Está en la página 1de 8

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012

1

Informe de Laboratorio 8 - Caracterizacion´

Transistores de Union´

Bipolar

Eric F. Herrera, Ivan´

L. Ram´ırez, David E. Ram´ırez

Cod. ´

285843, Cod. ´

223313, Cod. ´

223327

Bogota,´ Colombia

Abstract—This report presents the results obtained in the

laboratory about the characterization of a bipolar junction

transistor (BJT), obtaining two of its characteristic curves and

evaluating various assemblies of polarization. This is achieved by

designing and taking tests in the laboratory for further analysis

of the taken measurements and the results observed, so that

we can identify some important characteristics of the bipolar

transistors. Within the results is important to note the high

transistor dependence of temperature variations,the unreliability

of factor β and the stability of the bias circuit with a voltage

divider. It is very important to know and understand the main

features that define the behavior of a bipolar transistor, because

are those that allow us to make correct decisions when designing

power amplifier circuits.

Resumen—En este informe se presentan los resultados

obtenidos en el laboratorio acerca de la caracterizacion´ de un

transistor de union´ bipolar (BJT o Bipolar Junction Transistor),

obteniendo dos de sus curvas caracter´ısticas y evaluando diversos

montajes de polarizacion. ´ Esto se consigue disenando ˜ y llevando

a cabo pruebas en el laboratorio, para el posterior analisis ´ de las

mediciones tomadas y de los resultados observados, de tal forma

que se puedan determinar algunas caracter´ısticas importantes

que tienen los transistores bipolares. Dentro de los resultados

obtenidos es importante destacar la alta dependencia del transis-

tor de las variaciones de la temperatura,la poca confiabilidad del

factor β y la estabilidad del circuito de polarizacion´ con divisor de

tension. ´ Es muy importante conocer y entender las caracter´ısticas

principales que definen el comportamiento de un transistor

bipolar, ya que son las que nos permitiran´ tomar decisiones

adecuadas al disenar ˜ circuitos amplificadores de potencia.

Palabras Claves—Transistor de Union´

Bipolar (BJT), Curva

´

Caracter´ıstica, Polarizacion,

β o Ganancia de corriente emisor

que definen el comportamiento de los transistores bipolares,

y reconocer las ventajas y desventajas de diversas formas de

polarizacion. ´ para esto se realizaran una serie de pruebas en

el laboratorio, teniendo en cuenta las limitaciones que nos

proveen la exactitud de los instrumentos de medida. El uso

de los transistores de union´

bipolar es muy importante aun, ´

ya que con ellos se logra hacer amplificacion´ de potencia, es

decir posible amplificar tension´ y corriente al tiempo.

II. MARCO TE ´

ORICO

A. Transistor de Union´ Bipolar y sus Curvas Caracter´ısticas

Los transistores de union´ bipolar o BJT’s, son los mas´

comunes entre los transistores y pueden estar fabricados de

germanio o silicio igual que los diodos. Estos transistores son

dispositivos de tres terminales; emisor, base y colector; de

los cuales dependiendo de la configuracion´ y del diseno˜ del

circuito en el que se encuentran, pueden amplificar notoria-

mente una senal, ˜ siendo esta su funcion´ principal [1]. Existen

transistores NPN y PNP; el tipo NPN tiene dos zonas N y una

P que las divide, y el PNP tiene las junturas invertidas. Sus

s´ımbolos se muestran en la Figura 1.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 1 Informe de Laboratorio 8 - Caracterizacion´ Transistores de Union´

comun. ´

Fig. 1.

S´ımbolos de los Transistores Bipolares [1]

 
 

´

  • I. INTRODUCCI ON

Al hacer un analisis ´

de circuitos de un transistor correcta-

El transistor bipolar o BJT es un dispositivo electronico ´

mente polarizado se llega a la conclusion´

de que la corriente

semiconductor que nos permite controlar la corriente que pasa

en el emisor es igual a la suma de la corriente del colector y

entre dos de sus terminales. El nombre bipolar se debe a que la

la de la base generando la siguiente ecuacion: ´

 

conduccion´ tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores

I E = I C + I B

(1)

de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos),

y son de gran utilidad en gran numero ´ de aplicaciones; pero

Al inyectar una corriente en la base de un transistor de union´

tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de

bipolar este por efecto transistor la aumenta β

veces en el

entrada bastante baja y su alta dependencia de la temperatura.

colector, siendo β una caracter´ıstica espec´ıfica de fabricacion´

El transistor de union´ bipolar esta´ compuesto basicamente ´ por

del mismo.

