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ELECTRNICA

Asignatura Clave:FIM015 Numero de Crditos: 8 Tericos:4 Prcticos: 4

INSTRUCCIONES PARA OPERACIN ACADMICA:


El Sumario representa un reto, los Contenidos son los ejes temticos, los Activos una orientacin inicial para resolverlos y la sntesis concluyente, como posibilidad de integracin conceptual corresponder a lo factible de un punto de vista temtico amplio. La visin global de los asuntos resueltos como Titular Acadmico, te ofrecer oportunidades de discusin que se enriquecern en la medida que intensificas las lecturas, asistes a tu comunidad de estudio, te sirves de los asesores y analizas la ciberinformacin disponible posicionndote de los escenarios informativos adecuados. Los perodos de evaluacin son herramientas de aprendizaje. Mantn informado al Tutor de tus avances acadmicos y estado de nimo. Selecciona tus horarios de asesora. Se recomienda al Titular Acadmico (estudiante) que al iniciar su actividad de dilucidacin, lea cuidadosamente todo el texto guin de la asignatura.

COMPETENCIA: Entender los principios de operacin de los dispositivos electrnicos semiconductores mas comunes tales como el diodo, el transistor bipolar y el transistor de efecto de campo. Analizar los circuitos de aplicacin ms usuales de los dispositivos antes mencionados. Introducir los principios de diseo elementales en lo referente a fuentes de poder y circuitos amplificadores. Aplicar un paquete computacional parea anlisis y diseo de circuitos con elementos semiconductores. SUMARIO: Presentar al titular acadmico los principios de operacin de las componentes electrnicas mas usuales, as como algunos circuitos de aplicacin elementales, en los cuales se observara y analizara el funcionamiento integral de dichos componentes apoyndose con algn paquete computacional.

ELECTRNICA CONTENIDOS:
Unidad I Unidad II Introduccin a la electrnica. Materiales semiconductores.

Unidad III Unidad IV Unidad V Unidad VI Unidad VII

Diodos semiconductores. Aplicaciones del diodo. Fuentes de poder. Transistores bipolares. Otros dispositivos bipolares.

UNIDAD I Introduccin a la electrnica


I.1.-Generalidades de electrnica.

UNIDAD II Materiales semiconductores


II.2.- Conductores. II.3.- Semiconductores. II.4.- Cristales de silicio. II.5.- Semiconductores intrnsecos y extrnsecos. II.6.- Impurificacin de un semiconductor. II.7.- Unin de iones positivos y negativos.

UNIDAD III Diodos semiconductores


III.8.- Smbolo y curva caracterstica del diodo. III.9.- Zona directa e inversa de conduccin del diodo. III.10.- Caractersticas elctricas del diodo rectificador.

UNIDAD IV Aplicaciones del diodo


IV.11.- Caractersticas de los transformadores. IV.12.- El diodo como rectificador de media onda. IV.13.- El diodo como rectificador de onda completa. IV.14.- El puente rectificador. IV.15.- Limitadores de ondas. IV.16.- Cambiadores de nivel. IV.17.- Multiplicadores de voltaje.

UNIDAD V Fuentes de poder


V.18.- Fuentes de voltaje no regulada.

V.19.- Fuentes de voltaje regulada.

UNIDAD VI Transistores bipolares


VI.20.- Caractersticas fsicas y elctricas de los transistores BJT. VI.21.- Diferentes formas de polarizar un transistor. VI.22.- Amplificadores con transistores BJT.

UNIDAD VII Otros dispositivos semiconductores


VII.23.- Transistores JFET. VII.24.- Otros transistores.

