Engenharia de Controle e Automao

ATPS Eletrnica de Potncia

ETAPA l Dispositivos semicondutores de potncia

Passo 4
Caractersticas que diferenciam um diodo comum de um diodo de potncia
Com a diversificao dos tipos de materiais e da forma de construo utilizados para o desenvolvimento de componentes semicondutores, foi possvel observar a ocorrncia de diferentes tipos de fenmenos fsicos. Alguns destes fenmenos foram aproveitados para o desenvolvimento de componentes eletrnicos especiais, como os diodos. Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Alguns detalhes de funcionamento, que em geral so desprezados para diodos comuns, podem ser significativos para componentes de maior potncia, caracterizados por, uma maior rea, que permite suportar maiores correntes, maior comprimento, que permite suportar tenses mais elevadas. Os diodos de potncia apresentam alm das duas camadas P e N, uma terceira camada. A camada N extra e intermediaria s duas convencionais de baixa dopagem (N-) e sua funo aumentar a capacidade do componente quando aplicado em tenses elevadas. Essa camada acrescenta uma parcela resistiva ao diodo quando em conduo. Alm disso, a rea da seo transversal das junes maior do que a de um diodo normal, pois a corrente circulante tambm maior e isso agrega urna parcela capacitiva ao diodo quando em bloqueio. Essas caractersticas so indesejveis porque introduzem distores na forma de onda da comutao de um diodo de potncia. Entretanto, como o dispositivo suficientemente robusto, essas caractersticas no devero afetar o seu funcionamento. Mesmo assim, recomendvel utilizar-se algumas tcnicas de filtragem e amortecimento dos transientes provocados pela comutao dos diodos de potncia.

Tabela, relacionando os mtodos construtivos de diodos de potncia e as caractersticas tpicas associadas.

Diodos de potncia; Tiristores (SCR, DIAC, TRIAC e GTO)

Tiristor. Smbolo e Estrutura terica.

Em sua maioria os diodos so construdos com silcio que um elemento considerado semicondutor, cuja resistncia eltrica diminui com o aumento da temperatura. Os diversos diodos de potncia trabalham com altas correntes, possuem curvas caractersticas bem idnticas e so divididos em trs tipos: Genricos, De alta velocidade, Schottky.

Diodos Genricos
So encontrados em valores de at 3000V, 3500, so basicamente de dois tipos: o tipo rosca, tambm conhecido como rosquevel (stud ou stud-mounted) e o tipo disco ou encapsulamento prensvel, tambm conhecido como disco de hquei (press pak ou hockey puck). No tipo de diodo rosquevel, tanto o anodo quanto o catodo pode estar do lado da rosca. Diodos de Alta Velocidade Os diodos de alta velocidade, conhecidos como de recuperao rpida, como o nome j sugere, so muito velozes e bastante utilizados em chaveamento de alta frequncia, como o caso dos conversores de potncia. A faixa de recuperao pode ir at 3000V, 1000A e o tempo de recuperao reversa varia entre 0,1 e 5s. Diodos Schottky Os diodos Schottky tm baixa queda de tenso em sentido direto e tempo de recuperao muito pequeno, tipicamente de alguns ns. A corrente de fuga aumenta com a faixa de tenso e seus valores nominais esto limitados a 100V, 300A. Os diodos conduzem quando tm a tenso de anodo maior que a de catodo; e o valor da queda de tenso direta de um diodo de potncia fica tipicamente entre 0,5 V e 1,5 V. Como quaisquer dispositivos prticos, a sua operao no ocorre de forma ideal. Considerando-se que o diodo est conduzindo, se a tenso for bruscamente invertida, as regies p e n ainda tero portadores minoritrios de carga e o diodo se comporta como um curto-circuito por um curto perodo de tempo. Assim, h uma corrente no sentido inverso, conforme figura a seguir, que pode provocar interferncias e perdas. Os diodos de alta velocidade tm este fenmeno menos acentuado, contudo a mxima tenso reversa que eles suportam menor. Estrutura Tpica de um Diodo de Potncia A estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente da estrutura de um diodo semicondutor comum. Ele possui uma nova regio N, intermediria, com baixa dopagem, que tem por funo permitir que o componente suporte tenses mais elevadas. Esta regio menos densa fornece ao diodo um efeito resistivo, quando em conduo, que se torna maior quanto maior for a tenso suportvel pelo componente. No estado bloqueado, devido rea da seco transversal das junes ser maior que a de um diodo comum, verifica-se um efeito capacitivo na regio de transio. Estas caractersticas, que

