Está en la página 1de 11

FACULTAD DE INGENIERIA UNIVERSIDAD NACIONAL ELECTRONICA MAYOR DE SAN MARCOS

EAP. ELECTRONICA (Universidad del Per, DECANA DE AMRICA)

CURSO: CIRCUITOS ELECTRONICOS I PROFESOR: Alfredo Medina ALUMNO: Apaza Martinez Joab Max Alonso CICLO : !"#$II

CODIGO: " "%!!&"

Ciudad Universitaria, 2013

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os

Polarizacin del Transistor BJT


". MARCO TEORICO.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarizacin de cd apropiada. En el captulo 4 veremos que la polarizacin de cd es necesaria para establecer la regin de operacin apropiada para la amplificacin de ca. La capa del emisor est muy dopada! la base ligeramente! y el colector slo un poco dopado. Los grosores de las capas e"ternas son muc#o mayores que las del material tipo p o n emparedado. $ara los transistores mostrados en la figura 3.2 la relacin entre el grosor total y el de la capa central es de %.&'%(%.%%&)&'%*&. El dopado de la capa emparedada tambi+n es considerablemente menor que el de las capas e"ternas ,por lo com-n de &%*& o menor.. Este menor nivel de dopado reduce la conductividad ,incrementa la resistencia. de este material al limitar el n-mero de portadores /libres0. 1on la polarizacin mostrada en la figura 3.2! las terminales se identificaron por medio de las letras may-sculas E para emisor! 1 para colector y 2 para base. La conveniencia de esta notacin se pondr de manifiesto cuando analicemos la operacin b sica del transistor. La abreviatura 234 ,de bipolar 5unction transistor. se suele aplicar a este dispositivo de tres terminales. El t+rmino bipolar refle5a el #ec#o de que #uecos y electrones participan en el proceso de inyeccin #acia el material opuestamente polarizado. 6i se emplea slo un portador ,electrn o #ueco.! se considera que es un dispositivo unipolar. El diodo 6c#ott7y del captulo &8 pertenece a esa clase.

*IEE$UNMSM

P+,ina #

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os

9peracin del transistor. A continuacin describiremos la operacin b sica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura 3.2a. La operacin del transistor npn es e"actamente la misma con los roles de los electrones y #uecos intercambiados. En la figura 3.3 se volvi a dibu5ar el transistor pnp sin polarizacin entre la base y el emisor. 9bserve las seme5anzas entre esta situacin y la del diodo polarizado en directa en el captulo &. El anc#o de la regin de empobrecimiento se redu5o a causa de la polarizacin aplicada y el resultado fue un intenso flu5o de portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n. Eliminemos a#ora la polarizacin de la base al emisor del transistor pnp de la figura 3.2a como se muestra en la figura 3.4. 1onsidere las seme5anzas entre esta situacin y la del diodo polarizado en inversa de la seccin &.8. :ecuerde que el flu5o de portadores mayoritarios es cero! y el resultado es slo un flu5o de portadores minoritarios! como se indica en la figura 3.4. En suma! por consiguiente* La unin p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que la otra se polariza en directa.

En la figura 3.' se aplicaron ambos potenciales de polarizacin a un transistor pnp! con los flu5os de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. 9bserve en la figura 3.' los anc#os de las regiones de empobrecimiento donde se ve con claridad cu l unin es polarizada en directa y cual lo est polarizada en inversa. 1omo se indica en la figura 3.'! una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundir a trav+s de la unin p;n polarizada en directa #acia el material tipo n. La pregunta es entonces si estos portadores contribuir n directamente con la corriente de base <2 o si pasar n directamente al material tipo p. 1omo el material tipo n emparedado es muy delgado y su conductividad es ba5a! un n-mero muy peque=o de estos portadores tomar n esta ruta de alta resistencia #acia la base. La magnitud de la corriente de base es por lo general del orden de micro amperes! en comparacin con los mili amperes de las corrientes del emisor y el colector. El mayor n-mero de estos portadores mayoritarios se difundir a trav+s de la unin polarizada en inversa #acia el material tipo n conectado al colector como se indica en la figura 3.'. La razn de la facilidad relativa con que los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin polarizada en inversa es f cil de entender si consideramos que en el caso del diodo polarizado en inversa los portadores mayoritarios inyectados aparecer n como portadores minoritarios en el material tipo p. En otras palabras! #a #abido una inyeccin de portadores minoritarios en el material tipo n de la regin de la base. 6i se combina esto con el #ec#o de que todos los portadores minoritarios de la regin de empobrecimiento atravesar n la unin polarizada en inversa de un diodo e"plica el flu5o indicado en la figura 3.'.

