UNIVERSIDAD POLITCNICA DE MADRID

ESCUELA UNIVERSITARIA DE INGENIERA DE TELECOMUNICACIN

TECNOLOGAS DE RADIOCOMUNICACIONES

MEMORIA PRCTICA 3

AMPLIFICADOR DE MXIMA GANANCIA

DEPARTAMENTO DE INGENIERA AUDIOVISUAL Y COMUNICACIONES

Gabriele Galiero Casay Francisco Solano Eizaguirre

NDICE GENERAL

1. INTRODUCCIN .................................................................................................................. 3 2. ESTUDIO DE ESTABILIDAD Y MXIMA GANANCIA ............................................................. 4 3. DISEO DE REDES DE ADAPTACIN ................................................................................... 8 3.1. 3.2. RED DE ADAPTACIN DE ENTRADA ............................................................................ 9 RED DE ADAPTACIN DE SALIDA ............................................................................... 12

4. DISEO DEL CIRCUITO DE POLARIZACIN ....................................................................... 14 5. CONDENSADORES DE DESACOPLO .................................................................................. 16 6. SIMULACIN DEL AMPLIFICADOR .................................................................................... 16 6.1. 6.2. AMPLIFICADOR IDEAL ................................................................................................ 17 AMPLIFICADOR REAL ................................................................................................. 18 LNEAS DE TRANSMISIN ................................................................................... 19 RED DE ADAPTACIN DE ENTRADA .................................................................... 19 RED DE ADAPTACIN DE SALIDA ........................................................................ 20 CONDENSADORES DE DESACOPLO ..................................................................... 21 CHOQUES DE RADIOFRECUENCIA....................................................................... 23 CONEXIONES CON MASA .................................................................................... 25

6.2.1. 6.2.2. 6.2.3. 6.2.4. 6.2.5. 6.2.6.

7. IMPLEMENTACIN DEL AMPLIFICADOR .......................................................................... 30 7.1. 7.2. LAYOUT DEL AMPLIFICADOR ..................................................................................... 30 MEDIDAS DEL AMPLIFICADOR ................................................................................... 31

8. CONCLUSIONES ................................................................................................................ 33

1. INTRODUCCIN
Existen distintos tipos de amplificadores en base a la prioridad que se le otorga a distintos parmetros que determinan su comportamiento: Amplificador de bajo ruido Amplificador de mxima ganancia Amplificador de potencia Amplificador de banda ancha

En esta prctica se pretende disear y construir un amplificador de mxima ganancia en la banda de frecuencias L mediante tcnicas microstrip. Para ello se va a emplear un transistor bipolar NPN como elemento activo. A continuacin se muestran las especificaciones para el diseo del amplificador.

Frecuencia de mxima ganancia Transistor Punto de polarizacin

1.2 GHz BFR93A

El esquema elctrico del amplificador que se pretende implementar es el siguiente:

Fig. 1. Esquema elctrico del amplificador de mxima ganancia.

Para la implementacin de dicho amplificador se va a emplear un circuito de polarizacin con realimentacin en la base. Los choques de radiofrecuencia permitirn el paso de la seal continua para la polarizacin del transistor, bloqueando el paso de la seal alterna. Los condensadores de desacoplo, permitirn el paso de la seal alterna, bloqueando el paso de la seal continua de polarizacin.

2. ESTUDIO DE ESTABILIDAD Y MXIMA GANANCIA

La estabilidad es un parmetro muy importante a considerar en el estudio de los amplificadores, puesto que un amplificador no estable puede provocar oscilaciones si la entrada, la salida o ambas presentan resistencia negativa. Para normalizar un criterio de estabilidad en pequea seal, mediante los parmetros S, se emplea el factor K de estabilidad o Linvill:

Donde:

De esta forma se establece el siguiente criterio de estabilidad:

Amplificador estable si:

Amplificador inestable si:

Para estudiar la estabilidad del transistor se obtienen los parmetros S, del dispositivo en el punto de polarizacin de diseo, proporcionados por el fabricante en un rango de frecuencias.

