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INSTITUTO TECNOLGICO DE LEN CAMPUS II

Practica 5.- El transistor


Electrnica Analgica

Gil Martnez Mnica Gabriela Crdenas Martnez Jos Miguel Hernndez Azpeitia Axel Jos Infante Olmos Marcos Daniel Con la asesora de: Ing. Vzquez Olgun Miguel ngel

28/Octubre/2013

Practica No. 5 Ttulo: Practica 5.- El transistor

Fecha: 28 de Octubre del 2013.

TABLA DE CONTENIDO
1. 2. 3. OBJETIVO ________________________________________________________________________ 3 INTRODUCCIN __________________________________________________________________ 3 MARCO TERICO _________________________________________________________________ 4 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. 3.5. 3.6. 4. 5. LA FUNCIN DE UN TRANSISTOR. ______________________________________________ 4 TIPOS DE TRANSISTORES ____________________________________________________ 4 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR ______________________________________________ 6 CURVA CARACTERSTICA DEL TRANSISTOR ____________________________________ 8 DATASHEET (HOJA PRINCIPAL) 2N3904 ________________________________________ 13 DATASHEET (HOJA PRINCIPAL) TIP41C _________________________________________ 14

MATERIAL Y EQUIPO ____________________________________________________________ 15 DESARROLLO____________________________________________________________________ 16 5.1. FORMULAS TILES ___________________________________________________________ 18

6. 7. 8.

RESULTADOS Y ANLISIS ________________________________________________________ 19 CONCLUSIN ____________________________________________________________________ 25 REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS _________________________________________________ 26

PREGUNTAS __________________________________________________________________________ 27 TABLA DE IMGENES ________________________________________________________________ 28

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1.

OBJETIVO
Verificar los voltajes y corrientes existentes en un circuito de base de polarizacin as como construir su lnea de carga. Probar los valores de corrientes y voltajes de un diodo 2N2222 y obtener su curva caracterstica grficamente.

2.

INTRODUCCIN

El transistor, inventado en 1951, es el componente electrnico estrella, pues inicio una autentica revolucin en la electrnica que ha superado cualquier previsin inicial. Con el transistor vino la miniaturizacin de los componentes y se lleg al descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milmetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales. Por otra parte, la sustitucin en los montajes electrnicos de las clsicas y antiguas vlvulas de vaco por los transistores, reduce al mximo las prdidas de calor de los equipos.

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3.

MARCO TERICO
3.1.

LA FUNCIN DE UN TRANSISTOR.

Los transistores amplifican corriente, por ejemplo pueden ser usados para amplificar la pequea corriente de salida de un circuito integrado (IC) lgico de tal forma que pueda manejar una bombilla, un rel u otro dispositivo de mucha corriente. Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la mxima corriente, o encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como amplificador (siempre conduciendo corriente). La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, o hFE.

Ilustracin 1.- Forma fsica de algunos transistores.

3.2.

T IPOS DE TRANSISTORES

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones: - Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUENA seal de mando. - Funciona como un elemento AMPLIFICADOR de seales.

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Cmo es fsicamente un transistor? Hay dos tipos bsicos de transistor: a) Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) b) Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar.

Ilustracin 2.- Simbologa tipos de transistores.

Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre s. Segn como se coloquen los cristales hay dos tipos bsicos de transistores bipolares. - Transistor NPN: en este caso un cristal P est situado entre dos cristales N. Son los ms comunes. - Transistor PNP: en este caso un cristal N est situado entre dos cristales P. La capa de en medio es mucho ms estrecha que las otras dos. En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metlico, lo que da origen a tres terminales: Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga. Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga. Base (B): Controla el paso de corriente a travs del transistor. Es el cristal de en medio.

El conjunto se protege con una funda de plstico o metal.

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3.3.