 

tres secciones dos N y una P intercaladas o viceversa, este

I C = β I B

(2)

tipo de transistores tienen caracter´ısticas de funcionamiento

limitadas por lo que han tendido a ser reemplazados por los de

tipo MOSFET, pero su uso es muy importante ya que son muy

eficientes amplificando corriente. Los objetivos de esta labo-

Ya que esta corriente la corriente en la base es tan pequena˜

comparada con la del colector se puede afirmar que la corriente

del emisor y la de colector son aproximadamente iguales [2].

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012

2

Ya que el transistor esta´ formado con junturas N y P (semi-

conductoras), las uniones Base-Emisor y Colector-Emisor

tienen los comportamientos caracter´ısticos de dichas junturas.

Como se puede esperar de la naturaleza de los diodos tanto

como de la union´ Base-Emisor, esta curva caracter´ıstica de

tension´ vs. corriente, tiene una forma exponencial muy similar

a la de un diodo de union´ PN polarizado directamente, como

se ve en la Figura 2.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 2 Ya que el transistor esta´ formado con junturas N

Fig. 2.

Grafica ´

de I C Vs. V BE para Transistores Bipolares[3]

En la Figura 3 podemos observar la relacion´ que existe

entre la corriente de colector y la tension´ entre colector y

emisor. Cada curva muestra como ´ la corriente de colector (I C )

, var´ıa con la tension´ de colector-emisor,(V CE ) , para un valor

espec´ıfico y fijo de la corriente de la base (I B ).

Fig. 3. Grafica ´ de I C Vs. V CE para Transistores Bipolares[3]
Fig. 3.
Grafica ´
de I C Vs. V CE para Transistores Bipolares[3]

B. Polarizacion´ de un transistor MOSFET

la polarizacion´ de un transistor esta dad por las condiciones

iniciales de tension´ DC que nos permiten utilizarlo en sus

diferentes aplicaciones. La seleccion´ del punto de trabajo Q

de un transistor se realiza a traves´ de diferentes circuitos

de polarizacion´ que fijen sus tensiones y corrientes. Las tres

polarizaciones mas comunes se definen a continuacion: ´

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 2 Ya que el transistor esta´ formado con junturas N
Fig. 4. Configuracion´ de Polarizacion´ Fija[?] 1) Polarizacion´ Fija: Fig. 5. Configuracion´ de Auto Polarizacion[ ´
Fig. 4.
Configuracion´
de Polarizacion´
Fija[?]
1) Polarizacion´
Fija:
Fig. 5.
Configuracion´
de Auto Polarizacion[ ´
?]

2) Auto Polarizacion: ´

Fig. 6. Configuracion´ de Polarizacion´ con Dos Fuentes de Tension[ ´ ?]
Fig. 6.
Configuracion´
de Polarizacion´
con Dos Fuentes de Tension[ ´
?]

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012

3

3) Polarizacion´ con Dos Fuentes: Las ecuaciones que

definen el comportamiento de la autopolarizacion son la sigu-

ientes:

2) Curva Caracter´ıstica I C Vs. V CE : Para obtener la curva

I C Vs. V CE se implemento e circuito de la Figura 8

V BB − V BE I B = (4) R B + (1 + β)R E
V BB − V BE
I B =
(4)
R B + (1 + β)R E
V CE = V CC − I C (R C + 1 + β ∗ R E )
(5)
β
R B =
R B1 ||R B2
(6)
V BB = V CC ∗ (
R B2
R B1 + R B2
)
(7)
La polarizacion´ con dos fuentes de tension´ es mucho mas´
estable aunque el que mas´ se utiliza con componentes discretos
es el circuito de auto polarizacion´ (universal o por divisor de
tension). ´
III. PROCEDIMIENTO
A. Curvas Caracter´ısticas
Fig. 8.
Circuito para la obtencion´
de la Curva I C Vs. V CE
1) Curva Caracter´ıstica I C Vs. V BE : Para la obtencion´
de

esta curva caracter´ıstica se implemento el circuito de la Figura

7.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 3 3) Polarizacion´ con Dos Fuentes: Las ecuaciones que definen

Fig. 7.

