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Dispositivos Electrnicos

La juntura P-N
Docente: Mg. Elisa Pauro Asillo
TEMTICA A TRATAR
1. La juntura P-N
2. Concentraciones de portadores
3. Potenciales de contacto con
polarizacin y sin polarizacin
4. Campo elctrico en el interior del diodo
semiconductor
1. DIODO DE JUNTURA P-N
JUNTURA PN
Juntamos dos materiales de
manera abrupta
Difusin
JUNTURA PN (CONT)
Lo ms importante es la formacin de la zona
de agotamiento
DIAGRAMA ENERGIA JUNTURA PN
En equilibrio
0 =
dx
dEf
DIAGRAMAS PARA UNA JUNTURA PN
POLARIZACIN
|
|
.
|

\
|
= 1
nkT
qV
O D
D
e I I Ec del diodo
2. CONCENTRACIONES DE PORTADORES
Luego:
V = 0, i = 0
Por tanto:
V
mP
- V
O
+ V
Nm
= 0
y
V
mP
+ V
Nm
= V
O
V
O
-
+
P
N
+ -
V
mP
- +
V
Nm
- +
V = 0
i=0
No se puede estar disipando energa si no
llega energa al dispositivo
Conclusin:
Los potenciales de contacto de las uniones metal
semiconductor tienen que compensar el potencial de
contacto de la unin semiconductora.
La unin PN polarizada
3. POTENCIALES DE CONTACTO CON
POLARIZACIN Y SIN POLARIZACIN
V = V
mP
- V
U
+ V
Nm
= V
O
- V
U
Luego:
V
U
= V
O
- V
V
U
-
+
V
mP
-
+
V
Nm
- +
i = 0
P
N
+ -
V
-
+
Baja resistividad:
V
N
=0
Baja resistividad:
V
P
=0
La unin PN polarizada
Hiptesis (bastante real): los potenciales de los
contactos metal-semiconductor no varan con
relacin al caso anterior (V
mP
+V
Nm
= V
O
)
El potencial de contacto de la unin
semiconductora disminuye.
Polarizacin directa
V = -V
mP
+ V
U
- V
Nm
= -V
O
+ V
U
Luego:
V
U
= V
O
+ V
V
U
-
+
V
mP
-
+
V
Nm
- +
i = 0
P
N
+ -
V
-
+
Baja resistividad:
V
N
=0
Baja resistividad:
V
P
=0
La unin PN polarizada
El potencial de contacto de la unin
semiconductora aumenta.
Polarizacin inversa
V
U
= V
O
- V,
siendo: V < V
O
La unin PN polarizada (IV)
Conclusin:
Polarizacin directa: 0 < V <V
O
Polarizacin inversa: V < 0
Notacin a usar en general
V
-
+
=
V
U
-
+
P
N
+ -
i
(aparcamos la posibilidad real de
que V >V
O
)
Muy
importante
La unin PN polarizada
Cmo se modifica la longitud de la zona de transicin, y la intensidad
mxima del campo elctrico?
Regla general (vlida para V<V
O
):
Sustituir V
O
por (V
O
-V) en las ecuaciones:
p
P
p
N
e
V
U
V
T
=
c(N
A
+N
D
)
E
maxO
=
2qN
A
N
D
V
O
L
ZTO
=
2c(N
A
+N
D
)V
O
qN
A
N
D
La unin PN polarizada
p
P
p
N
e
V
U
V
T
=
c(N
A
+N
D
)
E
maxO
=
2qN
A
N
D
V
O
L
ZTO
=
2c(N
A
+N
D
)V
O
qN
A
N
D
Sin polarizar tenamos:
E
max
=
c(N
A
+N
D
)
2qN
A
N
D
(V
O
-V)
L
ZT
=
p
P
p
N
e
V
U
V
T
=
2c(N
A
+N
D
)(V
O
-V)
qN
A
N
D
Con polarizacin tenemos:
Polarizacin directa (0 < V < V
O
):
L
ZT
y E
max
disminuyen
Polarizacin inversa (V < 0):
L
ZT
y E
max
aumentan
Muy
importante
Zona P
-
+
Zona N
V
O
L
ZTO
V
O
-V
ext
Zona P
-
+
Zona N
V
ext
L
ZT
(x)
x
E(x)
-E
maxO
x
V
U
(x) V
O
x
-E
max
V
O
-V
ext
Relaciones entre , E y V
O
con polarizacin directa