no so desejveis, podem vir a atrapalhar a forma de onda da comutao de um diodo de potncia, porm, como o dispositivo acionado por ele normalmente robusto e trabalha com altos valores de corrente e tenso, isso no dever afetar o seu funcionamento. O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar campos eltricos mais suaves, evitando o efeito de pontas no interior do diodo. O comportamento de um diodo de potncia muito diferente do de uma chave ideal. No desligamento, a carga espacial presente na regio N-, deve ser removida antes que se possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver portadores transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve diminuio da queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo sinal que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de variao da corrente, associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre tenso negativa. Tiristor Tiristor um nome genrico que define uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em regime de chaveamento, ora ligado, ora desligado, tendo em comum uma estrutura de quatro camadas semicondutoras numa sequncia p-n-p-n. Os tiristores podem apresentar comportamento: unidirecional, quando o fluxo de corrente em apenas um sentido; ou bidirecional, quando o fluxo de corrente ocorre em ambos os sentidos. Tipos de tiristores SCR Silicon Controlled Rectifier
Simbologia

O SCR conhecido como retificador controlado de silcio, formado por quatro camadas semicondutoras de forma alternada, P-N-P-N, e possui trs terminais: anodo e catodo, atravs dos quais flui a corrente principal que conhecida como corrente andica e o gate que, a partir da injeo de uma pequena corrente, faz com que surja esta corrente andica. Existe uma grande quantidade de tipos e modelos de tiristores no mercado. O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio), usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto, possuem basicamente a mesma estrutura: o LASCR (SCR ativado por luz), tambm chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), o TRIAC (tiristor triodo bidirecional), o DIAC (tiristor diodo bidirecional), o GTO (tiristor comutvel pela porta) e o MCT (Tiristor controlado por MOS). um arranjo que tem por objetivo aumentar o ganho obtido por um transistor apenas. O transistor de alta potncia, j na sada, possui um baixo ganho, o que compensado pelo transistor de baixa potncia que tem como caracterstica principal, um alto ganho. O SCR conhecido como retificador controlado de silcio, formado por quatro camadas semicondutoras de forma alternada, P-N-P-N, e possui trs terminais: anodo e catodo, atravs dos quais flui a corrente principal que conhecida como corrente andica e o gate que, a partir da injeo de uma pequena corrente, faz com que surja esta corrente andica.

A melhor maneira de se especificar um SCR atravs das especificaes do fabricante. Contudo, pelo menos dois tpicos precisam ser observados : a capacidade de corrente e a tenso de isolao do SCR. Exemplo : TIC 106 D - TEXAS : TIC 106 - SCR p/ 30 A ( mximo ) Sufixo D - Tenso de isolao de 400V. Os SCRs da SEMIKRON tm seus cdigos dados de maneira anloga aos diodos. Vejamos um exemplo: SKT 490 / 16 SKT - o tipo de SCR 490 - a mxima corrente de conduo 16 - a tenso de isolao = 1600 V DIAC Diodo de Corrente Alternada
Simbologia

o diodo de corrente alternada que possui trs camadas semicondutoras, como ocorre no transistor bipolar, porm se diferencia do transistor devido ao fato de que as concentraes de dopagem em volta das duas junes devem ser iguais e os terminais so apenas nas camadas externas. A curva caracterstica do DIAC possui no primeiro e no terceiro quadrante as mesmas caractersticas de tenso e corrente. Possui a mesma corrente de engate ou tranca IL nas duas direes. O DIAC conduz quando a tenso em seus terminais excede o valor da avalanche direta (VBO) em qualquer sentido, aps o disparo o dispositivo conduz e a tenso passa de um valor de disparo para um valor inferior VH, que se mantm enquanto o DIAC conduz. Aps conduzir a nica forma de lev-lo ao corte por meio de uma reduo de corrente, reduzindo-a abaixo de um valor especificado. O DIAC comea a conduzir quando a tenso entre seus terminais atingir o valor de VBO, protegendo contra sobre tenso o equipamento que est em paralelo a ele. TRIAC - Trodo de Corrente Alternada
Simbologia

