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TEMA 2.

PRINCIPIOS FSICOS
DE LOS SEMICONDUCTORES
2 1 Estructura electrnica de los materiales slidos 2.1. Estructura electrnica de los materiales slidos
2.2. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
2 3 P t d lib t t d i d t 2.3. Portadores libres y transporte de carga en un semiconductor
2.4. Generacin y recombinacin de portadores. Propiedades pticas
2.1. Estructura electrnica de materiales slidos
Clasificacin de slidos segn la ordenacin de sus tomos
Los slidos cristalinos son agrupaciones peridicas de una estructura base de
tomos que por traslacin reproduce todo el material cristalino.
La mayor parte de los materiales en electrnica son cristalinos.
Existen siete sistemas cristalinos
En particular nos va a interesar
el sistema cbico (centrado (
en las caras), dado que es el
sistema en el que cristalizan
los semiconductores ms
utilizados
Figura extrada de http://enciclopedia.us.es/index.php/Redes_de_Bravaisll
Red Cbica simple Red Cbica centrada
en cuerpo
Red Cbica centrada
en caras
Sistema cbico
Si (IV) Si (IV)
Ge (IV)
GaAs (III-V)
Figura extrada de http://www.politecnicocartagena.com
Estados de energa para el electrn en el slido
Nos interesa conocer hasta qu punto un material slido puede
conducir una corriente elctrica CONDUCTIVIDAD (o): presencia de
electrones que se puedan mover libremente arrastrados por un
campo elctrico.
La existencia de electrones libres en un slido depende de los estados
(de energa) disponibles y su ocupacin.
ATOMO AISLADO
eV
6 . 13
2
E
n
=
2
n
1 eV = 1.6x10
-19
J
Nmero de e
-
por capa = 2n
2
Si (14)
Figura extrada de http://www.politecnicocartagena.com
ATOMOS EN LA RED CRISTALINA (electrones de valencia)