ESCENARIOS INFORMATIVOS:
Asesores locales Asesores externos Disposicin en internet Puntualidad en intranet Fuentes directas e indirectas Bibliografa

BIBLIOGRAFA:
A. P. Malvino 1989 Electronic Principles McGraw Hill, Cuarta edicin, 1989. A.S. Sedra, K.C. Smith 1991 Microelectronic Circuits Saunders College Publishing, Tercera edicin C.J. Savant, M.S. Roden & G. Carpenter 1991 Electronic Design, Circuits & Systems Benjamn/Cummings Publishing Company, Segunda edicin D. L. Schilling & Ch. Belove 1989 Electronic Circuits, Discrete & Integrated McGraw Hill, Tercera edicin J. Millman & A. Grabel 1988 Microelectronics McGraw Hill, Segunda edicin

N. R. Malik 1995 Electronic Circuits, Analyisis, Simulation And Design Prentice Hall, 1995. P. M. Chirlian 1987 Analysis and Design of Integrated Electronic Circuits Harper & Row Publishers Inc., Segunda edicin, 1987. R. Boylestad & L. Nashelsky 1994 Electrnica: Teora de Circuitos Prentice-Hall, Quinta edicin R. Boylestad & L. Nashelsky 1992 Electronic Devices And Circuit Theory Prentice-Hall, Quinta edicin. W. H. Hayt & G. W. Neudeck 1984 Electronic Circuit Analysis and Design Houghton Mifflin Company, Segunda edicin, 1984.

Paginas WEB:
http://fent.org/lecciones/lecciones.htm http://www.electroguia.com.ar/electronica/

ELECTRNICA PRINCIPIA TEMTICA:


I.1.Para poder hacer que un circuito electrnico realice una funcin determinada se debe contar primeramente con ciertos dispositivos, los cuales son considerados como esenciales o mnimos para poder lograr nuestro objetivo. Para empezar se debe contar con una fuente de energa elctrica , ya sea de voltaje o de corriente as como tambin con algn tipo de dispositivo resistivo que consuma dicha corriente o voltaje. La fuente de tensin o voltaje es un dispositivo que al alimentar un circuito electrnico, este gozar de una tensin y una corriente que le permita funcionar de la manera esperada, siempre y cuando la fuente de tensin no sea exigida por encima de su capacidad, (fuente real de voltaje) ejemplos comunes de fuentes de tensin son los acumuladores de los automviles y la energa elctrica que utilizamos en nuestras casas. Las fuentes de corriente son aquellos dispositivos que producen una corriente en su salida que no depende del valor de la resistencia que produzca la carga que ser alimentada es decir, cuenta con una resistencia interna demasiado grande como para que el efecto de la carga alimentada no produzca algn cambio significativo en la corriente del circuito en cuestin algunos tipos son acumuladores con resistencias internas muy grandes. Las cargas resistivas son aquellas que para poder producir algn trabajo o realizar alguna funcin especifica, requiere de ser alimentada con cierta tensin o voltaje la cual le permitir reaccionar dependiendo del tipo de carga que se este utilizando, las cargas de este tipo mas comunes son los motores elctricos, resistencias trmicas (planchas, focos, regaderas elctricas etc.). Las cargas capacitivas son aquellas que requieren de una tensin o voltaje al igual que las resistivas solo que estas no consumen la corriente disipndola de alguna forma solo almacenan voltaje al dejar pasar la corriente a travs de ellos y requieren de ir acompaados de una carga resistiva para alimentarlos en cierto momento con el voltaje que hallan almacenado, los mas comunes son los capacitores de todos tipos.

El Teorema de Thevenin nos permite reducir un circuito resistivo complejo y convertirlo en uno mucho mas simple.

