Analisis Kualitatif Kristal Analisis adalah suatu upaya penguraian satu pengertian ilmiah yang bertujuan untuk menentukan

susunan bahan baik secara kualitatif, kuantitatif, maupun struktur. Analisis kualitatif adalah suatu analisis yang bersifat deskriptif tidak menghitung jumlah. Analisis kualitatif kristal dapat dilakukan dengan analisis XRD (X-Ray Diffraction) dan SEM (Scanning Electron Microscope). A. X-Ray Diffraction (XRD) XRD merupakan metode analisa nondestruktif yang didasarkan pada pengukuran radiasi sinar-X yang terdifraksi oleh bidang kristal ketika terjadi interaksi antara suatu materi dengan radiasi elektromagnetik sinar X. Suatu kristal memiliki kisi kristal tertentu dengan jarak antar bidang kristal (d) spesifik juga sehingga bidang kristal tersebut akan memantulkan radiasi sinar X dengan sudut-sudut tertentu. Difraksi sinar-X merupakan fenomena fisis yang sering digunakan untuk analisis bahan baik berupa serbuk, bulk maupun film tipis. Analisis bahan dengan menggunakan difraksi sinar-X pada umumnya untuk menentukan : Struktur Kristal Parameter kisi Crystallite Size dan Lattice Strain

1. Menentukan Struktur Kristal Struktur Kubik Fenomena difraksi sinar-X terjadi bila memenuhi aturan (hukum Bragg): 2d sin = Dimana d adalah jarak antar bidang pendifraksi yang dapat ditentukan dengan persamaan : Atau

Untuk menentukan Kisi Bravais dari struktur kubik dapat digunakan aturan seleksi dari nilai h2+k2+l2 yaitu : SC : 1,2,3,4,5,6,8,9,10,11,12,13,14,16, BCC : 2,4,6,8,10,12,14,16, FCC : 3,4,8,11,12,16,19,20,24, Rasio dari Contoh: Cara pertama Material Aluminum
1

dikali bilangan pertama dari aturan seleksi harus mendekati bilangan bulat

Puncak 2 1 2 3 38.52 44.76 65.14

Sin2 0.1088 0.1450 0.2898

Sin2/Sin2min 1.000 1.333 2.664

(Sin2/Sin2min )x3 3.000 3.999 7.992

h2+k2+l2 3 4 8

hkl 111 200 220

Cara kedua Dari hubungan

dimana A = Bagi dengan bilangan h2+k2+l2 untuk SC dan dari hasil pembagian tersebut tentukan

bilangan terkecil yang paling sering muncul dan bilangan tersebut adalah nilai dari A. Kemudian tentukan nilai dari sehingga akan diperoleh harga h2+k2+l2 .

Puncak 1 2 3

Sin2

2 2 2 Sin2/2 Sin2/3 Sin2/4 Sin2/5 Sin2/6 Sin2/8 Sin2/A h +k +l

hkl 111 200 220

38.52 0.1088 44.76 0.1450 65.14 0.2898

0.0544 0.0725 0.1449

0.0363 0.0483 0.0966

0.0272 0.0363 0.0725

0.0218 0.0290 0.0580

0.0181 0.0242 0.0483

0.0136 0.0181 0.0363

2.997 3.995 7.983

3 4 8

Struktur heksagonal Untuk struktur heksagonal jarak antar bidang pendifraksi dapat ditentukan dengan persamaan

Dengan mengkombinasikan dengan persamaan Bragg maka dapat diperoleh: Sin2 = A(h2+hk+k2)+Cl2 Dimana A = 2/3a2 dan C = 2/4a2 Nilai (h2+hk+k2) yang mungkin 0,1,3,4,7,9,12,. Nilai l2 yang mungkin 0,1,4,9, Langkah pertama tentukan nilai A dengan menganggap l2 = 0 kemudian tentukan rasio sin2 dengan nilai (h2+hk+k2) yang mungkin.Tentukan nilai rasio yang sering muncul, nilai tersebut adalah harga dari A. Puncak 1 2 2 36.31 38.98 Sin2 0.0970 0.1113 Sin2/3 0.0323 0.0371 Sin2/4 0.0242 0.0279 Sin2/7 Sin2/9 0.0139 0.0159 0.0108 0.0124 100
2

hkl

6 9 A = 0.1113

70.64 83.72

0.3342 0.4453

0.1113 0.1486

0.0846 0.1113

0.0478 0.0637

0.0371 0.0495

110 200

Tentukan nilai dari Cl2= Sin2 - A(h2+hk+k2) dan tetapkan nilai yang sering muncul adalah nilai dari 4C sehingga diperoleh harga dari C Puncak 1 4 7 8 2 36.31 54.32 77.04 82.09 Sin2 0.0970 0.2084 0.3879 0.4312 0.0971 0.2766 0.3199 0.0540 0.0973 Sin2-A Sin2 - 3A hkl 002 102 004 112