POLARIZACIN DEL TRANSISTOR

Se entiende por polarizacin del transistor las conexiones adecuadas que hay que realizar con corriente continua para que pueda funcionar correctamente. Si se conectan dos bateras al transistor como se ve en la figura, es decir, con la unin PN de la base-emisor polarizada directamente y la unin PN de la base-colector polarizado inversamente. Siempre que la tensin de la base emisor supere 0,7 V, diremos que el transistor esta polarizado, es decir, que funciona correctamente.

Ilustracin 3.- Montaje con emisor comn.

Este montaje se llama con emisor comn. En este caso, el hecho de que el transistor est en funcionamiento significa que es capaz de conducir la corriente desde el terminal colector hasta el terminal emisor. Se cumplen dos expresiones para este caso:
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La primera

Donde : Es la corriente que recorre el terminal emisor. : Es la corriente que recorre el terminal colector. : Es la corriente que recorre el terminal base. Como la corriente de base resulta siempre MUY PEQUENA, se puede decir que la corriente del colector y la del emisor prcticamente coinciden.

La segunda

Donde es una constante que depende de cada transistor llamado ganancia que puede valer entre 50 y 300 (algunos transistores llegan a 1000). La ganancia de un transistor nos habla de la capacidad que tiene para amplificar la corriente. Cuanto mayor es la ganancia de un transistor, mas puede amplificar la corriente. Se concluye que la corriente por el colector de un transistor bipolar es proporcional a la corriente por la base, es decir, a mayor corriente en la base, mayor corriente en el colector.

Ilustracin 4.- En la prctica no se usan dos fuentes, sino solo una.

Segn estas dos expresiones el transistor bipolar puede tener tres estados distintos de funcionamiento:

a) Corte: En este caso la corriente de base es nula (o casi), es decir,

, por lo tanto,

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En este caso, el transistor no conduce en absoluto. No est funcionando. Se dice que el transistor se comporta como un interruptor abierto. b) Activa: En este caso el transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda expresin ( ). La corriente del colector es directamente proporcional a la corriente de la base. Ejemplo: Si = 100, la corriente del colector es 100 veces la corriente de la base. Por eso se dice que el transistor amplifica la corriente. c) Saturacin: En este caso, el transistor conduce totalmente y se comporta como un interruptor cerrado. Este estado se alcanza cuando la corriente por la base ( ) alcanza un valor alto. En este caso la expresin ( ) ya no tiene sentido pues, por mucho que aumente el valor de la corriente de base ( ), no aumenta el valor de la corriente de colector. Veamos un cuadro resumen con las tensiones de trabajo en los diferentes estados de funcionamiento, as como las corrientes de un transistor conectado a una pila cuya tensin es V. Corte Activa Saturacin

En cualquier caso siempre es una corriente pequea es decir Conduccin del transistor. No conduce (se comporta como un interruptor abierto) Conduce parcialmente

con mximo valor

Conduce totalmente (se comporta como un interruptor cerrado)

Donde

es la tensin que existe entre el colector y el emisor.

Si la corriente de base es muy alta, el transistor puede estropearse, por eso, la base del transistor debe protegerse SIEMPRE con una resistencia de una valor alto.

3.4.

CURVA CARACTERSTICA DEL TRANSISTOR

Partiendo de las ecuaciones de Ebers-Moll, se puede establecer una familia de curvas caractersticas que representan el comportamiento del transistor bipolar en rgimen estacionario. Vamos a considerar las caractersticas de entrada y de salida en las configuraciones de Base Comn y de Emisor Comn.

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A. Caractersticas en Base Comn del transistor PNP

Ilustracin 5.- Caractersticas de entrada del transistor PNP en base comn.

Ilustracin 6.- Caractersticas de salida del transistor PNP en base comn.

Caractersticas aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Base Comn

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B. Caractersticas en Emisor Comn del transistor PNP

Ilustracin 7.- Caractersticas de entrada del transistor PNP en emisor comn.

Ilustracin 8.- Caractersticas de salida del transistor PNP en emisor comn.

