los iones Ca
2+
ocupan todos los huecos octadricos de la estructura FCC definida por los iones F
-
- los iones F
-
ocupan todos los huecos octadricos de la estructura FCC definida por los iones Ca
2+
Sol.: en la estructura de la fluorita los iones Ca
2+
ocupan las posiciones de una estructura FCC (vrtices
y centros de cara) y los iones F
-
ocupan todos los huecos tetradricos (8). Es decir, "los iones F
-
ocupan todos los huecos tetradricos de la estructura FCC definida por los iones Ca
2+
"
__________________________________________________________________________________
2.21
Para un material monoatmico (p.ej. un metal) que cristaliza en la estructura hexagonal compacta, la
densidad atmica superficial es mxima en los planos:
Sol.: {0 0 0 1}
__________________________________________________________________________________
2.22
El plano cristalogrfico que contiene los tomos marcados con flechas en la figura pertenece a la forma
o familia de planos:
2013-2014
45
Sol.: colocando, por ejemplo, el origen y los ejes cristalogrficos como en la siguiente figura, las
intersecciones del plano con los ejes x, y, u, z sern en:
1 1 1
{ }
10 1 1
y al invertir resulta la forma de planos:
x
y
z
u
x
y
z
u
_________________________________________________________________________________
2.23
En un material cermico de frmula genrica A
2
C (donde A es el anin y C el catin), el radio inico de
2013-2014
46
A es r
A
0.23 = nm y el de C es r
C
0.07 = nm. Qu nmero de coordinacin cabe esperar para los
cationes de este material?
Sol.: puesto que la relacin de radios es
r
C
r
A
0.304 = el nmero de coordinacin de los cationes debe
ser 4.
__________________________________________________________________________________
2.24
Calcular la densidad atmica superficial (tomos/m
2
) en los planos de la forma {1 1 2} de un material de
estructura tetragonal P (primitiva) con parmetros de red a 1.22 10
10
= m y c 3.17 10
10
= m.
Sol..: de la figura se deduce que la interseccin de los planos de la forma indicada con las celdas
unitarias son rombos cuyas diagonales menor y mayor se calculan:
d
D
d
D
d 2a = D 2 a
2
c
2
+ =
Para usar un rea con una participacin representativa de
los tomos, se puede tomar, p. ej., el rea de 2 rombos:
rea d D = rea 6.227 10
20
= m
2
Tambin puede calcularse el rea como el mdulo del
producto vectorial de los lados del paralelogramo:
lado_1
2a
0
c

= lado_2
0
a
c
2

=
lado_1 lado_2 ( ) lado_1 lado_2 ( ) 6.227 10
20
= m
2
Estos 2 rombos juntos contienen en promedio n
tomos
1
2
1
2
+ = tomos y la densidad superficial es:
n
tomos
rea
1.606 10
19
= tomos/m
2
__________________________________________________________________________________
2013-2014
47
2.25
El Si cristaliza en la estructura del diamante. Suponiendo los tomos perfectamente esfricos, calcular su
factor de empaquetamiento atmico (APF):
Sol.: la estructura del Si (diamante) es la de la blenda de cinc y contiene 8 tomos. La relacin entre el radio
de los tomos y la arista del cubo es l 8
R
3
= y el APF es:
8
4
3

8
1
3

3
0.340 = .
__________________________________________________________________________________
2.26
La estructura de un material con empaquetamiento FCC (y tomos de radio R) se distorsiona de manera
que uno de los lados de la celda unidad se alarga hasta que se alcanza un factor de empaquetamiento
atmico igual al de una celda BCC. Qu valor ha de tener el lado distorsionado de la celda?
Sol.: se calcula el factor de empaquetamiento para una celda FCC, que contiene 4 tomos, pero
considerando que el volumen de la celda ahora es V
celda
a
2
a
dist
= , donde a 4
R
2
= es la longitud
original, y a
dist
la longitud distorsionada. Sustituyendo en la expresin del factor de empaquetamiento,
e igualando el factor a APF
BCC
0.68 = , se obtiene:
a
dist
R
2
3 APF
BCC

= es decir, la longitud
distorsionada es a
dist
= 3.08 R.
__________________________________________________________________________________
2.27
Calcular la densidad atmica superficial (tomos/m
2
) en la forma de planos
de un material cuya estructura cristalina es anloga a la del grafito y cuyos tomos, considerados
esfricos, tienen un radio r
A
0.76 10
10
= m. En los planos hexagonales, los tomos vecinos son
tangentes y la distancia entre estos planos es h 2 r
A
= .
Sol.: la figura representa la interseccin del plano especificado con dos prismas hexagonales contiguos
del cristal. Slo se representan los tomos de las capas z = 0 y z = 1. El trapecio marcado contiene
n
A
1.5 = tomos del material. Sus bases son: b1 2 3 r
A
= y b2 4 3 r
A
= y su altura es
{ }
01 1 1
2013-2014
48
H 2 3 r
A
( )
2
2h ( )
2
+ 3r
A
( )
2
= m. Su rea es A
1
2
b1 b2 + ( ) H = y la densidad superficial es
n
A
A
9.996 10
18
= tomos/m
2
.
x
y
z
4
A
c r =
3 2
A
a r =
a
a
a
a
5
A
H r =
2
A
r
0 z =
1/ 2 z =
0 y 1/ 2 z z = =
a
a
a
a
a
a
grafito: (secuencia de capas A-B-A) proyeccin de la celda unitaria (base con 4 tomos)
c
_________________________________________________________________________________
2013-2014
49
2.28
La velocidad de crecimiento de las caras de un cristal depende de la densidad superficial de tomos o
iones sobre esa cara, que es funcin de la orientacin de la cara. Calcular el nmero total de iones
(aniones y cationes) por m
2
(densidad inica superficial) en las caras (1 2 0) de la estructura del NaCl.
Radios inicos: r
Na
0.102 10
9
= m, r
Cl
0.181 10
9
= m.
Masas atmicas: Mw
Na
22.99 = uma, Mw
Cl
35.45 = uma.
Sol.: en la celda unidad del cloruro sdico los planos (1 2 0) contienen 4
1
4
2
1
2
+ 2 = iones (aniones y
cationes) y el rea es Area 2 r
Na
2 r
Cl
+
( )
2

1
2
1
2

2
+ = (ver figura). La densidad inica
superficial, considerando aniones y cationes conjuntamente, se calcula:
N
iones
2 =

sup
N
iones
Area
=

sup
5.58 10
18
= iones/m
2
__________________________________________________________________________________
2.29
Un metal cristaliza en estructura cbica centrada en el cuerpo (BCC) y tiene un parmetro de celda
(longitud de la arista) de a 6.34 10
10
= m. Calcula el radio del tomo ms grande (considerado
esfrico) que puede introducirse en la estructura del metal sin distorsionarla.
Sol.: los huecos de mayor tamao de la estructura BCC se encuentran en la posicin (1/4, 1/2, 0) y en
todas las cristalogrficamente equivalentes. Son huecos tetradricos (no regulares) definidos por los
cuatro tomos que se indican en la figura. El radio de los tomos en funcin del parmetro de celda es
2013-2014
50
R
3
4
a = .
( )
2 2
2 1 1
2 4
R r a a

+ = +


El radio de la esfera (tangente a las que definen el hueco) cumple:
de donde
R 2.745 10
10
= m
r
5
3
1

R = r 7.989 10
11
= m
__________________________________________________________________________________
2.30
Determinar la clase cristalogrfica para un listn de madera con seccin transversal como la que se
muestra en la figura:
Sol.: Ortorrmbico m m m.
__________________________________________________________________________________
2013-2014
51
2.31
El nylon 6 puede presentar dos formas cristalinas, conocidas como formas y , en las cuales el eje
cristalogrfico z est alineado en la direccin de las cadenas y es perpendicular a los ejes x e y. Para la
forma , el parmetro c mide 17.24 , que corresponde a dos unidades qumicas repetitivas en una
conformacin completamente extendida; el rea definida por los parmetros a y b es de 70.75
2
. Para
la forma , las cadenas se encuentran en una conformacin cuasi extendida en las que se produce un
acortamiento de 0.18 por cada grupo amida; el rea definida por los parmetros a y b es de 38.23

2
. Si la celdilla de la forma contiene el doble de cadenas que la celdilla de la forma , cul es la
relacin de densidades entre ambas formas (densidad forma / densidad forma )?
Sol.: si la celdilla de la forma contiene el doble de cadenas (el doble de masa) que la celdilla de la
forma , la relacin de densidades ser igual a la inversa de la relacin de volmenes, donde se
considere una celda doble para la forma :
( ) ( )
( ) ( )
2
2
ab
ab
V
A c
V A c

= =
Si el parmetro c corresponde a dos unidades qumicas repetitivas, que contienen dos grupos amida, el
acortamiento del parmetro c para la forma ser:
( ) ( )
2 0 18 17 24 0 36 16 88 c c . . . .

= = =
Sustituyendo, se tiene:
( ) ( )
( ) ( )
2
2 2 16 88 38 23
1 058
17 24 70 75
ab
ab
V
A c . .
.
V . . A c


= = = =

1 058 .

=
__________________________________________________________________________________
2.32
Un modo sencillo y eficiente de fabricar materiales compuestos estructurados regularmente es a partir
de copolmeros dibloque ...-AAAAAAAA-BBBBBBBB-... con bloques A y B incompatibles. Estos
copolmeros tienden a formar espontneamente un material compuesto regular peridico con dos fases o
dominios qumicamente distintos y separados. La figura muestra un fragmento de la morfologa de uno
de estos compuestos de isopreno (A) y xido de etileno (B).
2013-2014
52
La fase en gris ms oscuro corresponde a un dominio formado enteramente por A y el resto (gris claro y
blanco) al dominio formado enteramente por B.
A qu clase pertenece la estructura de este material compuesto?
Sol.: el material es del sistema cbico; de hecho est formado por dos redes cbicas primitivas
interpenetradas. Pertenece a la clase de mxima simetra (holoedro):
3 m m
__________________________________________________________________________________
2.33
Calcular la densidad atmica superficial (tomos/m
2
) en los planos (0 2 1) de un material de estructura
ortorrmbica I (centrada en el cuerpo) con parmetros de red a 1.31 10
10
= m, b 1.59 10
10
= m
y c 2.89 10
10
= m.
Sol.: la interseccin de los planos de la forma indicada con las celdas unitarias son rectngulos de rea:
rea a b
2
4c
2
+ = rea 7.853 10
20
= m
2
Tambin puede calcularse el rea como el mdulo del
producto vectorial de los lados del rectngulo:
lado_1
a
0
0

= lado_2
0
b
2c

=
lado_1 lado_2 ( ) lado_1 lado_2 ( ) 7.853 10
20
= m
2
Cada rectngulo contiene en promedio n
tomos
4
1
4
= tomo y la
densidad superficial es:
n
tomos
rea
1.273 10
19
= tomos/m
2
__________________________________________________________________________________
2013-2014
53
2.34
El ZnTe tiene la estructura cristalina de la blenda de cinc. Calcular su densidad (kg/m
3
). Los radios
inicos son r
Zn
0.83 10
10
= m, r
Te
2.11 10
10
= m.
Sol.: la celda contiene 4 cationes y 4 aniones en coordinacin tetradrica, y el parmetro de red es:
a 4
r
Zn
r
Te
+
3
= a 6.79 10
10
= m
Usando las masas atmicas de Zn y Te, la densidad se calcula:

4 65.39 4 127.6 +
a
3
6.023 10
26

= 4.095 10
3
= kg/m
3
__________________________________________________________________________________
2.35
El PVDF tiene como unidad estructural repetitiva -CH
2
-CF
2
-. En estado slido las cadenas polimricas
estn en conformacin todo-trans, o estirada, es decir, todos los enlaces C-C en conformacin trans.
En la figura se representan dos vistas de un fragmento de la cadena de PVDF. Los crculos blancos
grandes representan tomos de flor, los blancos pequeos, tomos de hidrgeno, y los oscuros,
tomos de carbono.
A qu clase pertenece la molcula de PVDF (considerada como infinitamente larga) en esta
conformacin?
F
F
H
H
2.54
2 mm
Sol.:
__________________________________________________________________________________
2013-2014
54
2.36
Determinar los ndices de Miller de un plano que contiene los siguientes tres puntos (1, 1/2, 1);
(1/2, 0, 3/4) y (1, 0 , 1/2) de una celda cbica.
( )
1 2 2
Sol:
__________________________________________________________________________________
2.37
La clase cristalogrfica de una red HCP (hexagonal compacta) es:
6 2 m Sol:
__________________________________________________________________________________
2.38
Calcular el factor de empaquetamiento inico del SrXO
3
que tiene estructura cbica tipo perovskita,
donde "X" es un metal de transicin, y sabiendo que el ion X
4+
est en contacto con los contraiones
con los que se coordina. El radio inico de X es: r
X
0.084 10
9
= m, el de Sr es: r
Sr
0.127 10
9
=
m y el de O: r
O
0.132 10
9
= m.
Sol.: en la estructura cbica de la perovskita el ion X
4+
se encuentra en el centro de la celda y los
contraiones (oxgeno) a los que es tangente estn en los centros de las caras. La arista de la celda cbica
es:
a 2 r
X
r
O
+
( )
= a 4.32 10
10
= m
La celda contiene n
Sr
8
1
8
= iones Sr
2+
, n
X
1 = iones de X
4+
y n
O
6
1
2
= iones de oxgeno. El
factor de empaquetamiento inico se calcula como:
4
3
n
Sr
r
Sr
3
n
O
r
O
3
+ n
X
r
X
3
+ ( )
a
3
0.496 =
__________________________________________________________________________________
2013-2014
55
2.39
Determinar los ndices de Miller del plano cristalogrfico que contiene los tomos marcados con flechas
en la estructura monoclnica centrada en las bases.
zz
60
90
90
Sol: en el sistema monoclnico el eje y se hace coincidir con la direccin del eje binario. Las
intersecciones del plano con los ejes son:
1
1
2

( ) 2 01 al invertir, los ndices de Miller son:
__________________________________________________________________________________
2.40
Calcular la densidad (kg/m
3
) de un material cermico BAO
3
(estructura de la perovskita, B es un metal
divalente y A es un metal tetravalente de transicin), sabiendo que el metal de transicin est en contacto
con los aniones con los que est coordinado, que los radios inicos son r
B
1.27 10
10
= m,
r
A
8.4 10
11
= m y r
O
0.132 10
9
= m, y que las masas atmicas son Mw
A
178.49 = kg/kmol y
Mw
B
87.62 = kg/kmol.
Sol.: el A
4+
est en coordinacin octadrica con el O
2-
, luego la arista de la celda cbica se calcula como
a 2 r
A
r
O
+
( )
= a 4.32 10
10
= m
V
celda
a
3
=
2013-2014
56
En la celda cbica de lado a hay 8/8=1 in B
2+
, 1 in A
4+
y 6/2=3 iones O
2-
, de acuerdo con la frmula
estequiomtrica, luego la densidad es:

1 Mw
A
3 16 + 1 Mw
B
+
( )
1.6603 10
27

V
celda
= 6469 = kg/m
3
__________________________________________________________________________________
2.41
Determinar los ndices de Miller de la forma de planos que contiene los tomos marcados por flechas en
la celda ortorrmbica de la figura:
1
1
2

Sol.: las intersecciones con los ejes cristalogrficos x, y, z :


Es uno de los planos de la forma:
{ }
0 2 1
__________________________________________________________________________________
2.42
Un cristal est formado por una red cbica P y la base es una molcula tetradrica, con cuatro
sustituyentes, como se indica en la figura. Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece el cristal.
2013-2014
57
Sol..: al colocar la base en cada punto de red y debido a la asimetra de la base, el cristal slo tiene un
eje de orden 1, y es triclnico. No tiene centro de inversin, pertenece a la clase 1.
__________________________________________________________________________________
2.43
Los planos de deslizamiento de la estructura BCC (donde sufre deformacin plstica un cristal con ms
facilidad) son los de la forma {1 1 0}. Determinar la densidad superficial de tomos en los planos de esa
forma para un material de estructura cristalina BCC cuyos tomos tienen un radio de
r 1.27 10
10
= m.
Sol: en una estructura BCC, la arista del cubo est relacionada con el radio atmico por:
a
4r
3
= a 2.933 10
10
= m
En la figura se representa uno de los planos de la forma dada
con los tomos que contiene. La densidad superficial es

1 4
1
4
+
a 2a
= 1.644 10
19
= tomos/m
2
__________________________________________________________________________________
2.44
Un semiconductor A cuyo radio atmica es r
A
1.2 10
10
= m, cristaliza en la estructura cbica del
diamante. Determinar la densidad superficial atmica (tomos de A / m
2
) para los planos cristalogrficos
de la forma {1 1 1}.
Sol.: en la figura se representa la interseccin de uno de los planos de la forma indicada con la celda
unidad. La interseccin es un tringulo equiltero (marcado con lnea gruesa). Este tringulo contiene 3
tomos en los vrtices (cada uno contribuye 1/6) y 3 tomos en la mitad de los lados (cada uno
contribuye 1/2), es decir, un total de
3
6
3
2
+ 2 = tomos (marcados tambin con lnea gruesa).
El parmetro de celda (la arista del cubo) est relacionada con el radio del tomo por:
2013-2014
58
a
8
3
r
A
=
a 5.543 10
10
= m
El lado del tringulo es:
y como es equiltero:
L 2a =
A
1
2
L L
3
2
= A 2.66 10
19
= m
2
Tambin puede usarse la frmula de Hern Semipermetro: s
1
2
3 L =
rea: A s s L ( ) s L ( ) s L ( ) = A 2.66 10
19
= m
2
O bien, el rea del tringulo es la mitad del mdulo del producto vectorial de los vectores que forman
dos lados del mismo:
A
1
2
a
a
0

a
0
a

= A 2.66 10
19
= m
2
m
2
Y la densidad atmica superficial es:
3
6
3
2
+
A
7.518 10
18
= tomos/m
2
_________________________________________________________________________________
2.45
Determinar los ndices de Miller de la forma a la que pertenece el plano que contiene los tomos
marcados en negro en la celda de la figura.
zz
60
90
90
2013-2014
59
{ } 111 Sol.:
_________________________________________________________________________________
2.46
Determinar los ndices de Miller-Bravais (sistema hexagonal) de la forma a la que pertenece el plano que
contiene los tomos marcados en negro en la figura.
Sol.: se pueden colocar los ejes, por ejemplo, como en la siguiente figura:
x
y
z
u
la interseccin del plano con el eje z se
determina con los tringulos semejantes:
2
a
a
c z
2
z c
a
a
a
=
+
2013-2014
60
x
y
u
a
a
y las intersecciones del plano con los ejes x,
y, u se determinan completando el plano de
la base con otras dos celdas, es decir:
2
2 1 2
3
1 1 3
1
2 2 2
x y u z

intersecciones
se invierten
y la forma de
planos es:
{ }
1 2 13
_________________________________________________________________________________
2.47
Calcular el factor de empaquetamiento inico de una cermica AO
2
cuya estructura es la de la fluorita,
sabiendo que los radios inicos son r
A
8.4 10
11
= m y r
O
0.132 10
9
= m:
Sol: el A
4+
est en los vrtices y centros de cara de la estructura tipo fluorita, mientras que el O
2-
se
encuentra en los 8 huecos tetradricos, luego la arista de la celda cbica se calcula como :
a
4
3
r
A
r
O
+
( )
= a 4.988 10
10
= m
V
celda
a
3
=
En la celda cbica de lado a hay 4 iones A
4+
y 8 iones O
2-
. El factor de empaquetamiento inico resulta:
IPF
8 r
O
3
4r
A
3
+ ( ) 4
3 V
celda

= IPF 0.701 =
_________________________________________________________________________________
2013-2014
61
2.48
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece un material que forma monocristales como el que se
indica en la figura.
3 Sol.:
_________________________________________________________________________________
2.49
Calcular la densidad atmica superficial (tomos/m
2
) en los planos de la forma {1 1 1} de un material de
estructura ortorrmbica C (centrada en el pinacoide C o centrada en las bases C) con parmetros de red
a 1.05 10
10
= m, b 1.92 10
10
= m y c 3.89 10
10
= m.
Sol.: tomando 3 celdas, la interseccin de un plano (1 1 1) con las celdas es un paralelogramo. El rea
de este paralelogramo no se puede determinar usando el teorema de Pitgoras; hay que calcularlo
mediante un producto vectorial, por ejemplo el de los siguientes vectores:
2013-2014
62
b
a
c
lado_1
a
b
0

= lado_2
a
2
b
2
c

=
lado_1 lado_2 ( ) lado_1 lado_2 ( ) 8.748 10
20
= m
2
Operando tambin se obtiene: rea a b ( )
2
b c ( )
2
+ a c ( )
2
+ =
Cada paralelogramo contiene n
tomos
2
1
2
4
1
4
+ =
tomos y la densidad superficial es
n
tomos
rea
2.286 10
19
=
tomos/m
2
_________________________________________________________________________________
2.50
Determinar la densidad superficial de tomos (tomos por m
2
) en los planos de la forma
de un cristal hexagonal formado por una red hexagonal P y una base de un slo tomo de radio
R 0.16 = nm . Los tomos se consideran esfricos y los vecinos inmediatos son tangentes entre s.
Sol.: la figura muestra una porcin del cristal: en cada punto de red se coloca la base, un tomo esfrico,
con lo que resulta la estructura hexagonal ms sencilla (recordar que la celda hexagonal es un prisma
que tiene como base un rombo formado por dos tringulos equilteros; la celda hexagonal NO es un
prisma hexagonal; la porcin de cristal de la figura tiene el volumen de 6 celdas).
Uno de los planos de la forma indicada contiene los tomos sombreados en negro. Este plano corta a la
estructura segn las lneas de trazos. Cada uno de los dos rectngulos marcados contiene un nico
tomo: por ejemplo, si se cuentan fracciones de tomo, cada rectngulo contiene medio tomo, situado
{ }
1 211
2013-2014
63
en el centro del lado superior, y dos veces un cuarto de tomo, situados en las dos esquinas inferiores.
La densidad superficial de tomos es:
1
5R 10
9

( )
2 3R 10
9

( )

5.043 10
18
= tomos/m
2
_________________________________________________________________________________
2.51
Determinar a qu clase cristalogrfica pertenece este monocristal eumrfico de un material cermico:
2013-2014
64
Sol.: se ven tres ejes de rotacin binarios ortogonales entre s, adems de tres planos de reflexin y un
centro de simetra.
Se trata de la clase ortorrmbica de mxima simetra (holoedro):
mmm
_________________________________________________________________________________
2.52
Calcular la densidad atmica lineal (tomos/m) en la direccin [1 1 2] de un material de estructura
ortorrmbica C (centrada en el pinacoide C o centrada en las bases C) con parmetros de red:
a 1.02 10
9
= m, b 1.78 10
9
= m y c 2.56 10
9
= m.
Sol.: la direccin [1 1 2] (con las componentes siempre medidas en unidades de los parmetros de red o
lados de la celda) es la de un vector que parte del origen y pasa por el tomo de coordenadas (1, 1, 2) y
por el tomo de coordenadas (1/2, 1/2, 1), como se indica en la figura:
Un segmento desde el origen hasta dicho tomo en la cara superior de la celda ortorrmbica C tiene
una longitud:
b
a
c
[112]
b
a
c
[112]
L c
2
a
2

2
+
b
2

2
+ =
L 2.76 10
9
= m
Este segmento contiene dos medios tomos (dimetros), medio del que
est en el origen y medio del que est en el centro de la cara C superior:
n
tomos
1 = tomo
y la densidad lineal es:
n
tomos
L
3.626 10
8
= tomos/m
_________________________________________________________________________________
2.53
Un material cermico puede cristalizar en las siguientes tres formas cristalinas, A, B y C que se
diferencian en la posicin de los cationes:
forma cristalina A; red: cbica P, base: cuatro aniones (X) en (0, 0, 0), (0.5, 0.5, 0), (0.5, 0, 0.5) y
(0, 0.5, 0.5); dos cationes (Y) en (0.25, 0.25, 0.75), (0.75, 0.75, 0.75).
forma cristalina B; red: cbica P, base: cuatro aniones (X), mismas coordenadas que en la forma A;
2013-2014
65
dos cationes (Y) en (0.25, 0.25, 0.75), (0.75, 0.75, 0.25).
forma cristalina C; red: cbica P, base: cuatro aniones (X), mismas coordenadas que en la forma
A; dos cationes (Y) en (0.75, 0.25, 0.75), (0.75, 0.75, 0.75).
En la prctica, la forma cristalina ms estable (entre las tres alternativas A, B y C), y que aparece
espontneamente en la naturaleza y en el laboratorio, es aqulla en la que la distancia entre iones del
mismo tipo es la mayor posible.
Todos los iones se consideran esfricos, de radios r
X
y r
Y
y masas atmicas Mw
X
y Mw
Y
y los
cationes son tangentes a los aniones que estn ms prximos a ellos. En funcin de las variables
anteriores determinar:
frmula estequiomtrica del material cermico (en la frmula usar X e Y como smbolos qumicos de 1.
los aniones y cationes respectivamente).
densidad (kg/m
3
) de las formas A, B y C. 2.
clase cristalogrfica de la forma A, 3.
clase cristalogrfica de la forma B, 4.
clase cristalogrfica de la forma C, 5.
cul de las tres formas ser la ms estable. 6.
Sol.: frmula estequiomtrica: la celda unitaria de las tres formas se obtiene colocando la base (4
aniones y 2 cationes, en total 6 tomos) en cada uno de los puntos de la red. La red cbica P (primitiva)
contiene un punto de red por celda. Las estructuras que se obtienen presentan este aspecto:
Forma cristalina A Forma cristalina B Forma cristalina C
En esta figura los aniones se han representado como esferas naranjas y los cationes como esferas
verdes. Las figuras incluyen los 2 cationes de la base, los 4 aniones de la base (es decir, una base
completa), y adems otros 10 aniones de celdas vecinas (copias de la celda original) de modo que se
pueda apreciar claramente la simetra de la celda.
Las lneas gruesas son slo una ayuda para la visualizacin de las estructuras. Tambin sirven para que
se observe ms claramente que los cationes ocupan dos de los ocho huecos tetradricos definidos por
los aniones en la celda.
2013-2014
66
En los tres casos, la frmula y la estequiometra son las mismas. Puesto que la base contiene 4 aniones
(X) y dos cationes (Y), la frmula estequiomtrica es Y
2
X
4
, o bien YX
2
.
Densidad: en los tres casos, los cationes ocupan huecos tetradricos, es decir, cada uno de ellos es
tangente a los cuatro aniones ms inmediatos, y ocupa el centro del tetraedro definido por estos cuatro
aniones. En las figuras los radios de las esferas que representan los iones se han reducido de tamao
por claridad; en la realidad, las esferas verdes son tangentes a las cuatro naranjas que las rodean. As,
las dimensiones de la celda y la densidad son las mismas para las tres formas.
En cualquiera de las tres estructuras, pero especialmente en la B, se aprecia claramente que la distancia
entre el centro de un anin y el centro de un catin es la cuarta parte de la diagonal de la celda cbica,
igual que ocurre en las estructuras tipo de la blenda o de la fluorita. En consecuencia, llamando "a" al
parmetro de red (arista del cubo):
( )
( ) 4
3 4
3
X Y
X Y
r r
a r r a
+
= + =
el volumen de la celda es:
( )
3
3
4
3
X Y
r r
V a
+
= =


Dado que en la celda unidad hay cuatro aniones y dos cationes, la densidad en kg/m
3
de las tres formas
del material es:
( )
3
4 2
4
3
X Y
uma
X Y
Mw Mw
m
r r
+
=
+


donde m
uma
es la unidad atmica de masa.
Clases cristalogrficas: la estructura A tiene planos de simetra como el (1 1 0), otra forma de planos de
simetra como la {-1 1 0} y ejes binarios en la direccin [0 0 1]. Pertenece al sistema ortorrmbico y en
particular a la clase mm2.
2013-2014
67
Planos y eje binario de la forma
cristalina A.
La estructura B tiene un eje que es ternario y ternario de inversin en la direccin [1 1 1], planos de
simetra como el (1 1 0), 3 planos de simetra: (0 -1 1), (-1 0 1) y (-1 1 0) y 3 ejes binarios en las
direcciones [0 -1 1], [-1 0 1] y [-1 1 0]. Pertenece al sistema trigonal y en particular a la clase
3m
Planos y ejes binario de la forma cristalina B.
El eje ternario no est representado. El eje
ternario pasa por los centros de los dos
cationes.
Vista a lo largo del eje ternario (diagonal de la celda
cbica) de la forma cristalina B.
La estructura C tiene planos de simetra como el (2 0 0), otra forma de planos de simetra como el
(0 1 1) y ejes binarios en la direccin [1 1 0]. Pertenece al sistema ortorrmbico y en particular a la
clase mm2, igual que la estructura A.
2013-2014
68
Planos y eje binario de la forma cristalina C.
En cuanto a la estabilidad de las tres formas, la disposicin y las distancias entre los aniones son las
mismas en las tres estructuras. Si se consideran slo los aniones no hay diferencias de estabilidad entre
las tres formas.
Sin embargo, los cationes ms prximos entre s (los marcados en verde en las figuras) estn separados
por media arista de celda en la forma C, por media diagonal de cara de celda en la forma A y por media
diagonal de celda en la forma B. Esta ltima distancia es la mayor de las tres (diagonal de la celda >
diagonal de la cara de la celda > lado de la celda).
Luego la forma B es la ms estable.
_________________________________________________________________________________
2013-2014

2013-2014
69
3 Representacin de
propiedades de materiales
por medio de tensores
cartesianos
3.1 Complianza y Rigidez Elsticas son Propiedades
Centrosimtricas
Verificar que la complianza y la rigidez elsticas son propiedades centrosimtricas (es
decir, que si se realiza una inversin sus componentes no varan).
Sol.: si la estructura de un material posee centro de simetra, quiere decir que es invariante
respecto de la siguiente transformacin (ver figura):
1 1 2 2 3 3
x x x x x x


Y los elementos de la matriz de transformacin son:
ij ij
l =
La complianza despus de la transformacin de ejes ser:

' 4
( 1)
ijkl im jn kp lq mnpq im jn kp lq mnpq ijkl
s l l l l s s s = = =
Es decir, ' s s = , y el mismo argumento es vlido para la rigidez elstica.
________________________________________________________________________

2013-2014
70
3.2 Estructura de una Propiedad de 2 Orden
Simtrica para la Clase Cbica 23
Deducir la estructura de la matriz de resistividad elctrica para la clase cristalogrfica 23
(cbica) .
Sol.: la clase 23 tiene varios elementos de simetra: cuatro ejes ternarios en las
direcciones de las cuatro diagonales del cubo (tipo de direcciones <1 1 1>) y tres ejes
binarios (tipo de direcciones <1 0 0>).
Si se toma primero un eje de rotacin ternario; la clase 23 es invariante respecto de una
rotacin de 1/3 de vuelta alrededor de la direccin [1 1 1], es decir, respecto de la
transformacin:
1 2 2 3 3 1
x x x x x x

[ ] 111

y sus propiedades permanecern inalterables al realizar esta transformacin. La matriz de
transformacin para este giro es:

1
3
0 1 0
0 0 1
1 0 0
L


=



Aplicando la ley de transformacin de tensores de 2 orden:
'
ij im jn mn
l l = a cada uno de
los elementos de la propiedad (izquierda) y la condicin de invarianza (centro) se
concluye (derecha):
Transformacin Tensores Invarianza Conclusiones
11 1 1 22
'
m n mn
l l = =
11 11
' =
11 22
=
22 2 2 33
'
m n mn
l l = =
22 22
' =
22 33
=
33 3 3 11
'
m n mn
l l = =
33 33
' =
33 11
=
12 1 2 23
'
m n mn
l l = =
12 12 21
' = =
12 23
=

2013-2014
71
13 1 3 21
'
m n mn
l l = =
13 13 31
' = =
13 21
=
23 2 3 31
'
m n mn
l l = =
23 23 32
' = =
23 31
=

Luego
11 22 33
= = y
12 13 23
= = , que corresponde con la equivalencia de los tres
ejes en el sistema cbico, pero falta determinar si son nulos o no.
Por ello hay que tomar otro elemento de simetra, por ejemplo un eje binario: la clase 23
es invariante respecto de una rotacin de 1/2 vuelta alrededor de la direccin [1 0 0], es
decir, respecto de la transformacin:
1 1 2 2 3 3
x x x x x x


y sus propiedades permanecern inalterables al realizar esta transformacin. La matriz de
transformacin para este giro es:

1
2
1 0 0
0 1 0
0 0 1
L


=


Transformacin Tensores Invarianza Conclusiones
11 1 1 11
'
m n mn
l l = =
11 11
' =
11
0
22 2 2 22
'
m n mn
l l = =
22 22
' =
22
0
33 3 3 33
'
m n mn
l l = =
33 33
' =
33
0
12 1 2 12
'
m n mn
l l = =
12 12
' =
12
0 =
13 1 3 13
'
m n mn
l l = =
13 13
' =
13
0 =

2013-2014
72
23 2 3 23
'
m n mn
l l = =
23 23
' =
23 13 12
0 = = =
Vase que en la ltima lnea se ha usado una de las conclusiones de la transformacin
anterior. La estructura de la propiedad de 2 orden ser entonces:
( )
str



=





________________________________________________________________________
3.3 Propiedad de 3er. Orden para la Clase 2
Deducir la estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos para la clase cristalogrfica
2 (monoclnica) .
Sol.: la clase 2 tiene como nico elemento de simetra un eje binario paralelo a la
direccin . Es decir, es invariante respecto de la transformacin:
1 1 2 2 3 3
x x x x x x


Y los elementos de la matriz de transformacin son:

11 12 13
21 22 23
31 32 33
1 0 0
0 1 0
0 0 1
l l l
l l l
l l l
= = =
= = =
= = =

Aplicando la ley de transformacin:
'
ijk im jn kp mnp
d l l l d = a cada uno de los elementos
(recordando que el tensor de mdulos piezoelctricos es simtrico en los dos ltimos
ndices), aqullos que cambien de signo sern nulos, porque la operacin de simetra debe
dejarlo invariante, lo cul slo es compatible con un cambio de signo si el elemento es
nulo.
De los 27 trminos de la triple suma (hay tres ndices repetidos) todos los que contengan
cosenos directores con ndices diferentes sern cero. Se observa que el nico trmino
restante ser distinto de cero slo si contiene
22
l exactamente una vez o tres veces.

2013-2014
73

'
111 1 1 1 11 11 11 111
11 11 12 112 11 11 13 113 11 12 11 121 11 13 11 131 12 11 11 211 13 11 11 311 111 111
0
m n p mnp
d l l l d l l l d
l l l d l l l d l l l d l l l d l l l d l l l d d d
= =
+ + + + + + + = =

los ltimos 26 trminos son 0 porque contienen factores con
ij
l i j
Procediendo de igual manera con todos los elementos, los nicos que no se anulan son:

112 121 123 132
211 213 222 231 233
312 321 323 332
, , , ,
, , , , ,
, , ,
d d d d
d d d d d
d d d d

es decir, en notacin de Voigt:
16 14 21 25 22 23 36 34
, , , , , , , d d d d d d d d
Con lo cual, la estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos para la clase 2 debe ser:
( ) str d


=



Es evidente que la estructura obtenida depende de la orientacin del eje binario de
simetra (en general, de los elementos de simetra) respecto de los ejes cartesianos
convencionales. De aqu la importancia de orientar siempre el material del modo estndar
o convencional, tal y como est indicado en los estereogramas.
________________________________________________________________________
3.4 Propiedad de 3er. Orden para la Clase m
Deducir la estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos para la clase cristalogrfica
m (monoclnica).
Sol.: la clase m tiene como nico elemento de simetra un plano de reflexin
perpendicular a la direccin . Es decir, es invariante respecto de la transformacin:
1 1 2 2 3 3
x x x x x x

m

y sus propiedades permanecern inalterables al realizar esta reflexin. La matriz de
transformacin para este plano es:

2013-2014
74

1 0 0
0 1 0
0 0 1
m
L


=



Siguiendo el mismo razonamiento del problema anterior, se anularn las componentes de
d

que tengan el subndice 2 una o tres veces. Sern distintas de cero las componentes
que no tengan el subndice 2 o que lo tengan dos veces, es decir:

111 333
113 311 131
133 313 331
122 212 221
322 232 223
,
, ,
, ,
, ,
, ,
d d
d d d
d d d
d d d
d d d

y en notacin de Voigt:
11 33 15 31 13 35 12 26 32 24
, , , , , , , , , d d d d d d d d d d
Con lo cual, la estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos para la clase m debe
ser:
( ) str d


=



con diez componentes independientes.
Las estructuras de los mdulos piezoelctricos y de las matrices de complianza y rigidez
para el resto de las clases cristalogrficas se obtienen por argumentos anlogos.
________________________________________________________________________
3.5 Propiedades Orden 1, Clases Polares
Comprobar que slo los materiales que pertenecen a las clases polares:
1, 2, , 2, 4, 4 , 3, 3 , 6, 6 m mm mm m mm
pueden presentar efecto piroelctrico.
Sol.: puesto que un cristal (y todas sus propiedades) son invariantes bajo todas las
operaciones de simetra de la clase cristalogrfica, un material ser polar si el vector
polarizacin (o la resultante de los dipolos moleculares) permanece invariante bajo todas
las operaciones de simetra de la clase cristalogrfica.
Como ilustracin, si un material pertenece a una clase centrosimtrica, es invariante bajo
inversin. La inversin (cambio de signo de todas las componentes) equivale a un cambio
de sistema de referencia dado por la matriz:

1
1 0 0
0 1 0
0 0 1
L


=


y una propiedad de orden 1 se transforma como:

2013-2014
75

1
1 0 0
' 0 1 0
0 0 1
p L p p p


= = =


Como se ha supuesto que el material es centrosimtrico, su estructura geomtrica y todas
sus propiedades (entre ellas la polarizacin) deben ser invariantes bajo la operacin de
inversin, es decir, las mismas antes y despus de la inversin: ' p p =
El nico modo de satisfacer simultneamente ambas condiciones es que: 0 p =
Ningn material centrosimtrico puede presentar efecto piroelctrico.
Dentro de los materiales no centrosimtricos, presentarn el efecto piroelctrico aqullos
que tengan un solo elemento de simetra, por ejemplo un eje binario, o ternario, o
cuaternario, o senario, o un solo plano de simetra, en el cual est contenido el vector
polarizacin.
Si la clase no centrosimtrica tuviera ms elementos de simetra, los siguientes elementos
tienen que contener al primero. Por ejemplo la clase 2 mm tiene 3 elementos de simetra:
un eje binario y dos planos de reflexin; el eje binario (direccin cartesiana) es justo la
interseccin de los dos planos de simetra, luego la polarizacin slo puede tener
componente 3.
________________________________________________________________________
3.6 Deformacin por Curado en Material Compuesto
Un material compuesto est fabricado con capas de un tejido de carbono HT de 30
hilos/cm de urdimbre y 5 hilos/cm de trama; trama y urdimbre son perpendiculares. Las
capas de tejido estn apiladas en planos paralelos y de modo que las direcciones de la
trama y la urdimbre son las mismas en todas las capas. La matriz es de polister saturado
e istropa. Con este material se desea fabricar un eje, para lo cual se rellena
completamente un molde cilndrico recto.
Durante la reaccin de curado de la matriz, el contenido del molde se distorsiona de
acuerdo con:

=
donde es el grado de avance de la reaccin de curado y

son los coeficientes de


distorsin (o cambio dimensional) por curado.
Se consideran dos procesos diferentes de fabricacin:
1. al rellenar el molde, el tejido se orienta de manera que la urdimbre es colineal con el
eje del molde
2. al rellenar el molde, el tejido se orienta de manera que el eje del molde forma un
ngulo de 45 con la urdimbre
Determinar forma y dimensiones del eje despus del curado completo.

2013-2014
76
Datos: las direcciones , y corresponden a la urdimbre, la trama y a la direccin
perpendicular al tejido, respectivamente. Las dimensiones del eje: 0.05 m R = y 1m L =
y los coeficienes de distorsin por curado:

0 0 0
0 0.036 0
0 0 0.067



=






Sol.: el curado completo de la matriz corresponde a 1 = , con lo cual, la deformacin
causada por la reaccin de curado es:

0 0 0
0 0.036 0
0 0 0.067



=






En el primer caso, puesto que el eje del molde est alineado con el eje , la distorsin
corresponde directamente al cambio dimensional que se indica (con la escala exagerada)
en la figura de la derecha, con
ij ij
=

0.05 R m =
1 L m =
2 22
0.05(1 ) R m = +
3 33
0.05(1 ) R m = +
1 L m =
P
P

Se comprueba que la seccin transversal pasa de ser una circunferencia a ser una elipse:
las coordenadas de un punto que se encuentra sobre la periferia del eje antes del curado
(p.ej. P en la figura), satisfacen

2 2
3 2
1
x x
R R

+ =



Despus del curado, las nuevas coordenadas del punto (P) pasan a ser:

2 2 22 3 3 33
(1 ) (1 ) x x x x = + = +
Despejando las coordenadas antiguas (sin ) y sustituyendo en la expresin anterior se
comprueba que las nuevas coordenadas satisfacen la ecuacin:

2 2
3 2
22 33
1
(1 ) (1 )
x x
R R


+ =

+ +


que es la de una elipse de semiejes:

2013-2014
77

2 22
3 33
(1 ) m
(1 ) m
R R
R R

= +
= +

En el segundo caso, el eje del molde forma un ngulo de 45 = con la direccin de la
urdimbre. Visto en direccin perpendicular a :

urdimbre
t
r
a
m
a

El modo ms directo de calcular la distorsin por curado es definir un sistema nuevo de
ejes en el que el eje sea colineal con el eje del molde. En este sistema de ejes, el tensor
de deformacin es, en general:

11
22
33
2 2
11 22 22 11
2 2
22 11 11 22
33
cos sen 0 0 0 cos sen 0
sen cos 0 0 0 sen cos 0
0 0 1 0 0 0 0 1
cos sen ( )sen cos 0
( )sen cos sen cos 0
0 0
T
L L



= =



+

= +


Como segn el enunciado
11
0 = , esta deformacin corresponde a:

2
22 22
2
22 22
33
sen sen cos 0
sen cos cos 0
0 0



=






en el eje , la misma situacin que en el primer caso, es decir deformacin
longitudinal negativa (acortamiento), con lo que el semieje vertical de la seccin
es:
3 33
(1 ) R R = +
en el plano , hay deformacin longitudinal (acortamiento) en direccin , con
lo que el semieje de la seccin es:
2
2 22
(1 cos ) R R = + y en direccin la
nueva longitud del cilindro es:
2
11 22
(1 ) (1 sen ) L L L = + = +
adems, existe deformacin angular en el plano como se ilustra a escala
exagerada en la figura siguiente. Las caras frontal y trasera, que en el molde antes del

2013-2014
78
curado son perpendiculares al eje, despus del curado ya no lo son sino que forman un
ngulo de

12 22
2 2 sen cos
2 2

=

urdimbre
t
r
a
m
a
12
2
2



Resumiendo, para el valor de 45 = las caras frontal y trasera del eje son elipses de
semiejes:

3 33
2
2 22
(1 ) 0.0467 m
(1 cos ) 0.0491m
R R
R R


= + =
= + =

la nueva longitud del cilindro es:

2
22
(1 sen ) 0.982 m L L = + =
y el ngulo entre las caras frontal y trasera y el eje despus del curado:

12 22
2 2 sen cos 90 2 4'
2 2

= =
luego la deformacin angular ser de 2 4' y el cambio de volumen:

2 2
22 33 22 33
(sen cos ) 0.103
V
V

= + = + + =
idntico para los ejes y los ejes , es decir, una contraccin volumtrica de
aproximadamente el 10%.
________________________________________________________________________


79
3.8
A qu sistema cristalino pertenecer un material con los siguientes valores de los mdulos
piezoelctricos: d
111
5.4 = , d
122
d
212
= d
221
= 5.4 = , d
222
3.2 = ,
d
211
d
112
= d
121
= 3.2 = ?
Tetragonal 422
Hexagonal
Hexagonal 622
Trigonal 32
Tetragonal
3.7
Un monocristal de un material cermico, sin defectos y que contiene todos los elementos cristalogrficos
de simetra de la celda cristalina tiene forma de prisma recto cuya base es un tringulo equiltero. De
este material se conocen los valores de las siguientes complianzas elsticas:
s
1111
5.31 10
11
= Pa
-1
s
1122
1.12 10
11
= Pa
-1
calcular la componente s
1212
de la complianza elstica.
Sol.: el material cermico pertenece al sistema hexagonal (posee un eje senario de inversin, o bien un
eje ternario con un plano perpendicular a l, que es equivalente). De la notacin de Voigt y de la
estructura de la matriz de complianza se deduce:
( ) ( )
1212 66 11 12 1111 1122
1 1 1
2
4 4 2
s s s s s s = = =
s
1212
1
2
s
1111
s
1122

( )
= s
1212
2.095 10
11
= Pa
-1
_________________________________________________________________________________
6
42m
Sol.: el material posee dos componentes independientes de los mdulos piezoelctricos, de forma
que las estructuras tetragonal 422 y hexagonal 622 quedan descartadas. Las estructuras trigonal 32
y la otra tetragonal poseen mdulo d
22
(que corresponde al d
222
) nulo, luego tambin quedan
descartados. La nica que coincide con los valores propuestos es la estructura hexagonal:
6
_________________________________________________________________________________
3.9
Cul de los siguientes materiales no puede presentar efecto piezoelctrico directo e inverso?
-cuarzo (clase 32)
aragonito (carbonato clcico ortorrmbico, clase mmm)
2013-2014
80
clorato sdico (clase 23)
nitrito de bario (clase 6)
resorcina C
6
H
4
(OH)
2
(clase mm2)
todos los materiales anteriores pueden presentar efecto piezoelctrico directo e inverso
Sol: el aragonito pertenece a la clase mmm, que es centrosimtrica y no puede tener propiedades de
orden impar, luego no puede presentar efecto piezoelctrico directo ni inverso.
_________________________________________________________________________________
3.10
Un determinado material istropo, presenta los siguientes valores de la complianza elstica (en notacin
de Voigt, y en unidades de 10
-10
Pa
-1
):
s
11
0.85 = s
12
0.15 =
Calcular el valor del elemento s
3223
del tensor de complianza elstica.
Sol.: los subndices 3223 corresponden, en notacin de Voigt, a los subndices 44. Como se trata de la
complianza, hay que aadir un factor multiplicativo de 4. Para un sistema istropo, se cumple:
( )
44 11 12 3223
2 4 s s s s = =
y en las mismas unidades: s
3223
1
2
s
11
s
12

( )
= s
3223
0.35 =
_________________________________________________________________________________
3.11
Para un determinado material, se miden los coeficientes de conductividad trmica referidos a un
sistema de coordenadas que est rotado con respecto de los ejes convencionales un ngulo
30 = alrededor del eje 2, tal y como se muestra en el esquema.
2013-2014
81
La estructura del tensor conductividad trmica obtenido es:
(en W/m K)
k
1.3415
0
0.0915
0
1
0
0.0915
0
0.6585

=
Especificar a cul de los siguientes tipos de material puede corresponder (redondear los resultados
numricos a cuatro cifras decimales):
Un monocristal triclnico.
Un material compuesto orttropo.
Un polmero completamente amorfo.
Un material compuesto "desequilibrado" (monoclnico).
Una fibra orientada.
Sol.: la matriz de transformacin del sistema convencional ("viejo") al sistema utilizado ("nuevo") es:
L
cos ( )
0
sen ( )
0
1
0
sen ( )
0
cos ( )

= L
0.866
0
0.5
0
1
0
0.5
0
0.866

=
Aplicando la transformacin de ejes inversa (deshaciendo la rotacin) se obtiene el tensor de
conductividad referido a la orientacin convencional:
'
ij ki lj kl
k l l k = k L
T
k L = k
1.25
0
0.25
0
1
0
0.25
0
0.75

=
Para propiedades de segundo orden simtricas, esta estructura corresponde al sistema monoclnico.
_________________________________________________________________________________
3.12
Un determinado material con propiedades piezoelctricas y piroelctricas, y cuya simetra pertenece al
sistema tetragonal, presenta, entre otros, los siguientes mdulos piezoelctricos: d
311
3.5 = , d
113
6.1 =
pC/N. Cunto valdr el mdulo d
223
?
Sol.: como es un material piroelctrico, tiene que pertenecer a una clase polar, bien la 4 o la 4mm.
En notacin de Voigt, se conocen los mdulos d
31
y d
15
y se pide el mdulo d
24
. Para ambas
clases, se cumple que d
24
= d
15
, luego d
223
= d
113
= 6.1 pC/N.
_________________________________________________________________________________
3.13
La brookita es una de las tres formas cristalinas diferentes que puede adoptar el dixido de titanio
2013-2014
82
(TiO
2
). Un monocristal de brookita, sin defectos y que contiene todos los elementos cristalogrficos de
simetra de la celda cristalina tiene la forma que se indica en las figuras.
De este material cermico se conocen los valores de las siguientes conductividades elctricas (referidas a
los ejes convencionales):

11
5.31 10
14
= S/m
33
1.12 10
14
= S/m
Calcular la componente
22
de la conductividad elctrica en los ejes convencionales.
Sol: la brookita es tetragonal y las conductividades en las direcciones convencionales 1 y 2 son idnticas:

22

11
=
22
5.31 10
14
= S/m
_________________________________________________________________________________
3.14
Un cubo de lado L de un material de la clase cristalogrfica m3 se somete a compresin hidrosttica
homognea en todo su volumen, es decir, el tensor de tensin es un mltiplo del tensor unidad en todos
los puntos:
p =
Considerando pequeas deformaciones, su volumen cuando est comprimido est dado por:
Sol.: el producto de la matriz de complianzas para la clase dada y el vector de tensin (ambos en
notacin de Voigt), produce una deformacin:
( )
( )
( )
11 12
11 12
11 12
2
2
2
0
0
0
p s s
p s s
p s s
+

+


+
=





Con lo cual el nuevo volumen (para pequeas deformaciones)


es:
( ) ( )
3
3 3
11 12 11 12
1 2 1 3 2 L p s s L p s s + +

_________________________________________________________________________________
2013-2014
83
3.15
El Na
2
CoP
2
O
7
es un material cermico inico conductor de la corriente elctrica. Su estructura es
tetragonal. Sus conductividades en las direcciones convencionales 1 y 3 son respectivamente
1 6.16 10
3
= S/m y 3 1.57 10
3
= S/m.
Determina cul es su conductividad en una direccin que est en el plano definido por las direcciones
convencionales 1 y 2, y que forma un ngulo de 21 = con el eje 1.
Sol.: la conductividad elctrica es una propiedad tensorial de 2 orden simtrica. La estructura de la
propiedad para el sistema tetragonal es:
El material es istropo en el plano 1-2 y las propiedades de 2 orden en cualquier direccin contenida en
ese plano son las mismas que en las direcciones de los ejes convencionales 1 y 2. Luego no es necesario
hacer ningn clculo:
1 = 6.16 10
3
= S/m
Si se quiere comprobar este resultado, trabajando ms, se usa la expresin de una propiedad de
segundo orden simtrica en una direccin definida por un vector unitario en la direccin indicada en el
enunciado:
Vector unitario en la direccin dada:
n
cos ( )
sen ( )
0

= n
0.934
0.358
0

=
La estructura del tensor conductividad elctrica en los ejes cartesianos
convencionales:

1
0
0
0
1
0
0
0
3

=
i j ij
n n = La conductividad en la direccin dada es:
Y nuevamente:
1
3
i 1
3
j
n
i
n
j

i j ,
( )

=
6.16 10
3
= S/m
1
3
i
n
i
( )
2

i i ,

=
6.16 10
3
=
O bien, como es diagonal, la expresin anterior se reduce a: S/m
Puede comprobarse, trabajando an ms, calculando la conductividad en un sistema de ejes nuevo,
rotado en torno al eje 3, y de manera que, p.ej. el nuevo eje 1' apunte en la direccin especificada en el
enunciado. La componente 11 de la propiedad transformada es entonces la magnitud pedida:
2013-2014
84
L
cos ( )
sen ( )
0
sen ( )
cos ( )
0
0
0
1

= L L
T

6.16 10
3

0
0
0
6.16 10
3

0
0
0
1.57 10
3

=
L L
T

( )
1 1 ,
6.16 10
3
=
S/m
El mismo resultado se debe obtener haciendo que sea el nuevo eje 2' el que apunte en la direccin
especificada en el enunciado. En este caso es la componente 22 de la propiedad transformada la que da
la magnitud pedida:
L
sen ( )
cos ( )
0
cos ( )
sen ( )
0
0
0
1

= L L
T

6.16 10
3

0
0
0
6.16 10
3

0
0
0
1.57 10
3

=
L L
T

( )
2 2 ,
6.16 10
3
= S/m
_________________________________________________________________________________
3.16
Para un determinado material cermico se miden los coeficientes de dilatacin trmica, referidos a un
sistema de coordenadas que est rotado con respecto de los ejes cartesianos convencionales un
ngulo 40 = alrededor del eje 2, tal y como se muestra en el esquema.
La estructura del tensor coeficiente de dilatacin o expansin trmica medido en los ejes 1', 2', 3' es:

0.502
0
0.295
0
0.25
0
0.295
0
0.398

=
Especificar a cul de los siguientes tipos de material puede corresponder (redondear los resultados
numricos a dos cifras decimales):
2013-2014
85
Un monocristal ortorrmbico.
Un material de simetria tetragonal.
Un material refractario istropo.
Un material monoclnico.
Un material totalmente amorfo.
Sol.: la matriz de transformacin del sistema convencional ("viejo") al sistema utilizado ("nuevo") es:
L
cos ( )
0
sen ( )
0
1
0
sen ( )
0
cos ( )

= L
0.766
0
0.643
0
1
0
0.643
0
0.766

=
Aplicando la transformacin de ejes inversa se obtiene el tensor de expansin trmica referido a la
orientacin convencional:
'
ij ki lj kl
l l = L
T
L =
ii 1 3 .. = jj 1 3 .. =

ii jj ,
if
ii jj ,
10
15
< 0 ,
ii jj ,
,
( )
=

0.75
0
0
0
0.25
0
0
0
0.15

=
Para propiedades de segundo orden simtricas, esta estructura corresponde al sistema ortorrmbico.
_________________________________________________________________________________
3.17
Un material ferroelctrico del sistema trigonal presenta, entre otros, los siguientes valores de los
mdulos piezoelctricos: d
113
0.75 = , d
211
0.34 = , d
311
0.15 = y d
333
0.22 = pC/N.
Cunto valdr el mdulo d
112
?
Sol: las clases ferroelctricas (piezo y piroelctricas) del sistema trigonal son la 3 y la 3m. Para
ambas se cumple:
16 112 22 21 211
2 2 2 2 d d d d d = = = =
de esta igualdad: d
112
d
211
= d
112
0.34 = pC/N
_________________________________________________________________________________
2013-2014
86
3.18
Determina las componentes (en dos dimensiones, 2D) del tensor deformacin para los siguientes
desplazamientos (u) de los puntos A, B, C y D de la estructura de la figura y para el lado L 6.34 = m.
0 001 0 002 0 001 0
0 002 0 002 0 0
A B C D
. . .
u u u u
. .

= = = =


A (L,0)
B (L,L) C(0,L)
D (0,0) A (L,0)
B (L,L) C(0,L)
D (0,0)
Sol.: a partir de la definicin del tensor deformacin, e integrando, resulta:
1 2 1
1 1 2
11 12
12 22
1 2 2
2 1 2
1
2
1
2
u u u
x x x
u u u
x x x

+





= =





+





( )
( )
1 1 2 11 1 2 12 2
2 1 2 22 2 1 12 1
u x , x x Cx x K
u x , x x Cx x K
= + + +
= + +
Las constantes de integracin K y K' son cero porque el desplazamiento del punto D es cero.
Sustituyendo los desplazamientos de los puntos B y C en la expresin anterior, se obtiene:
( )
( )
( )
( )
1 1 2
2 1 2
1 1 2
2 1 2
11 12
22 12
12
22
B B B
B B B
C C C
C C C
u x , x L CL L
u x , x L CL L
u x , x CL L
u x , x L
= + +
= +
= +
=
de donde:
11
0.001
L
=
12
0.003
2L
=
22
0 =

11
1.577 10
4
=
12
2.366 10
4
=
22
0 =
_________________________________________________________________________________
2013-2014
87
3.19
La divergencia de un campo tensorial de orden 2 definido como equivale, en notacin de
subndices, a :

Sol : haciendo una contraccin de ndices, resulta un tensor de primer orden:
( )
jk
ik ik
j i k k k
j j i
x x x


= =

_________________________________________________________________________________
3.20
Un material cermico piezoelctrico no piroelctrico del sistema tetragonal tiene, entre otros, los
siguientes mdulos piezoelctricos: d
14
1.9 10
9
= C/N, d
15
3.1 10
9
= C/N y
d
31
5.7 10
9
= C/N. Determinar el valor del mdulo d
213
.
Sol: Un material tetragonal piezoelctrico pero no piroelctrico no puede ser de ninguna de las dos
clases polares tetragonales, es decir, ni clase 4 ni clase 4mm.
Segn los mdulos indicados slo puede ser la clase:
4












Para esta clase la matriz de mdulos piezoelctricos es:
luego
14 25 123 213
2 2 d d d d = = =
d
213
d
14
2
= d
213
9.5 10
10
= C/N
_________________________________________________________________________________
3.21
De un material cermico del sistema monoclnico se conocen los valores de las siguientes componentes
de la conductividad trmica (propiedad de segundo orden, simtrica): k
11
2.45 = W/m K,
k
22
7.32 = W/m K, k
33
5.33 = W/m K, k
13
1.53 = W/m K, referidos a los ejes convencionales
del material.
A partir del monocristal se ha fabricado una probeta cilndrica de lado L 0.1 = m y dimetro
D 0.002 = m, cuyo eje forma un ngulo de
1
55 = con el eje convencional 1, y un ngulo

2
65 = con el eje convencional 2. Determinar la conductividad trmica de la probeta en la direccin
de su eje.
2013-2014
88
Sol.: el valor de una propiedad de segundo orden simtrica, como la conductividad trmica, en una
direccin dada es:
n i j ij
k n n k =
donde las n
i
son las componentes (cosenos directores) de un vector unitario n que apunta en la
direccin en la que se quiere calcular la propiedad. Los cosenos directores de la direccin del eje de la
probeta son:
n
1
cos
1
( )
= n
2
cos
2
( )
= n
3
1 n
1
2
n
2
2
+ ( ) =
n
1
0.574 = n
2
0.423 = n
3
0.702 =
El valor de la conductividad en la direccin del eje es:
n
1
2
k
11
n
2
2
k
22
+ n
3
2
k
33
+ 2n
1
n
3
k
13
+ 5.97 = W/m K
_________________________________________________________________________________
3.22
Un material cermico hexagonal presenta, entre otros, los siguientes valores de la rigidez elstica:
c
11
4.1 10
10
= Pa y c
12
1.2 10
10
= Pa. Determinar el valor del elemento c
2112
del tensor de
rigidez elstica.
Sol.: el material es hexagonal y la estructura de su matriz de rigidez elstica es:





El elemento pedido es en notacin de Voigt : c
2112
= c
66
(para la
rigidez c, no hay que multiplicar por 2 ni por 4)
A la vista de la estructura de la propiedad, el elemento c
66
del tensor
rigidez elstica viene designado con una " x " , que corresponde a:
c
66
c
11
c
12

2
= c
66
2.65 10
10
= Pa
_________________________________________________________________________________
3.23
La madera es un material compuesto altamente anistropo como consecuencia de su estructura celular.
Una cuestin prioritaria a tener en cuenta en el diseo y construccin con este material es el cambio de
forma que sufre como consecuencia de la variacin en su contenido de agua (p.ej. debido al secado, a
cambios de humedad y temperatura ambientes entre verano e invierno, etc). De modo general, la
2013-2014
89
deformacin del material y la variacin de su contenido en humedad se pueden expresar como:
x
w
=
donde
es el tensor deformacin (-)
es un coeficiente tensorial de proporcionalidad (-)
x
w

es la variacin del contenido de agua en la madera (fraccin msica) respecto de un valor
de referencia x
ref
0.12 = , es decir, x
w
x x
ref
= .
Para una muestra de madera de pino albar, el coeficiente determinado experimentalmente es:

0.53
0
0
0
0.38
0
0
0
0

=
expresado en un sistema de coordenadas cartesiano en el que el eje 1 es colineal con la direccin
tangencial, el 2 con la radial y el 3 con el eje del tronco (considerado como un cilindro recto). De esta
madera, seca al 12% ( x 0.12 = ), se labran dos jcenas A y B de las siguientes dimensiones a partir
de un mismo tabln T (ver la figura inferior; la seccin de la viga B es la misma que la de A, pero est
girada 45 respecto de A):
l
1
0.12 = m en la direccin del eje 1
l
2
0.12 = m en la direccin del eje 2
l
3
3.50 = m en la direccin del eje 3.
Determinar qu variaciones estacionales sufren las vigas si en el verano el contenido de humedad baja al
x
min
0.06 = y en invierno sube al x
max
0.20 = .
Notas: el valor x
ref
0.12 = corresponde al contenido de agua de la madera considerada como "seca", qu e
es el estado en el que se le da forma por labra, regrueso, fresado, moldurado, etc. Variaciones del contenido
de humedad de la madera por encima o por debajo de x
ref
producen distorsiones de la forma mecanizada.
2013-2014
90
Ntese tambin que la dependencia entre variacin de humedad y la deformacin de la madera es
formalmente idntica a la relacin entre deformacin y cambio de temperatura en un material cualquiera.
Solucin: para la jcena A y para x
min
, la deformacin es:

min
x
min
x
ref

( )
=
min
0.0318
0
0
0
0.0228
0
0
0
0

=
A la vista de la forma de
min
, la deformacin que sufre la jcena es una contraccin en dos de las
direcciones de los tres ejes de referencia, que coinciden con sus aristas. Sus nuevas dimensiones son:
l
1.min
l
1
1
min
1 1 ,
+
( )
= l
1.min
0.116 = m
l
2.min
l
2
1
min
2 2 ,
+
( )
= l
2.min
0.117 = m
l
3.min
l
3
1
min
3 3 ,
+
( )
= l
3.min
3.5 = m
Igualmente para x
max
:

max
x
max
x
ref

( )
=
max
0.0424
0
0
0
0.0304
0
0
0
0

=
l
1.max
l
1
1
max
1 1 ,
+
( )
= l
1.max
0.125 = m
l
2.max
l
2
1
max
2 2 ,
+
( )
= l
2.max
0.124 = m
l
3.max
l
3
1
max
3 3 ,
+
( )
= l
3.max
3.5 = m
Para visualizar claramente el campo de deformacin para la humedad minima se consideran slo las dos
dimensiones en las que hay deformacin y se aumentan (slo a efectos de representacin grfica) los
desplazamientos en un factor de 10.
Campo de deformacin:
u1 x
1
x
2
,
( )
10
min
1 1 ,
x
1
= u2 x
1
x
2
,
( )
10
min
2 2 ,
x
2
=
Vrtices de la seccin transversal de la viga:
P
0
0

= Q
l
1
0

= R
l
1
l
2

= S
0
l
2

=
X_seccin
P
1
Q
1
R
1
S
1
P
1

= Y_seccin
P
2
Q
2
R
2
S
2
P
2

=
2013-2014
91
X_seccin_deformada
P
1
u1 P
1
P
2
, ( ) +
Q
1
u1 Q
1
Q
2
, ( ) +
R
1
u1 R
1
R
2
, ( ) +
S
1
u1 S
1
S
2
, ( ) +
P
1
u1 P
1
P
2
, ( ) +

= Y_seccin_deformada
P
2
u2 P
1
P
2
, ( ) +
Q
2
u2 Q
1
Q
2
, ( ) +
R
2
u2 R
1
R
2
, ( ) +
S
2
u2 S
1
S
2
, ( ) +
P
2
u2 P
1
P
2
, ( ) +

=
0 0.05 0.1
0.05
0.1
Secciones viga A
Y_seccin
Y_seccin_deformada
X_seccin X_seccin_deformada ,
La jcena B, en su sistema de coordenadas es la misma que la A, rotada 45, y las
coordenadas de sus vrices se pueden hallar girando los vrtices de la viga A 45
por medio de la matriz L:
(evidentemente tambin es posible escribir directamente las coordenadas de los
vrtices de la viga B).
L
2
2
2
2
2
2

2
2

=
P L P = Q L Q = R L R = S L S =
X_seccin
P
1
Q
1
R
1
S
1
P
1

= Y_seccin
P
2
Q
2
R
2
S
2
P
2

=
X_seccin_deformada
P
1
u1 P
1
P
2
, ( ) +
Q
1
u1 Q
1
Q
2
, ( ) +
R
1
u1 R
1
R
2
, ( ) +
S
1
u1 S
1
S
2
, ( ) +
P
1
u1 P
1
P
2
, ( ) +

= Y_seccin_deformada
P
2
u2 P
1
P
2
, ( ) +
Q
2
u2 Q
1
Q
2
, ( ) +
R
2
u2 R
1
R
2
, ( ) +
S
2
u2 S
1
S
2
, ( ) +
P
2
u2 P
1
P
2
, ( ) +

=
2013-2014
92
0.1 0 0.1
0.1
0.2
Secciones viga B
Y_seccin
Y_seccin_deformada
X_seccin X_seccin_deformada ,
Se comprueba que:
dos vigas que provienen del mismo tabln y tienen las mismas dimensiones iniciales, se deforman de
modo muy diferente al variar su humedad, dependiendo de su orientacin respecto de los ejes
principales del tronco.
vigas de seccin inicialmente cuadrada se pueden deformar manteniendo ngulos rectos (caso A) o
no (caso B).
Estas deformaciones son tpicas de las maderas macizas y no son despreciables. Deben ser tenidas en
cuenta al disear estructuras o mecanismos de madera. Por comparacin, las variaciones dimensionales
(deformacin) de una viga de hierro usada en construccin y debidas a cambios de temperatura entre
estaciones es del orden de 10
-5
, frente a valores como
max
1 1 ,
0.042 = , en el caso de la madera, en
este caso debidas a cambios de humedad.
Mientras que las deformaciones (inducidas por cambios de temperatura) en estructuras metlicas o de
hormign son despreciables en la mayora de los casos, las deformaciones (inducidas por cambios de
humedad) en estructuras de madera casi nunca son despreciables y obligan al empleo de sistemas
constructivos ms complejos y capaces de absorberlas sin prdida de su integridad mecnica.
_________________________________________________________________________________
3.24
Una viga de madera en forma de prisma recto de seccin cuadrada ha sido secada en horno hasta una
humedad del 12% y aserrada de modo que la arista "a" es colineal con el eje del rbol, la arista "b" est
orientada radialmente y la arista "c" tangencialmente a los anillos de crecimiento. Aplicada en una
estructura, la humedad de la viga desciende al 8% y con ello, las dimensiones de la viga varan de modo
que:
la longitud "a" prcticamente no cambia, mientras que la "b" y la "c" se hacen menores.
la longitud "a" prcticamente no cambia, mientras que la "b" se hace mayor y la "c" se hace menor.
la longitud "a" y la "b" prcticamente no cambian, mientras que la "c" se hace menor.
la longitud "b" prcticamente no cambia, mientras que la "a" y la "c" se hacen menores.
la longitud "a" y la "b" prcticamente no cambian, mientras que la "c" se hace mayor.
Sol: al reducirse el contenido de humedad de la madera, la dimensin longitudinal o axial (a)
2013-2014
93
prcticamente no vara, mientras que las radial (b) y tangencial se reducen (c).
__________________________________________________________________________________
3.25
La estructura ensamblada por ingletes encolados que se representa en la figura est construida en
madera seca al horno con un contenido en humedad estndar del 12%. En servicio en un clima seco, el
contenido de humedad de la madera desciende notablemente por debajo del 12%. Los cuatro
miembros de la estructura estn aserrados de manera que su dimensin mayor coincide con la
direccin axial de la madera, tal y como se indica en el primer dibujo. Estas uniones a inglete son
especialmente inadecuadas para materiales compuestos como la madera por su tendencia a
distorsionarse y a fallar estructuralmente Cul ser la forma que adopta la estructura al secarse la
madera?