4C=0.0970 C=0.0243

16C=0.3879

2. Menentukan Parameter kisi Pengukuran yang presisi dari konstanta kisi a dan jarak antar bidang pendifraksi d bergantung pada keakuratan nilai sin Contoh: Struktur kubik

merupakan nilai sin sebenarnya, sedangkan nilai sin pengamatan memenuhi persamaan : sin2 (pengamatan) sin2 (sebenarnya)= Dsin2 2 sin2 (pengamatan) - (2/4a2)(h2+k2+l2) = Dsin2 2 sin2 (pengamatan) = A + C dimana A = 2/4a2 ; = h2+k2+l2 ; C = D/10 ; = 10 sin2 2 Dengan menggunakan metoda kuadrat terkecil maka : Konstanta minimum =(A + C - sin2(pengamatan))2 Diferensialkan persamaan di atas terhadap A dan C diperoleh persamaan normal:
3

sin2 = A2 + C sin2 = A + C 2 Contoh Material Aluminium No 1 2 3 4 5 6 56,017 56,232 58,291 58,523 68,735 69,107 sin2 0,68758 0,69105 0,72374 0,72735 0,86846 0,87282 19 19 20 20 24 24 8,6 8,5 8,0 7,9 4,6 4,4 2 361 361 400 400 576 576 2674 163,4 161,5 160 158 110,4 105,6 858,9 2 73,96 72,25 64 62,41 21,16 19,36 313,14 sin2 13,06402 13,06497 14,47700 14,47500 20,84280 20,84760 96,77139 sin2 5,91319 5,84486 5,79080 5,71763 3,99487 3,82206 31,08341

Substitusikan nilai-nilai dari tabel tersebut pada persamaan normal, akan diperoleh: 2674A +858,9C = 96,77139 858,9A +313,14C = 31,08341 kedua persamaan tersebut akan memberikan nilai A=0,0361895 C =7,8 x 10-7

a= /2A =0,40491 nm

konstanta drift D= 10C =7,8 x 10-6 menggambarkan 3. Menentukan Grain Size dan Lattice Strain

nilai a yang presisi

Lebar FWHM akan dipengaruhi oleh efek ukuran kristal dan regangan kisi. Kombinasi dari kedua efek tersebut dirumuskan mengikuti profile Gaussian Br2 = B02 Bi2 Bo= FWHM awal sebelum efek instrumen Bi= FWHM efek instrumen

= efek ukuran Kristal = efek regangan kisi Br cos =

Material Alumunium (annealing) Puncak 1 2 3 2 38,52 44,76 65,13 hkl 111 200 220

=0,154056 nm FWHM(0) 0,103 0,066 0,089 Bi(rad) 1,8 x 10-3 1,2 x 10-3 1,6 x 10-3

Alumunium (tanpa annealing) Puncak 1 2 3 2 38,51 44,77 65,15 hkl 111 200 220 sin 0,3298 0,3808 0,5384 Bo(0) 0,187 0,206 0,271 Bo(rad) 3,3x10-3 3,6x10-3 4,7x10-3

=0,154056 nm Br2=Bo2-Bi2 2,8x10-3 3,4x10-3 4,4x10-3 Brcos 2,6x10-3 3,1x10-3 3,7x10-3

