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Semiconductores

Metales y semiconductores
La mayora de los conductores slidos de la electricidad pueden clasificarse o como metales o como semiconductores.
La corriente constituye una manifestacin del movimiento de carga por el interior de un material, por lo cual ser necesario
examinar el origen y comportamiento de la carga capaz de moverse a fin de comprender el proceso de conduccin de un
material.
Metales: La mayora de los metales son buenos conductores de la electricidad, ello es debido a que contienen
concentraciones grandes de electrones libres o mviles. Los electrones son mviles en el sentido de que no estn
vinculados a los tomos del metal, sino que pueden moverse libremente por el volumen de ste.
Corrientemente cada tomo de metal contribuye con uno o dos electrones (electrones de valencia). Los dems electrones
permanecen ligados con los ncleos particulares.

Semiconductores: Los electrones de valencia de los tomos de un semiconductor (tal como el silicio o el germanio) no
pueden, en su mayor parte, moverse libremente por el interior de semiconductor. En vez de ello, participan en los enlaces
covalentes que mantienen unidos los tomos del semiconductor constituyendo una distribucin cristalina peridica. Cada
tomo de cristal tiene cuatro vecinos ms prximos con los que comparte sus electrones de valencia.
El ncleo como sabemos, es positivo y alrededor hay una serie de rbitas donde se encuentran los electrones.
El Silicio y el Germanio poseen 4 electrones en la rbita externa.


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Si representamos lo anterior en forma bidimensional ( modelo bidimensional de enlace) tenemos la siguiente figura:

De la figura se desprende:
1. Cada tomo esta rodeado de cuatro vecinos equidistantes.
2. Los electrones de valencia, en numero de cuatro por tomo, son compartidos por igual por los cuatro vecinos ms
prximos. Con lo cual, cada enlace entre un tomo y uno de sus vecinos ms prximos contiene dos electrones.

Cuando todos los electrones de valencia estn constreidos en enlaces covalentes, como en la figura anterior, no ser
posible la conduccin elctrica por no haber portadores de carga que puedan moverse libremente, como consecuencia un
material que tenga esta configuracin electrnica se comporta como aislador.
A temperatura superior a 0K algunos enlaces covalentes son incompletos. Los electrones que faltan ya no estn
confinados a la regin de enlace, sino que pueden moverse libremente, tal como puede verse en la figura siguiente:

Si lo representamos por medio de un grfico con bandas de energa tenemos que:
A 0K todos los electrones estn a los niveles de energa ms bajo, a temperatura ambiente, algn electrn tiene
ocasionalmente la suficiente energa para escapar de la banda de valencia y pasar a la de conduccin.







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Los pocos enlaces rotos que existen a temperatura ambiente se deben a la vibracin trmica de los electrones de valencia.
La fraccin del nmero total de electrones de valencia que se desprende de los enlaces covalentes es pequeisima, por eso
se lo considera un material semiconductor.
Como consecuencia de los enlaces covalentes rotos, existe dos grupos distintos e independientes de portadores de carga.
Los electrones mviles que se originan cuando se escapa un electrn de la banda de valencia (carga negativa) y el otro es
el hueco que se origina en la banda de valencia (carga positiva).

Impurezas en los semiconductores
En el modelo visto anteriormente de semiconductor tenamos que las cantidades de huecos y electrones de conduccin
estn presentes en cantidades iguales. Cada uno de dichos portadores de carga es el resultado de la rotura de un enlace
covalente.
En un semiconductor los huecos y electrones no suelen estar en cantidades iguales; las concentraciones de ambos se ven
fuertemente afectadas por la presencia de impurezas que se agregan intencionalmente durante la fabricacin.
Estas impurezas o contaminantes son de las dos clases siguientes:
Impurezas Donantes: son elementos que tienen 5 electrones de valencia. Ej. Fsforo, Arsnico y Antimonio.



El electrn sobrante, debido a que no tienen que completarse ningn enlace, queda dbilmente unido al tomo de
impureza, a temperatura ambiente, este puede disociarse del tomo de impureza y se mueve por el semiconductor como un
electrn de conduccin ms. Es decir, el tomo de impureza se ioniza.
Las impurezas donantes dan lugar a un electrn de conduccin sin aportar ningn hueco. No se rompen enlaces.
Cada tomo donante aumenta en uno la poblacin de electrones libres.

