ESCUELA POLITCNICA DEL EJRCITO

ELECTRNICA 1
NOMBRE DEL ALUMNO: Alexander Dueas NOMBRE DEL PROFESOR: Ing. Margarita Medina FECHA: 15 de noviembre del 2010 Trabajo Preparatorio Determinar el punto de operacin para un transistor en polarizacin fija del siguiente circuito:

Q=

IC IB IE VE VB VC VCE

Vcc

IB

IC VC VB IE =52,6 VE

Simulaciones:

Channel_A: VC = VCE Channel_B: VB Channel_C: VE

Determinar el punto de operacin para un transistor en autopolarizado del siguiente circuito:

Q=

IC IB IE VE VB VC VCE

Vcc IB IC VC =55 VE

VB IE

( ( ( ) )

Simulaciones:

Channel_A: VC Channel_B: VB Channel_C: VE

VCE

Determinar el punto de operacin para un transistor polarizado por divisor de tensin en el siguiente circuito:

Q=

IC IB IE VE VB VC VCE

Vcc

RB1 IB VB

IC VC =130 VE

RB2

IE

Vcc IC VC VB IB VTh RTh IE =130 VE

( ( ( ) )

Simulaciones:

Channel_A: VC Channel_B: VB Channel_C: VE

VCE