Circuito para la obtencion´

de la Curva I C Vs. V BE

Para este circuito fue aplicada una tension´ senoidal (V S ) y

se estudio su comportamiento junto con el de las tensiones

V o y V BE . Ademas´ se compararon las graficas ´ de las ondas

de V o y V BE en el osciloscopio por medio del modo X-Y.

Luego se coloco una tension´ DC que se fue variando entre los

limites permitidos del transistor, y se tomaron mediciones de

la corriente I C y de la tension´ V BE , para su posterior analisis. ´

Por medio de este circuito y comparando los dos canales

del osciloscopio mostrados en la Figura por medio del modo

X-Y, podemos obtener la curva caracter´ıstica.

B. Polarizacion´

del Transistor

Para el estudio de diversas formas de polarizacion´ de

transistores bipolares (BJT´s) se disenaron ˜ los circuitos de las

Figuras 9, 10, 11.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 3 3) Polarizacion´ con Dos Fuentes: Las ecuaciones que definen

Fig. 9.

Polarizacion´

Basica ´

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012

4

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 4 Fig. 10. Polarizacion´ Universal Fig. 11. Polarizacion´ con dos
Fig. 10. Polarizacion´ Universal Fig. 11. Polarizacion´ con dos Fuentes de Tension´ De acuerdo a estos
Fig. 10.
Polarizacion´
Universal
Fig. 11.
Polarizacion´
con dos Fuentes de Tension´
De
acuerdo
a
estos requerimientos y
de
acuerdo a
la
Ecuacion´
2,
se
tiene que
la corriente de colector debe ser

de 4mA, utilizando el β menor otorgado por el fabricante

(40). Mediante las leyes de Kirchhoff obtenemos las siguientes

ecuaciones para el circuito de polarizacion´ basica: ´

10V + R b (0.1mA) + 0.7V = 0

10V + 4mA(R c ) + 6V = 0

De donde obtenemos que: R b =93Ky R c =1K. Para el

circuito de polarizacion´ universal escogemos R c =100, y por

medio de la ecuacion´ de malla obtenemos que R E =900.

Ademas es necesario simplificar el circuito por medio del

teorema de Thevenin, del cual se obtiene la siguiente ecuacion: ´

Donde:

I C =

V Th 0.7V

  • = 4mA

R T h

β

+ 900Ω

V Th = 10V (

R b2

R b1 + R b2

) R Th =

R b1 R b2

R b1 + R b2

Para

que

I C

no

dependa

de

β,

es

necesario

que

R T h

β

<<< 900Ω. Tomando una relacion´ de 10:1 tenemos que

R Th =3.6K. Resolviendo estas ecuaciones encontramos que:

R b1 =7.8Ky R b2 6.7K.

para el circuito de polarizacion´ con dos fuentes de ali-

mentacion, ´

la corriente de base requerida era de 0.01mA y

las fuentes de 9V. Tomando β=40 tenemos que I C =0.4mA.

Por medio de las Leyes de Kirchhoff obtenemos la siguiente

ecuacion: ´

I C =

9V 0.7V

R b

β

+ R e

= 0.4mA

Para que I C no dependa de β, es necesario que

R b

β

<<<

R e . Tomando una relacion´ de 100:1 y resolviendo estas

ecuaciones encontramos que: R b =8.2Ky R e 20.5K. Por

medio de las leyes de Kirchhoff, encontramos que R c =9.5K.

Para verificar el correcto funcionamiento de los transistores se

midio´ por medio de multimetros las tensiones en los terminales

del transistor. ademas para verificar la estabilidad de cada

circuito, se calentara el transistor y se verificara la tension´

en el colector para comprar las variaciones que esta pueda

sufrir por la temperatura.