Menos carga espacial
Menor intensidad de
campo
Menor potencial de
contaco
Zona P
-
+
Zona N
V
O
L
ZTO
V
O
+V
ext
V
ext
Zona P
-
+
Zona N
L
ZT
Relaciones entre , E y V
O
con polarizacin inversa
Ms carga espacial
Mayor intensidad de campo
Mayor potencial de contaco
(x)
x
E(x)
-E
maxO
x
V
U
(x)
V
O
x
V
O
+V
ext
-E
max
Polarizacin directa:
Disminuye la tensin interna que frena la difusin
Disminuye el campo elctrico en la zona de transicin
Disminuye el ancho de la zona de transicin
Polarizacin inversa:
Aumenta la tensin interna que frena la difusin
Aumenta el campo elctrico en la zona de transicin
Aumenta el ancho de la zona de transicin
Conclusiones parciales
Muy
importante
Qu pasa con la concentracin de portadores
cuando se polariza? Ejemplo: electrones en
polarizacin directa
- +
Zona P
Zona P
n
N
---
---
---
---
---
-
-
-
-
-
----
--- -
----
n
P
-
-
-
+ -
+ -
+ -
+ -
V
O
= V
T
ln(n
N
/n
P
)
V
O
V
O
-V =V
T
ln(n
NV
/n
PV
)
n
NV
n
PV
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
O
-V
n
NV
/n
PV
cambia mucho
Electrones:
V
O
- V = V
T
ln(n
NV
/n
PV
)
Concentracin de portadores con polarizacin (I)
Analizamos la situacin en los bordes externos de la zona de
transicin:
En zona P: Ap
P
= p
PV
- p
P
An
P
= n
PV
- n
P
En zona N: An
N
= n
NV
- n
N
Ap
N
= p
NV
- p
N
Por neutralidad de carga (aproximada):
Ap
P
~ An
P
An
N
~ Ap
N
Como p
P
>>n
P
y n
N
>>p
N
y admitimos que p
PV
>>n
PV
y n
NV
>>p
NV
(hiptesis de baja inyeccin), se cumple:
p
PV
/p
NV
= (p
P
+ Ap
P
) /p
NV
~ (p
P
+ An
P
) /p
NV
~ p
P
/p
NV
n
NV
/n
PV
= (n
N
+ An
N
) /n
PV
~ (n
N
+ Ap
N
) /n
PV
~ n
N
/n
PV
Huecos:
V
O
- V = V
T
ln(p
PV
/p
NV
)
Es como si los mayoritarios no cambiaran de
concentracin
Cambio de la concentracin de
electrones a los dos lados de la
zona de transicin :
V
O
- V = V
T
ln(n
N
/n
PV
)
Concentracin de portadores con polarizacin (II)
Cambio de la concentracin de
huecos a los dos lados de la zona
de transicin :
V
O
- V = V
T
ln(p
P
/p
NV
)
n
N
/n
PV
= e
(V
O
-V)/ V
T
p
P
/p
NV
= e
(V
O
-V)/ V
T
V
-
+
=
V
U
-
+
Zona P
Zona N
+ -
p
P
= N
A
n
N
= N
D
n
PV
= N
D
e
- (V
O
-V)/ V
T
p
NV
= N
A
e
- (V
O
-V)/
V
T
Hemos llegado a:
V
O
- V = V
T
ln(n
N
/n
PV
)
Hemos llegado a:
V
O
- V = V
T
ln(p
P
/p
NV
)
Partamos de:
V
O
= V
T
ln(n
N
/n
P
)
Partamos de:
V
O
= V
T
ln(p
P
/p
N
)
Y esta frmula vena de:
j
n campo
+ j
n difusin
= j
n total
= 0
Y esta frmula vena de:
j
p campo
+ j
p difusin
= j
p total
= 0
Pero con polarizacin j
p total
= 0 y j
n total
= 0. Por tanto, las
expresiones mostradas no son vlidas con polarizacin. Sin
embargo, se pueden seguir usando como una aproximacin
razonable ya que en la unin:
j
p total
<< j
p campo
j
p total
<< j
p difusin
j
n total
<< j
n campo
j
n total
<< j
n difusin
Ojo!!!
Hay una pequea trampa
0,313m
D
p
=50 cm
2
/s D
n
=100 cm
2
/s n
i
=2,510
13
port/cm
3

