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El Transistor FET 1/ 11

1. Introducción

El transistor de efecto de campo, FET por su siglas en inglés: Field Effect Transistor, es
un dispositivo semiconductor de tres terminales, conducción unipolar y controlado por
voltaje a diferencia del BJT que es controlado por corriente. Se construyen
principalmente de Silicio o Germanio.

Estos dispositivos presentan una impedancia de entrada muy alta, sea cual sea la
configuración del dispositivo, lo cual permite un mejor control del ruido.

Se utilizan en la amplificación de señales, fuentes de poder reguladas y como
resistencias controladas por voltaje.

2. Construcción del FET

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El transistor FET está formado por un bloque de material tipo n o tipo p junto con dos
contactos de un material de tipo opuesto al material del bloque, tal como muestra la
figura 1.


S D


G

Figura 1

Cada extremo del bloque corresponde a un terminal, identificados como:

S → Surtidor o Fuente
D → Drenador

La unión de los dos contactos corresponde al otro terminal identificado como:

G → Compuerta (Gate)

El espacio entre los dos contactos se llama canal y da la clasificación del FET en FET
canal N y FET canal P. La figura 2 ilustra la estructura de estos FET.


S D N
P
D
N
S P

P
N
G
G

FET Canal N FET Canal P

Figura 2

El Transistor FET 2/ 11
El símbolo circuital utilizado para estos dispositivos se muestra en la figura 3.

D D

G
S
FET Canal N
G

S

FET Canal P

Figura 3

3. Operación del BJT

La operación del transistor depende de la polarización de las uniones PN o NP del
dispositivo. Durante la operación normal del FET no se hace fluir corriente a través de
las uniones. En lugar de esto, la conducción ocurre únicamente a través del canal. Por
tanto las uniones PN o NP del dispositivo se polarizan inversamente.

Mientras no exista polarización en el dispositivo no hay conducción en el mismo.

3.1. Polarización paraun FETCanal N

Nota: La polarización para un FET canal P es similar, simplemente se invierte la
polaridad de las fuentes de polarización y por supuesto el sentido de las corrientes.

Para polarizar inversamente las uniones PN, las regiones P deben estar a un potencial
menor que las regiones N. (Figura 4)

S D
G
I
D
P
P

N
V
GS
V
DS







Figura 4

V
DS
→ Fuente de polarización para el canal N. Drenador positivo con respecto a
Surtidor. Se establece una corriente de Drenador a Surtidor I
D
.

V
GS
→ Fuente de polarización para regiones P. Compuerta negativa con respecto a
Surtidor. No hay corriente a través de las uniones, por tanto I
G
=0.

El hecho de que I
G
=0 indica que el FET presenta una alta impedancia de entrada así
como también la igualdad entre las corrientes de Drenador y Surtidor, I
D
=I
S
.

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El Transistor FET 3/ 11
La polarización inversa provoca un aumento en la barrera de potencial, aumentando así
la resistencia del canal. La barrera de potencial es mas ancha hacia el Drenador, ya que
hacia este terminal se tiene la mayor polarización inversa.

El grosor de la barrera de potencial controla la corriente I
D
y este grosor depende de la
polarización dada por V
GS
y V
DS
, es decir, V
GS
y V
DS
controlan a I
D
. Es por esta razón
que se define al FET como un dispositivo controlado por voltaje, porque un voltaje de
entrada V
GS
controla la señal de salida I
D
.

4. Curvas Características del FET

Las curvas del FET que caracterizan al dispositivo son:

Curvas de Salida, i
D
vs. v
DS

Curva de Transferencia, i
D
vs. V
GS


No hay curva de entrada como en el caso del BJT, puesto que aquí la corriente de
entrada I
G
=0.

4.1. Curvas deSalida

Estas curvas son parecidas a las curvas de salida del BJT. En el FET se tendrá una
curva de salida para cada valor de V
GS
. (Figura 5)

i
D(mA)

v
DS
(V)
v
DSO v
PO

P
D
v
GS = 0
I
DSS
v
GS = -1





v
GSO



Figura 5

En las curvas de salida se pueden observar las diferentes zonas o regiones de
operación del FET.