O Trodo de Corrente Alternada um dispositivo que atua nos dois sentidos de conduo da corrente, um componente bidirecional, o disparo pode ser feito tanto com pulso positivo quanto

negativo. O TRIAC proporciona maior simplicidade e eficincia, no controle de potncia de onda completa. O TRIAC, como o SCR, no construdo para operar com tenso de avalanche direta, so projetados para fechar por meio de disparo e abrir por meio de baixa corrente. Porm, exibe as mesmas caractersticas de corrente e tenso nas duas direes. O dispositivo ativado quando submetido a uma corrente de gate suficientemente alta e desativado pela simples reduo de sua corrente andica abaixo do valor de manuteno IH. Assim como os SCRs, os triacs devem ser especificados principalmente pela sua capacidade de corrente e sua tenso de isolao. Os cdigos dos fabricantes se assemelham aos utilizados para os SCRs. Devido a essa semelhana bom que se tome cuidado para no utilizarmos um SCR no lugar de um triac ou vice-versa. Um exemplo ilustra a semelhana entre os cdigos: - Um TIC 116 D um SCR - Um TIC 216 D um triac. GTO Gate Turn-Off Tiristor
Simbologia

O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, por problemas de fraco desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez que esto, disponveis dispositivos para 5000V, 4000A. O GTO um tiristor disparado da mesma maneira que o SCR, mas tendo a vantagem adicional de ser bloqueado pela injeo de um pulso negativo de corrente no gate. A corrente negativa aplicada ao Gate deve durar certo tempo para que haja o bloqueio e a amplitude dessa corrente deve ser capaz de bloquear o componente. Como exemplo, um GTO de 2500V, 600A necessita de uma corrente negativa de e de 150mA, para bloque-lo. Atualmente encontra-se GTO com valores de at 2500A e 4500V, com uma frequncia mxima de chaveamento de alguns kHz. A caracterstica principal do GTO a sua capacidade de entrar em conduo e bloquear atravs de comandos adequados no terminal de Gate. O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR.

ETAPA 2 - Dispositivos semicondutores de potncia; Transistores de potncia (BJT, UJT, MOSFET e IGBT).
Passo 4 A eletrnica de potncia trata das aplicaes de dispositivos semicondutores de potncia, como tiristores e transistores, na converso e no controle de energia eltrica em nveis altos de potncia aplicados indstria. Essa converso normalmente de AC para DC ou vice-versa, enquanto os parmetros controlados so tenso, corrente e frequncia. Portanto, a eletrnica de potncia pode ser considerada uma tecnologia interdisciplinar que envolve trs campos bsicos: a potncia, a eletrnica e o controle. Os principais tipos de dispositivos semicondutores usados como chaves em circuitos de eletrnica de potncia so: Diodos; Transistores bipolares de juno (BJTs); Transistores de efeito de campo metal-xido-semicondutor (MOSFETs); Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); Retificadores 2. Dispositivos de potncia: caractersticas e funcionamento 2.1 Diodos de potncia O material ativo mais comum para a construo do diodo o silcio, um material semicondutor, ou seja, classificado entre o isolante e o condutor, cuja resistncia decresce com o aumento da temperatura. O silcio um elemento do grupo IV da tabela peridica e tem quatro eltrons na ltima rbita em sua estrutura atmica. Se a ele for acrescido um elemento pentavalente, com cinco eltrons na ltima rbita, haver um eltron livre na estrutura do cristal. O eltron livre possibilita um grande aumento na conduo e, como o eltron uma carga negativa, esse material conhecido como semicondutor tipo N. Se ao silcio for acrescentada uma impureza trivalente, um elemento com trs eltrons na sua ltima rbita surge um vazio ou lacuna na estrutura cristalina, que pode receber um eltron. Esse vazio pode ser considerado uma carga positiva, conhecida como lacuna, e possibilita um grande aumento na conduo; esse material dopado conhecido como semicondutor tipo P. O grau de dopagem (adio de impurezas) da ordem de 107 tomos. Em semicondutores tipo N, a maioria dos portadores de corrente de eltrons e a minoria de lacunas. O contrrio aplica-se a semicondutor tipo P. Dependendo da dopagem, a condutividade do semicondutor tipo N ou P aumentada muito se comparada ao silcio puro.

Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor (MOSFET)

O transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico (MOSFET) de potncia um dispositivo para uso como chave em nveis de potncia. Os terminais principais so o dreno e a fonte, com a corrente fluindo do dreno para a fonte e sendo controlada pela tenso entre a porta e a fonte. Abaixo mostrado o smbolo do MOSFET: O MOSFET um transistor de chaveamento rpido, caracterizado por uma alta impedncia de entrada, apropriado para potncias baixas (at alguns quilowatts) e para aplicaes de alta frequncia (at 100kHz). Um MOSFET tem aplicaes importantes em fontes de alimentao chaveadas, nas quais frequncias altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais econmicos, alm de motores de baixa velocidade de controle que utilizem modulao por largura de pulso PWM).