El teorema de Norton es una modificacin del teorema de Thevenin el cual nos dice que un circuito Thevenin puede ser sustituido por un circuito equivalente (modificaciones en la conexin pero con los mismos valores de voltaje y resistencia). II.2.- Existen materiales que cuentan con la caracterstica de permitir el paso de la corriente elctrica a travs de ellos los cuales son conocidos como conductores elctricos entre estos se encuentran ubicados algunos elementos de la naturaleza como el oro la plata el cobre etc. Y esto es debido a que cuentan con ciertas caractersticas atmicas que se lo permite como son los tomos con un electrn de valencia en su ltimo nivel de energa. II.3.- As como los conductores tienen un solo electrn de valencia los semiconductores tienen cuatro lo que los distingue de los conductores y de los aislantes que tienen 8. II.4.- Cristales de silicio.- El material semiconductor mas usado es el silicio y es debido a la cantidad de electrones que tiene en su ultima orbita que son cuatro pero si se combina con otros tomos de tal suerte que logre formar un slido, en este momento se dice que se formo un cristal con la ayuda de este enlace covalente gracias a que se comparten los electrones del ultimo nivel de energa. II.5.- Semiconductores intrnsecos y extrnsecos.- Un semiconductor intrnseco es aquel que se encuentra con un grado de pureza muy alto (puro) los cristales de silicio (grupo de tomos enlazados entre si) son semiconductores intrnsecos si al cristal lo forman solo tomos de silicio; en cambio los semiconductores son aquellos a los cuales se les agregan elementos que tengan 5 electrones en su ultima orbita para que formen un enlace covalente con los tomos de silicio y esto produzca que se genere un electrn libre con lo cual se controla el nivel de conduccin de los materiales semiconductores. II.6.- Impurificacin de un semiconductor.- Para lograr impurificar a un semiconductor hblese del silicio, el primer paso consiste en fundir los cristales de silicio puros para cambiarlo de estado slido a liquido y romper los enlaces covalentes posteriormente se agregan tomos con 5 electrones de valencia, estos tomos donaran un electrn extra al cristal de silicio lo cual los convierte en impurezas donadoras.

II.7.- Unin de iones positivos y negativos.

III.8.- Smbolo y curva caracterstica del diodo. Los diodos que aqu se manejan son conocidos como rectificadores cuya curva caracterstica de funcionamiento es la siguiente:
Ip (mA) voltaje de ruptura 0.7 volts para que conduzca Vd (volts)

Y cuyo smbolo representativo es


+ Vd -

El cual nos muestra la manera de dolarizacin. III.9.- Caractersticas elctricas del diodo rectificador. Los diodos tienen dos formas de ser conectados una de ellas es la conexin de polarizacin en directa y la otra es la de polarizacin en inversa las cuales se realizan colocando las terminales del diodo de la forma indicada para que este trabaje como un switch cerrado o abierto. III.10.- Zona directa e inversa de conduccin del diodo. Estas zonas dependen del tipo de polarizacin que le sea aplicada al diodo ya sea polarizacin directa o inversa lo cual nos proporcionara dos caractersticas una que es la de conduccin (como si fuera un simple switch cerrado) y la otra que es la de ininterrupcin (como si fuera un switch abierto) y estas zonas estn delimitadas por unos valores de voltaje que al serles aplicados al diodo este permitir el paso de la corriente o no, pero con la caracterstica de que para conducir requiere que rebase un cierto nivel de voltaje mnimo requerido para que se active la condicin de conduccin. III.11.- Caractersticas del diodo ideal. Al aplicrsele cierto valor de voltaje en la polarizacin de directa a los diodos se espera que inmediatamente conduzcan (permitan el paso de) corriente y que aun con un valor pequesimo de voltaje se logre que esto suceda. La grafica de estos diodos es la siguiente.

Ip (mA) voltaje de ruptura

0.7 volts para que conduzca Vd (volts)

Vd

IV.12.- Caractersticas de los transformadores.- Un transformador es un dispositivo diseado para realizar alguna de las tres siguientes funciones: a).- Elevar o reducir el voltaje o la corriente, b).- Actuar como un dispositivo acoplador de impedancia, c).- Aislar una parte de una red de otra. De entrada por lo general es un transformador reductor, en los cuales se presenta la caracterstica de que el voltaje disminuye mientras la corriente se va incrementando. Si hablramos de un transformador sin prdidas (ideal) se puede concluir que esta relacin se conserva al comparar la potencia de entrada con la de salida las cuales deben ser iguales; el diagrama elctrico de un transformador es el siguiente:

Fig. 1.- Diagrama elctrico de un transformador conectado a una fuente de tensin alterna y una carga que alimentar (RL).

IV.13.- El diodo como rectificador de media onda:

Fig. 2.- Rectificador de media onda.

Este es el circuito mas comn con el cual se convertir corriente alterna en corriente continua en esto tienen que ver muchas caractersticas como el numero de vueltas que tiene el devanado primario y el secundario lo cual se representa con los smbolos N1 y N2, y los smbolos Vp1 y Vp2 lo cual nos indica el voltaje de pico a pico (ya que se esta utilizando corriente alterna). Existe una relacin valida entre el nmero de vueltas y voltaje que se tiene en la salida del transformador dependiendo del voltaje de entrada y del nmero de vueltas que se tienen a la salida, esta relacin es: Vp2 / Vp1 = N2 / N1 Tambin se aclara la situacin que se presenta cuando un transformador

tiene puntos como los que se ven en el diagrama de rectificacin de media onda, esto nos dice que la polaridad del transformador de entrada ser igual en cualesquier momento a la polaridad del transformador de salida en las terminales correspondientes. IV.14.-El diodo como rectificador de onda completa. Este tipo de rectificador se encarga de convertir los ciclos (positivo y negativo) de una fuente de corriente alterna en ciclos positivos solamente lo cual nos permite dar el primer paso de la conversin de voltaje de corriente alterna en voltaje de corriente directa, esto se logra con la ayuda de la colocacin estratgica de dos diodos rectificadores a la salida de el bobinado secundario de un transformador con derivacin central como se ve en la figura:

Fig. 3.- Rectificador de onda completa con transformador de

derivacin central.

Debido a que se cuenta con devanado central, este circuito es similar a dos rectificadores de media onda; al momento de pasar un ciclo completo de corriente alterna por este rectificador da como resultado una salida de voltaje como la que se observa a continuacin.
VL t

A este tipo de onda se le llama de onda completa. Lo cual es similar a intercambiar un semiciclo negativo de un ciclo de onda completa alterna por un positivo. IV.15.-El puente rectificador.- Este dispositivo se compone de 4 diodos rectificadores, 2 ms que el rectificador de onda completa lo cual ayuda a eliminar la necesidad de una conexin intermedia en el transformador, haciendo que el voltaje en la carga a alimentar sea el doble del que proporcionara el rectificador de onda completa, este sistema se realiza de la siguiente manera.

Fig. 4.- Rectificador de onda completa con puente de diodos.

IV.16.- Limitadores de ondas.- Tambin conocidos como recortadores, es un circuito que elimina las partes positivas o negativas de la seal dejando pasar solamente un semiciclo y parte del otro (solo 0.7 volts ) segn sea el caso, para empezar si observamos el circuito siguiente veremos que:

Fig. 5.- Circuito recortador de seal.

Fig. 6.- Seal de entrada (Vin) y de salida (Vout) del recortador de seal.

Su funcionamiento consiste en lo siguiente: en el semiciclo positivo de la seal de entrada, el diodo conduce, lo cual provoca que fluya toda la corriente hacia tierra, generando una seal de salida Vout igual a cero en este semiciclo; cuando ocurre el semiciclo negativo, este polariza al diodo de manera inversa, ocasionando que este no conduzca, logrando con ello que todo el voltaje de entrada pase a la salida del circuito Vout, que es la seal de salida que se observa en el osciloscopio virtual. IV.17.- Cambiadores de nivel.- Este dispositivo no es ms que una red que puede fijar una seal a un nivel diferente de voltaje de cd. Los elementos con que debe contar una red de este tipo son un elemento resistivo, un capacitor y un diodo rectificador aunque en algunos casos tambin se vern con fuentes de voltaje de cd, el circuito siguiente nos muestra como se conectan estos dispositivos.

Fig. 7.- Circuito cambiador de nivel.

Fig. 8.- Seales Vin y Vout del circuito cambiador de nivel.

En un ciclo completo de este circuito notaremos que monta a la seal de AC en un punto que le permite sumar el valor de pico (de un semiciclo) ya sea positivo o negativo dado por la fuente de AC al valor de voltaje que ser almacenado por el capacitor permitiendo con ello que el nivel de pico a pico de la seal sea desplazado completamente hacia arriba o hacia abajo del valor de cero, si la direccin del diodo se volteara (apuntara hacia abajo) la salida seria como la mostrada en la segunda figura.