Caractersticas aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Emisor Comn

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C. Caractersticas en Base Comn del transistor NPN

Ilustracin 9.- Caractersticas de entrada del transistor NPN en emisor comn.

Ilustracin 10.- Caractersticas de salida del transistor NPN en base comn.

Caractersticas aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Base Comn

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D. Caractersticas en Emisor Comn del transistor NPN

Ilustracin 11.- Caractersticas de entrada del transistor NPN en emisor comn.

Ilustracin 12.- Caractersticas de salida del transistor NPN en emisor comn.

Caractersticas aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Emisor Comn

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3.5.

DATASHEET (HOJA PRINCIPAL) 2N3904

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3.6.

DATASHEET (HOJA PRINCIPAL) TIP41C

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4.

MATERIAL Y EQUIPO
Parte 1 Potencimetro de 1M Resistencia de 560k Resistencia de 1k Dos transistores 2N3904 Fuente Multmetro Protoboard Cables caimn y bananas

Parte 2 Resistencia de 330k Resistencia de 1k Un transistor 2N2222 Fuente Multmetro

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5.

DESARROLLO
1. Conecte el circuito mostrado en la figura 13 y aplique voltaje a la protoboard.

Ilustracin 13.- Diagrama esquemtico para el circuito.

2. Mida con su multmetro el voltaje en las terminales para las resistencias de base y colector del transistor, calcule las corrientes correspondientes utilizando la ley de Ohm y registre estos valores en la tabla 1. A partir de estos dos conjuntos de valores, calcule la corriente de ganancia en DC o beta () para este transistor utilizando la siguiente frmula:

3. Utilice su multmetro para medir individualmente y , registre sus mediciones en la tabla 1. 4. Compare los valores del paso 3 con los calculados, usando la determinada en el paso 2 con un voltaje tpico de 0.7 V en la base-emisor. Registre estos datos en la tabla 1. 5. Ahora utilice una secadora de cabello para soplar aire caliente al transistor durante algunos segundos mientras mide la corriente en el colector utilizando su multmetro. La corriente en el colector aumenta o disminuye? Usted debe encontrar el incremento de corriente en el colector, que a su vez es el responsable del cambio en el punto Q para nuestro circuito. 6. Usando las ecuaciones 5 y 6 que se encuentran en la seccin Frmulas tiles, determine los puntos de corte y saturacin en la lnea de carga para este circuito y registre los valores en la tabla 2. Grafique la lnea de carga utilizando los valores calculados de y asi como los puntos finales de la lnea de carga. Ahora grafique el punto Q basndose en los valores medidos para y en la misma grafica. Qu nota en el punto Q?

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7. Usando un transistor diferente, repita los pasos 2 al 5, y registre los resultados en la tabla 1. Encuentra alguna diferencia entre los dos transistores? 8. Desconecta la fuente de la protoboard y reemplace la resistencia de 560k por un potencimetro de 1M. Conecte la fuente y el multmetro colquelo en funcin voltmetro midiendo entre la terminal del colector y tierra. 9. Ahora vare la resistencia del potencimetro hasta que el voltmetro lea el valor mnimo. Entonces mida la corriente en el colector y registre los datos en la tabla 2. 10. Contine variando la resistencia en el potencimetro hasta el mximo valor para el voltaje colector-emisor ahora mida la corriente correspondiente en el colector. Si la corriente del colector no es especficamente cero, desconecte por un momento algn cable del potencimetro hasta que la corriente en la base sea cero. La corriente en el colector debera de ser cero. Mida el voltaje colectoremisor y registre sus mediciones en la tabla 2. Al estar en saturacin el voltaje colector-emisor idealmente es cero, mientras que en corte la corriente de colector es cero. Grafique estos datos en la grafica hecha para el paso 6. Usted deber encontrar los puntos especficos donde el transistor entra en corte o saturacin. 11. Conecte el potencimetro como en el paso 8 y vare su valor hasta realizar 5 mediciones de corriente colector y voltaje colector-emisor que se encuentren dentro de la zona activa y grafquelos.