Zona Resistiva o Lineal (Zona Ohmica)

Es la zona cercana al eje i
D
, delimitada en cuanto a voltaje por: 0<v
DS
<V
PO
.

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El Transistor FET 4/ 11
V
PO
→ Valor de tensión v
DS
para el cual i
D
comienza a estabilizarse con V
GS
=0.

v
P
=V
PO
+v
GS

v
P
→ Tensión de umbral para cada curva de salida o para cada valor de v
GS
constante.

La variación de i
D
en esta zona es lineal y el dispositivo se comporta como una
resistencia controlada por voltaje. A medida que v
DS
aumenta de cero hasta v
P
, la
corriente i
D
aumenta linealmente a pesar del aumento de la resistencia del canal, debido
a que el aumento de v
DS
contrarresta el aumento de la resistencia.

Zona Saturada o Zona de Corrientes Constantes

Cuando v
DS
aumenta por encima de v
P
, la corriente i
D
aumenta mas lentamente debido
al estrangulamiento del canal ocasionado por la unión de las dos barreras de potencial
correspondiente a cada unión PN o NP. Sin embargo, el aumento de v
DS
mantiene la
corriente i
D
en un valor constante.

La zona en la cual i
D
es constante se conoce como zona de saturación y la zona útil
para el uso del dispositivo como amplificador de señales.

La zona de saturación está limitada en cuanto a voltaje por: v
P
<v
DS
<v
DSO
, donde v
DSO
es
el máximo voltaje entre Drenador y Surtidor indicado por el fabricante.

Zona de Ruptura

Es la zona para la cual i
D
aumenta drásticamente para pequeños aumentos de tensión
v
DS
por encima de v
DSO
, es decir, v
DS
>v
DSO
.

Zona de Corte

Es la zona para la cual i
D
=0 sea cual sea el valor de v
DS
y se debe a que v
GS
se hace
tan negativo que el canal se obstruye totalmente por la unión de las dos barreras de
potencial.

El valor de v
GS
para el cual i
D
=0 es suministrado por el fabricante del transistor como:
v
GSO
→ Máximo voltaje entre Compuerta y Surtidor.

La relación ⏐v
GSO
⏐=⏐V
PO
⏐ indica que para i
D
=0 se debe tener v
GSO
= -V
PO
en magnitud.

Zona Limitada por Potencia Disipada

Al igual que en el BJT, sobre las curvas de salida del FET también se indica la limitación
de la zona lineal del FET, a través de curvas de potencia tipo hipérbola, dadas por la
relación: P
D
=v
DS
*i
D
, hacia el lado superior derecho de las curvas.

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El Transistor FET 5/ 11
4.2. CurvadeTransferencia 4.2. CurvadeTransferencia

La curva de transferencia (Figura 6) se obtiene a partir de las variaciones de I
D
con
respecto a V
GS
, en la zona de saturación. Esta variación de I
D
con respecto a V
GS
para
un V
DS
constante no es lineal y se expresa matemáticamente como:
La curva de transferencia (Figura 6) se obtiene a partir de las variaciones de I

D
con
respecto a V
GS
, en la zona de saturación. Esta variación de I
D
con respecto a V
GS
para
un V
DS
constante no es lineal y se expresa matemáticamente como:
ctte V
PO
GS
DSS D
DS
V
V
I I
=








− =
2
1

Esta expresión se conoce como Ecuación de Transferencia y permite obtener I
D
en la
zona de saturación para cualquier valor de V
GS
, conociendo previamente I
DSS
y V
PO
los
cuales son generalmente dados por el fabricante.


i
D
(mA)

V
GS
(V)
-V
PO
I
DSS








Figura 6

5. Circuitos dePolarización

El circuito de polarización se utiliza para ubicar al FET dentro de la zona de saturación
de la curva de salida. Para lograr esta ubicación es necesario polarizar las uniones PN
inversamente y así también lograr I
G
=0, manteniendo elevada la impedancia de entrada
del FET.

