Valencia4 - Fisica Del Transistor

TEMA 4 : Fsica de los dispositivos bipolares: el transistor y el tiristor.
I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -131-

TEMA 4: FSICA DE LOS DISPOSITIVOS BIPOLARES: EL
TRANSISTOR Y EL TIRISTOR.
Introduccin.
4.1. La accin transistor.
4.1.1. Modo de operacin activo.
4.1.2. Ganancia en corriente.
4.2. Caractersticas estticas de los transistores bipolares.
4.2.1. Distribucin de portadores.
4.2.2. Expresin de las corrientes terminales: Modelo de Ebers-
Moll.
Modos de operacin.
4.3. Modificacin de las caractersticas estticas.
a) Regin de base gradual.
b) Resistencia de base.
c) Modulacin de la anchura de la base.
d) Corriente de saturacin y tensin de ruptura.
e) Fenmenos de generacin-recombinacin y efectos
de alta inyeccin.
4.4. El modelo de Ebers-Moll.
4.5. El tiristor.
4.5.1. Caractersticas bsicas.
TEMA 4: FSICA DE LOS DISPOSITIVOS BIPOLARES: EL
TRANSISTOR Y EL TIRISTOR.
Introduccin.
Los dispositivos bipolares son dispositivos semiconductores que basan su proceso de
conduccin mediante la participacin de los dos tipos de portadores de carga (electrones
y huecos). Se diferencian de los dispositivos unipolares (que sern estudiados en el
Tema 5),en que estos ltimos basan su proceso de conduccin predominantemente en la
participacin de un solo tipo de portador.
La palabra transistor es un acrnimo que procede del ingls (transfer resistor). El
transistor bipolar fue inventado en el ao 1947 en los Bell Laboratories. Desde esa fecha
hasta la actualidad, el transistor ha sufrido cambios y continuas transformaciones, las
cuales han revolucionado la industria y el estilo de vida actual.
4.1. La accin transistor.
Bsicamente el transistor est formado por dos uniones p-n contrapuestas formando
dos posibles estructuras, la p-n-p y la n-p-n. Fig. 1a muestra la estructura tridimensional
real de cmo est constituido un transistor bipolar del tipo pnp.
Fig. 1: (a) Vista en perspectiva del transistor bipolar de silicio p-n-p. (b) Transistor
idealizado unidimensional.
Aparece en primer lugar un substrato de tipo P sobre el cual hay dispuesta una capa
de tipo N y, finalmente, sobre esta ltima regin se dispone una capa de material p
+
. A
continuacin hay aplicada una capa de xido de silicio (SiO
2
) el cual acta como
aislante, de forma que deja dos huecos o ventanas donde se disponen los contactos
metlicos de las regiones p
+
y n. El contacto metlico para la regin p (substrato) es por
debajo.
Un modelo unidimensional idealizado es el que aparece en Fig. 1b. La regin p
+
fuertemente dopada recibe el nombre de emisor, la regin estrecha de tipo N recibe el
nombre de base y la regin dbilmente dopada de tipo P se denomina colector. Se va a
suponer que la concentracin de sustancias dopantes es uniforme en todas las regiones.
En Fig. 1b el modo de operacin representado es el modo activo en el cual la unin
emisor-base est directamente polarizada y la unin base-colector est inversamente
polarizada. Las corrientes que se indican son las pertenecientes a este modo de
operacin. De acuerdo con la Ley de Kirchhoff aplicada a este dispositivo de tres
terminales, basta con conocer dos de las corrientes para saber la tercera.
Si se tratase del caso del transistor npn, las polarizaciones y sentidos de las corrientes
en este modo de operacin seran inversas. Se discutir el modo de operacin del
transistor tomando como base el de tipo pnp pues es el que proporciona una visin ms
intuitiva del proceso de conduccin y del flujo de los portadores de carga.
En Fig. 2a y 2b se muestran los smbolos elctricos del transistor PNP y NPN:
Fig. 2: Smbolos elctricos del transistor NPN (a) y del transistor PNP (b).
4.1.1. Modo de operacin activo.
A continuacin se va a dar una descripcin cualitativa de cual es la situacin en un
transistor bipolar pnp bajo condiciones de equilibrio trmico y con la polarizacin
correspondiente al modo activo.
Fig. 3a muestra un transistor pnp que se considera en equilibrio trmico con sus tres
terminales a tierra. Fig. 3b muestra las concentraciones de impurezas en cada una de las
regiones. El dopado se supone uniforme en las tres regiones semiconductoras siendo
mayor en el emisor, intermedio en la base y menor en el colector, con uniones abruptas.
La anchura de cada una de las regiones espaciales de carga sobre las distintas regiones
semiconductoras es inversa al dopado de cada una de dichas regiones, como se va a ver
a continuacin.
Debido a la condicin de neutralidad de carga:
A p D n
N x N x
n
A
D
P
x
N
N
x
Teniendo en cuenta esta igualdad:
(
(
,
\
,
,
(
j
+ + +
A
D
n n
A
D
n p n
N
N
x x
N
N
x x x W 1
A
D
n
N
N
W
x
+
1
Adems como
A p D n
N x N x
p
D
A
n
x
N
N
x
(
(
,
\
,
,
(
j
+ + +
D
A
p P
D
A
p p n
N
N
x x
N
N
x x x W 1
D
A
p
N
N
W
x
+
1
A partir de la expresin obtenida para x
n
se observa que ste disminuye al aumentar
la concentracin de impurezas dadoras en el semiconductor de tipo N (N
D
), aumentando
a) b)
cuando disminuye N
D
. Es decir, que la anchura de la regin espacial de carga sobre el
semiconductor de tipo N aumenta al disminuir la concentracin de impurezas dadoras.
Un resultado similar puede ser obtenido para x
p
y la concentracin de impurezas
aceptoras (N
A
) en el semiconductor de tipo P, de manera que al aumentar la
concentracin de impurezas aceptoras disminuye la anchura de la regin espacial de
carga sobre el semiconductor de tipo P.
Fig. 3c muestra la intensidad de campo elctrico existente en las dos regiones
espaciales de carga. Fig. 3d recoge la distribucin de bandas de energa a lo largo de las
dos uniones, mostrando (de la misma forma que en una unin p-n) que el nivel de Fermi
es constante a lo largo de las dos uniones debido a que se est en equilibrio trmico.
Fig. 3: (a) Transistor p-n-p con sus tres terminales a tierra. (b) Perfil de dopado de un
transistor con distribuciones abruptas de impurezas. (c) Perfil del campo elctrico. (d)
Diagrama de bandas de energa en equilibrio trmico.
En Fig. 4a queda representada la situacin en un transistor pnp cuando est sometido
a una polarizacin correspondiente al modo activo, es decir, la unin emisor-base
directamente polarizada y la unin base-colector inversamente polarizada. El tipo de
conexionado que aparece corresponde a la llamada configuracin en base comn puesto
que el terminal de base es comn a los circuitos de emisor y colector. Fig. 4b y 4c
representan respectivamente las concentraciones de impurezas con las nuevas regiones
espaciales de carga y la intensidad de campo elctrico en dichas regiones. Se observa
que, de acuerdo con el tipo de polarizacin efectuada (modo activo), la regin espacial
de la unin emisor-base ha disminuido y la de la unin base-colector ha aumentado con
respecto a la situacin anterior de equilibrio trmico. En Fig. 4c se observa como el
campo elctrico disminuye en la unin base - emisor directamente polarizada y aumenta
en la colector - base inversamente polarizada. Fig. 4d recoge la disposicin de bandas de
energa del transistor donde se observa la disminucin de la altura de la barrera de
potencial en la unin base - emisor y el aumento de sta en la unin colector - base.
Fig. 4: (a) Transistor mostrado en Fig. 2 bajo el modo activo de operacin. (b) Perfiles
de dopado y regiones espaciales de carga bajo condiciones de polarizacin. (c) Perfil
del campo elctrico. (d) Diagrama de bandas de energa.
Con respecto a la unin emisor-base que est directamente polarizada habr una
inyeccin de huecos desde la regin p
+
(emisor) hacia la n (base) y de electrones desde
la regin n (base) hacia la p
+
(emisor), aunque estos ltimos en una menor cantidad al
tratarse de una unin p
+
-n como puede observarse en Fig. 5a y b. En esta figura se
comparan las uniones p-n y p
+
-n en situacin de polarizacin directa, comprobando
como en una unin p
+
-n la cantidad de huecos inyectados en el semiconductor de tipo N
es mucho mayor que la cantidad de electrones inyectados en el semiconductor de tipo P
(comparar ambas reas):
Fig. 5: Concentraciones de portadores minoritarios en situacin de polarizacin
directa en (a) Unin abrupta p-n. (b) Unin abrupta a un lado p
+
-n.
q
q
Suponiendo que las uniones son ideales, no se da el proceso de recombinacin de los
huecos en la regin espacial de carga, en caso de admitirla la corriente de emisor total
estara formada por estas dos componentes. Por otro lado, la unin base-colector est
inversamente polarizada, de forma que se ve favorecida la corriente de electrones de
colector a base y de huecos de base a colector frente a la de electrones de la base al
colector y de huecos desde el colector a la base (corrientes de arrastre referidas a cada
uno de los portadores de carga favorecidas frente a las de difusin).
Si, en esta situacin, se consigue hacer la base lo suficientemente estrecha lo que se
tendr es que los huecos inyectados en la base y difundidos podrn alcanzar la regin
espacial de carga base-colector que est polarizada a favor de este tipo de portadores,
este es el llamado efecto burbuja. Si se consigue que la mayor parte de los huecos
inyectados en la base no se recombinen y lleguen a la unin base-colector se tendr que
la corriente por el circuito de colector estar muy prxima a la del circuito emisor.
Este es la razn por la cual la regin p
+
se denomina emisor pues es el que
proporciona o suministra portadores de carga (en este caso huecos) y la regin de tipo P
se denomina colector pues es la que recibe los huecos emitidos por la regin emisora.
Este es el efecto denominado accin transistor. Dicho efecto consiste en la creacin
de una elevada corriente de portadores en una unin inversamente polarizada
procedentes de una unin directamente polarizada suficientemente prxima. Para ello,
las dos uniones deben estar muy cercanas entre s, en el caso contrario de que la base
sea demasiado ancha, los portadores inyectados en ella procedentes del emisor sern
recombinados en la base sin llegar a alcanzar la unin inversamente polarizada
perdindose, en consecuencia, el efecto transistor.
En Fig 4 puede ser visto que se ha utilizado la siguiente nomenclatura:
W
E
= Anchura de la regin p
+
de emisor.
W
B
= Anchura de la regin n de base.
W
C
= Anchura de la regin p de colector.
W = Anchura de la zona neutra de base.
De esa forma y tomando como origen del eje x (x = 0) el lmite de la regin espacial
de carga de la unin emisor - base con la zona neutra de base, la regin espacial de
carga de la unin emisor - base se extiende entre -x
E
y 0 y la regin espacial de carga de
la unin colector - base se extiende entre W y x
C
(Fig. 4b).
4.1.2. Ganancia en corriente.
Fig. 6 muestra las corrientes que se dan en un transistor pnp operando en su modo
activo. Se supone que no existen fenmenos de generacin-recombinacin en las
regiones espaciales de carga. Si el transistor est bien construido con la base
suficientemente estrecha, la prctica totalidad de los huecos proporcionados por el
emisor (los cuales constituyen la corriente I
Ep
) alcanzan la unin base-colector dando
lugar a la corriente I
Cp
.
Pero adems deber tenerse en cuenta la corriente aportada por la base. Con respecto
a esta regin, hay tres componentes de corriente proporcionadas por sendos flujos
electrnicos, son las corrientes I
En
, I
BB
e I
Cn
.
Fig. 6: Diferentes componentes de la corriente en un transistor p-n-p bajo modo activo
de operacin. El movimiento de los electrones es en sentido contrario al de la corriente
de electrones.
Cada una de estas corrientes es generada por un flujo de electrones generado en la
base, el cual se mueve en sentido opuesto al de la corriente indicada.
De esta forma, I
En
es la corriente generada por el flujo de electrones que circula
desde la base hacia el emisor (puesto que es corriente de portadores mayoritarios en la
unin polarizada directamente). La corriente I
BB
est asociada al flujo de electrones
producido en la base para contrarrestar la desaparicin de electrones debida a la
recombinacin de ellos con la pequea fraccin de huecos que se queda en la base
procedente del emisor, en este sentido I
BB
= I
Ep
- I
Cp
. Finalmente, I
Cn
es la corriente
debida al flujo de electrones que cruza la unin colector-base inversamente polarizada
(portadores minoritarios, sera la corriente de saturacin con el emisor en abierto)
*
.
Contabilizando todas las componentes de corriente se tiene:
Corriente de emisor: I
E
=I
Ep
+I
En
Corriente de colector: I
C
=I
Cp
+I
Cn
Corriente de base: I
B
=I
E
-I
C
= I
En
+ (I
Ep
-I
Cp
)-I
Cn
= I
En
+ I
BB
-I
Cn
Si considerramos la unin colector-base inversamente polarizada de forma
independiente y sin considerar la influencia de la unin emisora, obtendramos una
corriente de saturacin de valor:
n
po n no p
s
L
n D A q
W
p D A q
I