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5.1.

FORMULAS TILES
Voltaje reposo DC base

Corriente reposos DC colector (emisor)

Voltaje reposo DC Colector-Emisor

Corriente reposo DC base

Lnea de carga DC

General

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6.

RESULTADOS Y ANLISIS

Antes de comenzar la prctica el profesor explico cmo podemos determinar los pines en un transistor ayudndonos del multmetro. Para esto se utiliza la funcin de diodo y se comienza a medir entre los pines, esto basndose en el principio de que si tenemos un transistor NPN, bsicamente lo que tenemos son dos diodos conectados anodo-anodo, por lo tanto debemos medir barreras de potencial referentes a un diodo entre base-colector y base-emisor, y el que nos d una barrera menor ser el colector. Otra manera de hacer esta prueba es con un multmetro en funcin HFE, se conecta en los zcalos y la pantalla nos muestra la medicin de la beta del transistor, adems de que corroboramos cuales son las terminales adecuadas. Cabe sealar que la mejor opcin siempre es contar con la Datasheet del componente, pero es bueno tener este tipo de recursos en uso del multmetro.

Ilustracin 14.- Circuito utilizado; obsrvese que sin una identificacin previa de los pines sera muy difcil hacer una buena conexin.

Ilustracin 15.- Mediciones para determinar los pines en el transistor.

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Medicin

Transistor 1 Caliente Valor medido 25.11 A 7.64 mA 304 .445 V 7.289 V 0.7 V 7.24 V
Tabla 1.1 2n3904

Transistor 1 Temp. Ambiente Valor medido 25.6 A 6.9 mA 269.53 .358 7.266 V 0.7 V 8.12 V Valor calculado 25.5 A 6.88 mA

Valor calculado 25.5 A 7.76 mA

Medicin

Transistor 2 Caliente Valor medido 25.7 A 9.76 mA 379 .57 V 5.26 V 0.7 V 5.33 V
Tabla 1.1 TIP41C

Transistor 2 Temp. Ambiente Valor medido 25.8 A 4.88 mA 189 .59 10.16 V 0.7 V 10.18 V Valor calculado 25.5 A 4.82 mA

Valor calculado 25.5 A 9.67 mA

Para realizar los primeros pasos decidimos hacer las mediciones con dos transistores diferentes (2N3904 y TIP41C) en estado caliente y temperatura ambiente, esto lo hicimos principalmente para una mayor visualizacin del cmo cambia la beta de un transistor al incrementarse la temperatura; la prctica no pide hacer esto mas sin embargo para nosotros fue importante dado que el TIP41C es un transistor que utilizamos con frecuencia en nuestros trabajos. Algo importante que notamos al hacer esto fue que en el caso del TIP41 su variacin fue mucho mayor que en el 2N3904, hizo falta medir las temperaturas para tener una mejor referencia para las mediciones, pero en tiempo de estar calentando y la forma de hacerlo fue la misma para los dos; en parte atribuimos tanta diferencia en variaciones a que los dos transistores son de diferentes aplicaciones, uno es para media potencia y el otro para pequea seal, adems de que el empaquetamiento es diferente.

Ilustracin 16.- Mediciones con el TIP41c

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Condicin Saturacin Corte Regin activa

Valores calculados 15 mA 0A 11.43 mA 10.59 mA 8.22 mA 6.48 mA 4.97 mA 0V 15V 58.44 mV 69.75 mV 133.21 mV 6.46 V 8.736 V
Tabla 2

Valores medidos 14.93 mA 149 A 12.4 mA 11.2 mA 11.09 mA 7.43 mA 6.22 mA 32.25 mV 12.56 V 57.06 mV 71.07 mV 124.5 mV 6.81 V 8.32 V

