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Dispositivos electrónicos

Preguntas
DIODO IDEAL
1. describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal cuando
se aplica aun dispositivo o sistema.

Un dispositivo o sistema ideal es el que tiene las características que preferiría


que cuando se utiliza un dispositivo o sistema en una aplicación práctica.
Normalmente, sin embargo, la tecnología sólo permite una réplica cerca de las
cultivos característicos deseado. Las características ideales de excelente base
para la comparación con las características del dispositivo real que permite una
estimación de lo bien que el dispositivo o sistema puede suponer para obtener
una buena estimación de la respuesta global del diseño. Al asumir un dispositivo
ideal o el sistema no hay ninguna consideración para el componente o
tolerancias de fabricación o cualquier variación de un dispositivo a otro de un
lote específico.

2. describa con sus propias palabras las características de un diodo ideal y


como se determinan los estados de “encendido” y “apagado” del dispositivo.
Es decir, describa por que son adecuados los equivalentes de circuito
cerrado y de circuito abierto.

3. ¿Cuál es la principal diferencia entre las características de un interruptor


sencillo y aquellas del diodo ideal?

La diferencia más importante entre las características de un diodo y el


interruptor simple es que el interruptor, sea mecánico, es capaz de conducir la
corriente en cualquier dirección, mientras que el diodo sólo permite que la carga
de flujo de pensamiento el elemento en una sola dirección (concretamente, la
dirección definida por el flecha del símbolo con el flujo de corriente
convencional)

MATERIAL SEMICONDUCTOR
4. con sus propias palabras, defina los términos semiconductor, resistividad,
resistencia de volumen y resistencia de contacto óhmico.

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Semiconductor: Un semiconductor es una sustancia que se comporta como


conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en
el que se encuentre.

Resistividad: Se le llama resistividad al grado de dificultad que encuentran


los electrones en sus desplazamientos.

Resistencia de volumen:
Resistencia óhmica:
4. (a) utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio
con un área de 1 cm2 y una longitud de 3 cm.
ρ=50X1000Ώ.cm

R=ρlA=50X1000Ώ.cm(3cm/1cm2)=150KΏ

(b) Repita el inciso (a) si ahora la longitud es de 1cm y el área de 4cm2.


R=ρlA=50X1000Ώ.cm(1cm/4cm2)=12.5KΏ

(c) Repita el inciso (a) si ahora la longitud es de 8cm y el área de 0.5cm2.


R=ρlA=50X1000Ώ.cm(8cm/0.5cm2)= 800KΏ

(d) Repita el inciso (a) para el caso del cobre y compare los resultados.
R=ρlA=0.000001.cm(3cm/1cm2)=3μΏ

6. dibuje la estructura atómica del cobre y discuta por que se trata de un buen
conductor y de que forma su estructura es diferente a la del germanio y silicio.
El Cobre (valencia 1), que es un buen conductor. Su estructura atómica la vemos en la
siguiente figura.

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Como el electrón de valencia es atraído muy débilmente por la parte interna, una fuerza
externa puede liberarlo fácilmente, por eso es un buen Conductor. Nos referiremos a ese
electrón de valencia, como electrón libre.
Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrón en la órbita de
valencia (valencia 1).
7. con sus propias palabras, defina el material intrínseco, un coeficiente de
temperatura negativo y un enlace covalente.
Material intrínseco: un semiconductor intrínseco es aquel que ha sido refinado para ser
tan pura como físicamente posible. Uno con el menor número posible de impurezas.
Materiales de coeficiente de temperatura negativo: con coeficientes de temperatura
negativos disminuir los niveles de resistencia a medida que aumenta la temperatura.
El enlace covalente: el enlace covalente es el intercambio de electrones entre los
átomos vecinos a partir de completar capas exteriores y una estructura de celosía más
estable.
8. consulte su biblioteca y localice tres materiales que posean coeficientes de
temperatura negativa y tres con coeficientes de temperatura positivos.

resistividad relativa Coef. Temperatura


metal (Cu = 1) a (20° C)
Aluminio 1.63 + 0.004
Cobre 1.00 + 0.0039
Constantan 28.45 ± 0.0000022
Karma 77.10 ± 0.0000002
Manganina 26.20 ± 0.0000002

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Cromo-Níquel 65.00 ± 0.0004


Plata 0.94 + 0.0038

MATERIALES EXTRINSICOS TIPO n Y TIPO p


9. describa las diferencias entre los materiales semiconductores tipo n y tipo p.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado
añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder
aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o
electrones).

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones


portadores en el material

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,


añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar
el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

10. describa las diferencias entre las impurezas donoras y aceptoras.


Un átomo de donantes tiene cinco electrones en su valencia ultra periféricas de Shell,
mientras que un átomo receptor sólo tiene 3 electrones en la capa de valencia.
11. describa las diferencias entre portadores mayoritarios y minoritarios.
En los semiconductores, los electrones y los huecos actúan como los
portadores de carga. Los más abundantes son llamados portadores
mayoritarios. En los semiconductores tipo N son los electrones, y en los
semiconductores tipo P son los huecos. Los portadores de carga menos
abundantes son llamados portadores minoritarios; en semiconductores tipo
N son los huecos y en los semiconductores tipo P son los electrones.

12. dibuje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como
se demostró en el caso del silicio de la figura 1.9.
Como el arsénico es de valencia 5 deja liberado un electrón así como se nota en el
grafico. así con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo),
el 5º electrón se hace electrón libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en
la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será libre

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13. repita el problema 12 pero ahora inserte una impureza de indio.


Para el indio (ln) su valencia es 3 tienen un electrón de menos, entonces como nos falta
un electrón tenemos un hueco. Esto es, ese átomo trivalente tiene 7 electrones en la
orbita de valencia. Al átomo de valencia 3 se le llama "átomo trivalente" o "Aceptor".

14. consulte su biblioteca y encuentre otra explicación para el flujo de huecos


versus el de electrones empleando ambas descripciones, escriba con sus propias
palabras el proceso de conducción de huecos.

|
. ______|______
. | | \

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. | COLECTOR N | |
. |_____________| > Metal conductivo brillante
. | | |
. | BASE P |-- /
. |_____________|
. _____________ <-- "capa de agotamiento" cristalina
. | | \
. | EMITTER N | > Metal conductivo brillante
. |_____________| /
. |
. |

Si un voltaje (+) se aplica al tipo P por el cable de Base, mientras un voltaje


(-) se aplica al tipo N por el cable del Emisor, los electrones en el tipo N son
empujados hacia los huecos en el tipo P. La capa de aislamiento se vuelve
tan fina que las nubes de electrones y huecos empiezan a verse y
combinarse. Una corriente existe entonces en el circuito Base-Colector. Pero
esta corriente no es importante para la acción del transistor. Lo que es
importante notar es que es el *VOLTAJE* a través de Base-Emisor lo que
causa el adelgazamiento de la capa de agotamiento hasta que las cargas
pueden fluir a través de ella. Esto es como si fuera que el transistor
contiene una capa de cristal cuyo espesor puede variar al alterar el voltaje.
La capa se vuelve mas fina cuando el voltaje es aumentado. Esto sucede
porque el voltaje empuja a los electrones y huecos unos contra otros,
reduciendo el tamaño de la región aislante entre las nubes de huecos y
electrones, permitiendo el paso de algunos. La capa de agotamiento es un
interruptor controlado por voltaje, que cierra el circuito cuando la correcta
polaridad es aplicada.

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