+

donde se ha tenido en cuenta que la base es corta por lo que L

p
>> W, razn por la cual
se ha sustituido L
p
por la anchura de la zona neutra de base (W).
En esta expresin de I
s
, el primer sumando hace referencia al flujo de huecos desde la
base (n) al colector (p) y el segundo sumando hace referencia al flujo de electrones
desde el colector (p) hacia la base (n). En consecuencia:
n
po n
Cn
L
n D A q
I


Si ahora se considera la presencia de una unin emisora prxima, se tiene que, debido al
aporte de huecos procedentes del emisor, el flujo de huecos de base (n) a colector (p) es
mucho mayor que el que se tiene de considerar la unin colectora aislada, es decir:
W
p D A q
I
no p
Cp

>>
Ms adelante se demostrar que:
T K
V q
no p
Cp
EB
e
W
p D A q
I

En ausencia de polarizacin de la unin emisora V

EB
= 0V se puede ver que:
W
p D A q
I
no p
Cp

obtenindose para I
s
el valor expresado al inicio.
Si se deja el emisor en abierto, disminuye la cantidad de huecos en la base hacindose
muy pequea la corriente I
Cp
. En dicho caso:
s Cn
I I
Por tanto, puede decirse que la corriente I
Cn
es la corriente de saturacin de la unin
colectora con el emisor en abierto. La escasa diferencia est en la pequea cantidad de
huecos que pasan de base (n) a colector (p).
A continuacin se va a definir un parmetro muy til en la caracterizacin de los
transistores bipolares llamado ganancia en corriente en base comn,
o
.
E
Cp
o
I
I

O bien:
(
(
,
\
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j
+
+

Ep
Cp
En Ep
Ep
En Ep
Cp
E
Cp
o
I
I
I I
I
I I
I
I
I
El primer factor es llamado eficiencia de emisor, , el cual expresa la fraccin de

huecos inyectada por el emisor en relacin a la corriente total de emisor:
En Ep
Ep
E
Ep
I I
I
I
I
+

El segundo factor se denomina factor de transporte de base,
T
, y expresa la relacin
entre la corriente de huecos que alcanza el colector y la corriente de huecos que es
inyectada por el emisor:
Ep
Cp
T
I
I

Con estas definiciones:
T o

Para un transistor bipolar correctamente diseado, ambos factores deben ser
prximos a la unidad y
o
de igual manera. La corriente de colector puede ser escrita de
la forma:
Cn E o Cn
Ep
T Cn Ep T Cn Cp C
I I I
I
I I I I I + +
(
(
,
\
,
,
(
j
+ +

La interpretacin que se da para I
Cn
es la de la corriente que circula entre la base y el
colector cuando el emisor est en circuito abierto. Por esta razn se la denomina I
CBO
donde las iniciales CBO significan:
CB Unin por la que circula la corriente.
O (Open-circuit) Situacin o configuracin del tercero de los terminales
con respecto al segundo (unin emisor-base en abierto).
De esta forma, la corriente de colector tomar la expresin ms comn:
CBO E o C
I I I +
4.2. Caractersticas estticas de los transistores bipolares.
El objetivo de esta seccin es el de determinar las caractersticas estticas corriente-
tensin en el transistor bipolar, obteniendo adems las corrientes por sus terminales
como una funcin de parmetros caractersticos del semiconductor tales como las
concentraciones de impurezas y el tiempo de vida media de los portadores de carga.
En primer lugar, se determinan las expresiones matemticas de las concentraciones
de portadores minoritarios en las tres regiones neutras, se deducen posteriormente las
corrientes terminales en funcin de las tensiones aplicadas llegando finalmente a un
modelo de transistor de gran aplicacin prctica y que se conoce bajo el nombre de
modelo de Ebers-Moll, el cual es vlido para todas las regiones o modos de
funcionamiento del transistor.
Sin embargo, debido a la gran complejidad matemtica que supone el estudio del
transistor es necesario realizar una serie de suposiciones que permitirn obtener un
modelo analtico muy representativo del comportamiento del transistor en el cual se
hayan despreciado los efectos de segundo orden, los cuales algunos de ellos merecer la
pena que sean considerados por su importancia. Las hiptesis a realizar son las
siguientes:
1.- Se considera que se ha alcanzado el rgimen estacionario.
2.- Se va a utilizar una aproximacin unidimensional (variables dependientes
nicamente de x).
3.- Se desprecian los posibles procesos de generacin-recombinacin en las regiones
espaciales de carga.
4.- Ionizacin total. Las concentraciones mayoritarias debern ser mucho mayores que
la intrnseca (dopado relativamente alto).
5.- Dopado uniforme en cada regin semiconductora y, en consecuencia, se suponen
uniones abruptas.
6.- Se desprecian las resistencias de las tres regiones de manera que el campo elctrico
slo est presente en las dos regiones espaciales de carga.
7.- No se tiene en cuenta la posible ruptura por efecto tnel o zener o por avalancha en
las uniones polarizadas inversamente.
8.- Se supone que el ancho efectivo de la base es constante e independiente de las
tensiones de polarizacin (ausencia del efecto Early, del cual se hablar ms
adelante).
9.- Rgimen de baja inyeccin. Las concentraciones mayoritarias no cambian
apreciablemente de valor con respecto al que presentan en equilibrio trmico y las
concentraciones minoritarias son mucho menores que las mayoritarias
correspondientes.
10 - Se supone que las anchuras de las regiones neutras de emisor y colector son mucho
mayores que la longitud de difusin de electrones.
4.2.1. Distribucin de portadores.
Se obtendrn las concentraciones de portadores en las tres regiones semiconductoras
del transistor bipolar. Debido a la hiptesis nmero nueve bastar con determinar slo
las concentraciones de portadores minoritarios.
Empezando en primer lugar por la base, la concentracin de portadores minoritarios
(huecos) se obtendr a partir de la ecuacin de continuidad con las correspondientes
condiciones de contorno. Para la regin neutra de base (tipo N), no hay campo elctrico
en ella (=0) y la ecuacin de continuidad para los huecos (portadores minoritarios) en
el caso unidimensional y en el estado estacionario:
0 ) (
2
2
p
no n
p
n
p
n
p p n
n
p p
G
x
p
D
x
p
x
p
t
p
La cual se reduce a:
0
2
2
(
(
,
\
,
,
(
j
p
no n n
p
p p
dx
p d
D
como vemos la ecuacin de continuidad se reduce a la de difusin independiente del

tiempo, donde:
p
n
: Concentracin de portadores minoritarios en la base
p
no
: Concentracin de portadores minoritarios en la base en equilibrio trmico
B
i
N
n
2
N
B
: Concentracin uniforme de impurezas dadoras en la base.
D
p
: Coeficiente de difusin.
p
: Tiempo de vida media de los portadores minoritarios.
Las condiciones de contorno, segn lo expuesto en el tema anterior de la unin p-n,
para la obtencin de la variacin de las concentraciones de portadores minoritarios en
cada una de las zonas neutras (de base, colector y emisor) a partir de la resolucin de las
ecuaciones diferenciales de segundo orden correspondientes van a ser las llamadas leyes
de la unin, es decir:
T K V q
po p p
e n x n