Un circuito de polarización es un circuito de c.c. formado por: fuentes de c.c.,
resistencias y el transistor.

5.1. Tipos deCircuitos dePolarización

Entre los circuitos de polarización para el FET se tienen:

Circuito de Polarización Fija
Circuito de Polarización por Divisor de Voltaje
Circuito de Autopolarización

El análisis de estos circuitos involucra dos pasos básicos:

1. Identificación de la entrada y la salida del circuito.
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El Transistor FET 6/ 11
2. Obtención de las ecuaciones tanto para la entrada como para la salida del circuito.

Al igual que para el BJT, existen tres configuraciones del FET para su uso como
amplificador, las cuales por analogía con el BJT se muestran en la tabla 1:

Tabla 1. Analogía en las configuraciones del FET y BJT

FET BJT
Surtidor Común → Emisor Común
Drenador Común → Colector Común
Compuerta Común → Base Común

En base a un FET canal N en configuración Surtidor Común, se analizan aquí los
circuitos de polarización, aunque cada configuración tiene su propio circuito de
polarización.

5.1.1. CircuitodePolarización Fija

El circuito básico de polarización fija se muestra en la figura 7:

I
G
R
G
V
GG
G
D
S
+V
DD

R
D
(a)
I
G
I
I
D
V
GS
V
DS
R
D


I
D
V
DD
R
G

V
GG


(b)


Figura 7

Circuito de Entrada (Malla I):

0 = + +
GS G G GG
V I R V , → 0 =
G
I 0 =
G G
I R

R
G
equivale a una resistencia en corto, así: 0 = +
GS GG
V V , de donde se obtiene la
ecuación de entrada:
GG GS
V V − =

El equivalente del circuito de entrada se muestra en la figura 8.

Debido a que V
GG
es una fuente de c.c. de valor fijo, V
GG
fija al voltaje V
GS
y es por esta
razón que a este circuito de polarización se le identifica como circuito de polarización
fija.
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El Transistor FET 7/ 11

V
GG
V
GS
V
DS
R
D

V
DD
I
DSS
V
PO

I
D






Figura 8 Figura 8

Circuito de Salida (Malla II): Circuito de Salida (Malla II):

Recorriendo la malla II se obtiene: 0 = + + −
DS D D DD
V I R V , de donde la ecuación de
salida es:
D D DS DD
I R V V + =

El valor de I
D
en el punto de reposo (I
DQ
) se puede determinar gráficamente a partir de
la curva de transferencia o a través de la Ecuación de Transferencia.

Gráficamente:

Se grafica la ecuación de entrada sobre la curva de transferencia y la intersección
corresponde al valor de I
DQ
. La figura 9 ilustra este caso.

i
D
(mA)

V
GS
(V)
-V
PO
I
DSS
I
DQ
-V
GG
Ec. de
Entrada



Curva de
Transferencia





Figura 9

La curva de transferencia puede hacerse para diferentes valores de VGS sobre la
ecuación de transferencia, es decir esta se puede graficar con apenas tres puntos:

1. Corte con el eje i
D
→ I
DSS
2. Corte con el eje V
GS
→ VPO
3. Si → 2 /
PO GS
V V = 4 /
DSS D
I I =



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El Transistor FET 8/ 11
Matemáticamente:

Se sustituye el valor de sobre la ecuación de transferencia y se obtiene
directamente el valor de I
GG GS
V V − =
DQ
.

Otras relaciones útiles en el análisis de estos circuitos de polarización son:

S D DS
V V V − = y
S G GS
V V V − =

Como V
S
=0 y asi: y
DS D
V V =
GS G
V V = .

5.1.2. CircuitodePolarización por Divisor deVoltaje

El circuito básico para este tipo de polarización se observa en la figura 10.