p
=1900 cm
2
/Vs
n
=3900 cm
2
/Vs c
r
=16
L
p
=0,22 mm L
n
=0,32 mm t
p
= t
n
= 10 s
Datos del Ge a 300K
p
P
p
N
n
N
n
P
10
10
10
12
10
14
10
16
P
o
r
t
a
d
.
/
c
m
3
1m -1m
0
V
O
=0,31 V
Ejemplo 1: unin de Germanio sin polarizar
N
A
=10
16
atm/cm
3
varios mm
P N
+ -
N
D
=10
16
atm/cm
3
Ejemplo 1 con polarizacin directa
V
u
=0.31 V
0.313m
varios mm
P N
+ -
n
N
n
P
p
P
p
N
10
10
10
12
10
14
10
16
P
o
r
t
a
d
.
/
c
m
3
1m -1m
0
V=180mV
V
U
=0,13 V
0,215m
P N
- +
p
NV
n
PV
En esta parte del cristal se
produce un aumento muy
fuerte de los minoritarios
Ejemplo 1 con polarizacin inversa
V
u
=0.31 V
0.313m
varios mm
P N
+ -
n
N
n
P
p
P
p
N
V=180mV
V
U
=0,49 V
0,416m
P N
- +
En esta parte del cristal se
produce una disminucin
muy fuerte de los
minoritarios
10
10
10
12
10
14
10
16
P
o
r
t
a
d
.
/
c
m
3
1m -1m
0
10
8
n
PV
p
NV
Cmo evoluciona la concentracin de minoritarios en
las zonas alejadas de la unin? Ejemplo: huecos en
zona N con pol. directa
Zona de
transicin
+
+
+ + + +
Zona N
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Inyeccin continua de minoritarios por una seccin (ATE-
UO Sem 60)
x
0
p
NV
(x)
p
NV
p
NV0
p
NV
n
PV
n
N
n
P
10
10
10
12
10
14
10
16
P
o
r
t
a
d
.
/
c
m
3
Esc. log.
10
16
510
15
0
P
o
r
.
/
c
m
3
Escala
lineal
Zona P
Zona N
n
PV
n
N
n
P
p
P
p
N
p
P
p
N
p
NV
n
PV
n
N
n
P
p
P
p
N
p
NV
V=180mV
Zona P
Zona N
V=180mV
P
o
r
t
a
d
.
/
c
m
3
10
10
10
12
10
14
10
16
10
8
Esc. log.
Concentraciones en zonas alejadas de la unin
Zona P
Zona N
n
PV
p
NV
p
N
n
P
Portad./cm
3
Longitud [mm]
810
13
410
13
0
-3 -2 -1 0 1 2 3
Zona P
Zona N
p
N
n
P
810
10
410
10
0
-3 -2 -1 0 1 2 3
Portad./cm
3
Longitud [mm]
Concentracin de minoritarios en zonas alejadas de la
unin (zonas neutras) en escala lineal
V=180mV
V=180mV
n
PV p
NV
El aumento de concentracin
diminuye exponencialmente al
alejarse de la unin
La disminucin de concentracin
diminuye exponencialmente al
alejarse de la unin
Exceso de concentracin en las zonas
neutras y gradiente de minoritarios en los
bordes de la zona de transicin (I)
Debido a los diferentes valores de las escalas de concentraciones, los valores del
exceso de carga y del gradiente son muy distintos
p
NV
Portad./cm
3
Longitud [mm]
810
13
410
13
0
-3 -2 -1 0 1 2 3
n
PV
Polarizacin directa
810
10
410
10
0
-3 -2 -1 0 1 2 3
Portad./cm
3
Longitud [mm]
n
PV
p
NV
Polarizacin inversa
Alto
gradiente
Pequeo
gradiente
Alto exceso de minoritarios Escaso exceso de minoritarios
810
13
410
13
0
Portad./cm
3
Zona N
Zona P
p
N
n
P
n
PV
V=180mV
(pol. directa)
p
NV
n
PV
p
NV
V=-180mV
(pol. inversa)
Exceso de concentracin en las zonas
neutras y gradiente de minoritarios en los
bordes de la zona de transicin (II)
Aqu se ve mejor
Por qu tanto inters en la evolucin de la
concentracin de los minoritarios en los bordes
externos de la zona de transicin?
Porque dicha evolucin es la clave para deducir la relacin entre la tensin V y la
corriente I en una unin PN polarizada, que es lo que realmente nos interesa.
V
-
+
=
P
N
+ -
i
Cmo calcular la corriente (I)?
varios mm
V
V
U
0,215m
P N
- +
Zona P
Zona N
Analizando la zona de transicin?
En la zona de transicin hay gradientes de concentracin e intensidades
de campo elctrico muy grandes, que causan que:
j
p total
<< j
p campo
j
p total
<< j
p difusin
j
n total
<< j
n campo
j
n total
<< j
n difusin
Portad./cm
3
n
P
p
N
10
14
10
16
p
NV
n
PV
Esc. log.
1m
No es posible obtener informacin sobre la corriente
total por este camino
Cmo calcular la corriente (II)?
Analizando los mayoritarios de las zonasneutras?
V
3 mm
P N
- +
Zona P
Escala lineal
Portad./cm
3
10
16
+ 810
13
0
p
PV
10
16
+ 410
13
10
16
p
P
Sabemos que los mayoritarios
aumentan aproximadamente as, por
lo que podramos calcular la corriente
de difusin de mayoritarios.
Pero no podemos calcular la
corriente debida a campo elctrico
(de arrastre) ya que no sabemos lo
que vale el campo (aunque s
sabemos que es muy pequeo).
Tampoco vale este mtodo
Cmo calcular la corriente (III)?
ATE-UO PN 46
6 mm
V
0,215m
P N
- +
Zona P
Zona N
Portad./cm
3
810
13
410
13
0
n
PV
6,2510
10
Esc. lin.
Analizando los minoritarios de las zonasneutras?
La corriente de minoritarios debida a campo elctrico es despreciable (pequeos
valores del campo y pequea concentracin).
Toda la corriente de minoritarios es debida a
difusin
Portad./cm
3
p
NV
810
13
410
13
0
Esc. lin.
6,2510
10
Cmo calcular la corriente (IV)?
Clculo de la corriente de minoritarios en las zonasneutras
Portad./cm
3
p
NV
6,2510
10
Portad./cm
3
n
PV
6,2510
10
810
13
410
13
0
V
- +
Zona P Zona N
40
20
0
D
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