/
) (
T K V q
no n n
e p x p

/
) (
donde -x
p
haca referencia al lmite de la regin espacial de carga con la zona neutra de
tipo P y x
n
al lmite de la regin espacial de carga con la zona neutra de tipo N.
Las condiciones de contorno para la resolucin de la ecuacin diferencial que nos
dar la variacin de la concentracin de huecos (portadores minoritarios) en la base
correspondern a los valores de dicha concentracin en los lmites de la zona neutra de
base, es decir, cero y W. En x=0 estamos en el lmite de la regin espacial de carga
emisor - base con la zona neutra de base (tipo N) por lo que aplicando la ley de la unin
correspondiente:
T K V q
no n
EB
e p p

/
) 0 (
En x = W estamos en el lmite de la regin espacial de carga de la unin colector -
base con la zona neutra de base (tipo N). Como la unin colector - base est
inversamente polarizada, la tensin de polarizacin V
CB
ser negativa por lo que
podemos llamarla
CB CB
V V . La condicin de contorno en x = W ser:
0 ) (

T K
V q
no n
CB
e p W p
donde se ha hecho uso de que
q
T K
V
CB

>>
.
Con respecto a las condiciones de contorno estas aseguran, por un lado, la primera
que la concentracin de huecos en el lmite de la regin espacial de carga emisor-base
(x=0) se ve incrementada bajo condiciones de polarizacin directa con respecto a la
concentracin en equilibrio trmico en el factor exponencial
T K V q
EB
e
/
. La segunda
condicin asegura que bajo polarizacin inversa la concentracin de portadores
minoritarios en el lmite de la regin espacial de carga base-colector es cero (x = W).
Con estas condiciones de contorno, la expresin anterior para p
n
(x) toma la forma ms
explcita:
( )
]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j
+
]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j

p
p
no
p
p
T K V q
no n
L
W
L
x
p
L
W
L
x W
e p x p
EB
sinh
sinh
1
sinh
sinh
1 ) (
/
donde
p p p
D L .
Fig. 7 representa la expresin anterior normalizada con respecto a p
no
y en trminos
de W para diferentes valores del parmetro W/L
p
.
Fig. 7: Distribucin de portadores minoritarios en la regin de la base para diferentes
valores de W/L
p
. La distribucin se aproxima a una lnea recta si se cumple:
Se puede observar que, para el caso W/L
p
>>1, la distribucin de portadores
minoritarios se acerca mucho a la distribucin exponencial de una unin p-n aislada. Por
otra parte, si se considera el caso W/L
p
<<1, la distribucin de portadores se aproxima a
una lnea recta dada por:
(
,
\
,
(
j

]
]
]
,
,

W
x
e p
W
x
p x p
T K V q
no n n
EB
1 1 ) 0 ( ) (
/
De manera similar se puede obtener la distribucin de portadores minoritarios en la
regin de emisor (electrones inyectados por la base) con las apropiadas condiciones de
contorno. La ecuacin de continuidad para los electrones en el emisor (zona P) en el
caso unidimensional y en el estado estacionario:
0
2
2
n
po p
n
p
n
p
n n p
p
n n
G
x
n
D
x
n
x
n
t
n
La cual se reduce a:
0
2
2
n
po p p
n
n n
x
n
D
Dado que tanto la regin de emisor como la de colector son regiones de tipo P con lo
que en ambas los portadores minoritarios van a ser los electrones, se van a utilizar los
subndices E y C para identificar cada una de estas zonas. De esa forma la ecuacin
anterior vamos a reescribirla como:
0
2
2
E
Eo E E
E
n n
x
n
D
Las condiciones de contorno son (a partir de las leyes de la unin):

T K V q
E E E
EB
e n x x n

/
0
) (
0
) (
E E
n x n
siendo n
E0
la concentracin de portadores minoritarios (electrones) en el emisor en el
equilibrio. Teniendo en cuenta estas condiciones de contorno se obtiene para n
E
(x) la
siguiente expresin:
( )
E
E
EB
L
x x
T K V q
EO EO E
e e n n x n
+

+ 1 ) (
/
para x (-)x
E
siendo
E E E
D L .
Con respecto al colector, la ecuacin a resolver ser anlogamente:
0
2
2
C
Co C C
C
n n
x
n
D
las condiciones de contorno son (a partir de las leyes de la unin):

0 ) (
/ ) (
0

T K V q
C C C
CB
e n x x n
0
) (
C C
n x n +
siendo n
CO
la concentracin de portadores minoritarios (electrones) en el colector en el
equilibrio. Teniendo en cuenta estas condiciones de contorno se obtiene para n
C
(x) la
siguiente expresin:
C
C
L
x x
CO CO C
e n n x n

) (
) ( para x x
C
donde
C C C
D L .
Se ha supuesto que las anchuras de emisor y colector W
E
y W
C
son mucho mayores que
las longitudes de difusin (W
E
>>
E
L y W
C
>>
C
L ). Los resultados obtenidos
expresados en forma grfica quedan reflejados en Fig. 8:
Fig. 8: Distribucin de portadores minoritarios en las distintas regiones de un
transistor p-n-p bajo modo activo de funcionamiento.
En dicha figura hay un resultado que puede ser interesante y es el relacionado con la
carga total almacenada en la base, Q
B
. Dicha carga puede ser calculada mediante la
expresin:
[ ] dx p x p A q Q
W
no n B

0
) (
siendo A la seccin de la muestra. Como caso especial, para valores p
n
(0) >> p
no
, la
integral puede ser aproximada por el rea encerrada por el tringulo de base W y altura
p
n
(0), es decir:
2
) 0 (
n
B
p W A q
Q

4.2.2. Expresin de las corrientes terminales: Modelo de Ebers-Moll.

Una vez calculadas las concentraciones de portadores minoritarios puede asimismo
obtenerse la expresin de las distintas componentes de la corriente. El transporte de
huecos en la regin neutra de base es debido nicamente al fenmeno de difusin y, en
consecuencia, la corriente de huecos en la regin neutra de base viene dada por:
dx
x dp
D A q x I
n
p p
) (
) ( ) (
La corriente I
Ep
de huecos inyectados por el emisor en la base en x=0 vendr dada
por la expresin:
]
]
]
,
,

0
) (
x
n
p Ep
dx
dp
D q A I
A partir de la expresin obtenida anteriormente para p
n
(x):
( )
) (
cosh
cosh
) (
1
/
p
p
p
no
p
p
T K V q
p
no n
L
W
sinh
L
x
L
p
L
x W
L
W
sinh
e
L
p
dx
dp
EB
(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j

Particularizando en x = 0:
( )
(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j

p
p
no
p
p
T K V q
p
no
x
n
L
W
sinh
L
p
L
W
sinh
L
W
e
L
p
dx
dp
EB
1
cosh
1
/
0
( )
]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
+
(
(
,
\
,
,
(
j

p
T K V q
p p
no
L
W
e
L
W
gh
L
p
EB
cosh
1
1 cot
/
Luego:
( )
]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
+
(
(
,
\
,
,
(
j

]
]
]
,
p
T K V q
p p
no p
x
n
p Ep
L
W
e
L
W
gh
L
p D
A q
dx
dp
D q A I
EB
cosh
1
1 cot ) (
/
0
relacin ltima que puede ser simplificada admitiendo la hiptesis de que W/L
p
<<1 y en
consecuencia:
( )
T K V q
B
i p
B
i p T K V q
B
i p
Ep
EB EB
e
W N
n D A q
W N
n D A q
e
W N
n D A q
I

/
2 2
/
2
1 con 1 <<
p
L
W
donde se ha hecho uso de la expansin y y gh / 1 ) ( cot ; y y sinh ) ( para y<<1 y de la
relacin
B i no
N n p /
2
.
Particularizando tambin I
p
(x) en x = W, se obtiene la expresin de la corriente de
huecos recogidos por el colector.
]
]
]
,
,

W x
n
p Cp
dx
dp
D q A I ) (
A partir de la expresin obtenida anteriormente para
dx
dp
n
y particularizando en x = W:
( )
( )
]
]
]
]
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
+
(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j
(
(
,
\
,
,
(
j