Grfica 1.- Pendiente punto Q

Despus de realizar la tabla 2 y graficar los datos obtenidos (Calculados y medidos), lo que obtuvimos es la grafica anterior, donde podemos observar la lnea de carga que hace referencia a la pendiente donde va a encontrarse nuestro punto Q, como puede observarse difiere un poco de la imagen comn de la curva caracterstica del transistor debido a que no se peda medicin para la corriente de base y las mediciones fueron muy pocas. En cuanto a la diferencia entre valores tericos y prcticos podemos observar que las grandes
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variaciones se encuentran sobre todo en los extremos (Saturacin y corte), ya que por ejemplo para corte nuestro transistor nunca llega a ser igual que el valor de fuente y adems para la zona de saturacin fue difcil para nosotros la medicin dado que casi siempre estuvo en esta zona nuestro transistor, con lo cual nos damos cuenta que es muy optimo hablar de la zona activa, mas sin embargo encontramos que el transistor mayoritariamente se encuentra ya sea en corte o saturacin, esto inclusive ya le hemos visto sobretodo en el uso de transistores como interruptores para manejar elementos de mayor consumo de corriente controlados con una seal de poca intensidad; si tomamos en cuenta la gran variacin que tiene la beta de un transistor en funcin de la temperatura nos lleva a pensar que mas que oscilar en una regin activa a causa del calor, nuestro transistor seguira el mismo comportamiento de irse a saturacin o corte.

Ilustracin 17.- Algunas de las mediciones realizadas.

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Como complemento el profesor nos pidio llenar la siguiente tabla:

Vrb(V) Ib(uA) 3.3 10

Vce 2 4 6 8 10 12 14 16 2 4 6 8 10 12 14 2 4 6 8 10 2 4 6 8 2 4 6

Vrc 2.466 2.503 2.554 2.615 2.652 2.71 2.768 2.827 4.61 4.74 4.92 5.16 5.24 5.43 5.62 7.05 7.34 7.62 8.13 8.5 9.79 10.38 10.83 11.2 12.01 12.76 13.75

6.6

20

9.9

30

13.2

40

16.5

50

Ic(mA) Vbe Ie(mA) Beta 2.48 0.641 2.47 248 2.57 0.64 2.51 257 2.6 0.636 2.59 260 2.66 0.633 2.64 266 2.72 0.629 2.7 272 2.77 0.624 2.76 277 2.83 0.62 2.81 283 2.9 0.615 2.87 290 4.61 0.72 5.31 230.5 4.76 0.72 5.52 238 4.91 0.72 5.67 245.5 5.16 0.68 5.81 290 5.24 0.68 5.94 262 5.42 0.68 6.04 271 5.61 0.68 6.1 280.5 7.09 0.72 8.08 236.333333 7.35 0.72 8.42 245 7.64 0.76 8.71 254.666667 8.17 0.76 8.94 272.333333 8.54 0.72 9.22 284.666667 9.92 0.8 10.41 248 10.43 0.76 10.73 260.75 10.95 0.76 11.07 273.75 11.3 0.72 11.55 282.5 12.11 0.8 13.34 242.2 12.84 0.8 14.4 256.8 13.82 0.76 14.8 276.4

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Con los datos obtenidos se obtiene la siguiente grafica

Ilustracin 18.- Algunas de las mediciones realizadas.

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7.

CONCLUSIN
Dentro de esta prctica se sacan muchas conclusiones, sobre todo de la seccin donde peda trabajar en la zona activa mediante la variacin en resistencia de un potencimetro, lo cual se nos complico debido a que la mayor parte del tiempo nuestro transistor se nos iba a saturacin o a corte; esto nos pareci importante debido a que en casos como los comentados en clase de que tenemos que hacer nuestro diseo con transistores tomando en cuenta la variacin provocada por la temperatura directamente sobre la beta, ante esto vemos que si fue difcil hacerlo en una temperatura relativamente estable realmente el transistor es un elemento difcil de suponer o calcular realmente que parmetros tiene durante su funcionamiento ya que siempre esta variando. Un aspecto que hubiera estado muy bien medir es la variacin de la beta al incrementar la temperatura, esto lo podemos hacer directamente con dos multmetro; uno en medicin HFE y el otro en medicin de temperatura, para calentar el transistor pudiramos usar un cautn y registrar cada C cuanto se eleva la beta, porque la practica solo mencionaba que calentramos al transistor, pero nunca mencionaba cuanto. La segunda parte de la prctica de llenar la tabla al final de graficar fue muy bueno visualizar la curva caracterstica a la que llegamos, esto nos da la pauta para poder utilizar esta tabla para cualquier otro transistor en un futuro que necesitemos usarlo y desconozcamos como se comportara. Un punto en contra es el mal estado en que esta el equipo de laboratorio, los cables banana tienen falso, los multmetro tienen el fusible para medir mA quemado, para conectar los cables de alimentacin tienen falso con sus conectores.