Energa
Banda
permitida
Banda
Banda
prohibida
Niveles
atmicos
Paso de red
a
0
permitida
Paso de red
a
0
Al aproximarse los tomos en la red cristalina los niveles atmicos se p
desdoblan y forman bandas permitidas separadas por bandas prohibidas.
Las caractersticas de estas bandas dependen de los tomos que formen el p q
cristal y de su estructura cristalina.
Caso particular del Si
BC
GAP
BV
GAP
Los electrones de la banda de valencia pueden abandonar los
enlaces y pasar a ser electrones libres en la banda de conduccin
(mviles en el cristal) y contribuir a la corriente aporte de energa
Energa trmica = 3/2 k
B
T = (300K) = 0.038 eV
Trmica
ptica
Elctrica
k
B
constante de Boltzmann=1.38x10
-23
J/K
Clasificacin de slidos segn el modelo de bandas
Banda llena corriente nula
Banda con estados libres contribuye a la corriente
Segn la anchura del GAP
0.66 GAP eV = (Ge)
(S )
Figura extrada de http://www.esacademic.com
1.12 GAP eV =
1.42 GAP eV =
(Si)
(GaAs)
Clasificacin de slidos segn el modelo de enlace
Si
-
e
-
ligados a enlaces: en BV
e
-
libres: en BC
Si
Si
Si
-
-
-
-
-
-
E
C
Si
-
estructura y enlaces en Si intrnseco
(4 d l i )
E
V
GAP ~ energa de enlace
(4 e
-
de valencia)
La energa trmica puede ser suficiente para romper algunos enlaces y
l t lib ( h )
Aislante.- Energa de enlace elevada (> 6 eV)
Semiconductor Energa de enlace intermedia (< 6 eV)
generar electrones libres (y huecos)
Semiconductor.- Energa de enlace intermedia (< 6 eV)
Conductor o metal.- Energa de enlace muy pequea o nula
vacantes en enlaces: huecos (h
+
) en BV se comportan como cargas positivas (+e)
(G )
E
Banda de conduccin
E
g
(Si) ~ 1,1 eV
E
g
(Ge) ~ 0,7 eV
E
g
T = 0 K
Banda prohibida
T > 0 K
Banda de valencia
Figuras extradas de
www.FFI-UPV.es
Figuras extradas de
http://www.politecnicocartagena.com
Estructura cristalina peridica masa de e
-
y h
+
diferente a la masa del e
-
en reposo
Masa efectiva
Estructura cristalina peridica masa de e y h diferente a la masa del e en reposo
Masa efectiva: electrones en BC m*
n
, huecos en BV m*
p
Ge m*
n
= 0.22 m
0
Si m* = 0 33 m
Para e
-
en BC
Ge m*
p
= 0.31 m
0
Si m* = 0 56 m
Para h
+
en BV
Si m
n
= 0.33 m
0
GaAs m*
n
= 0.067 m
0
Si m
p
= 0.56 m
0
GaAs m*
p
= 0.50 m
0
m
0
=9.109 x 10
-31
kg Normalmente m*
n
< m*
p
e
-
libres en la BC densidad n, carga -e, masa m*
n
Portadores que contribuyen a la corriente en un semiconductor
h
+
en la BV densidad p, carga +e, masa m*
p
e = 1.6 x 10
-19
C
Densidad o concentracin de portadores (n, p): nmero de portadores por unidad de volumen
2.2. Semiconductores intrnsecos y extrnsecos
Semiconductor intrnseco
Cristalogrficamente perfecto, todos los tomos de los elementos propios del semiconductor
Semiconductor intrnseco
Si
-
-
e
-
ligados a enlaces: en BV
e
-
libres: en BC
vacantes en enlaces: h
+
en BV
Si
Si
Si
Si
-
-
-
-
-
-
E
C
GAP ~ energa de enlace
Si
estructura y enlaces en Si intrnseco
(4 e
-
de valencia)
E
V
Si 210
23
e
-
de valencia / cm
3
; a 300 K, E
th
= (3/2) k
B
T = 0.038 eV
~10
10
e
-
/ cm
3
en BC y h
+
/ cm
3
en BV n = p = n
i
densidad intrnseca de portadores
Conductividad o muy baja prcticamente aislante
13 3
2.5 10
i
n cm

=
(Ge)
i
n p n = =
10 3
1.45 10
i
n cm

=
6 3
1.8 10
i
n cm

=
(Si)
(GaAs)
Semiconductor extrnseco
P t l d id d d t d lib ( h
+
) i t d Para aumentar la densidad de portadores libres (e
-
o h
+
) se introducen
tomos de otros elementos (en pequea proporcin) con diferente nmero
de electrones de valencia. Estos tomos sustituyen a los de Si en la red
cristalina Se dice que se dopa el semiconductor cristalina. Se dice que se dopa el semiconductor.
Semiconductor extrnseco tipo N
Se dopa el semiconductor (Si) con elementos del grupo V (As P o Sb) que Se dopa el semiconductor (Si) con elementos del grupo V (As, P o Sb) que
tienen 5 electrones de valencia: IMPUREZAS DONADORAS.
5 e
-
ligado a tomo de impureza: en E
D
E
C
~ energa de ionizacin
5 e ligado a tomo de impureza: en E
D
5 e
-
libre: en BC
E
~ energa de ionizacin
E
D
E
V
E
th
suficiente para liberar el 5 electrn.
Cada impureza deja un e
-
libre (no genera h
+
) y un in (carga fija) positivo
Figura extrada de http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor
Cada impureza deja un e libre (no genera h ) y un in (carga fija) positivo
0
D D D
N N N + =
+
n > p
Semiconductor extrnseco tipo P
Se dopa el semiconductor (Si) con elementos del grupo III (B o Ga) que tienen 3
electrones de valencia: IMPUREZAS ACEPTADORAS.
vacante ligada a tomo de impureza: en E
A
vacante libre: en BV
E
C
E
V
~ energa de ionizacin
E
A
Figura extrada de http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor
E
th
suficiente para liberar la vacante.
Cada impureza deja un h
+
libre (no genera e
-
) y un in (carga fija) negativa
0
A A A
N N N + =

