UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

APLICACIONES DE UN CIRCUITO GENERADOR DE CORRIENTE CONSTANTE

UYAGUARI CHRISTIAN.
cuyaguarip@est.ups.edu.ec cuyaguarip@gmail.com. UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA. El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto ms dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la corriente. La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinacin en la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector, como veremos ms adelante. Adems, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposicin se tratase. El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de esta regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que provienen del emisor. PRINCIPIO DE OPERACIN DEL BJT REGION DE CORTE No circula corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la condicin: IE = 0 IE < 0 (Esta ltima condicin indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento normal). Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en directa la unin base-emisor del mismo, es decir, basta con que VBE=0. REGION LINEAL. La regin activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada en directa y la colector-base en inversa REGION SATURACION. En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin base-emisor como la base-colector se encuentran en directa.
Ilustracin 1 Transistor BJT

I. INTRODUCCION En esta prctica vamos a investigar otro tipo de aplicaciones de los transistores FET y BJT. A modo de investigacin podemos decir que estos transistores a ms de amplificadores pueden tener varias aplicaciones como generadores de seal diente de sierra y generadores de corriente constante como lo desarrollaremos a continuacin en la prctica.

II. OBJETIVOS 1. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de un circuito generador de corriente constante con: a) Transistor BJT b) Transistor FET 2. Disear calcular y comprobar el Funcionamiento de un circuito que carga linealmente un condensador en 3 segundos. 1. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de un circuito generador de onda diente de sierra.

III. MARCO TEORICO. TRANSISTOR BJT El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP

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Ilustracin 2 Curvas caractersticas en emisor comn.

Ilustracin 4 Esquema del transistor JFET de canal N polarizado con la tensin de bloqueo.

TRANSISTOR JFET El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Una de las caractersticas ms importantes del FET es su alta impedancia de entrada. Los FET son ms estables a la temperatura que los BJT, y en general son ms pequeos que los BJT, lo que los hace particularmente tiles en chips de circuitos integrados (CI).

REGION LINEAL. Si en la estructura de la Ilustracin 2 se aplica una tensin VDS mayor que cero, aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones segn sea VDS grande o pequea en comparacin con VGS. REGION DE SATURACION. Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Ilustracin 3).

Ilustracin 3 Transistor de efecto de campo.

PRINCIPIO DE OPERACIN DEL JFET REGION DE CORTE Aplicando una tensin VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de depleccin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin. Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la regin de agotamiento se extender completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del mismo se har infinita y se impedir el paso de ID (Ilustracin 2). El potencial al que sucede este fenmeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP). Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el transistor JFET se encuentra polarizado en la regin de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.
Ilustracin 5 Esquema del transistor JFET de canal N en la regin de corriente constante

CURVA CARACTERISTICA. En primer lugar, en la representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se aprecia claramente el paso de la regin de corte a la de saturacin (Ilustracin 4). En la prctica slo se opera en el segundo cuadrante de la grfica, puesto que el primero la VGS positiva hace crecer rpidamente IG.

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.- Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. .- Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. .- Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenajefuente.
Ilustracin 6 Caracterstica VGS - ID del transistor JFET

En la caracterstica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturacin (Ilustracin 5). En la regin lineal, para una determinada VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensin VDS. Sin embargo, este crecimiento se atena hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturacin, en donde ID slo depende de VGS.

.- La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. .- Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes. .- La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el terminal de control. .- Una seal muy dbil puede controlar el dispositivo. .- La tensin de control se emplea para crear un campo elctrico. DESVENTAJAS QUE LIMITA LA UTILIZACION DEL FET. .- Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.

Ilustracin 7 Caracterstica VDS - ID del transistor JFET

ECUCIACION DE SHOCKLEY. ( )

.- Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. .- Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. GENERADOR DE ONDA DIENTE DE SIERRA La onda diente de sierra es una de las formas de onda peridicas de mayor importancia en la electrnica esta se usa extensivamente como base de tiempo en osciloscopios indicadores de radar y otras incontables aplicaciones. Debido a que la onda de perfil es parecida a una sierra se denomina onda diente de sierra.

