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Ahora, realizando una malla por los mosfet de la izquierda de la clase AB: -1.65+Vov4+Vgs3+Vgs2+Vov1-1.65=0 Vgs3=Vov3+Vth3 Vgs2=Vov2+Vth2 E igualando Vov1=Vov3; Vov2=Vov4. Se tiene: 2Vov1+2Vov4=3.3-Vth3-Vth2 Vov1+Vov4=1.138993 Figura 01 Tenemos una relacin entre estos Vov, se le da un valor a uno y se halla el otro: Vov1=0.4, por tanto Vov4=0.738993 Ya puedo tener una relacin entre W4 y W1 Sea W1=1u W4=1.139588049u Se halla la corriente necesaria para estos parmetros Id=8.95695u. Posteriormente se construye el espejo para generar esta corriente tal como se muestra en la figura 01. Hubo necesidad de reajustar un poco los parmetros para mejorar lo diseado, pero en general el W3 qued muy cercano al W1 y el W2 al W4.
Como por la rama izquierda de la etapa de salida clase AB fluye la misma corriente, se pueden igualar las ecuaciones de corriente de M1 y M4, de donde se llega a:
Kn y Kp son variables conocidas, asi que ya se tiene una relacin directa entre los Vov del 1 y 3 con sus W. La ecuacin de ganancia de la primera etapa de surtidor es:
Ahora, nos vamos a ocupar de la parte derecha de la etapa de salida, El voltaje mximo y minmo que puede tener la onda de salida es: Vo+ =1.65 Vov4 Vgs5 Vo- = -1.65 + Vsg2 + Vov1 Se pide que la etapa de salida tenga 1 Vpp, ubicando la seal de salida en cero, Vo+= 0.5, Vo- =-0.5 De ambas ecuaciones se despeja Vgs5 y Vsg2 respectivamente, adems para hallar la corriente que pasa por M5, de divide 0.5 en la carga pedida que es de 100, para la corriente de M6 se toma el Vo-, teniendo la corriente y los Vgs, se puede hallar los respectivos W5 y W6 para proporcionar estas corrientes. W5=159504.6088u W6=19977.6188u A la hora de simular se obtuvo los siguientes resultados del transitorio:
2.0V
400mV
390mV
380mV
10V
30V
100V
300V
1.0KV var
3.0KV
10KV
30KV
100KV
300KV
1.0MV
Figura 03
Finalmente, la transformada de Fourier de la seal de salida, para ver los armnicos de la seal y cuanta distorsin present:
800mV
600mV
1.0V
400mV
0V
200mV
-1.0V
0V 0Hz V(M6:s)
10KHz
20KHz
30KHz
40KHz
50KHz Frequency
60KHz
70KHz
80KHz
90KHz
100KHz
110KHz
Figura 04
-2.0V 0s 1ms V(M6:s) V(M1:g) 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms Time 7ms 8ms 9ms 10ms 11ms 12ms
Figura 02 Ahora, un barrido de la resistencia de carga, donde se observa que para resistencias superiores a 30 el clase AB soporta estas cargas sin problema.
OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES La seal de salida present una alta distorsin por lo que el clase AB no esta cumpliendo su objetivo de minimizar la distorsin por debajo del 0.01%, hay posibles errores de clculo pero desconocemos cuales. Esta etapa de salida es comnmente utilizada en amplificadores de sonido, va luego de una etapa de amplificacin y su objetivo principal es disminuir la distorsin armnica total, el circuito del presente informe soport cargas desde 30 en adelante, para valores por debajo de este valor de resistencia, la salida se ve afectada por la misma.
Los parmetros W/L de los transistores de salida del amplificador tienen dimensiones extremadamente grandes, del orden de los cms, cosa que es algo exorbitante para un transistor, esto es debido a que la corriente de salida de esta etapa es alta, y para que circule por este transistor esta corriente es necesario un alto valor de este parmetro.