Fig. 2. Parmetros S del transistor BFR93A.

Conocidos los parmetros S, se podrn calcular los valores de K y transistor.

para estudiar la estabilidad del

En este caso se emplea el programa de CAD AWRDE 2009 para representar la mxima ganancia y el factor K de estabilidad. Aunque no se dispone de los parmetros S para valores de frecuencia intermedios, el AWRDE los obtiene mediante interpolacin obteniendo los siguientes resultados:

PORT P=1 Z=50 Ohm

SUBCKT ID=S1 2 C NET="BFR93AB"

PORT P=2 Z=50 Ohm

B
3

Fig. 3. Transistor bipolar BFR93A.

Mxima Ganancia y Estabilidad

20
DB(GMax()) (L) Transistor K() (R) Transistor
1.2 GHz 12.05 dB 0.9131 GHz 1 2.919 GHz 1

15

1.5

10
1.2 GHz 1.039

0.5

0 0.1 1.1 2.1 Frequency (GHz) 3.1 4

Fig. 4. Mxima ganancia y estabilidad del transistor.

Como se puede apreciar el transistor es estable a la frecuencia de diseo, no obstante el valor de K es muy prximo a 1. Adems a frecuencias inferiores a 0.9 y superiores a 2.9 GHz el dispositivo deja de ser estable. Para obtener un margen de estabilidad mayor se recurre a las tcnicas de estabilizacin de padding. Esto consiste en conectar, a la entrada o salida del dispositivo activo, una resistencia serie o paralelo, consiguiendo mayor estabilidad en el transistor a costa de reducir la mxima ganancia.

A continuacin para estabilizar el transistor se emplea padding en serie a la entrada. El valor de la resistencia tomado es el mnimo valor comercial disponible. El esquema elctrico es el siguiente:

PORT P=1 Z=50 Ohm

RES ID=R1 R=8.2 Ohm

SUBCKT ID=S1 2 C NET="BFR93AB"

PORT P=2 Z=50 Ohm

B
3

Fig. 5. Transistor con resistencia de Padding a la entrada.

A continuacin se representa el factor K y la mxima ganancia del transistor con Padding:

Mxima Ganancia y Estabilidad (Padding)

20
DB(GMax()) (L) Transistor Padding

15
1.2 GHz 1.422

K() (R) Transistor Padding

1.5

10
1.2 GHz 9.392 dB

0.5

0 0.1 1.1 2.1 Frequency (GHz) 3.1 4

Fig. 6. Mxima ganancia y estabilidad del transistor con Padding.

Se observa que el transistor es ms estable para un margen ms amplio de frecuencias, a costa de reducir la mxima ganancia disponible del transistor.

3. DISEO DE REDES DE ADAPTACIN

Una vez se ha estabilizado el transistor se procede a calcular las redes de adaptacin que permitan obtener la mxima ganancia.

Fig. 7. Esquema de un amplificador con redes de adaptacin.

Donde:

La ganancia de transduccin bilateral se define como:

De tal manera que la mxima ganancia se consigue cuando existe adaptacin conjugada simultnea a la entrada y salida del amplificador.

Con el objetivo de realizar adaptacin conjugada simultnea a la entrada y salida mediante el programa AWR se obtienen las impedancias a la entrada y a la salida que necesita ver el transistor con Padding, para que exista dicha adaptacin.

Fig. 8. Impedancias a la entrada y salida que desea ver el transistor.

Como en los puertos la impedancia que ve el amplificador es de 50 , ser necesario introducir redes de adaptacin para que las impedancias vistas por el amplificador sean las que proporcionen adaptacin conjugada. Las redes de adaptacin consisten en un simple stub paralelo en circuito abierto, por lo que las operaciones se realizan con respecto a las admitancias para simplificar los clculos.