p > n
o aumenta con las impurezas al haber ms portadores libres
Caso particular del Silicio p
Donadores y aceptadores para el Si
1
H
1,008
2
He
4,003
3
Li
4
Be
5
B
6
C
7
N
8
O
9
F
10
Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183
11
Na
22,990
12
Mg
24,305
13
Al
26,982
14
Si
28,086
15
P
30,974
16
S
32,064
17
Cl
35,453
18
Ar
39,948
19 20 30 31 32 33 34 35 36 19
K
39,10
20
Ca
40,08
...
30
Zn
65,37
31
Ga
69,72
32
Ge
72,59
33
As
74,92
34
Se
78,96
35
Br
79,91
36
Kr
83,80
37
Rb
85,47
38
Sr
87,62
...
48
Cd
112,40
49
In
114,82
50
Sn
118,89
51
Sb
121,75
52
Te
127,60
53
I
126,90
54
Xe
131,30 85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30
55
Cs
132,91
56
Ba
137,33
...
80
Hg
200,59
81
Tl
204,37
82
Pb
207,19
83
Bi
208,98
84
Po
(210)
85
At
(210)
86
Rn
(222)
Figura extrada de
www.FFI-UPV.es
Energas de ionizacin:
P E
C
- E
D
= 0 045 eV
E
C
~ energa de ionizacin
E
D
P E
C
E
D
0.045 eV
As E
C
- E
D
= 0.054 eV
E
V
B E
A
- E
V
= 0.054 eV
Al E E = 0 067 eV
E
C
Al E
A
- E
V
= 0.067 eV
E
V
~ energa de ionizacin
E
A
Origen de los portadores libres (e
-
en BC y h
+
en BV):
Intrnseco: transiciones de BV a BC
Extrnseco: ionizacin de impurezas
2.3. Portadores libres y transporte de carga en un semiconductor
Densidad de portadores en un semiconductor
Semiconductor intrnseco:
i
n p n = =
3 2
exp
te
GAP
n C T

=
i
p
13 3
2.5 10
i
n cm

=
10 3
1 45 10
i
n cm

= (Si)
(Ge) 0.66 GAP eV =
1.12 GAP eV =
exp
2
i
B
n C T
K T
=
1.45 10
i
n cm =
6 3
1.8 10
i
n cm

=
(Si)
(GaAs)
1.12 GAP eV
1.42 GAP eV =
Semiconductor extrnseco:
2
i
n p n =
(ley de accin de masas)
El incremento de un tipo de portadores hace que el otro disminuya,
de modo que para una temperatura dada su producto es constante
(condicin de neutralidad elctrica)
+
+ = +
D A
N p N n
(condicin de neutralidad elctrica)
D A
p
Casos particulares:
2
i
n p n =
+
+ = +
D A
N p N n
- Semiconductor tipo N
+
+ =
D
N p n
+
+ + +
~ ~ >> =
D
i
D i D A
N
n
p N n n N N
2
; si ; 0
Semiconductor tipo P
p N n
A
= +

+
>>
i
n
N N N
2
i 0
- Semiconductor tipo P
p N n
A
+

+
~ ~ >> =
A
i
A i A D
N
n N p n N N ; si ; 0
Transporte de carga en un semiconductor
Movimiento de portadores (electrones o huecos) corriente
Movimiento libre de un portador de carga q
(-e electrones, +e huecos, e=1.6x10
-19
C)
b j l i d l t i
*
qEt
qE F
dt
dv
m = =
bajo la accin de un campo elctrico
*
0
m
qEt
v v + =
el portador se acelerara indefinidamente
En realidad el movimiento es una sucesin de:
- Recorridos libres
*
, m E
1
2
5
6
7
- Mecanismos de scattering o colisiones: (tiempo medio entre colisiones)
,
p n
t t ,
3 4
E=0
Equilibrio dinmico: e
-
y h
+
movindose
(aleatoriamente) debido a la energa trmica, pero el
desplazamiento neto es nulo corriente nula
0 = J
* 2
1 3
h B
m v K T =
0 = J
2 2
th B
m v K T =
E0
A pesar de sufrir colisiones, hay un desplazamiento
neto (h
+
en la direccin del campo, e
-
en direccin
contraria), pues los portadores son acelerados en los
recorridos libres corriente no nula
E0
P l t
*
0
n
m
t E e
v v =