[
m
A
/
c
m
2
]
j
nP
j
pN
j
nP
=qD
n
dn
PV
/dx
j
nP
j
pN
=-qD
p
dp
NV
/dx
j
pN
Cmo calcular la corriente (V)?
Podemos conocer la corriente total a partir de la corriente de minoritarios
en las zonasneutras?
Qu pasa en la
zona de transicin?
j
nP
Longitud [mm]
40
20
0 D
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

[
m
A
/
c
m
2
]
0
-
-1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.5
0
+
Al no haber recombinaciones en la zona de transicin, no se
modifican las corrientes
j
pN
V=180mV
Zona P Zona N
j
nP
j
pN
Cmo calcular la corriente (VI)?
j
nP
j
pN
Longitud [mm]
40
20
0
D
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

[
m
A
/
c
m
2
]
0
-
-1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.5
0
+
60
80
En la zona de transicin:
j
total
= j
nP
(0) + j
pN
(0)
En el resto del cristal:
La corriente tiene que ser la
misma
j
pN
(0)
j
nP
(0)
j
total
= j
nP
(0) + j
pN
(0)
Muy, muy
importante
V=180mV
Zona P Zona N
j
nP
j
pN
j
total
1 conclusin importantsima:
Basta conocer la concentracin de los minoritarios en los
bordes de la zona de transicin para conocer la corriente
total.
2 conclusin importantsima:
Polarizacin directa:
El gradiente de dicha concentracin es bastante grande
Corriente total bastante grande
Polarizacin inversa:
El gradiente de dicha concentracin es muy pequeo
Corriente total muy pequea
j
nP
j
pN
Longitud [mm]
40
20
0
D
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

[
m
A
/
c
m
2
]
0
-
-1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.5
0
+
60
80
j
total
V=180mV
Zona P Zona N
j
nP
j
pN
j
total
j
pP
= j
total
- j
nP
j
nN
= j
total
- j
pN
Clculo de la corriente debida a los mayoritarios (I)
j
pP
En cada zona neutra ,
todo lo que no es corriente
de minoritarios es corriente
de mayoritarios
V=180mV
Zona P Zona N
j
nP
j
pN
j
total
Clculo de la corriente debida a los mayoritarios (II)
j
nP
j
pN
Longitud [mm]
40
20
0
D
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

[
m
A
/
c
m
2
]
0
-
-1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.5
0
+
60
80
j
total
j
pP
j
nN
j
pP
j
pN
j
pP
0
20
40
60
D
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

[
m
A
/
c
m
2
]
j
nP
j
nN
j
total
V=180mV (pol. directa)
Corriente positiva con la referencia
tomada
j
pN
j
pP
j
nP
j
nN
j
total
0
-0,02
-0,04
-0,06
D
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