Os MOSFETs esto disponveis no mercado nos tipos canal N e canal P. Entretanto, os dispositivos em canal N tm valores nominais de corrente e tenso mais altos. Devido alta resistncia de porta, a corrente de controle praticamente nula, propiciando um controle de conduo entre dreno e fonte a partir de uma tenso aplicada no terminal de porta. Ainda, pela baixssima necessidade de corrente de controle, possvel comutar a conduo do MOSFET atravs de circuitos microcontrolados. O MOSFET bem mais rpido nas comutaes que o TJB, entretanto fornece mais perdas de conduo na saturao, mas, infelizmente sozinho no consegue bloquear uma tenso reversa entre dreno e fonte. Isto de deve ao um diodo acoplado internamente a sua estrutura em antiparalelo. Este diodo chamado de diodo de corpo e serve para permitir um caminho de retorno para a corrente para a maioria das aplicaes de chaveamento. Simbologia

Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as caractersticas de baixa queda de tenso de saturao do TJB com as excelentes caractersticas de chaveamento e simplicidade dos circuitos de controle da porta do MOSFET. Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicaes de alta tenso, nas quais as perdas na conduo precisam ser mantidas em valores baixos. Embora as velocidades de chaveamento dos IGBTs sejam maiores (at 50 kHz) do que as dos TJBs, so menores que as dos MOSFETs. Portanto, as frequncias mximas de chaveamento possveis com IGBT ficam entre as dos TJBs e as dos MOSFETs. Ao contrrio do que ocorre no MOSFET, o IGBT no tem qualquer diodo reverso interno. Assim, sua capacidade de bloqueio para tenses inversas muito ruim. A tenso inversa mxima que ele pode suportar de menos de 10 V. Simbologia

O transistor bipolar de juno TBJ

O transistor bipolar de juno TBJ um dispositivo semicondutor de trs terminais: a base, o coletor e o emissor. Em suma, a tenso de base controla o fluxo de corrente entre o coletor e o emissor.

A polarizao DC adequada se faz necessria para estabelecer a regio ideal de operao para a amplificao AC como ser mostrado mais a frente. Os terminais so normalmente indicados pelas letras maisculas E emissor, C coletor e B base. O fluxo de corrente nesses dispositivos ocorre do emissor para o coletor nos transistores pnp e do coletor para o emissor nos npn. Em funo dessa caracterstica, tem-se o smbolo usado para representar os transistores vistos na Figura, onde a seta no desenho indica o sentido do fluxo da corrente. Simbologia

Para o TJB trabalhar como chave eletrnica preciso polariz-lo nas regies de corte e saturao e como amplificador, na regio ativa. De modo geral, o TJB de potncia segue os mesmos parmetros do transistor de sinal. Algumas caractersticas so prprias devido aos nveis de correntes e tenses que o dispositivo trabalha. Transistor de unijuno (UJT) O UJT um dispositivo semicondutor de trs terminais com apenas uma juno PN. O circuito tradicional de disparo usando o UJT chamado de oscilador de relaxao. O UJT tem dois parmetros importantes: Tenso de Disparo (VP) e Tenso de Vale (VV). O primeiro diz o valor de tenso necessrio para fazer conduzir o caminho entre o emissor (E) e a base 1. O segundo informa o valor de tenso que, aps a entrada em conduo, bloqueia o citado caminho. Em outras palavras, estes parmetros indicam o incio e o fim do disparo do UJT. Simbologia

Aplicaes dos dispositivos de Potncia

Os dispositivos de potncia podem ser operados como chave, pela aplicao de sinais de controle no terminal de gate (tiristores e mosfets) ou na base (transistor bipolar). A sada obtida atravs do tempo de conduo destes dispositivos de chaveamento, Os dispositivos de potncia apresentam as seguintes caractersticas: - DIODO DE POTNCIA: no h controle tanto na conduo quanto no bloqueio; - SCR: disparo controlado, mas sem controle no bloqueio; - BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT: controle tanto no disparo, quanto no bloqueio; - Sinal contnuo: BJT, MOSFET, IGBT; - Pulso de sinal: SCR, GTO, MCT; - Capacidade de bloqueio bipolar: SCR, GTO; - Capacidade de bloqueio unipolar: BJT, MOSFET, IGBT; - Capacidade de corrente bidirecional: TRIAC, RCT; - Capacidade de corrente unidirecional: SCR, GTO, BJT, MOSFET, etc.