*IEE$UNMSM

P+,ina -

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os

Aplicando la ley de las corrientes de >irc##off al transistor de la figura 3.' como si fuera un nodo -nico obtenemos.

Configuraciones del transistor

Recta de carga

*IEE$UNMSM

P+,ina .

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os


Al aplicar la 2? Ley de >irc##off a la malla formada por la tensin de alimentacin! resistencia de colector! colector y emisor! se obtiene la relacin entre la corriente de colector y la tensin colector ; emisor! dependiendo de la resistencia de carga ,:c.. :efle5a todos los puntos posibles de funcionamiento que pueden darse cumpliendo la ecuacin de malla del colector. $ara definir la recta de carga! se #allan los dos puntos de interseccin de la recta con los e5es.

. MATERIALES Y E!UI"O @ultmetro digital @icro Ampermetro Auente B1 $rotoboard :esistencias* &7 #asta &%%%7

*IEE$UNMSM

P+,ina /

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os

#. "ROCEDIMIENTO
$arte <* Arme el siguiente circuito y vari+ la resistencia de 2ase.

Arme el circuito de la figura y vare :2 con el valor de :! los datos obtenidos deben ser completados en la siguiente tabla

RB

IB

IC

V CE

IC IB

'7 87 C7 &'7 3%>

2&'%uA &C%% uA &38' uA E48uA 3E4 uA

&&.8mA &&.8mA &&.8mA &&.8 mA &&.8 mA

%.3C %.3D %.3D %.4 %.42

'.3D 8.44 C.4D &'.'4 3&.%&

*IEE$UNMSM

P+,ina 0

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os

'%7 E%7 &%%7 2%%7 3%%7 4%%7 '%%7 8%%7 D%%7 &%%%7

22' uA &8& uA &&2uA '8.3 uA 3E.E uA 2C.2uA 22.8uA &C.CuA &2.8uA &&.3uA

&&.8 mA &&.8 mA &&.' mA &&.3 mA C.4D mA 8.EDmA '.8EmA 4.CEmA 3.42mA 3.&2mA

%.44 %.4' %.48 %.8' 3.'& '.2 8.33 E.&3 C.'E C.CC

'&.'' E2.%4 &%2.8E 2%%.E& 22'.&D 24%.EC 2'%.CC 2'D.%4 2E&.42 2E8.&

"arte II <mplemente el siguiente circuito y realice un cuadro de las variaciones de todas las resistencias.

*IEE$UNMSM

P+,ina &

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os

$ara :2)&%7! :c)&7 y :E)2%%

R&
&7 '7 &%7 &'7 2%7 2'7 3%7 '%7 &%%7 2%%7

I B1
E8C3uA &DE2 uA D%4 uA 8%D uA 4'D uA 38C uA 3&2 uA 2%2 uA &%D uA '8.'' uA

I B2
42E uA 2DE uA 2C& uA 2E8 uA 2E3 uA 2E% uA 2'2 uA &E' uA &%% uA 'E uA

IC
C.2EmA D.8& mA D.E' mA D.E' mA D.E' mA D.E3 mA C.D4 mA '.3 mA &.8C mA %.%8 mA

IE
&E.8 mA && mA &%.3' mA &%.& mA &% mA D.C' mA D.& mA '.4 mA &.E' mA %.%'& mA

V CE
%.%2v %.%2Cv %.%4'v %.%8'v %.%D&v %.&38v &.%83v '.'Cv &&.CEv &&.Cv

IB
E2'8uA &8E' uA 823 uA 333 uA &C8 uA DC uA 8% uA 2E uA D uA % uA

$ara :&)'%7! :E)2%% y :2)&%7

RC
&7 '7

I B1
2%3 &DC

I B2
&E3 &&4

IC
'&8% 238%

IE
'.2' 2.''

