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Intensidad Relativa de Ruido (RIN) Dentro de un lser semiconductor, las fluctuaciones en la amplitud o la intensidad de la salida producen ruido de intensidad

ptica. Estas fluctuaciones podran surgir de las variaciones de temperatura o de emisin espontnea contenida en la salida del lser. El ruido resultante de las fluctuaciones de intensidad aleatorias se denomina intensidad relativa de ruido (RIN), que puede ser definida en trminos de las variaciones de intensidad media-cuadrados. La corriente resultante de ruido media cuadrtica est dada por: ( es ) ( )

Entonces, el CNR debido a las fluctuaciones de amplitud lser slo

Aqu el RIN (Intensidad Relativa de Ruido) se mide en dB/Hz. Est definido por la relacin de potencia de ruido a la seal: (( ) )

Donde ((PL) 2) es la fluctuacin de intensidad media cuadrtica de la salida del lser y PL es el promedio de intensidad de la luz lser. Este ruido disminuye a medida que el nivel de inyeccin de corriente aumenta de acuerdo con la relacin. ( )

Ejemplo 1. La figura muestra un ejemplo de la ecuacin. 9-9. por dos lseres de heteroestructura enterrada. El nivel de ruido se mide a 100MHz. Para corrientes de inyeccin suficientemente por encima del umbral. (Es decir, por Ib / Ith > 1,2). La RIN de estos ndices de lseres guiados se encuentra entre -140 y -150 dB / Hz.

Ejemplo del ruido de intensidad relativa, por dos diodos lser de heteroestructura enterrada. El nivel de ruido se mide a 100 MHz.

La figura muestra el RIN de un InGaAsP lser de heteroestructura enterrada como una funcin de modulacin de frecuencia en varios niveles de polarizacin diferentes. El ruido de intensidad relativa esencialmente independiente de la frecuencia por debajo de varios cientos de megahercios, y picos en la frecuencia de resonancia. En este caso, en un nivel de polarizacin de 60 mA, lo que da una salida de 5 mW, la RIN es tpicamente menor que -135 dB / Hz para frecuencias de modulacin de hasta 8 GHz. Para niveles de seal ptica recibida de13dBm (50uW) o menos, el RIN del lser InGaAsP-heteroestructura enterrada encuentra suficientemente por debajo del nivel de ruido de un amplificador de 50 ohmios con un factor de ruido de 3 dB. Hojas de datos para para 1550 nm DFB lser suelen citar valores de RIN -152 a -158 dB / Hz.

El RIN de un InGaAsP-heteroestructura enterrada lser como una funcin de modulacin de frecuencia a varios niveles de polarizacin diferentes.

Sustituyendo el CNRS resultantes de las ecuaciones (9-4) a (9-7) en (9-1) se obtiene la siguiente relacin portadora-a-ruido para un sistema AM de un solo canal. ( ( ) ( ) ) ( ) ( )

Efectos de reflexin en la RIN En la ejecucin de un enlace analgico de alta velocidad, es necesario tomar precauciones especiales para minimizar los reflejos pticos de nuevo en el lser. Volver seales reflejadas-pueden aumentar la RIN por 10-20 dB como se muestra en la figura. 9-5. Estas curvas muestran el aumento del ruido intensidad relativa de los puntos de polarizacin que van desde 1,24 hasta 1,62 veces el nivel de umbral de corriente. La relacin de potencia de retroalimentacin en la figura, 9-5 es la cantidad de potencia ptica reflejada de nuevo en el lser con relacin a la salida de luz de la fuente. Como un ejemplo, la lnea discontinua muestra que al 1,33 Ith la relacin de realimentacin debe

ser menos de-60dB a fin de mantener un RIN de menos de -140 dB / Hz. Condiciones Limitantes Veamos ahora algunas condiciones restrictivas. Cuando el nivel de potencia ptica en el receptor es baja, el ruido del circuito preamplificador domina el ruido del sistema. Para esto, tenemos que

El aumento de la RIN debido a las seales pticas reflejadas ( ) ( ( ) )

En este caso, la relacin portadora-a-ruido es directamente proporcional al cuadrado de la potencia ptica recibida, de modo que para cada variacin de 1 dB en la potencia ptica recibida C/N cambiar en 2 dB. Para fotodiodos bien diseados, la mayor y la superficie corrientes oscuras son pequeas en comparacin con el disparo (cuntico) de ruido de los niveles de seal pticos intermedios en el receptor. Por lo tanto, a niveles de potencia intermedios el trmino ruido cuntico del fotodiodo dominar el ruido del sistema. En este caso, tenemos

( )

( ( )

As que la relacin portadora-a-ruido variar en 1 dB por cada cambio de 1-dB en la potencia ptica recibida. Si el lser tiene un alto valor RIN de modo que el ruido de la reflexin domina sobre otros trminos de ruido, a continuacin, la relacin portadora-a-ruido se convierte ( ) ( )

Qu es una constante. En este caso, el rendimiento no se puede mejorar a menos que se incrementa el ndice de modulacin.

Ejemplo: Como un ejemplo de las condiciones limitantes, considere un enlace con un transmisor de lser y un fotodiodo receptor que tiene las siguientes caractersticas: Transmisor m = 0.25 RIN = -143 dB/Hz Pe = 0 dBm Receptor o= 0.6 A/W = 10 MHz. ID = 10 nA Req = 750 Fi = 3 dB

Donde P, en la potencia ptica acoplada en la fibra. Para ver los efectos de los diferentes trminos de ruido en la relacin portadora-aruido. La figura 9-6 muestra un grfico de la relacin C / N como una funcin del nivel de potencia ptica en el receptor. En este caso, vemos que la alta potencia recibida de ruido en la fuente domina para dar una constante C / N. En los niveles intermedios, el ruido cuntico es el principal contribuyente, con una cada de 1 dB en la C / N para cada disminucin de 1 dB en la potencia ptica recibida. Para niveles bajos de luz, el ruido trmico del receptor es el trmino de ruido que limita, produciendo una atenuacin de 2 dB en la C / N para cada cada de 1 dB en la potencia ptica recibida. Es importante tener en cuenta que los factores limitantes pueden variar significativamente dependiendo de la caracterstica del receptor y transmisor. Por ejemplo, para los amplificadores de baja impedancia del ruido trmico del receptor puede ser el limitador de actuacin dominante para todas las longitudes de enlace prcticos. Figura. Portadora a ruido como funcin de nivel de potencia ptica en el receptor. En ese caso, RIN domina a alta potencia, ruido cuntico cae 1dB en C/N para cada disminucin de potencia 1-dB en los niveles intermedios, y el ruido trmico del receptor produce una atenuacin de 2-dB en C/N cuando decae 1-dB la potencia recibida en niveles bajos de luz.