Recorrido libre
Para electrones:
*
0
n
n
n
dn
n
E E
m
e
v =
t
=

En media
(velocidad de arrastre de electrones)
*
n
n
n
m
et
=
Movilidad de electrones
*
0
t E e
v v + =


Recorrido libre
Para huecos:
*
*
0
0
p
p
dp
p
E E
m
e
v
m
v v
+ =
t
+ =
+

Recorrido libre
En media
*
p
p
p
p
m
e
m
t
=
(velocidad de arrastre de huecos)
Movilidad de huecos
p

Movilidad
E v E v
p dp n dn

+ = = ;
La movilidad es el parmetro que relaciona la velocidad p q
de arrastre con el campo elctrico que la origina
Unidades tpicas: cm
2
/Vs
*
n
n
n
m
et
=
*
p
p
p
m
et
=

E
n p
m
v = E


v
dp
=
p
E

E
ext
v
dn
= -
n
E
A
Figura extrada de
FFI UPV
significado del signo
www.FFI-UPV.es
Corriente de arrastre
Corriente originada por el movimiento de portadores en presencia de E
AN I

e para e para
- -
n e
d a
qANv I =

+
=
+ +
h para
e para

h para
e para
p
n
N
e
e
q
Si a una barra homognea de semiconductor de longitud L le aplicamos una
diferencia de potencial V entre sus extremos, aparece un campo E=V/L
v = E

+ -
V
v
dn
= -
n
E


v
dp
=
p
E
A
E=V/L
L
Figura extrada de
www.FFI-UPV.es
E V/L
Para electrones:
d a
qANv I =
A
L
n e I
V
L
V
eAn E eAn E An e Anv e I
n an
n n n dn an

= = + = = =
1
) ( ) ( ) (
1 L L V

1
A
L
A
L
R
I
V
o
= = =
luego el semiconductor cumple la ley de Ohm con
n e
n n
= o
conductividad de electrones corriente de arrastre de electrones
E A I
n an
o =
( )
1
cm cm

O o O
Para huecos:
A
L
p e I
V
L
V
eAp E eAp E Ap e Apv e I
p ap
p p p dp ap

= = + = + + = + =
1
) ( ) ( ) (
p p
p e
p p
= o E A I
p ap
o =
conductividad de huecos corriente de arrastre de huecos
Conductividad
En presencia de electrones y huecos:
( ) E A E A I I I o = o + o = + = ( ) E A E A I I I
p n ap an a
o o + o +
) ( E E J
T p n a
o = o + o =
conductividad total p e n e
p n p n T
+ = o + o = o
La conductividad es el parmetro que relaciona la densidad de
i t d t l l t i l i i corriente de arrastre con el campo elctrico que la origina
Unidades tpicas: < ( )
1
cm

O
Electrones y huecos, a pesar de desplazarse en sentidos contrarios,
proporcionan corrientes en el mismo sentido (el del campo elctrico)
debido al distinto signo de su carga debido al distinto signo de su carga.
Corriente de difusin
Difusin: movimiento de partculas desde donde estn en concentracin
alta hacia donde estn en concentracin baja
0 V
dN
0 V
dN
Figuras extradas de
www.FFI-UPV.es
Ley de Fick:
dN
D F =
0 = = V
dx
dN
n
0 = = V
dx
n
ey de c
dx
D F
F flujo de partculas, D coeficiente de difusin, N concentracin de partculas
Si son partculas cargadas corriente de difusin
|
|

|
dN
D A AF I
e para e para
- -
n e
|
.
|

\
|
= =
dx
dN
D qA qAF I
d

+
=
+ +
h para
e para

h para
e para
p
n
N
e
e
q
Para electrones:
dn
eAD
dn
D A e I +
|
|

|
) (
|
.
|

\
|
= =
dx
dN
D qA qAF I
d
Para electrones:
dx
eAD
dx
D A e I
n n dn
+ =
|
.