IV.18.- Los circuitos multiplicadores de voltaje se utilizan para mantener el voltaje de pico de un transformador relativamente bajo, ya que elevan el voltaje de salida pico a dos, tres, cuatro o ms veces el voltaje pico rectificado.

Fig. 9.- Doblador de voltaje.

IV.19.- Otros diodos (diodo zener, Shottcky, el varicap). Los diodos son dispositivos que no siempre cumplen solamente la funcin mas comn

para la que fueron creados, rectificar seales sino que tambin existen otros tipos de ellos como los diodos zener los cuales comnmente se utilizan en su zona de polarizacin inversa (de ruptura ) funcionan como reguladores de voltaje ajustado al valor para el que ha sido ajustado, los diodos de avalancha como tambin se les conoce a los diodos zener mantienen un valor constante de voltaje en paralelo al dispositivo sin importar las variaciones de la tensin de red ni los valores de las resistencias de carga, su smbolo, curva caracterstica y un circuito ejemplo se presentan a continuacin.
I -Vz V

Smbolos para el diodo

Una caracterstica del diodo zener es que siempre se vera polarizado en forma inversa para que funcione como regulador de tensin en sus terminales sin importar las variaciones de tensin y corriente existentes. El diodo Shottcky. Son diodos que tienen la caracterstica de no contar con una zona de deplexin es decir no existen las cargas almacenadas en la unin, lo cual repercute en que sea un diodo que conmuta (cambia) de su estado de conduccin a su estado de no conduccin de forma muy eficiente aun para frecuencias muy elevadas (arriba de 10 Mhz) su aplicacin mas comn es en las computadoras digitales.

V.20.- Fuente de voltaje no regulada.- Estos tipos de reguladores de voltaje cuentan con la caracterstica de que a la salida su voltaje rectificado se encuentra con una cierta cantidad de rizo (variaciones en la seal de pico) debido a que precisamente no han sido regularizados (no se hacen pasar por dispositivos reguladores constantes). Un diagrama que caracterice a estos tipos de fuentes es la siguiente:

Fig. 10.- Fuente de cd no regulada.

Fig. 11.- Seales de entrada y salida en la fuente de cd no regulada

En la cual se nota la diferencia de la seal de entrada a la seal de salida ya que la primera muestra a una seal senoidal mientras que la salida nos muestra una seal que casi llega a ser una seal de voltaje directo, solo con una pequea variacin en las crestas (lo cual nos indica que no ha sido regulada esta seal).

V.21.- Fuente de voltaje regulada

2Vp

Seal de entrada (Vin) Seal de salida (Vout) Fig 12.- Fuente regulada de cd y respectivas seales Vin-Vout.

En el diagrama elctrico anterior se observa que existe un cambio drstico en la seal de entrada con respecto a la seal de salida, ya que la seal de entrada es de voltaje alterno, mientras que la seal de salida es voltaje directo, si se observa con atencin podr ver que esta seal se presenta con una lnea recta lo cual nos dice que primero fue rectificada y despus tuvo que ser regulada (se hizo pasar por un dispositivo regulador) para lograrlo. Como se puede ver en el sistema de rectificacin se observa un puente rectificador de 4 diodos lo cual tambin puede ser suplido por un rectificador de onda completa con 2 diodos o con cualesquier otro sistema de rectificacin conocido. VI.22.-Caractersticas fsicas y elctricas de los transistores BJT. Un transistor es un dispositivo de tres terminales que se utiliza principalmente para amplificar (su valor) la porcin de la seal aplicada que varia con el tiempo. Los transistores se componen de tres capas alternadas de material semiconductor los cuales pueden ser dos capas de material positivo y una capa de material negativo o, viceversa, estas zonas son conocidas como emisor base y colector, las cuales tienen sus caractersticas propias y adems de estar situadas en posiciones tales que se puede decir que un transistor es la unin de dos diodos contrapuestos (formados por las uniones colector base y base emisor). Los diodos que conforman al transistor tienen varias formas de ser polarizados lo cual les vale para que se les conozca al tipo de conexin como: emisor comn, base comn y colector comn. El smbolo elctrico de un transistor BJT es el siguiente:
C (colector) B (base) E (emisor) Fig. 13.- Smbolo de un transistor BJT-NPN.