(
(
,
\
,
,
(
j
p
T K V q
p
p
no
p
p
p
no
p
T K V q
p
no
W x
n
L
W
e
L
W
sinh
L
p
L
W
sinh
L
W
L
p
L
W
sinh
e
L
p
dx
dp
EB
EB
cosh 1
1
cosh
1
/
/
Por lo tanto:
( )
]
]
]
]
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
+
(
(
,
\
,
,
(
j

]
]
]
,
,

p
T K V q
p
p
no p
W x
n
p Cp
L
W
e
L
W
sinh
L
p D
A q
dx
dp
D q A I
EB
cosh 1
1
) (
/
O bien:
( )
T K V q
B
i p
B
i p T K V q
B
i p
Cp
EB EB
e
W N
n D A q
W N
n D A q
e
W N
n D A q
I

/
2 2
/
2
1 con 1 <<
p
L
W
donde se ha hecho uso de las relaciones y y ) sinh( ; 1 ) cosh( y para y<<1 y de que
B i no
N n p /
2
.
En cuanto a la corriente de electrones generada por el flujo de electrones de la base al
emisor (en x = - x
E
), I
En
:
]
]
]
]
,
,
,

E
x x
E
E En
dx
dn
D q A I
A partir de la expresin obtenida con anterioridad para n
E
(x):
( )
E
E
EB
L
x x
T K V q
E
EO E
e e
L
n
dx
dn
+

1
/
Particularizando en x = -x
E
:
( ) 1
/

T K V q
E
EO
x x
E EB
E
e
L
n
dx
dn
con lo que:
( ) 1
/

]
]
]
]
,
,
,

T K V q
E
EO E
x x
E
E En
EB
E
e
L
n D A q
dx
dn
D q A I
siendo D
E
el coeficiente de difusin de emisor.
En cuanto a la corriente de electrones generadas por el flujo de electrones del
colector a la base (x = x
C
), I
Cn
:
]
]
]
]
,
,
C
x x
C
C Cn
dx
dn
D q A I
A partir de la expresin obtenida con anterioridad para n
C
(x):
C
C
L
x x
C
CO C
e
L
n
dx
dn

Particularizando en x = x
C
:
C
CO
x x
C
L
n
dx
dn
C
con lo que:
C
CO C
x x
C
C Cn
L
n D A q
dx
dn
D q A I
C

]
]
]
]
,
,
siendo D
C
el coeficiente de difusin de colector.
La corriente neta total de emisor ser la suma de I
Ep
e I
En
, es decir:
( )
12
/
11
1 a e a I I I
T K V q
En Ep E
EB
+ +

donde:
]
]
]
]
,
,
,

+

]
]
]
]
,
,
,

+
(
(
,
\
,
,
(
j

E
EO E
B
i p
E
EO E
p p
no p
L
n D
W N
n D
A q
L
n D
L
W
gh
L
p D
A q a
2
11
cot para 1 <<
p
L
W
y
]
]
]
]
,
,

]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j

W N
n D
A q
L
W
sinh
L
p D
A q a
B
i p
p
p
no p
2
12
1
para 1 <<
p
L
W
En consecuencia:
( )
( )
( )
T K V q
E
EO E
B
i p
T K V q
E
EO E T K V q
B
i p
B
i p T K V q
E
EO E
B
i p
T K V q
En Ep E
EB
EB EB
EB
EB
e
L
n D
W N
n D
A q
e
L
n D
A q e
W N
n D
A q
W N
n D
A q e
L
n D
W N
n D
A q
a e a I I I

]
]
]
]
,
,
,

+

]
]
]
,
,
+
]
]
]
]
,
,
]
]
]
]
,
,
+
]
]
]
]
,
,
,

+

+ +
/
2
/ /
2
2
/
2
12
/
11
1
1
1
donde se ha utilizado que 0 >
>>
q
T K
V
EB
y por tanto 1
/
>>
T K V q
EB
e y
T K V q T K V q
EB EB
e e

/ /
1 .
La corriente total de colector ser la suma de I
Cp
e I
Cn
, es decir:
( )
22
/
21
1 a e a I I I
T K V q
Cn Cp C
EB
+ +

donde:
W N
n D A q
L
W
sinh
L
p D A q
a
B
i p
p
p
no p
(
(
,
\
,
,
(
j
2
21
1
para 1 <<
p
L
W
y

+
(
(
,
\
,
,
(
j
C
CO C
p p
no p
L
n D A q
L
W
gh
L
p D A q
a cot
22
]
]
]
]
,
,
,

+

C
CO C
B
i p
L
n D
W N
n D
A q
2
para 1 <<
p
L
W
En consecuencia:
( )
( )
]
]
]
,
,
+
]
]
]
]
,
,
]
]
]
]
,
,
,

+

+ +

C
CO C T K V q
B
i p
C
CO C
B
i p T K V q
B
i p
T K V q
Cn Cp C
L
n D
A q e
W N
n D
A q
L
n D
W N
n D
A q e
W N
n D
A q
a e a I I I
EB
EB
EB
/
2
2
/
2
22
/
21
1
1
Obsrvese que a
12
= a
21
.
La corriente de base es la resta I
B
=I
E
-I
C
:
( ) ) ( 1 ) (
22 12
/
21 11
a a e a a I
T K V q
B
EB
+

Recordando la expresin de la carga neta Q
B
en la base, as como la de I
C
anterior, se
puede obtener:
B
p n p
C
Q
W
D
W
p D A q
I
(
(
,
\
,
,
(
j
2
2 ) 0 (
expresin que nos dice que la corriente neta de colector es proporcional a la carga de
portadores minoritarios almacenada en la base. La conclusin de este resultado es que
las corrientes de terminal en el transistor vienen gobernadas por la cantidad de carga de
portadores minoritarios almacenada en la base.
Podemos realizar un resumen de las propiedades fundamentales que cumple un
transistor ideal.
1.- La tensin aplicada en terminales controla las densidades de portadores en las zonas
lmite de las regiones espaciales de carga por medio de la exponencial
T K V q
e
/
.
2.- Las corrientes de emisor y de colector en las zonas lmite de las regiones espaciales
de carga vienen dadas por el gradiente de concentracin de portadores minoritarios
(fenmeno de difusin). Dichas corrientes son proporcionales a la carga de estos
portadores almacenada en la base.
3.- La corriente de base se obtiene mediante la diferencia I
B
=I
E
-I
C
.
La eficiencia del emisor puede ahora obtenerse ms explcitamente:
E no
EO
p
E
T K V q
E
EO E
B
i p
T K V q
B
i p
En Ep
Ep
L
W
p
n
D
D
e
L
n D
W N
n D
A q
e
W N
n D A q
I I
I
EB
EB
+
]
]
]
]
,
,
,

+

1
1
/
2
/
2
O bien:
E E
B
p
E
L
W
N
N
D
D
+
1
1
con las expresiones de

no
i
B
p
n
N
2
, concentracin de impurezas en la base y de
EO
i
E
n
n
N
2
, concentracin de impurezas en el emisor. En esta ltima expresin se ve
claramente como para obtener un factor elevado (prximo a la unidad) es necesario
emplear concentraciones ms altas de emisor con respecto a las de la base (
B E
N N >> ),
es por lo que se ha usado dopado p
+
en el emisor.
El factor de transporte de base
T
toma ahora la expresin:
( )
( )
2
2
/
/
2
1 sec
cosh
1
1 cot
cosh 1
1
p p
p
T K V q
p p
no p
p
T K V q
p
p
no p
Ep
Cp
T
L
W
L
W
h
L
W
e
L
W
gh
L
p D
A q
L
W
e
L
W
sinh
L
p D
A q
I
I
EB
EB

(
(
,
\
,
,
(
j
]
]
]
]
]
]
]
,
,
,
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
+
(
(
,
\
,
,
(
j

]
]
]
]
,
,
,
(
(
,
\
,
,
(
j
+
(
(
,
\
,
,
(
j
donde se ha hecho uso de que

2
1
) cosh(
1
) ( sec
2
y
y
y h para y << 1.
Para mejorar
T
ser necesario conseguir la ms baja relacin W/L
p
. Sin embargo L
p
es ms o menos constante y, en consecuencia, se deber reducir W.
Modos de operacin: Un transistor bipolar tiene cuatro modos de operacin, los cuales
dependen de la polaridad de las tensiones en las uniones base-emisor y base-colector.
En Fig. 9 se muestran las tensiones V
EB
y V
CB
para los cuatro modos de operacin en un
transistor pnp. Adems tambin se muestran las concentraciones de portadores
minoritarios para cada una de las tres regiones.
Fig. 9: Polaridades de las uniones y distribuciones de portadores minoritarios de un
transistor p-n-p en los diferentes modos de funcionamiento.
Las expresiones para las concentraciones y corrientes terminales obtenidas
anteriormente corresponden al llamado modo activo, en el cual la unin emisor-base
est directamente polarizada y la unin base-colector inversamente polarizada,
proporcionando las distribuciones de portadores minoritarios de Fig. 8.
El llamado modo de saturacin presenta ambas uniones, emisor-base y base-colector
polarizadas directamente: V
EB
>0 y V
CB
>0 (aunque esta ltima de pequeo valor,
alrededor de 1V para el caso del Si). Para este caso, la condicin de contorno en x=W
vale
T K V q
no n
CB
e p W p