\
= ) (
D coeficiente de difusin de electrones (cm
2
/s)
corriente de difusin de electrones
D
n
coeficiente de difusin de electrones (cm
2
/s)
Para huecos:
dx
dp
eAD
dx
dp
D A e I
p p dp
=
|
.
|

\
|
+ = ) (
dx dx
. \
D
p
coeficiente de difusin de huecos (cm
2
/s)
corriente de difusin de huecos
significado del signo
Un mismo gradiente de concentracin de electrones y huecos provoca
su difusin en igual sentido (la difusin no distingue el signo de la carga),
d d t t i t d i t i dando por tanto corrientes de signo contrario
Coeficiente de difusin
Parmetro que liga la corriente de difusin
con el gradiente de concentracin que la origina
e
T K
D
D
B
p
p
n
n
=

relaciones de Einstein
Corriente total (arrastre + difusin)
+ = I I I
p n total

|
.
|

\
|
+ = + =
dx
dn
D E n eA I I I
n n dn an n

|
.
|

\
|
= + =
dx
dp
D E p eA I I I
p p dp ap p
Origen de la corriente de arrastre:
presencia de un campo elctrico
Origen de la corriente de difusin: Origen de la corriente de difusin:
presencia de un gradiente de concentracin
2.4. Generacin y recombinacin de portadores
Propiedades pticas p p
En equilibrio trmico: Para una T dada los portadores poseen
Procesos de generacin y recombinacin trmicos
En equilibrio trmico: Para una T dada, los portadores poseen
energa trmica:
Algunos electrones de la BV pueden alcanzar la BC, dejando un hueco
l BV S h f d i
G
th
en la BV Se genera un par e-h: fenmeno de generacin.
Este fenmeno se caracteriza por un parmetro: G
th
(nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo).
Tambin un electrn de la BC puede pasar a la BV (cediendo la
energa en forma de calor) desaparece un par e-h:
fenmeno de recombinacin.
E t f t i t R
n
0
En equilibrio, ambos fenmenos se compensan:
Este fenmeno se caracteriza por un parmetro: R
th
(nmero de pares recombinados por unidad de volumen y de tiempo) R
th
R
th
= G
th
p
0
y son los responsables de que se
mantenga la ley de accin de masas
n
0
p
0
= n
i
2
p
0
Figuras extradas de
www.FFI-UPV.es
siendo n
0
y p
0
las densidades de electrones y de huecos en la BC y BV en equilibrio, respectivamente.
Inyeccin ptica de portadores
Inyeccin de portadores (ptica, elctrica) saca al semiconductor de equilibrio
La concentraciones no son las de equilibrio
EJEMPLO INYECCION OPTICA
luz
EJEMPLO INYECCION OPTICA
Hacemos incidir sobre el SC un rayo de luz
cuya energa es igual o superior que el GAP
del material
luz
del material.
A
c= hu > GAP
SC
h: Cte de Planck: 4.14 10
-15
eV
.
s
u: frecuencia de la radiacin