Sol: la anchura de los cuatro miembros de la estructura se reducir apreciablemente, por ser direccin
radial o tangencial, mientras que su longitud se mantendr constante (longitudinal). La forma que
adoptar ser la que se indica (y el fallo estructural ser por desencolado de los ingletes).
__________________________________________________________________________________
3.26
Una pieza cbica de madera est cortada de modo que sus aristas son colineales con los ejes tangencial,
2013-2014
94
radial y longitudinal (o axial). Sus coeficientes higromtricos son respectivamente
11
0.42 = ,

22
0.35 = y
33
0.02 = en la frmula x
w
= que expresa el tensor de deformacin en funcin
de la variacin del contenido en humedad, donde xw = x - xref y x
ref
0.12 = . La pieza es cbica y de
arista a 0.1 = m cuando el contenido de humedad es igual al de referencia. Calcular el cambio de
volumen cuando su contenido de humedad aumenta al x 0.18 = .
Sol.: al aumentar el contenido de humedad, el cubo se convierte en un paraleleppedo recto de lados:
a
1
a 1
11
x x
ref

( )
+

= , a
2
a 1
22
x x
ref

( )
+

= y a
3
a 1
33
x x
ref

( )
+

= . La
variacin de volumen es de: a
1
a
2
a
3
a
3
4.8 10
5
= m
3
.
__________________________________________________________________________________
3.27
Verificar con el siguiente ejemplo numrico que, calculando la deformacin de un objeto a) en un
sistema de ejes dado y b) en otro girado - 45 respecto del primero, se obtiene el mismo fenmeno
fsico (deformacin).
Se deforma un cuadrado cuyos vrtices son:
P
1
1

= Q
1
1

= R
1
1

= S
1
1

=
El campo de deformacin homogneo (por ejemplo debido a cambio trmico, a variacin del contenido
en humedad, a tensin aplicada, al efecto piezoelctrico inverso, etc.), referido a unos ejes paralelos a
los lados del cuadrado, es:

0.1
0
0
0.2

=
y las componentes del tensor desplazamiento son:
u1 x
1
x
2
,
( )

1 1 ,
x
1

1 2 ,
x
2
+ = u2 x
1
x
2
,
( )

1 2 ,
x
1

2 2 ,
x
2
+ =
Demostrar que las componentes de los vectores de posicin de todos los puntos del objeto, las
componentes del tensor de deformacin (tensor gradiente de desplazamiento) y las componentes de los
vectores desplazamiento son diferentes en los dos sistemas, pero representan la misma situacin fsica,
expresada en dos sistemas de coordenadas diferentes.
Sol.: en el siguiente diagrama, las coordenadas de los vrtices antes de la deformacin se representan
con cuadrados y tras la deformacin con crculos:
P_def
P
1
u1 P
1
P
2
, ( ) +
P
2
u2 P
1
P
2
, ( ) +

= P_def
1.1
1.2

= Q_def
Q
1
u1 Q
1
Q
2
, ( ) +
Q
2
u2 Q
1
Q
2
, ( ) +

= Q_def
1.1
1.2

=
R_def
R
1
u1 R
1
R
2
, ( ) +
R
2
u2 R
1
R
2
, ( ) +

= R_def
1.1
1.2

= S_def
S
1
u1 S
1
S
2
, ( ) +
S
2
u2 S
1
S
2
, ( ) +

= S_def
1.1
1.2

=
2013-2014
95
1.5 1 0.5 0 0.5 1 1.5
1.5
1
0.5
0.5
1
1.5
Se repite ahora el clculo, pero en un sistema girado -45 respecto del primero. Se giran los vrtices y el
tensor por medio de la matriz L:
L
2
2
2
2
2
2

2
2

= Pg L P = Qg L Q = Rg L R = Sg L S =
g L L
T
=
g
0.15
0.05
0.05
0.15

= Nuevo tensor de deformacin; contiene elementos tanto en la diagonal como


fuera de ella.
Coordenadas de los cuatro vrtices girados y antes de la deformacin:
Pg
1.414
0

= Qg
0
1.414

= Rg
1.414
0

= Sg
0
1.414

=
u1 x
1
x
2
,
( )
g
1 1 ,
x
1
g
1 2 ,
x
2
+ =
u2 x
1
x
2
,
( )
g
2 2 ,
x
2
g
1 2 ,
x
1
+ =
Coordenadas de los cuatro vrtices girados y despus de la deformacin:
2013-2014
96
Pg_def
Pg
1
u1 Pg
1
Pg
2
, ( ) +
Pg
2
u2 Pg
1
Pg
2
, ( ) +

= Pg_def
1.626
0.071

=
Rg_def
Rg
1
u1 Rg
1
Rg
2
, ( ) +
Rg
2
u2 Rg
1
Rg
2
, ( ) +

= Rg_def
1.626
0.071

=
Qg_def
Qg
1
u1 Qg
1
Qg
2
, ( ) +
Qg
2
u2 Qg
1
Qg
2
, ( ) +

= Qg_def
0.071
1.626

=
Sg_def
Sg
1
u1 Sg
1
Sg
2
, ( ) +
Sg
2
u2 Sg
1
Sg
2
, ( ) +

= Sg_def
0.071
1.626

=
1.5 1 0.5 0 0.5 1 1.5
1.5
1
0.5
0.5
1
1.5
Se gira la seccin deformada 45 y se representa la figura deformada en el sistema original y la figura
girada, deformada, y girada al revs. Los smbolos cuadrados (Pgg, Qgg, etc) y los crculos (P_def,
Q_def, etc.) se solapan exactamente, es decir la deformacin calculada por las dos vas es exactamente
la misma:
2013-2014
97
Pgg L
T
Pg_def = Qgg L
T
Qg_def = Rgg L
T
Rg_def = Sgg L
T
Sg_def =
1.5 1 0.5 0 0.5 1 1.5
1.5
1
0.5
0.5
1
1.5
P_def
1.1
1.2

= Pgg
1.1
1.2

=
Q_def
1.1
1.2

= Qgg
1.1
1.2

=
R_def
1.1
1.2

= Rgg
1.1
1.2

=
S_def
1.1
1.2

= Sgg
1.1
1.2

=
El hecho de que sea diagonal en el primer sistema es consecuencia de que ese sistema es el
de las direcciones principales. El hecho de que el fenmeno fsico (deformacin) sea el
mismo calculado en los dos sistemas es consecuencia de las leyes de transformacin de
tensores:
se transforma : ' LL
T
=
se transforma el vector de posicin r: r' Lr =
se deforma mediante ' r' , es decir, L L
T
L r L r =
el resultado final es evidentemente lo mismo que calcular r en el primer sistema y luego
girar mediante L r ( ) .
__________________________________________________________________________________
2013-2014

2013-2014
98
4 Morfologas y estructuras
moleculares de los tipos
bsicos de materiales
4.1 Copolmero Etileno-Tetrafluoroetileno
ETFE es la sigla que denomina al copolmero etileno-tetrafluoroetileno, un material
plstico emparentado con el tefln, muy duradero, adaptable y que puede ser transparente.
Determinar la masa (kg) de un kmol de este copolmero que contiene un 40% en masa de
etileno.
Sol: el copolmero est formado por los dos monmeros siguientes: etileno (A) y
tetrafluoroetileno (B), siendo sus frmulas qumicas y masas moleculares las siguientes:

2 2 A
2 2 B
(A) H C=CH 28 kg/kmol
(B) F C=CF 100 kg/kmol
Mw
Mw
=
=

Como la totalidad de tomos de los monmeros se incorporan en la cadena polimrica, la
masa molecular del copolmero (masa de un kmol) se calcula a partir de las masas
moleculares anteriores y de las fracciones molares de los monmeros:

copolmero A A B B
Mw x Mw x Mw = +
Tomando como base de clculo 100 kg de copolmero, se transforma la fraccin msica
A
X en fraccin molar
A
x :

A
A
A
A B
A B
40
molesA
28
0.704
40 60
molesA+molesB
28 100
X
Mw
x
X X
Mw Mw
= = = =
+ +

y la masa molecular solicitada es:
( ) 0.704 28 1 0.704 100 49.31 kg/kmol Mw = + =
________________________________________________________________________

2013-2014
99
4.2 Caucho Estireno-Butadieno (1)
Uno de los cauchos sintticos ms importantes es el caucho de estireno-butadieno (SBR).
Este elastmero se prepara a partir de copolmeros de estireno-butadieno que
posteriormente son tratados con azufre para producir el entrecruzamiento de las cadenas
(vulcanizacin). Si se dispone de un copolmero con un 20% en masa de estireno, calcular
qu cantidad de azufre (kg) hay que aadir a 0.1 kg de este copolmero para conseguir
enlazar el 10% de los sitios de entrecruzamiento .
Suponer que solamente un tomo de azufre interviene en cada entrecruzamiento.
Sol.:las estructuras y masas moleculares de las unidades estructurales repetitivas (UER)
de estireno y butadieno son:
HC CH CH
2
CH
2
M(UER)=54g/mol
Mw
(UERbut)
=54 kg/kmol Mw
(UERest)
=104 kg/kmol
CH CH
2

por lo que la estructura bsica del SBR es:
HC CH CH
2
CH
2
CH CH
x
y
2

La presencia del doble enlace en el residuo de butadieno permite la reaccin con azufre y
el entrecruzamiento de las cadenas. De acuerdo con el enunciado slo se van a producir
entrecruzamientos en el 10% de los sitios posibles (10% de los residuos de butadieno),
consumiendo 1 tomo de S en cada uno de ellos, por tanto la masa de S necesaria para
vulcanizar 0.1 kg de copolmero es:

3
0.8 kg but. 1 kmol but. 0.1 kmol S 32 kg S
0.1 kg copol. 4.74 10 kg S
kg copol. 54 kg but. 1 kmol but. 1 kmol S

=
________________________________________________________________________
4.3 Terpolmero Acrilonitrilo-Butadieno-Estireno
El ABS (acrilonitrilo-butadieno-estireno) es un termoplstico muy utilizado en ingeniera
debido a sus propiedades, ya que combina buenas resistencias mecnica y al impacto con
la facilidad de su procesamiento. Se dispone de un ABS con la siguiente composicin
msica: 25% de poliacrilonitrilo, 25% de polibutadieno y 50% de poliestireno, para la
fabricacin de bandejas rectangulares con una cavidad de 45 cm x 30 cm y profundidad
de 12 cm (ver figura). Estas piezas pueden fabricarse por termoformado o por moldeo por
inyeccin.

2013-2014
100
Las caractersticas y costes relativos de cada uno de los procesos se relacionan a
continuacin:
Termoformado:
Como materia prima se utilizan lminas de ABS de 3 mm de espesor, disponible
comercialmente en hojas de 200 cm x 120 cm a 2300 /t. Para el proceso de fabricacin
es necesario precortar la lmina en piezas de 55 cm x 40 cm, que despus del proceso de
termoformado se recortan hasta la dimensin final de 47 cm x 32 cm (figura). El molde
necesario para la fabricacin de la bandeja supone 4000 , la hora de produccin en
fbrica 12 y el tiempo necesario para obtener una pieza es de 90 s. Se pueden abaratar
algo los costes de produccin ya que toda la materia prima de recorte sobrante se puede
vender a un precio de 500 /t.
Moldeo por inyeccin
Se obtienen bandejas con las dimensiones requeridas y una masa de 0.465 kg. La materia
prima empleada en este caso es ABS en forma de grnulos (granza) a 1600 /t. El molde
supone 16000 , la hora de produccin en fbrica 25 y el tiempo de procesamiento por
pieza es de 30 s. Aproximadamente un 5% del total de piezas elaboradas resulta
defectuoso, pudindose vender como materia prima para reciclar al precio de 500 /t.
1. Determinar la densidad del ABS.
2. Determinar el coste de produccin por bandeja (sin incluir el precio del molde) en
cada uno de los procesos.
3. Considerando ahora todos los costes, determinar a partir de qu nmero de piezas
resulta rentable el moldeo por inyeccin.
Datos:
Densidad poliacrilonitrilo =
3
1150 kg/m
Densidad poliestireno =
3
1060 kg/m
Densidad polibutadieno =
3
890 kg/m
vista lateral
30 cm
vista superior
45 cm
32 cm
47 cm
30 cm
45 cm
12 cm

Nota: los dibujos no estn realizados a escala.
Sol.:
1. Densidad del ABS a partir de las fracciones msicas:

3
1
1030.9 kg/m
PS A B
ABS
ABS A B PS
X X X


= + + =
2. Coste para termoformado (sin incluir el precio del molde):

2013-2014
101
De cada lmina de 200 cm x 120 cm se pueden obtener 10 piezas (10 futuras bandejas) de
55 x 40:

6
200 120
nmero de piezas por lmina 10.9 10 piezas 10 bandejas
55 40
1 2300 200 120 0.3 10 1030.9
coste materia prima por bandeja 1.7072
10 1000 1
12
coste tiempo 90 0.3
3600
ganancia reciclaje materia

= =


= =
= =
6
6
1 500
prima 1030.9 (200 120 0.3 10
10 1000
10 47 32 0.3 10 ) 0.13855
coste total sin molde por bandeja 1.7072 0.3 0.13855 1.8686

=
=
= + =

3. Coste para inyeccin (sin incluir el precio del molde):

1600
coste materia prima por bandeja 0.465 0.7440
1000
25
coste tiempo 30 0.20833
3600
500
ganancia reciclaje materia prima 0.05 0.465 0.011625
1000
coste total sin molde por bandeja 0.7440 0.20833 0
= =
= =
= =
= + .011625 0.94071 =

4. Nmero de piezas:

coste total termoformado n bandejas 1.8686 n 4000
coste total moldeo inyeccin n bandejas 0.94071 n 16000
Igualar y resolver: n 12933 bandejas
= +
= +
=

________________________________________________________________________
4.4 Caucho Estireno-Butadieno (2)
Se desea preparar un caucho de estireno-butadieno (SBR) en el que el nmero de residuos
de butadieno sea el triple que el de residuos de estireno. Determinar el precio (en materias
primas) de una tonelada de este material sabiendo que los precios de los monmeros son:

estireno butadieno
1250 /t 1600 /t P P = =

2013-2014
102
Sol.: las UER de estireno y butadieno y sus masas moleculares se han visto en el
problema 4.2. El copolmero de SBR de este problema tiene el triple de residuos de
butadieno que de estireno, lo que implica que aunque se desconozca la secuencia de los
monmeros estireno y butadieno, s se sabe que por cada 4 unidades de monmero en el
polmero, 1 unidad ser de estireno y 3 sern de butadieno, por ejemplo:
HC CH CH
2
CH
2
CH CH
x
y
2
3 1

Como el precio de los monmeros se proporciona en /t, se calculan las fracciones
msicas correspondientes a los monmeros en el copolmero:

estireno
butadieno
104
0.3910
1 104 3 54
3 54
0.6090
1 104 3 54
X
X
= =
+

= =
+

Y el precio de una tonelada de copolmero ser:

estireno estireno butadieno butadieno
1463.15 /t X P X P + =
________________________________________________________________________
4.5
La densidad de un politetrafluoroetileno (PTFE) es
3
2155 kg/m = . La materia prima
para su sntesis es el tetrafluoroetileno ( )
2 2
F C CF . = Calcular qu volumen (
3
m ) del
monmero tetrafluoroetileno sera necesario almacenar como gas a 273 K T = y
1 atm P = para producir 1
3
m del polmero PTFE, suponiendo un rendimiento del 100%
en el proceso de sntesis.
Sol.:
3
1 m de PTFE contiene 2155 kg de este polmero. Si el rendimiento de la sntesis
es del 100%, esta cantidad de PTFE se obtiene a partir de la misma masa de monmero,
ya que es una polimerizacin por adicin sin condensacin de ningn subproducto.
Como la masa molecular del monmero es
monmero
100 kg/kmol Mw = se necesitan:

3
monmero
monmero
21.55 kmol monmero/m PTFE N
Mw

= =
que ocupan, en las condiciones especificadas:

3 3
monmero
22.4 482.72 m monmero/m PTFE N =
________________________________________________________________________
103
4.6
En qu proporcin msica deben estar los monmeros (diamina A, dicido B) que se necesitan para la
sntesis del nylon 6,6 si se emplea la proporcin (molar) estequiomtrica?
Sol: los reactantes requeridos son (A) hexametilendiamina ( Mw
A
116 = kg/kmol) y (B) cido
adpico ( Mw
B
146 = kg/kmol). Puesto que la reaccin es con estequiometra 1:1, la relacin msica
diamina/dicido es: Mw
A
Mw
B
0.795 = kg A/kg B.
_________________________________________________________________________________
4.7
Calcular qu cantidades (kg) de monmeros (etileno y octeno-1) son necesarias para sintetizar un
kilogramo de polietileno de baja densidad lineal (LLDPE) con una arquitectura molecular de una rama
C
6
(-C
6
H
13
) por cada n
C
16 = tomos de carbono de la cadena principal.
Sol: para obtener la arquitectura especificada, se requieren n
Et
n
C
2
2
= , n
Et
7 = molculas del
co-monmero etileno (cada una de ellas contribuye dos grupos metileno -CH
2
- a la cadena principal) y
n
Oct
1 = molcula de octeno-1 (contribuye dos grupos metileno a la cadena principal y la rama C
6
completa). La unidad estructural repetitiva de polmero formado por n
Et
7 = molculas de etileno y
n
Oct
1 = molcula de octeno-1 tiene una masa total de
M
UER
n
Et
2 12 4 1 + ( ) n
Oct
8 12 16 1 + ( ) + = , M
UER
308 = kg/kmol.
Para sintetizar una tonelada mtrica sern necesarios
n
Et
2 12 4 1 + ( )
M
UER
0.636 = kg de etileno y
n
Oct
8 12 16 1 + ( )
M
UER
0.364 = de octeno-1.
_________________________________________________________________________________
4.8
Para sintetizar un polmero reticulado, se hace reaccionar un monmero difuncional A de masa
molecular Mw
A
972 = kg/kmol con un monmero trifuncional B, de masa molecular Mw
B
135 =
kg/kmol en cantidades estequiomtricas, sin exceso de ningn reactivo. En las reacciones de
polimerizacin no se desprende ningn compuesto. Las densidades de los monmeros son
A
708 =
kg/m
3
y
B
616 = kg/m
3
. Suponiendo que la reaccin tiene lugar en condiciones de mezcla ideal
2013-2014
104
(lineal) de volmenes, calcular cuntos kg del monmero A se necesitan para sintetizar m
tot
1000 =
kg de polmero reticulado.
Sol.: por su funcionalidad, A y B deben reaccionar en proporciones molares 3:2. Las fracciones
msicas de los residuos monomricos de A y B (cuyas masas moleculares son iguales a las de los
monmeros) en el polmero son:
X
A
3Mw
A
3Mw
A
2Mw
B
+
= X
B
1 X
A
= X
A
0.915 = X
B
0.085 =
y las cantidades necesarias de monmeros son entonces:
m
A
m
tot
X
A
= m
A
915.3 = kg
m
B
m
tot
m
A
= m
B
84.7 = kg
_________________________________________________________________________________
4.9
El sulfuro de polifenileno es un polmero de ingeniera muy resistente al ataque qumico y a la
degradacin medioambiental, con una UER de frmula C
6
H
4
S. La nica va prctica de eliminacin de
restos de sulfuro de polifenileno es la incineracin (combustin), pese a que se produce dixido de
azufre. Determinar la cantidad (en kg) de SO
2
producida por la combustin de cada kg de sulfuro de
polifenileno.
Sol: durante la combustin se produce un kmol de SO
2
por cada kmol de UER, de frmula C
6
H
4
S.
Las masas moleculares del sulfuro de polifenileno y del SO
2
son Mw
p
6 12 4 + 32 + = y
Mw
S
32 2 16 + = respectivamente. Por tanto, a partir de un kg de sulfuro de polifenileno se
producirn por combustin
1
Mw
p
Mw
S
0.593 = kg de SO
2
.
_________________________________________________________________________________
4.10
Calcular la masa molecular de la unidad estructural repetitiva de un copolmero alternado de xido de
polifenileno (A), con una UER de frmula C
8
H
8
O y polioximetileno (B), con una UER de frmula
CH
2
O, de relacin monomrica A:B de 1:1.
2013-2014
105
Sol.: Masas atmicas: Mw
C
12.01 = , Mw
H
1.00 = , Mw
O
16.00 = . La masa molecular de la unidad
estructural repetitiva del copolmero alternado es:
Mw
UER
8 Mw
C
8Mw
H
+ Mw
O
+ Mw
C
+ 2Mw
H
+ Mw
O
+ =
Mw
UER
150.09 = kg/kmol UER
_________________________________________________________________________________
4.11
Un nylon 6,6 tiene una masa molecular promedio numrica de Mw 15500 = kg/kmol. Calcular el grado
de polimerizacin promedio.
Sol.: Masas atmicas: Mw
C
12.01 = , Mw
H
1.00 = , Mw
O
16.00 = , Mw
N
14 = . La masa molecular
de la unidad estructural repetitiva del nylon 6,6 es:
Mw
UER
12 Mw
C
22 Mw
H
+ 2Mw
O
+ 2Mw
N
+ = Mw
UER
226.12 = kg/kmol UER
Y el grado de polimerizacin promedio numrico es:
Mw
Mw
UER
69 =
_________________________________________________________________________________
4.12
Se sabe que un copolmero alternado tiene un peso molecular medio numrico de Mn 100000 =
kg/kmol y un grado de polimerizacin medio numrico n 1105 = . Si una unidad monomrica es el
etileno, cul es la otra unidad monomrica?:
estireno
propileno
tetrafluoretileno
cloruro de vinilo
acetato de vinilo
butadieno
Sol.: la masa molecular del etileno y de los otros monmeros son:
Mw
H
1 = Mw
C
12 = Mw
F
19 = Mw
Cl
35.5 = Mw
O
16 =
Mw
Etileno
2 Mw
C
4 Mw
H
+ = Mw
Etileno
28 = kg/kmol
Mw
Estireno
8 Mw
C
8 Mw
H
+ = Mw
Estireno
104 = kg/kmol
2013-2014
106
Mw
Propileno
3 Mw
C
6 Mw
H
+ = Mw
Propileno
42 = kg/kmol
Mw
Tetrafluoretileno
2 Mw
C
4 Mw
F
+ = Mw
Tetrafluoretileno
100 = kg/kmol
Mw
Cloruro_vinilo
2 Mw
C
3 Mw
H
+ Mw
Cl
+ = Mw
Cloruro_vinilo
62.5 = kg/kmol
Mw
Acetato_vinilo
4 Mw
C
6 Mw
H
+ 2Mw
O
+ = Mw
Acetato_vinilo
86 = kg/kmol
La masa molecular del co-monmero se obtiene de:Mw
comonomero
Mn
n
28 =
Mw
comonomero
62.498 = kg/kmol, luego el segundo monmero es el
cloruro de vinilo.
_________________________________________________________________________________
4.13
Un nylon se fabrica a partir de un dicido HOOC-(CH
2
)
n
-COOH, con n 2 = (A) y una diamina
H
2
N-(CH
2
)
m
-NH
2
con m 5 = (B). Los precios de las materias primas A y B son pA 2.45 = /kg y
pB 3.34 = /kg. Determinar el coste de materias primas necesarias para fabricar 1 tonelada de nylon.
Sol.: se calculan primero las masas moleculares de monmeros y UER del nylon:
Mw
A
2 n + ( ) 12 4 16 + 2 2n + ( ) 1 + = Mw
A
118 = kg/kmol de A
Mw
B
m 12 2 14 + 4 2m + ( ) 1 + = Mw
B
102 = kg/kmol de B
Mw
nylon
Mw
A
Mw
B
+ 2 18 = Mw
nylon
184 = kg/kmol de UER de nylon
Para fabricar 1t de nylon se necesitarn
N
nylon
1000
Mw
nylon
= N
nylon
5.435 = kmol de UER de nylon
y el mismo nmero de kmoles de A y de B: N
A
N
nylon
= N
B
N
nylon
=
Calculando las masas:
N
A
Mw
A
N
B
Mw
B
+ 1196 = kg de materias primas. La diferencia con los 1000 kg se pierde en
forma de agua.
El coste total de materias primas es:
N
A
Mw
A
pA N
B
Mw
B
pB + 3423 = /t de nylon
_________________________________________________________________________________
2013-2014
107
4.14
El polixido de etileno (P) es un politer con la siguiente estructura qumica:
HO CH
2
CH
2
O CH
2
CH
2
OH
n
P
Polixido de etileno:
Para conseguir P con un grado de polimerizacin ("n" en la frmula anterior) determinado, es necesario
hacer reaccionar los grupos alcohol con un reactivo apropiado, tal como el isocianato de fenilo (A).
Este reactivo (A) reacciona con los grupos alcohol formando uretanos (B) (reaccin I), y adems con
agua produciendo difenilurea (U) y dixido de carbono (D) (reaccin II):
reaccin I
A B
NCO
+ H
2
O
NH C NH
O
2
+ CO
2
reaccin II
U D
El anlisis de 0.100 kg de polixido de etileno en un medio acuoso indica que se consumen
M
tot_A
5.925 10
3
= kg de isocianato de fenilo con desprendimiento de V
CO2
210 = ml de
dixido de carbono a P 1 = atmsfera y T 25 = C. Calcular el grado de polimerizacin n del
polixido de etileno (P). Usar como constante de los gases R 8.314 10
3
= J/kmol K y la
equivalencia 1 atmsfera = 101325 Pa.
Sol.: masas moleculares: Mw
C
12 = Mw
H
1 = Mw
O
16 = Mw
N
14 =
Mw
A
6 Mw
C
5 Mw
H
+ 1Mw
N
+ 1Mw
C
+ 1Mw
O
+ = Mw
A
119 = kg/kmol
Mw
U
2 6 Mw
C
2 5 Mw
H
+ 2 1 Mw
N
+ 2 1 Mw
H
+ 1Mw
C
+ 1Mw
O
+ = Mw
U
212 = kg/kmol
Mw
D
1 Mw
C
2 Mw
O
+ = Mw
D
44 = kg/kmol
Mw
UER
Mw
O
2 Mw
C
+ 4Mw
H
+ =
El CO
2
producido proviene de la reaccin de A con el agua de la disolucin por la reaccin II. Por la
estequiometra de esta reaccin, cada mol de CO
2
producido corresponde a un consumo de dos moles
de isocianato A (los factores numricos en la frmula siguiente son de conversin al sistema SI):
2013-2014
108
N
CO2
V
CO2
10
6
P 101325
R T 273 + ( )
= N
CO2
8.588 10
6
= kmol de CO
2
El consumo de A (en kmol) por la reaccin II es el doble de esta cantidad.
El resto de A se consume por la reaccin I con los grupos -OH terminales del polmero. Esta reaccin
con los grupos -OH de los extremos del polmero es la que nos permite calcular cuntos moles de
polmero hay en la solucin y con ello cul es su grado de polimerizacin.
Restando del consumo total de A la cantidad que ha reaccionado con el agua se obtiene la cantidad de
A que ha reaccionado con el polmero:
N
tot_A
M
tot_A
Mw
A
= N
tot_A
4.979 10
5
= kmol de A
N_A N
tot_A
2N
CO2
= N_A 3.261 10
5
= kmol de A que han reaccionado con
grupos -OH terminales.
Puesto que cada molcula de polmero tiene dos grupos terminales, la cantidad (kmol de P) de
polmero es la mitad de este valor:
N_P
1
2
N_A = N_P 1.631 10
5
= kmol de P
Como la masa de P es conocida (0.100 kg), el peso molecular es:
Mw
P
0.1
N_P
= Mw
P
6.132 10
3
= kg de P/kmol de P
y el grado de polimerizacin promedio numrico (n en la frmula de P) es:
n
Mw
P
2Mw
C
2 Mw
O
6 Mw
H

Mw
UER
= n 137.966 =
_________________________________________________________________________________
4.15
La temperatura de transicin vtrea de un homopolmero de poliestireno (1) es Tg
1
100 = C
y la de un homopolmero de polibutadieno (2) Tg
2
90 = C. Aplicando la ecuacin de Fox
que se indica ms abajo, calcular la T
g,c
de un copolmero al azar de estireno y butadieno cuya
fraccin molar de estireno es del x
1
0.715 = .
Ecuacin de Fox:
1 2
1 2
1
g ,c g , g ,
X X
T T T
= +
donde X
1
y X
2
son las fracciones msicas de estireno y butadieno en el copolmero y T la temperatura
absoluta.
2013-2014
109
Sol.:
Mw
1
8 12 8 1 + = Mw
1
104 = kg/kmol de 1
Mw
2
4 12 6 1 + = Mw
2
54 = kg/kmol de 2
La composicin del copolmero en fracciones molares corresponde a la siguiente composicin en
fracciones msicas:
X
1
x
1
Mw
1

x
1
Mw
1
1 x
1

( )
Mw
2
+
= X
2
1 X
1
=
X
1
0.829 = X
2
0.171 =
La temperatura de transicin vtrea del copolmero es:
T
gc
X
1
Tg
1
273 +
X
2
Tg
2
273 +
+

1
=
T
gc
317 = K
_________________________________________________________________________________
4.16
En la sntesis del kevlar se consumen como disolvente m
A
5.1 = kg de H
2
SO
4
(A) puro por cada kg de
kevlar que se produce. El precio del cido es p
A
0.05 = /kg de A y una vez empleado como
disolvente en la sntesis, se recupera totalmente y se neutraliza con CaCO
3
(C, precio p
C
0.035 = /kg
de C) para formar yeso (Y) CaSO
4
segn:
3 2 4 4 2 2
CaCO +H SO CaSO +H O+CO
El yeso producido puede venderse a p
Y
0.03 = /kg de Y. Determinar el coste neto de estas materias
primas (gasto en A y C menos ingresos por venta de Y) por cada kg de kevlar.
Sol.: de acuerdo con los datos, por cada kg de kevlar sintetizado se consumen m
A
5.1 = kg de
cido, que son
m
A
Mw
A
0.052 = kmol de cido ( Mw
A
98 = es la masa molecular de A).
De acuerdo con la reaccin de neutralizacin dada, por cada kmol de cido que se neutraliza, se necesita
1 kmol de C y se produce 1 kmol de Y. Este kmol corresponde a 1 Mw
C
100 = kg de CaCO
3
y
1 Mw
Y
136 = kg de Y. El coste neto es:
m
A
p
A

m
A
Mw
A
1 Mw
C
p
C
1 Mw
Y
p
Y

( )
+ 0.225 = /kg de kevlar
_________________________________________________________________________________
2013-2014
110
4.17
La mayora de las fibras de carbono usadas en compuestos estn formadas por lminas de carbono puro
que se obtienen por carbonizacin del poliacrilonitrilo (PAN), que a su vez se obtiene polimerizando el
acrilonitrilo (A) (primer paso en la figura). En la carbonizacin (segundo paso en la figura) se obtienen
las lminas de carbono puro y se pierde todo el nitrgeno y todo el hidrgeno originalmente contenidos
en el acrilonitrilo. El precio del acrilonitrilo es de p
A
0.12 = /kg. Determinar el coste del acrilonitrilo
necesario para fabricar 1 kg de fibra de carbono, suponiendo que ambos pasos tienen un rendimiento del
100% (es decir, todos los reactivos se convierten ntegramente en productos en los dos pasos).
Sol.: de acuerdo con los pasos indicados, la conversin del acrilonitrilo en carbono puro puede escribirse
como una nica reaccin global en la que cada molcula de acrilonitrilo produce tres tomos de carbono:
[
2
CH CHCN n =
2
CH ] CHCN
2 2
3 1
3 C H N
2 2
n
n n n + +
o bien:
2 2 2
3 1
CH CHCN 3C H N
2 2
= + +
Segn esta reaccin global, cada kmol de acrilonitrilo (A) produce tres kmol de carbono. Un kmol de
carbono son Mw
C
12 = kg de carbono, un kmol de A son 3Mw
C
3Mw
H
+ Mw
N
+ 53 = kg de A. Por
la estequiometra 1:3, la fabricacin de 1 kg de C requiere:
1
Mw
C
1
3
3Mw
C
3Mw
H
+ Mw
N
+
( )
1.472 = kg de A
y su coste es:
1
Mw
C
1
3
3Mw
C
3Mw
H
+ Mw
N
+
( )
p
A
0.18 = /kg
_________________________________________________________________________________
2013-2014
111
4.18
Cul de los siguientes propiedades no puede corresponder en ningn caso a un vidrio (ni orgnico, ni
metlico, ni inorgnico)?
alta conductividad elctrica
estructura amorfa
mayor densidad que la del mismo material pero cristalizado (a las mismas T y P)
transparencia
fractura frgil
falta de punto de fusin definido
Sol: un vidrio, sea cual sea el material, tiene necesariamente menor densidad que el mismo material
cristalino (a las mismas condiciones de temperatura y presin).
_________________________________________________________________________________
4.19
Un tipo de pinturas reflectantes est compuesta de esferas de vidrio en una matriz de un polmero
transparente. Con frecuencia se desea que la proporcin de esferas de vidrio sobre el total sea la mxima
posible. Suponiendo que las esferas son todas iguales y estn ordenadas del modo ms denso posible,
calcula la fraccin volumtrica de la matriz de polmero en la pintura.
Sol: al ser esferas iguales y ordenadas del modo ms denso posible, su factor de empaquetamiento tiene
que ser el mximo posible, es decir correspondiente a la geometra de las estructuras FCC o HCP
ideales. En estas estructuras, el APF es aprox. 0.74, con lo cual la fraccin volumtrica de la matriz es la
diferencia a 1, es decir, 0.26.
_________________________________________________________________________________
4.20
Un grupo importante de materiales cermicos son los formados por soluciones slidas de almina
(Al
2
O
3
) en magnesia (MgO). La estructura cristalogrfica del MgO puro es del tipo NaCl. En estas
soluciones slidas, se mantienen el nmero de iones O
2-
y la separacin entre ellos, en los mismos
valores que en la estructura del MgO. La solucin se forma por sustitucin de algunos de los iones Mg
2+
por iones Al
3+
(estos ltimos en la cantidad que se requiera para mantener la neutralidad elctrica del
cristal). Usando los siguientes datos (con los decimales indicados):
radios inicos: r
Mg
0.072 10
9
= m, r
O
0.140 10
9
= m, r
Al
0.054 10
9
= m,
masas atmicas: : Mw
Mg
24.305 = , Mw
O
16 = , Mw
Al
26.9815 = ,
y considerando todos los iones como esfricos, calcular para una solucin slida de almina en magnesia
en la que el 15% de los iones Mg
2+
se han sustituido (bien por iones Al
3+
, bien dejando su sitio
vacante):
2013-2014
112
la composicin porcentual molar de la solucin (es decir % molar de MgO y % molar de Al
2
O
3
en la 1.
solucin slida).
la densidad (kg/m
3
) de esta solucin slida. 2.
Solucin: al tratarse de una estructura tipo NaCl los iones O
2-
ocupan las posiciones de una estructura
FCC, tanto en la MgO pura como en las soluciones. En la MgO pura, todos los huecos octadricos estn
ocupados por iones Mg
2+
, mientras que al intercambiar Mg
2+
por Al
3+
, algunos huecos octadricos
quedan vacos. En la almina pura, p.ej., los iones Al
3+
ocupan slo 2/3 de los huecos octadricos y el
tercio restante est desocupado.
La arista de la celda unitaria tanto en la MgO pura como en las soluciones slidas (ver enunciado) es:
a 2 r
O
r
Mg
+
( )
= a 4.24 10
10
= m
Tomando como base 100 iones O
2-
y 100 iones Mg
2+
de la estructura cristalina, la condicin de
electroneutralidad implica que 15 iones Mg
2+
son sustituidos por 2/3 de 15, es decir, 10 iones Al
3+
. La
solucin slida resultante est formada tanto por:
N
O
100 = iones O
2-
N
Mg
85 = iones Mg
2+
N
Al
10 = iones Al
3+
Los moles de MgO y Al
2
O
3
estn relacionados con estos nmeros de iones:
moles
MgO
N
Mg
6.023 10
23

= moles
Al2O3
N
Al
2 6.023 10
23

( )

=
Y la composicin porcentual molar es:
x
MgO
moles
MgO
moles
MgO
moles
Al2O3
+
100 = x
Al2O3
moles
Al2O3
moles
MgO
moles
Al2O3
+
100 =
x
MgO
94.444 = % x
Al2O3
5.556 = %
La celda unitaria, en el caso de la MgO pura, contiene 4 iones O
2-
y 4 iones Mg
2+
, es decir, 4 molculas
de MgO. En el caso de la solucin contiene tambin 4 molculas, es decir, en promedio:
n
O
4
100
100
= n
O
4 = iones O
2-
n
Mg
4
85
100
= n
Mg
3.4 = iones Mg
2+
n
Al
4
10
100
= n
Al
0.4 = iones Al
3+
Y la densidad de la solucin slida es:

n
O
Mw
O
n
Mg
Mw
Mg
+ n
Al
Mw
Al
+
( )
1.6603 10
27

a
3
= 3429.1 = kg/m
3
__________________________________________________________________________________
2013-2014
113
4.21
La almina (Al
2
O
3
) y la magnesia (MgO) forman soluciones slidas en un intervalo amplio de
concentraciones. La estructura cristalogrfica del MgO puro es del tipo NaCl. En las soluciones slidas
almina-magnesia se mantienen i) el nmero de iones O
2-
y ii) la separacin entre ellos, en los mismos
valores que en la estructura del MgO puro. La solucin se forma por sustitucin de algunos de los iones
Mg
2+
por iones Al
3+
y manteniendo la neutralidad elctrica del cristal. Usando los siguientes datos (con
los decimales indicados):
radios inicos: r
Mg
0.072 10
9
= , r
O
0.140 10
9
= m, r
Al
0.054 10
9
= m,
masas atmicas : Mw
Mg
24.305 = , Mw
O
16 = , Mw
Al
26.982 = ,
y considerando todos los iones como esfricos, calcular en qu valor debe ajustarse la composicin
porcentual molar (es decir % molar de MgO y % molar de Al
2
O
3
en la solucin slida) para que la
solucin tenga una densidad de 3250 = kg/m
3
.
Sol.: de acuerdo con el enunciado y al tratarse de una estructura tipo NaCl, en la MgO pura, todos los
huecos octadricos estn ocupados por iones Mg
2+
, mientras que al intercambiar Mg
2+
por Al
3+
,
algunos huecos octadricos quedan vacos. Por ejemplo, en la almina pura, los iones Al
3+
ocupan slo
2/3 de los huecos octadricos y el tercio restante est desocupado.
La arista de la celda unitaria, tanto en la MgO pura como en las soluciones slidas (ver enunciado), es:
a 2 r
O
r
Mg
+
( )
= a 4.24 10
10
= m
La condicin de electroneutralidad de la solucin implica que una fraccin z de iones Mg
2+
son
sustituidos por 2z/3 iones Al
3+
. Partiendo de una celda unitaria con 4 iones O
2-
y 4 iones Mg
2+
, la
solucin slida resultante est formada por:
n
O
4 = iones O
2-
n
Mg
4 1 z ( ) = iones Mg
2+
n
Al
4
2
3
z = iones Al
3+
La densidad se expresa en funcin de estos nmeros de iones como:

n
O
Mw
O
n
Mg
Mw
Mg
+ n
Al
Mw
Al
+
( )
1.6603 10
27

a
3
= kg/m
3
O lo que es lo mismo:

4 Mw
O
4 1 z ( ) Mw
Mg
+ 4
2
3
z Mw
Al
+

1.6603 10
27

a
3
=
de donde se obtiene z (grado de sustitucin de iones Mg
2+
):
2013-2014
114
z
1
4

1.6603 10
27

a
3
Mw
O
Mw
Mg

2
3
Mw
Al
Mw
Mg

= z 0.4754 =
En una celda de lado a habr:
n
O
4 = iones O
2-
n
Mg
4 1 z ( ) = n
Mg
2.099 = iones Mg
2+
n
Al
4
2
3
z = n
Al
1.268 = iones Al
3+
Verificacin de la electroneutralidad: 2n
Mg
3n
Al
+ 2n
O
0 =
Los moles de MgO y Al
2
O
3
estn relacionados con los nmeros de iones por celda:
moles
MgO
n
Mg
6.023 10
23

= moles
Al2O3
n
Al
2 6.023 10
23

( )

=
Y la composicin porcentual molar de la solucin es:
x
MgO
moles
MgO
moles
MgO
moles
Al2O3
+
100 = x
Al2O3
100 x
MgO
=
x
MgO
76.804 = % x
Al2O3
23.196 = %
__________________________________________________________________________________
4.22
El xido de un metal A (de frmula AO
2
) y de otro metal B (B
2
O
3
) forman soluciones slidas en todo
el intervalo de concentraciones. La estructura cristalogrfica del AO
2
puro es del tipo de la fluorita. En
las soluciones slidas AO
2
-B
2
O
3
se mantienen:
el nmero de total de cationes en la estructura 1.
el tamao (longitud de la arista) de la celda, 2.
en los mismos valores que en la estructura del AO
2
puro. La solucin se forma por sustitucin de
algunos de los iones A
4+
por iones B
3+
, manteniendo la neutralidad elctrica del cristal.
Usando los siguientes datos (con los decimales indicados):
radios inicos: r
A
0.230 10
9
= m, r
O
0.138 10
9
= m, r
B
0.142 10
9
= m,
masas atmicas : Mw
A
76.2 = kg/kmol, Mw
O
16 = kg/kmol, Mw
B
555.9 = kg/kmol
2013-2014
115
y considerando todos los iones como esfricos, calcular en qu valor debe ajustarse la composicin
porcentual molar (es decir % molar de AO
2
y % molar de B
2
O
3
en la solucin slida) para que la
solucin tenga una densidad de 3556 = kg/m
3
.
Sol.: de acuerdo con el enunciado y al tratarse de una estructura tipo fluorita los iones O
2-
forman una
estructura cbica simple de lado a/2, con los cationes ocupando la mitad de los huecos cbicos, tanto
en el AO
2
puro como en las soluciones. Todas las posiciones catinicas se mantienen siempre
ocupadas, luego en la solucin slida, para mantener la neutralidad elctrica del cristal, aparecern
vacantes aninicas, es decir, el nmero de O
2-
variar segn la composicin.
La arista de la celda unitaria, tanto en el AO
2
puro como en las soluciones slidas (ver enunciado) es:
a
4
3
r
O
r
A
+
( )
= a 8.499 10
10
= m
La condicin de electroneutralidad de la solucin implica que una fraccin z de iones A
4+
son
sustituidos por z iones B
3+
y el nmero de iones O
2-
que quedan son (4-z)/2. Si la celda del AO
2
puro tiene 8 iones O
2-
y 4 iones A
4+
, la solucin slida resultante est formada por:
n
O
4 4 z ( )
2
= iones O
2-
n
A
4 1 z ( ) = iones A
4+
n
B
4 z = iones B
3+
La densidad se expresa en funcin de estos nmeros de iones como:

n
O
Mw
O
n
A
Mw
A
+ n
B
Mw
B
+
( )
1.6603 10
27

a
3
= kg/m
3
O lo que es lo mismo:

4 4 z ( )
2
Mw
O
4 1 z ( ) Mw
A
+ 4z Mw
B
+

1.6603 10
27

a
3
=
de donde se obtiene z:
z
1
4

1.6603 10
27

a
3
2Mw
O
Mw
A

Mw
B
Mw
A

Mw
O
2

= z 0.4674 =
De esta forma en cada celda hay,
n
O
4 4 z ( )
2
= n
O
7.065 = iones O
2-
n
A
4 1 z ( ) = n
A
2.13 = iones A
4+
2013-2014
116
n
B
4z = n
B
1.87 = iones B
3+
Verificacin de la electroneutralidad: 4n
A
3n
B
+ 2n
O
0 =
Los moles de AO
2
y B
2
O
3
estn relacionados con los nmeros de iones por celda :
moles
AO2
n
A
6.023 10
23

= moles
B2O3
n
B
2 6.023 10
23

( )

=
Y la composicin porcentual molar de la solucin es:
x
AO2
moles
AO2
moles
AO2
moles
B2O3
+
100 = x
B2O3
100 x
AO2
=
x
AO2
69.5 = % x
B2O3
30.5 = %
__________________________________________________________________________________
4.23
Un material cermico utilizado como sensor de oxgeno es una solucin slida de xido de ytrio (Y
2
O
3
)
en xido de thorio (ThO
2
) . La estructura cristalogrfica del ThO
2
puro es del tipo de la fluorita. En las
soluciones slidas ThO
2
-Y
2
O
3
se mantienten i) el nmero de posiciones catinicas y ii) el tamao de la
celda, en los mismos valores que en la estructura del ThO
2
puro.
La solucin slida se forma por sustitucin del z 7 = % de los iones Th
4+
por iones Y
3+
, sin dejar
vacantes en las posiciones catinicas y manteniendo la neutralidad elctrica del cristal.
Usando los siguientes datos (con los decimales indicados):
radios inicos: r
Th
0.105 10
9
= m, r
O
0.138 10
9
= m, r
Y
0.102 10
9
= m,
masas atmicas : Mw
Th
232.04 = , Mw
O
16 = , Mw
Y
88.91 = kg/kmol
y considerando todos los iones como esfricos, calcular :
la densidad cristalogrfica de la solucin slida en kg/m
3
, 1.
la composicin porcentual molar (es decir % molar de ThO
2
y % molar de Y
2
O
3
) de la solucin 2.
slida.
Solucin: de acuerdo con el enunciado y al tratarse de una estructura tipo fluorita los iones O
2-
forman
una estructura cbica simple de lado a/2, con los cationes situados en la mitad de los huecos cbicos,
tanto en el ThO
2
puro como en las soluciones. Las posiciones catinicas se mantienen siempre
ocupadas, luego en la solucin slida, para mantener la neutralidad elctrica del cristal, aparecern
vacantes aninicas.
2013-2014
117
La arista de la celda unitaria, tanto en el ThO
2
puro como en las soluciones slidas (ver enunciado) es:
a
4
3
r
O
r
Th
+
( )
= a 5.612 10
10
= m
Tomando como base de clculo, p.ej. 100 iones Th
4+
, el enunciado indica que en la solucin slida
de cada 100 iones Th
4+
originales , z 7 = iones Th
4+
son sustituidos: de esta forma quedan
100 z 93 = iones Th
4+
, z 7 = iones Y
3+
y ninguna vacante en posicin catinica. La condicin
de electroneutralidad de la solucin implica que tienen que salir
z
2
3.5 = iones O
2-
, quedando slo
200
z
2
196.5 = iones O
2-
en lugar de los 200 originales.
Expresado en fracciones, si la celda de lado a del ThO
2
puro tiene 8 iones O
2-
y 4 iones Th
4+
, la
celda de la solucin slida resultante, con una sustitucin de una fraccin de
z
100
0.07 = iones
Th
4+
, est formada por :
n
O
4 4
z
100

2
= iones O
2-
n
Th
4 1
z
100

= iones Th
4+
n
Y
4
z
100
= iones Y
3+
La densidad se expresa en funcin de estos nmeros de iones como:

n
O
Mw
O
n
Th
Mw
Th
+ n
Y
Mw
Y
+
( )
1.6603 10
27

a
3
= kg/m
3
9524.47 = kg/m
3
En la celda de lado a habr:
n
O
4 4
z
100

2
= n
O
7.86 = iones O
2-
n
Th
4 1
z
100

= n
Th
3.72 = iones Th
4+
n
Y
4
z
100
= n
Y
0.28 = iones Y
3+
Verificacin de la electroneutralidad: 4n
Th
3n
Y
+ 2n
O

Los kmoles de ThO


2
y Y
2
O
3
estn relacionados con los nmeros de iones por celda:
2013-2014
118
kmoles
ThO2
n
Th
6.023 10
26

= kmoles
Y2O3
n
Y
2 6.023 10
26

( )

=
Y la composicin porcentual molar de la solucin es:
x
ThO2
kmoles
ThO2
kmoles
ThO2
kmoles
Y2O3
+
100 = x
Y2O3
100 x
ThO2
=
x
ThO2
96.373 = % x
Y2O3
3.627 = %
__________________________________________________________________________________
4.24
Los xidos de dos metales A
2
O y BO forman soluciones slidas en un pequeo intervalo de
concentraciones. Sabiendo que el xido A
2
O tiene la estructura cristalina de la antifluorita, y que la
estructura, las dimensiones de la celda cristalina y el nmero de posiciones aninicas no varan con la
adicin del xido BO, calcular la densidad (kg/m
3
) de una solucin slida que contiene una fraccin
molar de BO: x 0.05 = .
Datos: radios inicos de A
+
: r
A
9.9 10
11
= m, de O
2-
: r
O
142 10
12
= m, y de B
2+
:
r
B
9.8 10
11
= m, y las masas atmicas: Mw
A
22.99 = kg/kmol, Mw
O
16 = kg/kmol y
Mw
B
207.19 = kg/kmol
Sol: Considerando el xido A
2
O puro, la celda unidad de la estructura de la antifluorita contiene aniones
O
2-
en las posiciones de una estructura FCC y cationes A
+
en los ocho huecos tetradricos disponibles.
La celda contiene n
O
6
1
2
8
1
8
+ = aniones oxgeno y n
A
8 = cationes A
+
. Si la diagonal de la celda
unidad es:
( )
O
3 4
A
a r r = +
entonces la arista de la celda cristalogrfica es: a
4
3
r
O
r
A
+
( )
= , a 5.566 10
10
= m y la densidad
del xido A
2
O puro es:

n
O
Mw
O
n
A
Mw
A
+
6.023 10
26
a
3
= 2388 = kg/m
3
En el caso de la solucin slida, la estructura es la misma en lo que se refiere a los aniones y al volumen
de la celda. En cuanto a los cationes, cada ion B
2+
que entra en la estructura reemplaza a dos iones A
+
.
2013-2014
119
Esta sustitucin es la nica diferencia entre el A
2
O puro y la solucin slida. La composicin de la
solucin (frmula estequiomtrica) puede escribirse como B
x
A
2(1-x)
O, frente a A
2
O para el xido
puro. La densidad de la solucin slida puede calcularse directamente en funcin de la densidad del
xido puro y la relacin de masas:

sol

x Mw
B
2 1 x ( ) Mw
A
+ Mw
O
+
2 Mw
A
Mw
O
+
=
sol
2698 = kg/m
3
Tambin puede considerarse la celda unitaria: en el xido A
2
O puro la celda contiene n
O
4 = aniones
oxgeno y n
A
8 = cationes A
+
, es decir, n
O
4 = molculas de A
2
O. En la solucin, la celda tiene el
mismo tamao y contiene (en promedio) n
O
1 x ( ) 3.8 = molculas de A
2
O, y
n
O
x 0.2 = molculas de BO. La densidad es:

sol
n
O
x Mw
O
Mw
B
+
( )
n
O
1 x ( ) 2 Mw
A
Mw
O
+
( )
+
6.023 10
26
a
3

sol
2698 = kg/m
3
__________________________________________________________________________________
4.25
El xido de cerio, CeO
2
, es un material cermico con estructura cristalogrfica del tipo de la fluorita, y
que forma soluciones slidas con una gran variedad de agentes dopantes con el fin de aumentar su
conductividad elctrica. Uno de estos dopantes es el xido de samario, Sm
2
O
3
. En las soluciones
slidas CeO
2
-Sm
2
O
3
se mantienen:
el nmero total de cationes en la estructura
y el tamao de la celda
en los mismos valores que para la estructura del CeO
2
puro.
Las soluciones slidas CeO
2
-Sm
2
O
3
se forman por sustitucin de algunos de los iones Ce
4+
por iones
Sm
3+
, manteniendo la neutralidad elctrica del cristal.
Uno de los sistemas CeO
2
-Sm
2
O
3
que ha proporcionado valores ms elevados para la conductividad
elctrica es el que presenta una composicin molar del 10% de Sm
2
O
3
en la solucin slida.
Sabiendo que
los radios inicos son: r
Ce
0.102 10
9
= m, r
O
0.132 10
9
= m, r
Sm
0.113 10
9
= m,
las masas atmicas son: Mw
Ce
140.1 = , Mw
O
16 = , Mw
Sm
150.4 = kg/kmol
y considerando todos los iones como esfricos, calcular:
la densidad de la solucin slida CeO
2
-Sm
2
O
3
en kg/m
3
, y 1.
el porcentaje (%) de iones Ce
4+
que ha sido reemplazado por iones Sm
3+
para obtener la solucin 2.
2013-2014
120
slida anterior.
Solucin: al tratarse de una estructura tipo fluorita los iones Ce
4+
ocupan las posiciones de una
estructura FCC, y los iones O
2-
ocupan todos los huecos tetradricos, tanto en el CeO
2
puro como en
las soluciones. Las posiciones catinicas se mantienen siempre ocupadas, luego en la solucin slida por
cada in Sm
3+
que entra, sale uno de Ce
4+
y, para mantener la neutralidad elctrica del cristal,
aparecern vacantes aninicas.
La arista de la celda unitaria tanto en el CeO
2
puro como en las soluciones slidas (ver enunciado) es:
a
4
3
r
O
r
Ce
+
( )
= a 5.404 10
10
= m
Tomando como base 1 in Ce
4+
y 2 iones O
2-
en el CeO
2
puro, en la solucin slida, llamando z al
grado de sustitucin de iones Ce
4+
, quedarn (1- z) iones Ce
4+
, entran z iones Sm
3+
y la condicin de
electroneutralidad implica que queden (4- z)/2 iones O
2-
es decir, salen z/2 iones O
2-
. La solucin slida
resultante est formada por:
n
Ce
1 z ( ) = iones Ce
4+
n
Sm
z = iones Sm
3+
n
O
4 z
2
= iones O
2-
Los moles de CeO
2
y Sm
2
O
3
estn relacionados con estos nmeros de iones:
moles
CeO2
1 z
6.023 10
23

= moles
Sm2O3
z
2 6.023 10
23

( )

=
La composicin molar de la solucin slida es conocida y se puede expresar la fraccin molar de cada
componente en funcin del grado de sustitucin:
x
CeO2
1 z
1 z ( )
z
2
+
= x
Sm2O3
z
2
1 z ( )
z
2
+
=
sustituyendo el dato del problema y despejando,
x
Sm2O3
0.1 = 0.1
z
2
1 z
z
2
+
= z
0.2
1.1
= z 0.182 =
Luego el porcentaje (%) de iones Ce
4+
que ha sido reemplazado por iones Sm
3+
es: 100 z 18.182 = %.
0 818 0 182 1 909
Ce Sm O
. . .
La solucin slida tiene la siguiente frmula estequiomtrica:
La celda unitaria contiene, en el caso del CeO
2
puro, 4 iones Ce
4+
y 8 iones O
2-
, es decir, 4
molculas. En el caso de la solucin contiene en promedio tambin 4 unidades formulares, es decir:
n
Ce
4 1 z ( ) = n
Ce
3.273 = iones Ce
4+
n
Sm
4 z = n
Sm
0.727 = iones Sm
3+
2013-2014
121
n
O
4
4 z
2
= n
O
7.636 = iones O
2-
Y la densidad de la solucin slida es:

n
O
Mw
O
n
Ce
Mw
Ce
+ n
Sm
Mw
Sm
+
a
3
6.023 10
26

= 7260.0 = kg/m
3
__________________________________________________________________________________
4.26
Una va de dos etapas para la fabricacin de un polister reticulado se basa en llevar a cabo:
en la primera etapa, la polimerizacin entre el butilenglicol (A) y el cido fumrico (B) para dar un
polister insaturado P1.
en la segunda etapa, la reticulacin del polister insaturado resultante P1 por medio de estireno (D)
para dar el producto final P (polister reticulado).
En la produccin se parte de A, B y D como materias primas y se hacen las siguientes especificaciones:
produccin de P1 en la primera etapa con una relacin molar de A a B estequiomtrica.
en la segunda etapa, la cantidad de D es tambin la estequiomtrica para reticular el polmero P1
haciendo reaccionar todos sus dobles enlaces.
todos los reactivos se consumen totalmente en las dos etapas (grado de conversin del 100% para
todos los reactivos).
Escribir la frmula qumica del polister insaturado P1. 1.
Escribir la frmula qumica del polister reticulado P. 2.
Determinar las cantidades (en kg) de A, B y D que se requieren para obtener m
tot
1 = kg de 3.
polister reticulado P.
Determinar las cantidades (en kg) de subproductos de bajo peso molecular que se produzcan en la 4.
polimerizacin (1 etapa), o en la reticulacin (2 etapa) o en ambas, referidas igualmente a 1 kg de
polister reticulado P.
Sol.: la reaccin de la primera etapa para dar P1 es:
2013-2014
122
y la reticulacin con estireno para dar P es:
Las masas moleculares de las especies atmicas, de los reactivos y de la unidad estructural repetitiva
(UER) de P son:
Mw
O
16.0 = Mw
C
12.01 = Mw
H
1.0 =
Mw
A
4Mw
C
2Mw
O
+ 10Mw
H
+ = Mw
A
90.04 = kg/kmol
Mw
B
4Mw
C
4Mw
O
+ 4Mw
H
+ = Mw
B
116.04 = kg/kmol
Mw
D
8Mw
C
8Mw
H
+ = Mw
D
104.08 = kg/kmol
Mw
UER
32Mw
C
8Mw
O
+ 36Mw
H
+ = Mw
UER
548.32 = kg/kmol
Mw
H2O
Mw
O
2Mw
H
+ = Mw
H2O
18 = kg/kmol
Cada kg de P, m
P
1 = kg de P, contiene N
UER
m
P
Mw
UER
= , N
UER
1.824 10
3
= kmol de
UER. Para sintetizar esta cantidad de P y a la vista de la estequiometra de las reacciones de sntesis,
sern necesarias las siguientes cantidades (en kg) de reactivos:
m
A
2N
UER
Mw
A
= m
A
0.328 = kg
m
B
2N
UER
Mw
B
= m
B
0.423 = kg
m
D
2N
UER
Mw
D
= m
D
0.38 = kg
2013-2014
123
y se producen m
H2O
4N
UER
Mw
H2O
= , es decir m
H2O
0.131 = kg de agua como subproducto
de la policondensacin (1 etapa). Como comprobacin, el balance total de masas es:
Reactivos: m
A
m
B
+ m
D
+ 1.1313 = kg
Productos m
P
m
H2O
+ 1.1313 = kg
_________________________________________________________________________________
4.27
Una de las sntesis ms habituales de poliimidas es la condensacin de un dianhidrido y una diamina
aromtica. De este tipo es la reaccin que conduce a la preparacin de la polieterimida (P) que
comercializa General Electric bajo la marca Ultem:
CH
3
CH
3
O O
N
O
O
N
O
O
n
y que tiene lugar por la reaccin del dianhidrido (A) y de la diamina (B):
CH
3
CH
3
O O
O
O
O
O
O
O
H
2
N NH
2
A B
Si en la produccin del polmero se utilizan como materias primas adems de la diamina (B), el bisfenol
(C) y el anhidrido (D):
F
O
O
O
CH
3
CH
3
OH HO
C D
y se hacen las siguientes especificaciones:
se trata de un proceso en dos etapas
en una primera etapa se obtiene A por reaccin en cantidades estequiomtricas de C y D
en la segunda etapa se produce el polmero P, siendo la relacin molar de A a B tambin
estequiomtrica
Determinar:
las cantidades (en kg) de B, C y D necesarias para producir m
P
1 = kg de polmero, 1.
las cantidades (en kg) de subproductos de bajo peso molecular que se producen en la reaccin de 2.
2013-2014
124
obtencin de A (primera etapa) y/o en la reaccin de polimerizacin (segunda etapa),
si para obtener una poliimida termoestable se sustituye la diamina B por la melamina E, 3.
H
2
N
N N
N
NH
2
NH
2
E
y se condensa con el mismo anhidrido A, cul sera la estructura del polmero reticulado resultante?
Solucin: Mw
O
16.00 = , Mw
H
1.01 = , Mw
Carb
12.01 = , Mw
F
19.0 = , Mw
N
14.0 =
Mw
A
31Mw
Carb
8Mw
O
+ 20Mw
H
+ = Mw
A
520.51 = kg/kmol A
Mw
B
6Mw
Carb
2Mw
N
+ 8Mw
H
+ = Mw
B
108.14 = kg/kmol B
Mw
C
15Mw
Carb
2Mw
O
+ 16Mw
H
+ = Mw
C
228.31 = kg/kmol C
Mw
D
8Mw
Carb
3Mw
O
+ 3Mw
H
+ Mw
F
+ = Mw
D
166.11 = kg/kmol D
Mw
E
3Mw
Carb
6Mw
N
+ 6Mw
H
+ = Mw
E
126.09 = kg/kmol E
Mw
P
37Mw
Carb
6Mw
O
+ 2Mw
N
+ 24Mw
H
+ = Mw
P
592.61 = kg/kmol P
Mw
HF
Mw
H
Mw
F
+ = Mw
HF
20.01 = kg/kmol HF
Mw
H2O
2Mw
H
Mw
O
+ = Mw
H2O
18.02 = kg/kmol H
2
O
En la primera etapa reaccionan dos molculas de D con una de C para dar una molcula de A y dos
de fluoruro de hidrgeno HF. Para obtener un kmol de A se requieren dos kmol de D y un kmol de C.
En la segunda etapa, polimerizacin, se obtiene una UER de P a partir de una molcula de A y una
molcula de B y se desprenden dos molculas de agua.
La reaccin total se puede escribir como C + 2D + B -> P + 2HF + 2H
2
O, con lo cual, para
obtener la cantidad indicada de P se necesitan:
m
C
m
P
Mw
C
Mw
P
= m
C
0.385 = kg de C/kg de P
m
D
m
P
2Mw
D
Mw
P
= m
D
0.561 = kg de D/kg de P
m
B
m
P
Mw
B
Mw
P
= m
B
0.182 = kg de B/kg de P
Las cantidades de HF y de H2O que se producen son:
2013-2014
125
m
HF
2m
P
Mw
HF
Mw
P
= m
HF
0.068 = kg de HF/kg de P
m
H2O
2m
P
Mw
H2O
Mw
P
= m
H2O
0.061 = kg de H
2
O/kg de P
Se verifica el balance global de materia:
m
C
m
D
+ m
B
+ m
HF
m
H2O
m
P
0 =
La estructura reticulada del apartado 3 puede obtenerse a partir de la siguiente UER:
N N
N
O
N
O
O
O
N O O
O
N
O
O
O
N
O
O
O
N O O
O
N
O
O
N N
N
n
donde el rectngulo significa:
O
N
O
O
O
N
O
O
CH
3
CH
3
O O
N
O
O
N
O
O
=
_________________________________________________________________________________
4.28
Los poliuretanos son polmeros muy verstiles, que se originan por la reaccin entre dioles y
diisocianatos. En ocasiones los diisocianatos tambin se pueden condensar con diaminas originando
poliuretanos "mixtos" que combinan grupos uretano y urea.
Un elstomero especial de este tipo es el Spandex (P), comercializado por DuPont bajo el nombre de
Lycra; sus caractersticas especiales se deben a la combinacin de grupos rgidos y flexibles en su
estructura:
2013-2014
126
C
O
NH NH C
O
NH CH
2
CH
2
NH
n
P
donde:
CH
2
NH C
O
O (CH
2
)
4
O C NH
O
CH
2 =
La sntesis de este compuesto se puede llevar a cabo en dos etapas:
en una primera etapa el 1,4-butanodiol (A) reacciona con el bis(4-isocianatofenil)metano (B) para
dar el compuesto C
en una segunda etapa C condensa con la 1,2-etanodiamina (D) para formar P
HO CH
2
CH
2
CH
2
CH
2
OH
A
CH
2
N N C O C O
B
CH
2
N
H
N C C O
O
O (CH
2
)
4
CH
2
N
H
N C C O
O
O
N C O N C O
esquemticamente: C
H
2
N CH
2
CH
2
NH
2 D
Escribe las reacciones qumicas correspondientes a cada etapa del proceso.
Si se utilizan m
B
2 = kg de B, qu cantidades de A y D (en kg) sern necesarias? Cul ser
la masa de polmero obtenida?
Si se aplica una tensin de
1
8 = MPa a una muestra de este material a T 22 = C, y despus
de t 3 = das en condiciones de deformacin constante la tensin se ha reducido a
2
5 =
MPa, cul ser su tiempo de relajacin? La relajacin de la tensin a deformacin constante
obedece una ley exponencial:

2
exp
t
t
relajacin

= .
Solucin: Mw
O
16.00 = , Mw
H
1.01 = , Mw
Carb
12.01 = , Mw
N
14.0 =
Mw
A
4Mw
Carb
2Mw
O
+ 10Mw
H
+ = Mw
A
90.14 = kg/kmol A
Mw
B
15Mw
Carb
2Mw
N
+ 10Mw
H
+ 2Mw
O
+ = Mw
B
250.25 = kg/kmol B
Mw
C
34 Mw
Carb
6Mw
O
+ 30Mw
H
+ 4Mw
N
+ = Mw
C
590.64 = kg/kmol C
Mw
D
2Mw
Carb
2Mw
N
+ 8Mw
H
+ = Mw
D
60.1 = kg/kmol D
Mw
UER
36 Mw
Carb
6 Mw
O
+ 38 Mw
H
+ 6Mw
N
+ = Mw
UER
650.74 = kg/kmol UER
2013-2014
127
Mw
H2O
2Mw
H
Mw
O
+ = Mw
H2O
18.02 = kg/kmol H
2
O
primera etapa: A + 2B --> C
HO CH
2
CH
2
CH
2
CH
2
OH + 2 CH
2
N N C O C O
CH
2
N
H
N C C O
O
O (CH
2
)
4
CH
2
N
H
N C C O
O
O
segunda etapa : C + D --> P
CH
2
N
H
N C C O
O
O (CH
2
)
4
CH
2
N
H
N C C O
O
O
+ H
2
N CH
2
CH
2
NH
2
CH
2
H
N
H
N C C
O
O (CH
2
)
4
CH
2
H
N
H
N C C NH
O
O
O O
CH
2
CH
2
NH
n
Para obtener n
UER
1 = UER se precisa n
A
1 = molcula de A, n
B
2 = molculas de B (que al
reaccionar produce n
C
1 = molcula de C) y n
D
1 = molcula de D. Las cantidades de kmoles
necesarias son:
N
B
m
B
Mw
B
= N
B
7.992 10
3
= kmol de B m
B
2 = kg de B
m
A
n
A
n
B
N
B
Mw
A
= m
A
0.3602 = kg de A
m
C
n
C
n
B
N
B
Mw
C
= m
C
2.3602 = kg de C
m
D
n
D
n
B
N
B
Mw
D
= m
D
0.2402 = kg de D
Y la masa de polmero obtenida ser:
m
P
n
UER
n
B
N
B
Mw
UER
= m
P
2.6004 = kg de P
El balance de masas (masa de reactivos = masa de P + masa de productos de bajo peso molecular, si
los hay, debe satisfacerse:
Para la primera fase: m
A
m
B
+ m
C
0 =
Para la segunda fase: m
C
m
D
+ m
P
0 =
Para la reaccin global: m
A
m
B
+ m
D
+ m
P
0 =
La relajacin de la tensin a deformacin constante obedece la ley exponencial dada. El tiempo de
relajacin se obtiene directamente despejando:
2013-2014
128
t
relajacin
t 86400
ln

1

=
t
relajacin
5.515 10
5
= s
_________________________________________________________________________________
4.29
Una empresa qumica puede sintetizar un nylon (cuya UER es R) por dos procesos distintos P1 y P2,
que usan reactivos distintos: la lactama L en P1, y el aminocido A en P2, y que se llevan a cabo en dos
plantas distintas.
CO-NH
( )
2
CH
p
L
CO-NH
( )
2
CH
p
L
( )
2
CH
p
HOOC
2
NH
A
( )
2
CH
p
HOOC
2
NH
A
( )
2
CH
p
OC NH
R
( )
2
CH
p
OC NH
( )
2
CH
p
OC NH
R
con p 4 = en las frmulas anteriores.
el proceso P1 es muy simple, no produce residuos, pero parte de una materia prima L cara.
el proceso P2 requiere una planta ms compleja y produce agua residual, pero la materia
prima A es barata.
Los costes fijos (amortizacin, personal, operacin de la planta, etc) de los procesos P1 y P2
son respectivamente f
1
0.2 = y f
2
0.1 = , independientes de la cantidad de R
producido.
Los precios de las materias primas (L en el proceso P1 y A en el proceso P2) son
respectivamente m
1
0.8 = /kg de L y m
2
0.643 = /kg de A .
En el proceso P2 se produce agua residual. La legislacin penaliza estas emisiones de modo
ms que proporcional (cuadrtico), de manera que si se produce una cantidad de C kg de agua
(W) en el proceso P2, el coste asociado es de r
2
C
2
, con r
2
0.74 = /(kg de W)
2
.
El objetivo de la empresa es repartir la produccin entre las dos plantas (entre los dos
procesos) de modo que el coste total de fabricacin sea mnimo.
Determinar:
las masa moleculares de todos las especies qumicas (L, A, R y W) que intervienen en los 1.
dos procesos.
la cantidad (kg) de L y el coste de materias primas (/kg de R) necesarios para sintetizar 1 2.
kg de R por el proceso P1.
lo mismo para el proceso P2. 3.
la cantidad (kg) de agua residual W que se produce al sintetizar 1 kg de R por el proceso 4.
P2.
el coste total de produccin () de 1 kg de R por el proceso P1. 5.
2013-2014
129
lo mismo para el proceso P2. 6.
para 1 kg de produccin total de R, qu fraccin X conviene fabricar por el proceso P1 (el 7.
resto del kg de R se producir por el proceso P2) para que el coste total de produccin
(/kg de R) sea mnimo.
en este caso ptimo, cul es el coste de produccin de R, en /kg de R. 8.
Masas atmicas: Mw
C
12 = , Mw
O
16 = , Mw
N
14 = , Mw
H
1 =
IMPORTANTE: usar los valores numricos de los datos con todos los decimales dados.
Sol.: las masas moleculares de las especies qumicas que intervienen: Mw
L
99 = kg/kmol de L,
Mw
A
117 = kg/kmol de A, Mw
R
99 = kg/kmol de R, Mw
W
18 = kg/kmol de W.
Las reacciones de sntesis de R en los dos procesos son respectivamente:
Por la estequiometra de las reacciones, por cada kg de R que se produce, las cantidades (X, en kg) de
materias primas que se necesitan y los costes (en ) de estas materias primas en cada proceso son:
X
L
1
Mw
R
Mw
L
= X
L
1 = kg de L por cada kg de R en el proceso P1
X
L
m
1
0.8 = por cada kg de R en el proceso P1
X
A
1
Mw
R
Mw
A
= X
A
1.182 = kg de A por cada kg de R en el proceso P2
X
A
m
2
0.76 = por cada kg de R en el proceso P2
La cantidad (kg) de agua residual W que se produce al sintetizar 1 kg de R por el proceso P2 es:
X
W
1
Mw
R
Mw
W
= X
W
0.182 = kg de W por cada kg de R en el proceso P2
El coste total de produccin () para una cantidad Y (kg de R) por el proceso P1 ser:
C
1
Y ( ) f
1
m
1
X
L
Y + =
y el coste de produccin de 1 kg de R por el proceso P1 es: C
1
1 ( ) 1 = /kg de R
Por el proceso 2, el coste total de produccin () para una cantidad Z (kg de R) ser:
C
2
Z ( ) f
2
m
2
X
A
Z + r
2
X
W
Z
( )
2
+ =
2013-2014
130
y el coste de produccin de 1 kg de R por el proceso P2 es: C
2
1 ( ) 0.884 = /kg de R
Si se producen X kg de R por el proceso P1 y el resto, (1-X ) kg, por el proceso P2, el coste total ser:
C
total
X ( ) C
1
X ( ) C
2
1 X ( ) + =
El coste total se minimiza para el valor de X para el que
X
C
total
X ( )
d
d
0 =
es decir: m
1
X
L
m
2
X
A
2 r
2
X
W
2
1 X ( ) 0 =
de donde se obtiene el mnimo para:
X
min
1
m
1
m
2
Mw
A
Mw
R

2r
2
Mw
W
Mw
R

= X
min
0.182 =
El coste total se minimiza produciendo X
min
0.182 = kg de R en la planta del proceso P1 y
1 X
min
0.818 = kg de R en la planta del proceso P2.
El coste mnimo es C
total
X
min
( )
1.08 = /kg de R.
_________________________________________________________________________________
4.30
El rub empleado en algunos lseres es un monocristal de almina (Al
2
O
3
) con una pequea
cantidad de Cr
3+
como impureza. Un valor tpico de la concentracin de Cr
3+
en el rub es
C
Cr
0.05 = % (msico). Calcular la concentracin de Cr
3+
en ppma (partes por milln atmicas,
es decir, cuntos tomos o iones de Cr
3+
hay en cada milln de tomos o iones totales, contando
todos los tipos de tomos).
Sol.: las masas atmicas del aluminio, cromo y oxgeno son:
Mw
Al
26.98 = Mw
Cr
52.0 = Mw
O
16 =
Un kg de almina (base de clculo) contiene muy aproximadamente (se puede despreciar en esta parte
del clculo la cantidad de cromo, por ser mucho ms pequea que el resto):
1
2 Mw
Al
3 Mw
O
+
9.808 10
3
= kmol de Al
2
O
3.
En este kg hay un total de:
1
2 Mw
Al
3 Mw
O
+
5 6.023 10
26
2.954 10
25
= tomos totales/kmol de Al
2
O
3.
2013-2014
131
Mientras que el nmero de tomos de cromo es:
1
C
Cr
100

Mw
Cr
6.023 10
26
5.791 10
21
=
La relacin entre tomos de cromo y el resto, expresada en partes por milln, es:
1
C
Cr
100

Mw
Cr
1
2 Mw
Al
3 Mw
O
+
5
10
6
196.1 = ppma
Si quiere hacerse sin usar ninguna aproximacin:
1
C
Cr
100

Mw
Cr
1
C
Cr
100

2 Mw
Al
3 Mw
O
+
5
10
6
196.2 = ppma
La diferencia entre el clculo aproximado y el exacto es muy pequea (el error es del orden de la
concentracin de cromo).
_________________________________________________________________________________
2013-2014

2013-2014
132
5 Ecuaciones de
conservacin, de estado y
constitutivas; balances,
mezclas, separaciones
5.1 Ley de Ohm Macroscpica
De la ecuacin de conservacin de carga elctrica (balance en estado estacionario sobre
una seccin diferencial) y la ley de Ohm microscpica, deducir la Ley de Ohm
macroscpica para:
1. un conductor cilndrico recto de seccin constante,
2. un conductor de seccin variable conocida
1
( ) A x , y
3. un material cuadrtico (no obedece la ley de Ohm) para el que:
* 2
E J = .
Solucin: el balance de carga (ec. de conservacin) se lleva a cabo primero en una
seccin diferencial de un conductor de seccin constante. El balance de carga en estado
estacionario es (no hay acumulacin):

1 1 1
( ) ( ) 0 AJ x AJ x dx + =
1
dx
l
A
E
+

1
( ) J x
1 1
( ) J x dx +
1
x

es decir:
1
1
( )
0
dJ x
A
dx
=
1
( ) . J x cte =

2013-2014
133
Aplicando la ley de Ohm microscpica (ec. constitutiva): E J =
1
( )
.
E x
cte

=
Por la definicin de campo elctrico:
1
1
1
( )
( ) .
dV x
E x cte
dx
= =
integrando, con las condiciones de contorno del potencial, resulta:

1 1 1 2 0
1 0 1
( ) (0) , ( ) 0
( ) (1 / )
V x C x C V V V l
V x V x l
= + = =
=

derivando esta expresin:

0 0 1
1 1 1
1
( ) 1
( ) ( ) ( )
V V dV x
E x J x E x
dx l l
= = = =
la intensidad de corriente es:

0 0 0
1 1
( ) ( )
V V V
i x AJ x A
l
l R
A


= = = =
Es decir,
el campo elctrico, la densidad de corriente y la intensidad de corriente son constantes
en todo el conductor
la diferencia de potencial vara linealmente a lo largo del conductor
la resistencia del conductor est dada por la frmula ya conocida .