/
) ( en lugar de la empleada para el modo activo dada por
0 ) ( W p
n
, siendo las concentraciones de portadores minoritarios como las mostradas
en Fig. 9. En saturacin, se inyectan huecos desde el colector hacia la base. Estos
huecos estn dirigidos en forma opuesta a los que se inyectan desde el emisor. Como
resultado, las componentes de la corriente de huecos del colector se restan entre s y la
corriente neta de colector disminuye. Cuanto ms directamente se polariza la unin
colector - base, mayor es la inyeccin de huecos en base procedentes del colector y
menor el valor neto de I
C
.
En el tercer modo de funcionamiento ambas uniones emisor-base y base-colector
estn inversamente polarizadas, es el llamado modo de corte. En este caso se tiene para
las condiciones de contorno los valores 0 ) ( ) 0 ( W p p
n n
. No hay prcticamente
carga almacenada en la base y, en consecuencia, la corriente neta de colector es cero. A
nivel circuital, este modo se corresponde con el estado de apertura de un interruptor.
El cuarto y ltimo modo de operacin es el llamado modo invertido. En este modo, la
unin emisor-base est inversamente polarizada y la unin base-colector directamente
polarizada. Es decir, para esta situacin se cambian los papeles entre s el colector y el
emisor. Sin embargo, en este modo de funcionamiento la eficiencia del emisor es ms
baja que en el modo activo debido a que el colector que ahora acta de emisor tiene un
dopado bajo con respecto al de la base.
En todos estos nuevos modos descritos tambin se pueden obtener las expresiones
para las corrientes terminales del dispositivo con las apropiadas condiciones de
contorno. El procedimiento es anlogo al descrito para el modo activo.
Con todo ello pueden obtenerse unas expresiones que son generales y comunes a
todos los modos de operacin. Dichas ecuaciones son conocidas como ecuaciones de
Ebers-Moll y son:
( ) ( ) 1 1
/
12
/
11

T K V q T K V q
E
CB EB
e a e a I
( ) ( ) 1 1
/
22
/
21

T K V q T K V q
C
CB EB
e a e a I
donde los coeficientes a
11
, a
12
, a
21
y a
22
son los obtenidos para el modo activo. Dichas
ecuaciones son las expresiones de las corrientes terminales del transistor en funcin de
las tensiones aplicadas V
EB
y V
CB
. Los coeficientes a
ij
dependen de los parmetros
fsicos del dispositivo. Obsrvese que a
12
= a
21
por lo que se verifica la condicin de
reciprocidad, adems en la prctica, las componentes de corriente de electrones son
mucho menores que las correspondientes a las de los huecos por lo que los coeficientes
a
11
y a
22
son distintos pero bastante prximos, y en consecuencia, las ecuaciones de
Ebers-Moll son casi simtricas.
Las ecuaciones de Ebers-Moll constituyen un modelo terico basado en las hiptesis
realizadas previamente, dichas ecuaciones conducen a modelos circuitales del transistor,
lo que presenta un gran inters desde el punto de vista de la aplicacin prctica. Dichos
modelos sern expuestos posteriormente.
A partir de estas ecuaciones se pueden obtener las curvas caractersticas para el
transistor pnp en configuracin de base comn. Fig. 10 recoge los resultados
experimentales obtenidos para la corriente de colector en funcin de la tensin de
polarizacin V
BC
y empleando como parmetro la corriente de emisor I
E
. Asimismo se
diferencian las tres regiones de funcionamiento ms comunes, para el caso de
configuracin en base comn.
Fig. 10: Caractersticas de salida del transistor p-n-p en configuracin de base-comn.
Observamos que en el modo de saturacin V
CB
>0 y de pequeo valor (V
BC
<0 y
pequeo) y que cuanto ms directamente se polariza la unin colector - base (cuando
V
BC
se hace ms negativo) menor es el valor de I
C
.
Tambin observamos que, de acuerdo con su definicin, la corriente I
CBO
corresponde a la corriente de colector I
C
con el emisor en abierto (I
E
=0).
Aunque de esto se hablar ms adelante, BV
CBO
corresponde a la tensin de ruptura
de la unin colector - base con el emisor en abierto.
En el modo de corte ambas uniones estn polarizadas inversamente. Con respecto a
la corriente I
E
, los electrones, portadores minoritarios generados trmicamente en el
emisor se desplazan hacia la base dando lugar por tanto a una I
E
<0. Para la corriente de
colector I
C
, los electrones, portadores minoritarios generados trmicamente en el
colector se desplazan hacia la base. Este flujo de electrones corresponde a la corriente
I
Cn
, y, por tanto: I
C
= I
Cn
>0 (aunque muy pequea).
Una caracterstica que resalta es la prctica independencia de la corriente de colector
I
c
con respecto a la tensin V
BC
y cmo es prcticamente igual a la corriente de emisor
I
E
para el modo activo. Esta conclusin se puede observar en Fig. 11a donde se expresan
las concentraciones de huecos en x = W para dos casos de polarizacin base-colector.
Fig. 11: Distribuciones de portadores minoritarios en la regin de la base de un
transistor p-n-p. (a) Modo activo, con V
BC
= 0 y V
BC
> 0. (b) Modo de saturacin con
ambas uniones directamente polarizadas.
Concretamente son los casos de V
BC
> 0 y V
BC
= 0. Puede observarse que el gradiente
de concentracin en x = W difiere muy poco para estos dos casos y en consecuencia la
corriente de colector permanece prcticamente constante. Recordar que, en el modo
activo, la corriente de electrones I
Cn
es despreciable frente a I
Cp
:
]
]
]
,
,
+
W x
n
p Cp Cn Cp C
dx
dp
D q A I I I I ) (
Sin embargo, si se desea reducir la corriente de colector a cero deber, ahora dentro
del modo de saturacin, aplicarse una polarizacin V
BC
(-)1V en transistores de silicio
(Fig. 10). De esta forma, la concentracin de portadores minoritarios en la base en los
puntos x = 0 y x = W se har la misma, existiendo un gradiente de portadores nulo y por
tanto la corriente de colector se anular (Fig. 11b).
4.3. Modificacin de las caractersticas estticas.
La descripcin hecha en las secciones anteriores y las ecuaciones que determinan el
modelo del transistor bipolar, han sido realizadas teniendo en cuenta una serie de
suposiciones. No obstante ellas, el modelo que se obtiene satisface el comportamiento
de la mayor parte de los transistores reales. Sin embargo, para valores bajos o elevados
de las polarizaciones existen desviaciones en el comportamiento que deben solucionarse
teniendo en cuenta los efectos de segundo orden. Dichos efectos estn relacionados con
el caso de la distribucin gradual de las impurezas en la base (base gradual), la
resistencia de base, la modulacin de la anchura de la base, la corriente de saturacin y
la tensin de ruptura, el fenmeno de generacin-recombinacin y los efectos de alta
inyeccin. Todos ellos van a ser tratados brevemente en esta seccin.
a) Regin de base gradual. Se ha supuesto en el modelo obtenido que la
concentracin de impurezas en la regin de la base era uniforme. Este hecho en
la prctica no ocurre. Para cualquiera de los procedimientos de fabricacin de
transistores bipolares (difusin, implantacin de iones,...) la distribucin de
impurezas en la base no es uniforme (Fig. 12b) sino ms bien fuertemente
dependiente de la distancia. El diagrama de bandas de energa se muestra en Fig.
12c.
Fig. 12: (a) Vista de la seccin transversal del transistor bipolar. (b)
Distribucin de impurezas en el transistor. (c) Correspondiente diagrama de
bandas en el equilibrio.
Esta no uniformidad en la distribucin de impurezas o gradiente de distribucin
de impurezas crear a su vez un gradiente en la concentracin de electrones y,
por tanto, una difusin de electrones desde la base hacia el colector. En
equilibrio trmico no puede existir una corriente neta por lo que debe haber un
campo elctrico interno de contacto que genere un movimiento de los electrones
en sentido contrario contrarrestando la corriente de difusin de electrones. Dicho
campo elctrico estar orientado en el sentido de favorecer el movimiento de los
huecos inyectados por el emisor. El resultado es que con la distribucin no
uniforme de la base ahora los portadores minoritarios inyectados (huecos) se
movern hacia el colector no slo por difusin sino adems por arrastre cuando
se de una situacin de polarizacin activa.
Se obtienen importantes consecuencias de este hecho:
- Se reduce el tiempo necesario para que los huecos inyectados atraviesen la
regin de base (el campo elctrico creado favorece el movimiento de este
tipo de portadores). Ello supone mejorar la respuesta del transistor a altas
frecuencias.
- Se mejora el factor de transporte de base
T
, debido a que al tardar menos
tiempo en atravesar la regin de base, la probabilidad de que puedan
recombinarse en ella ser menor.
i

Considerando este primer efecto de segundo orden, ahora deber sustituirse en
todos los pasos anteriormente hechos la cantidad N
B
W para el caso de dopado
uniforme por la nueva:

