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UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA COMPUTACION ELECTRONICA BASICA SEMICONDUCTORES


INTERGRANTES: ESTEBAN CALVOPIA, PABLO GUANOLUISA

1. SEMICONDUCTORES Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio. Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

Fig1.1. semiconductores circuitales Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo. El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos: - Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila. - Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila. - Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio. - Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.

2. Materiales Intrnsecos y extrnsecos 2.1 Semiconductores intrnsecos Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica. En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares. 2.2 Semiconductores extrnsecos Se forman aadiendo pequeas cantidades de impurezas a los semiconductores puros. El objetivo es modificar su comportamiento elctrico al alterar la densidad de portadores de carga libres. Estas impurezas se llaman dopantes. As, podemos hablar de semiconductores dopados. En funcin del tipo de dopante, obtendremos semiconductores dopados tipo p o tipo n. 3. Semiconductores P y N En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas aadidas voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado, utilizndose dos tipos: Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio y el arsnico. Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio. Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del

silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo N. En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.

Fig.1.2. Semiconductores tipo P y N

3.1 Unin PN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN. Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn

interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse. Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de potencial que repele los huecos de la regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a temperatura constante.

pila ensancha la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones negativos en la regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones y huecos a travs de la unin. La unin PN se comporta de una forma asimtrica respecto de la conduccin elctrica; dependiendo del sentido de la conexin, se comporta corno un buen conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso).

3.2 Unin PN polarizada en directo


Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el polo negativo a la regin N, la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contrario. Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la unin PN se hace conductora, presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es contrario al convencional establecido para la corriente elctrica. 4. Materiales de nueva tecnologa Semiconductores: Materiales como el silicio, galio o selenio, arseniuro de galio, etc., cuya resistencia al paso de la corriente depende de factores como la temperatura, la tensin mecnica o el grado de iluminacin que se aplica. Con ellos se fabrican microchips para ordenadores y circuitos de puertas lgicas.

Superconductores: Materiales como el mercurio por debajo de 4 K de temperatura, nanotubos de carbono, aleaciones de niobio y titanio, cermicas de xidos de itrio, bario y cobre, etc., que al no oponer resistencia al paso de la corriente elctrica, permiten el transporte de energa sin prdidas. Piezoelctricos: Materiales como el cuarzo, la turmalina, cermicas y materiales plsticos especiales, dotados de estructuras microcristalinas, que poseen la capacidad de transformar la energa mecnica en elctrica y

3.3 Unin PN polarizada en inverso Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el polo negativo a la regin P (figura 6), la tensin U de la

viceversa. Se utilizan como sensores y actuadores en dispositivos electrnicos como relojes, encendedores, micrfonos, radares, etc.

5. Conclusiones Se debe tener en cuenta el tipo de material empleado en un sistema de circuitos para as mejorar su rendimiento y sea ms sencillo analizarlo. Usar el semiconductor adecuado para evitar el desgaste y posible dao del mismo. Cada semiconductor tiene una funcin especfica, se debe emplearlo de una manera correcta.

BIBLIOGRAFIA Semiconductores archivo PDF, www.etitudela.com/Electrotecnia/do wnloa s intro u ion.p