VI.23.-Diferentes formas de polarizar un transistor. Existen tres formas de polarizar a un transistor, cada una de ellas nos muestra caractersticas distintas de funcionamiento de los transistores dependiendo del tipo de conexin en la que se encuentre, la primera de las conexiones que se vera es la de emisor comn (fuente de corriente).

Fig. 14.- Configuracin emisor comn para transistores BJT.

Polarizacin directa del diodo base emisor y conexin inversa del diodo base colector. En este tipo de conexin se observa que la corriente de base controla a la corriente de colector y la suma de estas dos corrientes es igual a la corriente de la suma de emisor, como se puede ver en el diagrama elctrico se encuentran conectadas dos fuentes de voltaje las cuales polarizan a los dos diodos que conforman al transistor, de forma que las terminales negativas se interconectan entre si y se aplican al emisor, mientras que las terminales positivas una se conecta a la base y la otra al colector lo cual nos permite observar las caractersticas que distinguen a este tipo de conexin de las dems. Los transistores tienen tres regiones (valores de voltaje y corriente ) de funcionamiento las cuales definen su estado de actividad ya sea de funcionamiento optimo (zona activa), no funcionamiento (zona de saturacin) y su degradacin o posible destruccin (zona de ruptura) estas zonas o regiones de funcionamiento para los transistores son las que debemos conocer muy bien y por consiguiente dominarlas para poderlas realizar y lograr con ello y adecuado manejo de los circuitos con transistores (todos los dispositivos de electrnica conocidos).

La conexin base comn (conmutador o fuente de voltaje). Polarizacin directa del diodo base emisor y polarizacin inversa del diodo base emisor, en el diagrama se observa como se logra que los electrones emitidos por el emisor son compartidos por el colector y la base y como la base se encuentra poco dopada (es muy pequea y por consiguiente tiene pocos huecos para atrapar a los electrones libres que le proporciona el emisor) y es por esto que la mayora de los electrones siguen su camino hasta el colector, el diagrama elctrico para este tipo de conexin es la siguiente:

Fig. 15.- Configuracin base comn con transistores BJT.

Esta conexin nos ayuda para comprender el porque los electrones se comparten entre la corriente de base y la corriente de colector y demostrar lo que ya anteriormente habamos visto, que lo corriente de colector es mucho mayor que la corriente de base (casi 95 veces mayor y a veces mayor aun). VI.24.-Amplificadores con transistores BJT. Los circuitos amplificadores son bsicamente tres base comn ,emisor comn y colector comn paro la mas usual ha sido la conexin de emisor comn, hemos visto anteriormente que estos tipos de conexiones se utilizan para realizar un sistema que nos ayude a amplificar una seal de inters y que a su ves nos permita saber el nivel de incremento realizado, es debido al tipo de conexin que veremos a continuacin que aprenderemos a desarrollar un amplificador. Existen dos objetivos para lo cual se usan los amplificadores y estos son: 1.- Amplificacin de corriente 2.- Amplificacin de voltaje Al hablar de que se utilizan los transistores para incrementar el valor de seales de corriente alterna (ca) el de conexin EC funciona de la siguiente manera. La tensin de la fuente de ca se acopla mediante un capacitor (condensador) de entrada a la base del transistor, como el emisor se conecta a tierra para seal, toda la seal alterna de la base aparece en el diodo de emisor. Cuando la corriente alterna de colector circula por la resistencia para seal de colector produce una tensin alterna amplificada que esta desfasada 180 con respecto a la seal de entrada. El condensador de salida acopla la tensin alterna del colector amplificada e invertida a la resistencia de carga. Como un condensador esta en circuito abierto para corriente continua (segn las caractersticas de los condensadores) y en corto circuito para seal de ca (como un simple cable de resistencia cero) bloquea la tensin continua del colector, pero deja pasar la tensin alterna del colector. Debido a que la seal de ca ha sido pasada por un amplificador la tensin de entrada a un amplificador es la misma que la tensin de alterna en la base. La tensin de salida de un amplificador es la misma que la tensin de ca en la resistencia de carga, y la ganancia de tensin es igual a la tensin de salida dividida entre la tensin de entrada. La explicacin anterior se sujeta a la conexin del siguiente circuito:

Fig. 16.- Circuito de polarizacin con estabilizacin en emisor.