+V
DD

R
D
R
S
R
2
R
1
V
DD
I
D
I
G
=0
V
GS
V
DS
R
D

R
S
R
2
R
1
V
DD
I
R1
I
R2
I
II
V
G







Figura 10

Como I
G
=0 entonces I
R1
=I
R2
, y del circuito final en la figura 10 se tiene:

2 1
2 1
R R
V
I I
DD
R R
+
= = y
2 1
1
R R
V R
V
DD
G
+
=

ID
I
G
V
GS
V
DS
R
D
Esto permite redibujar el esquema del circuito de la figura 10 y el resultado se muestra
en la figura 11.



R
S
V
G
V
DD II

I



Figura 11


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El Transistor FET 9/ 11
Circuito de Entrada (Malla I):

0 = + + −
S S GS G
I R V V como
D S
I I = , la ecuación del circuito de entrada se escribe
como:
D S GS G
I R V V + =

Circuito de Salida (Malla II):

0 = + + + −
S S DS D D DD
I R V I R V como
D S
I I = , la ecuación del circuito de salida se escribe
como:
) (
S D D DS DD
R R I V V + + =

Para obtener el valor de I
DQ
, se grafica la ecuación de entrada sobre la curva de
transferencia y la intersección de la ecuación de entrada con la curva corresponde al
par (V
GSQ
,I
DQ
). La figura 12 refiere este caso.

i
D
(mA)

V
GS
(V)
-V
PO
I
DSS
I
DQ
-V
GSQ
Ec. de
Entrada

Curva de
Transferencia


V
G
/R
S


V
G

Figura 12

El aumento de R
S
disminuye I
D
haciéndola menos estable y hace que V
GS
sea mas
negativo.

5.1.3. CircuitodeAutopolarización

Este circuito elimina las fuentes para el circuito de entrada y el voltaje de control V
GS
es
determinado por la resistencia R
S
. La figura 13 muestra el circuito básico.

I
G
R
G
R
S
G
D
+V
DD

S
R
D
(a)
I
G
I
I
D
V
GS
V
DS
R
D


I
D

V
DD

R
G R
S



(b)

Figura 13
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El Transistor FET 10/ 11

Como I
G
=0, R
G
actúa como cortocircuito con lo que el circuito de autopolarización se
muestra ahora como el esquema de la figura 14.

I
G
= 0
I
I
D
V
GS
V
DS
R
D


I
D

V
DD

R
S



Figura 14

Circuito de Entrada (Malla I):

0 = +
S S GS
I R V , como , la ecuación del circuito de entrada o ecuación de
autopolarización se escribe como:
D S
I I =

D S GS
I R V − =

V
GS
es función de I
D
por lo cual V
GS
no es fijo.

Circuito de Salida (Malla II):

0 = + + + −
S S DS D D DD
I R V I R V como
D S
I I = , la ecuación del circuito de salida se
escribe como:
) (
S D D DS DD
R R I V V + + =

Para obtener I
DQ
se sustituye el valor de V
GS
dado por la ecuación de entrada sobre la
ecuación de transferencia y se soluciona el sistema para hallar el punto Q.

Gráficamente, se hace la intersección de la recta de autopolarización sobre la curva de
transferencia y la intersección corresponde al par (V
GSQ
,I
DQ
). Ver figura 15.

Para graficar la recta de autopolarización
D S GS
I R V − = se obtienen los cortes con los
ejes:

Si V
GS
=0 → I
D
=0
Punto
1
(0,0)
Si I
D
=0 → V
GS
=0
El segundo punto se obtiene para 2
DSS D
I I = sustituyéndolo en la ecuación de recta
de autopolarización V , con lo que el punto resultante es:
. (I
2 /
DSS S GS
I R − =
) ( 2 / , 2 /
2 DSS DSS S
I I R Punto −
DSS
es un valor suministrado en la hoja de datos del
FET).
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V
GS
(V)
-V
PO
I
DQ
-V
GSQ
Ec. de
Entrada
Curva de
Transferencia
I
DSS
i
D
(mA)
I
DSS
/2
-R
S
I
DSS
/2











Figura 15

Con I
DQ
sobre la ecuación de salida o ecuación de recta de carga d.c. se obtiene el
valor de V
DSQ
.
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