W
B G
dx x N Q
0
) (
es decir, el nmero de impurezas por unidad de rea en la base gradual de
forma que al hacerlo, el modelo obtenido s que explica con ms exactitud el
comportamiento de los transistores bipolares fabricados.
b) Resistencia de base. Para lograr alta ganancia en corriente (cercana a la unidad)
es necesario tener una base suficientemente estrecha, es decir, W
B
pequeo en
Fig. 13:
(a) (b)
Fig. 13: Anchuras de las distintas regiones semiconductoras en la disposicin
tridimensional (a) y en su modelo unidimensional (b).
Sin embargo, en la prctica, la reduccin de W
B
tiene un inconveniente debido
a la configuracin usual de oblea semiconductora de un transistor bipolar (en
Fig. 14a aparece la asociada a un transistor bipolar de tipo pnp) en que aparecen
2 contactos de base dispuestos en la oblea.
Fig. 14: (a) Seccin transversal de un transistor p-n-p mostrando la resistencia
de base. (b) Focalizacin de emisor.
P
P
N
+
W
W
W
E
B
C
P P
N
+
W W W
E B C
Los electrones que fluyen de la base hacia el centro del emisor provocan una
cada de tensin variando el valor de la tensin de polarizacin directa en
funcin de la posicin dentro de la unin base-emisor. Como una primera
aproximacin al problema se calcula la cada de tensin entre el emisor y el
punto A de la base (tensin de polarizacin directa en el punto A de la base) de
la forma:
( )
DB AD
B
EB EA
R R
I
V V +
2
de la misma forma en el punto D (tensin de polarizacin directa en el punto D
de la base):
DB
B
EB ED
R
I
V V
2
valor este ltimo que puede ser sustancialmente mayor si R
AD
es elevada (Fig.
15), lo cual sucede si la base es suficientemente estrecha (W
B
de pequeo valor):
Fig. 15: La resistencia R
AD
es la correspondiente a un bloque de semiconductor
de tipo N aumentando al disminuir W
B
.
Como consecuencia de este hecho, el flujo de huecos inyectados por el emisor
tender a localizarse ms en las zonas del tipo del punto D que del tipo del punto
A, puesto que en el D hay ms polarizacin directa. Es decir, el flujo de
portadores minoritarios se concentrar ms hacia los extremos del emisor que en
su zona central (Fig. 14b).
Este fenmeno es conocido bajo el nombre de focalizacin de emisor y crea
una distribucin no uniforme de la densidad de corriente. Esta focalizacin
puede producir efectos no deseados como la reduccin de la eficiencia de emisor
para altos niveles de inyeccin de portadores.
La manera de poder subsanar este defecto consiste en poder distribuir la regin
del emisor a lo largo de una zona suficientemente amplia, para reducir as la
densidad de corriente. Se requiere una regin de emisor que tenga un permetro
elevado comparado con el rea de su superficie. Un mtodo empleado es el de
disponer el emisor entre la base en la forma que se muestra en Fig. 16. De esta
forma se consigue reducir en gran medida la densidad y la focalizacin de la
corriente.
W
B
d
AD
P
r
o
f
.
R
AD
R =
AD
d
AD
Prof
.
W
B

.
Fig. 16: Transistor con contactos de emisor y base entrelazados.
c) Modulacin de la anchura de la base. Hasta ahora slo se ha considerado las
caractersticas del transistor bipolar en la configuracin de base comn. Sin
embargo, tambin se da muy frecuentemente la configuracin de emisor-comn
(Fig. 17).
Fig. 17: (a) Configuracin de emisor-comn de un transistor p-n-p. (b)
Caractersticas ideales de salida de un transistor p-n-p en configuracin de
emisor-comn. (c) Caractersticas reales de salida de un transistor p-n-p en
configuracin de emisor-comn.
En esta configuracin (Fig. 18), el emisor es comn a los circuitos de entrada
de la base y de salida de colector.
Fig. 18: Configuracin en emisor comn.
Si se cumple que V
EC
> V
EB
> 0, la unin emisor-base estar directamente
polarizada y la unin colector-base inversamente polarizada ya que se tiene que:
P P N
+
Emisor Base Colector
OUTPUT
I
E
I
B
I
C
V
EB
V
EC
(b) (c)
V
CB
= V
CE
+ V
EB
= -V
EC
+ V
EB
< 0
Fijarse que, en el caso V
EC
< V
EB
, se tiene que V
CB
> 0 y, por tanto, la unin
colector - base pasa a estar directamente polarizada pasando al modo de
saturacin. Dentro de este modo, si V
EC
disminuye, V
CB
= V
EB
-V
EC
> 0,
aumenta de modo que aumenta la polarizacin directa de la unin colector-base,
disminuyendo en consecuencia I
C
(aumento de la inyeccin de huecos de
colector a base que se opone a la inyeccin de huecos de emisor a base).
El lmite entre el modo activo de operacin y el modo de saturacin
corresponde por consiguiente a V
EC
= V
EB
, momento en el cual V
CB
= 0.
De forma anloga al caso de la configuracin en base-comn se puede obtener
una expresin para la corriente de colector I
C
.
Se tena que I
B
= I
E
- I
C
Y que I
C
=
o
I
E
+ I
CBO

o
CBO
B
o
o
C
I
I I

1 1
Se define el parmetro ganancia en corriente en emisor-comn
o
al cambio
incremental de la corriente de colector con respecto al cambio incremental de la
corriente de base:
o
o
B
C
o
I
I
1
y se designar como I
CEO
a la cantidad:
o
CBO
CEO
I
I

1
como la corriente de prdidas circulante entre colector y emisor cuando la base
est en circuito abierto (I
B
=0). En consecuencia, I
C
=
o
I
B
+ I
CEO
.
Debido a que el parmetro
o
est muy prximo a la unidad, el parmetro
o
tomar valores elevados. Por ejemplo: si consideramos el caso de
o
= 0.99 se
tendr que
o
=99; si
o
= 0.998 se tendr que
o
=499. Esto significa que un
pequeo aumento en la corriente de base provocar un gran aumento en la
corriente de colector.
Si considerramos un transistor bipolar ideal en configuracin de emisor-
comn, la corriente de colector I
C
sera prcticamente independiente de la
tensin V
EC
(Fig. 17b), tal y como se obtuvo para la de base comn. Sin
embargo, en un transistor real esto no ocurre. Puede observarse en Fig. 17c
como I
C
presenta cierta pendiente con la variacin de V
EC
. Esta variacin se
expresa a partir del fenmeno de modulacin de la anchura de la base, tambin
llamado efecto Early.
Para la ganancia en corriente en emisor comn
o
se puede obtener la
expresin:
2
2
2
1 1 1 W
L
I
I
p
T
T
T
T
o
o
B
C
o

Es decir,
o
es inversamente proporcional al cuadrado de W (la anchura de la
base). A medida que la polarizacin V
EC
aumenta (aumenta la tensin de
polarizacin inversa), la anchura efectiva de la base disminuye (al aumentar la
anchura de la regin espacial de carga) tal y como se muestra en Fig. 19a
provocando un aumento de la ganancia
o
(para una misma I
B
se tendr un valor
I
C
=
o
(I
B
+ I
C
) + I
CBO

mayor para I
C
) y en consecuencia la corriente de colector I
C
dada por la ltima
expresin de I
C
aumenta con V
EC
.
Fig. 19: Distribuciones de portadores minoritarios en la regin de la base para
un transistor p-n-p. (a) En el modo activo con V
EB
= Constante y V
EC
variando.(b) En las condiciones para las corrientes I
CBO
e I
CEO
.
d) Corriente de saturacin y tensin de ruptura. En la prctica, para la
configuracin en base-comn la corriente de saturacin I
CBO
es menor que la
corriente de saturacin de una unin p-n propia, es decir es menor que la
corriente de saturacin de la unin colector- base considerada de forma aislada
(que correspondera a hacer V
EB
= 0V pues si se hace V
EB
= 0V, p
n
(0)=p
no
).
La corriente de colector I
C
viene dada por la expresin:
Cn
W x
n
p Cn Cp C
I
dx
dp
D q A I I I +
]
]
]
,
,
+
El valor de I
Cn
es el mismo si se considera la unin colectora aislada o si se
considera que el emisor est en abierto. Sin embargo s vara el valor de I
Cp
.
La corriente I
CBO
est medida con el emisor en circuito abierto y en
consecuencia el gradiente de concentracin en x = W respecto a x=0 es ms
pequeo que para el caso de considerar la unin p-n colector - base de forma
aislada (V
EB
= 0V) pues en x = 0 la concentracin de huecos es menor (menor
cantidad de huecos inyectados por el emisor), Fig. 19b. Po tanto, en el caso de
tener el emisor en abierto I
CBO
I
Cn
y es menor que la corriente de saturacin
que se obtiene de considerar la unin colectora de forma aislada.
Con respecto a la configuracin en emisor-comn, la corriente de saturacin
I
CEO
corresponde al valor de la corriente de colector cuando la base est en
abierto. Para una tensin de polarizacin V
EC
>0, la unin emisor-base estar
polarizada con una pequea pero positiva V
EB
. El gradiente de concentracin en
x = W con respecto a x = 0 aumenta con respecto a la configuracin de base
comn con emisor en abierto (Fig. 19b), y en consecuencia el valor de I
CEO
es
mayor que el valor de I
CBO
. Este hecho tambin puede obtenerse a partir de
considerar la anterior expresin:
CBO o
o
CBO
CEO
I
I
I

1
lo cual nos dice que I
CEO
es aproximadamente
o
veces mayor que I
CBO
.
Con respecto a la tensin de ruptura, puede observarse en una de las anteriores
figuras (Fig. 10) como la corriente de colector I
C
aumenta muy rpidamente una
vez se va ms all del valor de ruptura indicado BV
CBO
. Este hecho es debido a
la entrada en ruptura por avalancha de la unin base-colector.
Para la configuracin en emisor-comn (Fig. 17b) al llegar V
CE
al valor
indicado por BV
CEO
, entra en ruptura por avalancha la unin base-colector pero,
en este caso, con la base en circuito abierto.
Con respecto a la comparacin de las tensiones de ruptura en las
configuraciones base-comn y emisor-comn, puede obtenerse que el factor de
multiplicacin M en la unin colectora para la configuracin base-comn es:
(
(
,
\
,
,
(
j
CBO
BV
V
M
1
1
donde BV
CBO
es la tensin de ruptura en configuracin base comn con emisor
en abierto y es una constante. Cuando la base se pone en abierto I
E
=I
C
=I. En
esta situacin, se observa que I
CBO
y
o
I
E
son multiplicados por M (Fig. 20) y en
consecuencia:
Como:
E o CBO C
I I I + :
( ) I I I M
E o CBO
+
O bien:
M
I M
I
o
CBO

