Diodos

Caracterizados por: Vd @ Id, T I0 @ T Vbr Pico inverso mximo

Maximun RaitingVbr Tensin Pico Inv. : 600 V I directa mxima: 50 A I pico repetitiva: 100 A I media mxima: 31 A T juntura mxima: 125C Pd mxima @Ta=25C: 25W

Diodos
Efecto de la temperatura

dVd = 2, 25 mv / C dT dIo n = 2 . Io dT n T T a 10 6

1mA @ 25 C

LS1 5 3

V1 D1

4 1 2 RELAY SPDT

Diodos
Maximun Raiting Tjm = 125C = 25W = 1,4 C/W = 25W = 70W = 70W = 0,25 W/C = 1,4 C/W = 2,5 C/W

Pdja @Ta=25C Rjc Pdja @Ta=25C Pdjc @Tc=25C Pdjc @Tc=25C derate Rjc Rca

1 Forma

2 Forma

} }

3 Forma

4 Forma

Modelo Equivalente Trmico Elctrico Pot . Rt = Temp Pot Rt Temp I (corriente) R (resistencia) V (tensin)

Tamb + Pot . Rt Tamb

Potencia

Rt

Pot

Tamb.

Ecuacin trmica Ley de Ohm

Diodos
Tj

Equivalente Trmico

Juntura Rjc Carcaza Tc Rca Ambiente Ta Pd

Pdja @ Tamb = 25 C : 25 W Pdjc @ Tcase = 25 C : 70 W Pdja. (Rjc + Rca) + Ta = Tjmax Pdjc . Rjc + Tcase = Tjmax Rjc = (Tjmax Tc) = 1,4 C/W Pdjc Rca = Tjmax Ta Pdja - Rjc = 2,6 C/W

T ambiente

Tjw mxima de Trabajo 0,8 Tjmax T ambiente ? Tropicalizado Ta = 50C Industrializado Ta = 75C Militarizalizado Ta = 85C

Se debe cumplir Tjw > Ta + Pd ( Rjc + Rca) 100 C > 50 C + 4W ( 1,4 + 2,6 C/W) 100 C > 66 C Si no se cumple hay que poner disipador Haciendo Rca//Rd = aprox Rd Rd = Tjw Ta Pd - Rjc

Elijiendo Tjw 100C Ta = 50C Pd = 4W

Disipadores Resistencia Trmica Carcaza-Disipador

Lubrication: Grasa Siliconada

Disipador Plano

Disipadores de Aletas

Disipadores - Reglas de Montaje Posicin Conveccin

Aislacin

Disminucin de Rcarcaza disipador

Grasa Siliconada (baja potencia) Plomo

Torque Roscado Mantenimiento .- Limpieza .- Pulido .- Lubricado .- Ajuste

Diodos Capacidad Termica

Se define como: C trmica = Masa (de la carcaza). Calor Especfico C trmica = W / seg. C Constante de Tiempo de enfriamiento T = Rca . Ct Datos de manual para TO3 Ct : 6,8 W/seg C T : 204 seg Dando un pulso de 1 seg de Pd=150W Ser T = 150Ws / 6,8 Joule C = 22 C (sobre Ta) Para que se enfre a Ta + 3 C ser: 3C = T e- t / 204 Por lo que tardar: t = 366 seg = 6,1 minutos. Con disipador disminuye la capacidad trmica:
Ctotal = Ccarcaza i Cdisip Ccarcaza + Cdisip

Diodos
Tiempo de Recuperacin
1 SW1 2 L1

+
D1

IL
+ C1 Rl

Propsitos Generales Fast Recovery

Difusin Tr > 25 seg Difusin (Au o Pt) Tr > 5 seg V > 400V I > cientos de A Epitaxiales Tr > 50 nseg V < 400V I > cientos de A Tr < 10 nseg V < 60V I > cientos de A

Shotky

Transistores
Transistores en Conmutacin

Caractersticas: Velocidad : media Disipacin en conduccin y corte : baja Corriente de excitacin : alta (bajo Hfe) Tensin conmutable : mediana (1200 V mx.) Corriente conmutable : mediana (500 A mx.)