Si el conductor es de seccin variable, el balance de carga en estado estacionario es:
1 1 1 1 1 1 1 1 1
1
( )
( ) ( ) ( ) ( ) 0 0 ( ) ( ) (constante)
d JA
J x A x J x dx A x dx J x A x C
dx
+ + = = =
Aplicando anlogamente la ley de Ohm microscpica e integrando, resulta ahora:

1
1 1
1 1 1 1 1 2
0
1 1 1
( ) 1
( ) ( ) ( )
( ) ( )
x
C dV x
E x J x V x C dx C
A x dx A x

= = = = +


Las constantes de integracin se obtienen de las condiciones de contorno del potencial:
1
0 2
1
0
1 0
1 0 1 1 0 1
0
1
1 1
0 0
1 1
(0) 1
( ) 1
( ) 1 ( ) 0
1 1
( )
( ) ( )
x
l
l l
V V C
dx
A x V
V x V V l C dx V C
A x
dx dx
A x A x

= =

= = = + =



El campo elctrico se obtiene derivando esta expresin:

0 1
1
1 1
1
0
1
( ) 1
( )
1
( )
( )
l
V dV x
E x
dx A x
dx
A x
= =


Y la intensidad de corriente:

2013-2014
134

0
1 1 1 1 1
1
0
1
1
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
1
( )
l
V
I x A x J x A x E x
dx
A x


= = =


De este resultado se deduce que para un conductor de seccin variable:
la intensidad de corriente es igualmente constante (por conservacin de carga)
tambin se obtiene la ley de Ohm macroscpica si se define la resistencia del
conductor de seccin variable del siguiente modo:

0
1
0
1
1
siendo
( )
l
V
I R dx
R A x
=


Esta definicin de la resistencia para un conductor de seccin variable podra haberse
escrito directamente considerando el conductor de seccin variable como una serie de
secciones cilndricas rectas de espesor diferencial conectadas en serie (sus resistencias se
suman en la integral):
1
( ) A x
1
1
1
( )
dx
A x

resistencia de un elemento
de espesor diferencial:
elementos de espesor
diferencial en serie
1
x

(Nota: el clculo de este apartado slo es vlido si la variacin de la seccin transversal no
es muy brusca a lo largo del conductor. Si la variacin de seccin no es pequea, el
problema no puede considerarse unidimensional y se complica).

Para un material cuadrtico y seccin constante del conductor, el balance es exactamente
el mismo (la ecuacin de conservacin de carga y la ecuacin constitutiva son
independientes), pero cambia la relacin entre campo y densidad de corriente elctrica. Es
decir:
1
( ) J x cte = como en el primer apartado. Aplicando la ecuacin constitutiva dada
(en esta ec. constitutiva, la unidad de
*
no es el ohmio, sino
3 2 3
V m /A m /A = ):

* 2
E J =
se obtiene nuevamente:

1 1 0 1
( ) . ( ) (1 / ) E x cte V x V x l = =
(la variacin lineal del voltaje no depende de la ec. constitutiva, sino slo de que la
seccin transversal del conductor sea constante).

0 1
1
1
( )
( )
V dV x
E x
dx l
= =

1/ 2 0
1 1 1 1 0 * *
*
1
( ) ( ) ( ) ( )
V A
J x E x I x J x A V
l
l


= = = =

2013-2014
135
En este caso cabra definir la "resistencia" del conductor como:
*
*
l
R
A

= y se
obtendra una ley macroscpica:

( )
1/ 2
2
* 0
0 *
;
V
I V IR
R
= =
Esta relacin macroscpica no tiene lgicamente nada que ver con la ley de Ohm. En este
caso, la relacin microscpica cuadrtica entre campo y densidad de corriente resulta en
una relacin no lineal (igualmente cuadrtica) entre diferencia de potencial e intensidad
de corriente. Las ecuaciones constitutivas no son vlidas universalmente (al contrario que
las de conservacin), y no todos los materiales tienen un comportamiento elctrico
hmico.
________________________________________________________________________
5.2 Descarga de un Rayo: Calentamiento de un Cable
Un rayo descarga una carga dada en un tiempo breve conocido. El cable que conduce a
tierra la carga desde el pararrayos puede fabricarse de dos materiales diferentes, aluminio
o cobre, cuyas propiedades son conocidas. Determinar:
1. el calentamiento que se produce en el cable debido a la descarga elctrica,
2. el dimetro que debe tener el cable para que la temperatura mxima que alcance ste
mantenga un margen de seguridad respecto del punto de fusin, y
3. seleccionar cul de los dos materiales es ms adecuado, exclusivamente desde el
punto de vista econmico.
Datos:
el rayo descarga: 50 C Q =
longitud del cable: 46 m l =
duracin de la descarga:
3
10 s t

=
margen de seguridad: 200 K T =
temperatura ambiente: 300 K
amb
T =
Propiedades Aluminio Cobre unidades
Densidad
,
2700
dens Al
=
,
8920
dens Cu
=
3
kg/m
Punto de fusin
,
933
f Al
T =
,
1356
f Cu
T =
K
Capacidad calorfica
,
0.898
p Al
C =
,
0.384
p Cu
C =
kJ/kg K
Resistividad de referencia a 0 K
8
0,
2.7 10
Al


=
8
0,
1.6 10
Cu


=
m

2013-2014
136
Coeficiente trmico de resistividad
0.0039
Al
k =
0.0039
Cu
k =
1
K


Precio (relativo) 1
2.2


Solucin: la descarga del rayo produce una intensidad de corriente media durante la
duracin del mismo de: / i Q t =
La potencia disipada como calor durante la duracin de la descarga es:

2
2
2
( )
r
l Q
W Ri
A t
= =


y la energa disipada es:

2
r
l Q
W t
A t
=


Esta energa se emplea prcticamente toda en calentar el cable, ya que dada la duracin
tan reducida de la descarga, no hay tiempo a que se conduzca calor al entorno
(aproximacin adiabtica). Se cumple la igualdad:

2
[( ) ]
r dens p f amb
l Q
W t lA C T T T
A t
= =


Y despejando la seccin del cable:

[( ) ]
r
dens p f amb
A Q
t C T T T

=


(como ejercicio, razonar por qu es independiente de la longitud del cable).
Sustituyendo los datos, para cada material resultan una seccin y un radio de cable:

5 2 3
6 2 3
1.39 10 m 2.10 10 m
7.24 10 m 1.52 10 m
Al Al
Cu Cu
A r
A r


= =
= =

Finalmente, la relacin de precios es:

6
,
5
,
Precio
Coste 7.24 10 8920
2.2 3.8
Coste Precio 1.39 10 2700
Cu dens Cu Cu
Cu
Al Al dens Al Al
A l
A l

= = =


Pese a su mejor conductividad elctrica, el cobre resulta como material en esta aplicacin
4 veces ms caro que el aluminio.
Sin embargo, en esta aplicacin se usa el cobre casi sin excepcin. A qu se puede
deber?
En la parte anterior se ha calculado la resistividad elctrica de cada material a una
temperatura intermedia entre la ambiente y la mxima que va a alcanzarse durante la
descarga, resultando los siguientes valores:

2013-2014
137

0
8
,
8
,
( )
( ) (1 )
2
8.139 10 m (a 516.6 K)
6.143 10 m (a 728 K)
f amb
m r m m
r Al
r Cu
T T T
T T kT

+
= = +
=
=

Para realizar un clculo ms preciso, se puede tener en cuenta que la resistividad no es
constante durante la descarga, sino que vara con la temperatura:
0
( ) (1 )
r
T kT = +
Esta variacin obliga a calcular el calentamiento de modo diferencial e integrar sobre la
duracin de la descarga. Durante un elemento de tiempo, la energa disipada es:

2
2
( )
( )
r dens p
l Q
Wdt T dt lA C dT
A t
= =


y esta energa disipada diferencial se emplea en calentar el cable un diferencial de
temperatura. Agrupando trminos e integrando:

2
2 2
2
2
(*)
( ) ( ) (1 )
1 ( )
1 1
ln
(1 ) (1 ) 1
f f
amb amb
dens p r o
T T T T
f
T T
dens p o o o amb
Q dT dT
dt
C A t T kT
k T T
Q dT kdT
C A t kT k kT k kT



= =
+
+
= = =
+ + +


Se despeja la seccin y se obtiene para cada material:

0
5 2 3
6 2 3
1 ( )
ln
1
1.373 10 m 2.09 10 m
6.992 10 m 1.49 10 m
f
dens p
amb
Al Al
Cu Cu
k
A Q
k T T
t C
kT
A r
A r



=
+

+
= =
= =

Se comprueba que el clculo inicial, tomando un valor medio de la resistividad elctrica
es aceptable para una estimacin (error en torno al 5%). Este pequeo error queda en la
prctica absorbido en el factor de seguridad, que con frecuencia es muy superior a esta
cifra.
Ms an: en la prctica, los materiales no estn disponibles en todos los calibres, sino que
es preciso usar tamaos (dimetros) estandarizados, tpicamente el inmediato por encima
del resultado del clculo + factor de seguridad, lo que hace an menos importante un error
del 5%.
De todas maneras, la fuente mayor de error en este ejemplo est en el conocimiento
limitado de cmo tiene lugar la descarga elctrica, es decir, de la cantidad de electricidad
descargada, de la duracin de la descarga y de la variacin temporal de esta descarga
(suponer que durante la descarga la intensidad es constante e igual al valor medio es slo
una primera aproximacin).
Integrando (*) entre lmites genricos podemos obtener la evolucin de la temperatura en
el conductor en el supuesto de que la resistividad es variable, y (para 0 k = ) de que la
resistividad es constante. En el primer caso, la variacin de la temperatura es lineal en el
tiempo y en el segundo es exponencial. En ambos casos se cumple la especificacin de
temperatura mxima (lneas horizontales) para ambos materiales:

2013-2014
138
( )
2
2
2
r
amb
dens p
Q
T T t
A t C
= +

( )
( )
2
2
2
1
1 exp 1
r
amb
dens p
Q k
T kT t
k
A t C


= +




En este segundo clculo se ha supuesto el calor especfico constante. En el intervalo de
temperaturas considerado es, en realidad y con buena aproximacin, una funcin lineal
de la temperatura, anloga a la resistividad elctrica:
( ) (1 )
p p
C T C T = +
Como ejercicio, realizar un clculo ms preciso de la seccin del cable, teniendo ahora
adems en cuenta que el calor especfico tambin es variable. Es la densidad tambin
variable? Cmo se resolvera el problema si la variacin de la corriente descargada con
el tiempo fuera conocida? (es decir, ( ) i t conocida y no necesariamente constante).
________________________________________________________________________

5.3 Ternario: Pigmento-Diepxido-Triamina
Un material para reparacin de defectos se fabrica a partir de un pigmento blanco (A:
2
TiO ) y de un adhesivo epoxi de dos componentes, un diepxido (B) y una triamina (C),
que reaccionan espontneamente al mezclarlos a temperatura ambiente. El producto final
(P) contiene un 60% (en masa) de pigmento; el resto es adhesivo en proporcin msica
B:C de 3:2.
Para minimizar el coste de distribucin, conviene que el material se comercialice en dos
componentes (Q y R), eligiendo las composiciones de cada uno de manera que la relacin
de masas de los dos sea la mxima posible.
Determinar cules deben ser las composiciones de los componentes y las cantidades
relativas.

Sol.: puesto que B y C reaccionan espontneamente al ser puestos en contacto, es
necesario que estn separados en Q y en R. Sobre un diagrama triangular, Q debe
encontrarse sobre el lado que representa mezclas de A y C, y R debe encontrarse sobre el

2013-2014
139
lado que representa mezclas de A y B. Si se representan las lneas correspondientes a las
dos especificaciones de producto, el producto final P debe encontrarse en la interseccin
de ambas especificaciones. La lnea que une los dos puntos Q y R debe pasar tambin por
la interseccin P, y debe cumplir la especificacin del enunciado: el ptimo buscado
corresponde a encontrar la composicin de Q (o de R) que hace extrema (mxima o
mnima) la relacin
QP
RP

A (TiO
2
)
B (diepxido)
C (triamina)
B:C = 3:2
%A = 60%
P
Q
R
especificaciones

Un modo de fijar la posicin de Q (y con ello la de R) es con el ngulo (diagrama
siguiente). La relacin msica R:Q puede escribirse en funcin de este ngulo y aplicando
el teorema de los senos a los tringulos APQ

y APR

:

( )
( )
( )
( )
sen
sen 120
sen
sen
:
sen 60 sen 60 sen
sen 120
AP
QP
R Q
RP
AP

= = =


A la hora de calcular los extremos de esta relacin, hay que tener en cuenta que el ngulo
vara en el dominio
[ ]
min max
, = .En cualquier caso, los valores mnimo y mximo
de estn siempre entre 0 y 120, segn dnde se encuentre P.
Los mximos habr que buscarlos tanto en el interior del dominio como en la frontera
(en un caso general hay que buscarlos usando p.ej. multiplicadores de Laplace para
imponer la condicin de frontera; en este caso la frontera son dos puntos y basta con
evaluar la funcin en ellos para identificar cul corresponde al mximo y cul al mnimo).

2013-2014
140

P
Q
R

+
180

60
120
A
( ) sen 120
:
sen
QP
R Q
RP

min

max

P

En el interior del dominio, la derivada

( )
2
:
1
sen
d R Q
d QP
Cte
d d RP

= =



no puede anularse para ningn valor del ngulo . Los extremos se encontrarn en la
frontera. La funcin
( ) sen 120
sen

entre 0 y 180 tiene este aspecto:


( ) sen 120
sen

max

min


En consecuencia la relacin msica R:Q es mxima cuando Q est sobre el vrtice C y
mnima cuando R est sobre el vrtice B. Este resultado es general: la relacin de masas,
o de volmenes o de moles, segn el tipo de diagrama triangular, de dos productos en los
que se separa un compuesto ternario es extrema (mxima o mnima) cuando uno de los
productos est sobre un vrtice. El objetivo del problema es ilustrar y probar este
resultado general.
El problema puede resolverse tambin mucho ms directamente: puesto que B y C no
pueden mezclarse de antemano, deben ir separados en Q y R. Por otro lado, puesto que B
est en mayor proporcin (3:2), el modo de maximizar la relacin R:Q es aadir todo A al

2013-2014
141
que ya est en mayor proporcin (B). Los dos productos sern R (que contiene todo A y
todo B) y Q (C puro).
A (TiO
2
)
B (diepxido)
C (triamina)
B:C = 3:2
%A = 60%
P
Q
R
especificaciones
min


Las composiciones se leen directamente del diagrama triangular, o se calculan por un
simple balance. Cada kg de P se obtiene mezclando 0.165 kg de Q (cuya composicin es
100% C), y 0.835 kg de R (72% de A y 28% de B).
________________________________________________________________________
5.4 Densidad de una Mezcla en un Diagrama Ternario
En los siguientes diagramas ternarios, expresados en fracciones msicas, se han trazado
rectas de lnea gruesa que representan mezclas de tres componentes A, B y C con una
densidad constante. Determinar qu diagrama corresponde a cada una de las siguientes
densidades de la mezcla (todas en kg/L):

2.4 3
4.5 4.8


= =
= =

sabiendo que las densidades de los tres componentes son: 6, 4 2 kg/L
A B C
y = = = .
A
B C
1 : 1
2 : 1
a)
A
B C
b)
1 : 1
7 : 1


2013-2014
142
A
B C
1 : 3
1 : 2
c)
A
B C
d)
5 : 1
1 : 2

Nota: las relaciones entre componentes que aparecen en los extremos de cada segmento
son relaciones binarias msicas.

Solucin: la densidad de una mezcla ternaria en funcin de las fracciones msicas de sus
componentes se obtiene de la siguiente ecuacin (tomando como base de clculo 1 kg de
mezcla ternaria, volumen total = suma de volmenes):

1
C A B
A B C
X X X

= + +
Tomando el caso de una mezcla de densidad 3 = , se representa la recta

1 1
3 6 4 2
A B A B
X X X X
= + +
en el diagrama ternario, determinando dos puntos, por ejemplo:

0 0.67
0 0.50
A B
B A
X X
X X
= =
= =

El primer punto se encuentra sobre el lado del tringulo opuesto al vrtice A y
corresponde a una mezcla binaria de B y C de composicin 0.67 y 0.33
B C
X X = = ,
es decir una relacin msica de 2:1. El segundo punto se encuentra en el lado opuesto al
vrtice B y corresponde a una mezcla binaria de A y C de composicin
0.50 y 0.50
A C
X X = = , es decir, una relacin msica de 1:1. Uniendo estos dos
puntos se ve que corresponde al diagrama a) del enunciado.
Si se procede analogamente con las densidades de las restantes tres mezclas, se obtiene
que el diagrama b) corresponde a 4.8 = , el diagrama c) corresponde a 2.4 = y el
diagrama d) corresponde a 4.5 = .
En los casos b) y d), si se elige para representar cada recta el punto correspondiente a
0
A
X = , se obtienen valores de >1
B
X ; esto significa que la interseccin de la recta con
el lado del tringulo opuesto al vrtice A se encuentra fuera del tringulo (a la izquierda
de B) y habra que continuar la escala para dibujarlo. El clculo es correcto, pero ms
incmodo de representar. Para estos dos casos es preferible determinar, por ejemplo, los
dos puntos con 0 y 0
B C
X X = = y trazar la recta entre ellos.
________________________________________________________________________

2013-2014
143
5.5 Terpolmero Acrilonitrilo-Butadieno-Estireno
El ABS es un terpolmero formado por acrilonitrilo (A), butadieno (B) y estireno (C). Este
termoplstico es muy utilizado en automocin por su buena resistencia mecnica y al
impacto. El amplio rango de propiedades que presenta el ABS se debe tanto a la
naturaleza de los monmeros que lo componen como a la posibilidad de combinarlos en
diferentes proporciones.
Una de las variedades comerciales de ABS presenta una arquitectura molecular en la que
el nmero de residuos de butadieno es exactamente la mitad del total de residuos
monomricos. Este ABS (D) se puede obtener a partir de polibutadieno (E) y de un
copolmero de acrilonitrilo y estireno (F). El copolmero F se prepara por polimerizacin
radicalaria de una mezcla de acrilonitrilo (A) y estireno (C), siendo su composicin
msica del 80% en estireno.
1. Determinar la composicin del terpolmero D en fracciones molares de acrilonitrilo
(A), butadieno (B) y estireno (C).
2. Calcular la masa (en kg) de acrilonitrilo (A), butadieno (B) y estireno (C) necesarios
para obtener 1 tonelada de ABS (D).
3. Si el 10% de los dobles enlaces presentes en el terpolmero D (derivados de las
unidades de butadieno) se entrecruzan con azufre, segn la estequiometra de la figura,
calcular la masa de azufre (en kg) necesaria para reticular una tonelada de ABS.
2 2 2 2
2 2 2 2
azufre
CH CH CH CH CH CH CH CH
S S
CH CH CH CH CH CH CH CH

=
=

Este problema puede hacerse analticamente o con ayuda de un diagrama triangular.
Sol.: las estructuras de los monmeros y sus masas moleculares son:
H
2
C
CH
CN
Mw
(B)
=54 kg/kmol Mw
(C)
=104 kg/kmol Mw
(A)
=53 kg/kmol
H
2
C CH CH CH
2
H
2
C
CH
A B C

A partir del dato del terpolmero D del enunciado, el nmero de residuos de butadieno es
exactamente la mitad del total de residuos monomricos, se deduce que la fraccin molar
de butadieno en el terpolmero es:
B
0.5 x = y el resto
A C
0.5 x x + = .
El acrilonitrilo (A) y estireno (C) del terpolmero D provienen en su totalidad del
copolmero F, del que se sabe su composicin msica. A partir de esta informacin, es

2013-2014
144
inmediato obtener las fracciones molares de A y C en el copolmero F
( )
y
F F
A C
x x , que
evidentemente diferirn de las correspondientes fracciones molares de A y C en el
terpolmero D ( )
A C
y x x . Sin embargo, la relacin entre el nmero de residuos de
acrilonitrilo y estireno en el copolmero F se tiene que mantener en el terpolmero D:

C
A
80
104
0.671 1 0.329
80 20
104 53
2.04
F F F
C A C
F
C
F
A
x x x
x x
x x
= = = =
+
= =

Por lo tanto, las fracciones molares de A, B y C en el terpolmero D sern:

C A A A A C
B
2.04 2.04 0.5 0.1645 0.5 0.1645 0.3355
0.5
x x x x x x
x
= + = = = =
=

Solucin grfica:
En el diagrama triangular (en fracciones molares) se determina la composicin del
terpolmero por interseccin de la recta correspondiente a
B
0.5 x = (horizontal) y la recta
BF. El punto F se debe situar sobre el lado AC del diagrama triangular y con las
composiciones molares calculadas anteriormente
( )
=0.329 y 0.671
F F
A C
x x =
La composicin de D se lee directamente en el diagrama.
A
B
C
B
0.5 x =
0.67
F
C
x =
F
D

Para calcular las cantidades de materias primas necesarias para obtener una tonelada de
ABS se puede proceder de diferentes maneras, pero siempre recordando que las
fracciones de A, B y C determinadas son fracciones molares, y no msicas.

2013-2014
145
Es inmediato obtener la equivalencia entre kg y kmol para el terpolmero D (su masa
molecular), a partir de su composicin en fracciones molares:

D A A B B C C
70.64 kg/kmol Mw x Mw x Mw x Mw = + + =
y las cantidades de materias primas para obtener 1 tonelada de terpolmero D:

A A
A
D
B B
B
D
C C
C
D
1000 123.05 kg A
1000 382.22 kg B
1000 494.67 kg C
x Mw
m
Mw
x Mw
m
Mw
x Mw
m
Mw
= =
= =
= =

Otra posibilidad es transformar las fracciones molares obtenidas en fracciones msicas y
determinar las cantidades de materias primas multiplicando estas fracciones por 1000:

A A
A
A A B B C C
B B
B
A A B B C C
C A B
0.123 123 kgA
0.382 382 kgB
1 0.495 495 kgC
x Mw
X
x Mw x Mw x Mw
x Mw
X
x Mw x Mw x Mw
X X X
= =
+ +
= =
+ +
= =

Tambin se puede resolver grficamente. Aplicando la regla de la palanca (segmento BF)
se determina, en una primera etapa, las cantidades (en kmol) de B y de F necesarias para
obtener 1 kmol de D. A partir del valor obtenido para F, aplicando nuevamente la regla
de la palanca (segmento AC) se obtienen los kmol de A y de C. Finalmente se rehace el
clculo para los kmol de D que hay en una tonelada, y se transforman las cantidades de A,
B y C en kmol a cantidades en kg a travs de las masas moleculares.

Para resolver el ltimo apartado solo hay que tener en cuenta que en el proceso de
reticulacin indicado en la figura, la estequiometra azufre/doble enlace es 1:1, y los
dobles enlaces que se entrecruzan (el 10%) provienen de los residuos de butadieno:

S B S
D
1 kmolD kmol B 1 kmolS kgS 10
1000 kgD 22.65 kg S
kgD kmol D 1 kmolB kmolS 100
m x Mw
Mw
= =
________________________________________________________________________
5.6
A una carga de cuarzo ( )
2
SiO se le aade caolinita ( )
2 3 2 2
Al O 2SiO 2H O para obtener
un material cermico cuyo contenido en almina ( )
2 3
Al O , una vez calcinado, sea del
30% en masa. Qu cantidad de caolinita ( )
2 3 2 2
Al O 2SiO 2H O ser preciso aadir a
100 kg de cuarzo?
NOTA: En el horno de calcinacin se pierde completamente el agua de cristalizacin.
Masas atmicas: Al =27, O =16, Si =28, H =1

2013-2014
146
Sol.: de acuerdo con los datos de masas atmicas del enunciado, calculamos las masas
moleculares de las distintas especies del problema:

2
2 3
2 3 2 2
2 3 2
SiO
Al O
Al O 2SiO 2H O
Al O 2SiO
60 kg/kmol
102 kg/kmol
258 kg/kmol
222 kg/kmol
Mw
Mw
Mw
Mw

=
=
=
=

La caolinita pierde completamente el agua de cristalizacin en el horno, convirtindose
en caolinita deshidratada
2 3 2
Al O 2SiO . La cantidad de caolinita C (kg) que hay que
aadir a 100 kg de cuarzo, para que el contenido en almina del material cermico una
vez calcinado (y completamente seco) sea del 30% en masa, ser:

2 3
2 2 3 2
102
masa Al O
258
0.3
222
masa SiO masa Al O 2SiO
100
258
218.64 kg
C
C
C
= =
+
+
=

________________________________________________________________________
5.7
En la fabricacin de un material cermico se calcina en un horno una mezcla de los
siguientes componentes cermicos hasta la prdida total del agua de constitucin:
( ) ( )
2 3 2 2 2
Al O SiO y 3MgO 2SiO 2H O A B
La composicin de la alimentacin al horno es 0.23
A
X = y 1
B A
X X = (fracciones
msicas). Calcular cuntos kg de producto anhidro se obtienen del horno por cada kg de
alimentacin de la composicin indicada.
Masas atmicas: Al =27, O =16, Si =28, H =1, Mg=24.3
Sol: la masa molecular del componente es 276.9 kg/kmol
B
B Mw = . La alimentacin al
horno contiene:

3
2.781 10 kmol /kg alimentacin
B
B
X
B
Mw

=
y la prdida de agua es de 2 kmol por cada kmol de B en la alimentacin, es decir:

2
2 kmol H O/kg alimentacin
B
B
X
Mw

Luego de producto anhidro o seco se obtendrn:

2
1 2 0.9 kg producto seco/kg alimentacin
B
H O
B
X
Mw
Mw
=
________________________________________________________________________
147
5.8
Calcular la composicin en fracciones msicas (X
i
) de Si, O, Mg y Al del punto que se encuentra en el
centro del diagrama triangular que se adjunta. El diagrama triangular est en base molar.
SiO
2
Al
2
O
3
MgO
Sol.: las masas atmicas son:
Mw
Si
28.09 = Mw
O
16.00 = Mw
Mg
24.31 = Mw
Al
26.98 = kg/kmol
La composicin molar del punto en el centro del diagrama es de 1/3 para cada componente, es decir:
x
SiO2
1
3
= x
Al2O3
1
3
= x
MgO
1
3
=
Tomando como base de clculo 1 kmol de P, de cada elemento hay los siguientes kg
Silicio: m
Si
x
SiO2
1 Mw
Si
= m
Si
9.363 =
Oxgeno m
O
x
SiO2
2 Mw
O
x
Al2O3
3 Mw
O
+ x
MgO
1 Mw
O
+ = m
O
32 =
2013-2014
148
Magnesio m
Mg
x
MgO
1 Mw
Mg
= m
Mg
8.103 =
Aluminio m
Al
x
Al2O3
2 Mw
Al
= m
Al
17.987 =
La masa total es: m
tot
m
Si
m
O
+ m
Mg
+ m
Al
+ = m
tot
67.453 =
Y las fracciones msicas son:
X
Si
m
Si
m
tot
= X
O
m
O
m
tot
= X
Mg
m
Mg
m
tot
= X
Al
m
Al
m
tot
=
X
Si
0.139 = X
O
0.474 = X
Mg
0.12 = X
Al
0.267 =
Se comprueba que X
Si
X
O
+ X
Mg
+ X
Al
+ 1 =
_________________________________________________________________________________
5.9
El vidrio que se emplea para fabricar el tubo de los monitores CRT tiene un contenido elevado de plomo
con el fin de absorber radiacin de frenado de electrones. Uno de estos vidrios altos en plomo contiene
SiO
2
(A), K
2
O (B) y PbO (C) y debe cumplir las siguientes especificaciones:
Relacin (msica) A:B S
1
5 = kg de SiO
2
/kg de K
2
O
Especificacin para asegurar absorcin de radiacin: S
2
6.4 10
27
= tomos de Pb/m
3
de vidrio
Determinar
la composicin de este vidrio (fracciones msicas de A, B y C), 1.
la densidad de este vidrio. 2.
Datos: densidades:
A
2643 = kg/m
3
,
B
2300 = kg/m
3
,
C
9530 = kg/m
3
. Calcular la densidad del
vidrio suponiendo mezcla ideal de componentes, es decir los volmenes son aditivos, sin prdida ni
ganancia al realizar mezclas.
(Este problema puede resolverse bien analticamente o bien con ayuda de un diagrama triangular).
Solucin: Mw
Si
28.09 = Mw
O
16.00 = , Mw
K
39.10 = , Mw
Pb
207.020 =
Mw
A
Mw
Si
2Mw
O
+ = , Mw
B
2Mw
K
Mw
O
+ = , Mw
C
Mw
Pb
Mw
O
+ =
Mw
A
60.09 = kg/kmol A Mw
B
94.2 = kg/kmol B Mw
C
223.02 = kg/kmol C
1 variante (analtica, en fracciones msicas):
La primera especificacin fija la relacin de fracciones msicas de A a B: X
A
S
1
X
B
= (*)
2013-2014
149
La segunda especificacin (nmero de tomos de Pb por m
3
) implica:
S
2

vidrio
X
C

1
Mw
C
N
A
= (**) N
A
6.023 10
26
= tomos Pb/kmol C
donde cada uno de los trminos en (**) corresponden a:
3 3
kg de vidrio kg de C kmol de C tomos de Pb tomos de Pb
m de vidrio kg de vidrio kg de C kmol de C m de vidrio
=
y donde
vidrio
1
X
A

A
X
B

B
+
1 X
A
X
B

C
+
=
Resolviendo las ecuciones (*) y (**) se obtienen directamente los valores de las dos incgnitas X
A
y X
B
.
P.ej. substituyendo (*) en (**) y despejando X
B
X
B

C
N
A
S
2
Mw
C

C
Mw
C
S
2
S
1

A
1

B
+
S
1
1 +

S
1
1 +
Mw
C
N
A
+

=
X
B
0.0750 =
X
A
S
1
X
B
= X
C
1 X
A
X
B
= X
A
0.3749 = X
B
0.0750 = X
C
0.5502 =

vidrio
1
X
A

A
X
B

B
+
X
C

C
+
=

vidrio
4307 = kg/m
3
Se puede verificar que esta solucin satisface las dos especificaciones:
S
1
5 =
X
A
X
B
5 =
vidrio
X
C

1
Mw
C
N
A
6.4 10
27
= S
2
6.4000 10
27
= tomos Pb/m
3
2 variante (grfica): las dos relaciones (*) y (**) se pueden representar en el diagrama triangular como
dos rectas cuyo punto de interseccin es la solucin buscada.
X
A
S
1
X
B
= (*) (lnea continua)
S
2
1
X
A

A
X
B

B
+
1 X
A
X
B

C
+
1 X
A
X
B

( )

1
Mw
C
N
A
= (**) (lnea de trazos)
2013-2014
150
Diagrama triangular en fracciones msicas:
B
C
A
Leyendo la composicin del punto de interseccin de las dos rectas se obtiene grficamente la misma
solucin:
X
A
0.3749 =
X
B
0.0750 =
X
C
0.5502 =
3 variante (analtica, en fracciones volumtricas): se parte de la especificacin S
2
y se calculan los kg
de Pb y de PbO que debe haber en 1 m
3
de vidrio:
S
2
Mw
Pb

N
A
2199.8 = kg de Pb en 1 m
3
de vidrio
m
C
S
2
Mw
Pb

N
A
Mw
C
Mw
Pb
= m
C
2369.8 = kg de PbO (C) en 1 m
3
de vidrio
2013-2014
151
Esta masa de C ocupa un volumen de: V
C
m
C

C
= V
C
0.2487 = m
3
( fraccin volumtrica)
La fraccin volumtrica de A y B juntos es la diferencia: V
AB
1 V
C
= , V
AB
0.7513 = . A su vez,
de la primera especificacin se puede obtener la relacin volumtrica que debe haber entre A y B:
Rvol
AB
S
1
1

A
1

B
= Rvol
AB
4.351 = m
3
de A por m
3
de B en el vidrio
Las fracciones volumtricas de A, B en el vidrio son:
V
A
V
AB
Rvol
AB
Rvol
AB
1 +
= V
B
V
AB
1
Rvol
AB
1 +
=
V
A
0.6109 = V
B
0.1404 = V
C
0.2487 =
Finalmente, conocidas las fracciones volumtricas y las densidades, se calculan las fracciones msicas:
X
A
V
A

A

V
A

A
V
B

B
+ V
C

C
+
= X
A
0.3749 =
X
B
V
B

B

V
A

A
V
B

B
+ V
C

C
+
= X
B
0.075 =
X
C
V
C

C

V
A

A
V
B

B
+ V
C

C
+
= X
C
0.5502 =
4 variante (grfica): una cuarta forma de resolver el problema es como la anterior, pero calculando las
fracciones volumtricas por una construccin grfica en un diagrama triangular de fracciones
volumtricas: el punto de interseccin de la recta que representa V
C
0.249 = con la recta que
representa Rvol
AB
4.351 = .
Diagrama triangular en fracciones volumtricas:
2013-2014
152
B
A
C
Leyendo la composicin del punto de interseccin de las dos rectas se obtiene grficamente la misma
composicin volumtrica que por el clculo analtico:
V
A
0.6109 = V
B
0.1404 = V
C
0.2487 =
el resto del problema se hace igual que en la tercera forma.
5 variante (analtica): se plantean las ecuaciones que describen:
suma de fracciones igual a 1: X
A
X
B
+ X
C
+ 1 =
especificacin S
1
: X
A
5X
B
=
densidad del vidrio:
vidrio
1
X
A

A
1
X
B

B
1
+ X
C

C
1
+ =
X
C
S
2
N
A
Mw
C.

vidrio
1
=
especificacin S
2
:
2013-2014
153
Es un sistema de cuatro ecuaciones lineales en las cuatro incgnitas X
A
, X
B
, X
C
y
vidrio
1
.
M
1
1

A
1
0
1
5

B
1
0
1
0

C
1
1
0
0
1
S
2
N
A
Mw
C

= v
1
0
0
0

=
El sistema se resuelve fcilmente por eliminacin ya que tiene varios coeficientes y trminos
independientes nulos. La solucin es nuevamente:
X
A
0.3749 = X
B
0.0750 = X
C
0.5502 =
vidrio
4307 = kg/m
3
_________________________________________________________________________________
5.10
En un proceso de reciclado de vidrio se mezclan residuos de vidrios de dos tipos A y B, cuyas
composiciones en fracciones msicas son (componente 1 es SiO
2
, componente 2 es Na
2
O, componente
3 es CaO, componente 4 es Al
2
O
3
)
XA
1
0.71 = , XA
2
0.12 = , XA
3
0.11 = , XA
4
1 XA
1
XA
2
XA
3
= , XA
4
0.06 =
XB
1
0.54 = , XB
2
0.03 = , XB
3
0.22 = , XB
4
1 XB
1
XB
2
XB
3
= , XB
4
0.21 =
Calcula la composicin (fracciones msicas de cada componente) del vidrio reciclado que se obtiene al
mezclar vidrios A y B en relacin msica R
AB
3.4 = (masa de A a masa de B).
Sol: es una simple mezcla lineal. Llamando r
R
AB
R
AB
1 +
= , r 0.773 =
XM
1
r XA
1
1 r ( ) XB
1
+ = XM
1
0.671 =
XM
2
r XA
2
1 r ( ) XB
2
+ = XM
2
0.1 =
XM
3
r XA
3
1 r ( ) XB
3
+ = XM
3
0.135 =
XM
4
r XA
4
1 r ( ) XB
4
+ = XM
4
0.094 =
_________________________________________________________________________________
2013-2014
154
5.11
Se desea obtener un clinker de cemento Portland (P) cuya composicin, expresada en fracciones msicas
de CaO (A), Al
2
O
3
(B) y SiO
2
(C) debe ser XP
A
0.55 = , XP
B
0.18 = , XP
C
1 XP
A
XP
B
= .
Las materias primas de las que se dispone para alimentar el horno de calcinacin son carbonato clcico
(caliza) CaCO
3
(D), que por descomposicin trmica en el horno CaCO
3
-> CaO+CO
2
produce CaO, y
dos arcillas: montmorillonita 4SiO
2
.Al
2
O
3
.H
2
O (E) y caolinita 2SiO
2
.Al
2
O
3
.2H
2
O (F), que en el horno
pierden completamente el agua estructural.
Determinar qu cantidades (kg) de las materias primas D, E y F son necesarias para obtener 1 kg de P.
Este problema puede resolverse bien analticamente o bien con ayuda de un diagrama triangular.
Solucin: Mw
Si
28.09 = Mw
O
16.00 = , Mw
Ca
40.08 = , Mw
Al
26.98 = , Mw
H
1.01 = ,
Mw
Carb
12.01 =
Mw
A
Mw
Ca
Mw
O
+ = Mw
B
2Mw
Al
3Mw
O
+ = Mw
C
Mw
Si
2Mw
O
+ =
Mw
A
56.08 = kg/kmol A Mw
B
101.96 = kg/kmol B Mw
C
60.09 = kg/kmol C
Mw
D
Mw
Ca
3Mw
O
+ Mw
Carb
+ = Mw
Agua
2Mw
H
Mw
O
+ = Mw
CO2
Mw
Carb
2Mw
O
+ =
Mw
D
100.09 = kg/kmol D Mw
Agua
18.02 = kg/kmol Agua Mw
CO2
44.01 = kg/kmol CO
2
Mw
E
4Mw
C
Mw
B
+ Mw
Agua
+ = Mw
F
2Mw
C
Mw
B
+ 2Mw
Agua
+ =
Mw
E
360.34 = kg/kmol E Mw
F
258.18 = kg/kmol F
1 variante (analtica): la especificacin dada (composicin de P) es equivalente a tres ecuaciones
lineales que representan la conservacin de calcio, aluminio y silicio. Si las cantidades necesarias (en kg)
de D, E y F para obtener un kg de P son m
D
, m
E
y m
F
, tienen que cumplirse los siguientes balances:
Balance de Ca: m
D
Mw
Ca
Mw
D
XP
A
Mw
Ca
Mw
A
=
Balance de Al: m
E
2Mw
Al
Mw
E
m
F
2Mw
Al
Mw
F
+ XP
B
2Mw
Al
Mw
B
=
Balance de Si: m
E
4Mw
Si
Mw
E
m
F
2 Mw
Si

Mw
F
+ XP
C
Mw
Si
Mw
C
=
cuya solucin es:
m
D
0.982 = kg de D / kg de P
m
E
0.173 = kg de E / kg de P
m
F
0.332 = kg de F / kg de P
2013-2014
155
La solucin debe verificar automticamente conservacin del oxgeno:
Oxgeno en la alimentacin
(descontando el CO
2
y el H
2
O que se eliminan
en el horno):
m
D
Mw
O
Mw
D
m
E
11Mw
O
Mw
E
+ m
F
7Mw
O
Mw
F
+ 0.385 =
Oxgeno en el producto: XP
A
Mw
O
Mw
A
XP
B
3Mw
O
Mw
B
+ XP
C
2Mw
O
Mw
C
+ 0.385 =
El hidrgeno y el carbono se pierden enteramente en la calcinacin y no aparecen en el producto. El
balance total de masa tambin debe verificarse automticamente:
Alimentacin total al horno: m
D
m
E
+ m
F
+ 1.487 = kg / kg de P
clinker (P) ms CO
2
y H
2
O que se eliminan en la calcinacin:
1 m
D
Mw
CO2
Mw
D
+ m
E
Mw
Agua
Mw
E
+ m
F
2Mw
Agua
Mw
F
+ 1.487 = kg / kg de P
2 variante (grfica): puesto que la nica fuente de calcio es A, el producto P se obtendr de mezclar A
puro con una mezcla "Q" de B y C. Es decir, se puede separar grficamente P en A y Q.
B
F (seco)
Q
E (seco)
A C
2013-2014
156
XQ
A
0 =
Del diagrama se lee la composicin del punto Q:
XQ
B
0.400 =
XQ
C
1 XQ
A
XQ
B
= XQ
C
0.6 =
y por la regla de la palanca las cantidades necesarias de Q y A para obtener un kg de P:
A 0.55 = kg de A / kg de P Q 0.45 = kg de Q / kg de P
Y la cantidad de D necesaria es:
m
D
A
Mw
D
Mw
A
=
m
D
0.982 = kg de D / kg de P
En segundo lugar se determinan grficamente las cantidades de E seco y F seco que hay que mezclar
para obtener Q, es decir, se separa Q en E y F secos. De la regla de la palanca se obtiene que las
cantidades necesarias de E y F secos son:
E 0.165 = kg de E seco / kg de P F 0.285 = kg de E seco / kg de P
Y las cantidades de E y F (con agua estructural) son:
m
E
E
Mw
E
Mw
B
4Mw
C
+
= m
F
F
Mw
F
Mw
B
2Mw
C
+
=
m
E
0.173 = kg de E / kg de P m
F
0.332 = kg de F / kg de P
_________________________________________________________________________________
5.12
Se desea obtener un clinker de cemento Portland (P) a partir de las siguientes materias primas: a)
carbonato clcico (caliza) CaCO
3
, que por descomposicin trmica en el horno CaCO
3
-> CaO+CO
2
produce CaO (A), y b) una mezcla de dos arcillas: pirofilita 4SiO
2
.Al
2
O
3
.H
2
O (E) y caolinita
2SiO
2
.Al
2
O
3
.2H
2
O (F), que en el horno pierden completamente el agua estructural.
Este clinker se aplica mezclndolo con agua, con lo cual tienen lugar las reacciones de fraguado
(reacciones de hidratacin). Terminado el fraguado, las sales hidratadas responsables de la resistencia del
cemento son la sal de tobermorita 3CaO.2SiO
2
.3H
2
O (T), y el aluminato tetraclcico
4CaO.Al
2
O
3
.13H
2
O (L).
Se especifica que la mezcla de arcillas M (antes de la calcinacin) tenga un precio de S
1
50 = /m
3
.
2013-2014
157
Determinar:

la composicin de P (% msicos de CaO, Al
2
O
3
y SiO
2
). 1.
qu cantidades (kg) de T y L se obtienen al fraguar P 1 = kg de P. 2.
qu cantidad (kg) de agua de hidratacin contienen las sales del apartado anterior por kg de P. 3.
Datos:
precios de E y F: p
E
35 = /m
3
de E, p
F
78 = /m
3
de F.
densidades de E y F:
E
2900 = kg/m
3
,
F
2600 = kg/m
3
.
Este problema puede resolverse bien analticamente o bien con ayuda de un diagrama triangular.
Solucin: Mw
Si
28.09 = Mw
O
16.00 = , Mw
Ca
40.08 = , Mw
Al
26.98 = , Mw
H
1.01 = ,
Mw
Carb
12.01 =
Para los clculos (en base seca) se consideran los componentes CaO (A), Al
2
O
3
(B), SiO
2
(C).
Sus masas moleculares son:
Mw
A
Mw
Ca
Mw
O
+ = Mw
B
2Mw
Al
3Mw
O
+ = Mw
C
Mw
Si
2Mw
O
+ =
Mw
A
56.08 = kg/kmol A Mw
B
101.96 = kg/kmol B Mw
C
60.09 = kg/kmol C
Mw
Agua
2Mw
H
Mw
O
+ =
Mw
Agua
18.02 = kg/kmol Agua
Mw
E
4Mw
C
Mw
B
+ Mw
Agua
+ = Mw
F
2Mw
C
Mw
B
+ 2Mw
Agua
+ =
Mw
E
360.34 = kg/kmol E Mw
F
258.18 = kg/kmol F
Mw
E_seco
4Mw
C
Mw
B
+ = Mw
F_seco
2Mw
C
Mw
B
+ =
Mw
E_seco
342.32 = kg/kmol E Mw
F_seco
222.14 = kg/kmol F
Mw
L
4Mw
A
Mw
B
+ 13Mw
Agua
+ = Mw
T
3Mw
A
2Mw
C
+ 3Mw
Agua
+ =
Mw
L
560.54 = kg/kmol L Mw
T
342.48 = kg/kmol T
Mw
L_seco
4Mw
A
Mw
B
+ = Mw
T_seco
3Mw
A
2Mw
C
+ =
Mw
L_seco
326.28 = kg/kmol L seco Mw
T_seco
288.42 = kg/kmol T seco
Para cumplir la especificacin de precios, la mezcla de arcillas debe tener una composicin volumtrica:
S1 V
E
p
E
1 V
E

( )
p
F
+ =
2013-2014
158
V
E
S
1
p
F

p
E
p
F

= V
F
1 V
E
=
V
E
0.651 = m
3
de E / m
3
de mezcla V
F
0.349 = m
3
de F / m
3
de mezcla
Estas composiciones volumtricas se transforman en fracciones msicas para usarlas en el diagrama
triangular en fracciones msicas:
X
E
V
E

E

V
E

E
V
F

F
+
= X
F
1 X
E
=
X
E
0.676 = kg de E /kg de mezcla M X
F
0.324 = kg de F /kg de mezcla M
En trminos de los componentes bsicos A, B y C, la composicin de la mezcla de arcillas es:
XM
A
0 = XM
B
X
E
Mw
E
1 Mw
B

X
F
Mw
F
1 Mw
B
+
X
E
Mw
E
1 Mw
B

X
F
Mw
F
1 Mw
B
+
X
E
Mw
E
4 Mw
C

X
F
Mw
F
2 Mw
C
+

+
=
XM
C
1 XM
A
XM
B
=
XM
A
0 = XM
B
0.347 = XM
C
0.653 =
El clinker se obtiene mezclando el punto M con A puro, es decir, debe estar sobre la lnea AM. Por otro
lado, puesto que al fraguar P produce T y L, debe de estar sobre la recta que une T(seco) y L (seco).
Las composiciones de T seco y L seco en porcentajes msicos son:
XTs
A
3 Mw
A

3 Mw
A
2 Mw
C
+
= XTs
B
0 = XTs
C
1 XTs
A
XTs
B
=
XTs
A
0.583 = XTs
B
0 = XTs
C
0.417 =
XLs
A
4 Mw
A

4 Mw
A
Mw
B
+
= XLs
C
0 = XLs
B
1 XLs
A
XLs
C
=
XLs
A
0.688 = XLs
C
0 = XLs
B
0.312 =
1 variante (analtica):
La composicin en masa del punto P es desconocida (dos incgnitas), y tambin son incgnitas las
cantidades de A y M que se requieren (dos incgnitas). Se pueden obtener de cuatro ecuaciones que
expresan el balance de A y de B al mezclar A con M para dar P, y al separar P en Ls y Ts (L seco y
T seco).
2013-2014
159
Balance de A: Balance de B:
XP
A
A 1 A ( ) XM
A
+ = XP
B
1 A ( ) XM
B
=
XP
A
Ls XLs
A
1 Ls ( ) XTs
A
+ = XP
B
Ls XLs
B
1 Ls ( ) XTs
B
+ =
Las cantidades de A, M, L seco y T seco, y la composicin de P en porcentajes msicos son:
A 0.626 = Ls 0.414 =
M 0.374 = Ts 0.586 =
100XP
A
62.649 = % 100XP
B
12.949 = % 100XP
C
24.401 = %
Comprobacin de los balances de A, B y C, y de los balances de masa totales:
Separacin en Ls y Ts: Mezcla de A y M: Producto P:
Ls XLs
A
Ts XTs
A
+ 0.626 = M XM
A
A + 0.626 = XP
A
0.626 =
Ls XLs
B
Ts XTs
B
+ 0.129 = M XM
B
0.129 = XP
B
0.129 =
Ls XLs
C
Ts XTs
C
+ 0.244 = M XM
C
0.244 = XP
C
0.244 =
Ls Ts + 1 = A M + 1 = P 1 =
Las cantidades de L y T son:
L Ls
Mw
L
Mw
L_seco
= T Ts
Mw
T
Mw
T_seco
=
L 0.712 = kg de L / kg de P T 0.695 = kg de T / kg de P
Y el agua de hidratacin es la diferencia entre la masa total de L y T y la masa de P (1 kg):
L T + 1 0.407 = kg de agua de hidratacin / kg de P
2 variante (grfica): puesto que P se obtiene de mezclar M con A, y a su vez P se separa en T seco y L
seco, P debe encontrarse sobre la interseccin de las dos rectas que unen M y A por un lado, y T seco
y L seco por otro.
2013-2014
160
B

F (seco)
M
L
E (seco)
P
A C
T
Grficamente, se dibujan en el diagrama los puntos L (seco) y T (seco), que son de composiciones
conocidas, y el punto M con la composicin que resulta de la especificacin (precio). De la
interseccin de las lneas AM y LT se lee la composicin del punto P y por la regla de la palanca las
cantidades de L seco y T seco que se producen al fraguar un kg de P. Finalmente se convierten a
cantidades reales (en base hmeda) usando la relacin de masas moleculares.
L Ls
Mw
L
Mw
L_seco
= T Ts
Mw
T
Mw
T_seco
=
L 0.712 = kg de L / kg de P T 0.695 = kg de T / kg de P
_________________________________________________________________________________
5.13
Las fibras modacrlicas son fibras acrlicas modificadas en las que el acrilonitrilo (A) se asocia con otros
monmeros con el objeto de mejorar las propiedades del material polimrico, especialmente su
resistencia a la combustin. Entre los monmeros que se suelen emplear se encuentra el cloruro de
vinilo (B) y el cloruro de vinilideno (V, ver frmula abajo).
2013-2014
161
Se desea preparar un terpolmero (D) formado por unidades de acrilonitrilo, cloruro de vinilo y cloruro
de vinilideno, que cumpla las siguientes especificaciones:
su arquitectura molecular debe presentar S
1
20 = residuos de acrilonitrilo por cada 100 tomos
de carbono de la cadena principal,
su porcentaje (% en masa) de cloro debe ser del S
2
50.7 = %.
El terpolmero D se puede obtener por mezcla de los copolmeros siguientes:
un copolmero E de acrilonitrilo-cloruro de vinilo, con una fraccin msica de acrilonitrilo de
S
3
59 = %
un copolmero F de acrilonitrilo-cloruro de vinilideno.
Determinar
la composicin molar del terpolmero D (en fracciones molares de A, B y V) 1.
las cantidades necesarias (en kg) de E y F para obtener 100 kg de D. 2.
la composicin molar del copolmero F (en fracciones molares de A, B y V) 3.
H
2
C C
Cl
Cl
(V)
Solucin: se toma como base de clculo 1 kg de terpolmero D; las fracciones molares se representan
con minsculas (x
i
), las fracciones msicas con maysculas (X
i
).
Las masas moleculares de los residuos monomricos de A, B y V son:
Mw
H
1 = Mw
C
12 = Mw
N
14 = Mw
Cl
35.5 =
Mw
A
3 Mw
C
3 Mw
H
+ 1 Mw
N
+ = Mw
A
53 = kg/kmol
Mw
B
2 Mw
C
3 Mw
H
+ 1 Mw
Cl
+ = Mw
B
62.5 = kg/kmol
Mw
V
2 Mw
C
2 Mw
H
+ 2Mw
Cl
+ = Mw
V
97 = kg/kmol
La primera especificacin implica:
2S
1
XD
A
Mw
A
XD
A
Mw
A
XD
B
Mw
B
+
1 XD
A
XD
B

Mw
V
+
100 =
(nmero de residuos de A por cada 100 tomos
de C en la cadena principal, es decir por cada 50
residuos monomricos de la cadena principal)
2013-2014
162
La segunda especificacin implica:
S
2
XD
B
1
Mw
Cl
Mw
B
1 XD
A
XD
B

( )
2
Mw
Cl
Mw
V
+

100 =
Despejando de estas dos especificaciones (que son dos ecuaciones lineales en XD
A
y XD
B
) se obtiene
la composicin msica de D::
XD
A
0.283 = XD
B
0.109 = XD
V
1 XD
A
XD
B
= XD
V
0.608 =
La composicin molar de D es:
xD
A
XD
A
Mw
A
XD
A
Mw
A
XD
B
Mw
B
+
XD
V
Mw
V
+
= xD
B
XD
B
Mw
B
XD
A
Mw
A
XD
B
Mw
B
+
XD
V
Mw
V
+
= xD
V
1 xD
A
xD
B
=
xD
A
0.4 = xD
B
0.13 = xD
V
0.47 =
La composicin de E es: XE
A
S
3
100
= XE
B
1 XE
A
= XE
V
0 =
La cantidad de F necesaria para obtener 1 kg de D, y la composicin de F se pueden obtener de las dos
condiciones (balance de A y de V en la mezcla de E y F):
1 F ( ) XE
A
F XF
A
+ XD
A
=
F 1 XF
A

( )
XD
V
=
F 0.735 = XF
A
0.172 = XF
V
1 XF
A
= XF
V
0.828 =
Para obtener 100 kg de D son necesarios:
100 1 F ( ) 26.5 = kg de E 100F 73.5 = kg de F
y la composicin molar del copolmero F es:
xF
A
XF
A
Mw
A
XF
A
Mw
A
XF
V
Mw
V
+
= xF
B
0 = xF
V
1 xF
A
xF
B
=
xF
A
0.276 = xF
B
0 = xF
V
0.724 =
2013-2014
163
Solucin grfica: se dibujan en el diagrama las dos especificaciones, que son lneas rectas en el diagrama
triangular. De la interseccin de estas dos lneas se lee la composicin msica del terpolmero D.
B


E
D
A V
T
F
La composicin msica del copolmero F se obtiene prolongando la lnea de puntos ED hasta el lado
AV del tringulo (F no contiene B). Por la regla de la palanca las cantidades de E y F necesarias para
fabricar la base de clculo: las cantidades necesarias (en kg) de E y F estn en la proporcion de los
segmentos DF/ED.
Las composiciones molares se obtienen a partir de las msicas y de las masas moleculares.
______________________________________________________________________________
2013-2014
164
5.14
Los residuos urbanos (U) se pueden considerar globalmente como un material compuesto de materia
orgnica biolgica (O), materia inorgnica/metales (M), y plsticos (P). Si la concentracin de
componentes orgnicos O y P es excesiva (tal y como se especifica en (*) ms abajo), existe riesgo de
autocombustin en el vertedero. Experimentalmente se ha comprobado que la autocombustin de un
compuesto de composicin (X
M
, X
O
, X
P
) tiene lugar si se cumple la condicin:
A X
O
B X
P
+ C > (*)
donde X
O
es la fraccin msica de O, y X
P
es la fraccin msica de P, y las constantes A, B y C son:
A 0.77 = , B 0.65 = y C 0.501 = .
Para eliminar el riesgo de autocombustin, los residuos se someten a una separacin previa al vertido.
En esta operacin se separa selectivamente de U parte de su contenido en plstico P (que se recicla).
Dada una composicin de U de XU
M
0.2 = , XU
P
0.51 = (fracciones msicas), determina:
cul es la cantidad mnima de P (kg) que es preciso separar de cada kg de U para que no exista 1.
riesgo de autocombustin,
cul es la composicin (en fracciones msicas, XV
M
, XV
O
, XV
P
) del producto resultante V del 2.
apartado anterior, es decir, la composicin de lo que queda de U despus de haber reducido su
contenido de P.
Este problema puede hacerse analticamente o con ayuda de un diagrama triangular.
Sol.: la base de clculo ms cmoda es 1 kg de U, cuya composicin es:
XU
O
1 XU
M
XU
P
=
XU
M
0.2 = XU
P
0.51 = XU
O
0.29 =
puesto que A XU
O
B XU
P
+ 0.555 = y C 0.501 =
la composicin de U dada excede el lmite de autocombustin, por tanto ser necesario realizar la
operacin de separacin.
Mtodo 1: la cantidad mnima de P que hay que separar se puede obtener resolviendo dos ecuaciones
que expresan: a) que el producto resultante (V) de la separacim est exactamente en el lmite de
autocombustin, y b) que U es una mezcla de P puro y del producto V resultante de la separacin:
La condicin a), expresando XV
O
como 1 - XV
M
- XV
P
, implica:
2013-2014
165
A 1 XV
M
XV
P

( )
B XV
P
+ C = (V est exactamente en el lmite de autocombustin)
La condicin b) implica:
XV
M
XU
M

0 XU
M

XV
P
XU
P

1 XU
P

= (U es una mezcla de P puro y del producto V resultante de la


separacin)
De estas dos ecuaciones lineales en XV
M
y XV
P
, y en las que A, B, C, XU
M
, XU
P
son datos del
problema, se obtiene la composicin XV
M
, XV
P
(fracciones msicas) de V, y por diferencia a 1, se
obtiene XV
O
:
XV
M
0.314 = XV
P
0.231 = XV
O
1 XV
M
XV
P
= XV
O
0.455 =
La cantidad de P que es necesario separar por cada kg de U se obtiene, por ejemplo, de un balance
(conservacin) de P: la cantidad de P que hay en U tiene que ser igual a la cantidad de P que hay en V,
ms la cantidad de P que se ha separado. Es decir:
V XV
P
1 V ( )1 + 1 XU
P
= V
XU
P
1
XV
P
1
= P 1 V =
V 0.637 = kg de V / kg de U P 0.363 = kg de P / kg de U
Mtodo 2: (solucin grfica) el lmite de autocombustin del compuesto (la especificacin del problema,
es decir, la Ec. (*) con el signo igual en vez ">") es una lnea recta en el diagrama triangular. Para
representarla basta con dibujar dos puntos de la misma dando valores a XU
M
y XU
P
y uniendo los dos
puntos (lnea discontinua en el diagrama triangular).
Como V debe obtenerse separando P de U, para obtener el punto representativo de V se prolonga la
recta que une P con U hasta que corte con la lnea de la especificacin. La composicin de V se lee
directamente del diagrama.
La cantidad de P que se separa por cada kg de U se calcula con ayuda de la regla de la palanca (relacin
entre las longitudes de los segmentos UV y PV), y se obtienen los mismos resultados.
2013-2014
166
P


U
V
O
M
_________________________________________________________________________________
5.15
Se desea obtener por calcinacin un ligante inorgnico (P) anlogo al cemento. Se dispone de las
siguientes materias primas:
carbonato clcico (caliza) CaCO
3
(E),
la arcilla 3SiO
2
.2Al
2
O
3
.2H
2
O (F),
la arcilla 5SiO
2
.Al
2
O
3
.2H
2
O (G).
La mezcla que se alimente al horno debe contener E en todo caso, y adems, bien una sla de las
arcillas F o G, o bien una mezcla de ambas, en proporciones a determinar.
En el horno, E se descompone trmicamente y pierde CO
2
segn: CaCO
3
-> CaO+CO
2
para dar
CaO (A).
Igualmente, en el horno las arcillas pierden completamente el agua estructural.
2013-2014
167
La especificacin tcnica exige que el producto P debe tener una fraccin msica de Al
2
O
3
(B)
superior a S1 0.16 = , pero inferior a S2 0.32 = . Adems, la fraccin msica de CaO en P debe
ser superior a S3 0.49 = pero inferior a S4 0.6 = .
Los costes (extraccin, transporte, etc.) de las materias primas E, F y G son: p
E
12 = /tonelada,
p
F
25 = /t, y p
G
19 = /t.
Determinar:

las cantidades (toneladas) de materias primas E, F y G que se necesitan para obtener 1 tonelada 1.
de P que, cumpliendo todas las especificaciones, tenga un coste total (/t de P) mnimo.
este precio mnimo de P (/t de P). 2.
la composicin de P (expresada en % msicos de CaO, Al
2
O
3
y SiO
2
) . 3.
Solucin: puesto que las especificaciones estn dadas en base msica, lo ms inmediato es trabajar en un
diagrama ternario en fracciones msicas.
Se calculan en primer lugar las masas moleculares a partir de las masas atmicas: Mw
Si
28 =
Mw
O
16 = , Mw
Ca
40 = , Mw
Al
27 = , Mw
H
1 = , Mw
Carb
12. =
En el diagrama ternario se colocan los componentes CaO (A), Al
2
O
3
(B) y SiO
2
(C) en los vrtices.
Puesto que el CO
2
y el agua estructural estn en relaciones molares fijas respecto de A, B y C, se
puede resolver el problema en base seca y sin CO
2
. Las arcillas F y G, exentas de agua, son
3SiO
2
.2Al
2
O
3
(Fs) y 5SiO
2
.Al
2
O
3
(Gs).
Mw
A
Mw
Ca
Mw
O
+ = Mw
B
2Mw
Al
3Mw
O
+ = Mw
C
Mw
Si
2Mw
O
+ =
Mw
A
56 = kg/kmol A Mw
B
102 = kg/kmol B Mw
C
60 = kg/kmol C
Mw
Agua
2Mw
H
Mw
O
+ = Mw
E
Mw
Carb
3Mw
O
+ Mw
Ca
+ =
Mw
Agua
18 = kg/kmol Agua Mw
E
100 = kg/kmol CO
2
Mw
F
3Mw
C
2Mw
B
+ 2Mw
Agua
+ = Mw
G
5Mw
C
Mw
B
+ 2Mw
Agua
+ =
Mw
F
420 = kg/kmol F Mw
G
438 = kg/kmol G
Mw
Fs
Mw
F
2Mw
Agua
= Mw
Gs
Mw
G
2Mw
Agua
=
Mw
Fs
384 = kg/kmol Fs Mw
Gs
402 = kg/kmol Gs
Las materias primas Fs y Gs tienen una composicin msica:
XFs
B
2Mw
B
2Mw
B
3Mw
C
+
= XGs
B
Mw
B
Mw
B
5Mw
C
+
=
XFs
C
1 XFs
B
= XGs
C
1 XGs
B
=
XFs
A
0 = XGs
A
0 =
XFs
B
0.531 = XGs
B
0.254 =
XFs
C
0.469 = XGs
C
0.746 =
2013-2014
168
Los precios msicos de A, Fs y Gs son:
p
A
p
E
Mw
E
Mw
A
= p
Fs
p
F
Mw
F
Mw
Fs
= p
Gs
p
G
Mw
G
Mw
Gs
=
p
A
21.429 = /t de A p
Fs
27.344 = /t de F seco p
Gs
20.701 = /t de G seco
La primera y segunda especificaciones estn representadas por lneas rectas (discontinuas) trazadas por
los valores de X
B
constante:
XP
B
S1 = XP
B
S2 =
La tercera y cuarta especificaciones estn representadas igualmente por lneas rectas trazadas por los
valores de X
A
constante:
XP
A
S3 = XP
A
S4 =
Adems, puesto que el producto se obtiene por mezcla de las materias primas dadas (A, Fs y Gs, en base
seca y exenta de CO
2
), el punto P debe encontrarse en la regin triangular delimitada por las lneas en
trazo grueso. Una de ellas representa el caso extremo de mezclar A slo con F, y la otra el otro caso
extremo de mezclar A slo con G. Cualquier mezcla de A con F y G debe encontrarse necesariamente en
la regin triangular definida por estas dos lneas y el lado del diagrama.
B
Fs
Gs
P
A C
2013-2014
169
La composicin pedida debe estar dentro del rea (polgono) delimitada por las cuatro especificaciones
S1, S2, S3 y S4, y adems dentro del rea triangular descrita en el prrafo anterior.
Como tambin se especifica que el precio msico sea mnimo, y este precio es una funcin lineal de la
composicin msica, el mnimo del precio se encontrar en uno de los vrtices del polgono.
del diagrama se leen directamente las composiciones de los vrtices de la zona que cumple todas las
especificaciones.
para cada vrtice se calcula su precio,
el producto P deseado se encuentra en el vrtice en el que el precio es menor,
y finalmente se convierten las cantidades de A, Fs y Gs a cantidades de E (aadiendo el CO
2
), F y
G (volviendo a base hmeda) usando la relacin de masas moleculares.
XP
Fs
0.1103 = XP
Gs
0.3997 = XP
A
0.49 = Precio
min
21.79 = /t
La composicin del punto P puede leerse directamente del diagrama:
XP
A
0.49 = XP
B
0.16 = XP
C
0.35 =
o bien obtenerse a partir de las fracciones de A, Fs y Gs en P:
1
P Fs P Gs
P P P P Fs B Gs B
B C A B P P Fs P Gs P Fs P Gs
A Fs B Gs B Fs C Gs C
X X X X
X X X X
X X X X X X X X X
+
= =
+ + + +
Las cantidades de materias primas A, F y G son entonces:
Z
E
XP
A
Mw
E
Mw
A
= Z
F
XP
Fs
Mw
F
Mw
Fs
= Z
G
XP
Gs
Mw
G
Mw
Gs
=
Z
E
0.875 = t de L / t de P Z
F
0.121 = t de L / t de P Z
G
0.436 = t de L / t de P
_________________________________________________________________________________
5.16
Para la fabricacin por calcinacin de un material cermico (M) de composicin (fracciones molares):
x
CaO
0.48 = , x
MgO
0.22 = y x
SiO2
0.3 = se dispone de tres materias primas: caliza CaCO
3
(A),
dolomita CaMg(CO
3
)
2
(B), y slice SiO
2
(C). A y B pierden CO
2
en la calcinacin segn las
reacciones:
( )
3 2
3 2
2
CaCO CaO CO
CaMg CO CaO MgO 2CO
+
+ +
Calcular qu cantidad (en kg) de caliza (A) es necesaria para producir 1 kg de M.
Usar las masas atmicas con las cifras decimales que aparecen en el sistema peridico.
2013-2014
170
Sol.: un modo de hacerlo es considerar CaO, CaOMgO y SiO
2
como componentes y calcular las
masas (en kg) m
CaO
, m
CaOMgO
y m
SiO2
de estos componentes necesarias para obtener 1 kmol de
M. Este kmol de M contendr x
CaO
, x
MgO
y x
SiO2
kmol de CaO, MgO y SiO
2
respectivamente.
Con estas variables se cumple:
2
2
2
CaOMgO CaOMgO
CaO SiO
CaO MgO SiO
CaO CaOMgO CaOMgO SiO
m m
m m
x x x
Mw Mw Mw Mw
= + = =
de donde se puede despejar inmediatamente m
CaO
:
( )
CaO
CaO MgO CaO CaO MgO CaO
CaO
m
x x m x x Mw
Mw
= + =
m
CaO
x
CaO
x
MgO