1
Cuando se da la circunstancia de ser
o
M = 1 la corriente circulante I toma un
valor infinito y debe ser limitada a travs de un circuito externo al transistor.
Luego, la situacin de ruptura para la configuracin de emisor comn es para
o
M = 1. Considerando la condicin
o
M = 1 en la anterior expresin para la
configuracin en base-comn, la tensin de ruptura con la base en abierto en la
configuracin de emisor comn viene dada por la expresin:
( )
1
1
1
1

(
(
,
\
,
,
(
j

o CBO
o
o
CBO o CBO CEO
BV BV BV BV
El silicio tiene un valor de comprendido entre 2 y 6 y un valor elevado de
o
,
en consecuencia la tensin de ruptura en emisor-comn BV
CEO
es mucho menor
que en base-comn BV
CBO
.
Fig. 20: Tensin de ruptura BV
CBO
y corriente de saturacin I
CBO
en
configuracin de base-comn, y correspondientes cantidades BV
CEO
e I
CEO
para
la configuracin de emisor-comn.
Punch-through: Un fenmeno destructivo interesante, distinto de la ruptura por
avalancha, puede tener lugar si la anchura sobre la base de la regin espacial de
carga de la unin colector - base aumenta (debido a la polarizacin inversa de
esta unin) de manera que alcanza la unin base - emisor antes de que ocurra la
ruptura por avalancha. Este fenmeno es el llamado "punch-through". Cuando la
regin espacial de carga de la unin colector - base alcanza la regin espacial de
carga de la unin emisor - base, las regiones de tipo P de emisor y colector del
transistor PNP quedan unidas por una nica regin espacial de carga,
proporcionando un camino de alta conductividad desde el emisor al colector, lo
cual puede conducir a corrientes que daen el dispositivo. La corriente se
incrementa rpidamente y ha de ser limitada por una resistencia externa. En la
mayor parte de los transistores (si estos han sido bien diseados e
implementados), la ruptura por avalancha precede al efecto "punch-through". Sin
embargo, el "punch-through" puede preceder a la ruptura por avalancha si la
base tiene una anchura muy pequea o un dopado relativamente bajo (con lo que
la anchura sobre la base de la regin espacial de carga de la unin colector - base
es grande).
Podra pensarse que para incrementar la tensin a la cual se produce el efecto
"punch-through" una solucin podra ser incrementar el dopado de la base (N
B
)
con lo que disminuiramos la anchura sobre la base de la regin espacial de
carga de la unin colector - base. Sin embargo esto producira el efecto negativo
de una disminucin de la eficiencia de emisor.
En el diseo del transistor se ha de tener en cuenta que la tensin de ruptura por
avalancha de la unin colector - base depende de los mismos factores que ya
vimos en el tema anterior pudindose aumentar disminuyendo la concentracin
ligera de impurezas (en este caso la concentracin ligera de impurezas - aquella
que est en menor cantidades la de impurezas aceptoras en el colector N
C
). Una
vez fijada determinada dicha tensin de ruptura se ha de generar una anchura de
base tal que el efecto "punch-through" en la unin base - colector se produzca a
una tensin superior a dicho valor.
e) Fenmenos de generacin-recombinacin y efectos de alta inyeccin. En toda la
discusin realizada hasta ahora se han despreciado los fenmenos de
recombinacin y generacin de portadores en las regiones espaciales de carga
emisor-base y base-colector. Sin embargo, tanto para un transistor real como en
la unin p-n hay una corriente de generacin de portadores en las regiones
espaciales de carga producidos en las uniones inversamente polarizadas, como
es el caso de la unin base-colector en la configuracin base-comn.
De forma cualitativa puede decirse que la corriente de generacin se suma a
la de dispersin o prdidas y que si predomina la corriente de generacin I
CBO
aumenta en funcin de ( )
2
1
BC
V para una unin abrupta base-colector o de la
forma ( )
3
1
BC
V si la unin base-colector es gradual. Tambin la corriente de
generacin de portadores aumentar el valor de I
CEO
ya que se cumple que I
CEO

o
I
CBO
.
Por otra parte, en la regin espacial de carga de la unin emisor-base
directamente polarizada existe una corriente de recombinacin, y por tanto dicha
corriente se aade a la corriente de base. Esta corriente de recombinacin tiene
un acusado efecto sobre la ganancia en corriente. Fig. 21a muestra la corriente
de colector y la corriente de base en funcin de V
EB
para un transistor bipolar
operando en el modo activo. Para bajos niveles de corriente la corriente de
recombinacin es la componente de la corriente dominante, y la corriente de
base I
B
vara como exp(qV
EB
/mKT), con m 2. Fijarse que la corriente de
colector I
C
no se ve afectada por la corriente de recombinacin emisor-base,
debido a que I
C
es causada fundamentalmente por los huecos inyectados en la
base y que se difunden hacia el colector.
Fig. 21b representa la ganancia en corriente
o
, la cual es obtenida a partir del
cociente entre I
C
y I
B
en trminos del nivel de corriente de colector en una
configuracin de emisor comn. Se observa que para niveles bajos de corriente
de colector, la contribucin de la corriente de recombinacin en la regin
espacial de carga emisor-base es mayor que la de la corriente de difusin de
portadores minoritarios a travs de la base de manera que la eficiencia de emisor
es baja. A medida que la corriente de difusin predomina sobre la de
recombinacin
o
adquiere un nivel constante.
Por otra parte, en rgimen de altos niveles de corriente I
C
,
o
empieza a
disminuir. Ello es debido a que se est en rgimen de alta inyeccin de
portadores pues la concentracin de portadores minoritarios (huecos) inyectados
en la base es comparable a la concentracin de impurezas (N
B
) y los portadores
minoritarios inyectados incrementan de forma efectiva el dopado de la base, lo
cual de hecho causa una disminucin de la eficiencia de emisor. Otro efecto que
contribuye a la degradacin de
o
para altos niveles de corriente de colector es el
efecto de focalizacin de emisor, de forma que la densidad de corriente en la
periferia del emisor puede ser mucho mayor que la densidad de corriente
promedio. En consecuencia, el efecto de alta inyeccin ocurre en la periferia del
emisor, produciendo una reduccin de
o
.
Fig. 21: (a) Corrientes de colector y de base en funcin de la tensin emisor-
base. (b) Ganancia en corriente en configuracin de emisor-comn para el
transistor de (a).
4.4. El modelo de Ebers-Moll.
En secciones anteriores se discutieron los cuatro posibles modos de operacin del
transistor bipolar dependientes de las condiciones de polarizacin de las uniones
emisor-base y colector-base. El modo activo es empleado en circuitos lineales o
analgicos. Sin embargo, en circuitos digitales pueden estar implicados cada uno de los
cuatro modos de operacin. En esta seccin vamos a considerar un modelo para el
transistor bipolar, modelo de Ebers-Moll, que es aplicable a todos los modos de
funcionamiento.
El modelo unidimensional de transistor bipolar pnp representado en Fig. 22a puede
ser reducido a una representacin circuital mediante dos diodos enfrentados con una
regin de tipo N comn (Fig. 22b). Con esta representacin, y para comprender el
funcionamiento del transistor se dir que la corriente directa que circula por un diodo
predominantemente se convierte en corriente inversa por el otro diodo, el cual est
inversamente polarizado.
En Fig. 22c se representa el circuito equivalente del transistor bipolar segn el
modelo de Ebers-Moll. En esta figura se denota por I
F
la corriente que atraviesa la unin
emisor-base, esta corriente ser una funcin de la tensin de polarizacin V
EB
. En el
modo activo, una elevada fraccin de portadores minoritarios (huecos) que salen del
emisor alcanzan el colector. Esta elevada fraccin est representada por el generador de
valor
F
I
F
donde
F
es la ganancia en corriente en configuracin de base-comn.
Fig. 22: (a) Seccin transversal de un transistor p-n-p. (b) Transistor p-n-p
representado como dos diodos p-n conectados ctodo con ctodo. (c) Diagrama
circuital del modelo de Ebers-Moll.
En el modo invertido de operacin, la unin base-colector est directamente
polarizada y la unin emisor-base inversamente polarizada. Este modo est representado
en Fig. 22c mediante la corriente del diodo colector, I
R
la cual es funcin de la tensin
de polarizacin V
CB
. La fraccin de esta corriente que alcanza el emisor es
R
I
R
. El
parmetro
R
es la ganancia en corriente en configuracin de base-comn para el modo
invertido (relacin entre el nmero de portadores minoritarios recolectados por el
emisor y el nmero de portadores minoritarios inyectados en la base procedentes del
colector).
De acuerdo con el circuito equivalente de Ebers-Moll se tiene para las corrientes I
F
e
I
R
(por definicin de corriente en un diodo):
( ) 1
/

T K V q
FO F
EB
e I I
( ) 1
/

T K V q
RO R
CB
e I I
donde I
FO
e I
RO
son las corrientes de saturacin para los diodos emisor-base y colector-
base, respectivamente.
Por otro lado:
R R F E
I I I
R F F C
I I I
Y, por tanto:
R R F F C E B
I I I I I + ) 1 ( ) 1 (
De esta forma puede obtenerse:
( ) ( ) 1 1
/
0
/