[
m
A
/
c
m
2
]
V=-180mV (pol. inversa)
Corriente negativa con la
referencia tomada
Cambio de 1000 a 1 al pasar de +180mV a -180mV
180mV
j
total
Zona N
Zona P
Zona N
Zona P
180mV
j
total
Corrientes con polarizacin directa e inversa
1- Se calcula el salto de concentracin de cada tipo de portador
de un extremo al otro de la zona de transicin.
2- Se calcula el exceso de minoritarios en los bordes externos
de la zona de transicin.
3- Se calcula la distribucin exponencial de los minoritarios al lo
largo de las zonas neutras.
4- Se calcula el gradiente de dicha concentracin justo en los
bordes de la zona de transicin.
5- Se calculan las corrientes de minoritarios en los bordes de la
zona de transicin (corriente de huecos en el borde de la zona N
y de electrones en el borde de la zona P).
6- La suma de las dos corrientes anteriores es la corriente total.
Clculo de la corriente en funcin de la tensin (I)
Clculo de la corriente en funcin de la tensin (II)
10
10
10
12
10
14
10
16
p
P
p
NV
(x)
P
o
r
t
a
d
.
/
c
m
3
-3 -2
-1 0 1 2
3
Longitud [mm]
p
NV
(0)
p
N
()
1- Se calcula el salto de concentracin de cada tipo de portador de un
extremo al otro de la zona de transicin. Este salto depende de V
O
-V
2- Se calcula el exceso de minoritarios en los bordes externos de
la zona de transicin. Este exceso depende de V
Clculo de la corriente en funcin de la tensin (III)
10
10
10
12
10
14
10
16
p
P
p
NV
(x)
P
o
r
t
a
d
.
/
c
m
3
-3 -2
-1 0 1 2
3
Longitud [mm]
p
NV
(0)
p
N
()
3- Se calcula la distribucin exponencial de los
minoritarios al lo largo de las zonas neutras.
4- Se calcula el gradiente de dicha concentracin
justo en los bordes de la zona de transicin (tgo).
o
j
nP
j
pN
Longitud [mm]
40
20
0
D
e
n
s
i
d
a
d

d
e

c
o
r
r
i
e
n
t
e

[
m
A
/
c
m
2
]
0
-
-1.5 -1 -0.5 0.5 1 1.5
0
+
60
80
Clculo de la corriente en funcin de la tensin (IV)
5- Se calculan las corrientes de minoritarios en los bordes de la
zona de transicin (corriente de huecos en el borde de la zona N y
de electrones en el borde de la zona P).
j
pN
(0)
j
nP
(0)
6- La suma de las dos
corrientes anteriores es
la corriente total.
j
total
= j
nP
(0) + j
pN
(0)
1- Salto de concentraciones
V
O
= V
T
ln(p
P
/p
N
()) (1) V
O
-V = V
T
ln(p
P
/p
NV
(0)) (2)
2- Exceso de minoritarios en el borde
V= V
T
ln(p
NV
(0) /p
N
()) (3)
3- Distribucin de los minoritarios
p
NV
(x) = p
N
()+(p
NV
(0) -p
N
())e
-x/L
P (4)
4- Gradiente en el borde de la Z. T.
p
P
p
NV
(x)
p
NV
(0)
p
N
()
Clculo de la corriente en funcin de la tensin (V)
A
p
NV
(x)=
p
-(p
NV
(0) - p
N
())e
-x/L
L
p
(5)
p
NV
(x) =
A
-(p
NV
(0) - p
N
())
L
p
[ ]
0
(6)
Clculo de la corriente en funcin de la tensin (VI)
5- Corrientes de minoritarios
6-Corriente total (A es la seccin)
i=Aj
Total
=A(j
pN
(0)+ j
nP
(0)) (9) Usando la
ecuacin (3) para huecos y para electrones, queda:
p
NV
(0) -p
N
() = p
N
()(e
V/V
T -1) (10)
n
PV
(0) -n
P
() = n
P
()(e
V/V
T -1) (11)
j
pN
(0)=qD
p