3.1. RED DE ADAPTACIN DE ENTRADA

La red de adaptacin de entrada es la siguiente:

Fig. 9. Red de adaptacin de entrada.

Se sita

en la carta de Smith:

Se sita

en la carta de Smith:

es imaginaria pura ya que en el stub en circuito abierto:

Fig. 10. Stub simple en circuito abierto.

Por tanto:

Se traza la circunferencia a se obtiene .

de

, donde corte con la circunferencia

Por ltimo se calcula la longitud del stub:

l=0.112 d=0.093

Fig. 11. Carta de Smith de la red de adaptacin de entrada.

3.2. RED DE ADAPTACIN DE SALIDA

La red de adaptacin de salida es la siguiente:

Fig. 12. Red de adaptacin de salida.

Se sita

en la carta de Smith:

Se sita

en la carta de Smith:

es imaginaria pura ya que en el stub en circuito abierto, por tanto:

Se traza la circunferencia a se obtiene .

de

, donde corte con la circunferencia

Por ltimo se calcula la longitud del stub:

l=0.114 d=0.406

Fig. 13. Carta de Smith de la red de adaptacin de salida.

4. DISEO DEL CIRCUITO DE POLARIZACIN

Existen distintas topologas para polarizar un transistor. La topologa de cuatro resistencias en microondas no se suele emplear debido a que la realimentacin que produce la resistencia de emisor puede producir inestabilidad. Por tanto una de las ms empleadas en microondas es la de realimentacin en la base.

RC RB

Vcc

Q1 BFR93A/PLP

0
Fig. 14. Circuito de polarizacin con realimentacin en la base.

Para el circuito de polarizacin se va a emplear una tensin de alimentacin de

A continuacin se consultan las especificaciones del transistor BFR93A para obtener el valor de para el punto de polarizacin seleccionado.

Fig. 15. Valor de

frente a la corriente de colector.

Se observa que para el punto de polarizacin

Ecuaciones del circuito: [1]: [2]: [3]:

De la ecuacin [3] se obtiene que:

Clculo de RC:

Clculo de RB:

Debido a que los valores obtenidos de las resistencias no coinciden con valores comerciales, se toman los valores ms prximos a los comerciales. Por tanto:

Simulacin mediante Orcad PSpice:

10.00V 10.28mA RC RB 33k 123.6uA Q1 10.16mA 781.0mV BFR93A/PLP 500 4.861V 10V Vcc

Punto de trabajo Q obtenido mediante simulacin: IBQ 126.3 uA 10.28 mA 781 mV 4.861 V

ICQ VBEQ VCEQ

0
Fig. 16. Resultados obtenidos mediante simulacin.

5. CONDENSADORES DE DESACOPLO
El valor de los condensadores de desacoplo seleccionado ser de unos 100 pF, puesto que el valor de la impedancia a la frecuencia de trabajo es de:

Por lo que, a efectos de seal alterna, se considerarn cortocircuitos.

6. SIMULACIN DEL AMPLIFICADOR

En primer lugar se proceder a simular el amplificador con lneas ideales para analizar la respuesta en frecuencia y posiblemente realizar algn tipo de ajuste. Posteriormente se realizar la simulacin del amplificador empleando la tecnologa microstrip e introduciendo todos los efectos parsitos existentes en radiofrecuencia.

6.1. AMPLIFICADOR IDEAL

El esquema elctrico del amplificador ideal es el siguiente:

TLIN ID=TL1 Z0=50 Ohm EL=100.1 Deg F0=1.2 GHz PORT P=1 Z=50 Ohm TLIN ID=TL3 Z0=50 Ohm EL=33.48 Deg F0=1.2 GHz RES ID=R1 R=8.2 Ohm SUBCKT ID=S1 2 C NET="BFR93AB"

B
TLOC ID=TL4 Z0=50 Ohm EL=40.32 Deg F0=1.2 GHz

TLOC ID=TL2 Z0=50 Ohm EL=41.04 Deg F0=1.2 GHz

PORT P=2 Z=50 Ohm

Fig. 17. Esquema elctrico del amplificador ideal.