( )
Mw
CaO
= m
CaO
14.581 = kg de CaO para un kmol de M.
Como la masa molecular de M es Mw
M
x
CaO
Mw
CaO
x
MgO
Mw
MgO
+ x
SiO2
Mw
SiO2
+ =
Mw
M
53.814 = kg/kmol
la masa de CaO necesaria para obtener 1 kg de M ser: m
CaO
1
Mw
M
0.271 = kg de CaO
y la cantidad de caliza (A) necesaria ser: m
CaO
1
Mw
M

Mw
CaCO3
Mw
CaO
0.484 = kg
Tambin puede razonarse considerando que el MgO proviene ntegramente de la dolomita, y por
ello sern necesarios x
MgO
kmol de dolomita para 1 kmol de M.
Adems, cada kmol de dolomita aporta tambin un kmol de CaO. Por consiguiente, la caliza debe
aportar de CaO slo la diferencia hasta la especificacin, es decir: x
CaO
x
MgO
0.26 = kmol de
caliza. Esta cantidad x
CaO
x
MgO

( )
Mw
CaCO3
26.021 = kg de CaCO
3
es la necesaria para
obtener 1 kmol de M, cuya masa molecular es Mw
M
53.814 = . Para 1 kg de M sern necesarios
x
CaO
x
MgO

( )
Mw
CaCO3

Mw
M
0.484 = kg de caliza (A).
_________________________________________________________________________________
5.17
Un material compuesto M para corte de acero tiene una matriz metlica de cobalto y cristales de
dos materiales cermicos: carburo de wolframio WC y carburo de titanio TiC, estos dos ltimos
en proporcin molar 1:1. La fraccin volumtrica de cobalto en M es V
Co
0.7 = . Los carburos se
obtienen de las siguientes reacciones simplificadas:
2 2 2 2
TiO 2C CO TiC WO 2C CO WC + + + +
2013-2014
171
Las densidades de los componentes de M son:
Co
8900 = kg/m
3
,
WC
15800 = kg/m
3
,

TiC
4930 = kg/m
3
. Calcular la cantidad de WO
2
necesaria para fabricar 1 kg de M.
Sol.: en primer lugar se puede calcular la densidad de la mezcla equimolar de carburos dividiendo la masa
de una mezcla de 1 kmol de WC y 1 kmol de TiC entre el volumen de esta mezcla:

WCTiC
1 Mw
WC
1 Mw
TiC
+
1 Mw
WC

WC
1 Mw
TiC

TiC
+
=
WCTiC
10420 = kg/m
3
La densidad del compuesto M es:
M
V
Co

Co
1 V
Co

( )

WCTiC
+ =
M
9356 = kg/m
3
Tambin es inmediato calcular la fraccin volumtrica de WC en la mezcla 1:1 de carburos:
V
WC_en_WCTiC
1 Mw
WC

WC
1 Mw
WC

WC
1 Mw
TiC

TiC
+
=
La masa de WC contenida en 1 m
3
de M (cuya masa es
M
9356 = kg/m
3
) es:
V
WC_en_WCTiC
1 V
Co

( )

WC
2394 = kg

fraccin volumtrica de WC
en la mezcla 1:1 de carburos
fraccin volumtrica de
carburos en M

fraccin volumtrica de WC en M
Con lo que la masa de WO2 necesaria para fabricar 1 kg de M ser:
V
WC_en_WCTiC
1 V
Co

( )

WC

M
Mw
W
2Mw
O
+
Mw
WC
0.282 = kg

relacin entre la masa de WC en 1
m
3
de M y la masa de 1 m
3
de M
relacin de masas molares
del WO
2
al WC
_________________________________________________________________________________
2013-2014
172
5.18
Determinar la composicin msica (fracciones msicas de A, B y C) del punto indicado en el diagrama
triangular. El diagrama triangular es en base molar (fracciones molares).
Usar las masas atmicas: Mw
Ba
137 = , Mw
O
16 = , Mw
Ca
40 = , Mw
Al
27 = .
B (BaO)
A (Al
2
O
3
) C (CaO)
Solucin: la composicin molar (fracciones molares) se lee directamente del diagrama:
x
A
0.6 = x
B
0.25 = x
C
1 x
A
x
B
= x
C
0.15 =
Las masas molares de A, B y C son:
Mw
A
2Mw
Al
3Mw
O
+ = Mw
B
Mw
Ba
Mw
O
+ = Mw
C
Mw
Ca
Mw
O
+ =
Mw
A
102 = kg/kmol A Mw
B
153 = kg/kmol B Mw
C
56 = kg/kmol C
Las fracciones msicas (X
A
, X
B
, X
C
) se calculan:
2013-2014
173
X
A
x
A
Mw
A

x
A
Mw
A
x
B
Mw
B
+ x
C
Mw
C
+
= X
B
x
B
Mw
B

x
A
Mw
A
x
B
Mw
B
+ x
C
Mw
C
+
=
X
C
1 X
A
X
B
=
X
A
0.567 = X
B
0.355 = X
C
0.078 =
_________________________________________________________________________________
5.19
Determinar la composicin molar (fracciones molares de A, B y C) del punto indicado en el diagrama
triangular. El diagrama triangular es en base msica (fracciones msicas).
Usar las masas atmicas: Mw
Ba
137 = , Mw
O
16 = , Mw
Ca
40 = , Mw
Al
27 = .
B (BaO)
C (CaO)
A (Al
2
O
3
)
Solucin: la composicin msica se lee del diagrama:
X
A
0.4 = X
B
0.2 = X
C
1 X
A
X
B
= X
C
0.4 =
Las masas molares de A, B y C son:
2013-2014
174
Mw
A
2Mw
Al
3Mw
O
+ = Mw
B
Mw
Ba
Mw
O
+ = Mw
C
Mw
Ca
Mw
O
+ =
Mw
A
102 = kg/kmol A Mw
B
153 = kg/kmol B Mw
C
56 = kg/kmol C
Las fracciones molares (x
A
, x
B
, x
C
) sern:
x
A
X
A
Mw
A
X
A
Mw
A
X
B
Mw
B
+
X
C
Mw
C
+
=
x
B
X
B
Mw
B
X
A
Mw
A
X
B
Mw
B
+
X
C
Mw
C
+
= x
C
1 x
A
x
B
=
x
A
0.317 = x
B
0.106 = x
C
0.577 =
__________________________________________________________________________________
2013-2014

2013-2014
175
6 Propiedades de
materiales en equilibrio
termodinmico:
complianzas y rigideces
generalizadas
6.1 Material Orttropo Sometido a Traccin
Un material compuesto orttropo (0 45 ) se somete a traccin en la direccin
indicada en la figura. Determinar, de modo cualitativo, cmo se deforma.
0
+45
- 45
- 45
+45
0

Solucin: analizando los elementos de simetra, este material es monoclnico y pertenece
a la clase 2/ m .

2013-2014
176


La orientacin convencional de los ejes es la de la figura, haciendo coincidir el eje binario
con el eje cartesiano . Para la orientacin convencional, la matriz de complianzas
(recordar que es simtrica) tiene la estructura:
( ) str s





= =








Usando notacin de Voigt, la deformacin se obtiene de s =
, ,

.
Para la traccin indicada, existe una fuerza en direccin que acta sobre un plano cuya
normal exterior es , es decir
33
, que en notacin de Voigt es
3
, luego

3
0
0
0
0
0





=





,

y el producto de la matriz de complianzas por este vector tensin tiene la siguiente
estructura:

( )
0
0
str



,

Quiere decir que una fuerza aplicada, exclusivamente en direccin , produce
deformaciones longitudinales en las direcciones , y , pero tambin deformacin
angular en el plano , por el elemento
5 13
( ) .
Cualitativamente, la distorsin que sufre en paraleleppedo recto de este material
compuesto es la superposicin de elongacin en direccin , contraccin en direcciones

2013-2014
177
y (si la relacin de Poisson es positiva como en casi todos los materiales) y
deformacin angular en el plano .
0
0



=





,


El resultado final de una tensin de traccin es una distorsin que combina elongacin y
deformacin angular (pese a que no se aplica ninguna tensin tangencial). Este tipo de
distorsiones combinadas para una solicitacin de un solo tipo (normal o tangencial) se
denomina con frecuencia alabeo.
Por la estructura de la matriz de complianzas, es evidente que el mismo fenmeno
suceder si la fuerza de traccin se aplica en direcciones y (primeros dos elementos
del vector tensin). En todos los casos de tensin normal aparece una deformacin
angular en el plano (debida a los tres primeros elementos no nulos en la 5 fila).
Se observa tambin que aplicando tensin tangencial en el plano (elemento 4 del
vector tensin) se obtiene un vector deformacin con la estructura:

( )
str


,

Esta tensin tangencial produce una deformacin angular no slo en el plano sino
tambin en el plano . La misma situacin se aplica a una tensin tangencial en el
plano (elemento 6 del vector tensin).
Sin embargo, aplicando tensin tangencial en el plano (elemento 5 del vector
tensin) se obtiene:

( )
str


,

Es decir, esta tensin tangencial produce no slo deformacin angular en el plano ,
sino tambin deformaciones longitudinales en las direcciones , y .
Este comportamiento mecnico no tiene anlogo en los materiales istropos. El
acoplamiento entre tensiones normales y deformaciones angulares, y entre tensiones

2013-2014
178
tangenciales y deformaciones longitudinales es debido a la presencia de elementos no
nulos en el subbloque superior derecho (y, por simetra, en el inferior izquierdo) de las
matrices de complianza y rigidez:
( ) str s





=






acoplamiento entre tensiones


normales y deformaciones
longitudinales
acoplamiento entre tensiones
tangenciales y deformaciones
angulares
acoplamiento entre tensiones
tangenciales y deformaciones
longitudinales
acoplamiento entre tensiones
normales y deformaciones
angulares

A la vista de las estructuras de las matrices de complianza y rigidez, los materiales cuya
estructura corresponda a los sistemas triclinico, monoclnico, tetragonal (clases
4, 4 y 4 m ) y trigonal presentan este efecto.
La mayora de los materiales compuestos pertenecen a alguna de estas clases, lo que por
un lado complica el diseo con estos materiales pero tambin permite funcionalidades no
accesibles a materiales istropos.
________________________________________________________________________
6.2 Constantes Elsticas de un Material Compuesto
Para un material compuesto de fibra alineada unidireccionalmente (con un eje de orden
infinito y con estructura para la matriz de complianzas igual que para un material
hexagonal),

Direccin de las fibras,


longitudinal o l
Direcciones transversales a las fibras o t
(todas las del plano son equivalentes)

expresar los elementos de la matriz de complianzas en funcin de los mdulos de Young,
mdulos cortantes y de las relaciones de Poisson del compuesto que se indican:

2013-2014
179
l
E mdulo de Young longitudinal
1

t
E mdulo de Young transversal
tl lt
G G = mdulo cortante o de cizalladura longitudinal-transversal
2

tt
G mdulo cortante o de cizalladura transversal-transversal
3

lt
relacin de Poisson longitudinal-transversal
4

tl
relacin de Poisson transversal- longitudinal
5

tt
relacin de Poisson transversal- transversal
(de todos estos parmetros, slo 5 son independientes; ver estructura de la matriz de
complianzas para el sistema hexagonal).
Solucin: se procede igual que para el material istropo, multiplicando en notacin de
Voigt la matriz de complianzas por el vector tensin. Al escribir s =
, ,

se tiene en
cuenta la estructura de s

para el material hexagonal:



11 22 12 21 33
13 31 23 32
44 55
66 11 12
, ,
2( )
s s s s s
s s s s
s s
s s s
= =
= = =
=
=

y se obtienen las componentes del vector deformacin,

1 11 1 12 2 13 3
2 12 1 11 2 13 3
3 13 1 13 2 33 3
4 44 4
5 44 5
6 11 12 6
2( )
s s s
s s s
s s s
s
s
s s






= + +
= + +
= + +
=
=
=

De forma intuitiva y utilizando los mdulos y relaciones de Poisson indicadas en el
enunciado, se puede escribir:

1
El mdulo de Young longitudinal (transversal) es la relacin entre tensin normal longitudinal
(transversal) y deformacin longitudinal (transversal)
2
El mdulo cortante longitudinal-transversal es la relacin entre tensin tangencial longitudinal-transversal
y la deformacin angular longitudinal-transversal
3
El mdulo cortante transversal- transversal es la relacin entre tensin tangencial transversal -transversal y
la deformacin angular transversal -transversal
4
La relacin de Poisson longitudinal-transversal indica la contraccin transversal por unidad de extensin
longitudinal.
5
La relacin de Poisson transversal-longitudinal indica la contraccin longitudinal por unidad de extensin
transversal.

2013-2014
180

1 1 2 3
2 1 2 3
3 1 2 3
4 4
5 5
6 6
1
1
1
1
1
1
tt lt
t t l
tt lt
t t l
tl tl
t t l
tl
tl
tt
E E E
E E E
E E E
G
G
G









=

= +

= +
=
=
=

e identificando coeficientes:

11 12 33 13 44
1/ / 1/ / 1/
t tt t l lt l lt
s E s E s E s E s G = = = = =
que es una posible eleccin de los cinco parmetros necesarios para describir el material
de simetra hexagonal. El resto de los parmetros se obtiene en funcin de los elegidos,
identificando dos coeficientes ms:

11 12
1/ 2( )
2(1 )
t
tt tt
tt
E
G s s G
v
= =
+


31 13
/ / /
tl t lt l tl lt t l
s s v E v E v v E E = = =
________________________________________________________________________
6.3 Deformacin de una Fibra de Nylon Orientada

Una fibra de nylon estirada longitudinalmente se somete a un tensor de tensiones en el
que las componentes
3 i
son todas nulas. Cul ser la nueva longitud de la fibra?
Datos:
0
L es la longitud inicial de la fibra; l direccin longitudinal; t direccin
transversal.
Sol.: una fibra de nylon orientada longitudinalmente pertenece a la clase / mm y se
hace coincidir la direccin longitudinal con el eje cartesiano . Aplicando: : s = y
teniendo en cuenta que las componentes del tensor de tensiones en este caso son:

11
22
11 12
12 22
12
0
0
0
0
0 0 0
0







= =








,
1
i + j j


2013-2014
181
la componente de la deformacin que nos interesa es (ver problema 6.2) es:

33 3 13 1 13 2 1 2
tl tl
t t
s s
E E

= = + =
y la nueva longitud de la fibra ser:
( )
0 33 0 1 2
(1 ) 1
tl
t
L L L
E



= + = +



________________________________________________________________________
6.4 Deformacin de un Material Istropo
De un material istropo de mdulo de Young E , relacin de Poisson positiva y
coeficiente de dilatacin trmica , se corta un cubo de lado L . El cubo se comprime
hidrostticamente por aplicacin del tensor presin hidrosttica:
p =
Qu variacin de temperatura ( T ) deber experimentar el cubo para recuperar su
volumen original?
Sol: el cubo de volumen inicial
0
V se comprime hasta un volumen V por la accin de la
presin hidrosttica, para despus dilatarse hasta recuperar el volumen original:
dilatacin trmica
compresin hidrosttica
0
L L

Para un material istropo sometido a compresin hidrosttica, la longitud del lado del
cubo pasa de
0
L a L , siendo

( ) ( )
0 11(presin) 0
1 1 1 2
p
L L L
E


= + =



Cuando el cubo de lado L se dilata debido al incremento de temperatura T , recupera
su longitud inicial
0
L :

( ) ( )
0 11(dil.trmica)
1 1 L L L T = + = +
Combinando ambas expresiones y para pequeas deformaciones:
( )
( ) 1 2
1 2
p
p
T T
E E

=
________________________________________________________________________

2013-2014
182
6.5 Material Compuesto de Fibra Orientada
Para un material compuesto de fibra orientada unidireccionalmente se conocen todos los
valores no nulos del tensor de complianza elstica:

10 1 10 1 10 1
1111 3333 1122
10 1 10 1
1133 2323
8.9 10 Pa 1.1 10 Pa 3.9 10 Pa
0.47 10 Pa 14.0 10 Pa
s s s
s s


= = =
= =

Determinar la relacin
tl tt
G G entre los valores de los mdulos cortantes (mdulo cortante
transversal-longitudinal entre mdulo cortante transversal-transversal).
l = direccin longitudinal; t = direccin transversal.
Sol.: procediendo igual que en el ejercicio 6.2:

( ) ( )
8
10 10
11 12 1111 1122
8
10
44 2323
1 1 1
3.91 10 Pa
2 2 2(8.9 10 3.9 10 )
1 1 1
1.786 10 Pa
4 4 14 10
tt
tl
G
s s s s
G
s s

= = = =
+
= = = =


La relacin que se pide es:

8
8
1.786 10
0.457
3.91 10
tl
tt
G
G

= =


________________________________________________________________________
6.6 Fibra de Kevlar Sometida a Traccin: Complianzas
El Kevlar es una poliamida que debido a la rigidez de su estructura (poliparafenileno
tereftalamida) ofrece excepcionales prestaciones mecnicas. Una fibra de este material
orientada uniaxialmente presenta forma cilndrica con las siguientes dimensiones:
longitud 3 cm L = y radio
4
5 10 m R

= . Cuando la fibra anterior se somete a una
tensin de traccin
6
11
10 Pa = (homognea en todos los puntos de la fibra), se obtienen
los siguientes valores para las componentes del tensor deformacin:

5 5
11 22
4.76 10 y 1.47 10

= =
Determinar la componente
-1
1212
(Pa ) s del tensor de complianza elstica s .
Sol.: una fibra orientada uniaxialmente pertenece a la clase / mm cuya matriz de
complianza elstica, en Notacin de Voigt, tiene la misma estructura que un material
hexagonal (ver problema 6.2). La componente tensorial buscada es:
( )
66
1212 66 11 12
y 2
4
s
s s s s = =
Aplicando la ley de Hooke con los datos del problema:

2013-2014
183

( )
11 12 13 11 11 11
12 11 13 12 11
13 13 33 13 11
44
44
11 12
0 0 0
0 0 0 0
0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 2 0 0
s s s s
s s s s
s s s s
s
s
s s





= =





,

e identificando coeficientes, se obtiene:

( ) ( )
1 11
1 11 1 11
1 11
2 22
2 12 1 12
1 11
11 12 11 22 11 -1
1212
11
3.115 10 Pa
2 2
s s
s s
s s
s







= = =
= = =

= = =

________________________________________________________________________
6.7 Acelermetro de Cuarzo
De un monocristal de un material cermico, cristalizado del fundido en el laboratorio, se
desea cortar la seccin marcada en la figura para usarla como sensor piezoelctrico en un
acelermetro, de manera que reaccione a compresin entre las caras sombreadas. Con
ayuda de las figuras que se adjuntan, determinar:

1. a qu clase cristalogrfica pertenece este material cermico,
2. entre qu caras de la seccin tendr que medirse la seal elctrica.


2013-2014
184
d)
a)
b) c)

Nota: El cristal de este ejemplo corresponde a la forma R- (dextrgira) del cuarzo.
Sol.: de la figura d) se deduce inmediatamente que el cristal tiene un eje de rotacin
ternario:
no es plano de simetra
0 120
eje ternario: giramos 1/3 de vuelta y el
cristal es indistinguible del original
60

De las figuras a), b) o c) se comprueba tambin que no tiene un plano de simetra
perpendicular al ternario (habra sido hexagonal en ese caso).
Luego posee los elementos caractersticos del sistema trigonal.

2013-2014
185
En la figura a) se observa que no posee tampoco un centro de inversin (no es
centrosimtrico); p.ej. la cara marcada con una flecha en la siguiente figura no tiene una
imagen simtrica respecto del origen:

Sin embargo s posee ejes binarios, como se indica:
0 45 90
giramos 1/2 vuelta y el cristal es
indistinguible del original
180

Y slo tres, puesto que los ejes perpendiculares a las caras, que se indican a continuacin,
no son ejes binarios:

2013-2014
186
0 180
giramos vuelta y el cristal se distingue del original

Identificados estos elementos, la clase cristalogrfica a la que pertenece es necesariamente
la 32 . La posicin de los ejes (cristalogrficos en lnea discontinua, cartesianos en lnea
continua) para esta clase est indicada en el estereograma correspondiente:
32
x
z


Utilizando esta informacin, la posicin del cristal respecto de los ejes es:

y
x

z


2013-2014
187
En consecuencia, la seccin del cristal usada como sensor va a estar sometida a una fuerza
de compresin en direccin por unidad de superficie cuya normal exterior es la
direccin , es decir, la tensin aplicada slo tiene componente
33
:

3
F

En notacin de Voigt la estructura de la tensin a la que est sometido el sensor, y la
estructura de los mdulos piezoelctricos para esta clase cristalogrfica, son:
( ) str d


=


33 3

( ) str


,
en notacin de Voigt

Aplicando la ley constitutiva de la piezoelectricidad directa P d =
,

se obtiene una
polarizacin con la siguiente estructura:
( ) str P


=




Lo que indica que no produce ninguna seal. Es decir, la seccin elegida del cristal no es
adecuada para producir una seal elctrica (polarizacin) al ser sometida a la tensin
dada.
Para qu otros tipos de tensin s dara una seal la lmina que se ha cortado?
Ver problemas 6.9 y 6.10.
________________________________________________________________________

2013-2014
188
6.8 Microscopio AFM
El principio de funcionamiento del microscopio de rastreo de tnel (STM o Scanning
Tunnelling Microscope)
6
y derivados del mismo (AFM o Atomic Force Microscope) es
el barrido lnea a lnea de la superficie de una muestra por medio de una aguja muy fina
(terminada con frecuencia en un nico tomo metlico, o en un nanotubo de carbono), en
el plano X,Y de la figura A.
La punta se mantiene a un potencial elctrico ms elevado que la muestra. Cuando la
punta de rastreo se acerca suficientemente a la superficie (sin tocarla), circula una
corriente elctrica entre la punta y la superficie debida al efecto cuntico de conduccin
de tnel. Esta corriente de tnel depende exponencialmente de la separacin entre punta y
muestra, es decir, es muy sensible a cambios en esta distancia de separacin. Un circuito
de realimentacin mantiene constante la corriente de tnel, es decir, la altura de la punta
respecto de la superficie (d en la figura B, medida en la direccin Z de la figura A)
polarizando ms o menos el posicionador piezoelctrico (figura A). Cualquier variacin
en la altura de la superficie (p.ej. por la presencia de tomos individuales) queda
registrada como la variacin del campo (diferencia de potencial) aplicado al posicionador.
A A
perfil de la superficie, muestreado lnea a lnea
B B
Detalle de la punta un AFM
1
20 l =

En este problema se estudian las bases del funcionamiento del posicionador
piezoelctrico, suponiendo que est construido a partir de un monocristal de ZnS cbico
(blenda de cinc o esfalerita). En la esfalerita los ejes cartesianos convencionales se
colocan a lo largo de las aristas de la celda unitaria:

6
por el desarrollo del STM recibieron Gerd Binnig y Heinrich Rohrer el premio Nobel de fsica en 1986


2013-2014
189
S
2-
Zn
2+

Monocrital de Esfalerita Estructura de la Esfalerita



El sensor piezoelctrico va a ser un cubo tallado a partir del monocristal, de forma que
sus aristas coincidan con las direcciones convencionales, y se construye del siguiente
modo:
P P
1
2 mm l =
3
2 mm l =
2
2 mm l =


Mediante un generador externo, es posible establecer una diferencia de potencial entre
cada par de caras opuestas; en el dibujo est representado el caso en que se polarizan las
caras . La punta del microscopio va unida solidariamente al vrtice P del cristal y el
actuador est fijado rgidamente a la estructura por la cara rayada (en el plano ).
Determinar:
1. si el ZnS cbico es adecuado como material para el posicionador piezoelctrico,
2. qu caras hay que polarizar para conseguir qu tipo de desplazamientos de la punta,
3. qu voltaje hay que aplicar para conseguir un desplazamiento de 0.1 nm en las
direcciones y .
Los mdulos piezoelctricos del ZnS cbico son
7
:
12
14
6.48 10 C/N d

= y los dems
mdulos son nulos.
Sol.: en la estructura cristalina de la esfalerita se identifican los elementos de simetra de
la clase 43m ; es la clase a la que tambin pertence el tetraedro y tambin el objeto:

7
Popov, S., Svirko, Y.P. Zheludev, N.I. Encyclopedia of Material Tensors, John Wiley (1998)


2013-2014
190

Los ejes cartesianos se colocan a lo largo de las aristas del cubo, tal y como indica la
figura del posicionador piezoelctrico del enunciado. Para esta clase, la estructura de los
mdulos piezoelctricos es:







Es decir, slo tiene un mdulo piezoelctrico independiente, los otros dos son iguales. Lo
cual es consistente con los datos del problema:

14 25 36 123 132 213 231 312 321
12 12
14 123
2 2 2 2 2 2
6.48 10 C/N 3.24 10 C/N
d d d d d d d d d
d d

= = = = = = = =
= =

La respuesta del material piezoelctrico a un campo elctrico es una deformacin que se
expresa cuantitativamente como:
jk i ijk
E d = (ley constitutiva de la piezoelectricidad
inversa).
Se supone en primer lugar que se aplica un voltaje (y por tanto un campo elctrico) entre
las caras . El campo elctrico tiene entonces la forma:

1
0
0
E
E


=




y la deformacin segn
jk i ijk
E d = es:

[ ]
1 123
1 123
0 0 0
0 0
0 0
E d
E d



=




En este problema la base del actuador est fija en el plano (ver esquema del actuador
piezoelctrico). Es decir, al aplicar el campo en la direccin , perpendicular al papel en
la siguiente figura, se produce una deformacin angular en el plano , donde el lado
del paralelogramo en la direccin queda fijo:

2013-2014
191
23
2
2


23
2
punta cantilever
2
0.1 nm x =
2
0.1 nm x =
el dibujo no
est a escala

3
l
piezoelctrico

Nota: esta deformacin + giro de modo que un lado quede fijo se denomina de
deformacin angular simple.
Como consecuencia de esta deformacin del actuador piezoelctrico al aplicar un campo
entre las caras , la punta de la lengeta, a la que est unido solidariamente, se desplaza
exclusivamente en direccin . Este desplazamiento se obtiene:

2 3 23 3 1 123 3 123
1
2 2 2
V
x l l E d l d
l


= = =
y despejando la diferencia de potencial, resulta:

10
1
2 12
3 123
10
15.43 voltios
2 2 3.24 10
l
V x
l d

= = =


Analogamente, el desplazamiento en la direccin se obtiene aplicando un campo en la
direccin , y puesto que el mdulo piezoelctrico correspondiente a esta deformacin
tiene el mismo valor numrico, la diferencia de potencial necesaria es la misma.
Campo en direccin
mueve la punta en
direccin
Campo en direccin
mueve la punta en
direccin
2
x
1
x
piezoelctrico de
ZnS
base fija al voladizo
(cantilever)

P

Cuestin extra: polarizar en direccin produce deformacin angular en el plano .
Sin embargo, al estar fijada rgidamente la cara del piezoelctrico en el plano , sta no
se puede deformar. Qu efecto crees que tendr en este caso particular aplicar un campo
en la direccin ?
Siguiente cuestin: Los resultados obtenidos son consistentes con la microestructura del
material elegido para este problema (blenda de cinc)?

2013-2014
192
De la estructura de los mdulos piezoelctricos se deduce que este material slo reacciona
a tensiones tangenciales (efecto piezoelctrico directo), o bien, que bajo polarizacin
elctrica se deforma angularmente (efecto piezoelctrico inverso).
Este comportamiento y esta estructura de la propiedad son consecuencia de la estructura
cristalina del material. En ausencia de deformacin, el cristal no presenta momento
dipolar. Aunque los iones tienen carga parcial positiva (
2+
Zn ) y negativa (
2-
S ), cada
uno de los cuatro tetraedros regulares (marcado con un crculo en la figura siguiente)
tienen momento dipolar nulo.
Por ejemplo, una tensin de compresin
33
(efecto piezoelctrico directo) tiene como
consecuencia a nivel molecular un acortamiento de la celda en la direccin vertical. Los
tetraedros se deforman proporcionalmente y, aunque dejan de ser regulares, sin embargo
su momento dipolar sigue siendo nulo por simetra.
Una tensin tangencial, sin embargo, produce una distorsin de los tetraedros que
modifica las distancias entre iones y las cargas parciales, es decir, aparece un momento
dipolar molecular y macroscpico. Esta variacin del momento dipolar es la causa de que
la esfalerita presente propiedades piezoelctricas. Y en este caso particular, slo con
tensiones tangenciales. El ejemplo siguiente representa la distorsin de uno de los
tetraedros ante una tensin
31
(fuerza en direccin por unidad de superficie normal a
):
iones S iones S
= =
en la estructura sin defor mar en la estructura sin defor mar
iones S iones S
= =
en la estructura deformada con en la estructura deformada con
13 13
= 0.15 = 0.15
ion Zn ion Zn
++ ++
en la estructura sin defor mar en la estructura sin defor mar
ion Zn ion Zn
++ ++
en la estructura deformada con en la estructura deformada con
13 13
= 0.15 = 0.15


El grfico de la derecha muestra la proyeccin sobre el plano del tetraedro marcado
con un crculo negro, antes (iones representados con crculos pequeos) y despus (iones
con crculos grandes) de una deformacin angular en el plano de valor
13
0.15 = (el
mismo efecto ocurre en los otros tres tetraedros de la celda). Para la deformacin angular,
se pierde la simetra con respecto de un plano perpendicular a la direccin y como
consecuencia de la redistribucin de cargas parciales, aparece un dipolo en direccin .
Este comportamiento a nivel microscpico se refleja en la estructura de la matriz de
mdulos piezoelctricos:

2013-2014
193







tensin tangencial en plano
(5 en notacin de Voigt)
produce polarizacin en
25
0 d

Por ltimo, es evidente que el anterior mecanismo es igualmente vlido para tensiones
tangenciales en y en , como debe ocurrir en un material cbico en el que las tres
direcciones convencionales son equivalentes. De hecho, la geometra empleada en el
razonamiento anterior para tensin tangencial en puede someterse a un giro de 120
en torno a uno de los ejes ternarios (diagonales de la celda) y se obtiene la situacin
correspondiente a tensin tangencial en . Un giro de otros 120 respecto del mismo
eje proporciona la situacin correspondiente a tensin tangencial en .
Esta operacin de giro (alrededor de un eje ternario) es una de las 24 del grupo de simetra
de la clase cristalogrfica de la esfalerita, es decir, bajo las que la estructura es invariante.
Esta simetra o invarianza es consecuencia de la estructura geomtrica del material e
implica la igualdad de los tres mdulos piezoelctricos no nulos.
43m
y
z
x


Este problema es un ejemplo adecuado para entender cmo estn relacionadas
la estructura geomtrica de un material,
el mecanismo molecular que explica sus propiedades (p.ej. piezoelectricidad) y
la estructura de la matriz que representa (en notacin de Voigt) dicha propiedad,
y cmo una de ellas implica automticamente las otras.
________________________________________________________________________
6.9 Acelermetro (1)
Se desea construir un acelermetro piezoelctrico de compresin para ensayos
destructivos de colisin de vehculos (ver esquema, parte A). El sensor va montado sobre
la parte trasera del vehculo y tiene la forma indicada en la parte B del esquema.

2013-2014
194
sistema de coordenadas
del ensayo de colisin
sistema de coordenadas
convencionales del sensor



sensor
vehculo
obstculo fijo
A



1
10 mm l =
2
3 mm l =
3
10 mm l =
B
v



sensor

Se consideran dos materiales candidatos para construir el sensor: el sulfuro de cinc cbico
(esfalerita) y el cuarzo trigonal. Los mdulos piezoelctricos de ambos son conocidos:
ZnS, cbica, clase cristalogrfica 43m :

12
14
6.48 10 C/N d

=
Cuarzo trigonal, clase cristalogrfica 32 :

12
11
2.3 10 C/N d

=

12
14
0.67 10 C/N d

=
1. Decidir si los dos, uno o ninguno de los dos materiales candidatos son adecuados para
construir el acelermetro.
2. Decidir, en cada caso, cmo hay que colocar (orientar) el cristal sensor y entre qu
caras se debe medir la seal (voltaje).
Sol.: la colisin tiene lugar en direccin del ensayo de colisin y la aceleracin
(negativa, deceleracin) del vehculo y del sensor produce una fuerza en esa direccin, lo
cual se traduce en una tensin de compresin para el sensor, es decir, el tensor de
tensiones tiene una nica componente diagonal
ii
(por ejemplo
11 22 33
, o ).
La polarizacin en ese caso estar dada por:
j jii ii
P d = . Se producir una seal
(polarizacin) cuando el material tenga al menos un coeficiente
jii
0 d para algn j, es
decir, algn mdulo que sea distinto de cero y que tenga los dos ltimos ndices iguales.
Los mdulos piezoelctricos estn dados en la literatura en notacin de Voigt y, para cada
uno de los dos materiales, de acuerdo con la estructura correspondiente de la matriz de
mdulos piezoelctricos, se deducen los mdulos distintos de cero en notacin tensorial.
Para la esfalerita:

14 25 36
14 123 132
25 213 231
36 312 321
2 2
2 2
2 2
d d d
d d d
d d d
d d d
= =
= =
= =
= =

Los mdulos piezoelctricos de la esfalerita no cumplen la condicin necesaria para esta
aplicacin, es decir, no hay ningn mdulo con los dos ltimo ndices iguales, y por ello

2013-2014
195
no ser adecuada. S lo sera sin embargo para un acelermetro que tuviera que reaccionar
a una tensin tangencial: puesto que
14
d no es cero, aplicando una tensin
4
(tensin
tangencial en el plano ) se obtendr una seal.
Para el cuarzo:

12 11 26 11 25 14
11 111
12 122 111
26 212 221 111
213 231 123 132
; 2 ;
2 2 2
2 2 2 2
d d d d d d
d d
d d d
d d d d
d d d d
= = =
=
= =
= = =
= = =

El cuarzo trigonal s tiene dos mdulos con los dos ltimos ndices iguales:

12 12
111 122
2.3 10 C/N y 2.3 10 C/N d d

= =
Este material s ser adecuado para construir el acelermetro.
En cuanto a cmo orientar el cristal sensor, las dos posibilidades ms sencillas son:
considerando
111
d , se obtendr seal si se somete el cristal a
11
, es decir, hay que
orientar el cristal de modo que sufra compresin (deceleracin) entre sus caras .
Para esto, hay que colocar el cristal de modo que sus caras sean perpendiculares a
la direccion y la seal la se obtendr entre sus caras ,
y considerando
122
d , habr seal si se somete el cristal a
22
, es decir, hay que
orientar el cristal de modo que sufra compresin (deceleracin) entre sus caras .
Para esto, hay que colocar el cristal de modo que sus caras sean perpendiculares a
la direccion es decir, rotado 90 en torno al eje respecto del caso anterior. La
seal se mide igualmente entre sus caras . La seal es en este caso de igual
magnitud que en el anterior, pero de signo contrario, puesto que
122 111
d d = . En
consecuencia, para este material, una compresin en direccin produce la misma
seal elctrica (y del mismo signo) que una traccin en direccin . El eje en el
que aparece una polarizacin se conoce como "eje elctrico" del cuarzo. El hecho de
que la tercera fila de la matriz d

slo contenga ceros indica que ningn estado de


tensin (traccin, compresin, tensin tangencial) puede producir una seal elctrica
en direccin (ver tambin Problema 6.7).
Para producir una seal elctrica en direccion se puede aplicar una tensin
tangencial
5
o bien una tensin tangencial
6
.
Nota: cualquier otra orientacin intermedia, p.ej., rotando el material respecto del eje
un ngulo cualquiera producir tambin una seal. El clculo es algo ms complicado
porque el estado de tensin y de polarizacin en el cristal son menos evidentes (la tensin
o compresin no es homognea). En MatII se consideran en todos los problemas slo las
posiciones (orientaciones) convencionales y/o principales de cada material.
________________________________________________________________________

2013-2014
196
6.10 Acelermetro (2)
Una vez seleccionado el cuarzo trigonal como material adecuado para construir el
acelermetro piezoelctrico del problema anterior, se lleva a cabo un ensayo de colisin
en la que un vehculo que circula a 25 m/s v = choca contra un obstculo fijo. La colisin
(desde el comienzo del contacto hasta la detencin total) dura 0.080 s t = . Determinar
qu seal (diferencia de potencial) producir el sensor si se coloca con su cara
orientada perpendicularmente a la direccin de la colisin.
Datos del cuarzo trigonal, clase cristalogrfica 32 :

12
11
2.3 10 C/N d

=

12
14
0.67 10 C/N d

=
densidad:
3
2648 kg/m =
constante dielctrica:
11 22
3.8 K K = = .
sistema de coordenadas
del ensayo de colisin
sistema de coordenadas
convencionales del sensor



sensor
vehculo
obstculo fijo
A



1
10 mm l =
2
3 mm l =
3
10 mm l =
B
v



sensor

Sol.: la colisin tiene lugar en direccin y la aceleracin (negativa, deceleracin) del
vehculo y del sensor es (en mdulo):

2
2 2
312.5 m/s
v
a a
t
= =


(es decir unas 32 g). Esta deceleracin produce una fuerza sobre la cara del sensor de:

2 1 2 3 2 2
0.248 N F l l l a F = =
Y una tensin de compresin de:

1 2 3 2
22 22 2
1 3
2482.5 Pa
l l l a v
l
l l t

= = =


La polarizacin, o momento dipolar por unidad de volumen, que se genera en el cristal es:

9 2 3
1 122 22 1
5.71 10 C/m (o C m/m ) P d P

= =
Como el volumen del material es
1 2 3
Vol l l l = , el dipolo elctrico que aparece en el sensor
tiene slo componente 1 y vale:

15
1 1 2 3
1.713 10 C m Pl l l

=

2013-2014
197
La carga que aparece entre las dos caras del sensor es:

13 1 1 2 3
1
1.713 10 C
Pl l l
Q Q
l

= =
El material considerado como condensador de caras planas paralelas tiene una capacidad:

12 13 2 3
11 0 0
1
( 8.854 10 F/m) 1.009 10 F
l l
C K C
l


= = =
Y el voltaje que aparece entre estas caras es: 1.697 voltios
Q
V V
C
= =
Nota: el problema se ha resuelto suponiendo que la deceleracin es constante. En este
caso, el material proporciona una seal tambin constante y proporcional a la aceleracin.
El problema se resuelva de manera idntica para aceleracin variable, como sucede en
una colisin real. En cualquier caso se mantiene la proporcionalidad entre aceleracin y
seal elctrica. La ventaja del sensor piezoelctrico es que produce una seal que tambin
es variable y que se mantiene siempre proporcional a la aceleracin, es decir, permite
registrar en tiempo real la historia de la colisin. Colocando varios sensores en diferentes
puntos del vehculo y convenientemente orientados, es posible reconstruir detalladamente
el proceso de colisin y estudiar la efectividad de medidas de seguridad pasiva, del diseo
estructural del vehculo, de las deceleraciones sufridas por ocupantes, etc.
________________________________________________________________________
6.11 Sensor de Presin en Calzado
Aunque la determinacin de variables como la aceleracin, fuerza, presin en entornos
industriales mediante el empleo de sensores piezoelctricos es una actividad comn, su
aplicacin en las reas de biomedicina y biomecnica es mucho ms reciente. Un ejemplo
de esta tendencia son los sensores que se integran en el calzado para obtener estimaciones
sobre la distribucin de la presin plantar.
Para el sensor de este problema se consideran nicamente fuerzas de compresin en la
direccin vertical (ver sistema de coordenadas de la plantilla en la figura izquierda) y,
para simplificar la resolucin del problema, se considera que la tensin normal debida al
peso es uniforme en todos los puntos de la plantilla y del sensor.
El sensor va montado en la plantilla del calzado y adherido rgidamente por su cara
inferior tal como se indica en el esquema (I). Tiene forma prismtica y se conocen los
mdulos piezoelctricos del material referidos a su sistema de coordenadas cartesianas
convencionales, indicado en la figura (II):

123 132 213 231 311 322
113 131 223 232 312 321
d d d d d d
d d d d d d
= = = =
= = = =

y el resto de los mdulos son nulos.
1. Razonar la clase cristalogrfica a la que podra pertenecer el material.
2. Determinar cmo hay que colocar (orientar) el sensor en la plantilla para que se
produzca seal (si es posible ms de una orientacin, considerar todos los casos).

2013-2014
198
3. Decidir, en cada caso, entre qu caras (A, B o C) se debe medir la seal.
4. Calcular la seal (diferencia de potencial) que producir el sensor, para cada uno de
los casos analizados en los apartados anteriores, en funcin de las variables que se
estimen necesarias indicando sus unidades en el Sistema Internacional (por ejemplo: M,
masa del cuerpo sobre la plantilla en kg; A, superficie de la plantilla en
2
m , etc.).
Nota: si se necesitan constantes dielctricas del material, indicar qu componentes son
11 22 33
, , K K K , etc.

l
1
l
2
l
3
Sistema de coordenadas
convencionales del sensor (II)
Fuerza de compresin (pie)
plantilla de
superficie A m
2
Sensor
(fijado a la plantilla por su cara inferior)


Montaje del sensor en la plantilla (I)
B
C
A

Solucin:
1. Teniendo en cuenta los mdulos piezoelctricos del material, la matriz de Voigt
correspondiente es:








y la clase a la que pertenece es 4 .
2. Segn el enunciado slo se consideran fuerzas de compresin en la direccin , es
decir, se puede orientar el sensor haciendo coincidir una de sus direcciones
convencionales , o con la direccin de la plantilla. El vector tensin
,
, en
notacin de Voigt, podr tener slo una componente
1 2 3
, o ; en general la
polarizacin resulta:

1
2
1 14 15
3
2 15 14
3 31 31 36
. . . .
. . . .
.
. . .
.
.
P d d
P d P d d
P d d d







= =




2013-2014
199
es decir, las componentes del vector polarizacin sern:

1
2
3 31 1 31 2
0
0
P
P
P d d
=
=
=

Para que haya seal, hay dos posibilidades: hacer coincidir la direccin del sensor con
la direccin (tensin
1
), en cuyo caso el sensor estara fijado a la plantilla por su cara
A, o hacer coincidir la direccin del sensor con la direccin (tensin
2
), en cuyo
caso el sensor estara fijado a la plantilla por su cara B.
3. En los dos casos la seal se mide entre las caras C del sensor puesto que
3
0 P
4. El clculo de la diferencia de potencial se realiza como en problemas anteriores:
eje coincidente con eje ; la tensin uniforme (simplificacin propuesta en el
enunciado) que acta sobre las caras (o caras A) del sensor es:

1 11
Mg
A


= =
donde (kg) M es la masa del cuerpo sobre la plantilla y
2
(m ) A la superficie de la
plantilla. La seal medida entre las caras (o caras C) del sensor es:

311 11 3 311 3
3 31 1 311 11
33 0 33 0
voltios
d l d Mgl
P d d V
K AK



= = = =
eje coincidente con eje ; la tensin uniforme que acta sobre las caras (o
caras B) del sensor es:

2 22
Mg
A


= =
y la seal medida entre las caras (o caras C) del sensor es:

311 22 3 311 3
3 31 2 311 22
33 0 33 0
voltios
d l d Mgl
P d d V
K AK



= = = =
La diferencia de potencial en ambos casos tiene el mismo valor absoluto y depende de
( ) kg M , de
2
(m ) A , del mdulo piezoelctrico del material
311
(C/N) d , de su constante
dielctrica
33
K y de la dimensin
3
(m) l del sensor (la permitividad dielctrica
del vaco es
12
0
8.854 10 F/m

= ).
________________________________________________________________________
6.12 Inyector de Combustible
Los inyectores de combustible disponen en su interior de un dispositivo piezoelctrico,
encargado de producir el movimiento mecnico necesario para la inyeccin cuando se
aplica una diferencia de potencial. Se dispone de un cristal piezoelctrico de la clase
2 mm cortado en forma de cubo de lado L .

2013-2014
200
Determinar la variacin de volumen que experimenta el cristal cuando se aplica un campo
elctrico
3
E en la direccin del eje cartesiano . Suponer pequea deformacin.
Solucin: se trata de un ejemplo de piezoelectricidad inversa. Al tratarse de un cristal de
la clase 2 mm :

[
[
15
3 24
31 32 33
31 3 32 3 33 3
0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0
0 0 0
0 0 0
T T
T
d
E d E d
d d d
d E d E d E



= =




=

,

,

La variacin de volumen para pequeas deformaciones es:

( )( )( ) ( )
( )
3 3 3
1 2 3 1 2 3
3
3 31 32 33
1 1 1
f i
f i
V V L L L
V V L E d d d
= + + + + +
= + +

________________________________________________________________________
6.13 Elasticidad no Lineal en PE Reticulado (1)
Los elastmeros son materiales polimricos orgnicos que presentan elasticidad no lineal.
Es posible demostrar que su mdulo (no es el mdulo de Young) es, en primera
aproximacin, independiente de la naturaleza qumica de las cadenas polimricas y vara
de modo lineal slo con el nmero de puntos de reticulacin por unidad de volumen del
elastmero del siguiente modo:

B
E nk T =
donde n es el nmero de puntos de reticulacin por unidad de volumen, T es la
temperatura absoluta (en este caso 300 K) y
23
1.38 10 J/K
B
k

= es la constante de
Boltzmann.
A su vez, la relacin elstica no lineal entre la tensin de traccin correspondiente a
una fuerza de traccin en una direccin y la elongacin relativa en la misma direccin
est dada por:

2
1
B
nk T


=



donde la elongacin relativa es la relacin entre la longitud deformada y la longitud sin
deformar.
Se sintetiza un elastmero a partir de polietileno y se reticula por irradiacin con
electrones de modo que se establece, en promedio, un enlace covalente entre cadenas de
polietileno por cada 14 unidades estructurales repetitivas (UER):
[ ]
2 2
CH CH . La
densidad de este polietileno reticulado es
3
914 kg/m = . Calcular:
1. cul es el mdulo de este material elastomrico, segn la definicin anterior,
2. qu relacin existe entre este mdulo y el mdulo de Young, que se emplea
habitualmente en la relacin
Young
E = ,

2013-2014
201
3. cunto se alargar una muestra de seccin cilndrica de longitud 0.11 m L = y de
seccin transversal
4 2
0.87 10 m A

= sometida a una carga de traccin 1100 N F = .
Solucin: para calcular el mdulo es preciso determinar el nmero de puntos de
reticulacin por unidad de volumen. La unidad estructural repetitiva del polietileno tiene
una masa de:

( )
26
26
2 12 4 1
4.651 10 kg
6.023 10
UER
M

+
= =


En un metro cbico de elastmero habr:

28 3
1.965 10 UER/m
UER
UER
N
M

= =
y como existe un punto de reticulacin por cada 14 UER, el mdulo ser:

6 2
5.81 10 N/m
14
UER
B
N
E k T = =
Un modo ligeramente ms preciso de operar es tener en cuenta que si hay un punto de
reticulacin cada 14 UER, hay un punto de reticulacin cada:
( ) 13 2 12+4 1 2 12+3 1=391umas + , debido a que en el punto de reticulacin el grupo
funcional no es
2
CH sino CH . Calculado de este modo, el mdulo sera:

26
6 2
6.023 10
5.83 10 N/m
391
B
E k T

= =
es decir, una diferencia del 0.3%. Esta diferencia:
es insignificante frente al error inherente en la frmula aproximada
B
E nk T = (que
suele ser del orden del 30%),
es insignificante frente a la precisin con que se conoce la frecuencia de puntos de
reticulacin (aprox. 10%),
es incluso menor que la precisin con que se conoce la constante de Boltzmann y con
la que se suele medir la temperatura,
y est al mismo nivel de aproximacin que el despreciar las contribuciones de los
grupos terminales de cadena de polietileno, que son
3
CH en vez de
2
CH .
Por estos motivos es perfectamente aceptable no tener en cuenta la diferencia de masa
molecular de la 14 UER, donde va el punto de reticulacin.
La relacin constitutiva elstica para un elastmero es:

2
1
B
nk T


=



est dada en funcin de la elongacin relativa , en vez de la deformacin . Puesto
que se cumple =1+ , para pequeas extensiones se puede desarrollar en serie de y
se obtiene:

2013-2014
202

( )
2 3
2 2
1 1
1 3 3 4
1


= + = + +
+

Es decir, reteniendo el trmino de primer orden, 3
B
nk T = , e identificando con
Young
E = resulta:
3
Young B
E nk T =
La carga a la que se somete la muestra corresponde a una tensin normal:

7 2
1.264 10 N/m
F
A
= =
Y por ltimo la elongacin relativa se obtiene de la relacin elstica no lineal:

2
1
B
nk T


=



en la que ya se conoce y
B
E nk T = . La ley elstica no lineal (tensin-elongacin) est
representada en la siguiente figura:
Tensin en funcin de la elongacin relativa
T
e
n
s
i

n

d
e

t
r
a
c
c
i

n

(
P
a
)
Elongacin relativa (-)

Esta ecuacin resultante es un polinomio cbico en , que se resuelve numricamente
por el mtodo de Newton-Raphson:
( ) ( )
2 3
1 2
' 1 f f
E



= = +
partiendo de una aproximacin inicial:

( )
( )
( )
( )
( )
( )
0
0
1 0
0
1
2 1
1
2
3 2
2
1.5
2.203
'
2.354
'
2.356
'
f
f
f
f
f
f

=
= =
= =
= =

Se puede tomar este ltimo valor como correcto con tres cifras significativas:
3
=

2013-2014
203
Luego la muestra al someterla a traccin con una carga 1100 N F = se alarga de
0.11m L = a 0.259 m L = .
Este problema sirve adems para ilustrar el modo de proceder y la rapidez de la
convergencia del mtodo de Newton-Raphson. La convergencia es cuadrtica, lo que
significa que, cuando el proceso de iteracin est suficientemente cerca de la raz buscada,
el nmero de cifras decimales correctas se duplica con cada iteracin. Para ilustrar este
punto se realizan cinco iteraciones, mostrando las primeras 15 cifras significativas del
resultado:

( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
0
0
1 0
0
1
2 1
1
2
3 2
2
3
4 3
3
4
5 4
4
1.5
2.20329487182519
'
2.35352139267927
'
2.35580358213292
'
2.35580402326840
'
2.35580402326841
'
f
f
f
f
f
f
f
f
f
f

=
= =
= =
= =
= =
= =

y en la siguiente iteracin el resultado tendra 30 cifras significativas correctas (lo que
suele exceder la precisin alcanzable con una calculadora ordinaria). En este caso existe
tambin una frmula analtica, anloga a la del polinomio de segundo grado, para las
soluciones del polinomio de tercer grado. Aplicada a este caso, la solucin analtica de la
ecuacin que nos ocupa es:

( )
( )
3 3 3 3 2
3
2
3 3 3 3 2
3
1 1
108 8 12 3 27 4
6
2 1
3 3
1
108 8 12 3 27 4
2.35580402326841
E E E
E E
E
E E E E
E


= + + + +
+ +
+ + +
=


Se comprueba que el procedimiento numrico de Newton-Raphson produce 15 cifras
significativas correctas en slo 5 iteraciones y con un esfuerzo de clculo comparable o
inferior al de la frmula analtica. Adems, en este caso particular, un resultado con 3
cifras significativas correctas es perfectamente aceptable, con lo que el procedimiento
numrico slo requiere tres iteraciones y es notablemente menos costoso que el analtico.
________________________________________________________________________
6.14 Elasticidad no Lineal en PE Reticulado (2)
Se dispone de una probeta cilndrica de 10 cm de longitud y 2 mm de dimetro de un
material elastomrico, preparado a partir de polietileno y reticulado por irradiacin con

2013-2014
204
electrones, lo que permite establecer enlaces covalentes entre las cadenas de polietileno.
Cuando la muestra anterior se somete a una carga de traccin de 15 N a una temperatura
de 300K, se estira hasta alcanzar una longitud el doble de la inicial.
Sabiendo que la densidad del elastmero es
3
950 kg/m , determinar cada cuntas
unidades estructurales repetitivas
[ ]
2 2
CH CH se establece, en promedio, un enlace
covalente. Considerar que la relacin entre la tensin de traccin aplicada y la
elongacin relativa est dada por:

2
1
B
nk T


=



siendo n el nmero de puntos de reticulacin por unidad de volumen,
B
k la constante de
Boltzmann, T la temperatura absoluta y la relacin entre la longitud deformada y la
longitud sin deformar.
Solucin: una cadena de polietileno est formada por la repeticin de unidades
[ ]
2 2
CH CH . Por irradiacin con electrones se establecen puntos de reticulacin en
algunas UER:
2 2 2 2 2 2
CH CH CH CH CH CH CH

Se pide calcular cada cuntas UER, en promedio, se establece un punto de reticulacin:
se conoce el nmero de UER contenidas en
3
1 m :

23
28 3
3
950 kg 1 kmol 6.023 10 UER
2.043 10 UER/m
1 m 28 kg 1 kmol

=
tomando como base de clculo un volumen de
3
1 m se pueden determinar fcilmente
los puntos de reticulacin para una elongacin 2 = :

2
26 3
2
2 2
1
4
6.59 10 puntos retic./m
1 1
B
B B
F
D
nk T n
k T k T




= = = =







y luego dividiendo resulta cada cuntas UER se establece, en promedio, una reticulacin:

28 3
26 3
2.043 10 UER/m
31 UER/punto de reticulacin
6.59 10 puntos retic./m


________________________________________________________________________

2013-2014
205
6.15 Expansin trmica (diagonalizacin)
Se conocen las componentes del tensor expansin trmica ( ) para un determinado
cristal, referidas a un sistema de ejes no coincidente con los ejes convencionales:

6 -1
5 2 3
2 8 3 10 K
3 3 12




=




1
i + j j

Deducir razonadamente a qu sistema cristalogrfico podra pertenecer este cristal.
Sol.: para poder decidir a qu sistema cristalogrfico puede pertenecer el cristal, hay que
diagonalizar la matriz, ya que la propiedad de segundo orden est referida a un sistema
arbitrario de ejes (no a los ejes convencionales):

1 2 3
5 2 3
2 8 3 0 14.907; 6.432; 3.661
3 3 12


= = = =


La resolucin de la ecuacin de tercer grado correspondiente se puede realizar, por
ejemplo, mediante el mtodo de Newton-Raphson. Se obtienen tres autovalores que son
distintos entre s, luego el material puede pertenecer a cualquiera de los sistemas
triclnico, monoclnico u ortorrmbico.
________________________________________________________________________
6.16 Rodamiento de Circonia Monoclnica
Una bola de rodamiento de un viscosmetro para vidrio fundido se fabrica a temperatura
ambiente,
0
300 K T = , por mecanizacin de un monocristal de circonia (
2
ZrO ) con un
radio
3
0
5 10 m R

= . El remetro tiene que operar (medir la viscosidad de vidrios) a
1200 K T = . En el intervalo de temperaturas entre
0
T y T , la circonia es monoclnica.
Sus coeficientes de dilatacin o expansin trmica principales (es decir, cuando se
expresa en el sistema de referencia de los ejes principales, de modo que es diagonal) son:

5 -1 5 -1 5 -1
11 22 33
1.25 10 K , 2.91 10 K y 1.76 10 K

= = =
Al operar a temperaturas por encima de la de fabricacin, la bola de rodamiento se dilata
anisotrpicamente y por ello se distorsiona. Determinar:
1. la forma que adquiere la esfera de rodamiento a la temperatura de trabajo,
2. el volumen de la esfera a temperatura ambiente y a la de trabajo,
3. el coeficiente de expansin volumtrico, es decir, a qu velocidad especfica
( ) V V T (incremento fraccional de volumen entre incremento de temperatura)
aumenta el volumen de la esfera al aumentar la temperatura.


2013-2014
206
Solucin: el tensor de coeficientes de dilatacin o expansin trmica expresado en el
sistema de referencia de los ejes principales tiene la siguiente estructura:

11
5 -1
22
33
0 0 1.25 0 0
0 0 0 2.91 0 10 K
0 0 0 0 1.76




= =



1
i + j j

La variacin de forma est dada por el tensor deformacin que depende del incremento
trmico y de los coeficientes de expansin trmica como:

( )
0
0.011 0 0
0 0.026 0
0 0 0.016
T T T

= =


=



1
i + j j

El campo vectorial u de desplazamiento se obtiene integrando los elementos diagonales y
tiene slo componentes longitudinales:
( ) ( ) ( )
1 1 2 3 11 1 2 1 2 3 22 2 3 1 2 3 33 3
, , , , , , u x x x x u x x x x u x x x x = = =
La esfera sufre dilataciones diferentes en las tres direcciones del espacio, y adquiere
forma de elipsoide de ejes principales:

3
1 0 11 0 1
3
2 0 22 0 2
3
3 0 33 0 1
5.06 10 m
5.13 10 m
5.08 10 m
R R R R
R R R R
R R R R

= + =
= + =
= + =

cuyo volumen es:

7 3
1 2 3
4
5.520 10 m
3
V R R R

= =
frente al volumen a temperatura ambiente:

3 7 3
0 0
4
5.236 10 m
3
V R

= =
El coeficiente volumtrico de expansin requerido es:

( )( )( )
11 22 33
1 1 1 1
V
V
T T T
V
T T


+ + +

= =


Como los coeficientes
ii
son muy pequeos, al desarrollar el producto de los tres
parntesis se pueden despreciar los trminos cuadrticos y cbicos, con lo cual:

5 -1
11 22 33
5.92 10 K
V


+ + =
o en notacin de ndices repetidos:
V ii
=
Esta expresin tiene validez general y permite calcular el coeficiente de expansin
trmica volumtrica en funcin de los coeficientes de expansin trmica lineal.

2013-2014
207
Tambin se comprueba que la conocida expresion 3
V
= , vlida para materiales
istropos, es un caso particular de la anterior, en la que los tres coeficientes son iguales.
Puesto que la deformacin es un tensor simtrico de 2 orden, la deformacin longitudinal
en una direccin arbitraria n , dada por los tres cosenos directores
1 2 3
, , n n n , est dada
por:
( ) ( ) ( )
2 2 2
1 11 2 22 3 33 n i j ij
n n n n n = = + +
(ver "Propiedades de 2 orden en un direccin dada").
________________________________________________________________________

6.17 Piroelectricidad: Cmara de Infrarrojos
Para una cmara IR como la de la figura, estimar la seal (voltaje) que produce un objeto
caliente en un pxel cuadrado de PVDF de lado 100 m l = y espesor 1 m h =
(direccin del sensor).
La lente opaca de Si (IR lens) ) se usa para concentrar la radiacin incidente y con ello
hacer el factor de forma objeto-sensor (ver datos del problema) lo ms prximo a 1
posible. El ventilador (rotating chopper) consta de 5 palas y 5 huecos iguales y gira a 10
rps (600 rpm).

Datos:

3
objeto PVDF
sensor (PVDF)
12
0 PVDF
6 2
3(PVDF)
8 2 4
O-S
400 K, 350 K y 399 K 1760 kg/m
300 K 80.6 kJ/kg K
8.85 10 F/m 12.5
27 10 C/m K (coeficiente piroelctrico)
5.67 10 W/m K (constante de Maxwell-Boltzmann)
1
P
T
T C
K
p
F

= =
= =
= =
=
=
(factor de forma objeto-sensor)


Solucin: el ventilador da 10 vueltas en 1 segundo y, como consta de 5 palas (pxel
oculto) y 5 huecos (pxel expuesto), son 10 10 partes por segundo, con lo que el
tiempo de exposicin del pxel cada vez que haya un hueco ser de 0.01 s:

2013-2014
208
0.01 s 0.01 s 0.01 s 0.01 s
tiempo
t
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a
e
x
p
o
s
i
c
i

n
o
c
u
l
t
a
c
i

n

Durante la exposicin, la energa radiante, que proviene del cuerpo caliente a 400 K y que
incide sobre el pxel de PVDF, incrementa la energa interna del sensor:

2 4 4 2
O-S objeto sensor PVDF (PVDF) sensor
( )
P
l F T T dt l h C dT =
con lo que la temperatura del sensor sube a una velocidad de:

4 4
8 4 4
O-S objeto sensor
sensor
6
PVDF (PVDF)
( )
5.67 10 (400 300 )
7 K/s
10 1760 80600
P
F T T
dT
dt h C


= = =


que es independiente de las dimensiones de la superficie del pxel, sobre la que incide la
energa radiante, y slo depende de su espesor (dimensin del pxel en direccin ).
En el tiempo de exposicin 0.01 s t = el incremento de temperatura del sensor es
0.07 K
sensor
T = y este calentamiento genera una polarizacin en direccin debida al
efecto piroelctrico (momento dipolar por unidad de volumen):

6 6 3
27 10 0.07 1.889 10 C m/m
sensor
P p T

= = =
+
+ Q
+
+
+
-
- Q
-
-
-
h
l
P

l

que es una polarizacin en direccin -. El dipolo total (en C m) es:
2
Pl h Qh = y la
carga
2
Q Pl = corresponde a un condensador de placas planas paralelas de capacidad:

2
0
Q l
C K
V h
= =


Si se determina la seal que produce un objeto a 400 K como diferencia de potencial (slo
el valor, sin signo):

2013-2014
209

2 6 6
400 2 12
0
0
1.889 10 10
0.017 V
12.5 8.85 10
K
Pl Ph
V
l K
K
h


= = = =


Para un objeto a slo 350 K, se hace el clculo de nuevo y resulta:

350
2.763 K/s 0.0067 V
sensor
K
dT
V
dt
= =
y para un objeto a 399 K,

399
6.898 K/s 0.01675 V
sensor
K
dT
V
dt
= =
la seal que hay que medir para discriminar entre 400 K y 399 K es de aproximadamente
0.25 mV, que es perfectamente detectable.
________________________________________________________________________
6.18 Tubo Hueco de Pared Delgada (Material
Compuesto) sometido a Traccin y Torsin *(slo MPC)
Un tubo hueco de radio 0.05 m R = , longitud 0.50 m L = y de pared fina (espesor
0.005 m = ) se construye con un bobinado helicoidal de filamento de nylon 6,6 en una
matriz de polister. El ngulo que forman el eje del tubo y la tangente al bobinado
helicoidal es 30 = . El tubo se emplea para transmitir potencia mecnica en un
mecanismo y est sometido a una fuerza de traccin axial de
3
7.85 10 N F = y a un
momento torsor de 500 N m M = . Considerar los casos en que el sentido del momento
aplicado es a) el mismo, o bien b) el contrario al de avance del bobinado.
Las complianzas elsticas del filamento de nylon en sus ejes convencionales son:

10 -1 10 -1 10 -1
11 12 33
10 -1 10 -1
13 44
7.3 10 Pa , 1.9 10 Pa , 2.4 10 Pa
1.1 10 Pa , 15 10 Pa
s s s
s s


= = =
= =

y se consideran despreciables las propiedades mecnicas de la matriz. Determinar:
1. la deformacin que sufre el tubo en ambos casos a) y b),
2. la energa elstica almacenada en el caso b),
3. el mximo momento torsor que puede soportar el eje en el caso b) sin romperse, segn
el criterio de von Mises (ver abajo).


2013-2014
210
La energa elstica almacenada por unidad de volumen de material est dada por:

1
:
2
u =
El material se rompe cuando el mdulo de la parte desviatoria del tensor de tensiones
supera un valor caracterstico del material. La parte desviatoria del tensor de tensiones se
define como:

1
( )
3
desv
tr
(tr() es la traza). La rotura tiene lugar cuando (criterio de von Mises):
max desv
, donde
7
max
1.55 10 Pa = es un valor caracterstico de cada material, que se obtiene
experimentalmente.
Sol.: la tensin en el tubo, expresada en el sistema de referencia que se indica en la figura
(eje colineal con el eje del cilindro, eje tangente a la superficie y eje normal a los
dos anteriores) es sencilla:

22 23 33 2
6
23
6 6
23 33
0
2 2
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 6.366 10 Pa
0 0 6.366 10 4.997 10
M F
R R



= = =


= =




1
i + j j

En el primer caso a), el momento ejercido por el material exterior (material negativo),
debido a que su sentido es el mismo que el del bobinado, produce sobre una superficie
cuya normal exterior apunta en direccin negativa del eje una fuerza
M
F que apunta en
direccin negativa del eje (ver figura).

El cociente es positivo (criterio para lquidos), pero
23
es en este caso negativo por
tratarse de un slido. Este momento somete a las fibras a una tensin de traccin que se
aade a la de la fuerza de traccin axial F . Cuando el momento es en sentido contrario
al del bobinado, las fibras sufren una compresin extra.