(p
NV
(0) -p
N
())
L
p
(7)
j
nP
(0)=qD
n

(n
PV
(0) -n
P
())
L
n
(8)
Clculo de la corriente en funcin de la tensin (VII)
Sustituyendo (10) y (11) en (7) y (8) y stas en (9), queda:
i = Aq(D
p
p
N
()/L
p
+D
n
n
P
()/L
n
)(e
V/V
T -1) (12)
y como p
N
()=n
i
2
/N
D
y n
P
()=n
i
2
/N
A
, queda:
i = Aqn
i
2
(D
p
/(N
D
L
p
) + D
n
/(N
A
L
n
))(e
V/V
T -1) (13)
Esta ecuacin se puede escribir como:
i=I
S
(e
V/V
T -1)
donde:
I
S
= Aqn
i
2
(D
p
/(N
D
L
p
)+D
n
/(N
A
L
n
))
Muy, muy
importante
Polarizacin directa con V
O
> V >> V
T
Polarizacin inversa con V << -V
T
Resumen:
i = I
S
(e -1)
V
V
T
donde:
V
T
= kT/q I
S
= Aqn
i
2
(D
p
/(N
D
L
p
)+D
n
/(N
A
L
n
))
(dependencia exponencial)
i ~ I
S
e
V
V
T
Corriente inversa de saturacin
(constante)
i ~ -I
S
Ecuacin caracterstica de una unin PN larga
Muy
importante
Unin de Ge (Ejemplo 1),
sin efectos adicionales
P
N
+
-
i
V
Curva caracterstica de una unin PN larga
a diferentes escalas
0
1
0,25 -0,25
i [mA]
V [Volt.]
(exponencial)
-0,8
-0,5
0
i [A]
V [Volt.]
(constante)
i pequea
Zona P Zona N
+ -
Baja resistividad:
V
N
~ 0
Baja resistividad:
V
P
~ 0
V
V
N
= 0
V
P
= 0
i grande
Curva caracterstica de una unin PN con
otros efectos reales (I)
Efecto de la resistencia de
las zonas neutras
0
1 -4
30
i [mA]
V [Volt.]
La tensin de contacto ya no es V
O
- V
La tensin de contacto siempre
tiene el signo indicado
La tensin V puede ser mayor que
V
O
Curva caracterstica de una unin PN con
otros efectos reales (II)
Habamos supuesto que no haba
generacin de pares electrn-hueco
La corriente inversa aumenta por
efecto de esta generacin
Generacin en la zona de
transicin
i
+ V -
Zona P
Zona N
+ -
+ -
+ -
- +
+
-
+
-
+
-
-40
0
-2
i [A]
V [Volt.]
Curva caracterstica de una unin PN con
otros efectos reales (III)
Avalancha
primaria
-40
0
-2
i [A]
V [Volt.]
i
+ V -
P
N
+ -
- +
+ -
+ -
+
-
+
--
+
+
-
-
+
La corriente aumenta fuertemente si
se producen pares electrn-hueco
adicionales, o bien por choque o bien
por otra causa.
Esto ser estudiado despus
30
0
5 -20
i [mA]
V [Volt.]
Curva caracterstica de una unin PN en
escala de mximos valores de uso
En polarizacin inversa, la
corriente conducida es
prcticamente nula
En polarizacin directa, la
cada de tensin es
prcticamente nula
Muy
importante
Concepto de diodo ideal (I)
En polarizacin inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor de
la tensin inversa aplicada
En polarizacin directa, la cada de
tensin es nula, sea cual sea el
valor de la corriente directa
conducida
Nos olvidamos de lo que se ha visto sobre electrnica fsica
Definimos un nuevo componente ideal de teora de circuitos
nodo
Ctodo
i
V
i
V
+
-
Muy, muy
importante
curva caracterstica
Concepto de diodo ideal (II)
Circuito abierto
Corto
circuito
i
V
i
V
i
V
Circuito abierto: la
corriente conducida es
nula, sea cual sea el
valor de la tensin
aplicada
Corto circuito: la tensin
soportada es nula, sea
cual sea el valor de la
corriente conducida
Diodo ideal
Comparacin entre el diodo ideal y el
comportamiento de una unin PN
i
V
Diodo ideal
30
0
5 -20
i [mA]
V [Volt.]
Diodo real
El comportamiento de una unin PN es muy semejante al de un diodo
ideal
El diodo semiconductor. Diodo de seal
nodo
Ctodo
nodo
Ctodo
Oblea de
semiconductor
Encapsulado
(cristal o resina
sinttica)
Terminal
Terminal
P
N
Marca
sealando el
ctodo
Contacto metal-
semiconductor
Contacto metal-
semiconductor
1N4007
(Si)
BY251
(Si)
1N4148
(Si)
OA95
(Ge)
BY229
(Si)
Diodos semiconductores
BYS27-45
(Schottky Si)
Agrupacin de diodos semiconductores
2 diodos en ctodo
comn
BYT16P-300A
(Si)
+ ~
~
+
~ ~
Anillo de diodos
HSMS2827
(Schottky Si)
-
~
~
+
Puente de diodos
B380 C1500
(Si)
~ ~
+
-
B380 C3700
(Si)
4. CAMPO ELCTRICO EN EL INTERIOR DEL
DIODO SEMICONDUCTOR
Polarizacin Directa:
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona
de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a
travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce
la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que
conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo y el polo
negativo al ctodo
En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres
del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la
unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de
valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que
empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la
batera es mayor que la diferencia
de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para
saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente
se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona
p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de
los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es
atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de
tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el
cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la
batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a
la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p,
aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constante hasta
el final.
Polarizacin Inversa
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a
la zona p y el polo positivo a la zona n, como se muestra
en la Figura 14, lo que hace aumentar la zona de
transicin, W, y la tensin en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de
la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la
batera. A medida que los electrones libres abandonan la
zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrn en el orbital de
conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa
de valencia) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se
convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los
tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos
tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos
de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo
el electrn que falta el denominado hueco.
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con
lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8
electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica
neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de
carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la
batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente;
sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn,
por roturas de enlaces, pares electrn huecos a ambos lados
de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de
1 A) denominada corriente inversa de saturacin.
Adems, existe tambin una llamada corriente superficial de
fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una
pequea corriente por la superficie del diodo, ya que en la
superficie los tomos de silicio no estn rodeados de
suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces
covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace
que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n
como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo
que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la
corriente superficial de fugas
es despreciable.
Curvas caractersticas y circuitos equivalentes
V