T K V q
R R
T K V q
FO E
CB EB
e I e I I
( ) ( ) 1 1
/
0
/
0

T K V q
R
T K V q
F F C
CB EB
e I e I I
ecuaciones que reciben el nombre de ecuaciones del modelo bsico de Ebers-Moll.
Estas ecuaciones muestran la dependencia de las corrientes terminales del transistor en
funcin de las polarizaciones aplicadas V
EB
y V
CB
.
El modelo bsico de Ebers-Moll tiene cuatro parmetros (I
FO
, I
RO
,
F
y
R
) que
pueden identificarse con las constantes a
ij
obtenidas anteriormente:
11
a I
FO

12
a I
RO R

21
a I
FO F

22
a I
RO

Para un transistor ideal a
12
= a
21
=>
RO R FO F
I I . Para un transistor real est
relacin tambin se cumple debido a la caracterstica de reciprocidad en un dispositivo
bipuerta. En consecuencia, slo tres parmetros son necesarios para el modelo bsico de
Ebers-Moll (I
FO
, I
RO
,
F
).
4.5. El tiristor.
El tiristor es un dispositivo semiconductor que se emplea exclusivamente en
aplicaciones donde se requiera pasar de un estado de franca conduccin (ON) a un
estado de corte o apertura (estado de OFF), estas son las llamadas aplicaciones de
conmutacin. Tambin es un dispositivo bipolar y, por tanto, su conduccin hay que
verla en trminos de huecos y de electrones. Este tipo de dispositivos barre un amplio
rango de corrientes y tensiones de funcionamiento, muy superior al de los transistores
bipolares (desde miliamperios hasta 5000A y desde voltios hasta 10kV).
4.5.1. Caractersticas bsicas.
Fig. 23 muestra la estructura tpica interna de un tiristor. Como se observa, est
formada por una sucesin de capas semiconductoras en la forma p-n-p-n. La capa de
tipo P externa comunicada con el circuito exterior mediante un terminal conductor
recibe el nombre de nodo, y la capa de tipo N es el llamado ctodo. Con esta
disposicin inicial sin ningn terminal adicional ms que los del nodo y ctodo, el
dispositivo as formado recibe el nombre de diodo de cuatro capas. Obsrvese que
aparecen adems tres uniones de material semiconductor.
Fig. 23: (a) Diodo de cuatro capas p-n-p-n. (b) Perfil de dopado tpico de un tiristor.
(c) Diagrama de bandas de energa de un tiristor en equilibrio trmico.
Si de forma adicional se aade a la regin interna de tipo P (p2) un terminal de
control externo llamado puerta, resulta en consecuencia un dispositivo de tres terminales
que recibe el nombre de tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR). El smbolo
electrnico del tiristor se muestra en Fig. 24.
Fig. 24: Smbolo electrnico empleado para el tiristor.
El perfil tpico de dopado para un tiristor se muestra en Fig. 23b y en Fig. 25 se
observa un detalle de la construccin del tiristor. En primer lugar se dispone una oblea
de silicio de tipo N de alta resistividad (baja concentracin de impurezas), la cual
configura la regin de tipo n1. Obsrvese en el perfil el dopado uniforme de esta regin
conseguido mediante procesos por transmutacin de neutrones. A continuacin,
mediante tcnicas de difusin se aaden de forma simultnea las regiones p1 y p2 y
posteriormente tambin mediante esta tcnica se obtiene la capa n2.
A
K
G
Fig. 25: (a) Tiristor planar de tres terminales. (b) Seccin transversal unidimensional
del tiristor planar.
Fig. 23c representa la disposicin de bandas de energa en el equilibrio trmico.
Fijarse que en cada unin existe una regin espacial de carga con un potencial de
contacto que es determinado por el perfil de dopado en impurezas.
La caracterstica corriente-tensin de un diodo p-n-p-n se muestra en Fig. 26.
Aparecen cinco regiones bien diferenciadas:
Fig. 26: Caracterstica corriente-tensin de un diodo p-n-p-n.
Regin 0-1: El dispositivo est en su regin de alta impedancia o estado de bloqueo
directo. Comprende toda la regin 0-1 hasta el punto llamado de encendido
con tensin V
BF
y corriente I
s
, a partir del cual cambia de estado. En dicho
punto se cumple que dV/dI=0.
Regin 1-2: El dispositivo manifiesta un comportamiento de resistencia negativa, es
decir, la corriente aumenta al disminuir la tensin.
Regin 2-3: El dispositivo est en su zona de conduccin o de baja impedancia. Se
define el punto (V
H
, I
H
): tensin y corriente de mantenimiento cuando
dV/dI=0.
Regin 0-4: El dispositivo est en su estado de bloqueo inverso.
Regin 4-5: El dispositivo est en su regin de ruptura.
En consecuencia, el dispositivo de cuatro capas as formado es un dispositivo
biestable que puede pasar de un estado de conduccin (alta corriente y baja impedancia)
a un estado de bloqueo (baja corriente y alta impedancia).
Una manera de conocer cual es el proceso de conduccin de un dispositivo de cuatro
capas es la de entenderlo como formado por una disposicin de dos transistores, uno de
tipo pnp y el otro de tipo npn. La base de cada uno de ellos est conectada al colector
del otro y viceversa (Fig. 27).
Fig. 27: Representacin de dos transistores del diodo de cuatro capas.
Respecto al transistor pnp con ganancia en corriente
1
se puede escribir:
1 1 1 1 1 1 1 1
) 1 ( ) 1 ( I I I I I I I
E C E B

donde I
1
I
CBO
para este transistor. Con respecto al transistor npn, de ganancia en
corriente
2
se puede escribir para su corriente de colector:
2 2 2 2 2 2
I I I I I
E C
+ +
siendo I
2
I
CBO
para el transistor 2. Obsrvese que la corriente de base del transistor 1
es suministrada por el colector del transistor npn. Igualando I
B1
a I
C2
, se obtiene:
2 2 1 1
) 1 ( I I I I +
O bien:
) ( 1
2 1
2 1
+
+
I I
I

Tal y como se vio anteriormente, las ganancias en corriente aumentan con la
corriente I. Para bajo nivel de corriente I ambas ganancias
1
y
2
son mucho menores
que la unidad y la corriente I slo est formada por las corrientes de prdidas I
1
e I
2
. Tal
y como la tensin aplicada aumenta lo har I y las ganancias
1
y
2
. Habr un
momento en el cual (
1
+
2
) se aproxime a la unidad haciendo aumentar I
bruscamente, es el momento en que el dispositivo est en estado de conduccin.
Fig. 28 muestra la situacin de cada una de las regiones espaciales de carga en
relacin al estado de conduccin.
Fig. 28: Anchuras de las regiones espaciales de carga y cadas de tensin en el tiristor
operando bajo condiciones de (a) equilibrio trmico, (b) bloqueo directo, (c)
conduccin, y (d) bloqueo inverso.
Fig. 28a: Equilibrio trmico. No hay conduccin. Las anchuras de las regiones
espaciales de carga vienen determinadas por las concentraciones de
impurezas.
Fig. 28b: Bloqueo directo. J1 y J3 estn directamente polarizadas, J2 est inversamente
polarizada, soportando la mayor parte de la tensin.
Fig. 28c: Estado de conduccin. Las tres uniones estn directamente polarizadas. Los
dos transistores (p1-n1-p2 y n1-p2-n2) estn en su modo de saturacin. La
cada de tensin en el dispositivo es muy baja (V
1
- jV
2
j+V
3
) y muy prxima a
la cada de tensin en una unin p-n.
Fig. 28d: Estado de bloqueo inverso. J2 est directamente polarizada y J1, J3 lo estn
inversamente. Por el perfil de dopado mostrado en Fig. 23b la tensin de
ruptura inversa ser determinada fundamentalmente por J1 debido a la menor
concentracin de impurezas en la regin n1.
Fig. 25a muestra un tiristor fabricado mediante un proceso planar con un electrodo
en la puerta (regin p2). La seccin transversal del tiristor limitado por las lneas
discontinuas se muestra en Fig. 25b. La caracterstica corriente tensin en un tiristor es
similar a la de un diodo de cuatro capas p-n-p-n con la salvedad de que aqu es la
corriente de puerta I
g
(Fig. 29 muestra el circuito simblico de un tiristor) quien causa el
aumento del trmino (
1
+
2
), desencadenando el paso a conduccin. Finalmente, Fig.
30 muestra el efecto de la corriente de puerta I
g
sobre la caracterstica corriente-tensin
de un tiristor observndose la variacin de la tensin de ruptura o de ignicin V
BF
. A
medida que la corriente de puerta aumenta, la tensin de ignicin disminuye.
Fig. 29: Circuito simblico de un tiristor.
Fig. 30: Efecto de la corriente de puerta sobre la caracterstica corriente-tensin de un
tiristor.
En Fig. 31a se muestra una sencilla aplicacin del tiristor, en la cual es
proporcionada una potencia variable a la carga R
L
a partir de la tensin de red. La
cantidad de potencia proporcionada a la carga depender del momento en que sean
introducidos los pulsos de corriente de puerta al tiristor (Fig. 31b). Cuanto ms
prximos al inicio de cada ciclo sean introducidos los pulsos de corriente ms potencia
ser proporcionada a la carga. Si los pulsos de corriente se retrasan con respecto al
inicio de cada ciclo, dado que el tiristor no conducir hasta la llegada del pulso, la
cantidad de potencia proporcionada a la carga disminuir.
) ( 1
2 1
2 1 2

+
+ +
I I I
I
g
I
g
Fig. 31: (a) Sencilla aplicacin del tiristor. (b) Formas de onda de las tensiones y de la
corriente de puerta.
Cabe decir que son muchos ms los dispositivos bipolares que se dan en el campo de la
electrnica y de la ingeniera aplicada (diac, triac, ...) y que por cuestiones de tiempo
aqu no se tratarn.

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