Plot grafik Brcos terhadap sin

Regangan kisi = 4,93x 10-3 Grain size = L = 0,154056/1,08 x 10-3= 142,6 nm

B. Scanning Electron Microscope (SEM) Scanning Electron Microscope (SEM) adalah sebuah mikroskop elektron yang didesain untuk menyelidiki permukaan dari objek solid secara langsung.Scanning Electron Microscopy. (SEM) dapat digunakan untuk mengetahui morfologi permukaan bahan. Karakterisasi bahan menggunakan SEM dimanfaatkan untuk melihat struktur topografi permukaan, ukuran butiran, cacat struktural, dan komposisi pencemaran suatu bahan. Hasil yang diperoleh dari karakterisasi ini dapat dilihat secara
6

langsung pada hasil SEM berupa Scanning Electron Microscope yang menyajikan bentuk tiga dimensi berupa gambar atau foto. Mikroskop ini digunakan untuk mempelajari struktur permukaan obyek, yang secara umum diperbesar antara 1.000-40.000 kali, depth of field 4 0.4 mm dan resolusi sebesar 1 10 nm. Kombinasi dari perbesaran yang tinggi, depth of field yang besar, resolusi yang baik, kemampuan untuk mengetahui komposisi dan informasi kristalografi membuat SEM banyak digunakan untuk keperluan penelitian dan industri. Hasil SEM yang berupa gambar topografi menyajikan bentuk permukaan bahan dengan berbagai lekukan dan tonjolan. Adapun fungsi utama dari SEM antara lain dapat digunakan untuk mengetahui informasi-informasi mengenai: Topografi, yaitu ciri-ciri permukaan dan teksturnya (kekerasan, sifat memantulkan cahaya, dan sebagainya). Morfologi, yaitu bentuk dan ukuran dari partikel penyusun objek (kekuatan, cacat pada Integrated Circuit (IC) dan chip, dan sebagainya). Komposisi, yaitu data kuantitatif unsur dan senyawa yang terkandung di dalam objek (titik lebur, kereaktifan, kekerasan, dan sebagainya). Informasi kristalografi, yaitu informasi mengenai bagaimana susunan dari butir-butir di dalam objek yang diamati (konduktifitas, sifat elektrik, kekuatan, dan sebagainya). Prinsip kerja SEM yaitu bermula dari electron beam yang dihasilkan oleh sebuah filamen pada electron gun. Pada umumnya electron gun yang digunakan adalah tungsten hairpin gundengan filamen berupa lilitan tungsten yang berfungsi sebagai katoda. Tegangan diberikan kepada lilitan yang mengakibatkan terjadinya pemanasan. Anoda kemudian akan membentuk gaya yang dapat menarik elektron melaju menuju ke anoda.

Gambar 1. Electron gun Kemudian electron beam difokuskan ke suatu titik pada permukaan sampel dengan menggunakan dua buah condenser lens. Condenser lens kedua (atau biasa disebut dengan lensa objektif) memfokuskan beam dengan diameter yang sangat kecil, yaitu sekitar 10-20 nm. Hamburan elektron, baik Secondary Electron (SE) atau Back Scattered Electron (BSE) dari permukaan sampel akan dideteksi oleh detektor dan dimunculkan dalam bentuk gambar pada layar CRT. SEM memiliki beberapa detektor yang berfungsi untuk menangkap hamburan elektron dan memberikan informasi yang berbeda-beda. Detektor-detektor tersebut antara lain: Detektor EDX, yang berfungsi untuk menangkap informasi mengenai komposisi sampel pada skala mikro. Backscatter detector, yang berfungsi untuk menangkap informasi mengenai nomor atom dan topografi. Secondary detector, yang berfungsi untuk menangkap informasi mengenai topografi.

Pada SEM, terdapat sistem vakum pada electron-optical column dan sample chamber yang bertujuan antara lain: Menghilangkan efek pergerakan elektron yang tidak beraturan karena adanya molekul gas pada lingkungan tersebut, yang dapat mengakibatkan penurunan intensitas dan stabilitas. Meminimalisasi gas yang dapat bereaksi dengan sampel atau mengendap pada sampel, baik gas yang berasal dari sampel atau pun mikroskop. Karena apabila hal tersebut terjadi, maka akan menurunkan kontras dan membuat gelap detail pada gambar. Semua sumber elektron membutuhkan lingkungan yang vakum untuk beroperasi.

DAFTAR PUSTAKA
Prasetyo, Yudi. 2011. Scanning Electron Microscope (SEM) dan Optical Emission Spectroscope. [online] http://yudiprasetyo53.wordpress.com/2011/11/07/scanning-electron-microscope-sem-dan-opticalemission-spectroscope-oes/ (diakses tanggal 16 Desember 2013) Rusdiana, Dadi. 2009. Difraksi Sinar X. Rusdiana, Dadi. 2009. Karakterisasi.