r
d
real (asinttico)
ideal
0
i
V
V

pendiente = 1/r
d
Circuito equivalente
asinttico
Curva
caracterstica real
Curva caracterstica
asinttica
Curva caracterstica
ideal
Muy
importante
Recordatorio del Teorema de Thvenin
v
ABO
+
-
Circuito lineal
A
B
Circuito lineal
A
B
i
ABS
V
V = v
ABO
Z
O
Z
O
= v
ABO
/i
ABS
-
+
=
A
B
v
ABO
+
-
Equivalente Thvenin
Circuito lineal
A
B
Resolucin de circuitos con diodos. Caso 1:
Un diodo ideal en un circuito en el que el resto de
los componentes son lineales
Circuito lineal
Circuito no lineal
Circuito de
partida
ideal
A
B
ideal
v
ABO
+
-
Si v
ABO
> 0 diodo directamente polarizado
v
AB
=0, i
AB
>0 (= 0)
v
AB
+
-
i
AB
Si v
ABO
< 0 diodo inversamente polarizado
i
AB
=0, v
AB
=v
ABO
(= 0)
Solucin
Equivalente Thvenin
-
+
=
-
v
Z
O
Resolucin de circuitos con diodos. Caso 2:
Un diodo real (modelo asinttico) en un circuito en el
que el resto de los componentes son lineales
Si v
ABO
> V

diodo directamente polarizado


v
AB
=V

+ r
d
i
AB
Si v
ABO
< V

diodo inversamente polarizado


i
AB
=0, v
AB
=v
ABO
real
i
AB
v
AB
+
-
A
Circuito lineal
B
real
V

r
d
ideal
i
AB
v
AB
+
-
A
Circuito lineal
B
v
ABO
+
-
A
Circuito lineal
B
Resolucin de circuitos con diodos. Caso 3:
Un diodo real (modelo exponencial) en un circuito en el
que el resto de los componentes son lineales
En circuito impone la condicin v
AB
= F(i
AB
)
real
i
AB
v
AB
+
-
A
Circuito lineal
B
En diodo impone la condicin i
AB
= I
S
(e
V
AB
/V
T -1)
Hay que resolver este sistema, que no tiene
solucin explcita
Resolucin de circuitos con diodos. Caso 4:
Varios diodos ideales
Al ser no lineal el circuito
que queda al eliminar el
diodo D
1
, no pueden
aplicarse los mtodos
anteriores
Circuito no lineal
B
A
Circuito lineal
ideal
D
1
Mtodo a seguir: Establecer una primera hiptesis sobre el estado de conduccin de
cada diodo. A continuacin resolver el circuito y verificar si se llega a alguna situacin
incompatible con la idealidad de los diodos. En caso afirmativo, repetir el proceso
hasta que se llegue a una hiptesis compatible con la idealidad de los diodos.
Resolucin de circuitos con diodos. Caso 5:
Varios diodos reales (modelo asinttico)
ATE-UO PN 79
Igual que el caso anterior
real
real
Circuito lineal
A
B
C
D
E F
real
V

r
d
ideal
V

r
d
ideal
V

r
d
ideal
Circuito lineal
Circuito no lineal
Resolucin grfica de circuitos con un diodo,
fuentes y resistencias
En circuito impone la condicin: v
AB
= v
ABO
- R
O
i
AB
(recta de carga)
Circuito V, I, R
A
B
i
AB
v
AB
+
-
En diodo impone la condicin definida por su curva caracterstica
El punto de trabajo est definido por la interseccin de la recta de carga y
la curva caracterstica
Eq. Thvenin
R
O
-
+
=
-
v
ABO
0
i
AB
v
AB
v
ABO
v
ABO
/R
O
Decrece con T
Crece con T
Polarizacin directa: i ~ I
S
e
qV/(kT)
Polarizacin inversa: i ~ -I
S
La corriente I
S
depende fuertemente de T (se dobla cada 10C)
La corriente i aumenta con T (prevalece la tendencia de I
S
)
siendo: I
S
= Aq n
i
2
(D
p
/(N
D
L
p
)+D
n
/(N
A
L
n
))
n
i
~ N
c