Se obtiene la siguiente respuesta en frecuencia:

Respuesta Amplificador Ideal

20 10 0 -10 -20 -30 -40 -50 0.1 1.1 2.1 Frequency (GHz) 3.1
1.2 GHz -40.71 dB 1.2 GHz -17.11 dB
DB(|S(1,1)|) Amplificador Ideal DB(|S(2,1)|) Amplificador Ideal

1.2 GHz 9.389 dB

1.2 GHz -37.88 dB

DB(|S(2,2)|) Amplificador Ideal DB(|S(1,2)|) Amplificador Ideal

Fig. 18. Respuesta en frecuencia del amplificador ideal.

Como se puede apreciar la ganancia del amplificador es muy prxima a la mxima ganancia disponible. No obstante modificando la red de adaptacin de entrada se consigue una mejora de la respuesta en frecuencia.

Respuesta Amplificador Ideal

20

1.2 GHz 9.39 dB

-20
1.2 GHz -17.11 dB
DB(|S(1,1)|) Amplificador Ideal

-40
1.2 GHz -50.35 dB 1.2 GHz -56.29 dB

DB(|S(2,1)|) Amplificador Ideal DB(|S(2,2)|) Amplificador Ideal DB(|S(1,2)|) Amplificador Ideal

-60 0.1 1.1 2.1 Frequency (GHz) 3.1

Fig. 19. Respuesta en frecuencia mejorada del amplificador ideal.

De esta manera se consigue la mxima ganancia y una buena adaptacin a la frecuencia de trabajo.

6.2. AMPLIFICADOR REAL

Para implementar el amplificador se emplea un sustrato con las siguientes especificaciones: Permitividad relativa: Grosor del dielctrico: Grosor del conductor:
MSUB Er=4.21 H=1.5 mm T=0.035 mm Rho=0.7703 Tand=0.01 ErNom=4.21 Name=SUB1

Fig. 20. Sustrato empleado.

En el esquema elctrico del amplificador real se introducirn todos los efectos parsitos mediante el programa AWRDE 2009.

6.2.1. LNEAS DE TRANSMISIN

Salvo las lneas microstrip que implementan los choques de radiofrecuencia, el resto de lneas , incluidos los stubs, tendrn una impedancia caracterstica de . Para el clculo de la longitud fsica de las lneas se emplea la herramienta TXLine introduciendo el resto de parmetros.

Fig. 21. Anchura de las lneas de transmisin del amplificador.

6.2.2. RED DE ADAPTACIN DE ENTRADA

Mediante la herramienta TXLine se obtienen las longitudes de los stubs de la red de adaptacin de entrada.

Fig. 22. Longitud de las lneas de la red de adaptacin de entrada.

6.2.3. RED DE ADAPTACIN DE SALIDA

Mediante la herramienta TXLine se obtienen las longitudes de los stubs de la red de adaptacin de entrada.

Fig. 23. Longitud de las lneas de la red de adaptacin de salida.

6.2.4. CONDENSADORES DE DESACOPLO

Otro aspecto importante es que los condensadores de desacoplo presentan una inductancia parsita, que a determinadas frecuencias puede hacer que tenga un comportamiento puramente inductivo.

Fig. 24. Circuito lineal equivalente de un condensador real.

De aqu se obtiene la frecuencia de auto-resonancia del condensador:

Dicha frecuencia depender del valor de la inductancia parsita del condensador. Por lo tanto si se trabaja a una frecuencia por encima de la frecuencia de auto-resonancia el condensador tendr un comportamiento inductivo en lugar de capacitivo. Esto es un efecto no deseado puesto que los condensadores en esta situacin no se comportan como una impedancia de valor muy bajo, sino que tienden a valores de impedancia elevada comportndose como un circuito abierto a efectos de seal alterna. Se considera que la inductancia parsita que presentan los condensadores SMD empleados es de:

Para modelar este efecto se emplea el siguiente elemento:

SLC ID=LC1 L=1 nH C=100 pF

Fig. 25. Condensador real con inductancia parsita.