Cada dispositivo com sua simbologia e uma curva caracterstica

ETAPA 3 - Conversores CA/CC monofsicos Retificadores; Retificadores monofsicos controlados ou no: meia onda, onda completa com tap central, onda completa e ponte.
Para o controle da potncia eltrica, a converso desta potncia se torna necessria (CA-CC), e os dispositivos de potncia, atravs de sua caracterstica de chaveamento, permitem esta converso. Os conversores estticos de potncia permitem este tipo de converso. Estes conversores podem ser classificados: Conversores CA-CC: RETIFICADORES; Conversores CA-CA: CONTROLADORES CA E CICLOCONVERSORES; Conversores CC-CC: CHOPPERS; Conversores CC-CA: INVERSORES. Retificadores monofsicos no controlados A retificao o processo de converter tenso e corrente alternadas em tenso e corrente contnuas. Um retificador no controlado usa apenas diodos como elementos de retificao. A amplitude da tenso de sada DC determinada pela amplitude da tenso de alimentao AC. Entretanto, a sada da tenso DC contm componentes AC significativas, as quais recebem o nome de ondulao. Para eliminar a ondulao, costuma-se inserir um filtro capacitivo aps o retificador. Os tipos de retificador no controlados e estudados na disciplina de Eletrnica Analgica so o meia-onda, onda completa com derivao (tap) central e onda completa em ponte.

Retificadores Monofsicos Controlados Os circuitos retificadores so aqueles que transformam um sinal AC em um sinal DC no constante. Eles podem ser no controlados e controlados. Os primeiros utilizam os diodos semicondutores de potncia como elementos retificadores, no havendo, portanto, controle do ngulo de disparo. Os retificadores controlados tm como elementos retificadores geralmente os SCRs, possibilitando o controle do ngulo de disparo e, consequentemente, o controle da potncia entregue carga. Neste material estudaremos os retificadores controlados de meia onda e de onda completa.

Retificador controlado de meia onda A prxima figura mostra um circuito retificador de meia onda com carga resistiva.

O comportamento das tenses e corrente de carga mostrado a seguir:

Observa-se que durante o semiciclo positivo, o SCR ficar diretamente polarizado e conduzir se o pulso de acionamento for aplicado ao gatilho. Se o SCR passar a conduzir (instante t0), uma corrente fluir na carga e a tenso de sada (V0) ser aproximadamente igual tenso de entrada. No instante em que o semiciclo torna-se igual a igual a zero, o SCR cortar, ficando assim at o prximo disparo no semiciclo positivo. Neste semiciclo, o ngulo em que o SCR fica bloqueado ( ) chamado de ngulo de disparo e o ngulo em que fica conduzindo () de ngulo de conduo. A prxima figura mostra um circuito retificador em meia onda com carga resistiva e indutiva (caso mais comum):

Se o SCR for acionado com um ngulo de disparo igual a , a corrente na carga aumentar devagar, uma vez que a indutncia forar a corrente se atrasar em relao tenso. A tenso na carga ser positiva e o indutor estar armazenando energia em seu campo magntico. Quando a tenso aplicada se tornar negativa, o SCR ficar polarizado reversamente. Entretanto, a energia armazenada no campo magntico do indutor retornar e manter uma corrente direta atravs da carga. A corrente continuar a fluir at (denominado de ngulo de avano), quando ento o SCR entrar no estado de bloqueio. A tenso no indutor mudar de polaridade e a tenso na carga ficar negativa. Em consequncia disso, a

tenso mdia na carga vai se tornar menor do que seria se a carga fosse uma resistncia pura. As formas de onda para este circuito so mostradas abaixo.

Para cortar a poro negativa da tenso na carga instantnea e amenizar a ondulao da corrente de carga, utiliza-se um diodo de retorno (free-wheeling diode ou FWD). Este diodo tem por funo dissipar a energia armazenada no indutor durante o tempo em que o SCR estiver bloqueado. O circuito com o FWD e as formas de onda esto mostrados nas figuras a seguir;

Detalhe do diodo de retorno

Retificador controlado de onda completa

Para as cargas resistivas (iluminao incandescente, aquecedores, fornos etc), como vimos, h a necessidade de um diodo de retorno (FWD), pois no existe (a princpio) uma indutncia. Porm, para efeito de dinamizar o nosso estudo, iremos abordar neste tpico apenas cargas RL, ou seja, que necessitam de um diodo de retorno. Um circuito retificador com carga RL e FWD visto na figura seguinte:

No circuito na figura acima so disparados aos pares (SCR1/SCR4 e SCR2/SCR3), com um ngulo de disparo igual a . Os valores mdios para a tenso e corrente na carga so o dobro dos valores do retificador de meia onda. As formas de onda so mostradas abaixo: