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FSICA ELECTRNICA

UNIN P-N

INGENIERA DE SISTEMAS E INFORMTICA

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.

http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/3.Union_PN_en_equilibrio_y_polarizad a/Applet3.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.La_ley_de_Shockley/Applet4.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Applet3/DiodoConmutaApplet.html

UNIN P-N POLARIZADA


Cuando un semiconductor tipo P se une con un semiconductor de tipo N, se forma un diodo P-N con dos terminales y cuyo objetivo, en general, ser conducir corriente elctrica en un solo sentido. En la applet, se aprecia inicialmente un DIODO EN EQUILIBRIO, esto es cuando electrones y huecos no pasan de una zona a otra. Aqu es cuando el diodo P-N se divide en tres regiones, dos regiones neutrales y una regin de agotamiento o zona de carga. Esto se aprecia en el siguiente grfico: Regiones neutrales
Casillas para desactivar el arrastre, difusin, recombinacin, electrones y huecos respectivamente

Regin de agotamiento Esta barra nos va a permitir polarizar el diodo P-N. Ahora marca 0 V. Nivel de Fermi CARGAS NEGATIVO Y POSITIVO RESPECTIVAMENTE

Esta barra nos permite modificar el nivel de impureza Na y/o Nd del diodo as como activar los parmetros

Campo elctrico donde se unes las dos cargas

GUTIERREZ TORRES, Marco Antonio

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En el siguiente grfico, se aprecia la polarizacin directa:

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Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico ya que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin o regin de agotamiento

A 2.0E-1 V, con una concentracin de aceptadoras (huecos) de 1E17 y una concentracin de donantes (electrones) de 1E16, los electrones no pasan de la banda de valencia a la banda de conduccin.

Podemos observar que hay conduccin abierta de corriente. Permite el paso o circulacin de corriente

Si hacemos que haya una mayor concentracin de huecos (1E17) y concentracin de donantes (1E16) mayor ser la regin positiva en la carga espacial y en el campo elctrico

Con arrastre, difusin, recombinacin, electrones y huecos existe flujo en ambos sentidos

Con Difusin, recombinacin, electrones y huecos Sin arrastre ya no tiene el flujo de retorno

Con arrastre, difusin, recombinacin y huecos. Solo se mantiene el flujo del que est conectado a tierra Con arrastre, difusin, recombinacin, electrones Solo se mantiene el flujo de que est conectado a la unin PN

GUTIERREZ TORRES, Marco Antonio

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Finalmente, aqu apreciamos la polarizacin inversa:

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Al insertar carga negativa en la unin P-N, los electrones y los huecos se repelen, por lo tanto no conducen energa elctrica, por lo que se convierte en conduccin cerrada. La regin de agotamiento se hace ms ancha

Cuando tenemos la misma concentracin de electrones libres y huecos entonces tenemos una igualdad de cargas positivas y negativas en la carga espacial y en el campo elctrico. Cuanto mayor es el voltaje a la inversa el ancho de la regin aumenta

Aqu se muestra la applet con los parmetros activado

LA LEY DE SHOCKLEY
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente.

Se produce el movimiento de los electrones libres hacia los huecos generando conduccin elctrica. Produciendo una intensidad de corriente de 1.1455E-10 Amperios.

El applet configurada para que el diodo reciba 0,4 v ; a temperatura de 300 grados K; con una concentracin de huecos =4E+17 y con una concentracin de electrones libres=4E+17

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El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo).
Se produce el movimiento de los electrones libres hacia los huecos generando conduccin elctrica. Se aprecia que la concentracin de electrones minoritarios y huecos minoritarios casi es nula.

El applet muestra como un diodo que recibe 0,4 v ; a temperatura de 300 grados K; con una concentracin de huecos de 4E+17 y con una concentracin de electrones libres de 4E+17, se produce el movimiento de los electrones libres hacia los huecos generando conduccin elctrica. Produciendo una intensidad de corriente de menos(-) 2.1455E-10 Amperios.

CONMUTACIN DEL DIODO


En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa)

Tambin dispone de un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia y un diodo de unin). Este esquema se sita en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible.

El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros circuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la
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tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en las bornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.
Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.

En esta parte aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustituyendo cada variable por el valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se muestran los valores instantneos para estas funciones temporales.

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En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los otros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada.

La zona de grficas. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito, la segunda, la corriente que circula por el diodo. La tercera, la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo Asimtrico, y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Estas cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.

El applet muestra que en un circuito donde se aplica una tensin inversa de -4.00v y una tensin directa de 3.00 V, con una resistencia de 1.003 ohmios, al diodo con una concentracin de donantes (electrones libres (N)) de 1.00E17 y una concentracin de huecos (P), se obtiene una Intensidad de corriente de 1.0E-3 A; una carga inversa de -1.0E-12 generando una tensin de -5.0.v. Pero si se modifica los valores en el parmetro de circuito, los valores en tensin inversa =-7, la Intensidad se modifica a -2.0E-3 A; la carga inversa no se modifica, la tensin tampoco. Pero si mantenemos los mismos valores y modificamos el valor de la resistencia a 3.00E3, la tensin cambia a -6,7E-4 A, pero los dems valores no se modifican. Pero si modificamos los valores de la tensin inversa =-2.00 y la tensin directa =7 con el mismo valor de la resistencia, la Intensidad se modifica a 1,0E-3 A, la carga inversa no se modifica, pero la tensin cambia a -5.0 v. De los datos registrados se puede decir que cuando se incrementa la resistencia disminuye la tensin, es decir a mayor resistencia menor tensin. Si la tensin directa sube y la tensin inversa sube la intensidad de corriente sube, pero si la tensin directa sube y la tensin inversa se acerca al 1 entonces la intensidad disminuye. Estos datos se pueden apreciar en el siguiente grfico:

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