Ilustracin 8 Ecuacin de Shockey

Dnde: Vp.- es la tensin de puerta que produce el corte en el transistor FET. IDSS.- es la corriente mxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS, cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 V. VENTAJAS DEL FET. .- Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada

Ilustracin 9 Onda diente de sierra

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A.- CIRCUITO GENERADOR DE CORRIENTE CONSTANTE BJT

B.- GENERADOR DE CORRIENTE CONSTANTE CON TRANSISTOR FET

.- ESQUEMA.

.- ESQUEMA.

Ilustracin 11 Polarizacin con Resistencia de Source

Ilustracin 10 Generador de Corriente Continua .-FUNCIONAMIENTO.

.-FUNCIONAMIENTO.

El circuito funciona con dos transistores Bjt la finalidad de este es hacer que la corriente de salida en el transistor Q2 sea la misma que no vari. Para comprobar esto optamos por colocar varias resistencias R2 de distintos valores y comprobar con los datos generados en la tabla de mediciones.

El circuito funciona con un transistor FET la finalidad de este es hacer que la corriente de salida en el transistor Q2 sea la misma que no vari. Para comprobar esto optamos por colocar varias resistencias RD de distintos valores y comprobar con los datos generados en la tabla de mediciones.
TABLA DE DATOS PARAMETRO VDD VALOR 12 V -2 V 6V PARAMETRO IDSS ID VALOR 8 mA 3 mA

TABLA DE DATOS PARAMETRO 1 1 Ic VALOR 270 360 3 mA PARAMETRO R2 VALOR VARIABLE

Vp VDS

Vamos a calcular el voltaje Gate-Source para lo cual basndonos en los datos impuestos procedemos a calcular.

Vamos a calcular el valor de la resistencia R1.

( ) Anlogamente calculamos el valor de R ( )

La resistencia R1 colocamos un valor de 1M darle estabilidad al punto de trabajo.

para

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C.- CARGAR LINEALMENTE UN CONDESADOR.

.- ESQUEMA.

D.- GENERADOR DIENTE DE SIERRA.

.- ESQUEMA.

Ilustracin 12 Circuito de carga Condensador 3s Ilustracin 13 Generador Diente de Sierra.

.-FUNCIONAMIENTO.

.-FUNCIONAMIENTO.

Este circuito es un circuito utilizando una compuerta 555 la cual funciona como oscilador y me genera una seal de onda cuadrada, dependiendo de los parmetros de resistencia y capacitancia obtendremos una seal de ingreso lo suficientemente necesario para cargar el condensador en

El funcionamiento del generador Diente de sierra es mediante la carga y descarga de un condensador cuya seal esta comandando por un transistor BJT.

TABLA DE DATOS PARAMETRO VALOR 194 60Hz 12 V PARAMETRO R1 = 100K R2 = 1k Ci = 10uF -12V PARAMETRO

TABLA DE DATOS PARAMETRO tc td C VALOR 3s 3s 1200uF PARAMETRO VALOR

Fc Vcc

Calculamos los tiempos de carga y descarga.

Calculamos el valor de las resistencias.

IV. MATERIALES La lista de materiales esta enumerados en la siguiente tabla cada elemento es de fcil adquisicin.

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LISTA DE MATERIALES Cantidad 1 9 1 5 Descripcin Transistor Fet Resistencias Cable Condensador V. unitario 0.50 0.03. 0.40 0.40 Total Usd. 0.50 Usd 0.60 Usd. 0.40 Usd. 2.00

1.75 k 1.45k 4.62 k 15.31k 0.2 M

3.1 mA 3.3 mA 1.5 mA 0.5 mA 0.001 mA

3.28 mA 3.41 mA 1.51 mA 0.58 mA 39.968 uA

Ahora comprobaremos los valores medidos con los valores simulados.