2013-2014
211
La tensin ' expresada en el nuevo sistema de referencia (ejes ,y , que son los
ejes convencionales del filamento de nylon) se obtiene transformando segn
T
L L

,
donde L

contiene por filas los nuevos vectores unitarios expresados en el sistema de


referencia antiguo:

23
23 33
1 0 0 0 0 0 1 0 0
' 0 0 0 0
0 0 0
c s c s
s c s c




=


1
i + j j

En esta expresin sen y cos s c = = . Multiplicando resulta:

( )
( )
2 2 2 6
23 33 23 33
2 2 2
23 33 23 33
0 0 0
0 0 0
' 0 2 0 4.264 1.019 10 Pa
0 1.019 9.261
0 2
cs s c s cs
c s cs cs c







= + + =



+ +

1
i + j j

El momento torsor, aplicado en el sentido del bobinado, hace que en la direccin de las
fibras la tensin (
33
' ) sea mayor que la debida slo a la fuerza de traccin:
33 33
' > .
La deformacin en el sistema de ejes convencionales del filamento, ejes ,y , se
obtiene del modo ms simple usando la notacin de Voigt: ' ' ' s =
, ,

, donde las
componentes no nulas del vector tensin son:

2 22 3 33 4 23
' ' ' ' ' ' = = =
La fibra de refuerzo tiene simetra cilndrica, es decir, la estructura de su matriz de
complianzas en sus ejes convencionales es conocida, y la deformacin se calcula:
( )
12 22 13 33 11 12 13
12 11 13 22 11 22 13 33
13 13 33 33 13 22 33 33
44 23 44 23
44
11 12
' ' ' ' ' ' ' 0 0 0 0
' ' ' 0 0 0 ' ' ' ' '
' ' ' 0 0 0 ' ' ' ' '
'
0 0 0 ' 0 0 ' ' '
0 0 0 0 ' 0
0 0
0 0 0 0 0 2 ' '
0 0
s s s s s
s s s s s
s s s s s
s s
s
s s



+

+


+
= =





,
3
0.209
4.131
2.692
10
1.529
0
0






Deshaciendo la notacin de Voigt, se obtiene la estructura del tensor deformacin en los
ejes ,y :

11 1 22 2 33 3 23 4 32 4
3
1 1
' ' ' ' ' ' ' ' ' '
2 2
0.209 0 0
' 0 4.131 0.764 10
0 0.764 2.692


= = = = =


=


1
i + j j

Finalmente, se transforma al sistema inicial mediante la transformacin inversa a
T
L L


es decir, '
T
L L

:

2013-2014
212

( )
( )
11
22 23
23 33
11
2 2 2 2
22 23 33 23 22 33
2 2 2 2
23 22 33 22 23 33
1 0 0 ' 0 0 1 0 0
0 0 ' ' 0
0 0 ' ' 0
' 0 0
0 ' 2 ' ' ' ' '
0 ' ' ' ' 2 ' '
T
c s c s
s c s c
c cs s c s cs cs
c s cs cs s cs c



=







= + +


+ + +

1
i + j j
1
i + j j
3
0.209 0 0
0 1.764 3.337 10
0 3.337 0.324


1
i + j j

El tubo sufre una extensin en la direccin longitudinal, una reduccin en su periferia
(radio medio) y su espesor tambin sufre una reduccin. Notar que es un problema de
tensin plano en el plano (el tensor de tensiones en el sistema de referencia original
es bidimensional en el plano , es decir, no tiene ninguna componente 1i ni 1 i para
cualquier valor de i ).
Las variaciones en las dimensiones del eje bajo carga son:

33
22
6
11
variacin de longitud 0.00016 m
variacin de radio 0.00009 m
variacin de espesor 1.043 10 m
L
R


=
=
=

El elemento 23 del tensor de deformacin implica que existe adems una deformacin
angular en el plano , es decir, las caras extremas del cilindro dejan de ser
estrictamente perpendiculares al eje de este cilindro. La desviacin de la
perpendicularidad es de:
23
180
2 0.38

= . Es importante conocer esta distorsin al
disear el anclaje del cilindro (p.ej. en los extremos, en algn punto intermedio, etc).
Esta interpretacin geomtrica de la componente de deformacin angular se basa en
desarrollar el cilindro como una lmina plana. Sin embargo, esta lmina plana, despus
de la deformacin, es un paralelogramo no rectngulo, y no puede volver a enrollarse en
forma de cilindro, manteniendo la "costura" recta y paralela al eje del cilindro y adems
consiguiendo enrollar los extremos en dos curvas cerradas. En la figura siguiente, las
circunferencias de los extremos, AB y CD, al desarrollarlas se convierten en las cuatro
esquinas del rectngulo. La deformacin angular las lleva a A'B' y C'D'. Los puntos A' y
B' no se encuentran, no cierran la circunferencia al volver a enrollar la lmina.

2013-2014
213

Esta inconsistencia es consecuencia del "corte". Es ms fcil visualizar la deformacin
considerando el cilindro sin desarrollar y dividido en pequeos rectngulos (figura
siguiente). Todos los rectngulos sufren (localmente) una deformacin angular cuyo
efecto global es el de retorcer o torsionar el cilindro. Debido a esta torsin, la lnea de
corte en la figura (y cualquier otra recta paralela al eje) se convierte en una hlice. La
inconsistencia desaparece: la lnea de corte pasa de ser recta a ser helicoidal. La
contradiccin es consecuencia de suponer que la lnea de corte (la costura) necesaria para
volver a enrollar el eje es recta.

Es decir, la suma de las deformaciones angulares locales produce una torsin global del
eje. Del valor de
23
se puede adems obtener cuantitativamente la torsin del eje. Como
se ve en la figura de abajo, por cada distancia l que se avanza en direccin axial (eje ),
la deformacin angular produce un desplazamiento lateral (eje ) que vale
23
2l : esta
distancia corresponde a un ngulo (medido desde el eje del cilindro) de
23
2l R . Es
decir, la torsin del eje es de
23
2 R radianes por cada metro de longitud de eje. En este
caso:

2013-2014
214

23
2
0.133 rad/m
R

=

Volviendo al caso de que el sentido (signo) del momento sea el contrario, el problema se
hace de igual modo, excepto con el signo de
23
cambiado:

23 2
6
23
6 6
23 33
2
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 6.366 10 Pa
0 0 6.366 10 4.997 10
M
R




=


= =




1
i + j j

Y en los ejes rotados:

( )
( )
2 2 2 6
23 33 23 33
2 2 2
23 33 23 33
0 0 0
0 0 0
' 0 2 0 6.763 5.347 10 Pa
0 5.347 1.765
0 2
cs s c s cs
c s cs cs c







= + + =



+ +

1
i + j j

En este caso, el momento torsor, aplicado en el sentido contrario al del bobinado, no slo
hace que la tensin en las fibras sea menor que la debida slo a la fuerza de traccin:
33 33
' < , sino que es suficientemente grande como para hacer que las fibras estn
sometidas a compresin (
33
' 0 < ).
La deformacin en notacin de Voigt se obtiene igualmente de:

2013-2014
215
( )
12 22 13 33 11 12 13
12 11 13 22 11 22 13 33
13 13 33 33 13 22 33 33
44 23 44 23
44
11 12
' ' ' ' ' ' ' 0 0 0 0
' ' ' 0 0 0 ' ' ' ' '
' ' ' 0 0 0 ' ' ' ' '
'
0 0 0 ' 0 0 ' ' '
0 0 0 0 ' 0
0 0
0 0 0 0 0 2 ' '
0 0
s s s s s
s s s s s
s s s s s
s
s
s
s s



+

+


+
= =





,
3
1.091
5.131
1.168
10
8.021
0
0





=







y deshaciendo la notacin de Voigt, la estructura del tensor deformacin en los ejes del
filamento resulta:

11 1 22 2 33 3 23 4 32
3
1
' ' ' ' ' ' ' ' '
2
1.091 0 0
' 0 5.131 4.01 10
0 4.01 1.168


= = = = =


=


1
i + j j

Al sistema inicial se vuelve mediante la transformacin inversa:

( )
( )
11
22 23
23 33
11
2 2 2 2
22 23 33 23 22 33
2 2 2 2
23 22 33 22 23 33
1 0 0 ' 0 0 1 0 0
0 0 ' ' 0
0 0 ' ' 0
' 0 0
0 ' 2 ' ' ' ' '
0 ' ' ' ' 2 ' '
T
c s c s
s c s c
c cs s c s cs cs
c s cs cs s cs c



=







= + +


+ + +

1
i + j j
1
i + j j
3
1.091 0 0
0 0.0833 4.732 10
0 4.732 3.88



=



1
i + j j

Finalmente, las variaciones dimensionales del eje bajo carga son:

33
6
22
6
11
variacin de longitud 0.00194 m
variacin de radio 4.1638 10 m
variacin de espesor 5.454 10 m
L
R

=
=
=

La energa elstica almacenada por unidad de volumen, segn la frmula es:

1 1
:
2 2
ji ij
u = =
O en trminos de las complianzas y de la tensin:

( ) ( )
3 3
4 3
1 1
1 1 1
: :
2 2 2
1
3.982 10 J/m
2
i j ijkl lk m n mn ijkl lk ji
ij ji
i j
s s
u


= =
= =
= =



2013-2014
216
La expresin de la densidad de energa elstica es covariante, es decir, usa slo
operaciones vlidas (contraccin, traza, invariantes, etc ) entre magnitudes tensoriales. La
frmula es vlida en los ejes con y sin "prima":

3 3
4 3
1 1
1
' ' 3.982 10 J/m
2
ij ji
i j
u
= =
= =


Tambin se puede expresar en trminos de las variables en notacin de Voigt, como se
comprueba al desarrollar los dos miembros, y se obtiene el mismo resultado:

( )
( )
( )
1 1 2 2 3 3 4 4 5 5 6 6
11 11 22 22 33 33 23 23 13 13 12 12
11 11 22 22 33 33 23 23 32 32 13 13 31 31 12 12 21 21
1 1 1
2 2 2
1 1
2 2
1
2 2 2
2
1 1
2 2
T
i i ij ji
i i
ij ji




= =
= + + + + + =
+ + + + + =
+ + + + + + + + =
, ,

La energa total almacenada en el volumen de material ser: 2 31.3 J u R L = .
Para calcular el lmite de rotura se calcula en primer lugar la parte desviatoria de la
tensin. La expresin del criterio de von Mises
max desv
es igualmente covariante, se
puede hacer el clculo en cualquiera de los dos sistemas de ejes. En los ejes del material
(convencionales, con "prima"):

6
1
' ' ( ')
3
1 0 0 1.666 0 0
1
' ' ( ') 0 1 0 0 5.097 5.347 10 Pa
3
0 0 1 0 5.347 3.431
desv
desv
tr
tr





= =


1 1
i + i + j j j j

Aplicando la definicin del mdulo:

( )
3 3
6
1 1
1 1
' ' ' ' ' 6.99 10 Pa
2 2
desv desv ij desv ij desv ij desv ij
i j

= =
= = =


En los ejes iniciales (sin prima) se debe obtener el mismo resultado:

( )
6
3 3
6
1 1
1 0 0 1.666 0 0
1
( ) 0 1 0 0 1.666 6.366 10 Pa
3
0 0 1 0 6.366 3.332
1
6.99 10 Pa
2
desv
desv desv ij desv ij
i j
tr

= =


= =



= =

1 1
i + i + j j j j

Segn este criterio de von Mises, el material del tubo est a algo menos de la mitad del
lmite de rotura, que es:

7 max
max
desv
1.55 10 Pa 2.218

= =

2013-2014
217
Para determinar el lmite de carga (fuerza de traccin mxima, par mximo aplicables) se
usa la definicin de la parte desviatoria y su correspondiente mdulo:

33
23 33 33 23
23 33
23 33
2 2
2 2 2
33 33 23 33 23
2 2
2
1
0 0
3
0 0 0 1 0 0
1 1
0 0 0 1 0 0
3 3
0 0 0 1
2
0
3
1 1 2 1
2 2
2 3 3 3
1
3 2 2
desv
desv
F M
R R





= =










= + + = + =






= + =


1
i + j j
2
2
1 1
2 3
M
F
R R

+



Con esta expresin se puede calcular cul es la fuerza de traccin mxima aplicable,
manteniedo constante el par, o cul es el momento mximo aplicable, manteniendo
constante la fuerza, o cunto se pueden aumentar ambos simultneamente, con la misma
proporcin entre ellos.
Mxima fuerza de traccin aplicable, si se mantiene constante el momento:
( )
2
2
4
max max
3 2 3.845 10 N
M
F R
R



= =






Par mximo aplicable, si se mantiene constante la fuerza:
( )
2
2 3
max max
1
2 1.196 10 N m
3
M R R F = =
Para la fuerza y momento mximos aplicables, con la misma proporcin entre ellos,
puesto que la relacin es homognea de primer grado en F y M, basta con aumentar
ambos simultneamente en el factor:
max desv
2.218 =
es decir,

4 max
max
desv
3 max
max
desv
1.741 10 N
1.109 10 N m
F F
M M

= =
= =

Como comparacin del trabajo necesario segn se trabaje en los ejes convencionales o en
otros, se va a resolver tambin el problema en los ejes originales ("sin prima") en los que
el tensor de tensiones es:

2013-2014
218

23 33 2
6
23
6 6
23 33
2 2
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 6.366 10 Pa
0 0 6.366 10 4.997 10
M F
R R




= =


= =




1
i + j j

Puesto que estos ejes no son los convencionales, la estructura de la matriz de complianza
ya no es la anterior. En el caso ms general de usar ejes sin ninguna relacin con los
convencionales, s

est llena, no contiene ningn cero. En nuestro caso, puesto que el eje
es el mismo que el ', cabe esperar que todava algunas componentes sean cero, pero
s

contendr en estos ejes bastantes ms elementos no nulos que en los convencionales.


La ventaja de los ejes ,, es que no es preciso transformar (rotar) de ,, a
,, (convencionales) para realizar la multiplicacin de ' s

por '
,
, ni tampoco
volver a transformar ' de ,, a ,, para interpretarlo en trminos de
variacin de longitud, dimetro o espesor. En los ejes ,,, una vez calculadas las
nuevas componentes de la complianza, basta multiplicarla por
,
para obtener
directamente la deformacin
,
. La desventaja es que hay que transformar ' s

(ejes
convencionales) componente por componente en notacin tensorial para luego obtener s

.
Como ejemplo se calcula
11
en los ejes ,,. Puesto que no se conocen las
componentes de s

, se usa notacin tensorial:


11 11ij ji
s = y, como en slo son distintas
de cero las componentes
33 23 32
, y ,

11 1123 32 1132 23 1133 33
s s s = + +
es decir, se necesita calcular
1133 1123 1132
y s s s = (iguales por la simetra de s

). Adems, en
la primera fila de
T
L

slo la componente
11
l es distinta de cero. Y muchas componentes
de ' s

(en los ejes convencionales) tambin son cero. Por todo esto las expresiones
generales de
1123 1133
y s s se simplifica bastante en este caso:

( )
1123 1 1 2 3 11 11 22 32 1122 11 11 23 33 1133 1122 1133
2 2
1133 1 1 3 3 11 11 32 32 1122 11 11 33 33 1133 1122 1133
sen cos
sen cos
i j k m ijkm
i j k m ijkm
s l l l l s l l l l s l l l l s s s
s l l l l s l l l l s l l l l s s s


= = + =
= = + = +

Con lo cual:

( ) ( )
2 2
11 1132 23 1133 33 23 1122 1133 33 1133 1122
3
11
2 2 sen cos cos sen
1.091 10
s s s s s s


= + = + +
=

que efectivamente coincide con el valor calculado anteriormente. La componente
11
es
especialmente sencilla porque slo se necesitan
1123 1133
y s s .
Finalmente se pueden calcular las dems componentes de s

en los ejes no
convencionales, partiendo de que s

est llena; si hay elementos nulos, no se sabe cules


son hasta despus de calcular los
ijkl
s como se indica ms abajo. Para este caso particular
no seran necesarias todas las componentes de s

, porque
,
slo tiene dos componentes
no nulas:

2013-2014
219

1 13 3 14 4
2 23 3 24 4
3 33 3 34 4 3
4 34 3 44 4 4
5 35 3 45 4
6 36 3 46 4
0
0
0
0
s s
s s
s s
s s
s s
s s






+

+

+
= =

+


+

+


No obstante se dan a continuacin todas las componentes de s

para el sistema de ejes no


convencionales ,, rotado mediante
T
L

respecto de los ejes convencionales:



( )
( )
4
1111 1 1 1 1 11 1111 1111 11 11
4 4 2 2
2222 2 2 2 2 2222 3333 2233 2323
4 4 2 2
22 33 23 44 22
3333 3 3 3 3 22
cos sen 2 4 sen cos
cos sen 2 sen cos
i j k m ijkm
i j k m ijkm
i j k m ijkm
s l l l l s l s s s s
s l l l l s s s s s
s s s s s
s l l l l s s


= = = = =
= = + + + =
= + + + =
= =
4 4 2 2
22 3333 2233 2323
4 4 2 2
22 33 23 44 33
2 2 2 2
1122 1 1 2 2 1122 1133 12 13 12
sen cos (2 4 ) sen cos
sen cos (2 ) sen cos
cos sen cos sen
i j k m ijkm
s s s
s s s s s
s l l l l s s s s s s



+ + + =
= + + + =
= = + = + =

( ) ( )
2 2 2 2
1133 1 1 3 3 1122 1133 12 13 13
1123 1 1 2 3 1122 1133 12 13 14
2233 2 2 3 3 2233 2222 3333 2233 2
sen cos sen cos
1
sen cos sen cos
2
2 4
i j k m ijkm
i j k m ijkm
i j k m ijkm
s l l l l s s s s s s
s l l l l s s s s s s
s l l l l s s s s s s


= = + = + =
= = = =
= = + + ( )
( )
2 2
323
2 2
23 22 33 23 44 23
sen cos
2 sen cos s s s s s s


=
= + + =

( )( )
( )
2 2 2 2
2223 2 2 2 3 2222 3333 2233 2323
2 2 2 2
22 33 23 44 24
2
3323 2 2 2 3 2222
sen cos cos sen sen cos 2
1 1
sen cos cos sen sen cos
2 2
sen cos sen
i j k m ijkm
i j k m ijkm
s l l l l s s s s s
s s s s s
s l l l l s s



= = + + =


= + + =


= =
( )( )
( )
2 2 2
3333 2233 2323
2 2 2 2
22 33 23 44 34
cos cos sen 2
1 1
sen cos sen cos cos sen
2 2
s s s
s s s s s


+ + =


= + + =


( )
( )
( )
( )
( )
( )
1113 1 1 1 3 15
1112 1 1 1 2 16
2213 2 2 1 3 25
2212 2 2 1 2 26
3313 3 3 1 3 35
3312 3 3 1 2 36
2313 2 3 1
0 0
0 0
0 0
0 0
0 0
0 0
i j k m ijkm
i j k m ijkm
i j k m ijkm
i j k m ijkm
i j k m ijkm
i j k m ijkm
i j
s l l l l s s
s l l l l s s
s l l l l s s
s l l l l s s
s l l l l s s
s l l l l s s
s l l l
= = =
= = =
= = =
= = =
= = =
= = =
= ( )
( )
3 45
2312 2 3 1 2 46
0 0
0 0
k m ijkm
i j k m ijkm
l s s
s l l l l s s
= =
= = =


2013-2014
220

( )
( )
2 2
2323 2 3 2 3 2323 2222 3333 2233 2323
2 2
44 22 33 23 44 44
2 2 2 2
1313 1 3 1 3 1313 1212 55 66 55
1212
2 4 sen cos
1 1
2 sen cos
4 4
1 1 1
cos sen cos sen
4 4 4
i j k m ijkm
i j k m ijkm
s l l l l s s s s s s
s s s s s s
s l l l l s s s s s s
s



= = + + =
= + + =
= = + = + =
=
( ) ( )
2 2 2 2
1 2 1 2 1313 1212 55 66 66
1312 1 3 1 2 1212 1313 66 55 56
1 1 1
sen cos sen cos
4 4 4
1 1
sen cos sen cos
4 4
i j k m ijkm
i j k m ijkm
l l l l s s s s s s
s l l l l s s s s s s


= + = + =
= = = =

Para este caso particular de cambio de ejes, en el que y ' son iguales, la estructura de
s

todava tiene bastantes elementos nulos:















Es mucho ms costoso transformar ' s

(de 4 order) de ejes convencionales a no


convencionales y hacer la multiplicacin de s

y
,
en stos, que transformar a ejes
convencionales, multiplicar ' s

por '
,
en stos y finalmente transformar ' a ejes no
convencionales.
En este caso general, dos transformaciones de todas las componentes de dos tensores
simtricos de 2 orden son 2 6 9 108 = operaciones (trminos de la forma
im jn
l l ),
mientras que en una transformacin de todas las componentes de un tensor de 4 orden
con la simetra de s

se necesitan 21 81 1701 = , ms de 15 veces el nmero de


operaciones (trminos de la forma
im jn kp lq
l l l l ) necesarias si se transforman y .
Como regla general y salvo en casos especialmente sencillos, conviene trabajar en los ejes
en los que haya que transformar tensores del orden ms bajo posible.
________________________________________________________________________


221
6.19
Cuntos coeficientes o parmetros independientes (complianzas o rigideces elsticas) son precisos para
describir el comportamiento elstico lineal de un material polimrico orgnico 100 % amorfo y no
orientado?
Sol: un polmero amorfo no orientado es istropo, luego basta con 2 coeficientes, p.ej. E y .
__________________________________________________________________________________
6.20
Un CD-ROM se fabrica inyectando un fundido de policarbonato de bisfenol-A (BPA-PC) en un
molde a T
molde
180 = C , dejando luego solidificar el polmero y extrayndolo del molde. Las
dimensiones finales del CD (a temperatura ambiente T
amb
20 = C) deben ser D
ext
120 = mm de
dimetro exterior y D
int
15 = mm de dimetro interior (el orificio central del CD). Debido al cambio
de temperatura, el CD-ROM cambia de tamao al enfriarlo. El BPA-PC se comporta de modo
aproximado como un material homogneo e istropo con un coeficiente de expansin trmica lineal
5.3 10
5
= K
-1
.
Determinar cul ha sido la variacin dimensional en el disco al enfriarlo ( D
ext
y D
int
).
Sol: al ser un material istropo, todas las dimensiones lineales cambian al variar la temperatura segn
T = . Las variaciones dimensionales (encogimientos) del disco tras el enfriamiento sern:
D
ext
T
amb
T
molde

( )

1.018 = mm y D
int
T
amb
T
molde

( )

0.127 = mm.
__________________________________________________________________________________
6.21
El cabezal de una impresora de chorro de tinta funciona proyectando microgotas de tinta sobre el papel.
La impulsin de la tinta la realiza un elemento piezoelctrico. Este se deforma rpidamente al aplicarle un
voltaje entre dos de sus caras, desplazando as un mbolo cilndrico de radio R 190 10
6
= m que
proyecta la microgota de la cmara al exterior. El mbolo tiene libertad de movimiento exclusivamente
en la direccin del eje 3. El elemento piezoelctrico tiene forma cbica de lado l 840 10
6
= m (ver
esquema, parte A) y va adherido solidariamente a una base fija tal y como se indica esquemticamente
en la parte B de la figura. Los sistemas de coordenadas en las dos figuras son los mismos (es decir, el
elemento va montado en el cabezal de modo que los ejes 1 de los dos sistemas coinciden, idem los ejes
2 y 3). Este sistema de coordenadas es tambin al que estn referidos los mdulos piezoelctricos del
material empleado en esta aplicacin (cermica hbrida de alto mdulo) :
d
123
=d
132
=d
231
=d
213
=d
312
=d
321
, d
123
8.88 10
9
= C/N y el resto de los mdulos son nulos.
2013-2014
222
3
1
2
depsito
de tinta
actuador
piezoelctrico
microgota
mbolo
cilndrico
base fija
B
1
2
3
A
actuador
piezoelctrico
papel
3
1
2
33
11
22
depsito
de tinta
actuador
piezoelctrico
microgota
mbolo
cilndrico
base fija
B
1
2
3
A
11
22
33
A
actuador
piezoelctrico
papel
Decidir qu caras del elemento piezoelctrico deben polarizarse. 1.
Calcular qu volumen tendr la gota de tinta cuando se aplica una diferencia de potencial entre las 2.
caras seleccionadas en el apartado anterior de V 12 = V.
Solucin: este problema es idntico al del microscopio de fuerza atmica, AFM. El material de esta
aplicacin es, en cuanto a los mdulos, anlogo al ZnS cbico. De acuerdo con la figura B, para
producir el desplazamiento del mbolo (a lo largo del eje 3), es preciso que el elemento activo sufra
una deformacin angular en el plano 23, es decir el tensor de gradiente de deformacin debe tener
componentes
23
y
32
(por simetra) no nulas. A la vista de los mdulos piezoelctricos del material,
el nico modo de posible de conseguir esto es aplicando una polarizacin entre las caras 1
(perpendiculares al eje 1) del elemento activo:
E
1
V
l
= E
1
1.429 10
4
= V/m
d
132
d
123
=
23
E
1
d
123
=
32
E
1
d
132
=

23
1.269 10
4
=
32
1.269 10
4
=
Se observa tambin que los mdulos d
123
y d
132
tienen el mismo valor numrico, como corresponde a la
condicin de simetra del tensor . La deformacin angular del elemento corresponde a un
desplazamiento del mbolo a lo largo del eje 3 de:
x
3
2
23
l = x
3
2.131 10
7
= m
Y el volumen de tinta inyectado en una gota es:
2013-2014
223
Vol x
3
R
2
= Vol 2.417 10
14
= m
3
es decir, alrededor de una cienmilsima de milmetro cbico, que es suficiente para producir, sobre papel
satinado, un punto de un dimetro de unas decenas de micras, con el que el cabezal puede alcanzar una
resolucin de 600 ppp (puntos por pulgada).
________________________________________________________________________________
6.22
Los materiales cermicos piezoelctricos se emplean como sensores de presin hidrosttica (p.ej. para
determinar la profundidad de inmersin de un submarino midiendo la presin hidrosttica que ejerce el
agua). En esta aplicacin (presin hidrosttica) las componentes del tensor de tensiones estn dadas por:
ij ij
p =
Para la construccin de un sensor de presin hidrosttica en forma de cubo, con las caras cortadas
perpendicularmente a los ejes cartesianos convencionales, se dispone de tres materiales monocristalinos:
A) turmalina (clase 3m), cuyos mdulos piezoelctricos son:
dA
22
3.40 10
13
= dA
15
3.71 10
12
= dA
31
3.50 10
12
= dA
33
1.87 10
12
= C/N
B) cuarzo (clase 32), cuyos mdulos piezoelctricos son:
dB
11
2.30 10
12
= dB
14
0.67 10
12
= C/N
C) y clorato sdico NaClO
3
(clase 23), cuyo mdulo piezoelctrico es:
dC
14
2.07 10
12
= C/N
Decidir cul o cules de estos materiales son adecuados para construir un sensor de presin 1.
hidrosttica.
En caso de que ms de un material sea adecuado, elegir el que produzca la mayor polarizacin 2.
elctrica (no es preciso calcular la seal elctrica como diferencia de potencial, slo la magnitud de
la polarizacin elctrica) para una presin de p 10
6
= Pa (representativa de una profundiad de
aprox. 100 m).
Para el material seleccionado, representar esquemticamente en la figura correspondiente los ejes 3.
cartesianos convencionales, el sensor (cubo) e indicar entre qu caras se medir la seal elctrica
(nota: las caras se numeran con el ndice del eje cartesiano al que son perpendiculares, es decir las
caras "i" son perpendiculares al eje cartesiano "i").
2013-2014
224
A) Turmalina
B) Cuarzo
2013-2014
225
C) Clorato sdico
Sol.: para presin hidrosttica,
el tensor de tensiones dado es:

p
0
0
0
p
0
0
0
p

Y en notacin de Voigt
(indicado por el subndice "v"):

v
p
p
p
0
0
0

La estructura de la matriz de mdulos piezoelctricos (igualmente en notacin de Voigt) para cada uno
de los materiales se obtienen de las tablas correspondientes. Los valores numricos son los dados en el
enunciado:
d
Av
0
dA
22

dA
31
0
dA
22
dA
31
0
0
dA
33
0
dA
15
0
dA
15
0
0
2 dA
22
0
0

d
Bv
dB
11
0
0
dB
11

0
0
0
0
0
dB
14
0
0
0
dB
14

0
0
2 dB
11
0

d
Cv
0
0
0
0
0
0
0
0
0
dC
14
0
0
0
dC
14
0
0
0
dC
14

P dW
G G

Para el efecto piezoelctrico directo, la polarizacin se calcula con el producto:


para cada uno de los materiales:
P
A
d
Av

v
P
B
d
Bv

v
P
C
d
Cv

v

2013-2014
226
P
A
0
0
2 dA
31
p dA
33
p

= C/m
2
P
B
0
0
0

= C/m
2
P
C
0
0
0

= C/m
2
P
A
0
0
8.87 10
6

= C/m
2
En consecuencia el nico material que produce seal (polarizacin elctrica, medible como diferencia de
potencial entre dos caras opuestas) es la turmalina. La polarizacin aparecer en direccin 3 y se medir
entre las caras perpendiculares a este eje. La posicin convencional de los ejes cartesianos es:

x,

y
z
u

x,

y
z
u

_________________________________________________________________________________
2013-2014
227
6.23
Se desea estudiar si los jugadores de ftbol pueden sufrir lesiones a largo plazo como consecuencia de
cabecear el baln. Para ello, se realizan ensayos haciendo impactar un baln de reglamento sobre un
dummy, tal y como se representa en el esquema:
La cabeza del "dummy" contiene un acelermetro constituido por un paraleleppedo de material
piezoelctrico (ZnO) colocado de manera que el eje 3 (en la orientacin convencional) coincide con la
direccin 3' en la cual tiene lugar el impacto.
Expresar las componentes del vector polarizacin del piezoelctrico en funcin de la aceleracin 1.
(suponer que la aceleracin nicamente tiene componente no nula en la direccin 3).
En uno de los ensayos, se miden los siguientes valores de polarizacin (C/m
2
) en funcin del tiempo 2.
(s). Calcular los valores de la aceleracin a(t) para cada par de valores del tiempo y de la
polarizacin que aparecen en las siguientes tablas:
tiempo
i
0
2 10
3

4 10
3

6 10
3

8 10
3

10 10
3

= Polarizacin
i
0
4.43 10
7

3.65 10
8

6.89 10
10

9.86 10
8

7.45 10
8

=
3. Un factor que se usa en la prctica para estimar la probabilidad de que se produzca una lesin es el
HIC (Head Injury Criteria), que se define como:
HIC t
1
t
0

( )
1
9.8 t
1
t
0

( )

t
0
t
1
t a t ( )

2.5
=
donde a(t) es la aceleracin en cada instante t (ms
-2
), y t
0
y t
1
son los tiempos inicial y final (s).
Calcular el factor HIC para el ensayo del apartado anterior.
2013-2014
228
Datos: Estructura del ZnO: Hexagonal, clase 6mm. Densidad del ZnO:
ZnO
5605 = kg/m
3
.
Dimensiones del piezoelctrico: l
1
0.003 = m; l
2
0.005 = m; l
3
0.002 = m; mdulos piezoelctricos
del ZnO: d
31
5.12 10
12
= C/N, d
33
12.3 10
12
= C/N; d
15
8.3 10
12
= C/N.
Sol.:
1) Como la aceleracin nicamente tiene componente no nula en la direccin 3, a
3
, la nica componente
del tensor de tensiones a considerar es el elemento
33
o
3
en notacin de Voigt. Para la clase
hexagonal 6mm, las correspondencias entre los mdulos piezoelctricos son: d
31
= d
32
; d
33
; d
15
= d
24
.
Aplicando la ecuacin del efecto piezoelctrico directo y considerando que el tensor de tensiones slo
tiene componente no nula
3
, se obtienen las siguientes componentes del vector de polarizacin:
1
0 P =
2
0 P =
3 33 3
P d =
Y expresando el tensor de tensiones en funcin de la aceleracin, se obtiene:
3 3 1 2 3 3
3 33 3 33 33 33 33 3 3
1 2 1 2 1 2
F Ma l l l a
P d d d d d l a
l l l l l l
= = = = =


2) Tanto para la polarizacin como para la aceleracin, nicamente la componente 3 es no nula.
Reordenando la expresin del apartado 1), se obtiene la aceleracin en funcin de la polarizacin:
3
3
33 3
P
a
d l
=

lo que permite calcular las aceleraciones:


a
3
Polarizacin
d
33
l
3

ZnO

= acel a
3
=
acel
0.0
3212.9
264.7
5.0
715.1
540.3

= m/s
2
Puesto que la aceleracin se conoce en forma tabular, en el clculo del factor HIC se calcula la integral
numricamente, p.ej. con la frmula del trapecio:
1
0
( )
t
t
I a t dt =

t tiempo
2
tiempo
1
=
t 2 10
3
= s
I
1
2
t acel
1
2
2
5
i
acel
i

+ acel
6
+

=
I 8.94 =
Sustituyendo en la expresin dada en el enunciado, el valor para HIC que se obtiene es de:
2013-2014
229
HIC 10 10
3
0
( )
1
9.8 10 10
3
0
( )

2.5
= HIC 794 =
__________________________________________________________________________________
6.24
Una fibra de nylon-6, de longitud L y de seccin circular cilndrica de radio R, medidos a la temperatura
de procesado T
p
, es estirada durante el procesado en caliente a lo largo de su eje de simetra. Los
coeficientes de dilatacin trmica
ij
expresados en los ejes convencionales son conocidos. Al enfriarse
a temperatura ambiente T
a
el volumen de la fibra ser:
Sol.: una fibra orientada uniaxialmente tiene
11

22
=
33
. El volumen final de la fibra ser:
R
2
L 1 2
11

33
+
( )
T
a
T
p

( )
+

__________________________________________________________________________________
6.25
Un elastmero es un material elstico no lineal para el que la relacin entre la tensin de traccin y la
elongacin relativa est dada por:
( ) E
1

=
donde la elongacin relativa es la relacin entre la longitud deformada y la longitud sin deformar. Para
una pieza dada de cierto elastmero, una carga produce una elongacin relativa de
1
1.12 = . Cul
ser la elongacin relativa de la misma pieza y del mismo material para una carga doble?
Sol.: para la primera carga se cumple:
Para una carga doble:
( ) E
1

=
2 2 1 1 2 1 2 2 2 2
2 1 2 1
1 1 1 1
2 2 2 E E


= = = =


Es decir:
2
1

2
2
2
1
1

1
2

= 2
1
1

1
2

0.646 =
Esta ecuacin resultante se resuelve, p.ej. por el mtodo de Newton-Raphson,
2013-2014
230
f ( )
1

2
2
1
1

1
2

= fprima ( ) 1
2

3
+ =
partiendo de una aproximacin inicial:

0
1 =

1

0
f
0
( )
fprima
0
( )
=
1
1.215 =

2

1
f
1
( )
fprima
1
( )
=
2
1.266 =

3

2
f
2
( )
fprima
2
( )
=
3
1.268 =
Tomando este ltimo valor como correcto con tres cifras significativas, resulta:
3
= 1.268 =
__________________________________________________________________________________
6.26
Una aplicacin reciente de los materiales cermicos piezoelctricos es la construccin de transfor-
madores elctricos muy ligeros, y que no necesitan componentes magnticos ni bobinados. El principio
de funcionamiento est ilustrado en la figura. Dos discos de materiales piezoelctricos diferentes, A y B
estn en contacto mecnico, pero elctricamente aislados entre s. El conjunto est colocado en una
estructura rgida e indeformable ("yugo") que mantiene constante el espesor conjunto de los dos discos.
Cada uno de los discos tiene contactos elctricos en las caras circulares. El voltaje a transformar (V
A
), se
aplica entre las dos caras del disco A (primario). Como consecuencia del efecto piezolctrico inverso el
espesor de este disco se modifica del valor original h
A
a un nuevo valor h
A
' , y por tanto somete a
compresin al disco B (secundario). En consecuencia, por efecto piezoelctrico directo, entre las caras
del disco B aparece un voltaje transformado V
B
, que en general es diferente de V
A
.
Para esta aplicacin suelen usarse cermicas PZT policristalinas tanto para el primario como para el
secundario. Ambos discos son, desde el punto de vista mecnico, materiales homogneos e istropos.
Como piezoelctricos, ambos son homogneos y han sido polarizados perpendicularmente a sus caras
circulares.
Todas las propiedades fsicas de los materiales (constantes dielctricas K, mdulos piezoelctricos d,
mdulos elsticos E
Young
, etc), las dimensiones (radios R , espesores h) y la seal de entrada V
A
son
conocidas.
2013-2014
231
0
A
V =
0
B
V =
yugo indeformable
A
B
A
B
A
h
B
h
A
h

B
h

A
V
B
V
sin aplicar voltaje
con voltaje aplicado
A
B
piezoelctrico A (primario)
piezoelctrico B (secundario)
0
A
V
0
B
V
0
A
V =
0
B
V =
yugo indeformable
A
B
A
B
A
h
B
h
A
h

B
h

A
V
B
V
sin aplicar voltaje
con voltaje aplicado
A
B
piezoelctrico A (primario)
piezoelctrico B (secundario)
0
A
V
0
B
V
En primera aproximacin considerar que el material del disco B tiene un mdulo elstico muy inferior al
de A y que ste se deforma libremente al aplicar V
A
(el disco B no opone resistencia a la variacin de
espesor del disco A; el disco A se deforma como si B no existiera, y el disco B se ve forzado a ocupar el
espacio restante en el yugo). Tener en cuenta adems que las deformaciones son muy pequeas.
Determinar:
a qu clase pertenecen los materiales A y B?
representar los ejes convencionales para los discos A y B
Calcular en funcin de las variables (propiedades fsicas, geometra, mdulos, etc) que consideres
necesarias:
el espesor h
A
' , del disco A (primario) al aplicar V
A
.
la tensin que esta deformacin del primario causa en el disco B (secundario)
V
B
(la diferencia de potencial que aparece entre las caras del secundario debido a esta tensin) y la
relacin de transformacin, es decir, V
B
/V
A
.
Solucin 1: al ser los PZT policristalinos y polarizados en una direccin, tienen un eje de orden infinito
e infinitos planos que contienen al eje de orden infinito. Son de clase m .
Para esta clase, el eje convencional 3 es en la direccin de polarizacin (en este caso perpendicular a las
caras circulares) y los ejes convencionales 1 y 2 estn contenidos en el plano de la cara circular).
El voltaje aplicado produce un campo elctrico:
2013-2014
232
1
2
3
0
0
A
A
E
E E
E
V
h





= =






,
Para calcular la deformacin de A se aplica la ley constitutiva del efecto piezoelctrico inverso,
para el campo aplicado y para la matriz de mdulos piezoelctricos de la clase m :
[ ]
15
3 15 3 31 3 31 3 33
31 31 33
0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0
A
A A A A
A A A
d
E d E d E d E d E d
d d d



= = =



,
,

3 3 33
A A A A A
h h h E d = =
( )
3
1
A A A
h h = +
La variacin del espesor del disco A es:
B A
h h = y el espesor del disco B disminuye en la
misma cantidad:
Esta variacin del espesor es el efecto fsico esencial para el funcionamiento del transformador. La
deformacin axial del disco B es:
3 33
3 3
A A B A
B A
B B B
h E d h h
h h h
= = =


Esta deformacin es consecuencia de una fuerza en direccin axial en el disco B, y con ello una tensin

3
de mdulo:
3 3 3 33
A
B B B B A
Young Young B
h
E E E d
h
= =
Por el efecto piezoelctrico directo, esta tensin hace aparecer una polarizacin (momento dipolar /
volumen) en B de:
3 33 3 33 3
B B B B B B
Young
P d d E = =
(**)
y un dipolo elctrico entre las caras planas paralelas de B (direccin 3):
( ) ( )
2 2
3 3
B B B B B B
P R h P R h
(*)
que corresponde a una carga elctrica entre las caras del disco (condensador plano paralelo):
( ) ( ) ( )
2 2 2
3 3
0
B B B B B B B
B B B B B
B B
B
P R h P R h R
Q C V K V
h h
h

= = =

donde
0
es la permitividad dielctrica del vaco.
33 33
0
B A B
B
Young
A B
E d d
V
V K
=
De esta expresin se obtiene la diferencia de potencial entre
las caras del disco B y la relacin de transformacin:
2013-2014
233
2) El problema puede hacerse algo ms rigurosamente teniendo en cuenta tambin la deformacin
transversal (= radial). En este caso, bajo la suposicin de que el disco B se deforma siguiendo
exactamente la deformacin del disco A, la deformacin transversal (= radial, en cualquier direccin
contenida en el plano 1-2) de B es la misma que la de A, es decir:
1 1 2 2 1
B A B A A
; = = =
1 2 3 1 1 3
0 0 0 0 0 0
A
B B B B A A A
B
h
h

= =



,

Esta deformacin produce en B (usando la matriz de rigidez para el material mecnicamente istropo B)
un estado de tensin mecnica:
( )
( )
( )
( )
( )
11 12 12
11 12 1 12 3
12 11 12
1
11 12 1 1
1
12 12 11
3
11 12
11 12
11 12
0 0 0
0 0 0
0 0 0
0
0 0 0 0 0
0
2
0
0 0 0 0 0
2
0 0 0 0 0
2
B B B
B B B B B
B B B
B
B B B
B
B B B
B
B
B B
B B
B B
c c c
c c c
c c c
c c c
c c c
c c
c c
c c




+ +



+ +






= =

2 3
12 1 11 3
2
0
0
0
B B
B B B B
c c





+







B B B
P d =
,
,


Y por efecto piezoelctrico directo:
( )
( )
( )
( )
11 12 1 12 3
11 12 1 12 3
15
12 1 11 3
15
31 31 33
31 11 12 33 12 1
31 12 33 11 3
0 0 0 0 0 0
2
0 0 0 0 0 0
0
0 0 0
2 2
0
2
0
B B B B B
B B B B B
B
B B B B
B B
B B B
B B B B B B
B B B B B
c c c
c c c
d
c c
P d
d d d
d c c d c
d c d c

+ +



+ +




+



= =





+ + +




+



,


Y el resto del problema es idntico, sustituyendo la tercera componente de la polarizacin en vez de (**)
en la expresin (*).
__________________________________________________________________________________
2013-2014
234
6.27
Dados los coeficientes de expansin trmica
ij
de la circonia tetragonal, y sabiendo que el coeficiente
de expansin volumtrica de un material est definido como el cociente del incremento fraccional de
volumen y el incremento de temperatura:
V
V
T
, el coeficiente de expansin volumtrica de la circonia
tetragonal es:
Sol.: para todas las clases tetragonales, hay slo dos coeficientes de expansin trmica (propiedad de 2
orden simtrica) diferentes:
11
(
22
=
11
) y
33
con lo que el coeficiente de expansin volumtrica
resulta:
11 33 22 33
2 2
ii
ii
V
V
T T
= = = + = +



__________________________________________________________________________________
6.28
Un polmero piezoelctrico tiene morfologa semicristalina. Para su uso como sensor piezoelctrico de
aceleracin (acelermetro) en un vehculo, es preciso polarizarlo primero, sometindolo a un campo
elctrico entre las caras A, como se indica en la parte izquierda de la figura .
De la lmina polarizada se corta un cubo de manera que sus caras A, B y C sean respectivamente
paralelas a las caras A, B y C de la lmina (parte central de la figura).
Finalmente se adhiere rgidamente al vehculo por la cara sombreada en la parte derecha de la figura, y
sobre el sensor se coloca otro cubo de las mismas dimensiones de un metal de alta densidad, que acta
como masa inerte (est aislado elctricamente del sensor), y cuya nica funcin es aumentar la respuesta
del sensor.
Se desea que el sensor reaccione a aceleraciones perpendiculares a la cara C.
En funcin de las propiedades fsicas, geometra, y dems variables que se consideren necesarias,
determinar entre qu caras (A, B o C) se debe medir la seal,
calcular la respuesta elctrica (diferencia de potencial V; slo el valor, el signo no es necesario) que
da el sensor, como consecuencia de la aceleracin.
2013-2014
235
Sol.: el piezoelctrico se polariza en la direccin del campo elctrico al que se somete. Esta direccin es
un eje de orden y el material pertenece a la clase m . La estructura de sus mdulos piezoelctricos
es:












Para esta clase, el eje de orden es el de la direccin de polarizacin, unos ejes convencionales
cartesianos en los que es vlida esta estructura son, por ejemplo:
u otros cualesquiera rotados en torno al eje 3.
Una aceleracin en la direccin perpendicular a las caras C produce una tensin mecnica normal
2
(en notacin de Voigt). Al aplicar la ley constitutiva del efecto piezoelctrico directo:
P d =
,
,


2013-2014
236
aparece una polarizacin elctrica en
direccin 3, y la seal se debe medir entre
las caras A del sensor.
La magnitud de la seal se obtiene igual que en problemas anteriores, con la nica modificacin de que a
la masa del sensor hay que sumarle la masa inerte:
( )
( )
3
3 31 2 31 2
2
3 4
3 31 3 0
P M
P M
L a
P d d
L
L
L P d L a QL C VL K VL
L


+
= =
= + = = =
( )
2
31
3 0
P M
d L a
V
K

+
=
de donde se obtiene la seal:
Anlogamente, una aceleracin en la direccin perpendicular a las caras A produce una tensin
mecnica tangencial
4
(en notacin de Voigt). Al aplicar la ley constitutiva del efecto piezoelctrico
directo resulta:
( )
( )
3
2 24 4 24 2
2
3 4
2 24 2 0
P M
P M
L a
P d d
L
L
L P d L a QL C VL K VL
L


+
= =
= + = = =
de donde se obtiene la seal que hay que medir entre las caras C:
( )
2
24
2 0
P M
d L a
V
K

+
=
Por ltimo, una aceleracin en la direccin perpendicular a las caras B produce una tensin mecnica
tangencial
6
(en notacin de Voigt). Al aplicar la ley constitutiva del efecto piezoelctrico directo
resulta:
1 2 3
0 P P P = = =
y el sensor no produce ninguna seal: V 0 =
__________________________________________________________________________________
6.29
Un disco de freno est fabricado de un material compuesto de una matriz cermica (A), policristalina,
isotrpica, y de fibras (B) de carbono orientadas paralelamente entre s, y paralelas a las caras del disco,
2013-2014
237
como se indica en la figura. Las dimensiones del disco a temperatura ambiente son Ri 0.12 m y
Re 0.22 m; y todas las componentes del coeficiente de dilatacin trmica expresado en los ejes
convencionales del material son conocidas:
11
1.6 10
5
u K
-1
,
22
1.6 10
5
u K
-1
y

33
7.7 10
5
u K
-1
. Durante una frenada el disco sufre un calentamiento T 600 K respecto
de la temperatura ambiente. La deformacin causada por la dilatacin del material compuesto obedece
a la ley:
T H D '
Determinar cul es la variacin relativa (incremento de radio dividido por radio inicial), debida al
calentamiento, del radio del taladro interior medido en la direccin de las fibras.
Sol.: el material es de la clase lmite

mm
y la direccin de las fibras es la direccin convencional 3. La
variacin relativa del radio interior en esa direccin es:
33
i
i
R
T
R
'
' D T
33
0.046
__________________________________________________________________________________
6.30
Se construye un sensor de profundidad en forma de cubo de lado L 1.5 10
3
m, con las caras
cortadas perpendicularmente a los ejes cartesianos convencionales, a partir de un material cermico
(Ba Ti O
3
) policristalino polarizado.
Se conocen sus mdulos piezoelctricos: d
15
3.25 10
12
C/N, d
31
2.95 10
12
C/N y
d
33
1.49 10
12
C/N, y sus constantes dielctricas: K
1
500 y K
3
250 .
Determinar el mdulo de la seal (en voltios) que se medir para una profundidad de 200 m (presin
hidrosttica p 2 10
6
Pa).
Dato:
0
8.85 10
12
F/m
2013-2014
238
Sol: la cermica policristalina polarizada es de la clase m y est sometido a una tensin (presin
hidrosttica) que produce un momento dipolar. Se trata de una aplicacin del efecto piezoelctrico
directo, que en Notacin de Voigt se escribe como :
15
15
31 33 31 31 33
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
0
2 0 0 0
0
0
p
p
d
p
P d d p
d d d d d





= = =



+




,

El vector polarizacin tiene slo componente 3, luego la seal se medir entre las caras 3 del sensor.
Procediendo como en los problemas anteriores y considerando el sensor como un condensador de
caras planas paralelas, se puede calcular la diferencia de potencial a partir de la carga acumulada entre
las caras 3 del sensor:
d
31
2.95 10
12
= C/N d
33
1.49 10
12
= C/N
P
3
p 2d
31
d
33
+
( )
= P
3
1.478 10
5
= C m/m
3
El sensor tiene un volumen de Vol 1.5 10
3

( )
3
= m
3
( Vol 3.375 10
9
= m
3
) y las caras 3 estn
separadas por una distancia de l
3
1.5 10
3
= m. La polarizacin P
3
corresponde a una carga:
Q
P
3
Vol
l
3
= Q 3.325 10
11
= C
Puesto que: A 1.5 10
3
1.5 10
3
= m
2
el cristal piezoelctrico es un condensador de capacidad:
C K
3

0

A
l
3
= C 3.319 10
12
= F
Y la seal elctrica, medida como diferencia de potencial entre las caras 3 del sensor, es:
V
Q
K
3

0

A
l
3

= V 10.020 = voltios
En este problema slo se pide el mdulo de la seal en voltios, el signo no hace falta ponerlo.
__________________________________________________________________________________
2013-2014
239
6.31
Un material cermico se usa como dielctrico en un condensador de alta capacidad. El dielctrico es
una lmina de dimensiones L x L x h situada entre las placas del condensador, con L 5 10
3
= m,
h 5 10
4
= m). Esta cermica se sintetiza en el laboratorio en forma de monocristales como el de
la figura, que tiene todos los elementos de simetra del material y puede usarse para determinar la clase.
Las componentes de la constante dielctrica K
ij
(prop. de segundo orden, simtrica) se conocen en
funcin de la temperatura (ver figura; en esta figura, los ndices de K se corresponden con los ejes
cartesianos convencionales). El condensador opera a 300 K.
La lmina de dielctrico est cortada del monocristal de manera que un vector unitario normal a las
caras cuadradas de la lmina forma un ngulo
1
48 = grados con el eje convencional 1, y un ngulo

2
55 = grados con el eje convencional 2. Determinar:
a qu clase pertenece el dielctrico. 1.
los valores de las componentes K
ij
a la temperatura de operacin. 2.
la capacidad del condensador, segn la frmula indicada. La constante dielctrica que es necesario 3.
usar para calcular C es la que corresponde a la direccin del vector unitario normal n.
11
K
22
K
33
K
0 n
A
C K
h
k =
K
11
K
22
K
33
K
0 n
A
C K
h
k =
K
2013-2014
240
Sol.: para calcular la capacidad del condensador slo se necesita calcular el valor de la constante
dielctrica K
n
en la direccin indicada. El material es ortorrmbico, de la clase mmm y la estructura de
la constante dielctrica es:
. .
str( K ) . .
. .
- (
(
= -
(
( -

Los valores de sus componentes se leen de la grfica:
y se aplica (ver propiedad de 2 orden en una direccin):
K
11
117 = K
22
55.5 = K
33
8.5 =
n i j ij
K n n K =
n
1
cos
1 ( )
= n
2
cos
2 ( )
= n
3
1 n
1
2
n
2
2
=
n
1
0.669 = n
2
0.574 = n
3
0.473 =
K
n
K
11
n
1
2
K
22
n
2
2
+ K
33
n
3
2
+ = K
n
72.54 =
2013-2014
241
La capacidad del condensador es: C K
n

0

L
2
h
= C 3.21 10
11
= F
__________________________________________________________________________________
6.32
Un elemento de la suspensin de un vehculo es un bloque cilndrico de un elastmero (caucho
sinttico) de altura h 0.22 = m y dimetro D 0.15 = m. Se especifica que cuando este
elemento se someta a una fuerza de compresin de F 5.2 10
4
= N (actuando sobre las bases
del cilindro), no debe reducirse su altura en ms de h 0.01 = m. La relacin entre tensin
mecnica de traccin y elongacin para este eslastmero est dada por:
2
1
( ) E


=


bajo carga
sin carga
h
h
=
donde la elongacin se define como:
Determinar qu mdulo E debe tener este material, como mnimo, para cumplir la especificacin dada.
Sol.: de los datos se obtiene inmediatamente la elongacin y la tensin (negativa por ser de compresin):

h h
h
= 0.955 =
F
D
2

4
= 2.943 10
6
=
Despejando el mdulo: E

= E 2.058 10
7
= Pa
__________________________________________________________________________________
2013-2014
242
6.33
Un proceso de fabricacin en serie de ejes macizos de nylon, de seccin circular, se basa en la
pultrusin, que consiste en extrusin seguida de estiramiento axial y corte, como se ilustra en la figura.
En este proceso el nylon sufre una deformacin grande en la direccin de estirado, lo que modifica
todas sus propiedades en esta direccin.
eje
direccin
de estirado
nylon
fundido
cuchillas de corte
eje
direccin
de estirado
nylon
fundido
cuchillas de corte
Las dimensiones del eje al terminar el proceso de pultrusin, a temperatura ambiente, son: radio
R 0.03 = m y longitud L 0.15 = m. En una aplicacin la temperatura de uso del eje est
T 120 = K por encima de la temperatura de fabricacin. La deformacin del nylon en funcin del
incremento de temperatura, medido desde la temperatura de fabricacin est dada por:
T =
donde los coeficientes de dilatacin trmica (en los ejes convencionales) son conocidos:

11
5.5 10
5
= K
-1
y
33
1.5 10
5
= K
-1
. Calcular el aumento relativo de volumen
(incremento de volumen dividido entre el volumen inicial) del eje causado por este cambio de
temperatura. Suponer pequea deformacin.
Sol.: el nylon procesado tiene un eje de orden infinito en la direccin de pultrusin. Este eje es el eje
cartesiano convencional 3, y el tensor de deformacin es:
11
11
33
0 0
0 0
0 0
T


=



1
i + j j

El aumento relativo de volumen, en pequea deformacin, est dado directamente por la traza del tensor
deformacin:
( ) ( )
( )
2
2
11 33 11 33 2
2 2 2
ii
R R L L R L
V R L
T
V R L R L
+ +

= + = + = = +


=


2
11

33
+
( )
T 0.015 =
__________________________________________________________________________________
2013-2014
243
6.34
Una microbomba de dosificacin de medicamentos es una membrana piezoelctrica esfrica llena
del fluido a dosificar (ver figura). Funciona contrayndose y expandindose al aplicarle un campo
elctrico E que es radial en todos los puntos de la membrana. Al expandirse, la bomba aspira fluido
del depsito a travs de la vlvula de no retorno V1, y al contraerse impulsa el fluido a travs de la
vlvula de no retorno V2. El campo elctrico se produce aplicando una diferencia de potencial entre
la cara interna y la cara externa de la membrana. La diferencia de potencial se hace variar
cclicamente de -T a +T voltios (parte B de la figura).
El material de la membrana consta de una matriz isotrpica en la que hay dispersas partculas de un
material piezoelctrico, que han sido polarizadas previamente como se indica con las flechas en la
parte B de la figura. El espesor H de la membrana es mucho menor que su radio R, es decir, H/R0.
calcular el tensor de deformacin en un punto cualquiera de la esfera cuando se aplican +T
voltios entre las caras interna y externa en funcin de los mdulos piezoelctricos, de T y de
las dems variables que se consideren necesarias, indicando con claridad los ejes del sistema al
que est referido el tensor ,
considerar una porcin A pequea y cuadrada de membrana (despreciando la curvatura de la
esfera) de lado L, y calcular la variacin relativa de su rea A/A debida a la deformacin lateral
del material de la membrana,
dado que la variacin relativa del rea de toda la esfera es igual al A/A anterior, calcular la
variacin R
lat
del radio de la esfera y con ste la variacin V
lat
del volumen de la esfera
debida slo a la deformacin lateral de la membrana,
calcular la variacin en el volumen de la esfera debida slo a la variacin en el espesor de la
membrana V
esp
,
calcular el volumen impulsado por la bomba cuando el potencial aplicado cambia de +T a -T
voltios (un ciclo de contraccin-expansin).
considerar pequea deformacin y, si es necesario, usar la aproximacin: (1 + x)
n


1 + nx para
|x|<<1.
H
V1
L
A
V2
R
A
E
H
B
A
E
T
depsito depsito
2013-2014
244
Sol.: el material tiene un eje de orden infinito en la direccin de polarizacin de las partculas
piezoelctricas, por ser invariante respecto de cualquier rotacin en torno a este eje. El eje de orden
infinito debe ser el eje convencional 3. En cada punto de la membrana este eje apunta en direccin
radial, igual que el campo elctrico aplicado:
Los otros dos ejes se pueden elegir arbitrariamente siempre que sean perpendiculares al 3 y
perpendiculares entre s. Las direcciones 1 y 2 son equivalentes en todas las propiedades, y el material
es transversalmente istropo.
Puesto que el material tiene infinitos planos de simetra que contienen al eje 3, y adems no tiene
simetra de vector axial, tpica de materiales con props. magnticas, pertence a la clase:
m
Para esta clase, la estructura de los mdulos piezoelctricos es:












Tiene tres mdulos independientes, d
31
, d
33
y d
24
. Para obtener el tensor deformacin causado por el
campo elctrico aplicado, basta multiplicar el vector campo elctrico por la matriz de mdulos
piezoelctricos (efecto piezoelctrico inverso):
i j ji
E d =
[ ]
1 3 31
2 3 31
24
3 3 33
3 24
4
31 31 33
5
6
clase : 0 0
0
0
0
E d
E d
d
E d
m E d
d d d






= =








con lo cual, el tensor de deformacin cuando se aplica una diferencia de potencial de T voltios es:
2013-2014
245
31
3 31
3 31 31
3 33
33
0 0
0 0
0 0 0 0
0 0
0 0
T
d
H
E d
T
E d d
H
E d
T
d
H



= =









1
i + j j
y similar pero con signo opuesto en las tres componentes cuando la diferencia de potencial es de -T
voltios.
De acuerdo con la orientacin de los ejes convencionales, una porcin de la superficie de la esfera, por
ejemplo de forma cuadrada, sufre una variacin relativa de rea (en pequea deformacin) dada por:
( ) ( )
2
11 22
11 22 11 2
1 1
2
L L L
A
A L


+ +

= + = =
31
11
2
2
Td A
A H


= =
Esta variacin relativa de rea es la misma para la superficie de toda la esfera, lo que implica:
2
2 2
31
11 2
4 4
2
2 1
4
final final
esfera
R R R
Td A
H A R R



= = = =



de donde la variacin en el radio de la esfera debida a la deformacin lateral es:
( )
11 11 11
1 2 1
final
lat
final
R R
R
R R R
R R

= + + = = =
31
11 lat
Td
R R R
H


= =
La variacin de volumen de la esfera debida a la deformacin lateral resulta entonces:
( )
3 3 3 3 3
11 3 3
1 1 1 3 1 3
final lat lat lat lat
R R R R R V R R
V R R R R

+
= = = + + =


=
31
11
3
3
lat
V Td
V V
H


= =
La variacin de volumen debida a la deformacin en el espesor es:
( )
3
3 3
3
1 1 1 3 1 3
esp esp esp esp esp
R R R V R R R
V R R R R
+
= = + + =


=
33 esp
R H = y, puesto que la variacin de espesor es:
33
3 3
esp esp
V R
H
V R R


= =
resulta una variacin de volumen:
2013-2014
246
33
3 0
esp
V
H
V R

= =
ya que H<<R
En resumen, la variacin en el volumen de la esfera es debida primordialmente a la contraccin o
expansin lateral del material de la membrana, y no a la variacin en el espesor de la membrana.
Mientras que el primer efecto es de orden de magnitud , el segundo es de orden de magnitud H /R,
despreciable frente al primero al ser el espesor mucho menor que el radio (H/R<<1). Esto tambin
implica que el valor de d
33
no influye en el resultado. Para fabricar una bomba piezoelctrica con este
diseo lo ideal es usar para la membrana un material que tenga el mdulo d
31
lo mayor posible. d
33
no
tiene influencia en la operacin de la bomba.
En este caso, pese a que el material de la membrana es anistropo, es transversalmente istropo, y la
deformacin de la bomba corresponde puramente a contraccin lateral, en el plano en el que el material
es istropo. Como consecuencia, la nica componente de que aparece en el resultado es la
transversal
11
, y la variacin relativa del volumen de la bomba, que es una membrana hueca, es el
mismo que tendra si fuera una esfera maciza de un material istropo: 3
11
. Este efecto es consecuencia
directa de la isotropa transversal del material de la membrana.
Si la bomba piezoelctrica fuera de pared gruesa (H no despreciable frente a R), las dos contribuciones
a la variacin de volumen seran importantes y el valor de
33
aparecera en el resultado e influira en el
diseo de la bomba.
En un ciclo de contraccin/expansin, el volumen de fluido impulsado por la bomba es el doble de la
variacin calculada anteriormente (la diferencia entre el volumen mnimo y el volumen mximo del
volumen encerrado por la membrana):
3
31
11
2 6 8
fluido lat
R Td
V V V
H


= = =
Puesto que las variaciones en el radio de la esfera son pequeas, el problema puede hacerse de modo
ms directo usando el primer trmino en los desarrollos en serie del volumen y de la superficie de la
esfera, (es decir, calculando cunto varan el volumen y la superficie de la esfera cuando el radio sufre
una variacin pequea) lo que es vlido por ser pequea deformacin:
( )
3
2
2
3
2
2
4
4 3
4 3
4
3
4
8
8 2
4
esfera
esfera
esfera
esfera
esfera
esfera
d R
V
dV R R
V R R R R R
dR dR V R
R
d R
A
dA R R
A R R R R R
dR dR A R R






= = = =


= = = =
=
=
De la segunda se obtiene directamente:
11 11
1 1 1
2
2 2 2
esfera
esfera
A
R A
R A A


= = = =
2013-2014
247
y con sta y la primera se obtiene directamente el mismo resultado que por el mtodo anterior:
31
11
3 3 3
lat
V Td R
V R H


= = =
__________________________________________________________________________________
6.35
Una pieza cbica maciza de lado L 0.02 = m de un material cermico monoclnico est cortada
de modo que sus aristas son paralelas a las direcciones de los ejes cartesianos convencionales. El
coeficiente de dilatacin lineal (tensor de 2 orden, simtrico) de este material, expresado en
forma de matriz es:

4.1 10
5

0
2.2 10
5

0
3.7 10
5

0
2.2 10
5

0
2.2 10
5

= K
-1
Determinar la variacin porcentual de volumen que sufre la pieza si su temperatura aumenta de
T
1
298 = K a T
2
456 = K, (suponer siempre pequeas deformaciones).
Sol.: la variacin relativa en volumen, sea cual sea la forma del objeto, es la traza (suma de los
elementos de la diagonal) del tensor deformacin, que se calcula segn la ley constitutiva:
ii ii
V
T
V

= =
T =
sustituyendo los datos, resulta: T
2
T
1

( )

1 1 ,

2 2 ,
+
3 3 ,
+ ( ) 100 1.58 = %
__________________________________________________________________________________
6.36
El hormign es un material compuesto con gran resistencia a compresin pero prcticamente nula
resistencia a traccin. En el caso de aplicaciones en las que el hormign debe soportar este ltimo
tipo de carga o solicitacin es posible recurrir al postensado. Tomando como ejemplo una viga de
seccin rectangular, el postensado consta de los siguientes pasos:
se prepara un molde o encofrado con la forma que debe tener la viga postensada,
se vierte el hormign adecuadamente homogeneizado de manera que los cables quedan
embebidos por la pasta y en caso necesario se vibra para eliminar defectos (huecos)
se deja fraguar el hormign
se aprietan los cables de acero permanentemente por medio de tensores hasta una fuerza dada.
2013-2014
248
De esta manera, la viga, en ausencia de carga, queda sometida a un nivel elevado de compresin,
de manera que en una aplicacin a traccin, si el diseo ha sido correcto, la tensin global sigue
siendo de compresin y la viga opera de modo satisfactorio.
En este problema se considera una viga de seccin transversal rectangular de dimensiones
l
1
0.2 = m y l
2
0.4 = m. El molde o encofrado tiene una longitud de l
3
10 = m. Los cables de
postensado son de acero con un mdulo elstico de E
c
50 10
9
= GPa y con una extensin
mxima (es decir aqulla por encima de la cual se produce la rotura) de
max
0.013 = . Para
tensionar la viga se emplean n
c
12 = cables de acero de dimetro D 0.01 = m. El mdulo
elstico del hormign a compresin es de E
h
3.3 10
9
= GPa y a extensin es 0 GPa. La viga de
hormign postensado se fabrica segn el procedimiento descrito ms arriba y se tensa
permanentemente con una fuerza de F 375000 = N.
Determinar, para la viga terminada,
su longitud L,
la fuerza que soportan los cables,
la tensin a la que estn sometidos los cables,
la fuerza que soporta el hormign,
la tensin a la que est sometido el hormign,
con qu fuerza mxima de traccin podr cargarse la viga sin que falle.
Solucin: en primer lugar se determina, de la seccin transversal de la viga (A), qu parte corresponde
a los cables (A
c
) y qu parte al hormign (A
h
):
A l
1
l
2
= A
c
n
c

4
D
2
= A
h
A A
c
= A 0.08 = m
2
A
c
0.001 = m
2
A
h
0.079 = m
2
Es decir, los cables de acero ocupan slo el
A
c
A
100 1.2 = % de la seccin transversal.
Tras el postensado, los cables ejercen sobre el hormign la fuerza F y, puesto que la viga est en
equilibrio mecnico, el hormign reacciona con la misma fuerza sobre los cables.
Los cables quedan alargados respecto de su longitud antes del postensado, es decir, estn sometidos
a tensin de traccin.
el hormign queda acortado respecto de su longitud antes del postensado, y por ello sometido a
tensin de compresin (esta situacin de compresin en el hormign es la deseada, ya que
contrarresta posteriores tensiones de traccin hasta un cierto lmite).
Para determinar la longitud de la viga, basta aplicar la ec. constitutiva, en este caso de elasticidad lineal
(Hooke) al hormign. La tensin a la que est sometido el hormign es de compresin y de valor:
2013-2014
249

h
F
A
h
=
h
4.74 10
6
= N/m
2
Su deformacin ser:
h

h
E
h
=
h
1.437 10
3
=
h
l
3
L
l
3
=
luego L l
3
1
h

( )
= L 9.986 = m, es decir, la viga se acorta l
3
L 0.014 = m
respecto de la longitud del molde.
La fuerza que soportan los cables es evidentemente igual a la del postensado, es decir
F 375000 = N y es igual a la que soporta el hormign. La tensin a la que estn sometidos los
cables es de traccin y de valor:

c
F
A
c
=
c
3.98 10
8
= N/m
2
Aunque las fuerzas que soportan el hormign y los cables son iguales, las tensiones (fuerza por
unidad de superficie) en ambos son muy diferentes, como corresponde a materiales con
mdulos elsticos muy diferentes.
Los cables tienen, tras el postensado, la misma longitud que el hormign L 9.986 = m, lo que
corresponde a una longitud antes del postensado de:

c
E
c
=
c
7.958 10
3
= L
c
L
1
c
+
= L
c
9.907 = m
En cuanto a la carga exterior mxima que puede soportar la viga, una vez que esta fuerza exterior de
traccin excede la fuerza de postensado, el hormign pasa de estar en estado de compresin a estado
de traccin (en el que aparecen tpicamente fisuras y grietas debidas a que el hormign pierde cohesin
y se desmorona). La viga sin embargo sigue soportando carga de traccin gracias a los cables del
postensado.
El mximo absoluto de traccin que puede soportar la viga postensada est dado por el mximo de
deformacin (extensin) que pueden soportar los cables.

max
0.013 =
max
E
c

max
=
max
6.5 10
8
= N/m
2
lo que corresponde a una fuerza de: F
c

max
A
c
= F
c
6.126 10
5
= N
Puesto que los cables soportan, incluso sin carga exterior, una fuerza de F 375000 = N (debida al
postensado), la fuerza o carga mxima exterior es la diferencia:
F
max
F
c
F = F
max
2.376 10
5
= N
__________________________________________________________________________________
2013-2014
250
6.37
Una fibra de un material istropo de mdulo de Young E y relacin de Poisson positiva se somete a
una tensin de compresin uniaxial
3
a lo largo del eje de la fibra. Si la muestra est confinada de
forma que no puede deformarse transversalmente (lateralmente), la deformacin axial es:
Sol.:

1
1 2 3
1 2 1 3
2
2 1 3
2
3 3 3
3 1 2 3
0
1
0
2
2 1
1 1
E E E
E E E
E E E E E E








= =

= =

= = +


= + = + =



_________________________________________________________________________________
6.38
Una probeta cilndrica de un material istropo de longitud L
0
y dimetro D
0
, se somete a un estado de
tensin mecnica tal que las componentes
i2
con i = 1, 2, 3 del tensor de tensiones son todas nulas.
Cul ser la nueva longitud de la probeta, si se hace coincidir el eje de la probeta con el eje 3
convencional?
Sol.: El material es istropo y la estructura de su matriz de complianza elstica es:










2013-2014
251
i ij j
s s = =
, ,

En notacin de Voigt el vector deformacin se calcula:


1
3
5
0
0
0





=






,
De acuerdo con el enunciado, el vector tensin es:
Multiplicando matriz por vector se calcula el vector deformacin del que interesa la
componente
3
para hallar la longitud final de la probeta:
11 1 12 3
12 1 12 3
12 1 11 3
55 5
0
0
s s
s s
s s
s


+

+


+
=






,
luego la longitud final es:
( ) ( )
0 3 0 12 1 11 3
1 1
final
L L L s s = + = + +
0 1 3
1
1
final
L L
E E



= +


_________________________________________________________________________________
6.39
Las resinas epoxi son la base de un grupo importante de adhesivos. Se obtienen haciendo reaccionar
diepxidos de alto peso molecular, como el siguiente (monmero A):
con triaminas de bajo peso molecular, como el
1,2,3-triaminopropano (monmero B):
Los grupos epxido y los grupos amino reaccionan de modo espontneo a temperatura ambiente segn:
Basndose en estos monmeros se desea fabricar un epoxi reticulado (P) que tenga un mdulo
2013-2014
252
elstico (no es el mdulo de Young) de E 5.5 10
5
= Pa. Este mdulo depende del grado de
reticulacin segn E n k
B
T = , donde k
B
1.38 10
23
= J/K es la constante de Boltzmann,
T 298 = K la temperatura absoluta y n el nmero de puntos de reticulacin por unidad de
volumen. La densidad final de P es 593 = kg/m
3
. Suponiendo que se aaden los monmeros
en cantidades estequiomtricas y que hay conversin total de todos los grupos funcionales de
ambos reactivos, es decir que no queda ningn grupo sin reaccionar, determinar:
qu cantidad de A (en kmol) es necesaria para obtener 1m
3
de epoxi reticulado 1.
qu cantidad de B (en kmol) es necesaria para obtener 1m
3
de epoxi reticulado 2.
cul ser el espesor de un disco de este adhesivo P que sin carga tiene un espesor de 3.
0.023 = m, cuando se le somete a una compresin de 1.3 10
5
= Pa.
La relacin elstica no lineal entre la tensin de traccin, correspondiente a una fuerza de traccin
en una direccin, y la elongacin relativa (relacin entre la longitud deformada y la longitud sin
deformar) en la misma direccin est dada por E
1

= .
Sol.:
Mw
B
3 14 2 + ( ) 2 12 2 + ( ) + 12 + 1 + = Mw
B
89 = kg/kmol
Mw
A
10 16 6 12 + 4 + 16 + 3 12 2 + ( ) + [ ] [ ]
12 2 + 16 + 12 + 1 + 12 + 2 + +
...
16 6 12 + 4 + 16 + 12 + 2 + 12 + 1 + 12 + 2 + 16 + +
...
= Mw
A
1722 = kg/kmol
Este problema se puede resolver de varios modos.