La seal AM amplificada por el circuito queda de la siguiente manera:

Fig. 17.- Seal de AM amplificada por el circuito de estabilizacin en emisor.

Realizar el desarrollo matemtico, para llegar a las ecuaciones de IB, VCE, VE, VC y VB del circuito de polarizacin con estabilizacin en emisor. *Investigar el funcionamiento del siguiente circuito:

VII.25.-Transistores JFET. Las caractersticas fsicas de los JFET (transistor de efecto de campo de unin) son un poco similares a las de un BJT solo con algunas pequeas diferencias que a continuacin se describirn. Por ejemplo los JFET cuentan con una terminal superior llamada drenador (drain) y una terminal superior llamada fuente (source), tambin esta compuesto por dos terminales en sus extremos las cuales reciben el nombre de puertas (gate), comnmente estas terminales se encuentran unidas internamente con lo cual se evita la colocacin de dos terminales y se coloca solo una ya que regularmente las dos terminales son conectadas a la misma diferencia de potencial como se muestra en la figura siguiente:

Fig. 18.- Esquema del JFET.

El FET de unin o simplemente JFET en conclusin tiene una fuente, una puerta y un drenador anlogo al emisor, base y colector de un transistor bipolar. El JFET tiene dos diodos internos: el diodo puerta fuente y el diodo puerta drenador. Estos diodos conducirn si estn polarizados directamente con mas de 0.7 volts.

La forma de polarizar un JFET es muy parecida a la de un BJT solo difiere en la forma de polarizar su diodo puerta fuente el cual se polariza en inversa lo cual provoca que exista una resistencia infinita a la entrada del diodo puerta fuente como se ve la siguiente figura se suprime la terminal de puerta derecha debido a que internamente se conectan entre si:

Fig. 19.- Polarizacin del JFET.

Como el diodo puerta fuente esta polarizado en inversa este transistor se convierte en un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como es el caso de los BJT, en el instante en que el voltaje de alimentacin se aplica al circuito, los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hasta el drenador. Estos tienen que pasar a travs del estrecho canal situado entre las zonas de deplexion. La tensin de puerta controla el ancho de este canal. Cuanto mas negativo sea el voltaje de puerta, mas estrecho ser el canal y menor ser la corriente del drenador.

Fig. 20.- JFET sin polarizar la terminal puerta(G), donde se observa el estrechamiento del canal n. Su smbolo elctrico es el siguiente:

Fig. 21.- Smbolo elctrico del JFET.

VII.26.- Transistores JFET. oxido-metal, o MOSFET, tiene una fuente, puerta y drenador. Sin embargo, a diferencia del JFET, la puerta esta aislada elctricamente del canal. Por esta causa, la corriente de puerta es extremadamente pequea, cuando la puerta es positiva o negativa. El MOSFET frecuentemente se llama IGFET, que quiere decir FET de puerta aislada (en ingles insulated-gate FET). En la figura se muestra un MOSFET de empobrecimiento de canal n, tambin conocido como MOSFET de deplexin. Se compone de un material n con una zona p a la derecha y una puerta aislada a la izquierda. Los electrones libres pueden circular desde la fuente hacia el drenador a travs del material n. La zona p se denomina sustrato ( o cuerpo). Los electrones que circulan desde la fuente hacia el drenador deben pasar a travs del estrecho canal entre la puerta y la zona p.

Fig, 22.-Smbolos elctricos del MOSFET de empobrecimiento.

