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Preguntas
DIODO IDEAL
1. describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal cuando
se aplica aun dispositivo o sistema.
MATERIAL SEMICONDUCTOR
4. con sus propias palabras, defina los términos semiconductor, resistividad,
resistencia de volumen y resistencia de contacto óhmico.
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Resistencia de volumen:
Resistencia óhmica:
4. (a) utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio
con un área de 1 cm2 y una longitud de 3 cm.
ρ=50X1000Ώ.cm
R=ρlA=50X1000Ώ.cm(3cm/1cm2)=150KΏ
(d) Repita el inciso (a) para el caso del cobre y compare los resultados.
R=ρlA=0.000001.cm(3cm/1cm2)=3μΏ
6. dibuje la estructura atómica del cobre y discuta por que se trata de un buen
conductor y de que forma su estructura es diferente a la del germanio y silicio.
El Cobre (valencia 1), que es un buen conductor. Su estructura atómica la vemos en la
siguiente figura.
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Como el electrón de valencia es atraído muy débilmente por la parte interna, una fuerza
externa puede liberarlo fácilmente, por eso es un buen Conductor. Nos referiremos a ese
electrón de valencia, como electrón libre.
Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrón en la órbita de
valencia (valencia 1).
7. con sus propias palabras, defina el material intrínseco, un coeficiente de
temperatura negativo y un enlace covalente.
Material intrínseco: un semiconductor intrínseco es aquel que ha sido refinado para ser
tan pura como físicamente posible. Uno con el menor número posible de impurezas.
Materiales de coeficiente de temperatura negativo: con coeficientes de temperatura
negativos disminuir los niveles de resistencia a medida que aumenta la temperatura.
El enlace covalente: el enlace covalente es el intercambio de electrones entre los
átomos vecinos a partir de completar capas exteriores y una estructura de celosía más
estable.
8. consulte su biblioteca y localice tres materiales que posean coeficientes de
temperatura negativa y tres con coeficientes de temperatura positivos.
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12. dibuje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como
se demostró en el caso del silicio de la figura 1.9.
Como el arsénico es de valencia 5 deja liberado un electrón así como se nota en el
grafico. así con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo),
el 5º electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en
la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será libre
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. ______|______
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. | COLECTOR N | |
. |_____________| > Metal conductivo brillante
. | | |
. | BASE P |-- /
. |_____________|
. _____________ <-- "capa de agotamiento" cristalina
. | | \
. | EMITTER N | > Metal conductivo brillante
. |_____________| /
. |
. |
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