UNIVERSIDAD TECNOLOGICA EQUINOCCIAL

CAMPUS ARTURO RUIZ MORA

SANTO DOMINGO - ECUADOR


Ingeniera Electromecnica IV Nivel Ing. Christian Macas C.
GUA DE PRCTICA No 5

1. Tema:

El transistor bipolar de unin: Circuitos de polarizacin

2. Objetivos

Comprobar en la prctica el cumplimiento de las ecuaciones que rigen la operacin de
un transistor bipolar de unin.
Determinar el punto Q de funcionamiento.
Determinar prcticamente el Beta del BJT empleado en un circuito de polarizacin por
divisor de voltaje.

3. Marco terico

4. Herramientas y equipos:
1 fuente de voltaje DC
1 multmetro
1 protoboard
Cables de conexin.





5. Materiales e Insumos

- Transistor BC547 equivalente
- 1 resistencia (R1) de 6.8 kO (1/2 W)
- 1 resistencia (R2) de 2.2 kO (1/2 W)
- 1 resistencia (R2) de 4.7 kO (1/2 W)
- 1 resistencia (Rc) de 220 O (1/2 W)
- 1 resistencia (Re) de 100 O (1/2 W)
- Manual ECG
6. Esquemas:

Figura 1
UNIVERSIDAD TECNOLOGICA EQUINOCCIAL
CAMPUS ARTURO RUIZ MORA
SANTO DOMINGO - ECUADOR


Ingeniera Electromecnica IV Nivel Ing. Christian Macas C.
7. Procedimiento
PARTE A

7.1. Mediante el uso del Manual de Semiconductores ECG buscar la disposicin de
terminales del transistor BC547 anotndolos en un cuadro o grfico.

7.2. Elaborar una tabla que incluya la nomenclatura del transistor, la disposicin de
terminales y las caractersticas tcnicas de funcionamiento.

7.3. Mediante el uso del Multmetro Digital, utilizando la escala de prueba de diodos
medir la resistencia entre las terminales del transistor BC547 a fin de determinar el
estado del transistor. (Procedimiento similar a la deteccin del estado de un diodo).

7.4. Armar en protoboard el circuito de la figura 1 y obtener, tanto terica (clculos) como
prcticamente (mediciones directas), los parmetros principales del circuito: Ib, Ic,
Vce, |, etc. Tomar en cuenta que para algunos parmetros deber emplear mtodos
indirectos como los aprendidos (ley de Ohm) en las prcticas anteriores.

7.5. Obtener el valor aproximado de la ganancia DC (|) del transistor empleado y
compararla con el valor terico especificado para dicho dispositivo. En qu regin de
operacin se encuentra el transistor?

7.6. Repetir los pasos 7.4 y 7.5 para una R2 = 4.7 KO. Puede emplear un potencimetro.


PARTE B

7.7. Simular en Workbench (o cualquier otro software) el circuito de la figura 2.

7.8. Verificar el funcionamiento del mismo,
realizando las mediciones de las
corrientes respectivas (de ser
necesarias) empleando para ello los
instrumentos del software.

7.9. Funciona correctamente la lmpara?
Justifique su respuesta con los clculos
respectivos.

7.10. Si no funcionara correctamente,
indique cmo solucionara el problema
(2 soluciones: las ms convenientes y
sencillas).

Figura 2



UNIVERSIDAD TECNOLOGICA EQUINOCCIAL
CAMPUS ARTURO RUIZ MORA
SANTO DOMINGO - ECUADOR


Ingeniera Electromecnica IV Nivel Ing. Christian Macas C.
8. Grficas y/o Anlisis de Resultados
8.1. Mostrar los parmetros solicitado en los puntos 7.1 y 7.2.

8.2. Muestre los valores obtenidos en el punto 7.3 en una tabla y genere su conclusin del
estado del transistor en base a stos.

8.3. Mostrar los clculos tericos, segn lo solicitado en el punto 7.4 y los valores
prcticos obtenidos. Contrastarlos finalmente mediante una tabla.

8.4. Realizar lo solicitado en el punto anterior para R2.

8.5. Detalle los resultados de los puntos 7.7 al 7.10


9. Cuestionario
a) Qu diferencia encuentra entre el | obtenido en el primer circuito y el del segundo?
Compare ambas, son iguales? Explique.

b) Justifique matemticamente el valor de Ic en el segundo circuito. Depende del valor de
Ib? De dnde se obtiene dicho valor? Explique.

c) Justifique las diferencias entre los valores calculados tericamente y los prcticos. Por
qu se dan estas diferencias?

d) Defina el concepto de recta de carga y muestre la correspondiente al circuito
estudiado, ubicando los puntos de operacin para los 2 diferentes valores de R2.


10. Conclusiones


11. Recomendaciones


12. Anexos
Hojas de especificaciones del transistor empleado.


Ing. Christian Macas
DOCENTE