Transistores
Potencia de Disipacin con carga Resistiva

Transistores
Datos Vcc = 250V Vbesat = 3V Ib = 8A Ic = 100A Td = 0,5 seg Tr = 1 seg Tf = 3 seg Ts = 5 seg F = 10 KHz Duty= 50% Durante Td td 1 td Pdm = Iceo.Vcc.dt = Iceo.Vcc. = Iceo.Vcc.td .F T 0 T Pdm = 3, 75mW Durante Tr Iceo << Ics Ics t Ic(t ) = t Vce(t ) = Vcc + (Vces Vcc) tr tr t t Pr(t ) = Ics. (Vcc + (vces Vcc) ) tr tr
d Pr =0 dt

Durante tn (conduccin)
Pnm = 1 Vces.Ics.dt = Vces.Ics.tn.F = 97W T 0
tn

Durante ts
Psm = 1 Vces.Ics.dt = Vces.Ics.ts.F = 10W T 0
ts

Durante tf Iceo << Ics

Ic(t ) = Ics (1
Psm =

t ) tf

Vce(t ) = Vcc.

t tf

Vcc.Ics .tf .F = 125W 6

to

Durante to
Pom = 1 Iceo.Vcc.dt = Iceo.Vcc.to.F = 0,31W T 0

tr.Vcc tm = 2(Vcc Vces )

Vcc 2 .Ics = 6300W 4(Vcc Vces )

Pr pico(t = tm) =
tr

Potencia Media Total disipada Pm= Pd + Pr + Pn + Ps + Pf + Po Pm=0,003 + 42 + 97 + 10 + 125 + 0,3 = 278W

Pr m =

1 Vcc Vces Vcc Pr(t )dt = F .Ics.tr + = 42W T 0 3 2

Disipacin de Base Emisor Pbe = 13W

Transistores
Transistor con carga Inductiva

Potencia media disipada

Pm = Pmcorte + Pmsat + Pm(t 2t1) + Pm(t 4t 3)

Pm( t 2t1) =

ton . Vcc . Vces L = .Vcc.Vces.F T . 2R 2R2

1 Pmcorte = Vcc.Icex.tcorte.F = Vcc.Icex 2 Vcc Vcc.Vces Pmsat = .Vces.tcond .F = R 2R Durante t2-t1

Vl = L.

dI dt

dt = ton

dI Vcc Vces = dt L Vcc dI = R

Durante t4-t3 dI Vl = Vcex Vcc = L. dt L.Vcc toff = R.(Vcex Vcc)

dI =

Vcc R

dt = toff

Pm( t 4t 3) =

Vcc.L L = Vcc Vces Vcc ton = R.ton R

toff . Vcc . Vcex L . Vcc 2 . Vcex = T . 2R 2 R 2 . (Vcex Vcc)

Transistores
DRIVING
C1 R3 VCC

R1 I1

R2

Q1

Cargas Variables - Baker-

Control de Base Proporcional

R6

VCC
R2

R3 D5 D4
VCC 2 R5 Q2 4

T1 6 C2 7 9 10 D7 D8 Q3

R1 I1

D1

D2

D3

Q1

BC368

_
BC368 D6

R4

MOSFET Mos en Conmutacin

Caractersticas: Velocidad : muy alta Disipacin en conduccin : media, alta (depende de Vd) Corriente de excitacin : bajsima Tensin conmutable : mediana (800 V mx.) Corriente conmutable : baja (100 A mx.)

MOSFET

Pdisip

Tj

Rds on ( 25 C ) i ( 1 +

100

Tj 25 C

i Id

= 0, 7

MOSFET Driving

Cgs = 4 nF ton = 50 nseg Cgs . Vgs = Ig . t Ig = Si lo quiero encender en 10nseg Vgs .Cgs 10V . 4 9 farad = = 1 A (!) t 10 8 seg

Disipacin en Conduccin Transistor: Vces = 2V @ Ic=100A MOSFET: Si Vd = 100V Rds = 0,04

Pd = 200W

Vds = 4v

Pd = 400W

Si Vd = 400V Rds = 0,3

Vds = 30v

Pd = 3000W

MOSFET Driving

IGBT

IGBT Corriente: hasta 400A, Tensin: hasta 1200V. Velocidad: media (20Khz), ms rapido BJT, ms lento que el MOS Disipacin en Conduccin: igual que el BJT Corriente de Driving: igual a la del MOS Ideal para aplicaciones de Potencias medias