1. De la expresin dada del mdulo elstico se obtiene directamente el nmero de puntos de reticulacin
necesarios:

N
Av
6.023 10
26
= molculas/kmol n
E
k
B
T
= n 1.337 10
26
= puntos de reticulacin /m
3
De la reaccin de curado se deduce que cada molcula de B forma un punto de reticulacin (el punto
de reticulacin es el segundo carbono del monmero B, del que salen tres ramas). La figura siguiente
describe esquemticamente la situacin:
2013-2014
253
monmero A
monmero B
monmero A
monmero B
Se precisa este mismo nmero de molculas de B por metro cbico, lo que corresponde a:
N
B
n
N
Av
= N
B
0.222 = kmol de B/m
3
2. Tambin se puede determinar N
B
de modo alternativo a partir slo de la densidad: puesto que los
monmeros reaccionan en relacin molar A:B de 1.5:1, en 1m
3
hay un nmero N
B
de kmoles de B y
(3/2)N
B
de kmoles de A. Este nmero total de kmoles corresponde a una masa de
3
2
Mw
A
Mw
B
+ kg
por m
3
, de donde el nmero de kmoles de B es:

3
2
Mw
A
Mw
B
+
0.222 = kmol de B/m
3
En el epoxi reticulado, cada residuo monomrico de B (punto de reticulacin) est enlazado a tres
residuos monomricos de A. Y cada uno de esos residuos monomricos de A est compartido con otro
punto de reticulacin. Es decir, a cada punto de reticulacin le corresponden tres mitades de A, luego el
nmero de molculas de A que se necesitan es 3/2 el nmero de molculas de B.
3. Aunque no es necesario usarla en los clculos, si se insiste en trabajar con la UER, la UER ms
pequea (pueden tomarse tambin mltiplos de ella, que est formada por 2 residuos monomricos de
B y 3 de A) se indica esquemticamente en la figura:
A
A
A
B
B
A
A
A
B
B
UER
Como no hay prdida de masa en productos de bajo peso molecular en la reaccin de polimerizacin la
masa molecular de la UER es:
2013-2014
254
M
UER
2Mw
B
3Mw
A
+ = M
UER
5.344 10
3
=
Y en un m
3
habr N
UER

M
UER
= N
UER
0.111 = kmol de UER/m
3
Puesto que cada UER contiene 2 residuos monomricos de B y 3 de A, por m
3
se obtiene igualmente los
siguientes kmoles de A y de B:
N
A
3 N
UER
= N
B
2N
UER
=
N
A
0.333 = kmol de A/m
3
N
B
0.222 = kmol de B/m
3
4. Tambin puede razonarse teniendo en cuenta que todos los grupos funcionales deben reaccionar
(cantidades estequiomtricas). Puesto que A aporta dos grupos funcionales y B tres, las cantidades
(molares) de A y B deben estar en la relacin 3:2, luego:
N
A
3
2
N
B
= N
A
0.333 = kmol de A/m
3
Por ltimo, conociendo E y n, obtener implica hallar una raz de un polinomio cbico en , por
ejemplo por el mtodo de Newton-Raphson ( es de compresin, es decir, negativo):
f ( )
1


E
+ = fprima ( ) 1
2

3
+ =
partiendo de una aproximacin inicial:

0
1 =

1

0
f
0
( )
fprima
0
( )
=
1
0.921212 =

2

1
f
1
( )
fprima
1
( )
=
2
0.927055 =
Y tomando este ltimo valor como correcto con tres cifras significativas:
2
=
Luego el disco se acorta del espesor original 0.023 = a 0.0213 = m.
_________________________________________________________________________________
2013-2014

2013-2014
255
7 Propiedades de no
equilibrio: conductividades
y resistividades
generalizadas
7.1 Corriente de Fuga en Silicio Dopado
Una oblea de Si puro se dopa por difusin exponindola durante un tiempo determinado a
una atmsfera de vapor de fsforo de manera que la concentracin de ste en la superficie
de la oblea es fija y conocida. Considerando ionizacin completa del dopante, determinar:
1. el perfil de concentracin del dopante en funcin de la profundidad una vez terminado
el tratamiento, y
2. a temperatura ambiente, la corriente de fuga que circula entre dos tramos de dos pistas
paralelas de aluminio de longitud 20 m , de profundidad 35 m y que estn separadas
20 m sobre este sustrato de Si dopado.
Aluminio
Silicio
superficie
6
2 0 10 m l

=
6
2 0 10 m s

=
6
35 10 m h

=
capa lmite
1
x
d
o
p
a
d
o
d
e
c
r
e
c
i
e
n
t
e
2
x
3
x

Datos:
temperatura: 1430 K T =

2013-2014
256
concentracin superficial de fsforo:
20 3
3.1 10 tomos/cm
s
C =
duracin del tratamiento: 15 s t =
difusividad del P en Si a la temperatura del tratamiento:
12 2
2.0 10 m /s D

=
diferencia de potencial entre pistas: 1.3 V V = .
Solucin: la primera parte del problema corresponde a la difusin de un dopante en una
oblea de silicio (medio semi-infinito). El perfil de concentracin en funcin del tiempo y
de la profundidad est dado por:

20 1 1
0
0
( )
erf con 0 y 3.1 10
2
s
s
s
C C x x
C C
C C Dt

= = =



Al cabo de los 15 s t = de tratamiento, la capa lmite tiene un espesor:

5
4 2 10 m Dt

= =
El perfil de concentracin se determina calculando la concentracin de dopante para
cinco valores igualmente espaciados de la profundidad (medida desde la superficie) hasta
el espesor de la capa lmite (a mayores profundidades el dopaje es muy ligero y la
conductividad de la oblea ser aprox. la del Si intrnseco, es decir, muy baja comparada
con la de las partes dopadas). Es perfectamente aceptable tener en cuenta la contribucin a
la conduccin slo del espesor de Si entre la superficie y la capa lmite (20 micras) y no
hasta la profundidad total de las pistas (35 micras). El error que se comete es muy
inferior, por ejemplo, a la incertidumbre experimental en el valor de la difusividad.
La siguiente tabla se utiliza para calcular/interpolar el valor de la funcin error ( ) erf x
para cada valor del argumento x (esta tabla se seguir usando en problemas sucesivos):
x x x x
( ) erf x ( ) erf x ( ) erf x ( ) erf x

El perfil de concentracin resultante es:

3
1 1
20
-6 20
-6 20
-6 20
-6 20
profundidad, (m) ( ) (tomos/cm )
0 3.1 10
5 10 1.61 10
10 10 0.65 10
15 10 0.16 10
20 10 0.031 10
x C x






El problema puede hacerse igualmente considerando la profundidad total de la pista,
aunque de este modo se realizan clculos innecesarios. Uno de los objetivos del problema

2013-2014
257
es hacer uso del concepto de capa lmite e ilustrar su utilidad para estimar el alcance de un
tratamiento superficial por difusin.
Observando ahora la geometra dada, la intensidad que circula entre las dos pistas se
obtiene integrando las contribuciones a la intensidad del material a cada profundidad.
Puesto que el dopado vara con la profundidad, la movilidad de los portadores (electrones
en este caso) y la conductividad del material tambin variarn con la profundidad.
Cualitativamente, los perfiles de concentracin de dopante (y por tanto de portadores,
porque cada tomo de P (grupo V) proporciona 1 electrn de ms), de movilidad
electrnica y de conductividad son:
1
x
1
( ) C x
1
x
1
( )
n
x
1
x
1
( ) x

La variacin de la movilidad elecrnica con la concentracin total de dopantes para el Si a
300 K se lee de la siguiente grfica:
Concentracin total de impurezas (cm
-3
)
M
o
v
i
l
i
d
a
d

e
l
e
c
t
r
o
n
e
s

(
c
m
2
V
-
1
s
-
1
)

Se leen las cinco movilidades para las cinco concentraciones de dopante calculadas
(atencin, es doble escala logartmica) y, para cada profundidad, se determina la
conductividad de la oblea dopada usando la expresin
1 1 1
( ) ( ) ( )
n
x q x C x = :

2013-2014
258

1 1 1 1
-4 26 6
-6 -4 26 6
-6 -4 26 6
-6 -4 26 6
-6 -4 26
2 3
(m) ( ) (m /V s) ( ) (tomos/m ) ( ) (S/m)
0 90 10 3.1 10 0.45 10
5 10 93 10 1.61 10 0.24 10
10 10 95 10 0.65 10 0.091 10
15 10 110 10 0.16 10 0.028 10
20 10 166 10 0.031 10 0.00
n
x x C x x





6
8 10

La corriente total que pasa de una pista a la otra se puede obtener sumando las
contribuciones a cada profundidad (los elementos de espesor
1
d x se comportan como
resistencias en paralelo, todas sometidas a la misma diferencia de potencial y
contribuyendo cada una un di a la corriente total):
1
x
1
d x

pista
pista
di
s
l

La intensidad total se obtiene sumando (integrando) las contribuciones de todas las capas:

total 1 1 1
0 0 0
1 1
( ) ( )
1
( )
V l V
i di x x d x
s
s
x ld x


= = =


en la ley de Ohm se utiliza la resistencia de la capa diferencial de longitud s y de seccin
transversal
1
ld x . Puesto que la variacin de la conductividad se conoce slo en forma de
tabla, es preciso usar una frmula de integracin numrica. Por ejemplo la ms simple, la
regla trapezoidal con subintervalos de integracin iguales:
x
0
x
1
x
2
x
1 N
x
N
x
( ) f x
0
( ) f x
1
( ) f x
2
( ) f x
1
( )
N
f x

( )
N
f x



2013-2014
259

( )
( )
0
0 1 2 1
1 0 2 1 1
6 6 6 6 6 6
1 1
0
total 1 1
0
1
( ) ( ) 2 ( ) 2 ( ) 2 ( ) ( )
2
1
( ) 5 10 0.45 10 2 0.24 10 2 0.091 10 2 0.028 10 0.008 10
2
( ) 3.83 A
N
x
N N
x
N N
f x d x h f x f x f x f x f x
h x x x x x x
x d x
l V
i x d x
s

+ + + + +
= = =
+ + + +

= =


El resultado obtenido es una corriente enorme comparada con las que circulan en un
circuito microelectrnico tpico. Indica que la conductividad del semiconductor dopado es
apreciable y no asla las pistas unas de otras. En la prctica es necesario casi siempre
recubrir primeramente el sustrato semiconductor dopado con una capa de aislante (que
puede ser el mismo xido del semiconductor, por sus buenas cualidades como aislante, y
por la facilidad de fabricacin in situ) y luego depositar sobre esta capa aislante las pistas
metlicas conductoras.
________________________________________________________________________
7.2 Conductividad Elctrica (1)
Las componentes del tensor conductividad elctrica de un determinado monocristal
medidas en los ejes convencionales del material son las siguientes:
( )
1
6
6 0 0
0 4 0 10 m
0 0 10



=



1
i + j j

Se aplica un campo elctrico de mdulo 100 V/m E = a lo largo de la direccin [1 1 1]
del monocristal. Sabiendo que los parmetros de red son
9
1.02 10 m a

= ,
9
1.25 10 m b

= y
10
4.8 10 m c

= , determinar:
1. el sistema cristalogrfico al que pertenece el monocristal,
2. el vector densidad de corriente elctrica J ,
3. el ngulo formado por los vectores y E J ,
4. y la magnitud de la conductividad elctrica a lo largo de la direccin [1 1 1].
Sol: A la vista de la estructura de la matriz de una propiedad de 2 orden simtrica, como
es la conductividad elctrica, el monocristal pertenece al sistema ortorrmbico.
Aplicando la ley de Ohm inversa se puede calcular el vector densidad de corriente
elctrica J :
J E =
Slo falta conocer las componentes del campo elctrico E ; observando la figura
siguiente se obtienen las tres componentes del vector unitario en la direccin [1 1 1] para
la celda ortorrmbica cuyos parmetros de red se dan en el enunciado:

2013-2014
260
b
a
c
x
y
z
[ ] 111
1
2 2 2
2
2 2 2
3
2 2 2
a
n
a b c
b
n
a b c
c
n
a b c
=
+ +
=
+ +
=
+ +


E inmediatamente se determinan las componentes del campo elctrico:

1 1
2 2
3 3
60.60 V/m
74.26 V/m
28.52 V/m
E E n
E E n
E E n
= =
= =
= =

con lo que la densidad de corriente elctrica, expresada como un vector, resulta:

[ ]
6 4 2
6 0 0 60.60 3.636
10 0 4 0 74.26 2.971 10 A/m
0 0 10 28.52 2.852
J E



= = =



1
i + j j

El ngulo que forman el campo elctrico y la densidad de corriente elctrica se calcula a
partir del producto escalar:
cos 18.06
J E
J E

= =
El valor de la conductividad elctrica a lo largo de la direccin pedida ser (ver
propiedades de 2 orden en una direccin):

[ ]
( )
1
6
1 1 11 2 2 22 3 3 33 111
5.223 10 m
i j ij
n n n n n n n n

= = + + =
________________________________________________________________________
7.3 Diagonalizacin de Propiedades de 2 Orden
Simtricas (encontrar Ejes Principales)
Una muestra en forma de cubo de un material conductor tetragonal se somete a medidas
de resistividad elctrica y se obtiene el siguiente resultado:

16 0 0
0 10 6 m
0 6 10



=



1
i +
j j


2013-2014
261
Determinar cmo est cortada la muestra respecto de los ejes principales y expresar la
resistividad en estos ejes.
Solucin: la resistividad, expresada en el sistema de los ejes principales, debe tener forma
diagonal (ste es precisamente el criterio de definicin de los ejes principales). Para estas
tres direcciones especiales, que dependen de la simetra del material, no tuerce el
resultado de multiplicar J , es decir, el campo elctrico E ser colineal con la
densidad de corriente J . Para determinar las resistividades y las direcciones principales
es preciso resolver el problema de autovalores/autovectores:
E J J J = = =
Los autovalores se obtienen de la ecuacin secular:

2
16 0 0
0 10 6 0 (16 ) (10 ) 36 0
0 6 10

= =



y son: 16 , 16 y 4 = = =
Los autovectores asociados con estos autovalores se obtienen de:

1
1
2 3
2 3
2 3
0 0
cualquiera
16 (doble) 6 6 0
0
6 6 0
x
x
x x
x x
x x

= =

+ =

=


Como hay infinitas soluciones, se eligen 2 direcciones ortogonales entre s que cumplan la
condicin anterior, por ejemplo las definidas por los siguientes vectores unitarios:
1' 2'
1 2
0
1
16 0 y 16 2 / 2
0
2 / 2
u u




= = = =






,

Para el tercer autovalor se procede anlogamente:

1
1
2 3
2 3
2 3
12 0
0
4 6 6 0
0
6 6 0
x
x
x x
x x
x x

=
=

= =

=

+ =


y se elige un vector unitario que sea ortogonal con los dos anteriores:
3'
0
2 / 2
2 / 2
u


=



Estos son los vectores unitarios de la nueva base respecto de la vieja
para la cual se han medido los valores de resistividad del enunciado. Se comprueba que
forman un triedro a derechas. La matriz de giro del sistema original (viejo) al nuevo, en

2013-2014
262
el que la resistividad es diagonal, se construye colocando por filas los vectores de la base
nueva expresados en la base antigua, es decir:

1 0 0
0 2 / 2 2 / 2
0 2 / 2 2 / 2
L


=



La resistividad expresada en el sistema nuevo se obtiene como:

1 0 0 1 0 0
16 0 0 16 0 0
' 0 2 / 2 2 / 2 0 10 6 0 2 / 2 2 / 2 0 16 0
0 6 10 0 0 4
0 2 / 2 2 / 2 0 2 / 2 2 / 2
T
L L




= = =






1 1
i + i +
j j j j


que es efectivamente diagonal. Los valores de la resistividad en los ejes principales son
consistentes con el enunciado (material tetragonal), puesto que dos valores son iguales y
el tercero es diferente, como se ve en la estructura de un tensor de 2 orden simtrico
(resistividad elctrica) de un material tetragonal:
. .
.





En este caso los ejes principales encontrados guardan relacin con los ejes cristalogrficos
y con los ejes convencionales. Si el material es tetragonal (celda unitaria con ngulos de
90) las direcciones de los ejes cristalogrficos coinciden con los ejes principales y stos
con los ejes cartesianos en la orientacin convencional.
Representando los ejes antiguos (los originales) y los nuevos (principales =
convencionales) grficamente:

muestra

cristal
c
a
a

La muestra ha sido cortada del monocristal del material como se ilustra en la figura.
Tambin es posible identificar como direcciones cristalogrficas equivalentes , x y las

2013-2014
263
que definen la base del prisma tetragonal, planos {001},coincidentes con los ejes y .
La direccin es la del eje z cristalogrfico.
Los datos de resistividad tambin son consistentes con un material hexagonal o trigonal.
Con las medidas de resistividad disponibles no es posible diferenciar entre estas tres
alternativas. Los valores diferentes de las conductividades en las direcciones principales
indican que el flujo de electrones tiene lugar con mayor facilidad en unas que en otras. En
este caso, el material conduce mejor en la direccin al tener un valor menor de la
resistividad.
Los valores numricos negativos para algunas componentes de la resistividad no
representan ninguna contradiccin fsica. Los experimentos en los que se mide la
resistividad se realizan simplificadamente del siguiente modo:

fuente de alimentacin con la que se


impone una densidad de corriente elctrica
a travs de la muestra de la forma:
2
0
0
J J


=



J
medida de la diferencia de
potencial (campo elctrico)
entre las caras :
3
E
E
32
0 <

La componente 32 negativa de la resistividad implica que cuando la corriente aplicada en
la muestra es positiva (hacia +), se mide un campo negativo (hacia -). Sin embargo,
una vez que la resistividad est expresada en el sistema de direcciones principales, no
puede contener elementos (diagonales) negativos que implicaran un flujo de carga en
contra de la fuerza impuesta por el campo elctrico.
________________________________________________________________________
7.4 Semiconductor Intrnseco (1)
La densidad de portadores intrnsecos para un determinado elemento semiconductor del
grupo IV a 300K es
16 3
1.4 10 portadores/m
i
n = . Si la densidad del elemento es
3
2800 kg/m = y su masa atmica es 51 kg/kmol, determinar el porcentaje de tomos
de este elemento que se encuentran ionizados a 300 K
tomos ionizados
100
tomos totales



.
Sol.: el nmero de tomos ionizados por metro cbico coincide con la densidad de
portadores intrnsecos. Los tomos totales por metro cbico se calculan teniendo en
cuenta la densidad y la masa atmica del elemento:

2013-2014
264

3
28 A
3 3 3
N 10 t. tomos totales kg 1 kmol tomos totales
2800 3.307 10
m m 51 kg 1 kmol m

= =
Por lo que el porcentaje de tomos ionizados es:

16
11
28
tomos ionizados 1.4 10
100 100 4.23 10 %
tomos totales 3.307 10

= =


________________________________________________________________________
7.5 Semiconductor Intrnseco (2)
Sabiendo que la resistividad elctrica de un determinado semiconductor intrnseco a
300C es 7.95 m , determinar la separacin (en eV) entre los niveles energticos
correspondientes a la banda de valencia y a la banda de conduccin para dicho material.
Datos a temperatura ambiente (300K):

15 3 2 2
n p
1.1 10 portadores/m ; 0.720 m /V s; 0.015 m /V s
i
n = = =
Solucin: la diferencia de energa (
g
E ) entre las bandas de valencia y conduccin en un
semiconductor intrnseco se calcula a partir de la expresin de la conductividad elctrica
en funcin de la temperatura (
5
8.62 10 eV/K
B
k

= , es la constante de Boltzmann):

0
exp( 2 )
T g B
E k T =
Conocidos los valores de conductividad a dos temperaturas diferentes, se puede
determinar
g
E :

573 573
300 300
2 1 1
exp ln
1 1 2 573 300
573 300
g
B
g
B
E
k
E
k




= =






La conductividad elctrica del semiconductor intrnseco a temperatura ambiente (300K)
se calcula a partir de los datos del enunciado:

( ) ( )
1
4
300
1.294 10 m
i n p
n q

= + =
y la conductividad a 573K a partir del dato de resistividad:
( )
1
573
573
1
0.126 m


= =
por lo que simplemente sustituyendo se determina el valor de
g
E :

5
4
2 8.62 10 0.126
ln 0.75 eV
1 1 1.294 10
573 300
g
E


= =





________________________________________________________________________

2013-2014
265
7.6 Conductividad Elctrica (2)
Se dispone de un cristal ortorrmbico para el que se conocen los valores de las
componentes del tensor conductividad elctrica
ij
en las direcciones convencionales.
Determinar el mdulo de la densidad de corriente elctrica cuando se aplica un campo
elctrico de 100 V/m en la direccin [1 0 1] en un punto del cristal ortorrmbico.
Datos: parmetros de red 0.125 nm, 0.180 nm y 0.455 nm a b c = = =
y las conductividades elctricas medidas en los ejes convencionales
( ) ( ) ( )
1 1 1
5 5 5
11 22 33
4 10 m , 2 10 m y 5 10 m


= = =
Solucin: de acuerdo con la ley de Ohm inversa J E = las componentes del tensor
densidad de corriente elctrica en un punto del cristal se calculan multiplicando matriz por
vector. Primero se calculan los cosenos directores de la direccin [1 0 1] y con ello las
componentes del campo elctrico:
a
c
x
y
z
[ ] 1 0 1
1
2 2
2
3
2 2
0
a
n
a c
n
c
n
a c
=
+
=
=
+
b



[ ]
5 2 3 2
4 0 0 0.2649 1.0596
10 0 2 0 10 0 0 10 A/m
0 0 5 0.9643 4.8215
J E



= = =



1
i + j j

El mdulo del tensor densidad de corriente elctrica ser:

3 2
4.937 10 A/m J

=
________________________________________________________________________
7.7 Dopaje de una Oblea de Silicio (1)
La conductividad de una oblea de silicio se aumenta mediante dopaje con tomos de
fsforo. Para ello, el fsforo se difunde en la oblea de silicio a una temperatura de
1100C, de modo que la resistividad elctrica medida a una profundidad de
6
4 10 m

y a
una temperatura de 27C sea 0.055 m. Suponiendo que inicialmente la oblea de silicio
no contiene ninguna impureza y que la concentracin de tomos de fsforo en la
superficie es
23 3
10 tomos/m , determinar el tiempo necesario para efectuar el dopaje.

2013-2014
266
Datos:
17 2 2 2
1100C n(300K) p(300K)
3 10 m /s; 0.135 m /V s; 0.048 m /V s D

= = =
Considerar la oblea de silicio como un medio semiinfinito.
Sol: se trata de un problema de difusin y el perfil de concentracin de dopante es:

1 1
erf
2
s x
s
C C
x
C Dt


=



Se necesita calcular previamente la concentracin de dopante
1
x
C a la profundidad
1
x .
Al dopar la oblea de silicio con tomos de P, se obtiene un semiconductor extrnseco tipo
n (no homogneo), cuya resistividad elctrica a la profundidad dada vendr determinada
por la concentracin de impurezas precisamente a esa profundidad:

1
20 3
1 1 1
8.418 10 tomos/m
n d x
n n n
n N C
q n q


= = = = = =
Sustituyendo en el perfil, y usando la tabla de la funcin error, se despeja 38230 s t = .
________________________________________________________________________
7.8 Dopaje de una Oblea de Silicio (2)
Se difunde fsforo en una oblea gruesa de Si puro a una temperatura de 1000C. Si la
concentracin de tomos de fsforo en la superficie de la oblea es de
27 3
1 10 tomos/m ,
calcular cunto tiempo se necesita para que la concentracin del agente dopante sea de
23 3
4 10 tomos/m a una profundidad de 1 m .
Datos:
4 2
0
3.9 10 m /s; 353 kJ/mol; 8.314 J/mol K D Q R

= = =
Sol.: el tiempo solicitado se determina a partir del perfil de concentraciones para la
difusin de un dopante en un medio semiinfinito:

1 1
0
erf
2
s x
s
C C
x
C C Dt



En esta ecuacin son conocidos
1
0
, y
s x
C C C y falta por determinar el coeficiente de
difusin que, de acuerdo con una ecuacin de Arrhenius, viene dada por:

4 18 2
0
353000
exp 3.9 10 exp 1.276 10 m /s
8.314 1273
Q
D D
RT


= = =



Sustituyendo,
( )
1
27 23
27
0
1 10 4 10
0.9996 erf
1 10
s x
s
C C
x
C C


= = =


e interpolando en la tabla de la funcin error, se obtiene el argumento x y finalmente el
tiempo pedido:
( )
( )
2
6
2
4 1
2 2 18
1 10
erf 0.9996 2.52 3.086 10 s
4 4 2.52 1.276 10
x
x x t
x D

= = = = =


________________________________________________________________________

2013-2014
267
7.9 Dopaje de una Oblea de Silicio (3)
Si se difunde boro en una oblea de silicio puro a una temperatura de 940 C durante 6 h,
cul es la profundidad bajo la superficie a la que la concentracin de los tomos de boro
es de
16 3
10 tomos/cm , si la concentracin en la superficie es de
18 3
10 tomos/cm ?
Leer el valor de la difusividad de boro en silicio de la siguiente grfica.
D
i
f
u
s
i
v
i
d
a
d
,

c
m
2
/
s
12
13
14
15
16
17
10
10
10
10
10
10

7 8 9 11 10
-1
10000
K
T

Sol.: la profundidad solicitada corresponde exactamente al espesor de la capa lmite, es
decir, la profundidad a la que la concentracin de dopante es el 1% de la concentracin en
la superficie: 4 Dt = . El coeficiente de difusin o difusividad de boro en silicio se
determina grficamente, entrando con la inversa de la temperatura absoluta a la que se
realiza el proceso de difusin:

-1
10000
940 273 1213 K 8.24 K T
T
= + = =
y leyendo
14.5 2 15 2 19 2
10 cm /s 3.16 10 cm /s 3.16 10 m /s D

= = = . Al sustituir resulta

19 7
4 4 3.16 10 6 3600 3.31 10 m Dt

= = =
________________________________________________________________________
7.10 Semiconductor Dopado
Como es sabido, la conductividad de los semiconductores depende de la temperatura y de
la presencia de impurezas. Se dispone de un determinado semiconductor intrnseco
formado por tomos de un elemento X cuya configuracin electrnica es similar a la del
grupo IV. Con el objeto de aumentar su conductividad elctrica, una oblea de este
material puro (X) se dopa con tomos de un elemento E.
Determinar:
1. La densidad volumtrica del semiconductor intrnseco X,
3
X
(kg/m ) , sabiendo que
su estructura cristalina es como la del silicio.

2013-2014
268
2. La temperatura a la que una millonsima parte de los tomos del semiconductor X
6
(10 tomos)

se encuentran ionizados.
3. La concentracin de portadores intrnsecos,
3
(portadores/cm )
i
n , a 323K.
4. El grupo de la tabla peridica al que podra pertenecer el elemento E, si cuando el
semiconductor X se dopa con una concentracin de E de
16 3
5 10 tomos/cm , el valor de
la conductividad elctrica, medida a 323K, es aproximadamente
3 1
1.4 10 ( m)

.
Suponer que los tomos de la impureza estn totalmente ionizados.
5. La contribucin de los portadores minoritarios a la conductividad del semiconductor
dopado a esa temperatura
minoritarios
minoritarios mayoritarios
100



+

.
Datos:
X X
60 kg/kmol 0.145 nm Mw R = = . Utilizar las grficas que se adjuntan.
C
o
n
c
e
n
t
r
a
c
i

n

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

i
n
t
r

n
s
e
c
o
s

n
i
(
p
o
r
t
a
d
o
r
e
s
/
c
m
3
)

Figura 1 Variacin de la concentracin de portadores intrnsecos con la inversa de
la temperatura absoluta para tres semiconductores diferentes (X, Y, Z).

2013-2014
269
M
o
v
i
l
i
d
a
d

d
e

p
o
r
t
a
d
o
r
e
s

a

3
2
3

K

(
c
m
2
/
V

s
)
Concentracin total de impurezas (tomos/cm
3
)
20
10
18
10
16
10
14
10
0
500
1000
1500
electrones
huecos

Figura 2 Variacin de la movilidad de portadores de carga en el semiconductor X a
323 K con la concentracin total de impurezas.
Solucin:
1. La densidad volumtrica del semiconductor intrnseco X, sabiendo que su estructura
cristalina es como la del silicio (tipo blenda de cinc), se calcula teniendo en cuenta que en
cada celda de lado a hay 8 tomos de X, es decir:

9
10 X
X
3 X
X 3 26
8 1 8 0.145 10
3 4 6.697 10 m
2 3 3
8
2656.5 kg/m
6.023 10
R
a R a
Mw
a


= = = =

= =


2. En un semiconductor intrnseco se cumple:

electrones huecos tomos ionizados i
n n n n = = =
y slo hay una millonsima parte de los tomos de X que estn ionizados, segn el
enunciado. Como la concentracin total de tomos de X es de 8 tomos por celda de
volumen
3
a , se obtiene una concentracin de portadores de carga:
6 22 3 16 3
t. ioniz. 3 3
t. ioniz. 8 t. tot.
10 2.663 10 t. ioniz./m 2.663 10 port./cm
t. tot. m
i
n n
a

= = = =

La Figura 1 representa la concentracin de portadores intrnsecos
i
n en funcin de la
temperatura. La temperatura a la que una millonsima parte de los tomos de X se
encuentran ionizados se lee entrando en la Figura 1 con esta concentracin de portadores
(es escala logartmica y se lee en la lnea correspondiente a X):

16 3
1000
2.663 10 port./cm abscisa 2 500 K
i
n T
T
= = =
3. La concentracin de portadores intrnsecos a 323K se lee en la misma figura:

1 13 3
1000
abscisa 3.09 K ordenada 5.41 10 port./cm
323

=

2013-2014
270
4. El semiconductor X se dopa con el elemento E (
16 3
5 10 tomos/cm ) de forma que
la conductividad extrnseca, prcticamente slo debida a los portadores mayoritarios
(dopado tipo n o tipo p), a 323K es
3 1
1.4 10 ( m)

:

tipo n portadores mayoritarios electrones
tipo p portadores mayoritarios huecos
n n n
p p p
n q
p q


= =
= =

Las movilidades de electrones y huecos se obtienen en la Figura 2 entrando por la abscisa
(escala logartmica) con la concentracin total de impurezas
16 3
5 10 tomos/cm y
leyendo la ordenada de cada curva (escala lineal):

2 2
883 cm /V s y 367 cm /V s
n p
= =
Si el semiconductor fuera tipo n, la concentracin de portadores sera:
3
22 3 16 3
19 4
1.4 10
9.91 10 electrones/m 9.91 10 electrones/cm
1.6 10 883 10
n
n
n
n
q

= = = =


y la relacin entre el nmero de electrones y el nmero de tomos de E:

16
16
9.91 10
1.98 2
5 10


con lo que E es un tomo del grupo VI: cada tomo de impureza aporta 2 electrones.
La posibilidad de que el semiconductor fuera tipo p se descarta con un razonamiento
anlogo:

3
23 3 17 3
19 4
17
16
1.4 10
2.38 10 huecos/m 2.38 10 huecos/cm
1.6 10 367 10
huecos 2.38 10
4.76 5
tomos E 5 10
p
p
p
p
q

= = = =

= =


No existe un tomo E con 5 huecos. Luego se trata de un semiconductor extrnseco tipo n.
5. Para hallar la contribucin de los portadores minoritarios a la conductividad del
semiconductor extrnseco tipo n, a 323K, se necesita calcular la concentracin de huecos
(portadores minoritarios):

( )
2
13
2
10 3 16 3
16
minoritarios minoritarios
3
minoritarios mayoritarios extrnseca
16
minoritarios
extrnseca
5.41 10
2.95 10 huecos/cm 2.95 10 huecos/m
9.91 10
100 100 100
1.4 10
2.95 10 1.
100
i
n
n
n p
n
p
n
p q

= = = =

=
+

=
=
19 4
5
3
6 10 367 10
100 1.24 10 %
1.4 10


________________________________________________________________________

2013-2014
271
7.11 Conductividad Trmica (1)
Para determinar la conductividad trmica de un monocristal se aplica el siguiente
gradiente de temperatura, cuyas componentes en las direcciones y tienen el mismo
valor numrico y la componente en la direccin es cero:

c
c
0
T


=




En estas condiciones se mide un flujo de calor que presenta tres componentes distintas,
ninguna de las cuales es nula. A cul de las siguientes clases cristalogrficas puede
pertenencer el monocristal?
2 mm
2/ m
42m
6
32
43m
Sol: aplicando la ley de Fourier y sustituyendo los datos del enunciado:

1 11 12 13
2 12 22 23
13 23 33 3
c
c
0
q k k k
q k T q k k k
k k k q


= =





resultan las componentes del flujo de calor, distintas y ninguna nula:

1 11 12
2 12 22
3 13 23
c c
c c
c c
q k k
q k k
q k k
=
=
=

Teniendo en cuenta las posibles estructuras del tensor conductividad trmica (propiedad
de orden 2, simtrica) slo dos sistemas cristalogrficos cumplen la condicin anterior:
monoclnico y triclnico. De las opciones dadas, el monocristal slo puede pertenecer a la
clase 2/ m .
________________________________________________________________________
7.12 Conductividad Trmica (2)
Un determinado material cermico utilizado en recubrimientos para hornos cristaliza en el
sistema tetragonal, siendo las componentes del tensor conductividad trmica en las
direcciones convencionales las siguientes:

-1 -1 -1 -1
11 33
1.90 Wm K y 2.50 Wm K k k = =

2013-2014
272
Si las dimensiones de la celda tetragonal son 2.5 nm a = y 5.0 nm c = , determinar la
conductividad trmica a lo largo de la direccin [0 1 1] .
Sol.: se trata de calcular el valor de una propiedad de segundo orden simtrica ( k ) de un
material tetragonal en una direccin dada. Los cosenos directores de la direccin [0 1 1]
en una celda tetragonal son:
a
c
x
y
z [ ] 011
1
2
2 2
3
2 2
cos90 0 n
a
n
a c
c
n
a c
= =
=
+
=
+
a


Por lo que
[ ]
2 2 2 -1 -1
1 11 2 11 3 33 011
2.38 Wm K
i j ij
k n n k n k n k n k = = + + = .
________________________________________________________________________

7.13 Viscosidad Lubricante Sinttico
En la mayora de los lubricantes sintticos, se aade un polmero como aditivo a un aceite.
La adicin del polmero hace que el lubricante tenga una viscosidad variable y
dependiente del mdulo de la velocidad de deformacin ` :

( )
0.6
3
5 10 Pa s

= ` `
Este aceite se usa como lubricante entre un casquillo fijo y un eje de las dimensiones que
se indican en la figura. El eje gira a una velocidad de 120 rpm y se considera que es
concntrico con el casquillo
1
. La holgura entre ambos es de 200 m =

1
en realidad el eje debe ser excntrico para conseguir el efecto de lubricacin hidrodinmica. En el problema
del eje excntrico el material lubricante no est sometido a un gradiente de velocidad espacialmente
uniforme, es decir, no es un problema homogneo y no pertenece a esta asignatura, sino a Mecnica de
Fluidos o Mecnica.

2013-2014
273
10 L cm =
eje
casquillo fijo
pelcula de lubricante
6 R cm =

El lubricante polimrico es no newtoniano y obedece a la ley constitutiva del fluido
newtoniano generalizado:

( )
= ` `
Teniendo en cuenta que R < , calcular:
1. el par resistente necesario para hacer girar el eje en estado estacionario,
2. la potencia consumida por disipacin viscosa.
Sol.: puesto que la holgura es mucho menor que el radio del eje o del casquillo, se puede
despreciar la curvatura. El campo de velocidad en estado estacionario, con
eje
v en m/s y
en rad/s , es:

eje
v R =



eje
casquillo fijo
pelcula de lubricante
2
1 1 2 3
2 1 2 3
3 1 2 3
( , , )
( , , ) 0
( , , ) 0
x
v x x x R
v v x x x
v x x x


el gradiente de velocidad simetrizado tiene la siguiente estructura:
( )
0 / 0
/ 0 0
0 0 0
T
R
v v R




= + =



1
` `
i +
j j

y su mdulo es:

-1
1 1
: 3770 s
2 2
T
ij ij
R

= = = = ` ` ` ` `
A la velocidad de giro dada, la viscosidad del lubricante polimrico se calcula:

( )
3 0.6
5 10 3770 35.7 Pa s

= = `
y la estructura del tensor de tensiones es:

2013-2014
274

( )
( )
( )
0 / 0
/ 0 0
0 0 0
R
R




= =




`
1
1
` ` ` i +
i + j j
i +
j j

De acuerdo con la definicin de tensin para fluidos
21
es negativo, lo que es consistente
con que la fuerza de resistencia viscosa del lubricante al giro del eje acta en sentido -
sobre una superficie cuya normal exterior apunta en sentido +:




eje
(material positivo)
pelcula de lubricante
(material negativo)
fuerza
n

Puesto que toda la superficie exterior del eje est sometida a esta misma tensin
tangencial, y la fuerza de resistencia viscosa es perpendicular al radio del eje, el par
resistente total es:

( )
3
2 306 N m M R L

= = `
Y la potencia disipada por viscosidad del lubricante:

( )
2
3
2 3.85 kW M R L

= = `
________________________________________________________________________

7.14 Viscosidad Recubrimiento Superficial
Para aplicar un recubrimiento superficial acrlico de alta resistencia de espesor 1mm =
y de color verde se prepara una emulsin en agua de polivinilalcohol (PVOH) y acetato
de polivinilo (PVAc).
El pigmento a utilizar es sesquixido de cromo
2 3
Cr O . La concentracin de pigmento es
del 36 % en masa del total. Del resto, el 50 % en masa es agua y el 50 % es polmero. La
composicin de la fase polmero es de 80 % en masa de PVOH y el resto PVAc.
La aplicacin del recubrimiento se lleva a cabo a brocha segn el esquema que se adjunta.

2013-2014
275

La viscosidad de la emulsin depende de la velocidad de deformacin ` y de la fraccin
volumtrica de slidos (pigmento en este caso) de la siguiente manera:

( )
( )
0.62
1 2.5
, 3.24
1 3.1

+
=
+
`
`

donde es la viscosidad en Pa s, ` el mdulo de la velocidad de deformacin en
1
s

y
la fraccin volumtrica de slidos.
Calcular la viscosidad del recubrimiento lquido en el momento de ser aplicado y una vez
depositado el recubrimiento (puntos B y A en el esquema). Qu utilidad prctica puede
tener la diferencia en viscosidades?
Densidades:
2 3 2
3
Cr O PVOH PVAc H O
= 5210 = 1090 = 1180 y = 1000 kg/m .
Sol.: el mdulo de la velocidad de deformacin en el punto B, igual que en el problema
anterior, es:

-1
3
0.1
100 s
10
v


= = = `
La fraccin volumtrica de slidos en la emulsin, tomando como base de clculo 100 kg
de emulsin, es:

2 3
2 3 2
Cr O
Cr O H O PVOH PVAc
36

0.102
36 32 32 0.8 32 0.2


= =

+ + +

Entonces, la viscosidad del recubrimiento en el momento de su aplicacin (punto B) es:

( )
, 0.12 Pa s = `
y una vez depositado (punto A), es decir, en reposo, no hay velocidad:
( ) 0, 4.07 Pa s =
________________________________________________________________________

2013-2014
276
7.15 Termoformado
El termoformado es una tcnica de procesado muy extendida en la que una lmina de
material polimrico calentada por encima de su temperatura de transicin vtrea se
deforma por efecto del vaco, de un pistn o de ambos a la vez. El termoformado se utiliza
con mucha frecuencia para fabricar recipientes, envases y pequeos contenedores.
P
lmina de PS
aire aire
F
pistn
D
tope


En un proceso de fabricacin de envases cilndricos de poliestireno (ilustrado en la figura)
el pistn, que avanza sin molde hasta un tope, tiene un dimetro exterior 0.07 m D = . A
los 0.3 s t = del comienzo del avance del pistn, el espesor de la pared de PS en el punto
P de la figura es 0.0013 m = y el campo de velocidad (denominado campo de velocidad
"extensional plano") en dicha pared est dado por:

1 1 2 3 1
2 1 2 3
3 1 2 3 3
( , , )
( , , ) 0
( , , )
v x x x x
v x x x
v x x x x

=
=
=
`
`

con
-1
34 s = ` ,
referido a un sistema de coordenadas cartesiano centrado en P y con los siguientes ejes:
eje en la direccin radial del pistn,
eje en la direccin tangencial del pistn y
eje en la direccin de avance del pistn.
Por su parte, la viscosidad del PS fundido a la temperatura de trabajo depende del mdulo
del tensor velocidad de deformacin, ` en
1
s

, y obedece a la siguiente relacin:



( )
( )
5
0.6
1
5.11 10 Pa s
1 8.2

=
+
`
`


2013-2014
277
El tensor de tensiones en el PS fundido depende de la viscosidad y de ` segn la
siguiente ec. constitutiva (fluido newtoniano generalizado):

( ) ( )
( )
( )
Pa
T
v v = = + ` ` `
Determinar:
1. la viscosidad del PS en el punto indicado y en ese momento,
2. la fuerza (viscosa, de "resistencia") que ejerce el PS sobre el pistn en ese momento (y
que es una de las contribuciones a la fuerza que debe realizar el pistn para avanzar
deformando la lmina).
Sol.: la viscosidad depende del mdulo del tensor velocidad de deformacin. ste es el
tensor gradiente de velocidad simtrico o simetrizado:

[ ] ( )
0 0 2 0 0
0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 2
T
v v v





= = + =



` `
1
` `
i +
j j
` `

y su mdulo, usando el convenio de sumacin sobre ndices repetidos, es:

1 1
:
2 2
T
ij ij
= = ` ` ` ` `
O bien, sin utilizar el convenio de sumacin de ndices repetidos, se obtiene una expresin
con 9 trminos, que en este caso se reduce a:

( )
3 3
2 2 2 2 1
11 33
1 1
1 1
( ) ( ) ( ) 4 68 s
2 2
ij
i j


= =

= = + = =

` ` ` ` `
Sustituyendo en la expresin de la viscosidad:
( )
4
1.15 10 Pa s = `
Para calcular la fuerza que ejerce el polmero fundido sobre el pistn se debe, en primer
lugar, obtener el tensor de tensiones en el PS por medio de la ecuacin constitutiva dada:

( )
( )
( )
2 0 0
781033 0 0
0 0 0 0 0 0 Pa
0 0 781033
0 0 2






= = =




` `
1
` `
i + j j
` `

La componente
11
no es nula y corresponde a la fuerza ejercida en direccin sobre una
superficie cuya normal apunta en direccin , es decir, la superficie libre del fluido.
Tiene que ser igual a la presin ejercida por la atmsfera, es decir, la referencia o cero de
tensin normal. Esto implica que la tensin
33
debe medirse o calcularse relativo a este
cero, es decir, a su valor debe restrsele el de
11
. Fsicamente refleja el hecho de que, al
estar la superficie libre en equilibrio, la presin atmosfrica iguala a la componente (o
componentes) diagonal de que corresponde(n) a una superficie libre. La tensin a
realizar es el valor correspondiente, p.ej.
33
en este caso, medido desde la presin

2013-2014
278
atmosfrica, que es, en este caso, igual a
11
. Igualmente la componente
22
debe ser
corregida y corresponde en realidad a una tensin
22 11
781033 Pa = , cuyo signo
indica que en direccin perifrica (eje ) existe un estado de traccin o depresin (en la
literatura, para este tipo de geometra, la componente
22
de la tensin se denomina "hoop
stress").
P
aire
aire
fuerza viscosa ejercida por el
PS en su seccin transversal
pistn
fuerza ejercida por el pistn sobre el fondo de la
lmina de PS
corona circula
de ancho


La fuerza total (viscosa, de "resistencia") que ejerce el PS sobre el pistn (ver figura) se
obtiene multiplicando la tensin (que es constante en toda la seccin) por el rea en la
seccin transversal del cilindro (corona circular) de PS en el punto P :
( )
2 2
33 11
455 N
2 2
D D
F


= + =






________________________________________________________________________

7.16 Polimetacrilato de Metilo Fundido Sometido a
Tensin Tangencial
Considerar dos placas paralelas de rea A separadas por una distancia 3 mm D = , de
modo que D es pequea en comparacin con cualquier dimensin de las placas para
evitar el efecto de borde. Entre las placas hay polimetacrilato de metilo fundido, a una
temperatura de 190 C. Si una de las placas se deja en reposo mientras la otra se mueve
con velocidad constante V en una direccin paralela a su propio plano, en condiciones
ideales, el fluido sufre un movimiento deslizante puro. Si la tensin tangencial aplicada es
de 100 kPa , determinar la velocidad de la placa mvil.

2013-2014
279
Nota: utilizar la grfica adjunta para obtener la viscosidad del polimetacrilato de metilo.
Tensin Tangencial (Pa)
V
i
s
c
o
s
i
d
a
d

(
P
a

s
)

Sol.: hay que aplicar la ley constitutiva del fluido newtoniano generalizado:

( ) ( )
( )
( )
Pa
T
v v = = + ` ` `
Sabiendo que el campo de velocidad en estado estacionario en 2D es (ver problema 7.13):

( )
( )
1 1 2 2
2 1 2
,
, 0
V
v x x x
D
v x x
=
=

se determinan la estructura del tensor ` y la tensin tangencial aplicada; y despejando : V

21
21 12
0
0
V
D V
D
V
V D
D



= = = =




1
`
i +
j j

Finalmente con el dato de la viscosidad que proporciona la grfica (
4
4 10 Pa s ) se
obtiene la velocidad pedida:

5 3
3 21
4
10 3 10
7.5 10 m/s
4 10
D
V


= = =


________________________________________________________________________


280
7.17
En general, la conductividad elctrica de un termistor de semiconductor cermico vara como (A, B son
constantes positivas, T es la temperatura absoluta):
a) A exp BT ( ) b) A
B
T
c)
A
B T +
d) A
B
T
+ e) A exp
B
T


Sol: la conductividad elctrica de un semiconductor vara como A exp
B
T

.
_________________________________________________________________________________
7.18
En un semiconductor intrnseco del grupo IV, la concentracin de electrones a T
1
300 = K es de
n
i1
2.2 10
18
= electrones/m
3
y a T
2
400 = K es de n
i2
4.7 10
19
= electrones/m
3
. Calcular la
concentracin de electrones a T
3
350 = K.
Sol: en un semiconductor intrnseco, las concentraciones de portadores y de huecos son iguales entre s
y varan con la temperatura siguiendo una ley de Arrhenius:
n
i1
Ae
Q
T
1
= n
i2
Ae
Q
T
2
=
dividiendo miembro a miembro:
n
i1
n
i2
e
Q
1
T
1
1
T
2

= de donde: Q ln
n
i2
n
i1

T
1
T
2

T
2
T
1

=
Q 3.674 10
3
= y A vale: A n
i1
e
Q
T
1
= A 4.583 10
23
= electrones/m
3
La concentracin de electrones a T
3
es A e
Q
T
3

1.265 10
19
= electrones/m
3
_________________________________________________________________________________
7.19
Se difunde un gas en una oblea gruesa de silicio durante t 10800 = s(tres horas), a una temperatura de
T 1273 = K. Si D
0
2.0 10
5
= m
2
/s y Q 142 10
6
= J/kmol, cul ser la profundad de la capa lmite?
2013-2014
281
Sol.: la constante de difusin a 1000 C (1273 K) se calcula a partir de la ley de Arrhenius. Con
R 8.314 10
3
= J/kmol K: D D
0
e
Q
R T
= , D 2.98 10
11
= m
2
/s y el espesor de la capa lmite es:
4 D t 2.269 10
3
= m.
_________________________________________________________________________________
7.20
Para fabricar parte de un componente electrnico (transistor de efecto de campo o FET) se parte de una
oblea de Si que se somete a oxidacin en un horno con atmsfera que contiene oxgeno de manera que
se forma una capa superficial de SiO
2
. A continuacin se extrae del horno y se deposita sobre la capa
de xido un electrodo plano de aluminio.
Para un clculo simplificado, se supone que el espesor de la capa de SiO
2
es de r 0.25 = veces el
espesor de la capa lmite de difusin del oxgeno en Si.
Calcular:
el espesor de la capa aislande de SiO
2
,
si el substrato de Si est a tierra, el voltaje mximo al que se puede poner el electrodo metlico sin
que haya rotura dielctrica del aislante.
Datos:
Difusividad del oxgeno en Si a la temperatura del horno: D 7.3 10
15
= m
2
/s
Tiempo de exposicin de la oblea en el horno: t 120 = s
Rigidez dielctrica de la slice = 8 V/milsima de pulgada
Concentracin de oxgeno en la superficie de la oblea en el horno: C
s
1.3 10
20
= tomos/m
3
Concentracin inicial de oxgeno en el Si: C
0
5.2 10
10
= tomos/m
3
Sol.: el espesor de la capa lmite es: 4 D t = y de acuerdo con el enunciado, el espesor de la
capa de xido ser
h r = h 9.359 10
7
= m
El aislante es slice, cuya rigidez dielctrica es 8 V/milsima de pulgada, luego

es el campo mximo que puede soportar sin fallar como aislante:
E
max
8
0.0254 10
3

=
E
max
3.15 10
5
= V/m
2013-2014
282
Conocido el espesor de la capa de aislante ( h 9.359 10
7
= m), el voltaje mximo que se puede
establecer entre el substrato y el conductor es de:
V
max
E
max
h = V
max
0.295 = voltios
El valor de la concentracin inicial de oxgeno en el Si es tan bajo (diez rdenes de magnitud que C
S
),
que puede despreciarse. Si a pesar de sto se hace el clculo teniendo en cuenta el valor de C
0
, el
resultado numrico que se obtiene es idntico en las primeras 9 cifras decimales.
_________________________________________________________________________________
7.21
Un material A inicialmente puro (considerado como un slido semi-infinito) se enriquece con un
dopante B, exponindolo a vapor durante t 3 = horas a una temperatura de T 900 = C. A qu
profundidad x
1
se tendr una concentracin C
x1
3 10
22
= tomos/m
3
, si la concentracin en la
superficie es C
S
2 10
24
= tomos/m
3
? Para la difusin de B en A, el factor pre-exponencial es
D
0
2 10
5
= m
2
/s, y la energa de activacin es Q 150 10
3
= J/mol.
Sol: Aplicando la ecuacin de Arrhenius, la constante de difusin a la temperatura de trabajo es:
D D
0
exp
Q
8.314 T 273 + ( )

= D 4.18 10
12
= m
2
/s
1 1
0
erf
2
s x
s
C C
x
C C Dt


A partir de la ecuacin del perfil de concentraciones
C
S
C
x1

C
S
0
0.985 =
Interpolando en la tabla de la funcin de error se obtiene el argumento:
1 1
0
erf 1 72
s x
s
C C
x x .
C C


= =


Y para obtener la profundidad:
4
1 1
2 3600 7 309 10 m x x D t x .

= =
_________________________________________________________________________________
2013-2014
283
7.22
Los hidrogeles de silicona suponen la ltima revolucin en ingeniera de materiales para lentes de
contacto. Considerando que la concentracin de oxgeno en la superficie de la lentilla es de un
y
s
21 = % en volumen y el espesor de la lente de contacto h 0.07 = mm, determinar la
concentracin de oxgeno (% en volumen) que llega a la crnea al cabo de t 1 = s de colocarse la
lentilla sobre el ojo. Datos: D
O2_hidrogel
4.06 10
9
= m
2
/s. Considerar la lente de contacto como
un medio semiinfinito exento inicialmente de oxgeno.
erf
2
s h
s
y y h
y Dt

=


Sol: a partir de la ecuacin del perfil de concentraciones:
se despeja la nica incgnita que es la concentracin de oxgeno en la crnea:
y
h
1 erf
h 10
3

2 D
O2_hidrogel
t

y
s
= y
h
9.183 = % en volumen
_________________________________________________________________________________
7.23
Un semiconductor del grupo IV est dopado con N
V
1.1 10
20
= tomos/m
3
de un dopante del grupo
V del sistema peridico, y con N
III
7.1 10
22
= tomos/m
3
de un dopante del grupo III. La
concentracin intrnseca de portadores del semiconductor es n
i
2.2 10
17
= portadores/m
3
. Las
movilidades de electrones y huecos, a temperatura ambiente, en funcin de la concentracin total de
impurezas estn representadas en el diagrama. Usar exclusivamente este diagrama para leer las
movilidades.
Determinar, a temperatura ambiente y suponiendo siempre ionizacin total de los dopantes:
el tipo (electrones o huecos) y concentracin (por m
3
) de los portadores mayoritarios 1.
la concentracin (por m
3
) de los portadores minoritarios 2.
la movilidad de los portadores mayoritarios 3.
la movilidad de los portadores minoritarios 4.
la conductividad del semiconductor dopado 5.
calcula la conductividad si en vez del dopante del grupo III se usa uno del grupo II en la misma 6.
cantidad, y manteniendo todas las dems condiciones idnticas a las de los apartados anteriores.
calcula la conductividad si en vez del dopante del grupo V se usa uno del grupo VI en la misma 7.
cantidad, y manteniendo todas las dems condiciones idnticas a las de la pregunta 6.
2013-2014
284
1
.
10
20
1
.
10
21
1
.
10
22
1
.
10
23
1
.
10
24
1
.
10
25
1
.
10
26
1
.
10
27
0.01
0.1
1
mov. electrones (m2/V.s)
mov. huecos (m2/V.s)
Movilidades de portadores
Conc. total de impurezas (tomos/m3)
M
o
v
i
l
i
d
a
d
e
s

(
m
2
/
V
.
s
)
Sol.:
1. Los portadores mayoritarios son los huecos, porque N
III
>>N
V
.
La concentracin de portadores mayoritarios es:
p
p
N
III
N
V
= p
p
7.089 10
22
= huecos/m
3
que es prcticamente igual que la concentracin de dopante III: N
III
7.1 10
22
= tomos/m
3
2. La concentracin de portadores minoritarios es:
n
p
n
i
2
p
p
= n
p
6.827 10
11
= electrones/m
3
3 y 4. Las movilidades de los portadores mayoritarios (huecos) y minoritarios se leen del grfico
entrando con la concentracin total de impurezas (es decir, de dopantes de los dos tipos):
mayoritarios: mov_p N
III
N
V
+
( )
0.062 = m
2
/V s
2013-2014
285
minoritarios: mov_n N
III
N
V
+
( )
0.191 = m
2
/V s
5. La conductividad elctrica es: 1.6 10
19
mov_p N
III
N
V
+
( )
p
p
=
705.5 = S/m
6. Si en vez de un dopante del grupo III se aade uno del grupo II en la misma cantidad, la
concentracin de impurezas y por tanto las movilidades no cambian. La concentracin de huecos
(mayoritarios) se duplica. Puesto que el resto de los factores que aparecen en la frmula de la
conductividad se mantiene idntico, en particular, las movilidades dependen de la concentracin de
impurezas, es decir, de tomos de dopante, no de portadores, el valor de la conductividad es el doble
que en el apartado anterior.
2 1411.1 = S/m
7. Finalmente, si en vez de un dopante del grupo V se aade uno del grupo VI en la misma cantidad, la
concentracin de impurezas y con ello las movilidades tampoco cambian. Por otro lado los electrones
siguen siendo portadores minoritarios y aunque se duplique su nmero, siguen sin tener efecto apreciable
sobre la conductividad. El valor de la conductividad es el mismo que en el apartado anterior.
_________________________________________________________________________________
7.24
La resistividad elctrica de un semiconductor intrnseco a temperatura ambiente ( T 298 = K) es
2.250 10
3
= m y su ancho de banda prohibida ("gap") es E
g
0.67 = eV. Determinar a qu
temperatura la conductividad elctrica de este semiconductor ser n 10000 = veces mayor que a
temperatura ambiente.
Sol.: la dependencia de la conductividad de un semiconductor intrnseco con la temperatura est dada
por
0
exp( 2 )
T g B
E k T =
Escribiendo esta relacin para T 298 = K y para una T genrica y dividiendo las dos expresiones, se
obtiene (incluyendo el factor de conversin de unidades de E
g
):
k
B
1.38065 10
23
= J/K
T
1
298
2k
B
ln n ( )
E
g
1.602 10
19

1
= T 1014 = K
_________________________________________________________________________________
2013-2014
286
7.25
La difusividad a travs de la piel (considerada istropa) de un medicamento que se aplica como un
parche en la piel es D 7.5 10
10
= m
2
/s. Los capilares sanguneos ms superficiales se encuentran
a una profundidad de x
1
8.5 10
4
= m. Cunto tiempo hay que esperar para que la
concentracin del medicamento a la profundidad de estos capilares alcance un valor que sea tres
cuartas partes del valor de la concentracin en la superfice?.
Sol.: de los datos se deduce que
Cs 0.75Cs
Cs
erf
x
1
2 D t

=
de donde se despeja el tiempo: t 4744.03 = segundos
_________________________________________________________________________________
7.26
Para hacer que la resistencia elctrica total de una rama de un circuito sufra lo menos posible la
influencia de la temperatura, se colocan dos resistencias en serie. Para las dos se cumple que su
resistencia es proporcional a la resistividad del material de que estn fabricadas y a su longitud, e
inversamente proporcional al rea de su seccin transversal:
( )
l
R T
A
=
La primera es una resistencia metlica cuya resistividad aumenta linealmente con la temperatura segn

M
T ( )
M0
1
M
T +
( )
= donde T es la temperatura absoluta en K,
M0
890 = m y

M
3 10
3
= K
-1
.
La segunda resistencia es de un semiconductor cermico, y su resistividad disminuye con la temperatura
segn:

C
T ( )
C0
e
Q
T
=
donde
C0
1.042 10
3
= m, Q 402 = K y T es la temperatura absoluta en K. A temperatura
ambiente, T
amb
293 = K, ambas resistencias () son iguales. Calcular la variacin porcentual en la
resistencia total (100 por la variacin en la resistencia total, dividida por el valor de la resistencia total a
Tamb ) cuando la temperatura aumenta T 5 = K.
Sol.: puesto que las dos resistencias son iguales a temperatura ambiente, se cumple:
2013-2014
287
( ) ( )
( )
( )
( ) ( ) ( ) 2
M amb C C M M
M amb C amb
M C C C amb M
C M M
tot M amb C amb M amb
M C M
T l l l l
T T
A A A T A
l l l
R T T T
A A A


= =
= + =
La variacin de resistencia total al subir la temperatura ser:
C M
tot M C
M C
l l
R
A A
= +
Sustituyendo las expresiones anteriores se obtiene la variacin relativa:
( ) ( )
( )
( )
( )
( ) ( )
1
2
2
M amb
M M C M
M C M C
M C amb M tot M C C M
C M M
tot M amb C amb
M amb M amb C amb
M M C
T l l l l
A T A R A A
l l l
R T T
T T T
A A A





+ +

= = = +



+
Calculando las resistividades a temperatura ambiente y los incrementos de resistividades:

M
T
amb ( )
1.672 10
3
= m
C
T
amb ( )
4.109 10
3
= m

M

M
T
amb
T +
( )

M
T
amb ( )
=
C

C
T
amb
T +
( )

C
T
amb ( )
=

M
13.35 = m
C
93.508 = m
la variacin porcentual es:
1
2

M

M
T
amb ( )

C

C
T
amb ( )
+

100 0.739 = %
_________________________________________________________________________________
7.27
La difusin de un dopante (nitrgeno) a travs de un sustrato slido de forma esfrica (bola de
rodamiento metlica) obedece a una ley anloga a la de la difusin a travs de un medio semi-infinito,
salvo que para esta geometra, la dependencia de la concentracin con la posicin (radio r) y con el
tiempo (t) est dada por una funcin diferente. Esta funcin puede escribirse como:
( )
0
S
r t
C r,t C F ,
R t

=


donde C
s
67 = ppm es la concentracin (que se mantiene constante) del dopante en la superficie de la
2013-2014
288
esfera y la funcin F ( r/R , t/t
0
) se puede leer en la grfica adjunta. En esta grfica, el tiempo t
0
es un
tiempo caracterstico definido por t
0
1
D
R

2
= ; R 1.5 10
3
= m es el radio del rodamiento y
D 3.1 10
12
= m
2
/s es la difusividad msica del nitrgeno en el metal
Calcular la concentracin del dopante en el centro de la bola de rodamiento al cabo de t 5.148 10
4
=
segundos.
Sol.: con los valores dados del radio y las propiedades fsicas se calcula t
0
7.354 10
4
= s, que
corresponde a
t
t
0
0.7 = . Leyendo la grfica de F para
r
R
0 = y
t
t
0
0.7 = se obtiene directamente:
C
s
F
r
R
t
t
0
,

8.4 = ppm
_________________________________________________________________________________
7.28
Una resistencia elctrica est fabricada con un metal. La resistencia se mide a dos temperaturas,
T
1
300 = y T
2
550 = K, y se obtienen los valores R
1
224.2 = y R
2
312.7 =
2013-2014
289
respectivamente. Determinar qu valor de la resistencia se medir a T
3
450 = K.
Sol.: la resistividad de un metal vara linealmente con la temperatura en el intervalo de valores de T
dados. Puesto que la resistencia es proporcional a la resistividad, la resistencia tambin variar
linealmente:
( ) ( ) ( )
0
1
T
L L
R T T T
A A
+
As que, conocidos dos valores de R a dos temperaturas, el valor de R a otra temperatura se puede
obtener interpolando linealmente entre los valores dados:
R
3
R
1
R
2
R
1

( )
T
3
T
1

T
2
T
1

+ = R
3
277.3 =
_________________________________________________________________________________
7.29
Un semiconductor de silicio se dopa con N
B
7 10
20
= tomos de boro por m
3
y con
N
P
1.2 10
21
= atomos de fsforo por m
3
. Si el semiconductor est sometido a un campo elctrico
de mdulo E 250 = V/m en un determinado punto, calcular la potencia disipada Q por unidad de
volumen (W/m
3
) en ese punto, si Q se define como:
Q J E =
Sol.: el Si est dopado con: N
B
7 10
20
= tomos de boro por m
3
(aceptador de electrones) y
N
P
1.2 10
21
= tomos de fsforo por m
3
(donador de electrones).
Como los portadores mayoritarios son electrones (la concentracin de fsforo es mayor que la de boro),
es un semiconductor dopado tipo n, y la concentracin de portadores negativos es:
n N
P
N
B
= n 5 10
20
= portadores/m
3
La concentracin total de impurezas es: N
B
N
P
+ 1.9 10
21
= tomos por m
3
y la movilidad de los
electrones, para esta concentracin tan baja de impurezas, va a ser igual a la de los mismos portadores
en el Si intrnseco:

n
1350 10
4
= m
2
/V s
Y la conductividad del semiconductor dopado es:
(donde q es la carga del electrn).
n q
n
= 10.8 = S/m
2013-2014
290
Por la ley de Ohm microscpica inversa, el flujo de carga (densidad de corriente elctrica) en el punto
considerado es:
J E = A/m
2
y la potencia disipado por unidad de volumen de semiconductor en ese punto:
J E 6.75 10
5
= W/m
3
_________________________________________________________________________________
7.30
El proceso de fabricacin de fibras textiles de PET est basado en el hilado del fundido a travs de
una hilera. En este proceso se hace fluir el polmero en estado fluido a travs de un orificio circular
para formar un filamento, a la vez que se somete el filamento a traccin (ver figura).

traccin sobre
el filamento filamento
de PET
P
2
3
1
hilera
traccin sobre
el filamento filamento
de PET
P
2 2
33
11
hilera
En operacin estacionaria, el dimetro del filamento en el punto P es 0.0013 = m y el campo de
velocidad del PET fundido, vlido en toda la seccin transversal del filamento que contiene al punto
P, est dado por (con 11.5 = s
-1
):
v
1
x
1
x
2
, x
3
,
( )
1
2
x
1
=
v
2
x
1
x
2
, x
3
,
( )
1
2
x
2
=
v
3
x
1
x
2
, x
3
,
( )
x
3
=
referido a un sistema de coordenadas cartesiano centrado en P y con los siguientes ejes:
ejes 1 y 2 perpendiculares entre s y a la direccin de estirado del filamento
eje 3 en la direccin de estirado del filamento
2013-2014
291
(este flujo se denomina flujo extensional uniaxial). La viscosidad del PET fundido a la temperatura de
trabajo obedece a la siguiente relacin:

mod
( )
4.47 10
5

1
1 22.3
mod
+
( )
0.65
=
donde es la viscosidad del PET en Pa s y
mod
es el mdulo de la velocidad de deformacin en
s
-1
. El tensor de tensiones en el PET fundido depende de la viscosidad y de la velocidad de
deformacin segn la ecuacin constitutiva del fluido newtoniano generalizado:

mod
( )
v v
T
+
( )
= (Pa)
Determinar:
la viscosidad del PET en el punto P.
el mdulo de la fuerza de traccin que debe ejercerse para estirar el filamento de PET.
Solucin: la viscosidad depende del mdulo del tensor velocidad de deformacin. ste se obtiene:
v
1
2

0
0
0
1
2

0
0
0

=
punto
v v
T
+ =
punto
11.5
0
0
0
11.5
0
0
0
23

=
(convenio de sumacin sobre ndices repetidos)
Y su mdulo es:
mod
1
2

punto
i j ,

punto
i j ,
=
O bien (sin utilizar este convenio).
mod
1
2
1
3
i 1
3
j

punto
i j ,
( )
2

mod
19.919 = s
-1
La viscosidad se obtiene entonces de la expresin dada:
mod
( )
8.487 10
3
= Pa s
Para calcular la fuerza de traccin se debe obtener en primer lugar el tensor de tensiones en el PET por
medio de la ecuacin constitutiva dada:

mod
( )

punto
=
97601
0
0
0
97601
0
0
0
195202

= Pa
Las componentes 11 y 22 de no son nulas y corresponden a fuerzas ejercidas en direccin 1 y 2
sobre una superficie cuya normal apunta en direccin 1 y 2, respectivamente, es decir, superficies
libres del fluido. Tienen que ser igual a la presin ejercida por la atmsfera, es decir, la referencia o
cero de tensin normal. Esto implica que la tensin
33
debe medirse o calcularse relativo a este cero,
es decir, a su valor debe restrsele el de
11
o
22
, que son por supuesto iguales. Fsicamente refleja
el hecho de que, al estar las superficies libres en equilibrio, la presin atmosfrica iguala a las
componentes diagonales de que corresponden a cada superficie libre. La tensin a realizar es el
valor correspondiente, p.ej.
33
en este caso, medido desde la presin atmosfrica, que es, en este
2013-2014
292
caso, igual a
11
.
La fuerza en la direccin 3 se obtiene multiplicando la diferencia (
33
-
11
) de la tensin (que es
constante en toda la seccin, por serlo el gradiente de velocidad) por el rea en la seccin transversal
del filamento en el punto P. Es una fuerza negativa por ser de traccin (polmero fundido). Su mdulo
es:
F
3 3 ,