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Como contienen una cantidad importante de tomos donantes el material se denomina Tipo n (carga negativa).
Impurezas Aceptoras: son elementos que tienen 3 electrones de valencia. Ej. Boro, Indio y Aluminio.
Estos tomos, igual que antes encajan en la estructura cristalina peridica del semiconductor anfitrin. As pues, en la
estructura habr una vacante, o sea un hueco asociado a cada tomo aceptor. Igual que antes este hueco est dbilmente
unido al tomo aceptor y a temperaturas normales se mueve libremente por el semiconductor.
Las impurezas aceptoras aportan huecos al semiconductor sin aportar electrones. No se rompen enlaces.
Cada tomo aceptor aumenta en uno la poblacin de huecos.
Como tienen una cantidad importante de tomos aceptores el material se llama tipo p (carga positiva).



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En resumen, los semiconductores, a diferencia de los metales, conducen la electricidad como consecuencia del movimiento
independiente de dos tipos de portadores de carga mviles cuyas cargas son de signo opuesto: huecos y electrones.
Estos portadores de carga pueden crearse en un semiconductor mediante tres procesos diferentes:
1) Una fraccin muy pequea del nmero total de enlaces covalentes se rompe a causa de la agitacin trmica de los
electrones de la banda de valencia -> Se crean y desaparecen huecos y electrones de a pares.
Tiene la misma cantidad de huecos y electrones -> Semiconductor Intrnseco.
2) Por impurezas donantes. Aporta electrones -> Tipo n.
3) Por impurezas aceptoras. Aporta huecos -> Tipo p.

Como en los dos ltimos casos hay una cantidad importante de impurezas el material se denomina Semiconductor
Extrnseco.
El portador que tenga mayor concentracin de impurezas se llama mayoritario y el de menor minoritario.


Diodo de unin
La mayora de los dispositivos activos semiconductores tienen una o ms uniones de materiales tipo p y tipo n, llamadas
comnmente juntura pn.
En la juntura o unin hay un cambio brusco del material tipo p al tipo n, con lo cual en las proximidades del plano de
unin habr gradientes de concentraciones de huecos y electrones. Estos gradientes estn orientados de manera que los
huecos tiendan a difundirse en la regin tipo n y los electrones en la regin tipo p. No obstante, en el equilibrio, los huecos
y electrones no circulan de manera estacionaria a travs de la unin, porque en las proximidades del plano de unin hay
una diferencia de potencial o barrera de potencial.
Esta barrera tiene un campo elctrico asociado que va de la regin de tipo n a la regin de tipo p, por lo tanto se opone a
las tendencias difusoras asociadas a los gradientes de concentracin y evita (en el equilibrio) la circulacin tanto de huecos
como de electrones.
Esta barrera surge del desequilibrio de cargas originados por la circulacin por difusin de los portadores a travs del plano
de unin, con lo cual hay una zona de carga positiva en el lado n y una zona de carga espacial negativa en el lado p.


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El desequilibrio de cargas resultantes debe ir acompaado de una diferencia de potencial o barrera de potencial la que
anula la circulacin total de carga cuando se alcanza el equilibrio.
As pues, la difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin desde el lado en que son mayoritarios a las que son
minoritarios es un proceso que se autolimita.

Aplicacin de tensin entre los terminales

Polarizacin directa

Polarizacin inversa
Smbolo del diodo de unin


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Aplicaciones
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificador onda completa con puente de diodos






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Diodos de disrupcin

Habamos visto que la corriente inversa de un diodo es dbil e independiente de la tensin inversa, en realidad esta
condicin no se cumple cuando la tensin inversa se haga suficientemente elevada. Todos los diodos presentan una regin
de comportamiento en sentido inverso en la cual puede circular corrientes inversas internas si la tensin inversa supera un
valor llamado tensin de disrupcin inversa.
Esta tensin puede variar desde unos pocos volts hasta centenares de volts.
Hay dos mecanismos para producir procesos de disrupcin:
1) Multiplicacin por alud o avalancha.
2) Disrupcin Zener.

Aplicaciones


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Transistor

El Transistor bsico de unin consta de dos uniones pn yuxtapuestas.
En concepto, el transistor es un dispositivo que acta como amplificador de corriente, pero tambin se puede utilizar como
un interruptor.
Cuando se utiliza un transistor como vlvula de gobierno, la unin emisora (base-emisor) se polariza en directa y la unin
colectora (base- colector) en inversa.