Donde: Capacidad del condensador. Inductancia parsita del condensador.

Analizando las prdidas de insercin se observa que, en el rango de frecuencias de trabajo, el condensador se comportar prcticamente como un corto-circuito. Adems la frecuencia de autoresonancia es mucho mayor y el condensador no tendr un comportamiento inductivo.

Funcion de Transferencia
0 -0.01 -0.02 -0.03 -0.04 -0.05 -0.06 1 1.2 1.4 1.6 Frequency (GHz) 1.8 2

DB(|S(2,1)|) Condensador de desacoplo

Fig. 26. Respuesta en frecuencia de los condensadores de desacoplo.

Tambin cabe destacar que las resistencias empleadas para el circuito de polarizacin tambin tienen una inductancia parsita debido a la alta frecuencia. No obstante no influir ya que prcticamente se refleja toda la seal alterna a la entrada de los choques de radiofrecuencia.

6.2.5. CHOQUES DE RADIOFRECUENCIA

Los choques de radiofrecuencia tienen como objetivo comportarse como cortocircuitos a efectos de seal continua, mientras que debern presentar una alta impedancia en radiofrecuencia, bloqueando el paso de la seal alterna. De sta manera se consigue polarizar al transistor sin que la red de polarizacin afecte al circuito de radiofrecuencia en una banda limitada de frecuencias. Este tipo de dispositivo se va a implementar mediante la tcnica microstrip, insertando una lnea de longitud terminada en cortocircuito. De esta forma se consigue que la impedancia vista sea tericamente infinita.

L=/4

Z0

ZL=

ZIN Fig. 27. Lnea de transmisin terminada en corto-circuito.

Por definicin de impedancia:

La lnea de transmisin tiene una longitud elctrica a la frecuencia de trabajo de:

Por tanto:

Es deseable que el choque de radiofrecuencia funcione dentro de una banda de frecuencias. El inconveniente es que a medida que la frecuencia de trabajo se desva de la frecuencia de diseo el valor de la longitud elctrica de la lnea de transmisin vara y por tanto:

Para paliar este efecto, se disea la lnea con un valor de impedancia caracterstica elevado ya que:

Un valor razonable es disear la lnea de transmisin con una impedancia de Para el clculo de la longitud y anchura de las lneas que implementan los choques de radiofrecuencia se emplea la herramienta TXLine.

Fig. 28. Anchura y longitud de los choques de radiofrecuencia del amplificador.

6.2.6. CONEXIONES CON MASA

Otro efecto parsito que se debe tener en cuenta es la conexin para cortocircuitar a masa, la cual introduce una inductancia parsita. Esto se modela mediante el siguiente elemento:

VIA ID=V1 D=1 mm H=1.5 mm T=0.035 mm RHO=1.27

Fig. 29. Efecto parsito en la conexin a masa.

Donde: Dimetro externo de la va. (Dimetro del hilo conductor). Espesor del dielctrico del sustrato. Espesor del conductor del sustrato. Resistividad o resistencia elctrica del conductor normalizada con respecto a la resistividad del oro.