1 1 ,
( )

2

= F 0.389 = N
________________________________________________________________________________
7.31
En una operacin de moldeo por inyeccin, un polmero fundido (de viscosidad , densidad y calor
especfico Cp) tiene que fluir por un conducto de seccin rectangular de altura 2H y longitud L, como se
indica en la figura. El perfil de velocidad dentro del conducto es parablico, con velocidad cero en las
paredes del conducto y con la velocidad mxima Vmax en el centro del conducto (x
2
= 0), y las
componentes en las direcciones de los ejes x
2
y x
3
son nulas. Este perfil de velocidad es el mismo en
todo el canal (es decir, no depende ni de x
1
ni de x
3
).
2H
L
2H
L
1
x
2
x
1
x
2
x
3
x
1
x h
Vol
max
V
2
x
2013-2014
293
El polmero fundido se comporta como un fluido newtoniano, para el que la relacin entre gradiente de
velocidad y tensin mecnica es:
( )
T
v v

= = +

`
con viscosidad constante. El objetivo es realizar una estimacin del calentamiento que sufre este
material debido a disipacin viscosa. En funcin de las variables dadas,
1. escribir el perfil (campo) de velocidad, es decir dar las expresiones de las tres componentes del
campo de velocidad en funcin de la posicin dentro del conducto:
1 1 2 3
2 1 2 3
3 1 2 3
v ( x , x , x )
v ( x , x , x )
v ( x , x , x )
=
=
=
2. usando el apartado anterior, determinar el tiempo que tarda en recorrer la longitud L del conducto un
elemento de volumen Vol que fluye a una distancia h del centro del canal, como se indica en la figura.
3. determinar las componentes del gradiente de velocidad en la posicin en que se encuentra Vol
y escribirlas en forma de matriz
[ ]
v
4. determinar las componentes de la tensin mecnica en Vol y escribirlas en forma de matriz

1
i + j j
5. usando los dos apartados anteriores, calcular la potencia Q disipada por unidad de volumen (W/m
3
)
en Vol debido a la viscosidad del material. La potencia disipada por unidad de volumen est dada por:
( ) :
T
Q v =
6. si esta potencia disipada en Vol se invierte ntegramente en calentar el elemento de fluido Vol (es
decir, no hay conduccin trmica en el fluido), calcular por medio de un balance de energa el
incremento de temperatura que experimenta el volumen Vol de material durante el tiempo que tarda en
atravesar el conducto.
Solucin:
1. el perfil de velocidad parablico tiene slo componente 1, las componentes 2 y 3 son cero. La
componente 1 slo depende de la coordenada 2. El campo de velocidad parablico es:
2
2
1 1 2 3
2 1 2 3
3 1 2 3
1
0
0
max
x
v ( x , x , x ) V
H
v ( x , x , x )
v ( x , x , x )


=





=
=
2013-2014
294
2
1
max
h
V V
H


=





2. la velocidad con que fluye Vol se
determina sustituyendo la coordenada x
2
:
2
1
max
L L
t
V
h
V
H
= =






y el tiempo que tarda en recorrer el conducto:
3. el gradiente de velocidad en el punto donde se encuentra Vol es:
( ) [ ] [ ]
2 2 2 en Vol
0 0 0 0 0 0
2 2
0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
max max
j
ij
i
V V
v v ; v x ; v h
x H H


= = =



4. las componentes de la tensin mecnica se calculan usando la ley constitutiva del fluido
Newtoniano:
2 2 2
2 2 2
en Vol
2 2
0 0 0 0
2 2
0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
max max
max max
V V
x h
H H
V V
x ; h
H H







= =





1 1
i + i + j j j j
5. la potencia disipada Q por unidad de volumen (W/m
3
) est dada por:
( )
2
2 2
: 4
T
max
ij j
i
V
Q v v x
x H


= = =


2
en Vol 2
4
max
V
Q h
H


=


6. el balance de energa es:
energa disipada dentro de Vol en el tiempo en que fluye por el conducto = incremento de energa
interna de Vol
o lo que es lo mismo:
potencia disipada dentro de Vol por tiempo que tarda en fluir por el conducto = incremento de
energa interna de Vol
en Vol
en Vol
2 2
1 1
p
max p max
Q L
L
Q Vol VolC T T
h h
V C V
H H

= =








2013-2014
295
2
2
4
4
1
max
p
V h L
T
h
C H
H






de donde:
________________________________________________________________________________
7.32
Un polmero fundido tiene una viscosidad que depende del mdulo de la velocidad de
deformacin
mod
(mdulo del tensor gradiente de velocidad simetrizado

mod
v v ( )
T
+ = ) del siguiente modo:

mod
( )
2.45 10
6

mod
0.64
= Pa s
En una operacin de extrusin el campo de velocidad en un punto dado es, para:
b 0.23 = 327 = s
-1
v
1
x
1
x
2
, x
3
,
( )
1
2
1 b + ( )x
1
=
v
2
x
1
x
2
, x
3
,
( )
1
2
1 b ( )x
2
=
v
3
x
1
x
2
, x
3
,
( )
x
3
=
Determinar la viscosidad del polmero en ese punto.
Sol: el gradiente de velocidad simetrizado es:
1 b + ( )
0
0
0
1 b ( )
0
0
0
2

y su mdulo es

mod
1
2
1 b + ( )

2
1 b ( )

2
+ 2 ( )
2
+

=
mod
571.352 = s
-1
y la viscosidad:

mod
( )
4.215 10
4
= Pa s
________________________________________________________________________________
7.33
Una suspensin de caoln en agua (barbotina) tiene una viscosidad dependiente de la velocidad de
deformacin. La dependencia est dada por:
2013-2014
296

mod
( )
430
1
1 0.3
mod
+
( )
0.65
=
donde es la viscosidad de la suspensin en Pa s y
mod
es el mdulo de la velocidad de deformacin
en s
-1
. En una operacin de conformado, esta suspensin fluye a travs de un conducto en el que el
campo de velocidad est dado por:
v
1
x
1
x
2
, x
3
,
( )
x
1
= con 9.6 = s
-1
v
2
x
1
x
2
, x
3
,
( )
0 =
v
3
x
1
x
2
, x
3
,
( )
x
3
=
(flujo elongacional plano). Calcular la viscosidad de la barbotina cuando circula por el conducto.
Sol:
v

0
0
0
0
0
0
0

= v v
T
+ =
19.2
0
0
0
0
0
0
0
19.2

mod
1
2
1
3
i 1
3
j

i j ,
( )
2

=
mod
19.2 = s
-1
Y la viscosidad de la barbotina es:
mod
( )
124 = Pa s
________________________________________________________________________________
7.34
Se desea hacer un tratamiento superficial de una lmina de gran espesor de Fe BCC puro. Para ello se
expone la lmina a vapor de carbono durante t 6 = horas a una temperatura de 727 C.
Si la concentracin de carbono en la superficie de la lmina es C
s
10
21
= at/cm
3
, determinar a qu
profundidad se alcanza una concentracin C
x1
2.7 10
20
= at/cm
3
.
Dato: curvas de difusividad de distintos elementos en distintos metales.
2013-2014
297
Sol.: En la curva de difusividad de C en BCC Fe se lee un valor de la difusividad de:
D 6.76 10
12
= m
2
/s
La variacin de la concentracin con la profundidad est dada por:
1 1
0
erf
2
s x
s
C C
x
C C Dt


Usando C
s
1 10
21
= , C
x1
2.7 10
20
= y C
0
0 = el valor de la funcin de error debe ser 0.73,
que corresponde a un argumento de la funcin de 0.7804. Despejando la profundidad x
1
:
x
1
2 0.7804 D t 3600 = x
1
5.96 10
4
= m
__________________________________________________________________________________
2013-2014
298
7.35
Una oblea de Si se dopa con N
Ga
1.5 10
22
= tomos de Ga / m
3
y con N
Te
1.3 10
22
= tomos
de Te / m
3
. Determinar su conductividad elctrica a 300 K. Dato: curvas de movilidad de portadores en
Si extrnseco a 300 K.
electrones
M
o
v
i
l
i
d
a
d

e
l
e
c
t
r

n
i
c
a
,

c
m
2
V
-
1
s
-
1
Concentracin total de impurezas, at cm
-3
Concentracin total de impurezas, at cm
-3
M
o
v
i
l
i
d
a
d

d
e

h
u
e
c
o
s
,

c
m
2
V
-
1
s
-
1
huecos
2013-2014
299
Sol.: la concentracin de portadores mayoritarios es:
n
n
2N
Te
N
Ga
= n
n
1.1 10
22
= e/m
3
y la concentracin de impurezas (suma de las concentraciones de todos los dopantes,
independientemente de que sean tipo n, o tipo p, e independientemente del nmero de portadores con
que contribuyen a la conductividad):
C
T
N
Te
N
Ga
+ = C
T
2.8 10
22
= tomos/m
3
La movilidad de los portadores (electrones) a la temperatura dada y para esta concentracin de
impurezas se lee del diagrama para electrones:

n
0.1137 = m
2
/V s
de donde resulta una conductividad de: n
n
1.6 10
19

n
= 200.1 = S/m
__________________________________________________________________________________
7.36
En una operacin de inyeccin de un polmero fundido, ste circula por un conducto de longitud
L 0.7 = m y H 7 10
3
= m (ver figura), y debido a una diferencia de presin P 7 10
5
= Pa
entre la entrada y la salida del conducto. El fundido es un fluido cuya viscosidad no es constante, sino
que depende del mdulo de la velocidad de deformacin de la siguiente manera:
( ) y
T
v v

+

` ` `
( )
1 n
m

= ` ` donde:
y donde m 1.2 10
5
= , n 0.7 = son dos constantes caractersticas del polmero. El perfil de
velocidad del polmero en el conducto es conocido en funcin de los datos del problema y de la
distancia x
2
medida desde el centro del conducto:
v
1
x
2 ( )
P H
2m L

H n 1 + ( )
2
1
x
2
H

1
n 1 +

=
y las componentes v
2
y v
3
son nulas. Determinar la mnima viscosidad que presenta el polmero en el
conducto.
2013-2014
300
Sol.: puesto que la viscosidad disminuye con el mdulo del gradiente (ya que n-1<0), la viscosidad ser
mnima donde el gradiente tenga el mximo mdulo, es decir donde sea mayor la derivada de v
1
respecto de x
2
. A la vista del perfil de velocidad esta condicin se da en la pared del conducto:
( ) [ ]
1 1
2
2
2
1 1
2
2
2
1 1 1
2 2
2 2
2
0 0 0
0 0
4
0 0 0
0 0
4
1
0 0 de donde
4 2 4
0 0 0
/ n
j
ij
i
/ n
/ n / n
x
PH H
v v ; v
x mL x
x
PH H
mL x
x x
PH PH H H
:
mL x mL
+
+
+ +








= =








= = =








1
` ` ` `
i +
j j
1
2
x
x
2 ( )
P H
2

4m L
x
2
H

1
n 1 +
x
2
=
max
H ( ) =
max
P H
4m L
= H ( ) 0.015 =

min
m H ( )
n 1
=
min
1.587 10
8
= Pa s
__________________________________________________________________________________
7.37
Determinar la conductividad elctrica a 300 K del germanio dopado con N
Al
8.3 10
20
= tomos de
aluminio por m
3
y N
Se
5.2 10
21
= tomos de selenio por m
3
. Considerar ionizacin completa de los
dopantes y tomar las movilidades de los portadores en este germanio dopado iguales a las movilidades de
los portadores en el germanio puro.
Dato: las movilidades de los portadores en el Ge puro son:

n
0.39 = m
2
/V s
p
0.19 = m
2
/V s
2013-2014
301
Sol.: el aluminio es un dopante tipo p del grupo III que da un hueco (acepta un electrn) por tomo,
mientras que el selenio es un dopante tipo n del grupo VI que da dos electrones por tomo. Para las
concentraciones de dopantes dadas, los portadores mayoritarios son los electrones, y su concentracin
es:
n
n
2N
Se
N
Al
= n
n
9.57 10
21
= electrones/m
3
La conductividad es: n
n

n
1.6 10
19
= 597.2 = S/m
__________________________________________________________________________________
7.38
Una botella de PET (considerado istropo) contiene CO
2
puro a una presin P 1.2 = bar y una
temperatura de T 298 = K. El exterior de la botella es aire en el que la concentracin de CO
2
es
despreciable. El espesor de la pared de la botella es 1.6 10
3
= m y la difusividad del CO
2
a
travs del PET es de D
CO2
1.2 10
11
= m
2
/s. Se supone que la concentracin del CO
2
(en kg/m
3
)
en la superficie interior de la pared es igual a la concentracin de CO
2
puro en el interior y que la
concentracin de CO
2
vara linealmente a travs del espesor de la pared (ver figura). El CO
2
se
considera gas ideal. Calcular cunto CO
2
pierde la botella por unidad de superficie (en kg de CO
2
/m
2
s)
de pared, si la difusin obedece la ley constitutiva de Fick:
2 2 2 CO CO CO
J D C =
interior
(CO
2
puro)
exterior
(sin CO
2
)
pared de la
botella (PET)
concentracin
de CO
2
Sol.: si se considera un eje coordenado cuyo sentido positivo sea desde el interior hacia el exterior de la
botella, a lo largo de este eje, y puesto que el material de la pared es istropo, la variacin de la
concentracin a travs de la pared es lineal y la concentracin exterior de CO
2
es nula, la ley
2013-2014
302
constitutiva resulta en:
2 2 2
2 2 2 2 2
CO _interior CO ,ext CO ,int
CO CO CO CO CO
C C C
J D C D D

= = =

donde el flujo positivo indica que el CO
2
fluye hacia el exterior de la botella (sentido positivo del eje
coordenado, de mayor a menor concentracin). La concentracin (kg/m
3
) en el interior, que en este
caso es igual a la densidad msica, se obtiene directamente de la ecuacin de estado del gas ideal
(teniendo en cuenta que 1 bar = 101325 Pa):
R 8.314 10
3
= J/kmol K C
CO2_interior
P 101325 Mw
CO2

R T
=
La prdida de CO
2
por unidad de superficie es directamente el flujo (kg de CO
2
/m
2
s), es decir:
J
CO2
D
CO2
C
CO2_interior

= J
CO2
1.62 10
8
= kg/m
2
s
__________________________________________________________________________________
7.39
Una resistencia est fabricada con un material semiconductor. Su resistencia elctrica se mide a dos
temperaturas, T
1
298 = K y T
2
456 = K, y se obtienen los valores R
1
727 = y R
2
333 = ,
respectivamente. Determinar qu valor de la resistencia se medir a T
3
330 = K.
Sol.: la resistividad elctrica (igual que su inversa, la conductividad elctrica) de un material
semiconductor vara con la temperatura segn una funcin exponencial, tanto si es intrnseco como si
es extrnseco. Puesto que la resistencia es proporcional a la resistividad, la resistencia tambin variar
exponencialmente con la temperatura:
( ) ( )
( )
0
1 1
exp
L L L
R T T
B A T A A
T



En esta expresin
0
y B son constantes caractersticas del material del que est hecho la resistencia.
Se puede determinar B a partir de los datos (resistencias dadas a T
1
y T
2
):
0
2 1 2
2 1 1 2
0
1
1
exp
1 1
exp
1
exp
B
T R
B
R T T
B
T




= = =





2013-2014
303
despejando B
resulta:
y sustituyendo en la
relacin R
3
/R
1
:
B
ln
R
1
R
2

1
T
1
1
T
2

= B 671.514 =
R
3
R
1
e
B
T
1
T
3

T
3
T
1

=
R
3
584.3 =
__________________________________________________________________________________
7.40
El adhesivo Loctite es un cianoacrilato que, en presencia de humedad
1
, reacciona muy rpidamente
segn una polimerizacin en cadena:
CH
2
C
H
3
COOC CN
n
H
2
C
C
H
3
COOC CN
n
la reaccin es casi instantnea (es decir, el adhesivo se endurece) cuando la concentracin de agua
(que normalmente proviene de la humedad del aire del entorno) alcanza un valor de C
a
10
4
=
kmol/m
3
.
Determinar el tiempo necesario para curar una capa plana de adhesivo de cianoacrilato de espesor
h 0.4 10
3
= m expuesta al aire de modo que la concentracin de vapor de agua en la superficie
del adhesivo es de C
s
1.12 10
3
= kmol/m
3
. El cianoacrilato no contiene agua inicialmente y la
difusividad del agua a travs del cianoacrilato (tanto monmero como ya polimerizado) es
D 4.2 10
9
= m
2
/s.
Solucin: la difusin del vapor de agua a travs de cianoacrilato est controlada por:
C
s
C h ( )
C
s
C
0

erf
h
2 D t

=
es decir:
C
s
C
a

C
s
0
0.911 = y se cumple: erf 1.202 ( ) 0.911 =
Despejando t de
h
2 D t
1.202 = , se obtiene:
h
2
2 1.202 ( )
2
D
6.592 = segundos
El curado tan rpido del cianoacrilato es lo que justifica su nombre de adhesivo instantneo.
1
la humedad del aire reacciona con un inhibidor que est presente en el adhesivo. En cuanto el inhibidor
desaparece, el cianoacrilato se polimeriza instantneamente.
_________________________________________________________________________________
2013-2014
304
7.41
Una aplicacin importante de algunos materiales cermicos es la de materiales refractarios, es
decir, materiales con una baja conductividad trmica que permiten aislar de su entorno unidades
como hornos, crisoles, componentes de alta temperatura, componentes criognicos, etc. Para la
transmisin de calor por conduccin a travs de un material slido refractario existe una analoga
exacta con la difusin de materia. La equivalencia entre las diversas magnitudes fsicas es:
temperatura (K) concentracin (tomos/m
3
o kmol/m
3
)
flujo calorfico (W/m
2
) flujo msico (tomos/m
2
s o kmol/m
2
s)
difusividad trmica (m
2
/s) difusividad msica (m
2
/s)
y el tiempo y la coordenada espacial tienen el mismo significado en ambos. La difusividad trmica
de un material se define como el cociente entre la conductividad trmica del material (k) y el
producto de la densidad del material por la capacidad calorfica del material:
k
C
P

= .
En la puesta en marcha o arranque de un horno de vidrio, las paredes del horno estn inicialmente
a una temperatura ambiente de T
0
330 = K. Para arrancar el horno se encienden en su interior
quemadores de gas que calientan el horno por radiacin de manera que la pared interior del mismo
se mantiene desde el momento inicial y durante todo el arranque a T
s
1800 = K. Una de las
paredes del horno es plana, tiene un espesor de H 0.67 = m y est construida con ladrillo de
magnesia (MgO) compactada, cuyas propidades como material refractario son:
conductividad trmica k 0.03 = W/mK,
densidad 2300 = kg/m
3
capacidad calorfica C
p
4030 = J/kg K
Para monitorizar el arranque, se ha instalado un termistor (sonda de temperatura) dentro de la
pared a una profundidad de h 0.01 = m medida desde la cara interior del horno. Se considera que
el arranque del horno est completado, y que por tanto puede cargarse con los componentes
necesarios para fabricar el vidrio, cuando la temperatura en el punto en que est instalada la sonda
ha alcanzado T
h
1200 = K.
Determinar cunto tiempo dura la puesta en marcha del horno.
Nota: tener en cuenta que el espesor de la pared H es muy superior a h.
Solucin: por la analoga entre los transportes de materia y energa, la variacin de la temperatura con el
espesor de la pared (x
1
, medido desde la superficie) y con el tiempo (t) est dada por:
T
s
T x
1 ( )

T
s
T
0

erf
x
1
2 t

= con
k
C
p

= 3.237 10
9
= m
2
/s
Como la temperatura inicial, la de la pared interior y la que debe alcanzarse en la sonda son conocidas:
2013-2014
305
T
s
T
h

T
s
T
0

0.408 =
y el valor del argumento de la funcin error para el que se cumple que erf argumento ( )
T
s
T
h

T
s
T
0

=
es: argumento 0.379 = . Despejando el tiempo obtenemos:
t
h
2
4 argumento
2

= t 5.37 10
4
= s
_________________________________________________________________________________
7.42
El efecto Hall se emplea para determinar la orientacin de un dispositivo (p.ej. un telfono mvil)
respecto de un campo magntico (p.ej. el de la tierra). Al hacer pasar una corriente elctrica conocida
por un sensor en forma de barra (ver figura) de un material que presenta efecto Hall y que est situado
en un campo magntico, aparece un campo elctrico en el material de cuya medida se determina H. El
campo elctrico debido al efecto Hall est dado por la ley constitutiva:
: E R HJ = E
R
H
J
donde: es el campo elctrico,
el coeficiente de efecto Hall,
el campo magntico
la densidad de corriente elctrica.

E
H
J
: E R HJ =

E
H
J
: E R HJ =
Para la situacin representada en la figura (en la que los ejes son los convencionales del material del
que est hecho el sensor, las caras de la barra son perpendiculares a los ejes, y la corriente circula en
la direccin del eje 2), y supuestas conocidas todas las componentes R
ijk
del coef. de efecto Hall, la
componente 2 del campo elctrico est dada por:
i ijk k j
E R H J =
Sol.: la ley constitutiva del efecto Hall, escrita por componentes es:
Para este caso, slo existe la componente 2 de la densidad de corriente,
y slo hay que calcular la componente 2 del campo elctrico. Particularizando
los ndices de J y de E para el valor 2 se obtiene:
2013-2014
306
2 22 2 22 2 k k n n
E R H J R H J = =
donde en la segunda igualdad slo se ha cambiado el nombre del pseudondice de "k " a "n".
_________________________________________________________________________________
7.43
La piezorresistividad es la propiedad que tienen algunos materiales como el Si de variar su resistividad
elctrica ( m) cuando se les aplica una tensin mecnica (Pa). La ley constitutiva que describe la
variacin de la piezorresistividad con la tensin es:
: =



donde es la variacin relativa de resistividad (sin dimensiones) causado por la tensin y
son los coeficientes piezorresistivos (Pa
-1
).
Si se somete un sensor piezorresistivo de silicio a una tensin de compresin
la variacin relativa en la componente de la resistividad
pq
con p=1 y q=1 , del sensor est dada por:
33

Sol.: la ecuacin constitutiva, escrita en notacin tensorial, es:


:
ij ijkl lk
= =
Para la tensin aplicada del enunciado y para cualquier pareja de ndices i j:
33 33 ij ij
=
La estructura de la piezorresistividad para el Si, que es cbico m3m, es conocida y, aplicando la ley
constitutiva de la piezorresistividad, la estructura de la variacin relativa de la resistividad resulta:
11 1133 33
1 1 0 i , j = = = Con lo que la componente pedida ser
_________________________________________________________________________________
7.44
Se ha sintetizado en el laboratorio un nuevo material semiconductor A y para identificar su estructura se
llevan a cabo varios experimentos:
2013-2014
307
1. se mide la resistividad elctrica de la muestra en un sistema de referencia cuyos ejes no estn
orientados como los ejes convencionales y se obtiene (escrita como matriz):

4.5
0
0
0
14.183
5.298
0
5.298
19.817

= m
2. se someten las muestras de A a un estado de tensin hidrosttico y se observa que s producen una
seal elctrica (dipolo macroscpico). El estado de tensin hidrosttico es:
p =
3. cuando se prepara una muestra de A en forma de cubo, con las caras cortadas perpendicularmente a
las direcciones convencionales del material (suponiendo que fueran conocidas), y se la somete a cualquier
ensayo mecnico de traccin o compresin uniaxial sobre cualquier par de caras, se observa que el cubo
se deforma slo longitudinalmente y nunca angularmente.
Usando la informacin disponible,
determinar las resistividades elctricas principales del material (es decir, medidas en las direcciones
de los ejes principales).
determinar las direcciones de estos ejes principales del material, (es decir, dar vectores unitarios en
estas direcciones expresados en el sistema de referencia en que se ha medido la resistividad
elctrica).
basndose slo en los resultados obtenidos en los dos apartados anteriores (sin usar la informacin
dada en los puntos 2 y 3 del enunciado), determinar a qu sistema o sistemas cristalogrficos puede
pertenecer A.
basndose adems en la informacin dada en los puntos 2 y 3 del enunciado, determinar a qu clase
o clases cristalogrficas puede pertenecer A.
expresar la resistividad elctrica de A en los ejes convencionales del sistema al que pertenece la clase
o clases cristalogrficas obtenidas en el apartado anterior.
Sol.: las direcciones principales y las resistividades principales se obtienen diagonalizando la matriz de
resistividad. Los valores propios (resistividades principales) son:

principales
1 1 ,
4.5 =

principales
2 2 ,
23 =
m

principales
3 3 ,
11 =
Y las direcciones principales estn dadas por los vectores propios unitarios:

1
1
0
0

=
2
0
0.515
0.857

=
3
0
0.857
0.515

=
2013-2014
308
Basndonos slo en estos resultados (tres valores distintos para las resistividades principales), A puede
ser triclnico, monoclnico u ortorrmbico.
Por otro lado, si A reacciona a tensin hidrosttica, debe pertenecer a una de las diez clases polares, de
las cuales slo las siguientes pertenecen a los sistemas triclnico, monoclnico u ortorrmbico: 1, 2, m,
mm2.
Estas clases tambin aparecen directamente en la tabla de estructuras de propiedades de 1er orden (ver
encabezamiento de la lista de estructuras para propiedades de 1er orden).
Una tercera posibilidad es comprobar cul de las cinco clases piezoelctricas triclnicas, monoclnicas u
ortorrmbicas producen una seal cuando se les aplica una tensin hidrosttica. Usando notacin de
Voigt, la estructura de la tensin hidrosttica es:
str( p )


: : P d d p = =
Realizando el producto (ley constitutiva) del efecto piezoelctrico directo en
notacin de Voigt con las estructuras de los mdulos piezoelctricos de cada
clase se obtiene:
clase1:


clase 2:


clase m:


clase 222 :


clase 2 mm :


Se comprueba que de estas cinco clases, la clase
222 (ortorrmbica) no produce seal elctrica al
someterla a tensin hidrosttica, luego queda
descartada.
2013-2014
309
Por ltimo, la condicin de responder slo con deformacin longitudinal a tensin longitudinal uniaxial
en cualquier eje implica que la estructura de la complianza elstica debe tener los bloques no
diagonales vacos. Las estructuras para las cuatro clases que an no han sido descartadas son:











triclnicas (todas, y en
particular, la clase 1)
descartadas
monoclnicas (todas, y en
particular, las clases 2 y m)
descartadas
ortorrmbicas (todas, y en
particular, la clase mm2)
aceptables, tienen vacos los
bloques fuera de la diagonal.
De estas cuatro clases restantes, la nica que tiene los bloques no diagonales vacos, y que es
compatible con todos los datos experimentales disponibles, es la mm2 (ortorrmbica) que es a la que
debe pertenecer el material A.
Para el sistema ortorrmbico, los ejes convencionales coinciden con las direcciones principales.
La resistividad elctrica de A en los ejes convencionales del sistema ya es diagonal, y las tres
componentes sern las resistividades principales encontradas.
Aunque no es necesario, puede comprobarse expresando la resistividad en el sistema definido por las
direcciones principales. Para esto se usa la matriz L de transformacin que contiene, por filas, los
vectores unitarios en las direcciones principales (vectores propios):
L
1
0
0
0
0.515
0.857
0
0.857
0.515

=
La resistividad expresada en estos nuevos ejes, que son los ejes convencionales, es entonces:
L L
T

4.5
0
0
0
23
1.776 10
15

0
0
11

= m
_________________________________________________________________________________
7.45
En una lesin frecuente en colisiones de automvil un disco intervertebral cervical (D en la figura)
sufre dao por el desplazamiento relativo entre la cabeza (C) y el tronco (T). De modo muy
2013-2014
310
simplificado se puede considerar que durante toda la duracin de la colisin, la cabeza se sigue
desplazando con velocidad constante v
C
m/s mientras que el tronco se ha detenido, es decir v
T
=0
m/s (esquema A de la figura). El disco se considera un cilindro de dimensiones D 0.042 = m y
H 7 10
3
= m (esquema B de la figura) entre dos masas que representan la cabeza y el tronco.
El disco es un cartlago viscoplstico, sometido a las fuerzas debidas a la colisin y al propio peso
de la cabeza (cuya masa es m 5.7 = kg). La tensin mecnica en el disco est dado por la
siguiente ecuacin constitutiva:
( ) 1
g
K = + `
( )
T
v v

+

`
donde: es la velocidad de deformacin del material del disco (s
-1
),
es un mdulo carcterstico del material K 1.2 10
6
= (Pa s),
es la tensin mecnica causada por el peso propio de la cabeza sobre el
disco (Pa).
K
g

El cartlago sufre daos irreversibles cuando el mdulo de la parte desviatoria del tensor de tensiones
supera un valor caracterstico del material. La parte desviatoria del tensor de tensiones se define como:
1
( ) (2)
3
desv
tr
desv plast

donde
plast
7.5 10
8
= Pa.
(tr() es la traza). El dao irreversible tiene lugar cuando,
En el sistema de ejes dado, y escribiendo previamente el campo de velocidad dentro del material del
disco,
calcular el tensor de tensiones en el cartlago segn la expresin (1) usando las variables dadas y 1.
escribirlo como matriz.
lo mismo para la parte desviatoria del tensor de tensiones segn la expresin (2) 2.
calcular a qu velocidad de impacto (m/s) sufre dao irreversible el cartlago, es decir, se alcanza el 3.
lmite plstico en esta colisin.
calcular qu error porcentual se comete si se ignora el peso de la cabeza en el clculo anterior. 4.
( )
2
1 2 c
x
v x v
H
= Sol.: el campo de velocidad es lineal; en los ejes dados:
2013-2014
311
( ) [ ]
0 0
0 0 0
0 0 0 0
0 0 0 0 0 0
c
c c
j
ij
i
v
H
v v
v v ; v
x H H






= = =








1
`
i + j j

y su gradiente se calcula:
La tensin durante la colisin incluye esta contribucin ms el peso de la cabeza, que produce una
tensin de compresin
22
.
2
0 0
4
0
0 0 0
c
c
Kv
H
Kv mg
H D



=





1
i + j j

La parte desviatoria del tensor de tensiones es, segn (2):


2
2 2 2
2
4
0 0 0
3
1 0 0
4 1 4 8
0 0 1 0 0
3 3
0 0 1
0 0 0 4
0 0
3
c c
c c
desv
Kv mg Kv
D H H
Kv Kv mg mg mg
H D D H D
mg
D





= =








1
i + j j

y su mdulo:
2 2 2
2 2 2 2
2 2 2 2 4
1 1 4 8 16
2 2
2 2 3 3 3
c c
desv desv desv
Kv K v mg mg m g
:
H D D H D


= = + + = +







El dao irreversible ocurrir cuando
se alcanza el valor de v
c
que satisface:
K
2
v
c
2

H
2
16
3
m
2
g
2

2
D
4

+
plast
2
=
v
c

plast
2 16
3
m
2
g
2

2
D
4


H
K
= m/s v
c
4.375 = m/s
Si se desprecia el peso de la cabeza (es decir, se hace m = 0 en la expresin anterior), se obtiene
v
c_aprox

plast
H
K
=
El error cometido (porcentual) es muy pequeo:
v
c
v
c_aprox

v
c
100 4.817 10
8
=
En consecuencia es perfectamente admisible despreciar el peso de la cabeza en este caso.
__________________________________________________________________________________
2013-2014
312
8 Homogeneizacin de
propiedades en compuestos
8.1
Un material compuesto metal-cermica tiene una densidad de
C
8250 = kg/m
3
. Los componentes
son una matriz metlica (A) y partculas de nitruro de silicio Si
3
N
4
(B) dispersas en la matriz. La
densidad de B es
B
3150 = kg/m
3
y su fraccin volumtrica es V
B
0.12 = . Cul es la fraccin
msica de Si
3
N
4
en el compuesto?
Sol: la densidad del compuesto depende de las densidades de los componentes y de sus fracciones
volumtricas como:
C
1 V
B

( )

A
V
B

B
+ = , de donde se obtiene la densidad del metal:

C
V
B

B

1 V
B

=
A
8945 = kg/m
3
y la fraccin msica de B en el material compuesto es:
V
B

B

1 V
B

( )

A
V
B

B
+
0.0458 = (masa de B entre masa de A ms masa de B)
O an ms directamente

B
V
B

C
0.0458 = (masa de B en una unidad de volumen dividida
entre la masa de la unidad de volumen)
__________________________________________________________________________________
8.2
Para sintetizar un poliuretano lineal, no reticulado, se hace reaccionar un diisocianato A, de masa
molecular Mw
A
67 = kg/kmol con un dialcohol B, de masa molecular Mw
B
89 = kg/kmol en
cantidades estequiomtricas. Las densidades de los monmeros son
A
690 = kg/m
3
y
B
819 =
kg/m
3
. Suponiendo que la reaccin tiene lugar en condiciones de mezcla ideal (lineal) de volmenes,
calcular la densidad del polmero resultante.
Sol.: A y B son difuncionales y reaccionan 1:1. Las fracciones msicas de los residuos
monomricos de A y B (cuyas masas moleculares son iguales a las de los monmeros) en el
2013-2014
313
polmero son:
X
A
Mw
A
Mw
A
Mw
B
+
= X
B
1 X
A
= X
A
0.429 = X
B
0.571 =
y la densidad del polmero se obtiene de

P
X
A
1

A
X
B
1

B
+

1
=
P
758.126 = kg/m
3
__________________________________________________________________________________
8.3
Un hormign fraguado y seco contiene cemento (C), arena (A) y grava (G) en proporciones msicas de
1:1.5:2.5 (y una cantidad despreciable de agua). Las densidades de los tres componentes (igualmente
secos) son
C
3150 = kg/m
3
,
A
2500 = kg/m
3

G
2550 = kg/m
3
.
Cul es la densidad del hormign?
Sol: las fracciones msicas de los componentes son X
C
1 1 1.5 + 2.5 + ( ) = ,
X
A
1.5 1 1.5 + 2.5 + ( ) = y X
G
2.5 1 1.5 + 2.5 + ( ) = . Es decir:
X
C
0.2 = X
A
0.3 = X
G
0.5 =
Por consiguiente, un kilogramo de hormign ocupa un volumen de:
X
C

C
X
A

A
+
X
G

G
+ 3.796 10
4
= m
3
La densidad del hormign es:
1
X
C

C
X
A

A
+
X
G

G
+

2635 = kg/m
3
__________________________________________________________________________________
8.4
El papel es un material compuesto, en primera aproximacin, por fibras de celulosa (C), con una
fraccin msica X
C
0.65 = , un pigmento inorgnico (P) blanco o coloreado, con una fraccin
msica X
P
0.25 = , y el resto es un ligante o adhesivo (A) que aglomera los otros dos
componentes. Las densidades tpicas de los tres componentes son
C
923 = kg/m
3
,
P
3700 =
kg/m
3
y
A
760 = kg/m
3
. De acuerdo con esta composicin qu espesor tiene aproximadamente
el papel de impresora de 80 = g/m
2
(es decir, 1 m
2
de papel pesa 80 g)?
2013-2014
314
Sol: un m
2
de este papel tiene una masa de 1000 0.08 = kg. Esta masa de papel ocupa un volumen
de: vol
X
C

C
X
P

P
+
1 X
C
X
P

A
+

1000 ( ) = , vol 7.227 10


5
= m
3
que corresponden a 1
m
2
de papel de espesor: vol 7.227 10
5
= m.
__________________________________________________________________________________
8.5
Una tcnica sencilla y usada muy frecuentemente para determinar el grado de cristalinidad de una
muestra de un polmero consiste en medir su densidad. Si se conocen las densidades del polmero
totalmente amorfo y totalmente cristalino, y se considera el polmero semicristalino como una mezcla
fsica de ambos, es posible calcular su grado de cristalinidad. Para el polietileno (PE), se conoce la
densidad del PE totalmente amorfo
a
855 = kg/m
3
) y del PE totalmente cristalino
c
1000 = kg/m
3
.
Si una muestra semicristalina tiene una densidad de 925 = kg/m
3
. Cul es su grado de cristalinidad
(expresado como fraccin msica)?
Sol: tomando una base clculo de 1 kg, se puede expresar el volumen de esta base como un slo
componente o como mezcla de las partes amorfa y cristalina; se verifica
1

X
c

c
1 X
c

a
+ = , de donde
X
c

c

a

( )


a

c

( )

= es decir, el grado de cristalinidad es: X


c
0.522 = .
__________________________________________________________________________________
8.6
Un material compuesto est constituido por lminas paralelas alternadas de Cu de espesor h
1
0.001 =
m y de tefln (PTFE) de espesor h
2
0.0005 = m que se considera como aislante perfecto. Calcula la
conductividad de este material compuesto a temperatura ambiente y en condiciones de isocorriente:
Sol: en condiciones de isocorriente (isoflujo) la corriente elctrica atraviesa los dos componentes del
material compuesto es la misma, es decir, stos se encuentran en serie. Al considerar el PTFE como un
aislante perfecto, la conductividad del material compuesto es entonces nula.
__________________________________________________________________________________
2013-2014
315
8.7
Calcular el mdulo elstico en la direccin de las fibras de un filamento de material compuesto por
fibras de una cermica A cuyo mdulo elstico es E
f
210 10
9
= Pa en una matriz de metal B cuyo
mdulo es E
m
55 10
9
= Pa. Las fibras son de seccin circular, estn alineadas con el eje del
filamento y una seccin transversal del material compuesto est dada en la figura:
Sol: para el mdulo elstico en direccin de las fibras, el material compuesto se encuentra en
isodeformacin. Por otro lado, la fraccin volumtrica de fibras es igual a la fraccin de seccin
transversal ocupada por las mismas. De la figura se deduce que esta fraccin es:
V
f

1
2

2
= luego: E
c
V
f
E
f
1 V
f

( )
E
m
+ = E
c
1.767 10
11
= Pa
__________________________________________________________________________________
8.8
Un material compuesto conductor est formado por lminas alternadas de tres materiales diferentes,
cada uno de ellos homogneo e istropo. Los espesores de las lminas son L
1
, L
2
y L
3
, las densidades
msicas son
m1
,
m2
y
m3
y las conductividades elctricas son
1
,
2
y
3
espectivamente. Deducir
la expresin que da la resistividad elctrica del material compuesto
c
cuando se establece una corriente
elctrica perpendicular a las lminas.
Sol.: en condiciones de isoflujo (elctrico), la densidad de corriente que atraviesa las lminas es igual
para todas ellas e igual a la que atraviesa el compuesto. Aplicando la ley de Ohm macroscpica inversa
al compuesto y a cada lmina e igualando las densidades de corriente elctrica:
3 1 2
1 2 3
1 2 3 1 2 3
c
c
c
V V V V
J
( L L L ) L L L

= = = =
+ +
3
1 2 3
1 2 1
1
1 2 3
c c c
c c c i
i
J L J L J L
V ; V ; V ; V J L
=
= = = =



de donde:
2013-2014
316
La cada de potencial total a travs del compuesto debe ser igual a la suma de las cadas de potencial a
travs de las tres lminas:
3
3 3 1 2 1 2
1
1 2 3 1 2 3
c i c
i
L V L L V V
L

=
= + + = + +
3
1
i
i
i
i
L
V
L
=

donde
__________________________________________________________________________________
8.9
Un cilindro de material compuesto conductor est constituido por lminas paralelas de dos materiales A
y B (blanco y gris en la figura), cuyas resistividades elctricas son
A
0.23 = m y
B
11.8 = m
respectivamente. Los espesores de las lminas son
A
0.022 = m y
B
0.081 = m. Las lminas
forman un ngulo 34 = con el eje del cilindro como se indica en la figura. La longitud del cilindro
es L 0.12 = m y su radio R 0.02 = m.
Calcular la resistencia elctrica del cilindro cuando la corriente circula a lo largo del mismo.
/ mm Sol: El material compuesto pertenece a la clase lmite
El eje de orden infinito es perpendicular a las lminas y es el eje convencional cartesiano 3. Las
componentes del tensor de resistividad del compuesto tienen que ser:
11
11
33
0 0
0 0
0 0
c



=






con

11

A

B
+
1

A

B
+
1

B
+

1
= (isotensin)
11
1.005 = m

33

A

B
+

A

A

B
+

B
+ = (isocorriente)
33
9.329 = m
La resistividad a lo largo del eje corresponde a la resistividad en la direccin definida p.ej. por los
cosenos directores:
2013-2014
317
n
1
cos ( ) = n
2
0 = n
3
sen ( ) =
i j ij
n n = y la resistividad en una direccin est dada por:
Para los valores indicados esta expresin se reduce a:
n
1
2

11
n
3
2

33
+ = 3.608 = m
Y la resistencia del cilindro es:

L
R
2

344.5 =
__________________________________________________________________________________
8.10
Un cable se fabrica trenzando un nmero elevado de fibras iguales de seccin circular de un metal cuyo
mdulo de Young es E 1.83 10
11
= Pa. En la seccin transversal del cable las fibras estn ordenadas
del modo ms compacto posible, como se indica en la figura. Calcular el mdulo elstico del cable para
cargas a traccin en la direccin de su eje (perpendicular a la figura)
Sol.: para calcular el mdulo elstico, el cable se puede considerar un material compuesto de metal y aire
(sin mdulo elstico). La traccin que se indica corresponde a isodeformacin, con lo cual el mdulo es
el del metal puro multiplicado por la fraccin de rea transversal ocupada por el metal (fraccin de rea
rayada en la figura). Para el empaquetamiento compacto de crculos en 2D:
V
metal
3
1
6

1
2
2 3
= V
metal
0.907 = E
cable
V
metal
E =
E
cable
1.66 10
11
= Pa
__________________________________________________________________________________
8.11
Calcular el mdulo elstico en la direccin de las fibras de un filamento de material compuesto que tiene
2013-2014
318
una fraccin volumtrica V
f
0.6 = de fibras de carbono IM (mdulo intermedio) cuyo mdulo de
Young es E
f
230 10
9
= Pa en una matriz epoxi cuyo mdulo de Young es E
m
4 10
9
= Pa. Las fibras
de carbono estn alineadas con el eje del filamento.
Sol: el material compuesto se encuentra en isodeformacin.
V
f
0.6 = V
m
1 V
f
=
E
c
V
f
E
f
V
m
E
m
+ = E
c
1.396 10
11
= Pa
__________________________________________________________________________________
8.12
Un material compuesto P est constituido por lminas alternadas de tres materiales distintos A, B, C; el
grosor de las lminas de C es el doble de las de B. Si el mdulo elstico del compuesto en la direccin
paralela a las lminas es de E
P
701.9 = GPa, calcular la proporcin en masa de A con respecto de la
de C (kgA/kgC) en P. Densidades:
A
1490 = kg/m
3
;
C
3150 = kg/m
3
. Mdulos elsticos:
E
A
1050 = GPa; E
B
453 = GPa; E
C
387 = GPa.
Sol.: en condiciones de isodeformacin (direccin paralela a las lminas), el mdulo elstico se calcula
segn la regla de mezcla de Voigt:
P A A B B C C
E V E V E V E = + +
Como las lminas tienen la misma seccin, y el grosor de las lminas de C es el doble de las de B,
tambin la fraccin volumtrica de C ser el doble de la de B:
2
C B
V V = 1 3
A B C A B
V V V V V = + + = +
( ) 1 3 2
P A A B B C C B A B B B C
E V E V E V E V E V E V E = + + = + +
Se puede despejar la fraccin volumtrica en B:
V
B
E
P
E
A

E
B
2E
C
+ 3E
A

= V
B
0.181 =
Y las fracciones de A y C sern:
V
A
1 3V
B
= V
C
2V
B
= V
A
0.457 = V
C
0.362 =
Por ltimo, la relacin entre las masas de A y C es:

A
V
A

C
V
C

0.597 =
__________________________________________________________________________________
2013-2014
319
8.13
Una espuma est formada por una matriz de poliuretano reticulado de densidad 670 = kg/m
3
en la
que estn dispersas burbujas de gas (de densidad despreciable frente a la del poliuretano). Suponiendo
que las burbujas de gas son todas de igual tamao y estn empaquetadas al f 80 = % de la mxima
compacidad posible, determinar la densidad de la espuma.
Sol.: el empaquetamiento de esferas iguales de mxima compacidad tiene una fraccin volumtrica de
esferas de
max
0.74 = . El volumen ocupado por la matriz de poliuretano ser
p
1
f
100

max
=
y la densidad de la espuma:

espuma

p
=
espuma
273.36 = kg/m
3
__________________________________________________________________________________
8.14
El material (goma) del que se fabrican los neumticos es un compuesto de caucho sinttico SBR, de
mdulo elstico E
c
1.9 = GPa y negro de humo (carbono) de mdulo elstico E
n
32 = GPa . Se
desea que el mdulo de la goma sea de E 4 = GPa. Para calcular el mdulo elstico de la goma se usa
la regla de Voigt-Reuss-Hill: el mdulo del compuesto es la media aritmtica de los mdulos obtenidos
con las regla de mezcla de Voigt y con la regla de mezcla de Reuss. Determinar qu fraccin
volumtrica de caucho sinttico debe tener la goma.
Solucin: Voigt: Reuss
E V
c
E
c
1 V
c

( )
E
n
+ = E
1
V
c
E
c
1
1 V
c

( )
E
n
1
+ =
Voigt-Reuss-Hill: E 0.5 V
c
E
c
1 V
c

( )
E
n
+

0.5
1
V
c
E
c
1
1 V
c

( )
E
n
1
+
+ =
que es una ecuacin cuadrtica en Vc cuya solucin positiva es:
E
n
E
c

( )
2E E
n
2
4 E E
n
6 E
c
E
n
+ 4 E
2
4 E E
c
+ E
c
2
+ +
2 E
n
E
c

( )
0.869 =
__________________________________________________________________________________
8.15
Se prepara un material compuesto tipo "sandwich" formado por lminas alternadas de una matriz "m" y
2013-2014
320
un refuerzo "r", de igual rea y espesores l
m
0.5 10
3
= m y l
r
0.3 10
3
= m, respectivamente. La
superficie del material paralela a las lminas se expone a un determinado gas con concentracin
C
s
10
26
= tomos/m
3
. Los parmetros de difusin del gas en los dos componentes son:
Matriz: D0
m
2.1 10
8
= m
2
/s, Q
m
2.8 10
6
= J/kmol
Refuerzo: D0
r
5.2 10
7
= m
2
/s, Q
r
15.3 10
6
= J/kmol
Calcular los coeficientes de difusin del gas en los dos componentes por separado a dos 1.
temperaturas T
1
300 = K y T
2
500 = K.
Considerando que el material compuesto se comporta como un medio continuo promedio en 2.
condiciones de isoflujo (la difusin tiene lugar en la direccin perpendicular al plano de las lminas),
calcular para las dos temperaturas el espesor "h" al cual la concentracin de gas ser la mitad de la
superficial cuando hayan transcurrido t 3600 = s de exposicin al gas.
Dato: R 8.314 10
3
= J/kmolK
Solucin: Las difusividades en cada uno de los componentes por separado se obtienen aplicando la
ecuacin:
Dm
1
D0
m
exp
Q
m

R T
1

= Dm
2
D0
m
exp
Q
m

R T
2

=
Dr
1
D0
r
exp
Q
r

R T
1

= Dr
2
D0
r
exp
Q
r

R T
2

=
Dm
1
6.834 10
9
= m
2
/s Dm
2
1.071 10
8
= m
2
/s
Dr
1
1.127 10
9
= m
2
/s Dr
2
1.311 10
8
= m
2
/s
En condiciones de isoflujo, la difusividad promedio se obtiene por la regla de mezcla de Reuss:
1
D
c
V
m
1
D
m
V
r
1
D
r
+ =
Al ser las reas iguales, las fracciones volumtricas se obtienen a partir de los espesores:
V
m
l
m
l
m
l
r
+
= V
m
0.625 = V
r
1 V
m
= V
r
0.375 =
y con ellas las difusividades del material compuesto a las dos temperaturas:
Dc
1
V
m
1
Dm
1
V
r
1
Dr
1
+

1
= Dc
1
2.357 10
9
= m
2
/s
2013-2014
321
Dc
2
V
m
1
Dm
2
V
r
1
Dr
2
+

1
= Dc
2
1.15 10
8
= m
2
/s
Para hallar el espesor h al cual la concentracin es la mitad del valor en la superficie, se utiliza la
expresin del perfil de concentraciones
C
s
C
h

C
s
C
0

erf
h
2 D t

= 0.5 = , con C
0
0 = .
Entrando en la tabla con este valor de la funcin de error y leyendo o interpolando el argumento, se
obtiene:
( )
1
erf 0 5 0 477 0 477
2
h
. . .
Dt

= =
( )
( )
1 3
1 1
1 3
2 2
2 erf 0 5 2 779 10 m
2 erf 0 5 6 137 10 m
T C
T C
h D t . .
h D t . .


= =
= =
El espesor a T
1
se calcula:
y el espesor a T
2
:
__________________________________________________________________________________
8.16
Se desea preparar un material compuesto P de matriz metlica a partir de una aleacin de aluminio y una
fibra de refuerzo compuesta por boro depositado sobre wolframio. Para asegurar que el material
compuesto presente unas buenas propiedades mecnicas, se requieren unas proporciones de aluminio y
boro que den lugar (considerado como mezcla binaria, sin presencia de wolframio) a un mdulo elstico
E
min
93.11 = GPa en condiciones de isotensin. Por otro lado se desea que el coste del producto final
P no sea demasiado elevado, de forma que se decide tomar una fibra con una composicin de boro y
wolframio tal que el precio de la fibra es de p 2153.56 = /t. Calcular:
El contenido (en fraccin msica y volumtrica) de aluminio (Al), boro (B) y wolframio (W) en el 1.
material compuesto P.
La densidad del producto P, y su mdulo elstico en condiciones de isodeformacin. 2.
Datos: densidad de la aleacin de aluminio:
Al
2700 = kg/m
3
;
densidad del boro:
B
2340 = kg/m
3
;
densidad del wolframio
W
19300 = kg/m
3
;
mdulo elstico de la aleacin de aluminio: E
Al
68.9 = GPa;
mdulo elstico del boro: E
B
379 = GPa;
mdulo elstico del wolframio: E
W
410 = GPa;
precio de la aleacin de aluminio: p
Al
1190 = /t;
2013-2014
322
precio del boro: p
B
281 = /t;
precio del wolframio: p
W
6891 = /t.
Sol.: 1. la primera condicin requiere que el mdulo elstico en condiciones de isotensin de una
mezcla binaria Q de aluminio (Al) y boro (B) sea de E
min
93.11 = GP. De aqu se puede obtener la
proporcin entre ambos (regla de mezcla de Reuss):
1 1 1 1
1
AlQ AlQ
min Q Al B
V ( -V )
E E E E
= = +
donde V
AlQ
es la fraccin volumtrica de aluminio
en la mezcla Q. Despejando esta incgnita:
V
AlQ
1
E
min
1
E
B

1
E
Al
1
E
B

= V
AlQ
0.682 = V
BQ
1 V
AlQ
= V
BQ
0.318 =
La segunda condicin requiere que el precio de la fibra R (mezcla binaria de boro B y wolframio W) sea
p
R
p = , p
R
2153.56 = /t. El precio de la fibra est dado por:
( )
1
R BR B BR C
p X p X p = +
donde X
BR
es la fraccin msica de boro en la fibra R. Despejando esta incgnita, se obtiene:
X
BR
p
R
p
W

p
B
p
W

= X
BR
0.717 = X
WR
1 X
BR
= X
WR
0.283 =
La composicin del material compuesto P se obtiene de satisfacer las dos condiciones. Se puede resolver
tanto grficamente como analticamente, y trabajando tanto en fracciones msicas como volumtricas.
1 Variante: resolucin grfica en fracciones msicas.La composicin en fracciones msicas de la mezcla
binaria Q es:
X
AlQ
V
AlQ

Al

V
AlQ

Al
1 V
AlQ

( )

B
+
= X
AlQ
0.712 = X
BQ
1 X
AlQ
= X
BQ
0.288 =
El material compuesto P se obtendr en el punto de corte entre las rectas correspondientes a las mezclas
de W con Q y de Al con R.
2013-2014
323
B
R
Q
P
Al W
X
WP
1 X
AlP
X
BP
=
X
AlP
0.640 = X
BP
0.258 = X
WP
0.102 =
2 Variante: resolucin grfica en fracciones volumtricas. La composicin en fracciones volumtricas
de la fibra R es:
V
BR
X
BR

B
X
BR

B
X
WR

W
+
= V
BR
0.954 = V
WR
1 V
BR
= V
WR
0.046 =
El material compuesto P se obtendr anlogamente en el punto de corte entre las rectas correspondientes
a las mezclas de W con Q y de Al con R.
2013-2014
324
B
R
Q
P
Al W
V
WP
1 V
AlP
V
BP
=
V
AlP
0.672 = V
BP
0.313 = V
WP
0.015 =
que corresponden a las mismas fracciones msicas obtenidas anteriormente:
V
AlP

Al

V
AlP

Al
V
BP

B
+ V
WP

W
+
0.640 =
V
BP

B

V
AlP

Al
V
BP

B
+ V
WP

W
+
0.258 =
V
WP

W

V
AlP

Al
V
BP

B
+ V
WP

W
+
0.102 =
2. A partir de las composiciones volumtricas, puede obtenerse la densidad tomando como base de
clculo una unidad de volumen:

P
V
AlP

Al
V
BP

B
+ V
WP

W
+ =
P
2836 = kg/m
3
2013-2014
325
En cuanto al mdulo elstico, al ser en condiciones de isodeformacin, se aplica la regla de mezcla de
Voigt:
E
P
V
AlP
E
Al
V
BP
E
B
+ V
WP
E
W
+ = E
P
171 = GPa
__________________________________________________________________________________
8.17
Dos xidos cermicos AO y BO forman soluciones slidas ideales (es decir la mezcla de volmenes es
lineal en la composicin) en todo el intervalo de composicin, desde AO puro hasta BO puro. Las
densidades de los dos xidos puros son
AO
2.654 10
3
= kg/m
3
y
BO
5.434 10
3
= kg/m
3
.
Determinar la densidad de una solucin slida de AO y BO que contiene una fraccin msica
X
AO
0.32 = del xido AO.
Sol.: el volumen que ocupa un kg de disolucin slida es:
V
X
AO

AO
X
BO

BO
+ = V 2.457 10
4
= m
3
/kg de disolucin
Su densidad es el inverso de este volumen especfico:
1
V
4070 = kg/m
3
de disolucin
__________________________________________________________________________________
8.18
De modo aproximado, la piel tiene una estructura laminar de dos capas paralelas. Cada capa es
homognea e istropa. La nicotina tiene difusividades diferentes en cada capa. Los espesores y las
difusividades de la nicotina en cada una de las capas son: 1 2.2 10
4
= m, 2 1.52 10
3
= m,
D1 1.33 10
8
= m
2
/s y D2 5.62 10
9
= m
2
/s, respectivamente. Determinar cul es la
difusividad de la nicotina perpendicularmente a la piel; considerar la piel como un material compuesto.
Sol.: para la ecuacin constitutiva de la difusin msica (ley de Fick), la difusin perpendicularmente a
la piel es en condiciones de isoflujo (las componentes estn en serie), y la difusividad es el anlogo de la
conductividad elctrica. La difusividad de la nicotina en la piel es, para las siguientes
fracciones volumtricas: V
1
1
1 2 +
= V
2
1 V
1
=
2013-2014
326
D
V
1
D1
V
2
D2
+

1
= D 6.063 10
9
= m
2
/s
__________________________________________________________________________________
8.19
Un cable de cobre est fabricado agrupando un nmero elevado de conductores individuales (alambres
de cobre), colocados paralelamente unos a otros y paralelos al eje del cable. Entre los conductores
individuales slo hay aire, que acta como aislante elctrico de resistividad elctrica infinita. La
resistividad del cobre puro es
Cu
1.724 10
8
= m. Se mide la resistividad del cable a lo largo
del mismo y se obtiene un valor de
tot
3.43 10
8
= m. La densidad del cobre puro es
m
Cu
8.92 10
3
= kg/m
3
Qu densidad msica tiene el material del cable (kg/m
3
)? Despreciar la
densidad del aire frente a la del cobre.
Sol.: en la medida de resistividad del cable, considerado como material compuesto, el cobre y el aire
(aislante perfecto, resistividad infinita) estn dispuestos en paralelo. La resistividad total es:

tot
1
V
Cu

Cu
0 +
=
de donde se obtiene la fraccin volumtrica de cobre: V
Cu

Cu

tot
= V
Cu
0.503 =
Y la densidad del cable resulta: V
Cu
m
Cu
4.483 10
3
= kg/m
3
__________________________________________________________________________________
8.20
La mayora de los chasis de los monoplazas de Frmula 1 son un monocasco de materiales compuestos
de altas prestaciones, generalmente de fibra de carbono y aluminio con una estructura como la de la
figura. En esta figura se representa una lmina de un material compuesto de este tipo fabricado con dos
componentes: el material de la matriz, M, y el material F del que est formada la estructura regular que
se detalla en la figura. Los dos materiales M y F (cada uno por separado, sin darles ninguna estructura)
son homogneos e istropos (las zonas grises en el detalle ampliado son slo sombras, el material es el
mismo en todas las caras de los tringulos).
De la lmina se corta un cubo de lado L de manera que sus caras A, B y C sean respectivamente
paralelas a las caras A, B y C de la lmina (parte inferior de la figura). Todas las propiedades del
compuesto se suponen conocidas (es decir, no es preciso calcularlas en funcin de las propiedades de
M y de F).
2013-2014
327
A
B
C
detalle de la
estructura del
compuesto
A
B
C
los tringulos son
equilteros
vista frontal
(perpendicular a
las caras A)
L
El cubo de material compuesto se somete a una fuerza de compresin de mdulo W , que acta
perpendicularmente a sus caras A. Determinar, suponiendo pequeas deformaciones, en funcin de las
propiedades fsicas (que deben incluir necesarimente mdulos elsticos y relaciones de Poisson),
geometra, y dems variables que se consideren necesarias:

a qu clase cristalogrfica pertenece el material compuesto.
la deformacin del cubo de material compuesto al cargarlo con la fuerza W (dar las dimensiones de
las caras A, B y C).
la variacin de volumen del cubo (volumen bajo carga menos volumen inicial).
Sol.: el material tiene un eje de rotacin de orden 6 perpendicular a las caras A, que es uno de los
elementos de simetra caracterstico del sistema hexagonal. Adems tiene 6 planos de simetra que
contienen este eje, y un plano de simetra y 6 ejes binarios perpendiculares a este eje. Es de la clase
6/mmm. Para esta clase, el eje de orden 6 corresponde al eje convencional cartesiano 3. La orientacin
de los otros dos ejes es la definida por los ejes x
1
y x
2
en el estereograma de la clase. En este sistema
de ejes la estructura de sus complianzas elsticas es:
y
x

z
6 / mmm
u





2013-2014
328
La fuerza de compresin aplicada entre las caras A produce una tensin mecnica normal
3
(en
notacin de Voigt). Al aplicar la ley constitutiva de Hooke:
( )
11 12 13 13
12 11 13 13
13 13 33 33
2
2
44
44
11 12
0
0
0
0
0
0
2 0
0
s s s s
s s s s
W
s s s s
W
s
L
s L
s
s s









= = =















se producen deformaciones longitudinales en las tres direcciones convencionales. Las nuevas


dimensiones del cubo tras la carga son:
13 33
1 2 3 2 2
1 1
s W s W
L L L ; L L
L L

= = =


Las complianzas elsticas pueden escribirse en trminos de los mdulos de Young y las relaciones de
Poisson longitudinales y transversales (el subndice t "transversal" corresponde con los ejes
convencionales 1 y 2; el subndice l "longitudinal" corresponde al eje convencional 3). El material es
transversalmente istropo. Como ya se ha visto en anteriores problemas:
13 33
1
lt l l
s / E s / E = =
es decir, los lados del cubo en la direccin de los ejes 1, 2 y 3 tras la carga son:
1 2 3 2 2
1 1
lt
l l
W W
L L L ; L L
E L E L

= = + =


Para la inmensa mayora de materiales, la relacin de Poisson
lt
es positiva, de manera que la muestra
de material compuesto sufre acortamiento en la direccin en la que acta la carga de compresin (eje
cartesiano convencional 3), y alargamiento en las direcciones 1 y 2.
Por ltimo la variacin de volumen del cubo ser:
( )
3
1 2 3
2 1
lt
l
LW
V L L L L
E
=
donde se han retenido slo los trminos de primer orden en la deformacin; cuadrticos y cbicos se
desprecian en pequea deformacin.
__________________________________________________________________________________
2013-2014
329
8.21
Se desea construir un cilindro de L 0.225 = m de longitud y dimetro D 0.015 = m de un material
compuesto formado por una matriz (M) de resina epoxi reforzada con fibra de carbono (F). Se dispone
de una nica fibra que se corta en segmentos iguales para su utilizacin. Esta fibra de refuerzo posee un
mdulo de Young de E
f
216 = GPa, un dimetro de D
f
5.62 10
3
= m y una longitud
L
f
1.35 = m. Suponiendo una adhesin perfecta entre la matriz y las fibras, y despreciando la
contribucin de la matriz, calcular el valor mximo del mdulo de Young, a traccin en la direccin del
eje del cilindro, del material compuesto que se puede fabricar a partir de M y F.
Sol.: la fibra se corta en 6 segmentos iguales, de longitud igual a la del cilindro. La fraccin volumtrica
de fibra est dada por la relacin entre el rea transversal de las seis fibras y el rea transversal del
cilindro. El mdulo pedido corresponde a isodeformacin, es decir:
6
D
f
2
4

D
2
4

E
f
181.9 = GPa
__________________________________________________________________________________
8.22
Algunas cuerdas de guitarra elctrica (las graves o bordonas) estn fabricadas de un material
compuesto por dos tipos de alambre: un alambre macizo de acero al carbono (A) alrededor del cual se
enrolla apretadamente un alambre de otro material (B) (p.ej en las Fender Original 150s B es nquel),
tal y como se indica en la figura.
Con muy buena aproximacin, se puede suponer que la fuerza aplicada al tensar la cuerda la soporta
ntegramente el componente A. El componente B slo aade masa inerte al conjunto y tiene un mdulo
elstico despreciable. El compuesto de los dos alambres se encuentra en condiciones de
isodeformacin.
Una cuerda de este tipo, de longitud L, tensada con una fuerza F y de densidad lineal (kg de
cuerda/m de cuerda) tiene como frecuencia natural de vibracin: f
1
2L
F

=
Considerando la cuerda como un material compuesto, y conocidos los dimetros de los dos tipos de
alambre, D
A
, D
B
, sus densidades
A
,
B
, y el mdulo de Young de A, E
A
, determinar en funcin
de estas variables (stas deben aparecer necesariamente en la solucin), de la geometra del material, y
otras variables que se consideren necesarias:
la densidad lineal (kg de cuerda / m) de la cuerda,
por su geometra, a qu clase pertenece este material compuesto,
2013-2014
330
cunto se incrementa la longitud de la cuerda al tensarla (afinarla) para que vibre con su frecuencia
natural f .
Por simplicidad, considerar el bobinado de B en torno a A como formado por anillos (forma de toro) y
no como helicoidales.
Sugerencia: para calcular la densidad lineal, considerar un tramo de cuerda de longitud igual a un
nmero entero cualquiera de dimetros del alambre B.
Volumen de un toro:
B
Sol.: La densidad lineal se puede obtener considerando un tramo de cuerda, p.ej., de longitud
igual al dimetro del alambre de B. El volumen de cada componente en este tramo es:
2 2
2
2 2 2 2
A A B B
A B B
D D D D
Vol D Vol

= = +


La masa total de este tramo dividido por su longitud es la densidad lineal (kg/m lineal de cuerda):
( )
2
4
A A B B
A A B B A B
B
Vol Vol
D D D D
D
+
= = + +



( )
2
2 F Lf =
La cuerda debe afinarse (tensarse) con una fuerza dada por la frmula:
El mdulo elstico de la cuerda, considerada como material compuesto es:
( ) ( )
2
2
2
1
1
A A
C A A A
B A B A B A B A B
A
Vol D
E E E E
D D D Vol Vol D D D D
D
= = =
+ + + +
+


La estructura del material tiene un eje de simetra de orden infinito, una direccin preferente (la del eje
de la cuerda) y no tiene un sentido preferente, es de la clase:
/ mm
2013-2014
331
3 2
2
A
B
F
D
D
=

+

La tensin mecnica que acta sobre la seccin transversal del


compuesto es:
Usando la estructura de la complianza elstica de la clase a la que pertenece:
11 12 13 13 3
12 11 13 13 3
13 13 33 3 33 3
44
44
11 12
0
0
0 0
0 0
2 0 0
s s s s
s s s s
s s s s
s
s
s
( s s )








= = =









33
1
C
s
E
= donde: E
C
es el mdulo del material compuesto en la direccin 3 "longitudinal"
calculado anteriormente
y el incremento de la longitud de la cuerda (o lo que la cuerda se estira) al tensarla es:
( )
( )
3 33 3 2 2
2
2
2
1 1
1
2 2
1
1
2
C
A A
A
B B
B A B
A
B A B
A
A
A
B
LF F
L L Ls L
E
D D
E
D D
D D D
D
D D D
D LF
L
E
D
D

= = = = =

+ +

+

+
+
+
=

+


Tambin puede hacerse este apartado no considerando la cuerda como un compuesto, sino considerando
slo el material (A) que soporta la carga. En este caso se trata de un material homogneo e istropo:
2
3
2
A
A
F
D
E



=

3 2
2
A
A
LF
L
D
E
=


y la cuerda se estira
Los dos resultados son vlidos. La diferencia entre los dos resultados se debe a que en el primer mtodo
se usa una seccin transversal que es slo aproximada. Para la aplicacin de que se trata, el error
numrico que causa esta aproximacin es inferior a un 10% en la elongacin. La aproximacin es tanto
mejor cuanto ms fino es el alambre B (para D
A
fijo) y es exacta en el lmite:
2013-2014
332
( )
2
2 2
0
1
1
2 2
B
B A B
A
D
A A
A A
B
D D D
D LF LF
lim
E E
D D
D

+
+
=

+


Lo que NO es correcto es:
considerar el material como un compuesto, pero usar el mdulo y la seccin transversal del material
A (el compuesto es anistropo, A es istropo!).
usar el mdulo de A y la seccin transversal del compuesto,
usar el mdulo del compuesto y la seccin transversal de A.
Lo esencial es que, se elija la opcin que se elija (bien tratarlo como material compuesto, bien tratarlo
como A slo), las propiedades, la geometra, etc. sean consistentes. No se pueden mezclar los dos
modos de tratar la cuerda.
__________________________________________________________________________________
8.23
Un tirante de material compuesto est fabricado con dos tipos de fibras A y B, cuyos mdulos elsticos
y radios son E
A
1.35 = GPa y E
B
0.15 = GPa, y R
A
4.5 = mm y R
B
3.87 = mm,
respectivamente, y una matriz C de mdulo elstico E
C
0.045 = GPa. Las fibras de A y de B son
todas paralelas entre s, y los centros de las secciones transversales de las fibras de A estn situados
sobre una red cuadrada, como se indica en un detalle de la seccin del tirante (figura siguiente).
Determinar el mdulo elstico del tirante en la direccin de las fibras.
Sol.: el mdulo en la direccin de las fibras corresponde a isodeformacin, y se calcula con la regla de
mezcla de Voigt. Las fracciones volumtrica estn dadas por:
V
A
R
A
2

2R
A
2R
B
+
2

2
= V
B
R
B
2

2R
A
2R
B
+
2

2
=
2013-2014
333
V
C
1 V
A
V
B
=
V
A
0.454 = V
B
0.336 = V
C
0.21 =
E
c
V
A
E
A
V
B
E
B
+ V
C
E
C
+ =
E
c
0.673 = GPa
__________________________________________________________________________________
8.24
Un PE semicristalino tiene una densidad de 960 = kg/m
3
. Se sabe que el PE cristaliza en el
sistema ortorrmbico siendo los parmetros de red de la celdilla unidad, que contiene dos UER, los
siguientes: a 0.742 = nm, b 0.493 = nm y c 0.253 = nm. Si la densidad del PE totalmente amorfo
es
a
862 = kg/m
3
, determinar el grado de cristalinidad de este PE semicristalino, definido como la
fraccin volumtrica de la fase cristalina.
Sol.: la UER tiene una masa molecular de Mw
UER
2 12 4 1 + =
Si la cristalinidad fuera el 100%, la densidad del PE totalmente cristalino sera:

c
2Mw
UER
1.6603 10
27

a b c 10
27

=
c
1004.6 = kg/m
3
La densidad del PE semicristalino est dado por: V
a

a
V
c

c
+ = 1 V
c

( )

a
V
c

c
+ =
de donde: V
c

a

c

= V
c
0.687 =
__________________________________________________________________________________
8.25
El material del ncleo magntico de un transformador es un material compuesto formado por lminas
planas paralelas de un material magntico (A), que tambin es conductor elctrico, separadas por capas
de un material (B), mal conductor de la electricidad. A y B son homogneos e istropos y ambos
obedecen la ley de Ohm. Los espesores de las lminas son
A
0.004 = m y
B
0.0012 = m, y sus
2013-2014
334
conductividades elctricas son
A
1800 = y
B
5.6 = S/m respectivamente. Sus densidades son

A
6300 = kg/m
3
y
B
1800 = kg/m
3
. Sus calores especficos o capacidades calorficas a presin
constante son Cp
A
1200 = J/kg K y Cp
B
1800 = J/kg K.
En un punto del ncleo del transformador, el campo elctrico forma un ngulo de 23 = con la
normal a las lminas de A y B, y su mdulo es E
mod
860 = V/m. Determinar en ese punto:
la conductividad elctrica (S/m) del material compuesto del ncleo,

la densidad de corriente elctrica (A/m
2
),

la disipacin de potencia elctrica por unidad de volumen en ese punto (W/m
3
), sabiendo que est
dada por ,

la capacidad calorfica a presin constante (J/kg K) del material compuesto del ncleo,

si no hubiera refrigeracin, a qu velocidad (K/s) subira la temperatura en ese punto del ncleo
debido a la disipacin de potencia elctrica.