IV.

AN ´

ALISIS DE RESULTADOS

A. Curvas Caracter´ısticas

1) Curva Caracter´ıstica I C Vs. V BE : Al simular el circuito

de la Figura 7, y comprar las graficas ´ de entrada y de salida

obtuvimos los resultados de la Figura 12.

Fig. 12. Resultados obtenidos en simulacion´ para V o y V BE
Fig. 12.
Resultados obtenidos en simulacion´
para V o y V BE

Al conectar una senal ˜ de 1V de amplitud a una frecuencia de

1KHz, y se obtuvieron las formas de onda en el osciloscopio

mostradas en la Figura 13.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012

5

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 5 Fig. 13. Resultados obtenidos en el osciloscopio para V

Fig. 13.

Resultados obtenidos en el osciloscopio para V o y V BE

En esta grafica ´ podemos comprobar el comportamiento de

la juntura Base-Emisor como el de un Diodo, ya que cuando

la senal ˜ esta en su semiciclo positivo o simplemente no ha

superado la tension´ de umbral (V t 0.7V), la juntura Base-

Emisor no conduce corriente y en la grafica ´ observamos la

tension´ DC que parece en la resistencia de 1K. Ahora cuando

supera la tension´ umbral la senal ˜

crece y se invierte por

propiedades de amplificacion´ del transistor.

Al activar el modo X-Y en el simulador o obtenemos la

forma de onda de la Figura 14.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 5 Fig. 13. Resultados obtenidos en el osciloscopio para V

Fig. 14.

Resultados obtenidos en simulacion´

para la Curva V o Vs. V BE

Al activar el modo X-Y del osciloscopio obtenemos la forma

de onda de la Figura 15.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 5 Fig. 13. Resultados obtenidos en el osciloscopio para V

Fig. 15.

Resultados obtenidos en el oscilocopio para la Curva V o Vs. V BE

Luego al tomar las mediciones de la corriente I C

tension´

V BE obtuvimos los siguientes resultados:

y de la

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 5 Fig. 13. Resultados obtenidos en el osciloscopio para V

Tabla I

´

DATOS OBTENIDOS PARA LA OBTENCI ON DE LA CURVA I C VS. V BE

Al tabular estos resultados, obtenemos la grafica ´

de la Figura

16.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 5 Fig. 13. Resultados obtenidos en el osciloscopio para V

Fig. 16.

Curva Caracter´ıstica I C Vs. V BE

Debido a que la juntura Base-Emisor es una juntura P-N, y

esta polarizada directamente (es decir que la corriente fluye de

la base al emisor) la curva caracter´ıstica de esta juntura es muy

similar a la de un diodo de union´ polarizado directamente.

Podemos observar como para pequenos ˜

valores de V BE , la

corriente es casi nula, y que cuando es superada la tension´ de

barrera (V T 0.7V) la corriente empieza a crecer de acuerdo

a la ecuacion´ caracter´ıstica.

2) Curva Caracter´ıstica I C Vs. V CE : Para el circuito de la

Figura 8, se obtuvo en simulacion´

de la Figura 17.

en el Modo X-Y la grafica ´

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012

6

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 6 Fig. 17. Curva Caracter´ıstica I Vs. V obtenida en

Fig. 17.

Curva Caracter´ıstica I C Vs. V CE obtenida en simulacion´

Fig. 19. Resultados obtenidos en simulacion´ para el circuito de Polarizacion´ Fija
Fig. 19.
Resultados obtenidos en simulacion´
para el circuito de Polarizacion´
Fija

Al realizar el montaje en el laboratorio, se obtuvo en el

osciloscopio la grafica ´

de la Figura 18.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 6 Fig. 17. Curva Caracter´ıstica I Vs. V obtenida en

Fig. 18.

Curva Caracter´ıstica I C Vs. V CE obtenida en el osciloscopio

En esta grafica ´

podemos observar la dependencia de la

corriente de colector con respecto a la tension´ en el colector.