La unin emisora se fabrica con la regin de emisor mucho ms contaminada que la regin de base, con lo cual
predominan los portadores mayoritarios (huecos en este caso) de la regin de emisor en la capa de carga espacial de la
juntura emisor-base. Otra caracterstica es que la regin de base se fabrica muy delgada.

Funcionamiento: la batera VEE polariza en sentido directo la unin base- emisor (pn), haciendo que el emisor inyecte
huecos a la base (material tipo n). La mayor parte de los huecos, debido al poco espesor de la base y la baja
recombinacin, alcanzan la segunda unin hasta la regin p de la derecha (colector) polarizada negativamente. Una
pequea cantidad de estos huecos (aprox. 1%) es capturada por el material tipo n (base). Los electrones de material tipo n
se desplazan hacia el emisor tal como se muestra en la figura anterior. Para alimentar la recombinacin que tiene lugar en
la base y para mantener la inyeccin en el emisor de portadores mayoritarios de la regin de base ser necesaria una
corriente de base (dbil frente a la corriente de emisor y colector). Su intensidad es pequea porque la base es delgada y el
emisor est mucho ms contaminado, lo que reduce al mnimo la inyeccin inversa.
Mientras que la unin base-emisor representa un diodo polarizado en directa (lo que implica baja impedancia y baja cada
de potencial), la unin base-colector representa un diodo polarizado en inversa (la impedancia colector-base es muy
elevada).
La corriente que circula por el camino emisor-colector (normal a las uniones) est regida por la VBE y es independiente de
la tensin en la unin colectora.
La corriente de emisor depende exponencialmente de la VBE y no depende de la tensin de la unin colectora por la
misma razn que un diodo polarizado en inversa, lo cual implica que la intensidad de corriente no depende de la tensin
inversa.








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= =

= =
+ = + =
< =
1 1
)
1 (
) 1 (
1
B C
C E B
E B C B E
E C
I I
I I I
I I I I I
I I

Siendo la ganancia de corriente.
Se logra ganancia de potencia porque la tensin base-emisor y la intensidad de base son muy pequeas.
El transistor se denomina Bipolar porque depende de la existencia de dos tipos de portadores: mayoritarios y minoritarios.




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El Transistor como Interruptor
El voltaje de entrada Vindetermina cuando el transistor que acta como interruptor se encuentra abierto (impidiendo el
flujo de corriente) o cerrado (permitiendo el flujo de corriente).
Si Vinbajo => no hay flujo de corriente por la unin , VBE con una corriente de base nula, no hay corriente de colector y
por lo tanto no circular corriente por la carga. Bajo esta condicin el transistor opera como un interruptor abierto en serie
con la carga, se dice que trabaja al CORTE.
Para que el transistor trabaje al corte debe ser Volt Vin 6 . 0 < en el Silicio.
Para dar corriente a la carga el transistor debe trabajar como interruptor cerrado. Esto se consigue llevando Vina un valor
suficientemente alto para llevar el transistor a la saturacin.
La condicin de saturacin es aquella en la cual la corriente de colector es suficientemente grande para que el voltaje
VCC aparezca en los terminales de la resistencia de carga (Rc).

RC
VCC sat IC
sat IB
RC
VCC
sat IC

= = =
) (
) ( ) (
Con lo cual
Volt RB sat IB VBE RB sat IB Vin 6 . 0 . ) ( . ) ( + = + =
Si el voltaje de base es mayor o igual al anterior, el transistor opera como un interruptor cerrado.























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TIRISTOR

El tiristor es un rectificador de Si controlado, se diferencia con un rectificador normal en que se puede impedir la
circulacin de corriente en cualquier direccin.
En la direccin de la corriente puede volverse conductor mediante un impulso sobre un electrodo de gobierno.
Cuando la corriente que recorre un tiristor desciende por debajo de un determinado valor mnimo, el propio tiristor retoma
el estado de no-conduccin.
En el tiristor la cada de tensin en la direccin de la corriente de conduccin es de aprox. 1V.