J
J E
/ mm Solucin: el material compuesto laminar pertenece a la clase lmite
La estructura de su conductividad elctrica (prop. de segundo orden, simtrica) es:
. .
.




Las fracciones volumtricas se obtienen directamente de los espesores de las capas:
V
A

A

B
+
= V
B

A

B
+
=
V
A
0.769 = V
B
0.231 =
Para esta clase, el eje convencional 3 va dirigido perpendicularmente al plano de las lminas (ver caso
anlogo para resistividades). Las conductividades en direcciones 1 y 2 (componentes A y B en paralelo,
caso de isogradiente o isotensin elctrica), estn dadas por la regla de mezcla de Voigt:

c11
V
A

A
V
B

B
+ =
c11
1.39 10
3
= S/m
La conductividad en direccin 3 (componentes en serie, caso de isoflujo elctrico, o isocorriente) est
dada por la de Reuss:

c33
V
A

A
1
V
B

B
1
+ ( )
1
=
c33
24 = S/m
Y la conductividad, representada como matriz, es:
2013-2014
335

c11
0
0
0

c11
0
0
0

c33

=
Para aplicar la ley de Ohm inversa, falta determinar las componentes del campo elctrico aplicado
referidas a las coordenadas convencionales del material. Slo es importante, y conocida, la dependencia
de la direccin de E con el eje 3, porque el material es transversalmente istropo. Una forma cmoda
para hallar sus componentes es, por ejemplo, colocar el vector en el plano 1-3 perpendicular a la eje 2:
E
E
mod
sen ( )
0
E
mod
cos ( )

= E
336.029
0
791.634

= V/m
Tambin sera vlido colocar la direccin de E perpendicular al eje 1, en el plano 2-3.
Por la ley de Ohm inversa:J
c
E = J
4.657 10
5

0
1.901 10
4

= A/m
2
La potencia elctrica disipada por unidad de volumen debido a la resistencia del material es:
J E 1.715 10
8
= W/m
3
y la densidad del compuesto:

c
V
A

A
V
B

B
+ =
c
5.262 10
3
= kg/m
3
Puesto que la capacidad calorfica del compuesto (por unidad de masa) es una propiedad especfica
msica, se calcula:
Cp
c
1

c
V
A

A
Cp
A
V
B

B
Cp
B
+
( )
= Cp
c
1.247 10
3
= J/kg K
De un balance de energa no estacionario, diferencial, usando como volumen de control un elemento de
volumen dV en torno al punto considerado, se obtiene:

c
dV Cp
c
dT J E dV dt =
de donde la velocidad de calentamiento dT/dt es:
J E

c
Cp
c

26.14 = K/s
Tambin puede hacerse usando la capacidad calorfica por unidad de volumen de compuesto:
Cpv
c
V
A

A
Cp
A
V
B

B
Cp
B
+ = Cpv
c
6.563 10
6
= J/m
3
.K
En este caso el balance de energa es:
dV Cpv
c
dT J E dV dt =
2013-2014
336
y la velocidad de calentamiento dT/dt es:
J E
Cpv
c
26.14 = K/s

__________________________________________________________________________________
8.26
Un cable elctrico est formado por dos tipos de conductores A y B, y un aislante C como matriz. La
seccin transversal del cable est dibujada en la figura. Los cables de A y B son tangentes y estn
dispuestos hexagonalmente (el dibujo y la relacin de radios de A y B no estn a escala, son puramente
indicativos, y la lnea de puntos es auxiliar, no existe). El espacio entre los cables est relleno de un
aislante elctrico C de resistividad infinita. Los radios de los conductores A y B son r
A
5 10
3
=
m y r
B
1.3 10
3
= m, y sus resistividades elctricas son
A
1 10
7
= m y

B
6.89 10
7
= m. Determinar la resistividad elctrica del cable, considerndolo como un
material compuesto, en la direccin perpendicular al plano de la figura.
Sol.: las fracciones volumtricas de los dos conductores son directamente proporcionales a las
fracciones de rea en la seccin transversal. Eligiendo, p.ej., un hexgono de los marcados con lnea de
trazos, las fracciones volumtricas son:
2013-2014
337
V
A
2
3 3
r
A
2
r
A
r
B
+
( )
2
= V
A
0.762 =
V
B
4
3 3
r
B
2
r
A
r
B
+
( )
2
= V
B
0.103 =
V
C
1 V
A
V
B
= V
C
0.135 =
Como los dos conductores y la matriz aislante estn en paralelo (isotensin), la resistividad total ser:

C
V
A
1

A
V
B
1

B
+

1
=
C
1.288 10
7
= m
__________________________________________________________________________________
8.27
Un tejido transpirable est formado por una matriz de un material A y una fase dispersa de un material B
dispuesta en forma de cilindros que atraviesan todo el espesor del tejido. A y B se consideran, cada uno
por separado, homogneos e istropos.
Se conocen: las difusividades del vapor de agua en A, D
A
7.39 10
10
= m
2
/s, y en B,
D
B
1.44 10
8
= m
2
/s y las densidades de A y de B,
A
890 = kg/m
3
y
B
1042 = kg/m
3
.
Determinar la difusividad del vapor de agua a travs del espesor del tejido, considerado como material
compuesto, si la fraccin msica de B en el tejido es X
B
0.3 = .
Sol.: la difusin del vapor de agua a travs del tejido se produce en condiciones de isogradiente de
concentracin de vapor de agua (la matriz A y la fase dispersa B estn en paralelo); primero se
calculan las fracciones volumtricas de los componentes:
V
A
1 X
B

A
1 X
B

A
X
B

B
+
= V
A
0.732 = V
B
1 V
A
= V
B
0.268 =
D V
A
D
A
V
B
D
B
+ = D 4.4 10
9
= m
2
/s
__________________________________________________________________________________
2013-2014
338
8.28
Un material usado en acumuladores de calor se puede considerar como un compuesto de dos
componentes A y B. Los calores especficos y las densidades de los dos componentes son
Cp
A
3.2 10
3
= J/kg K, Cp
B
2.33 10
3
= J/kg K,
A
3.234 10
3
= kg/m
3
, y

B
1.134 10
3
= kg/m
3
, respectivamente. La fraccin volumtrica de A es V
A
0.3 = .
Determinar el calor especfico por unidad de volumen del compuesto (en J/m
3
K).
Sol.: en 1 m
3
de compuesto hay V
A
0.3 = m
3
de A y 1 V
A
0.7 = m
3
de B. Sus masas son
V
A

A
970.2 = kg y 1 V
A

( )

B
793.8 = kg. El calor especfico de esta masa contenida en 1 m
3
es directamente la magnitud pedida:
V
A

A
Cp
A
1 V
A

( )

B
Cp
B
+ 4.954 10
6
= J/m
3
K
__________________________________________________________________________________
8.29
Un material compuesto tiene una estructura formada por cubos de dos materiales A y B (gris y negro
en la figura). A y B son slidos homogneos e istropos.
Un bloque cbico, de lado L 0.11 = m de este material est fijo en su base y se somete a una
fuerza de mdulo F 750 = N que acta sobre toda la cara superior del cubo como se indica en la
figura.
Los mdulos cortantes de A y de B son G
A
1.56 10
7
= Pa y G
B
4.68 10
6
= Pa, el mdulo
cortante del compuesto se obtiene de la regla de mezcla G
compuesto
G
A
G
B
= . Determinar
cunto se reduce el ngulo debido a la accin de la fuerza F.
2013-2014
339
Sol.: de la regla de mezcla dada se calcula el mdulo cortante del compuesto:
G
compuesto
G
A
G
B
= G
compuesto
8.544 10
6
= Pa
Por otro lado, el material es cbico y la estructura de su matriz de complianza elstica es:
Al ser cbico, los ejes convencionales son
equivalentes y paralelos a las aristas del cubo.
La fuerza que acta, por ejemplo, en
direccin 2, sobre la cara cuya normal apunta
en direccin 3, corresponde a una tensin
tangencial
32
, que en notacin de Voigt es

4
. Aplicando:
s =

i ij j
s =
s =

i ij j
s =
se obtiene la deformacin angular en el plano 2-3 en radianes:
23 4 44 4 4 2 2
1
2
compuesto compuesto A B
F F
s
G L G L G G
= = = = =
F
L
2
G
A
G
B

7.254 10
3
= rad
__________________________________________________________________________________
8.30
Un material est compuesto de fibras cilndricas de dos materiales A y B orientadas paralelamente
entre s, dentro de una matriz de un tercer material C. La seccin del compuesto, transversal a los ejes
de las fibras se indica en la figura. A, B y C son homogneos e istropos. El compuesto se utiliza como
material aislante trmico.
2013-2014
340
Los radios de los dos tipos de fibras y las conductividades trmicas de los tres componentes son
conocidos: R
A
0.05 = m, R
B
0.06 = m, k
A
1.56 10
3
= , k
B
2.2 10
3
= y k
C
4.1 10
3
=
W/m K. Determinar la conductividad trmica del compuesto en la direccin de las fibras.
Sol.: en la direccin de las fibras, los tres componentes se encuentran en paralelo, es decir, isogradiente
(el gradiente de temperatura es la misma a lo largo de las fibras de A, de las fibras de B y de la matriz C)
con lo cual, la regla de mezcla debe ser tipo Voigt para una propiedad como la conductividad trmica.
Por otro lado, las fracciones volumtricas de los tres componentes se obtienen de la geometra dada. Por
ejemplo, calculando las fracciones que ocupa cada componente en un rea como la marcada por la lnea
de puntos:
V
A
2 R
A
2

4 R
A
2 2 R
A
R
B
R
B
2
+
= V
B
R
B
2

4 R
A
2 2 R
A
R
B
R
B
2
+
= V
C
1 V
A
V
B
=
V
A
0.401 = V
B
0.289 = V
C
0.311 =
k
compuesto
V
A
k
A
V
B
k
B
+ V
C
k
C
+ = k
compuesto
2.534 10
3
= W/m K
__________________________________________________________________________________
8.31
Se desea fabricar un filtro solar F (crema) que absorba exactamente el S1 98 = % de la radiacin
incidente sobre la piel, cuando se aplica en una capa de espesor de h 1 10
4
= m. El filtro solar F se
2013-2014
341
puede considerar como un material compuesto (ver figura) por una matriz acuosa A, en la que estn
dispersas al azar partculas de un pigmento inorgnico T y gotas de un componente orgnico O (aceite).
h
T
O
A
piel
capa de filtro solar
h
T
O
A
piel
capa de filtro solar
La expresin que relaciona la fraccin de radiacin absorbida, con respecto de la radiacin incidente,
con el coeficiente de absorcin ptica lineal del filtro solar,
F
(m
-1
), y el espesor de la capa de filtro
solar, h (m), es la siguiente:
absorbida
incidente
1 e
F
h
I
I

=
Se conocen los coeficientes de absorcin ptica lineal, las densidades msicas y los precios de los tres
componentes (todas ellas son propiedades escalares):

A
2.2 = m
-1

A
990 = kg/m
3
p
A
1.55 = /kg

T
5.95 10
4
= m
-1

T
1400 = kg/m
3
p
T
9.85 = /kg

O
4.3 10
4
= m
-1

O
650 = kg/m
3
p
O
29.59 = /kg
y el coeficiente de absorcin ptica lineal de F (
F
) es una mezcla lineal (regla de Voigt) de los
coeficientes de los tres componentes.
Adems de la especificacin S1, el filtro solar, para que tenga la viscosidad adecuada, debe contener
una fraccin volumtrica de los componentes que estn dispersos, es decir, de T y O juntos,
comprendida entre los valores: S2 0.25 = y S3 0.81 = .
Por ltimo, por compatibilidad con la piel es necesario que F contenga una fraccin volumtrica del
componente orgnico (O) igual o superior a S4 0.06 = .
Determinar:
la composicin en fracciones volumtricas V
O
, V
T
, V
A
del filtro solar F que, cumpliendo todas las 1.
especificaciones, tiene precio volumtrico (/m
3
) mnimo.
el precio de F (/m
3
). 2.
la densidad de F (kg/m
3
). 3.
Nota: este problema conviene hacerlo con ayuda de un diagrama triangular, representando en l las
especificaciones. La solucin analtica es bastante ms costosa.
2013-2014
342
Solucin: Mtodo 1: el mtodo ms cmodo y rpido de resolver este problema es, con gran diferencia,
usar un diagrama triangular (solucin grfica) en fracciones volumtricas. En primer lugar se representan
las especificaciones dadas en el diagrama:
La primera especificacin implica:
e
V
T

T
V
O

O
+ V
A

A
+ ( ) h

1
S1
100
=
que es lo mismo que: V
T

T
V
O

O
+ V
A

A
+
1
h
ln 1
S1
100

=
Esta ecuacin (especificacin S1) es una lnea recta en el diagrama triangular que puede construirse
fcilmente uniendo dos puntos. Por ejemplo, uniendo el punto que se obtiene de la ecuacin anterior
haciendo V
T
=0 y calculando V
O
, con el punto que se obtiene haciendo V
O
=0 y despejando V
T
(en
ambos casos, V
A
es la diferencia a 1). En la figura esta lnea se representa por la lnea negra ms gruesa.
La segunda y la tercera especificaciones se representan por lneas, que son tambin rectas en el
diagrama, trazadas por los siguientes valores de V
A
constante:
V
A
1 S2 = V
A
1 S3 =
estas especificaciones se representan en la figura por las lneas discontinuas.
Finalmente, la cuarta especificacin est delimitada por otra lnea recta en el diagrama, trazadas por el
siguiente valor de V
O
constante:
V
O
S4 =
Para cumplir todas las especificaciones, la composicin pedida estar sobre la lnea que representa S1, y
dentro del rea delimitada por las otras tres especificaciones y el lado AO del tringulo.
Como adems se especifica que el precio volumtrico sea mnimo, y el precio es una funcin lineal de la
composicin, el mnimo se encontrar sobre la lnea de S1, en una de las dos intersecciones de esta lnea
con la frontera del rea delimitada por el resto de las especificaciones y el lado AO del tringulo.
Con los datos dados, el coste mnimo se encuentra para la composicin marcada con el crculo en el
diagrama, del que se lee directamente la solucin:
V
T
0.614 = V
A
0.326 = V
O
1 V
T
V
A
= V
O
0.06 =
Con ayuda del diagrama es inmediato verificar que este punto cumple todas las especificaciones. Su
precio volumtrico es mnimo e igual a:
Precio
min
p
T

T
V
T
V
O

O
p
O
+ p
A

A
V
A
+ =
Precio
min
10126.97 = /m
3
2013-2014
343
Puede comprobarse que el otro extremo de la lnea S1, que est dentro del rea donde se cumplen todas
las especificaciones, tiene precio mximo.
Por ltimo, la densidad se obtiene de la suma ponderada de las densidades:
V
T

T
V
O

O
+ V
A

A
+ 1221.5 = kg/m
3
A
O
T
Mtodo 2 (poco prctico): alternativamente, puede hacerse analticamente determinando las dos
soluciones del sistema de ecuaciones e inecuaciones formado por todas las especificaciones del
problema:
V
T

T
1 V
T
V
A

( )

O
+ V
A

A
+
F
=
V
A
1 S2
V
A
1 S3
V
T
V
A
+ 1 S4
V
T
0
2013-2014
344
calculando acto seguido el precio de las dos soluciones obtenidas por medio de:
Precio V
T
V
A
,
( )
p
T

T
V
T
1 V
T
V
A

( )
p
O

O
+ p
A

A
V
A
+ =
y finalmente eligiendo entre esas dos la solucin (composicin) que produzca el menor precio con la
frmula anterior.
__________________________________________________________________________________
8.32
En densitometra se emplea la absorcin de rayos X para evaluar la prdida de componentes minerales
en los huesos (osteoporosis, etc). Considerando de modo simplificado que el hueso es un compuesto
formado nicamente por una fase orgnica biolgica (O) y una fase inorgnica o mineral (M), y que el
coeficiente de absorcin del hueso se calcula por la regla de Reuss a partir de sus componentes,
determinar la fraccin volumtrica de fase mineral en una muestra de hueso de espesor h 0.03 = m que
absorbe el A 27 = % de la radiacin X incidente.
Datos: coeficiente de absorcin de la fase orgnica:
O
5.82 = m
-1
, coeficiente de absorcin de la fase
mineral
M
25.5 = m
-1
. La ley de absorcin se ha visto en el problema 8.31.
Sol.: de la ley de absorcin, se obtiene que el coeficiente de absorcin del hueso es:

hueso
1
h
ln 1
A
100

=
hueso
10.4904 = m
-1
1 1
M M
hueso O M
V V

= +
puesto que se obtiene:
V
M

hueso

O
+

hueso

M

O
+
( )


M
= V
M
0.577 =
__________________________________________________________________________________
8.33
Un material compuesto laminar est formado por capas planas de tres materiales A, B y C, de espesores

A
3 10
3
= m,
B
5 10
3
= m y
C
2 10
3
= m, apilados en la secuencia
...A.B.C.A.B.C.A.B.C... Los tres son homogneos e istropos y de ellos se conocen las siguientes
complianzas elsticas (en los siguientes datos, s
A_ij
es el valor de s
ij
para el componente A, y anloga-
mente para B y C).
s
A_33
3.2 10
10
= s
B_44
1.07 10
9
= s
C_55
5.2 10
10
=
2013-2014
345
s
A_12
9.6 10
11
= s
B_23
1.073 10
10
= s
C_13
6 10
11
=
Determinar el mdulo elstico del material compuesto en la direccin perpendicular a las capas.
Sol.: de los datos se obtienen los mdulos de los tres componentes (A, B y C son istropos):
( )
( )
33
33
44 11 12 23
44 23
55 11 12 13
55 13
1 1
2 2
2 2
2
2 2
2 2
2
A_ A
A A_
B_ B_ B_ B_ B
B B_ B_
C_ C_ C_ C_ C
C C_ C_
s E
E s
s s s s E
E s s
s s s s E
E s s
= =
= = =
+
= = =
+
E
A
3.125 10
9
= Pa E
B
2.338 10
9
= Pa E
C
5 10
9
= Pa
y las siguientes fracciones volumtricas:
V
A

A

B
+
C
+
= V
B

A

B
+
C
+
= V
C
1 V
A
V
B
=
V
A
0.3 = V
B
0.5 = V
C
0.2 =
En la direccin perpendicular a las lminas los tres componentes estn en isotensin, as que el mdulo
pedido es:
E
compuesto
V
A
E
A
V
B
E
B
+
V
C
E
C
+

1
= E
compuesto
2.858 10
9
= Pa
__________________________________________________________________________________
8.34
Los discos de freno de los F1 son de un compuesto (C) de matriz de carburo de silicio SiC policristalino
(A) y fibras de carbono (B). El compuesto contiene una fraccin msica X
B
0.23 = de fibra de
carbono. Los granos o cristales de la matriz de SiC estn orientados aleatoriamente sin ninguna
direccin preferente (matriz isotrpica), y las fibras de carbono estn orientadas uniaxialmente, como se
indica con lneas en la figura. De A y de B se conocen las densidades,
A
3850 = kg/m
3
,
B
2500 =
kg/m
3
, y los calores especficos msicos, Cp
A
1220 = J/kg K, Cp
B
1050 = J/kg K, todos supuestos
independientes de la temperatura.
Del material compuesto C se conocen tambin los coeficientes de dilatacin trmica (prop. tensorial de
segundo orden, simtrica), que relacionan la deformacin con la variacin de temperatura segn:
2013-2014
346
( )
amb
T T =
Sus componentes son
11
2.13 10
5
= K
-1
y
33
3 10
6
= K
-1
. A temperatura ambiente
T
amb
298 = K, las dimensiones del disco son: radio exterior R
e
0.23 = m, radio interior
R
i
0.03 = m y espesor h 0.008 = m. En una frenada, el vehculo de masa M 1500 = kg decelera
de V
i
55 = m/s a V
f
12 = m/s en un tiempo breve t 1.6 = s.
Calcular la densidad
c
( kg/m
3
) del material del disco. 1.
Calcular su calor especfico msico Cp
c
(J/kg K). 2.
Suponiendo que toda la energa cintica que se disipa en la frenada se reparte igualmente entre los 3.
cuatro discos (que son iguales), que la temperatura en todos los puntos del disco es la misma, y que
no hay prdidas trmicas de ningn tipo (aproximacin adiabtica), calcular la temperatura T (K)
que alcanzan los discos al final de la frenada, si antes de frenar su temperatura es la temperatura
ambiente.
Calcular el tensor deformacin del material del disco y escribirlo como matriz en el sistema de 4.
coordenadas convencional del material del disco.
Calcular las variaciones dimensionales (m) del radio exterior Re, del radio interior Ri y del 5.
espesor h y describir la forma que adquiere el disco.
Hacer los clculos en pequea deformacin (|
ij
|<<1)
Sol.: la densidad del compuesto se calcula directamente a partir de los datos:
X
A
1 X
B
=

c
X
A

A
1
X
B

B
1
+ ( )
1
=

c
3.425 10
3
= kg/m
3
Igualmente para el calor especfico, al ser msico (referido a la unidad de masa), se cumple:
Cp
c
X
A
Cp
A
X
B
Cp
B
+ =
2013-2014
347
Cp
c
1.181 10
3
= J/kg K
De acuerdo con el enunciado, la energa mecnica (cintica) disipada en la frenada se convierte
ntegramente en energa interna y se reparte igualmente entre los cuatro discos, lo que se traduce en un
incremento de su temperatura. Este incremento se obtiene de un balance de energa, al igualar la energa
disipada al incremento de energa interna:
( ) ( ) ( )
2 2 2 2
1 1
4 2
f i e i C C amb
M V V R R h Cp T T =
energa mecnica disipada = incremento de energa interna
despejando la temperatura final tras la frenada y sustituyendo valores numricos:
T T
amb
1
4
1
2
M V
i
2
V
f
2
( )
R
e
2
R
i
2
( ) h
c
Cp
c

+ = T 400.2 = K
De acuerdo con la descripcin del enunciado, el material posee un eje de orden infinito (en la direccin
de las fibras de carbono), y no tiene un sentido preferencial. Pertenece a la clase
/ mm
Para esta clase, el eje convencional 3 es paralelo a la direccin del eje de orden infinito, que es la
direccin de las fibras de carbono. Los ejes 1 y 2 son equivalentes (material transversalmente isotrpico)
y pueden elegirse arbitrariamente, con tal de que sean perpendiculares al eje 3 y perpendiculares entre
s. En este caso particular, lo ms sencillo es elegir uno de ellos, p.ej. el 1, perpendicular al plano del
disco, y el otro, contenido en el plano del disco y perpendicular a los dos anteriores, como se indica en
la figura.
En los ejes convencionales, puesto que las direcciones 1 y 2 son equivalentes, el coeficiente de
dilatacin tiene la estructura:
. .
.




. .
.




11
11
33
0 0
0 0
0 0
C


=




es decir:
Aplicando la ley constitutiva dada, el tensor deformacin ser:
2013-2014
348
( )
( )
( )
11
11
33
0 0
0 0
0 0
amb
amb
amb
T T
T T
T T


=

Y las variaciones dimensionales se calculan a partir de las componentes de la diagonal:


en la direccin de las fibras (eje 3) la variacin de los radios exterior e interior:
R
e

33
T T
amb

( )
7.052 10
5
= m R
i

33
T T
amb

( )
9.198 10
6
= m
en el plano del disco, y perpendicular a las fibras (eje 2):
R
e

11
T T
amb

( )
5.007 10
4
= m R
i

11
T T
amb

( )
6.531 10
5
= m
en la direccin del eje 1, la variacin del espesor:
h
11
T T
amb

( )
1.742 10
5
=
Es decir, el disco aumenta de espesor, y de dimensiones radiales, y pasa de ser circular a tener una forma
alargada (en pequea deformacin, una elipse). Puesto que
11
>
33
la mayor variacin en el radio ser
en todas las direcciones transversales (perpendiculares a las fibras).
__________________________________________________________________________________
8.35
La piel es un material anistropo de la clase lmite /mm. El eje de orden infinito de la piel es
perpendicular a la superficie de la misma. Las difusividades de un medicamento M a travs de la piel (en
los ejes convencionales) son D
11
3.1 10
12
= m/s
2
y D
33
6.1 10
12
= m/s
2
. Tambin se sabe
que la difusin de una sustancia en cada una de las direcciones de los ejes convencionales est dada por
la misma funcin que describe la difusin en un medio semi-infinito, pero, lgicamente, con diferente
difusividad en cada direccin. Para este medicamento se observa que el espesor de la capa lmite en
direccin perpendicular a la superficie es
perp
6.7 10
3
= m. Cunto se habr extendido M
lateralmente (es decir, en direcciones paralelas a la superficie de la piel), si esta extensin se mide por el
espesor de la correspondiente capa lmite
lat
en direccin lateral?
Sol.: puesto que la difusin obedece la misma ley en las tres direcciones convencionales, la nica
diferencia entre la direccin perpendicular (eje 3) y las laterales o transversales (ejes 1 y 2) es el valor
diferente de la difusividad. Como el espesor de la capa lmite depende de la raz cuadrada de la
difusividad, la extensin lateral del medicamento (espesor de la capa lmite en direccin 1 o 2) ser:

lat

perp
D
11
D
33
=
lat
4.776 10
3
= m
__________________________________________________________________________________
2013-2014
349
8.36
Un conductor M est compuesto de dos materiales A y B. B es istropo en todas sus propiedades
y su resistividad elctrica es B 0.4 = m. A pertenece a la clase 222 y sus resistividades
elctricas (expresadas en sus ejes convencionales) son: A
11
0.03 = m, A
22
0.13 = m y
A
33
0.89 = m. A y B estn dispuestos en lminas paralelas de espesores
A
0.004 = m y

B
0.01 = m, como se indica en la figura. Las lminas de A estn todas orientadas de igual
manera y para todas ellas el eje convencional 2 del material A es paralelo al eje del
cilindro.Determinar la conductividad del material compuesto M en la direccin del eje del
cilindro.
Sol.: en primer lugar se calcula la resistividad del compuesto. La conductividad ser la inversa de la
resistividad obtenida.
Puesto que para la clase 222 (sistema ortorrmbico) la estructura de las propiedades de segundo orden
simtricas es diagonal, y el eje convencional 2 del material A es paralelo al eje del cilindro, la nica
componente de la resistividad de A que influye en la conductividad pedida es la A
22
0.13 = m.
Los componentes A y B estn elctricamente en serie en la direccin pedida (a lo largo del eje del
cilindro). La resistividad del compuesto en esta direccin ser:

A

B
+
A
22

A

B
+
B + =
M
0.324 = m
El compuesto pertenece igualmente al sistema ortorrmbico y a la misma clase. El eje del cilindro es
igualmente una de las tres direcciones principales del compuesto (y por supuesto de A). La estructura
de la conductividad del compuesto es tambin diagonal, y la conductividad en la direccin pedida es
directamente el inverso de la resistividad calculada:

M

M
1
=
M
3.087 = S/m
__________________________________________________________________________________
2013-2014
350
8.37
En la figura se representa un esquema simplificado de un tejido T (material compuesto) anlogo al
Gore-Tex. Consta de dos lminas de polmeros distintos. La primera lmina (L1) es de un polmero P1
(istropo); la segunda (L2) es tambin una lmina de otro polmero istropo P2 en la que existen poros
o perforaciones circulares como se indica en la figura. Aunque P2 (sin poros) es istropo, la lmina L2
no es istropa debido a los poros.
Se desea calcular la difusividad msica D
T
(propiedad de segundo orden, simtrica) del vapor de agua
a travs del material compuesto T.
Los datos conocidos son: los espesores de las dos lminas
L1
1.5 10
3
= m,

L2
1.6 10
3
= m, el radio de los poros R 4.6 10
6
= m, y la geometra H 2.024 10
5
=
m, h 1.656 10
5
= m (ver figura). Tambin se han medido las difusividades del vapor de agua a
travs del aire D
a
4 10
5
= m
2
/s y a travs de P1 D
P1
1.4 10
6
= m
2
/s. Se sabe adems que
la difusividad del vapor de agua a travs de P2 es D
P2
0 = m
2
/s (es decir, P2, sin perforaciones, es
absolutamente impermeable al vapor de agua). Las densidades son
P1
490 = kg/m
3
,
P2
902 =
kg/m
3
y la del aire se considera despreciable.
1

L
2

L
2R
h
H
A
A
seccin A-A de
la lmina L2
polmero P2
poros
polmero P1
lmina L2
L2 L1
1

L
2

L
2R
h
H
A
A
seccin A-A de
la lmina L2
polmero P2
poros
polmero P1
lmina L2
L2 L1
Determinar a qu clase cristalogrfica o lmite pertenece el tejido T, y dibujar y numerar los ejes
convencionales de T especificando claramente su orientacin respecto de las lminas. Estos ejes
2013-2014
351
convencionales se usarn en los restantes apartados.
Calcular la masa de un metro cuadrado de T (densidad superficial, en kg/m
2
).
Calcular la densidad de T, en kg/m
3
.
Calcular la componente de la difusividad msica del vapor de agua slo para la lmina L2 y en la
direccin normal al plano de las lminas.
Calcular la componente de D
T
(es decir, para el tejido T completo) en esta misma direccin.
Calcular las componentes de la difusividad msica del vapor de agua slo para la lmina L2 en las
dos direcciones convencionales contenidas en el plano de las lminas.
Calcular las componentes de D
T
(es decir, para el tejido T completo) en estas mismas direcciones.
Escribir D
T
como matriz expresada en los ejes convencionales del segundo apartado.
Sol.: el material tiene dos planos de simetra perpendiculares al plano de las lminas y un eje binario,
igualmente perpendicular el plano de las lminas. Tiene tres elementos binarios de simetra (dos planos
y un eje, ortogonales entre s), por lo que pertenece al sistema ortorrmbico. Puesto que no tiene un
plano de simetra paralelo la plano de las lminas, pertenece a la clase mm2. La orientacin de los ejes
convencionales, a la vista del estereograma de la clase, es como se indica en la figura.
2 mm
y
z
x

La densidad superficial (kg/ m


2
), se obtiene sumando la masa de L1 y de L2 que hay en 1 m
2
.
En primer lugar se calculan las fracciones volumtricas de aire y de P2 en L2, y de L1 y L2 en T:

volumen de un poro
V
aire_L2
R
2

L2

H h
L2

volumen de la porcin rectangular


de L2 que contiene un poro
2013-2014
352
h
H
h
H
V
P2_L2
1 V
aire_L2
= V
aire_L2
0.198 = V
P2_L2
0.802 =
V
L1_T

L1

L1

L2
+
= V
L2_T

L2

L1

L2
+
= V
L1_T
0.484 = V
L2_T
0.516 =
La densidad superficial del tejido T es: 1 1
L1

P1

L2

P2
V
P2_L2
+
( )
1.892 = kg/m
2
La densidad de la lmina L2 es:
L2
V
P2_L2

P2
=
L2
723.104 = kg/m
3
y la densidad del tejido T:
T
V
L1_T

P1
V
L2_T

L2
+ =
T
610.312 = kg/m
3
Para un material ortorrmbico, la estructura de cualquier propiedad de segundo orden simtrica como la
difusividad, es:
T
. .
str( D ) .


=



Para la lmina L2 y en la direccin normal a las lminas (eje 3 en la figura), el polmero P2 y los poros
estn en paralelo, con lo cual la regla de mezcla para la difusividad msica (que es anloga a una
conductividad elctrica) es la aritmtica (Voigt). Puesto que P2 es totalmente impermeable al vapor de
agua:
D
L2_3
V
aire_L2
D
a
= D
L2_3
7.933 10
6
= m
2
/s
Para el tejido T y en la direccin normal a las lminas, las dos lminas estn en serie; ahora la regla de
mezcla para la difusividad msica (que es anloga a una conductividad elctrica) es la armnica (Reuss)
D
T_3

L1

L1

L2
+
D
P1
1


L2

L1

L2
+
D
L2_3
1
+

1
= D
T_3
2.435 10
6
= m
2
/s
Para la lmina L2 y en las dos direcciones paralelas a las lminas (direcciones 1 y 2), puesto que P2 es
totalmente impermeable y los poros por donde s podra difundirse el vapor de agua estn desconectados
unos de otros, no puede haber difusin, con lo cual:
D
L2_1
0 = m
2
/s
2013-2014
353
D
L2_2
0 = m
2
/s
Para el tejido T y en las dos direcciones paralelas a las lminas (direcciones 1 y 2), L1 y L2 estn en
paralelo (regla de mezcla aritmtica para la difusin) y como L2 es totalmente impermeable :
D
T_1

L1

L1

L2
+
D
P1
= D
T_1
6.774 10
7
= m
2
/s
D
T_2
D
T_1
= D
T_2
6.774 10
7
= m
2
/s
La difusividad, representada como matriz, y de acuerdo con los valores obtenidos es:
D
T_1
0
0
0
D
T_2
0
0
0
D
T_3

6.774 10
7

0
0
0
6.774 10
7

0
0
0
2.435 10
6

=
m
2
/s
La matriz tiene dos valores diagonales iguales, aparentemente como si tuviera la estructura del sistema
tetragonal. Sin embargo, el material es ortorrmbico y la estructura de la propiedad es la indicada arriba.
La igualdad de los elementos 11 y 22 de la diagonal es puramente numrica: debido a que P2 es
impermeable al vapor de agua, resultan D
L2_1
y D
L2_2
iguales a cero. Para otros valores de D
P2
diferentes de cero, los elementos 11 y 22 de la diagonal seran diferentes. La estructura de la propiedad
indica qu componentes tienen que ser iguales, distintos o nulos por razones de simetra, no por razones
numricas.
Otro ejemplo sera un material compuesto triclnico, que debera tener todas las componentes distintas.
Sin embargo, en un caso extremo, si la difusividad del vapor de agua a travs de todos los componentes
fuera igualmente nula (todos impermeables al vapor de agua), todas las componentes de D
T
seran cero
e iguales entre s.

__________________________________________________________________________________
8.38
Un recipiente de seguridad para lquidos inflamables se fabrica de un material compuesto y aislante
elctricamente, C, hecho de dos capas. La primera (C1) es una lmina de un polmero P (istropo) que
acta como barrera a la difusin del oxgeno; la segunda (C2) da resistencia mecnica y es un tejido de
fibras de Kevlar tipo "angle-ply" cuya geometra se indica en la figura (para C2, considerar que todas
las fibras son iguales). Se conocen los siguientes datos:
masa de un metro de fibra de Kevlar: m
K
5.3 10
3
= kg/m.
precio de un metro de fibra de Kevlar: p
K
0.015 = /m.
densidad de P:
P
530 = kg/m
3
.
2013-2014
354
precio de P: p
P
5.3 = /kg.
distancias entre fibras: d
1
8.1 10
3
= m , d
2
1 10
3
= m.
ngulo entre las fibras: 23 = .
espesores de las capas C1 y C2:
C1
1.5 10
3
= m,
C2
1.6 10
3
= m.
rigidez dielctrica del compuesto C: E
max
1.4 10
6
= V/m.
difusividad msica del oxgeno en C1: D
C1
1.4 10
10
= m
2
/s.
difusividad msica del oxgeno en C2 (referida a ejes convencionales, y medida en m
2
/s):
D
C2
3.2 10
9

0
4.4 10
10

0
4.4 10
10

0
4.4 10
10

0
5.412 10
10

=
Calcular la masa de un metro cuadrado de C (densidad superficial, en kg/m
2
). 1.
Calcular qu diferencia de potencial mxima puede establecerse entre el interior y el exterior del 2.
recipiente sin que haya una descarga elctrica a travs de la pared.
Calcular el precio del compuesto C por metro cuadrado (/m
2
). 3.
Determinar la difusividad del oxgeno en el material C en direccin perpendicular a las capas. 4.
capa C2 (tejido)
Sol.: en primer lugar se calcula la cantidad de fibra de Kevlar que contiene una celda como la
de la figura de abajo. Esta celda tiene un rea A
d
1
d
2

sen ( )
= , y contiene una longitud total de
fibra L
d
1
sen ( )
d
2
sen ( )
+ = (cada lado de la celda aporta slo 1/2 fibra a la celda. La otra
media fibra de cada lado se comparte con la celda vecina).
A 2.073 10
5
= m
2
L 0.023 = m
2013-2014
355
Entonces 1 m
2
de C2 tiene una masa de: m
C2
L m
K

1
A
= m
C2
5.954 = kg/m
2
y un m
2
de C1 tiene una masa de: m
C1
1
C1

P
= m
C1
0.795 = kg/m
2
La densidad superficial de C es la suma de las dos contribuciones:
m m
C1
m
C2
+ = m 6.749 = kg/m
2
La mxima diferencia de potencial se obtiene directamente de la rigidez dielctrica de C (mximo
campo que puede aguantar) y de su espesor:
V
max
E
max

C1

C2
+
( )
= V
max
4.34 10
3
= V
El precio de 1 m
2
de C se obtiene directamente de la masa de C1 y la longitud de C2 en 1 m
2
de C2:
p L p
K

1
A
m
C1
p
P
+ = p 21.065 = /m
2
C1 y C2 estn en serie en la direccin perpendicular a las capas. En este caso, la regla de mezcla para
difusividad msica (conductividad generalizada) es la armnica (Reuss).
Puesto que la capa C2 es monoclnica (tiene un eje binario perpendicular al papel, que es plano de
simetra, clase 2/m) el eje 2 convencional es perpendicular al tejido (al plano del papel) y la difusividad
de C2 en esta direccin est dada por la componente 22. La capa C1 es istropa, su D es igual en
todas direcciones. Para el material compuesto, en la direccin pedida:
D
C

C1

C1

C2
+
D
C1
1


C2

C1

C2
+
D
C2
2 2 ,
( )
1
+

1
= D
C
2.16 10
10
= m
2
/s
__________________________________________________________________________________
2013-2014
356
8.39
Un soporte en una estructura est compuesto de capas de dos materiales diferentes, A y B, como se
indica en la figura. Los mdulos elsticos de los materiales son E
A
1.2 10
9
= Pa y E
B
3.2 10
9
=
Pa, y sus fracciones volumtricas son V
A
0.23 = y V
B
0.77 = . El material A puede soportar una
deformacin longitudinal mxima de max
A
0.02 = (es decir, se rompe para deformaciones
longitudinales mayores), y B soporta como mximo max
B
0.01 = . El rea transversal del soporte es
A 0.01 = m
2
. Determinar qu fuerza mxima de traccin (en la direccin perpendicular al plano de las
capas) puede resistir el soporte.
A
B
A
B
A
B
A
B
A
A
B
A
B
A
B
A
B
A
A
B
A
B
A
B
A
B
A
A
B
A
B
A
B
A
B
A
Sol.: en la situacin descrita en el enunciado, los dos componentes se encuentran en condiciones de
isotensin, es decir, se cumple:
(1)
A B C A A B B C C C
E E E = = = = = (el subndice C se
refiere al compuesto)
y el material compuesto se romper cuando se rompa el componente ms dbil (el que soporte una
max
menor). De (1):
C
A A A
A A
F
F AE
E AE

= = =
La fuerza mxima, suponiendo que el componente A fuera el que primero falla, se obtiene sustituyendo
max
A
en la expresin anterior. Para B, la expresin es anloga. El soporte fallar cuando se alcance la
carga (fuerza) lmite ms baja de las dos, sea la de A o la de B:
F
max
min max
A
A E
A
max
B
A E
B
,
( )
= F
max
2.4 10
5
= N
__________________________________________________________________________________
2013-2014
357
8.40
Un cable est compuesto de fibras de dos materiales istropos diferentes, A y B, alineadas todas
paralelas entre s y paralelas al eje del cable. Los mdulos de Young de los materiales son
E
A
1.2 10
9
= Pa y E
B
9.2 10
9
= Pa, y sus fracciones volumtricas son V
A
0.78 = y
V
B
0.22 = . El material A puede soportar una tensin de traccin mxima de max
A
7.2 10
8
= Pa
(es decir, se rompe para tensiones de traccin mayores que sta), y B soporta como mximo
max
B
8.2 10
8
= Pa. El rea transversal total del cable es A 0.05 = m2. Determinar qu fuerza
mxima de traccin (en la direccin de las fibras) puede soportar el cable sin romperse. El cable se
rompe cuando se rompe un tipo de fibra, A o B.
Sol.: en la situacin descrita en el enunciado, los dos componentes se encuentran en condiciones de
isodeformacin, as se cumple:
(1)
C A B
A B C C
A B C
E E E
= = = = =

(el subndice C se
refiere al compuesto)
donde el mdulo del compuesto en isodeformacin es:
E
c
V
A
E
A
V
B
E
B
+ = E
c
2.96 10
9
= Pa
La deformacin mxima del compuesto se alcanzar cuando un tipo de fibras, A o B, se rompa, es
decir, llegue a su deformacin
max
la primera; si fueran las fibras de A, por ejemplo:
max A
max A maxC
A
E

= =
A C
A A A C A A
C A
AE F
E E E F
AE E

= = = = De (1):
La fuerza mxima, suponiendo que el componente A falla primero, se obtiene sustituyendo max
A
en
la expresin anterior. Para B, la expresin es anloga. El cable fallar cuando se alcance la carga lmite
ms baja de las dos, bien la de A o la de B:
F
max
min
max
A
A E
c

E
A
max
B
A E
c

E
B
,

= F
max
1.319 10
7
= N
__________________________________________________________________________________
8.41
Un material compuesto est formado por lminas paralelas de tres tipos de materiales A, B y C. Cada
una de las lminas, por separado, se considera un material istropo y homogneo. Se desea que el
mdulo de Young del material compuesto en la direccin perpendicular al plano de las lminas sea 10
2013-2014
358
veces mayor que el mdulo de A siendo el volumen de B la cuarta parte del volumen de A.
Determinar la relacin entre los espesores de los materiales C y B (
C
/
B
) en el material compuesto.
Datos: E
A
2.5 = GPa; E
B
80 = GPa y E
C
250 = GPa.
Sol: el material compuesto pertenece a la clase /mm y la direccin perpendicular al plano de las
lminas es la direccin 3. El mdulo mencionado se calcula en condiciones de isotensin, aplicando la
regla de mezcla de Reuss:
C A B
comp A B C
1 V V V
E E E E
= + +
A
comp A B
10 y
4
V
E E V = = teniendo en cuenta las siguientes condiciones:
Se trata de resolver la ecuacin siguiente:
B B B
A A B C
4 1 5 1
10
V V V
E E E E

= + +
obtenindose los siguientes valores de las fracciones volumtricas de B y C:
2 1
B C
2 26 10 y 8 87 10 V . V .

= =
y puesto que la relacin de fracciones volumtricas es idntica a la relacin de espesores:
C
B
39 25 .

=
__________________________________________________________________________________
8.42
La mayor parte de la energa que utilizan las viviendas (un 40%) va destinada a hacer funcionar la
calefaccin y el aire acondicionado. Una de las zonas por las que se pierde una mayor cantidad de
energa tanto en verano como en invierno es la formada por los cerramientos acristalados (ventanas).
Afortunadamente estas prdidas pueden reducirse mucho instalando dobles acristalamientos. El
principio del doble acristalamiento consiste en separar las dos hojas de vidrio paralelas por una cmara
de aire (u otro gas de baja conductividad trmica).
Calcular la conductividad trmica en la direccin perpendicular al plano de las lminas, para un
acristalamiento de este tipo formado por dos hojas de vidrio de 4 mm de espesor separadas por una
cmara de gas argn de 16 mm de espesor, cuya conductividad trmica es un 67% de la
conductividad trmica del aire.
Datos: k
aire
= 0.026 W/m K; k
vidrio
= 1.1 W/m K
Sol.: teniendo en cuenta que para la transmisin de calor en la direccin perpendicular al plano de las
2013-2014
359
lminas los componentes estn en serie (condiciones de isoflujo), y la conductividad trmica es una
conductividad generalizada, se utiliza la regla de mezcla armnica (Reuss):
V V V A A
comp V A V V A
1
2
V V V V V
k k k k k k
= + + = +
siendo V= vidrio y A= argn. Por otra parte las fracciones volumtricas se determinan fcilmente a
partir de los espesores de las capas:
V
V
V A V
A V
4
0 1667
4 16 4
1 2 0 6667
V .
V V .


= = =
+ + + +
= =
por lo que la conductividad trmica pedida es:
1
1
2 V A
comp
V A
0 1667 0 6667
2 2 2 593 10 W/m K
1 1 0 026 0 67
V V . .
k .
k k . . .



= + = + =



__________________________________________________________________________________
8.43
Un cable elctrico est constituido por fibras iguales de seccin octogonal regular de un metal cuya
conductividad elctrica es
M
5.8 10
7
= ( m)
-1
. Las fibras estn colocadas tal como se indica en
la figura que representa una seccin transversal del cable (en gris aparecen las fibras del metal y en
blanco el aire que queda entre las fibras). Determinar la conductividad elctrica del cable en la
direccin del eje de las fibras (perpendicular al plano de la figura).
Sol.: los componentes del cable, metal y aire, estn en paralelo en la direccin perpendicular al plano de
2013-2014
360
la figura (isotensin o isogradiente). Como la conductividad elctrica del aire es 0, la conductividad
elctrica del cable, calculada con la regla de mezcla aritmtica (Voigt) ser:
cable M M aire aire M M
V V V = + =
Solo es necesario conocer el valor de la fraccin volumtrica del metal, que se determina a travs de la
siguiente relacin de reas:
M
M
Total
rea
V
rea
=
Teniendo en cuenta que se trata de octgonos regulares, si L es el lado del octgono, el rea total
corresponde al rea de un cuadrado de lado L+2x (cuadrado gris en la figura de arriba).
( )
2
Total
2 rea L x = +
Mientras que el rea correspondiente al metal (octgono) se puede calcular a partir de la anterior
restando un cuadrado de lado L (cuadrado formado por los cuatro tringulos de las esquinas):
( )
2
2
M
2 rea L x L = +
2 2
2 2 L x L x = =
La relacin entre L y x es inmediata:
La fraccin volumtrica de metal resulta:
( )
( )
( )
( )
2
2
M 2 2
4 2 1
2
0 8284
2
2 2
L x L
V .
L x
+
+
= = =
+
+
7 1
cable M M
4 8 10 ( m) V .

= =
y la conductividad elctrica del cable:
__________________________________________________________________________________
8.44
Se dispone de un tejido de material compuesto formado por los materiales A (en blanco en la figura) y
B (en gris) para la fabricacin de cinturones de seguridad. Los materiales A y B se disponen
hexagonalmente, siendo la seccin transversal del material la que se indica en la figura. La superficie
hexagonal de A es 6 veces la superficie triangular de B.
2013-2014
361
Determinar su mdulo elstico en la direccin perpendicular al plano de la figura.
Datos: Los materiales A y B, por separado, son homogneos e istropos y sus mdulos elsticos son:
E
A
2 10
9
= Pa y E
B
5 10
10
= Pa.
A B A B
Solucin: para determinar el mdulo elstico en la direccin perpendicular al plano de la figura se aplica
la regla de mezcla de Voigt (componentes en isodeformacin):
E
c
V
A
E
A
V
B
E
B
+ =
Las fracciones volumtricas se calculan seleccionando, por ejemplo, el rea resaltada en la siguiente
figura:
A
A A
A
A
A
B
B
A
A A
A
A
A
B
B
de donde se obtiene fcilmente: V
A
6
8
= V
B
2
8
=
V
A
0.75 = V
B
0.25 =
y el mdulo elstico del tejido en isodeformacin resulta:
E
c
2 10
9
0.75 5 10
10
0.25 + = E
c
1.4 10
10
= Pa
__________________________________________________________________________________
2013-2014
362
8.45
Los copolmeros de bloques son una clase especial de materiales capaces de autoensamblarse en
estructuras de micro/nanodominios. Los copolmeros estireno-butadieno-estireno (SBS) pertenecen a
este tipo de materiales. Se dispone de un copolmero SBS donde el grado de polimerizacin para el
bloque central es de 2000 y para los bloques de los extremos de 150 cada uno. Determinar la densidad
del copolmero SBS, sabiendo que
poliestireno
1040 = kg/m
3
y
polibutadieno
890 = kg/m
3
.
Solucin: el copolmero SBS tiene la siguiente estructura:
H
2
C
H
C
H
2
C
150
C
H
C
H
CH
2
2000
H
2
C CH
150
H
2
C CH
M
S
=104 kg/Kmol
H
2
C C
H
C
H
CH
2
M
B
=54 kg/kmol
siendo cada residuo de estireno: y cada residuo
de butadieno:
S B
SBS poliestireno polibutadieno
1 X X
= +

La densidad del copolmero se calcula:
siendo X
S
y X
B
las fracciones msicas de estireno y de butadieno en el copolmero, que se obtienen:
S
B
2 150 104
0 224
2 150 104 2000 54
2000 54
0 776
2 150 104 2000 54
X .
X .

= =
+

= =
+
con lo que la densidad del SBS resulta:
3
SBS
SBS
1 0 224 0 776
919 7 kg/m
1040 890
. .
. = + =

__________________________________________________________________________________
8.46
Un material compuesto conductor de tres componentes est formado por una matriz de polipropileno
(PP) con fibras de vidrio (para aumentar la resistencia mecnica) y de cobre. Para determinar su
composicin se mide la densidad del compuesto y se obtiene el valor:
c
1891 = kg/m3. Acto seguido
2013-2014
363
se quema una muestra del material compuesto hasta que slo queda un residuo inorgnico. Se mide la
densidad de este residuo de combustin y se obtiene el valor:
r
4580 = kg/m3. Como datos se
conocen adems:
la densidad del PP:
PP
880 = kg/m3,
el mdulo elstico del PP: E
PP
1.80 10
9
= Pa,
la densidad del vidrio sdico-clcico
v
1740 = kg/m3,
el mdulo elstico del vidrio sdico-clcico E
v
73 10
9
= Pa,
la densidad del cobre
Cu
8640 = kg/m3,
el mdulo elstico del cobre E
Cu
110 10
9
= Pa.
Determinar:
la composicin (fraccin msica de cada componente) del compuesto,
las fracciones volumtricas de cada componente en el compuesto,
el mdulo elstico del compuesto en condiciones de isodeformacin.
Solucin: por combustin se quema completamente la matriz de PP y quedan sin alterar las fibras de
vidrio y de cobre, es decir, el residuo de combustin contiene slo vidrio y cobre. Si se considera 1
unidad de volumen (p.ej. una base de clculo de 1 m
3
) de residuo y denominando Vr
Cu
y Vr
v
a las
fracciones volumtricas de cobre y vidrio (respectivamente) en el residuo, se verifica:

r
Vr
Cu

Cu
1 Vr
Cu

( )

v
+ =
Vr
Cu

r

v

Cu

v

= Vr
Cu
0.412 = fraccin volumtrica de cobre en el residuo, o m
3
de cobre en 1 m
3
de residuo.
Vr
v
1 Vr
Cu
= Vr
v
0.588 = fraccin volumtrica de vidrio en el residuo, o
m
3
de vidrio en 1 m
3
de residuo.
Estas fracciones volumtricas (o m
3
en la base de clculo elegida) corresponden a unas fracciones
msicas en el residuo de:
Xr
Cu
Vr
Cu

Cu

Vr
Cu

Cu
Vr
v

v
+
= Xr
Cu
0.776 =
Xr
v
Vr
v

v

Vr
Cu

Cu
Vr
v

v
+
= Xr
v
0.224 =
Llamando ahora v
PP
y v
r
a las fracciones volumtricas de PP y de residuo (Cu+vidrio) en el compuesto,
y usando la misma argumentacin anterior, pero esta vez aplicada al compuesto, al PP y al residuo:

c
v
PP

PP
1 v
PP

( )

r
+ =
2013-2014
364
v
PP

c

r

PP

r

= v
PP
0.727 = fraccin volumtrica de PP en el compuesto
v
r
1 v
PP
= v
r
0.273 = fraccin volumtrica de vidrio+Cu en el compuesto
Estas fracciones volumtricas corresponden a unas fracciones msicas de PP y de residuo en el
compuesto de:
X
PP
v
PP

PP

v
PP

PP
v
r

r
+
= X
PP
0.338 =
X
r
v
r

r

v
PP

PP
v
r

r
+
= X
r
0.662 =
La composicin msica del compuesto es:
X
PP
0.338 =
X
Cu
X
r
Xr
Cu
= X
Cu
0.514 =
X
v
X
r
Xr
v
= X
v
0.148 = X
PP
X
Cu
+ X
v
+ 1.000 =
Y la composicin (fracciones) volumtrica es:
V
PP
X
PP

PP
X
PP

PP
X
Cu

Cu
+
X
v

v
+
= V
v
X
v

v
X
PP

PP
X
Cu

Cu
+
X
v

v
+
= V
Cu
X
Cu

Cu
X
PP

PP
X
Cu

Cu
+
X
v

v
+
=
V
PP
0.727 = V
v
0.161 = V
Cu
0.112 =
V
PP
V
Cu
+ V
v
+ 1.000 =
Finalmente, el mdulo del compuesto en condiciones de isodeformacin se obtiene de:
E
c
V
PP
E
PP
V
Cu
E
Cu
+ V
v
E
v
+ = E
c
2.54 10
10
= Pa
__________________________________________________________________________________
8.47
Uno de los diseos ms habituales de paales desechables consiste en la superposicin de varias capas
de materiales:
una primera capa porosa de naturaleza hidrofbica como el polipropileno (PP),
una capa central que constituye el centro absorbente, compuesta de celulosa (C) y un polmero
sper absorbente (SAP) como el poliacrilato de sodio entrecruzado, y
un revestimiento exterior impermeable, usualmente de polietileno (PE).
2013-2014
365
El polmero sper absorbente (SAP) se prepara en tres etapas:
I. polimerizacin del monmero cido acrlico (A) para dar cido poliacrlico (PA):

H
2
C CH COOH n CH
2
C
H
COOH
n
A PA
II. reticulacin (o entrecruzamiento) de las cadenas de cido poliacrlico (PA) por tratamiento con un
agente de entrecruzamiento E:
H
2
C
CH
O CH
2
O
CH
2
CH
2
O
CH
2
HC
CH
2
O
E
de acuerdo con la siguiente reaccin entre cidos carboxlicos (COOH) y epxidos:
R
1
COOH +
O
H
2
C C
H
R
2
R
1
COO CH
2
H
C
OH
R
2
III. tratamiento con NaOH del polmero reticulado, con el fin de obtener las sales sdicas
correspondientes
R COOH + R COONa
NaOH + H
2
O
COOH
COOH
COOH
COOH
COOH
COOH
COOH COOH
COONa
COONa
COONa
COOH
COOH
COONa
COONa
COONa
COOH
COOH
COONa
COONa
La calidad final del producto se evala considerando entre otros factores la capacidad de absorcin. De
forma general, la capacidad de absorcin de una sustancia se define como la masa de agua retenida por
masa de sustancia (ambas en las mismas unidades).
La incorporacin de los polmeros sper absorbentes ha permitido aumentar la capacidad de absorcin a
la vez que disminuir el peso de los paales. As, un paal de 0.040 kg, con la siguiente distribucin de
masa: PP (0.0059 kg), C (0.0185 kg), SAP (0.0126 kg) y PE (0.0030 g), puede retener 0.450 kg de
agua.
Determinar:
la capacidad de absorcin de la capa central, considerada como un material compuesto, 1.
las capacidades de absorcin de la celulosa y del SAP, sabiendo que la capacidad de absorcin del 2.
SAP es 40 veces la de la celulosa,
la diferencia de densidad entre este paal (paal 1) y otro en el que el SAP ha sido reemplazado por 3.
celulosa, manteniendo la masa total del paal (paal 2),
2013-2014
366
la cantidad de E (en kg) necesaria para reticular 1000 kg de cido poliacrlico (PA), si se utiliza una 4.
relacin molar de agente de entrecruzamiento (E) a monmero (A):
n
E
n
A
0.05 = kmol E/kmol A,
la cantidad de NaOH (en kg) que se requiere para transformar el 80% de los grupos COOH 5.
presentes en 1000 kg del polmero entrecruzado en grupos COONa.
Datos:
PP
910 = kg/m
3
,
C
1440 = kg/m
3
,
SAP
750 = kg/m
3
,
PE
950 = kg/m
3
,
Masas atmicas: C = 12 H = 1 O = 16 Na = 23
Suponer rendimiento cuantitativo en cada etapa.
Sol.:
1. De acuerdo con la definicin de capacidad de absorcin de una sustancia: masa de agua retenida por
masa de sustancia (ambas en las mismas unidades) y teniendo en cuenta que la capa central es el ncleo
absorbente, porque ni el PP ni el PE retienen agua, su capacidad de absorcin es:
2
kg H O masa agua retenida 0 450
14 47
masa capa central 0 0185 0 0126 kg capa central
.
.
. .
= =
+
2. Si la capacidad de absorcin del SAP (C
SAP
) es 40 veces la de la celulosa (C
C
), tomando como
base de clculo 1 kg de capa central, la masa de agua retenida se expresa en funcin de las fracciones
msicas y de las capacidades de absorcin de los componentes de la capa central:
C C SAP SAP C C
0 0185 0 0126
14 47 40
0 0311 0 0311
. .
. X C X C C C
. .
= + = +
C SAP C
0 861 40 34 45 C . C C . = = = y resulta:
3. Para calcular la diferencia de densidades entre los dos paales del enunciado, se tiene en cuenta que
la densidad de un material compuesto se puede calcular en funcin de las fracciones msicas de los
componentes:
3 C SAP PP PE
paal 1
paal 1 PP C SAP PE
3 C PP PE
paal 2
paal 2 PP C PE
paal 2 paal 1
5 9 18 5 12 6 3
1
40 40 40 40
1018 1 kg/m
910 1440 750 950
5 9 18 5 12 6 3
1
40 40 40
1280 47 kg/m
910 1440 950
262
. . .
X X X X
.
. . .
X X X
.



= + + + = + + + =
+
= + + = + + =
=
3
36 kg/m .
72 kg/kmol y 174 kg/kmol
A E
Mw Mw = =
4. Masas moleculares:
En el proceso de polimerizacin (etapa I: nA-->PA), los monmeros se incorporan en su totalidad a la
2013-2014
367
formacin del polmero, sin prdida de masa, lo que supone que para obtener 1000 kg de cido
poliacrlico (PA), se necesitan 1000 kg de monmero (A). Conocida la relacin molar utilizada en la
etapa de reticulacin y con las masas moleculares, se obtiene:
1000
13 89 kmol A
72
0 05 0 6944 kmol E 120 83 kg E
A
E A E E
n .
n . n . n Mw .
= =
= = =
5. Con la misma base de clculo del apartado anterior: 1000 kg de A (13.89 kmol A) proporcionan
1000 kg de PA (etapa I), que son reticulados con 120.83 kg de E, sin prdida de masa, con lo que se
obtienen 1120.83 kg de polmero reticulado (etapa II).
Cada monmero A posee un grupo COOH, con lo que hay 13.89 kmol de COOH disponible, primero
en A y lo mismo en el cido poliacrlico (PA). Sin embargo, la cantidad final de grupos COOH presentes
en el polmero reticulado es menor, ya que la reaccin de reticulacin (etapa II) tiene lugar entre grupos
COOH y epxidos, y cada kmol de E disponible reacciona con 2 kmoles de COOH:
H
2
C C
H
OH
CH
2
O CH
2
CH
2
O CH
2
C
H
CH
2
OH
COO
OOC
Para la base de clculo elegida, los grupos COOH
que han reaccionado en la reticulacin son:
y quedan sin reaccionar
13.889 0.05 2 1.389 = kmol COOH
13.889 13.889 0.05 2 12.5 = kmol COOH
En la etapa III, segn el enunciado, de los COOH libres en el polmero reticulado slo reaccionan con
NaOH el 80% en proporcin molar 1:1, es decir, se necesitan:
12.5 0.8 10 = kmol NaOH
La masa molecular del NaOH es Mw
NaOH
40 = kg/kmol, luego la masa de NaOH es
12.5 0.8 40 400 = kg NaOH que han reaccionado con 1120.83 kg de polmero reticulado. La
cantidad de NaOH precisa para reaccionar con 1000 kg de polmero reticulado ser:
400 1000
1120.83
356.878 = kg NaOH
__________________________________________________________________________________
2013-2014
368
8.48
En el moldeo en barbotina de una pieza esfrica de material cermico se parte de una suspensin que
contiene una fraccin msica X
C
0.85 = de polvo cermico de densidad
C
4502 = kg/m
3
y el resto
agua
A
998 = kg/m
3
. Despus del drenado del molde, del secado de la pieza y del sinterizado en el
horno el contenido de agua se reduce a cero. Calcular qu reduccin porcentual sufre el tamao (radio)
de la pieza esfrica durante el proceso completo de moldeo, es decir, desde que se llena el molde con la
barbotina hasta que se termina la sinterizacin.
Sol: en el proceso el contenido en agua pasa del 1 X
C
0.15 = a 0 (fraccin msica). El volumen
inicial de la pieza es proporcional a
X
C

C
X
A

A
+ . Como el volumen final es proporcional a
X
C

C
, la
reduccin en el dimetro de la pieza ser:
r 1
X
C

C
X
C

C
1 X
C

A
+

1
3
= 100r 17.7 = % de reduccin
_________________________________________________________________________________
8.49
Las espumas de poliuretano (PUR) se utilizan con mucha frecuencia como aislamiento trmico y
acstico puesto que uno de los monmeros (el diisocianato), aadido en exceso, puede reaccionar con
agua y producir CO
2
. ste queda ocluido en la masa del polmero en forma de pequeas burbujas de
manera que se puede obtener una espuma o material alveolar con un alto contenido de gas. La reaccin
de polimerizacin entre el toluidendiisocianto (A) y el n-hexanodiol (B) es:
donde el polmero P est formado por la repeticin de la unidad estructural repetitiva (UER). La reaccin
por la que se produce el gas espumante (CO
2
) es:
2013-2014
369
Se conocen los siguientes datos a temperatura ambiente ( T 298 = K):
densidad del polmero (P):
P
1050 = kg/m
3
densidad de la toluidendiamina (D):
D
680 = kg/m
3
mdulo elstico E del polmero (P): E
P
135 10
6
= Pa
Se desea producir una espuma PUR segn las anteriores reacciones y partiendo de A, B y W como
materias primas y de acuerdo con las siguientes especificaciones:
produccin de P segn la primera reaccin con una relacin molar de A a B r
AB
1.12 = (es decir,
exceso de A).
cantidad de W suficiente para producir CO
2
consumiendo exactamente el exceso de A segn la
segunda reaccin.
las dos reacciones se llevan a cabo hasta agotar los reactivos.
los productos de las dos reacciones (P, D y E) quedan retenidos completamente en el producto final.
las burbujas de CO
2
estn a presin atmosfrica y el CO
2
en estas condiciones se comporta como
un gas ideal.
Determinar:
las cantidades de A, B y W que se requieren para obtener m
tot
1 = kg de espuma. 1.
la densidad del producto final (P+D+E) 2.
el mdulo elstico de la espuma en isodeformacin (D y E no contribuyen al mdulo elstico de la 3.
espuma, es decir, sus mdulos elsticos son nulos).
Solucin: las masas moleculares de las diferentes especies qumicas son:
Mw
N
14 = Mw
O
16.0 = Mw
C
12.01 = Mw
H
1.0 =
Mw
A
9Mw
C
2Mw
N
+ 2Mw
O
+ 6Mw
H
+ = Mw
A
174.09 = kg/kmol
Mw
B
6Mw
C
2Mw
O
+ 14Mw
H
+ = Mw
B
118.06 = kg/kmol
Mw
UER
Mw
A
Mw
B
+ = Mw
UER
292.15 = kg/kmol
Mw
W
Mw
O
2Mw
H
+ = Mw
W
18 = kg/kmol
Mw
E
Mw
C
2Mw
O
+ = Mw
E
44.01 = kg/kmol
Mw
D
7Mw
C
2Mw
N
+ 10Mw
H
+ = Mw
D
122.07 = kg/kmol
Se toma como base de clculo 1 kmol de B. 1 kmol de B reacciona con 1 kmol de A para producir 1
kmol de UER. Esta UER contribuye a la masa total con Mw
UER
292.15 = kg.
El exceso molar de A (r
AB
1 0.12 = kmoles) reacciona con 2 r
AB
1
( )
0.24 = kmoles de agua,
( )
2013-2014
370
consumindose ambos y produciendo r
AB
1 0.12 = kmoles de D y 2 r
AB
1
( )
0.24 = kmoles de
CO
2
. La contribucin a la masa total de estos dos productos de la segunda reaccin es:
r
AB
1
( )
Mw
D
2 r
AB
1
( )
Mw
E
+ 25.211 = kg. La masa total que corresponde a la base de cculo
de 1 kmol de B es:
M
tot
Mw
UER
r
AB
1
( )
Mw
D
+ 2 r
AB
1
( )
Mw
E
+ = M
tot
317.361 = kg
que tambin puede calcularse como:
M
tot
r
AB
Mw
A
Mw
B
+ 2 r
AB
1
( )
Mw
W
+

= M
tot
317.361 = kg
Luego para producir un kg de espuma PUR sern necesarios:
m
A
r
AB
Mw
A
M
tot
= m
A
0.614 = kg
m
B
1. Mw
B
M
tot
= m
B
0.372 = kg
m
W
2 r
AB
1
( )
Mw
W
M
tot
= m
W
0.014 = kg ( m
A
m
B
+ m
W
+ 1.000 = )
1 kg de producto final contiene slo P, D y E en las siguientes cantidades:
m
P
m
B
Mw
B
Mw
UER
= m
P
0.921 = kg
m
D
m
B
Mw
B
r
AB
1
( )
Mw
D
= m
D
0.046 = kg
m
E
2
m
B
Mw
B
r
AB
1
( )
Mw
E
= m
E
0.033 = kg ( m
P
m
D
+ m
E
+ 1.000 = )
La densidad del CO
2
es:
E
1 Mw
E
0.082 T ( ) =
E
1.801 = kg/m
3
Los volmenes de los tres componentes y el volumen total:
v
P
m
P

P
= v
P
8.767 10
4
= m
3
v
D
m
D

D
= v
D
6.788 10
5
= m
3
v
E
m
E

E
= v
E
0.0185 = m
3
v
tot
v
P
v
D
+ v
E
+ =
v
tot
0.0194 = m
3
La densidad de la espuma:
1
v
tot
= 51 = kg/m
3
Puesto que ni D ni E contribuyen al mdulo elstico (son lquido y gas, respectivamente), su nico
efecto es reducir la fraccin volumtrica de P, que es el nico componente slido y el nico que aporta
mdulo elstico (proporcionalmente a su fraccin volumtrica). El mdulo elstico de la espuma ser:
E
v
P
v
tot
E
P
= E 6.093 10
6
= Pa
_________________________________________________________________________________
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