El hilo conductor que se va a emplear para implementar el cortocircuito ser de aluminio. La resistividad @ 20-25 C es: Oro (Au): Aluminio (Al): Por tanto la resistividad del cobre normalizada con respecto a la del oro es:

Este elemento se modela como una inductancia en serie con una resistencia, cuyos valores dependen de las dimensiones del dimetro y la resistividad del hilo conductor. El esquema elctrico del amplificador real es el siguiente:

DCVS ID=V4 V=1 V

2
MTEE ID=TL34 W1=2.923 mm W2=2.923 mm W3=2.923 mm 1

SLC ID=LC3 L=1 nH C=100 pF

VIA ID=V2 D=1 mm H=1.5 mm T=0.035 mm RHO=1.27

MSTEP ID=TL40 W1=2.923 mm W2=0.4888 mm

VIA ID=V3 D=1 mm H=1.5 mm T=0.035 mm RHO=1.27

SLC ID=LC1 L=1 nH C=100 pF

SRL ID=RL2 R=499 Ohm L=1 nH

MCROSS ID=TL14 W1=6.292 mm W2=0.4888 mm W3=6.292 mm2 W4=0.4888 mm

MLIN ID=TL35 W=0.4888 mm L=6.2 mm

SRL ID=RL3 R=3.3e4 Ohm L=1 nH

MLIN ID=TL36 W=0.4888 mm L=5 mm

MCROSS ID=TL32 W1=6.292 mm W2=0.4888 mmMLEF W3=6.292 mm ID=TL33 W4=0.4888 mmW=6.292 mm L=33.63 mm

1
MLEF ID=TL15 W=6.292 mm L=33.63 mm

MLIN ID=TL31 W=0.4888 mm L=5.95 mm MLIN ID=TL13 W=0.4888 mm L=5 mm MLIN MBENDA ID=TL29 ID=TL28 W=0.4888 mm W=0.4888 mm L=10.57 mm ANG=90 Deg MBENDA ID=TL12 W=0.4888 mm ANG=90 Deg

MLIN ID=TL11 W=0.4888 mm L=11.07 mm MSUB Er=4.21 H=1.5 mm T=0.035 mm Rho=0.7703 Tand=0.01 ErNom=4.21 Name=SUB1

MBENDA ID=TL30 W=0.4888 mm ANG=90 Deg

MBENDA ID=TL10 W=0.4888 mm ANG=90 Deg MLIN ID=TL9 W=0.4888 mm L=5 mm

MLIN ID=TL27 W=0.4888 mm L=5 mm

MLIN ID=TL25 W=0.4888 mm L=10.5 mm MLIN MBENDA ID=TL8 ID=TL6 W=0.4888 mm W=0.4888 mm L=11 mm ANG=90 Deg

MBENDA ID=TL26 W=0.4888 mm ANG=90 Deg

MBENDA ID=TL24 W=0.4888 mm ANG=90 Deg MLIN ID=TL23 W=0.4888 mm L=5 mm

MBENDA ID=TL7 W=0.4888 mm ANG=90 Deg

MLIN ID=TL5 W=0.4888 mm L=5 mm

MLIN ID=TL16 W=2.923 mm L=5 mm

3 2 1
MTEE ID=TL17 W1=2.923 mm W2=2.923 mm W3=0.4888 mm

MLIN ID=TL18 W=2.923 mm L=33.58 mm

MTEE ID=TL19 W1=2.923 mm W2=2.923 mm W3=2.923 mm

MLIN ID=TL38 W=2.923 mm L=5 mm

SLC ID=LC4 L=1 nH C=100 pF

MLIN ID=TL39 W=2.923 mm L=10 mm

PORT P=1 Z=50 Ohm

MLIN ID=TL22 W=2.923 mm L=10 mm

SLC ID=LC2 L=1 nH C=100 pF

MLIN ID=TL21 W=2.923 mm L=5 mm

MTEE ID=TL4 W1=2.923 mm W2=2.923 mm W3=2.923 mm

1 3

2
PORT P=2 Z=50 Ohm

MLIN ID=TL2 W=2.923 mm L=3.258 mm

3 2 1
MTEE ID=TL3 W1=2.923 mm W2=2.923 mm W3=0.4888 mm

SRL ID=RL1 R=8.2 Ohm L=1 nH

MLIN ID=TL1 W=2.923 mm L=5 mm

SUBCKT ID=S1 2 C NET="BFR93AB"

1 3

B
3

MLEF ID=TL37 W=2.923 mm L=16.91 mm

MLEF ID=TL20 W=2.923 mm L=15.86 mm

VIA ID=V1 D=1 mm H=1.5 mm T=0.035 mm RHO=1.27

Fig. 30. Esquema elctrico del amplificador real.