V. LISTA HERRAMIENTAS Y EQUIPOS MATERIALES: Sonda para osciloscopio. Protoboard Cuaderno HERRAMIENTAS: Fuente DC. Multmetro. VI. DESARROLLO DE LA PRCTICA.
Ilustracin 15 Simulacin

A.- CIRCUITO GENERADOR DE CORRIENTE CONSTANTE BJT

Ilustracin 14 Circuito generador de Corriente Constante

Armado el circuito probamos en el laboratorio obteniendo las siguientes mediciones con el multmetro. Resistencia. 2.44k 3.07k 2.3k 2k 1.9 k Ic 2.8 mA 2.4mA 2.7 mA 2.9 mA 3.1 mA Ic s. 2.82 mA 2.51mA 2.82 mA 2.951 mA 3.28 mA

Ilustracin 16 Simulacin con valores altos

B.- GENERADOR DE CORRIENTE CONSTANTE CON TRANSISTOR FET

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. Ilustracin 17 Circuito Generador de corriente Constante

Ilustracin 19 Circuito de carga para condensador.

Armado el circuito probamos en el laboratorio obteniendo las siguientes mediciones con el multmetro. Resistencia. 3.7k 3.2k 3k 2.8 k 2.6 k 2.4 k 3.8k 4.67 k 10 k 15k 22 k Ic 3 mA 2.82 mA 2.7 mA 3.08 mA 3.1 mA 3.2 mA 3.27 mA 2.15 mA 1 mA 0.07 mA 0.4 mA Ic s. 3 mA 2.82 mA 2.797 mA 3.08 mA 3.1 mA 3.01 mA 3.02 mA 2.15 mA 1.34 mA 0.07 mA 0.41 mA

Armado el circuito probamos en el laboratorio obteniendo las siguientes grafica en el osciloscopio.

Ilustracin 20 Grafica del Condensador en tiempo de carga 3.0 s

Ahora comprobaremos los valores medidos con los valores simulados.

Ilustracin 21 Grafica carga del condensador en tiempo de carga 3.040s

Ilustracin 18 Simulacin

C.- CIRCUITO DIENTE DE SIERRA C.- CARGAR LINEALMENTE UN CONDESADOR.

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sierra mediante un Bjt y un condensador que constantemente se carga y descarga mediante la accin se podra decir de interruptor del transistor Bjt. This practice served me for stranger and a little know what would be other applications of the Fet, there was a problem at the time of obtaining the capacitor charge in three seconds i could not get the expected result, then when a little reading and researching i found a circuit called saw tooth or signal rail type based on the theory found there i was able to get a sawtooth signal through a BJT and a condenser that is constantly loading and unloading through the action could also be said of the transistor switch Bjt. VIII. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS. [1] Ttulo: ANALISIS INTRODUCTORIO DE CIRCUITOS. Boylestad, Robert. 8va Edicin, 1999 [2]http://cenicasol.chica.org.ni/wpcontent/uploads/20 12/07/Tema1.pdf [3]http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRONI CA/PolFET01H.pdf [4] Libro PPRACTICAS DE ELECTRONICA Paul B Zbar, Albert Paul lalvino, Michael A Miller. Pg. 261-263 [4] Libro PPRACTICAS DE ELECTRONICA Paul B Zbar, Albert Paul lalvino, Michael A Miller. Pg 261-263 [5] http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema5.pdf

Ilustracin 22 CIRCUITO DIENTE DE SIERRA

Armado el circuito probamos en el laboratorio obteniendo las siguientes grfica.

Ilustracin 23 Grafica de onda obtenida en el osciloscopio

Ilustracin 24 Grafica de la onda simulada

VII. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES Esta Prctica me sirvi para orientarme y un poco saber de cuales seran otras aplicaciones del Fet, hubo un inconveniente al momento de obtener la carga del condensador en tres segundos no pude obtener el resultado esperado, luego cuando un poco leyendo e investigando encontr un circuito llamado diente de sierra o seal tipo rampa basndome en la teora encontrada ah pude obtener una seal diente de

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