SCRs -Tiristores

SCRs:
TIRISTORES TRIACS DIACs GTOs LASCRs MCTs, SITHS

SCRs -Tiristores

AAAA SCR KKKK GGGG

I C1 = 1.I A + I CB 01 I C 2 = 2 .I K + I CB 02 I A = I C1 + I C 2 = 1.I A + I CB 01 + 2 .I K + I CB 02 I K = I A + IG IA =

2 .I G + I CB 01 + I CB 02 1 (1 + 2 )

SCRs -Tiristores Encendido

Ton
Caractersticas: Alta corriente (miles de Ampers) Alta tensin (miles de Volts) I de driving baja (miliampers) Baja disipacin en conduccin (tip 1,4V @ 100A)

Lentos (decenas de microseg.) Apagado no controlable fcilmente Westek Electronics SCR 1800V 1500A

SCRs -Tiristores

Maximun Raiting
VBRM: Ifrms: Ifd: Ifm: Isurge: I2T: dI/dt Igm: Pdm: Tjm: Mxima tensin Pico Inversa (Pico Directa con autodisparo) Mxima Corriente eficaz Mxima Corriente directa Mxima Corriente media Mxima Corriente de pico no repetitiva (8,6 mseg) Mxima Corriente Transitoria ( t < 8,6 mseg) Mxima velocidad de crecimiento de la Corriente Mxima Corriente de Gate Mxima Potencia de Disipacin Mxima temperatura de Juntura

SCRs -Tiristores Proteccin contra dI/dt

L1 1 2 RL Vac

SCR

dI Vpico = dt L

Proteccin contra dV/dt

L1 1 V1 Vac 2

R1

C1

SCR

R2

RL

dV 0, 632. V = dt R.C

Supresin de RFI
R2 C1

dI A = 0,35 dt seg
L1 1 Vac C2 2

SCR
RL

26. Awire . Erms . tr B max B max = flujo de saturacion del nucleo (Gauss ) Ac. Aw = Ac = area sec cional del nucleo (in 2 ) Aw = area de la ven tan a del nucleo (in 2 ) Erms = tension eficaz aplicada (V ) tr = tiempo de crecimiento de la corriente ( segundos ) 11. Erms. tr .106 B max . Ac

N=

N = numero de vueltas

SCRs Uso en AC

Vdo =

. V pico .cos( )

Q1 SCR V1 1Vac 0Vdc

Q3 SCR

Q2 SCR

Q4 SCR

MOTOR +

SCRs Semi Controlado

V1 1Vac +

D2 Q2 SCR DIODE 1

Vdo =

2 2

. Vrms . (1 + cos( ))

Uso de DC

MG2 MOTOR R1

V2 Vdc Q6 Q5 SCR SCR C1 2

MOTOR

Q1 SCR

DIODE

D1

g V tttt
5 g V 6 g V 5 g V 6 g V

m I tttt

SCRs - Triac -

2 T

2 T
SCR SCR

GGGG

GGGG 1 T

TRIAC

1 T

GTOs - MCT GTO

I Gton = 10 mA ton = 1.5 seg I Gtoff = toff I AK I a AK 6 3 = 3 seg Vgk negativa Vgk positiva

Itgq = Mxima Corriente Controlable en apagado

MCT (MOS Controlled Thyristor)

Encendido: con Vga negativa Apagado: con Vga positiva

No se dispara por pulsos sino por nivel Velocidad: rpido (ton = 0,4 microseg, toff= 1,5 microseg) Disipacin en conduccin: baja Tensin conmutada: baja (500V) Corriente conmutada: alta (300A) Se controla por tensin (bajo driving)

Dispositivos de Conmutacin - Bibliografa Power Electronics Electrnica de Potencia Thyristor Device Data HexFets Modern Power Devices Power Mosfet Power Electronics Thyristor Phase Controlled Baliga Grant Vithayathil Pelly. Rashid Hart Prentice Hall Prentice Hall Motorola International Rectifiers John Wiley & Sons John Wiley & Sons McGraw-Hill