En primer lugar se analizar la respuesta en frecuencia sin incluir los choques de radiofrecuencia y la red de polarizacin.

Respuesta Amplificador Real

20 10 0 -10 -20 -30 -40 -50 0.1 1.1 2.1 Frequency (GHz) 3.1 4
1.2 GHz -12.25 dB 1.2 GHz 8.027 dB
DB(|S(1,1)|) Amplificador Real DB(|S(2,1)|) Amplificador Real DB(|S(2,2)|) Amplificador Real DB(|S(1,2)|) Amplificador Real

1.2 GHz -8.485 dB

Fig. 31. Respuesta en frecuencia del amplificador real sin considerar la red de polarizacin.

Se observa que debido a los efectos parsitos en alta frecuencia la respuesta en frecuencia no es exactamente la esperada. Por lo que se emplea la herramienta Tune para modificar las lneas de las redes de adaptacin con el objetivo de optimizar dicha respuesta.

Fig. 32. Modificacin de las lneas de las redes de adaptacin.

Donde TL2 y TL20 constituyen la red de adaptacin de entrada y TL18 y TL37 la red de adaptacin de salida. A continuacin se obtiene la respuesta en frecuencia del amplificador real:

Respuesta Amplificador Real

20 10 0 -10 -20 -30 -40 -50 0.1 1.1 2.1 Frequency (GHz) 3.1 4
1.2 GHz -31.73 dB 1.2 GHz -32.69 dB 1.2 GHz 8.828 dB
DB(|S(1,1)|) Amplificador Real DB(|S(2,1)|) Amplificador Real DB(|S(2,2)|) Amplificador Real DB(|S(1,2)|) Amplificador Real

Fig. 33. Respuesta en frecuencia del amplificador real modificado sin considerar la red de polarizacin.

Por lo tanto se consigue una buena adaptacin a la frecuencia de trabajo y que el amplificador tenga la mxima ganancia. Dicha ganancia es menor que la mxima ganancia en el amplificador ideal, debido a las prdidas que introduce el sustrato. Una vez se ha comprobado el buen funcionamiento del amplificador, se aadirn los choques de radiofrecuencia junto con la red de polarizacin a la simulacin. La respuesta en frecuencia del amplificador real incluida la red de polarizacin y los choques de radiofrecuencia es la siguiente:

Respuesta Amplificador Completo

20 10 0 -10 -20 -30 -40 -50 0.1 1.1 2.1 Frequency (GHz) 3.1
DB(|S(1,1)|) Amplificador Real Completo

1.2 GHz 8.742 dB

1.2 GHz -29.05 dB

1.2 GHz -23.05 dB

DB(|S(2,1)|) Amplificador Real Completo DB(|S(2,2)|) Amplificador Real Completo DB(|S(1,2)|) Amplificador Real Completo

Fig. 34. Respuesta en frecuencia del amplificador real.

Al aadir el resto de efectos a la simulacin puede ocurrir que la respuesta en frecuencia se vea modificada con respecto a la deseada. No obstante dicha variacin es muy pequea y podr corregirse haciendo uso de la herramienta Tune. Modificando nuevamente las lneas que implementan las redes de adaptacin de entrada y salida se consigue una buena adaptacin a la frecuencia de trabajo y la mxima ganancia del amplificador.

Fig. 35. Modificacin de las lneas de las redes de adaptacin.