Se ven dos zonas, la zona activa y la zona de saturacion. ´

Cuando la tension´ V CE , es mas baja que la tension´ V BE ,

la juntura colector-base queda polarizada directamente y el

transistor deja de estar en el modo activo para pasar a la zona

de saturacion. ´

B. Polarizacion´

del Transistor

Al simular los circuitos disenados ˜

previamente se obtu-

vieron los resultados mostrados en las Figuras 19, 20 y 21.

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 6 Fig. 17. Curva Caracter´ıstica I Vs. V obtenida en

Fig. 20.

Resultados obtenidos en simulacion´

Universal (Divisor de Tension) ´

para el circuito de Polarizacion´

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 6 Fig. 17. Curva Caracter´ıstica I Vs. V obtenida en

Fig. 21.

Resultados obtenidos en simulacion´

con Dos fuentes de Tension´

para el circuito de Polarizacion´

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012

7

Al realizar los montajes de polarizacion´

descritos anterior-

mente se obtuvieron los siguientes resultados:

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012 7 Al realizar los montajes de polarizacion´ descritos anterior- mente

Tabla II

DATOS OBTENIDOS PARA LAS DIFERENTES CONFIGURACIONES DE POLARIZACI ON DEL TRANSISTOR DE UNI ON BIPOLAR NPN

´

´

Como se esperaba los resultados del circuito de polarizacion´

fija no son tan cercanos a los esperados, debido principalmente

a que la polarizacion´ de este circuito depende totalmente del

β del transistor, y el valor exacto del mismo no se tuvo

en cuenta para el diseno. ˜

en el diseno˜ se utilizo un beta

de 40, pero al medir el hFE(DC Forward-Current Transfer

Ratio o β) encontramos que este es de 79. Los circuitos de

polarizacion´ con divisor de tension´ (polarizacion´ universal) y

de polarizacion´ con dos fuentes tuvieron mejores resultados

debido a que en el diseno˜ se busco que la corriente I C , no

fuera tan dependiente del β del transistor.

V. PREGUNTAS SUGERIDAS

A. Curvas Caracter´ısticas

¿Que´ comportamiento se observa en V o en comparacion´

a la entrada sinusoidal V S ?

Como se menciono anteriormente en V S se obtiene una

senal ˜ senoidal recortada, debido a la juntura base-emisor

que se encuentra polarizada directamente y actua´ como

un diodo, y amplificada y reflejada por las propiedades

del efecto transistor en su zona activa.

¿Para cual valor m´ınimo de V BE , el transistor cambia

su estado a encendido?

De acuerdo los datos obtenidos, al medir con

el multimetro que tiene una medida m´ınima de

0.1mA, el transistor se activo al tener una tension´

V BE 648mV. Esta tension´ es la tension´ de barrera de

un diodo polarizado directamente, y como se estudio

anteriormente, esta tension´ subira´ un poco a medida que

la corriente se incrementa rapidamente. ´

¿Que regiones de operacion´ puede identificar en los

graficos? ´

En la curva I C vs. V CE , se pueden identificar la

zona de saturacion, ´

que se tiene cuando el voltaje de

colector cae por debajo de la tension´ de la base y la

union´ Colector Emisor se comporta aproximadamente

como un cable; y la zona activa, en donde se observa un

comportamiento aproximadamente lineal entre I C y V CE .

¿Que´

diferencia puede encontrar entre la grafica ´

de

V O Vs. V BE mostrada en el osciloscopio y la grafica ´

obtenida a partir de los datos?

 

las graficas ´

son bastante

similares, sin

embargo la

pendiente de la corriente es mayor en la curva obtenida

que en el osciloscopio que la obtenida con los datos.

esto se debe a que el osciloscopio evalua´ mucho mas

precisamente punto a punto las dos funciones y se

obtiene una grafica ´ mas detallada.

B. Polarizacion´

del Transistor

¿Que´ puede concluir acerca del β del transistor?

El β es la ganancia que existe entre la corriente de base

y la corriente de colector. Es un factor que debe, en lo

posible, no tenerse en cuenta para el diseno˜ de circuitos

de polarizacion. ´ Esto es debido a que el fabricante nos

entrega un rango bastante amplio de hFE que no lo

hace muy confiable. Ademas´ en dado caso de tener

que cambiar el transistor, es imposible encontrar otro

que tenga el mismo β que el anterior, por lo tanto el

circuito presentar´ıa fallas si fue disenado ˜ en base a un β

especifico. Ademas´ este factor tambien´ se ve afectado

por la temperatura, lo que lo hace aun menos estable.