Como se puede observar la puerta esta aislada elctricamente del canal. Por ello la resistencia de entrada en continua es aun mayor que la de un JFET. El MOSFET de empobrecimiento esta normalmente conduciendo cuando Vgs es nula. Tiene curva de salida y circuitos equivalentes semejantes al JFET La nica diferencia es que puede funcionar con tensiones de puerta tanto positivas como negativas. El MOSFET de enriquecimiento es el siguiente paso despus del

MOSFET de empobrecimiento el cual no cuenta con mucha popularidad y es de uso reducido lo contrario del de enriquecimiento el cual ha tenido una importancia enorme en la electrnica digital y en las computadoras. Sin el no existieran las computadoras personales, que en la actualidad tienen un uso muy extendido. A continuacin se ilustraran los circuitos elctricos del MOSFET de enriquecimiento y se har una conexin caracterstica para explicar resumidamente su funcionamiento.

Fig. 23.- Transistor MOSFET de enriquecimiento.

Como se puede ver el sustrato se extiende hasta el dixido de silicio. Y por consiguiente ya no existe un canal n entre la fuente y el drenador.

Fig. 24.- Polarizacin de un MOSFET de enriquecimiento.

Segn la conexin que se puede ver en la figura cuando la tensin de puerta es nula, la alimentacin Vdd trata de hacer circular a los electrones libres desde la fuente hacia el drenador, pero el sustrato p solo tiene unos cuantos electrones libres producidos trmicamente. Aparte de estos portadores minoritarios y de alguna fuga superficial, la corriente entre la fuente y el drenado es nula. Por esta razn el MOSFET esta normalmente en corte cuando la tensin de puerta es cero. Este dato es completamente diferente en los dispositivos de empobrecimiento como el JFET o el MOSFET de empobrecimiento.

Cuando la puerta es suficientemente positiva, atrae electrones libres dentro de la regin p. Los electrones libres se recombinan con los huecos cercanos al dixido de silicio. Cuando la tensin de puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos prximos al diodo de silicio desaparecen y los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador. El efecto es idntico al de crear una capa delgada de material tipo n prxima al diodo de silicio. Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo n. Cuando existe el dispositivo, normalmente en corte, de repente entra en conduccin y los electrones libres pueden circular fcilmente desde la fuente hacia el drenador. VIII.27.-Los transistores VMOS son MOSFET de enriquecimiento modificado para manejar corrientes y tensiones mucho mas elevadas que los de un MOSFET convencional. Antes de inventarse el transistor VMOS, los MOSFET no podan competir con los ndices de potencia de los grandes transistores bipolares. Pero actualmente los VMOS ofrecen un nuevo tipo de MOSFET que es mejor que el transistor bipolar en muchas aplicaciones que requieren una alta potencia de carga.

Un transistor VMOS tiene un coeficiente de temperatura negativo. A medida que se incrementa la temperatura del dispositivo, la corriente de drenador disminuye, lo que reduce la disipacin de potencia. Por ello, el transistor VMOS no puede producir escape trmico, lo que constituye una gran ventaja en cualquier amplificador de potencia. VIII.28.- Transistores CMOS (investigacin).

INTEGRACIN CONCEPTUAL: (El Titular Acadmico, conocer las respuestas), se presentaran para su conocimiento y comprensin las caractersticas elctricas y funcionales de los dispositivos electrnicos ms comunes as como sus condiciones de funcionamiento ptimas y crticas con lo cual lograrn el manejo adecuado de dichos dispositivos al momento de su integracin a sistemas ms complejos. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------REPORTES CRTICOS O SUGERENTES A: Ing. Manuel de Jess Valdez Acosta, Secretario General. Universidad Autnoma Indgena de Mxico (Correo electrnico ingvaldez@uaim.edu.mx ); MC Ernesto Guerra Garca, Coordinador General Educativo. (Correo electrnico: eguerra@uaim.edu.mx ) Benito Jurez No. 39, Mochicahui, El Fuerte, Sinaloa, Mxico. C.P. 81890, Tel. 01 (698) 8 92 00 42. ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

UNIVERSIDAD AUTNOMA INDGENA DE MXICO

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