V CE
'.8E &.3&

IB
3% C4

*IEE$UNMSM

P+,ina %

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os

&%7 &'7 2%7 2'7 3%7 '%7 &%%7 2%%7

22% 222 223 223.8 223.C 224.4 224.C 2''

D4 C' C% EC E8 E3 E% 8D

&&CD EC%.8 'C8 4E% 3D2.3 238.2 &%% 'D.&

&.4 & E'% 8'% ''% 4%% 3%% 2'%

%.%4 %.%2 %.%&DC %.%&8C %.%&4D %.%&& %.%%C %.%%8

&28 &3E &43 &4'.8 &4E.C &'&.4 &'4.C &C8

$ara :&)&%7! :E)2%% y :1)&7

R2
&7 '7 &%7 &'7 2%7 2'7 3%7 '%7 &%%7 2%%7

I B1
&%D% D2' D2& D&4 D&2 D&2 D&& D&% D%D D%D

I B2
&%C% ''8 2C% &D& &44 &&' D8.3 'C 2D.& &4.'

IC
&.CC D.84 D.8& D.8 D.'D D.'D D.'C D.'C D.'E D.'E

IE
&.CD &% &%.2 &%.3 &%.4 &%.4 &%.4 &%.4 &%.' &%.'

V CE
D.83 %.38 %.34 %.34 %.34 %.34 %.34 %.34 %.34 %.33

IB
&% 38D 84& E23 E8C EDE C&4.E C'2 CED.D CD4.'

$ara :&)&%7! :2)&%7 y :1)&7

RE
'% &%% &'% 2%% 3%%

I B1
&%8% &%&% D'D D&8 C42

I B2
&42 &D4 24& 2C4 3'C &&

IC

IE
&&.D &&.3 &%.C &%.2 D.3'

V CE
%.3C %.3E %.3' %.34 %.33

IB
D&C C&8 E&C 832 4C4

&%.' &% D.8& C.CE

*IEE$UNMSM

P+,ina "!

Laboratorio Cir'(itos Ele'tr)ni'os

'%% &7 27 '7 &%7

E28 8&& 8%' 8%2 8%&

4E4 'CD 'D' 'DC 'DD

E.E& '.&' 2.8& &.%8 %.'3

E.ED '.&E 2.83 &.%8 %.'3

%.3 &.8C 4.&3 '.83 3.&3

2'2 22 &% 4 2

-. CONCLUSIONES. "arte I
En la recta de carga de la polarizacin se observa que los valores menores que 2%%7 no producen variacin significativa en la corriente del colector! se encuentra en la zona de saturacin ,Ferde.! luego de pasar estos valores se observa como se ve afectada la corriente del colector en relacin directamente proporcional! pasa a la zona activa ,Azul.G para los valores de :b que superan a C%%7 la corriente empieza a decrecer muc#o y pasa a la zona de corte ,Amarillo.. As mismo se puede concluir que la ganancia H es de 2'% apro"imadamente! ya que este es el valor promedio cuando el transistor esta polarizado correctamente.

"arte II
Las variaciones de :& afectan enormemente a <c y <b y por consecuencia a <e! Al contrario con :2 solo varia para peque=os valores de resistencia! ya que al incrementarse esta los valores de <c permanecen casi constantes los mismo que sucede con Fce. Adem s :& vara inversamente con <b! mientras que :2 vara directamente proporcional. Las variaciones de :c afectan en forma directa a <c! pero el m s afectado es el volta5e Fce y al igual que :2 varia directamente con <b. En el caso de las variaciones de :e afecta grandemente a <c como el caso anterior

*IEE$UNMSM

P+,ina ""