¿Cual´ de las configuraciones es mas´ estable con respecto

a la variacion´ de la temperatura y por que?´

Las caracter´ısticas que dependen de forma importante de

la temperatura son la tension´ V BE , y la corriente inversa

de la union´ colector-base (I C0 ), incluyendo variaciones

en el β y en la corriente de base como consecuencia de

las junturas P y N (semiconductores) que componen el

transistor. por esta razon´ todas las configuraciones se

ven afectadas por los cambios en la temperatura. Sin

embargo la configuracion´ universal y la configuracion´ de

polarizacion´ con dos fuentes son un poco mas estables

que la polarizacion´ fija, debido a que esta depende

totalmente de todos los factores que se ven directamente

afectados por la temperatura.

¿Cual´

es

la posible aplicacion´

de cada una de las

configuraciones de polarizacion? ´

 

Debido a que la configuracion´ de polarizacion´ fija, varia

sus parametros ´

con la temperatura, esta polarizacion´

podr´ıa funcionar como un sensor de temperatura, y se

funcionaria con algunas de las caracter´ısticas principales

que se alteran cuando cambia la temperatura, tales como

la corriente de colector o la tension´ V BE . Las otras

dos polarizaciones, pueden ser utilizadas en circuitos

amplificadores debido a que se comportan bien ante los

cambios de temperatura, y se fijan las condiciones de

polarizacion´ facilmente ´ en el diseno. ˜

 
 

VI. CONCLUSIONES

Al

polarizar un transistor BJT, la union´

Base-Emisor

(Juntura P-N en un transistor NPN) tiene un compor-

UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, JUNIO 2012

8

tamiento muy similar al de un diodo de union´ polarizado

directamente.

Para que circule corriente entre la base y el emisor

del transistor BJT, es necesario superar una tension´ de

barrera (V T ), caracter´ıstica delas junturas P-N polarizadas

directamente.

Existe una dependencia dela corriente de colector sobre

la tension´ en el colector, que no es perfectamente lineal y

que define las zonas de saturacion´ y activa del transistor

 

bipolar.

La ganancia de corriente emisor comun´ (β o hFE), es

un parametro ´

variable e inestable, del cual no deben

depender los parametros ´ de polarizacion´ deseados, debido

a que podr´ıan alterar radicalmente el circuito.

La temperatura es un factor que altera bastante el com-

portamiento de los transistores bipolares. esta es una de

las razones por las cuales fueron desplazados por los

transistores tipo MOSFET.

El circuito de polarizacion´ universal o por divisor de

tension´ es el circuito que mas estable mantiene las

corrientes y tensiones de polarizaciones definidas, debido

a que los factores que generan variaciones (temperatura,

cambios en el β, etc) no alteran las condiciones de la

polarizacion´ o son compensadas entre si.

REFERENCIAS

[1]

Transistor bipolar o BJT. Recuperado el 2 de Junio de 2012 del sitio

web: http://www.unicrom.com/Tut transistor bipolar.asp

 
 

´

[2] Villalba

G.,

Zamora

M.TRANSISTORES

DE

UNI ON

BIPOLAR

 

(BJT).

Recuperado

 

el

3

de

Junio

de

2012

del

sitio

web:

http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-electronicos/material-

de-clase-1/tema-3.-transistores-de-union-bipolar-bjt.pdf

 

[3] Vasquez ´

G.,

Sergio.

(2009)Curves

Characteristic

.

Recuperado

 

el

2

de

Junio

de

2012

del

sitio

web:

http://www.st-

andrews.ac.uk/www ˜

pa/Scots Guide/info/comp/active/BiPolar/bpcur.html

[4] Circuitos

 

de

polarizacion´

de

transistores

bipolares.

 

Recuperado

el

2

de

Junio

de

2012

del

sitio

web:

http://www.unicrom.com/Tut circuitos polarizacion transistor bipolar.asp