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REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS

1.- Documento El transistor.

http://roble.pntic.mec.es/jlop0164/archivos/el%20transistor.pdf 2.- Documento Curva caracterstica del transistor www.tel.uva.es descargar.htm;jsessionid... id=16897 3.- Revista Saber electrnica pginas 80-83 4. Electrnica. Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Octava Edicin. Boylestad &Nashelsky 5. Dispositivos electrnicos. Octava Edicin. Thomas L. Floyd

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PREGUNTAS
1. a. b. c. d. Para el circuito de la figura 9-1, si =150, entonces 10A 20A 15 A 25 A es

2. Si la beta del transistor en el circuito 9-1 incrementa entonces: a. decrece b. incrementa c. decrece d. Todas las anteriores

3. Si es ms pequea en el circuito 9-1 entonces: a. decrece b. incrementa c. decrece d. Todas las anteriores

4. a. b. c. d.

La corriente de saturacin en el circuito 9-1 es: 4mA 6mA 10mA 15mA

5. a. b. c. d.

El corte para el voltaje colector-emisor en la figura 9-1 es: 5V 7.5V 10V 15V

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TABLA DE IMGENES
Ilustracin 1.- Forma fsica de algunos transistores. ---------------------------------------------------------------------------- 4 Ilustracin 2.- Simbologa tipos de transistores. --------------------------------------------------------------------------------- 5 Ilustracin 3.- Montaje con emisor comn. --------------------------------------------------------------------------------------- 6 Ilustracin 4.- En la prctica no se usan dos fuentes, sino solo una. ------------------------------------------------------- 7 Ilustracin 5.- Caractersticas de entrada del transistor PNP en base comn. ------------------------------------------ 9 Ilustracin 6.- Caractersticas de salida del transistor PNP en base comn. --------------------------------------------- 9 Ilustracin 7.- Caractersticas de entrada del transistor PNP en emisor comn. --------------------------------------- 10 Ilustracin 8.- Caractersticas de salida del transistor PNP en emisor comn. ------------------------------------------ 10 Ilustracin 9.- Caractersticas de entrada del transistor NPN en emisor comn. -------------------------------------- 11 Ilustracin 10.- Caractersticas de salida del transistor NPN en base comn. ------------------------------------------ 11 Ilustracin 11.- Caractersticas de entrada del transistor NPN en emisor comn. ------------------------------------- 12 Ilustracin 12.- Caractersticas de salida del transistor NPN en emisor comn.---------------------------------------- 12 Ilustracin 13.- Diagrama esquemtico para el circuito. --------------------------------------------------------------------- 16 Ilustracin 14.- Circuito utilizado; obsrvese que sin una identificacin previa de los pines sera muy difcil hacer una buena conexin. ----------------------------------------------------------------------------------------------------------- 19 Ilustracin 15.- Mediciones para determinar los pines en el transistor. -------------------------------------------------- 19 Ilustracin 16.- Mediciones con el TIP41c ---------------------------------------------------------------------------------------- 20 Ilustracin 17.- Algunas de las mediciones realizadas.------------------------------------------------------------------------ 22 Ilustracin 18.- Algunas de las mediciones realizadas.------------------------------------------------------------------------ 24

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