Tarea 1: Semiconductores Nombre: Abdel Said Gonzlez Ortiz Grupo: 6B

SEM !ON"#!TO$ES Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio,que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con s lo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. ! temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. "i a estos electrones, que #an roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

$uando un electr n libre abandona el tomo de un cristal de silicio, de%a en la red cristalina un #ueco, que con respecto a los electrones pr ximos tiene efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los #uecos tienen la misma carga que el electr n pero con signo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fen menos& ' Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen #acia el polo positivo de la pila. ' Los #uecos son portadores de carga positiva y se dirigen #acia el polo negativo de la pila. ' !l conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el n(mero de electrones dentro del cristal de silicio. ' Los #uecos s lo existen en el seno del cristal semiconductor. )or el conductor exterior s lo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.

Semiconductores % & N En la prctica, para me%orar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas a*adidas voluntariamente. Esta operaci n se denomina dopado, utilizndose dos tipos& + ,mpurezas pentavalentes. "on elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el f sforo, el antimonio y el arsnico. + ,mpurezas trivalentes. "on elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio. $uando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electr n que le #ace muc#o me%or conductor. -e un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo ..

En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electr n sin enlazar, provocando un #ueco en la red cristalina. -e un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo ).

#ni'n %N $uando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo ) por un lado e impurezas tipo . por otro, se forma una uni n ). . Los electrones libres de la regi n . ms pr ximos a la regi n ) se difunden en sta, producindose la recombinaci n con los #uecos ms pr ximos de dic#a regi n. En la regi n . se crean iones positivos y en la regi n ) se crean iones negativos. )or el #ec#o de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse. )or todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regi n . y otra negativa en la regi n ), ambas %unto a la uni n. Esta distribuci n de cargas en la uni n establece una /barrera de potencial0 que repele los #uecos de la regi n ) y los electrones de la regi n . ale%ndolos de la mencionada uni n. 1na uni n ). no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electr nico a temperatura constante. #ni'n %N polarizada en directo "i se polariza la uni n ). en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regi n ) y el polo negativo a la regi n . , la tensi n 1 de la pila contrarresta la /barrera de potencial0 creada por la distribuci n espacial de cargas en la uni n, desbloquendola, y apareciendo una circulaci n de electrones de la regi n . a la regi n ) y una circulaci n de #uecos en sentido contraro. 2enemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la uni n ). se #ace conductora, presentando una resistencia elctrica muy peque*a. El flu%o de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente elctrica. #ni'n %N polarizada en in(erso "i se polariza la uni n ). en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regi n . y el polo negativo a la regi n ) 3figura 45, la tensi n 1 de la pila ensanc#a la /barrera de potencial0 creada por la distribuci n espacial de cargas en la uni n, produciendo un aumento de iones negativos en la regi n ) y de iones positivos en la regi n ., impidiendo la circulaci n de electrones y #uecos a travs de la uni n. La uni n ). se comporta de una f orma asimtrica respecto de la conducci n e l ctrica6 dependiendo del sentido de la conexi n, se comporta corno un buen conductor 3polarizada en directo5 o como un aislante 3polarizada en inverso5.

Biblio)ra*+a #ttp&77888.ifent.org7lecciones7semiconductor7default.asp #ttp&77888.ifent.org7lecciones7semiconductor7default.asp 888.fi.uba.ar7materias79:;47"emic.pdf