Funcionamiento del tiristor
El tiristor posee dos capas tipo p y dos capas tipo n dispuestas del modo que indica la figura:

Esta disposicin de las capas hace que se tengan tres electrodos: el nodo A, el ctodo K y el electrodo de control St.
Si se aplica una tensin continua al tiristor en el sentido de la conduccin (polo positivo al nodo), la tensin encuentra una
barrera en la unin S2. Si se invierte la polaridad, la tensin queda bloqueada en las uniones S1 y S3.
El tiristor puede considerarse como la combinacin de un transistor pnp con otro npn, conectados de manera tal que
coincida la base del pnp con el colector del npn.
Si se indica
1
como el factor de amplificacin de corriente del transistor pnp y
2
como la del npn, y se aplica entre A y
K con St abierto una dbil tensin positiva, el tiristor es recorrido por una pequeisima corriente I, que puede considerarse
constituida por tres componentes:
La corriente residual Io que atraviesa la unin S2
La corriente de colector
1
. I del pnp.
La corriente de colector
2
. I del npn.
Con lo cual podemos escribir:

) ( 1
. .
2 1
0
2 1 0


+
= + + =
I
I I I I I
5 . 0
2 1
< y






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Disparo del tiristor
1) Superacin de la corriente
NK
U (tensin de basculamiento)
Al aumentar la tensin aplicada, aumenta la corriente . I Al aumentar I aumenta
2 1
y tendiendo a 1, lo que
hace que I tienda a (limitada slo por RA) y de esta manera el tiristor conduce.
2) Encendido mediante la corriente de disparo
St
I enviada mediante el electrodo de control.
La corriente que atraviesa la unin pn gobierna la unin comn S3.
Al aumentar la corriente aumenta
2 1
y tendiendo a 1, lo que hace que I tienda a (limitada slo por RA) y de
esta manera el tiristor conduce.
3) Disparo como consecuencia de una excesiva velocidad de aumento de la tensin ) / ( dt dU U
AK AK
.
En este caso entran en juego las caractersticas capacitivas de la unin.

dt
dU
U C I
AK
AK AK
. . =
Una vez que el tiristor es disparado, no se puede detener por medio del electrodo de gobierno, la unica manera de lograrlo
es interrumpiendo la corriente al circuito de carga, o sea, aumentando la resistencia hasta que la corriente descienda por
debajo del valor de mantenimiento .
H
I

Aplicaciones


El valor promedio que fluye por la carga puede controlarse colocando un tiristor (SCR)en serie con la carga.


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Si la fuente de alimentacin es AC, el SCR permanece una cierta porcin del periodo en el estado de CONDUCCION y el
resto del periodo en estado BLOQUEADO.
La cantidad de tiempo que permanece en cada estado se controla por medio del electrodo de control. De esta manera, la
corriente por la carga puede variarse ajustando la magnitud de la porcin del periodo en el cual el SCR est en conduccin.
Como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador, de modo que solamente permite el paso de corriente durante el
semiciclo positivo de la fuente AC. Se entiende este semiciclo como aquel en que le nodo es ms positivo que el ctodo.
En la figura anterior, el SCR slo conduce medio ciclo.

Forma de onda en los SCR
Los trminos ms popularmente utilizados para describir como est operando un SCR son, ngulo de disparo y ngulo de
conduccin.
El ngulo de conduccin es el nmero de grados de un ciclo AC durante los cuales el SCR est en conduccin.
El ngulo de disparo es el nmero de grados de un ciclo AC que transcurren antes que el SCR pase a estado de
conduccin.



Circuitos tpicos de Control de Puerta


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Cuando se cierra SW si R2 est fijada en un valor bajo, la corriente es grande para cebar el SCR cuando la magnitud de la
fuente de voltaje sea baja, lo que implica que el ngulo de disparo es pequeo; en cambio, si R2 est fijado en un valor
alto, la corriente para poder cebar el SCR se obtiene con un valor mayor de la fuente de voltaje, por lo tanto el ngulo de
conduccin es mayor.

Retardo usando capacitores


Fuente Controlada

TRIAC

El comportamiento del TRIACS es similar al del tiristor, con la excepcion que puede conducir en cualquiera de las dos
direcciones.
Un TRIAC es un dispositivo de tres terminales utilizado para controlar el valor promedio de la corriente que fluye por una
carga conectada en serie.

Simbolo del TRIAC

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Forma de onda

Ventajas con respecto a sistemas electromecnicos
No tienen rebote de contacto.
No se producen arcos en contactos parcialmente abiertos.
Son muy veloces, con lo cual permiten un control de corriente muy preciso.
Elevada vida util.