S
i
GAP
SC
Si la energa de los fotones es absorbida por un
electrn de la BV que pasa a la BC se produce
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

d
e
lSC
electrn de la BV que pasa a la BC se produce
un fenmeno ADICIONAL de generacin llamado
FOTO-generacin aumento de la cantidad de
portadores (tanto electrones como huecos)
Frecuencia radiacin
F
o
t
o
c
o
n
Este fenmeno es la base de los fotodetectores:
aumento de la conductividad que depende de la
iluminacin FOTO-conductividad
Frecuencia radiacin
Energa de los fotones
iluminacin FOTO-conductividad.
Figuras extradas de www.FFI-UPV.es
En situaciones de NO equilibrio trmico: Inyeccin ptica
Tenemos una nueva componente g-r : FOTOGENERACION
Este fenmeno se caracteriza por un parmetro : G
L
Luz
(nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo).
Debido a esa generacin extra los procesos de generacin y
bi i t i i t t t bl l ilib i
G
L
hu >GAP
SC
recombinacin trmicos intentarn reestablecer el equilibrio
(aumentarn los fenmenos de recombinacin). Al final habr
una densidad estacionaria de portadores (diferente a la de
ilib i )
Figura extrada de
www.FFI-UPV.es
equilibrio).
Ahora el nmero de electrones y de huecos en las bandas de
valencia y conduccin ser: valencia y conduccin ser:
n=n
0
+ An An ~ Ap
2
De manera que ya no se cumple la ley de accin de masas
p=p
0
+ Ap
np > n
i
2
De manera que ya no se cumple la ley de accin de masas.
Vida media de los portadores
Tiempo medio que pasa un e
-
en la BC antes de recombinarse
con un h
+
de la BV t
t +G n n
Si cesa la perturbacin (iluminacin) los procesos de recombinacin trmicos hacen
t + =
L o
G n n
t + =
L o
G p p
t = A ~ A
L
G p n
Si cesa la perturbacin (iluminacin), los procesos de recombinacin trmicos hacen
que las concentraciones de portadores recuperen los valores de equilibrio
Energa (frecuencia) de la radiacin y GAP de los diferentes semiconductores
I f j Ult i l t Vi ibl
R
o
j
o
A
m
a
r
i
l
l
o
V
e
r
d
e
A
z
u
l
V
i
o
l
e
t
a
Energa (frecuencia) de la radiacin y GAP de los diferentes semiconductores
InSb Ge Si CdSe
GaAs GaP
CdS SiC ZnS
Infrarrojo Ultravioleta Visible
Al G A
P
y
GaAs
1-y
0 1 2 3
4
E
g
(eV)
(m)
Al
x
Ga
1-x
As
(para entrar en el visible)
7 5 3
1 0.5 0.35
2
( )
Interesa no slo el visible. Muchas aplicaciones: infrarrojo (fibra ptica)
Incremento de la conductividad originado por la absorcin de radiacin
Fotoconductividad y fotodetectores
Incremento de la conductividad originado por la absorcin de radiacin
o A + o = o
o L
En presencia de la radiacin
( )
o p o n o
p n e + = o
o L
En equilibrio
n n n A + =
A + + + + + ) ( ) ( ) ( G
t = A = A
L
G p n portadores fotogenerados
Al iluminar
n n n
o
A + =
p p p
o
A + =
o A + o = t + + + = + = o
0 0 0
) ( ) ( ) (
L p n p n p n L
G e p n e p n e
t + = o A
L p n
G e ) ( fotoconductividad
Si tenemos el semiconductor sometido a un campo elctrico E
I I E A E A E A I
L
A + = o A + o = o =
0 0
permite detectar la iluminacin y su intensidad
fotodetector (bsico)
Emisin de radiacin (luminiscencia)
Consiste en la emisin de radiacin (luz) debida a la prdida de energa de los
Recombinacin
No radiativa: emisin de calor (trmica)
Radiativa: emisin de radiacin (fotones) luminiscencia
GAP h ~ v
( ) p g
electrones cuando se recombinan
Frecuencia de la luz ~ GAP del semiconductor
GAP h ~ v
Radiativa: emisin de radiacin (fotones) luminiscencia
Base de los diodos emisores de luz (LED)
U
hu ~GAP
SC
Resumen de procesos de generacin-recombinacin
Luz
G
L
hu >GAP
SC
G
th
R
th
U
hu ~GAP
SC
Figuras extradas de
www.FFI-UPV.es