Respuesta Amplificador Completo

20 10 0 -10 -20 -30 -40 -50 0.1 1.1 2.1 Frequency (GHz) 3.1
1.2 GHz -36.54 dB 1.2 GHz -35.88 dB
DB(|S(1,1)|) Amplificador Real Completo DB(|S(2,1)|) Amplificador Real Completo DB(|S(2,2)|) Amplificador Real Completo DB(|S(1,2)|) Amplificador Real Completo

1.2 GHz 8.773 dB

Fig. 36. Respuesta del amplificador real modificado.

7. IMPLEMENTACIN DEL AMPLIFICADOR

Una vez caracterizada la respuesta en frecuencia del amplificador y tras haber comprobado que a la frecuencia de trabajo ofrece mxima ganancia disponible se proceder a su implementacin fsica y medidas reales.

7.1. LAYOUT DEL AMPLIFICADOR

A continuacin se muestra el layout del amplificador de mxima ganancia que se desea implementar.

Fig. 37. Layuot del amplificador de mxima ganancia.

7.2. MEDIDAS DEL AMPLIFICADOR

Para la implementacin fsica del amplificador de mxima ganancia se ha empleado un sustrato con las siguientes caractersticas: Permitividad relativa: Grosor del dielctrico: Grosor del conductor: Tras la construccin de la placa y el soldado de todos los componentes se tiene el circuito listo para medir los parmetros de transmisin y reflexin mediante un analizador de redes escalar previamente calibrado.

Fig. 38. Implementacin fsica del amplificador de mxima ganancia.

Medidas obtenidas mediante el analizador de redes escalar:

Amplificador Medido
10
1.2 GHz 6.842 dB

DB(|S(1,1)|) Amplificador DB(|S(2,1)|) Amplificador

DB(|S(2,2)|) Amplificador DB(|S(1,2)|) Amplificador

0
1.2 GHz -13.97 dB 1.2 GHz -14.02 dB

-10

-20

1.2 GHz -18.97 dB

-30 0.8 1 1.2 Frequency (GHz) 1.4 1.6

Fig. 39. Respuesta en frecuencia del amplificador fsico.

Se observa que la red de adaptacin de entrada no funciona correctamente a la frecuencia de trabajo, ya que las prdidas de retorno no son lo suficientemente altas para considerar una buena adaptacin. Como consecuencia habr que modificar la red de adaptacin de entrada y en concreto la longitud del stub simple.

Como la longitud elctrica de una lnea de transmisin es inversamente proporcional a la frecuencia de trabajo y la frecuencia a la cual el stub adapta es inferior a la deseada, para aumentar la frecuencia a la cual existe adaptacin, ser necesario acortar la longitud del stub. Tras modificar la red de adaptacin de entrada, acortando la longitud del stub simple se obtiene la siguiente respuesta en frecuencia:

Amplificador Medido Modificado

20 10 0 -10 -20
DB(|S(1,1)|) Amplificador Modificado

1.2 GHz 6.978 dB

1.2 GHz -13.77 dB

1.2 GHz -20.64 dB

-30 -40 -50 0.8 1

1.2 GHz -22.32 dB

DB(|S(2,1)|) Amplificador Modificado DB(|S(2,2)|) Amplificador Modificado DB(|S(1,2)|) Amplificador Modificado

1.2 Frequency (GHz)

1.4

1.6

Fig. 40. Respuesta en frecuencia del amplificador fsico modificado.

Observando los resultados obtenidos puede deducirse que se ha implementado un amplificador de mxima ganancia a una frecuencia de trabajo de 1.2 GHz.

8. CONCLUSIONES
Tras la realizacin de la prctica se ha podido observar que la respuesta en frecuencia del amplificador medido difera de los resultados obtenidos mediante simulacin. Esto es debido a posibles errores en la medida de la permitividad relativa del sustrato y efectos parsitos adicionales de alta frecuencia no considerados en simulacin. Sin embargo ha sido posible corregir dichos efectos modificando la red de adaptacin de entrada y consiguiendo que el amplificador cumpliese los requisitos a la frecuencia de trabajo.