e
(E
Fi
- E
c
)/kT N
c
es una constante que depende
de T
3/2
(ver ATE-UO Sem 32)
Efectos trmicos sobre la unin (I)
Efectos trmicos sobre la unin (II)
30
0,3
0
i [mA]
V [Volt.]
Polarizacin directa
P
N
+
-
i
V
37C
27C
-0,25
-2
V [Volt.]
i [A]
Polarizacin inversa
En ambos caso, para la misma tensin, la corriente
aumenta con la temperatura
Muy
importante
27C
37C
Datos del Si a 300K
D
p
=12,5 cm
2
/s
D
n
=35 cm
2
/s

p
=480 cm
2
/Vs

n
=1350 cm
2
/Vs
n
i
=10
10
port/cm
3
c
r
=11,8
V
O
=0,596 V
N
A
=10
15
atm/cm
3
t
p
=100 ns
L
p
=0,01 mm
N
D
=10
15
atm/cm
3
t
n
=100 ns
L
n
=0,02 mm
Zona P Zona N
D
p
=50 cm
2
/s D
n
=100 cm
2
/s n
i
=2,510
13
port/cm
3

p
=1900 cm
2
/Vs
n
=3900 cm
2
/Vs c
r
=16
L
p
=0,22 mm L
n
=0,32 mm t
p
= t
n
= 10 s
N
A
=10
16
atm/cm
3
N
D
=10
16
tm/cm
2
V
O
=0,31 V
Datos del Ejemplo 1 (Ge)
Ejemplo 2: unin de Silicio
p
P
p
NV
n
N
n
PV
10
10
10
12
10
14
10
16
Portad./cm
3
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm]
Ejemplo 2 (Si) con
V=0,48 (i=544A)
Ejemplo 1 (Ge) con
V=0,18 (i=566A)
p
NV
p
P
n
PV
n
N
Portad./cm
3
10
4
10
12
10
14
10
16
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Longitud [mm]
10
10
10
8
10
6
Comparacin entre uniones de Silicio y Germanio
0 1 -4
30
i [mA]
V [Volt.]
Ge
Si
V [Volt.]
0
1
0,25 - 0,25
i [mA]
0,5
P
N
+
-
i
V
Comparacin Ge/Si: curvas caractersticas
Ge
Si
-0,8
-0,5
0
i [A]
V [Volt.]
-10
-0,5
0
i [pA]
V [Volt.]
Ge
Si
Ge: mejor en
conduccin
Si: mejor en
bloqueo
Muy
importante
Al cambiar las condiciones de polarizacin, cambia al instante la
conduccin?
No, ya que la conduccin est ligada a la concentracin de portadores de
carga en los bordes externos de la zona de transicin y al ancho de la zona
de transicin, siendo en ambos casos necesario crear, destruir o
mover portadores de carga, lo que requiere tiempo.
Se caracterizan como:
Capacidades parsitas (aplicaciones lineales)
Tiempos de conmutacin (en conmutacin)
Efectos dinmicos de las uniones PN
Es la dominante con polarizacin inversa
x
(x)
V
Zona P
V
O
+V
-
+
Zona N
V
O
+V+AV
-
+
Zona N
V +
AV
Al producirse AV, hay que extraer portadores de carga para
generar esta carga espacial
Capacidades parsitas: capacidad de transicin (I)
-
+
P
N
Con V
Unin PN
Con V
+ + +
- - -
+ + + + +
- - - - -
Con V + AV
Condensador
Condensador: nuevas cargas a la misma distancia (C=cte.)
Unin PN: nuevas cargas a distinta distancia (C = cte.)
Capacidades parsitas: capacidad de transicin (II)
Con V + AV
-
+
P
N
Capacidades parsitas: capacidad de transicin (III)
Es una funcin del tipo
K(V
O
-V)
-1/2
C
trans
=dQ/dV=cA/L
ZT
L
ZT
=
p
P
p
N
e
V
U
V
T
=
2c(N
A
+N
D
)(V
O
-V)
qN
A
N
D
C
trans
= A
p
P
p
N
e
V
U
V
T
=
2(N
A
+N
D
)(V
O
-V)
cqN
A
N
D
L
ZT
-dQ
dQ
Partiendo de :
Se obtiene:
0
V
C
trans
Muy
importante
Capacidades parsitas: capacidad de transicin (IV)
Muy
importante
Los diodos varicap o varactores son diodos que se utilizan como
condensadores variables controlados por por tensin.
Se basan en la capacidad de transicin de una unin PN polarizada inversamente.
Se utilizan frecuentemente en electrnica de comunicaciones para realizar
moduladores de frecuencia, osciladores controlados por tensin, control automtico
de sintona, etc.
Smbolo
Se usa polarizado
inversamente
Capacidades parsitas: capacidad de difusin (I)
dominante con polarizacin directa
Polarizacin
inversa
Polarizacin
directa
En polarizacin directa, C
trans
crece mucho. Sin embargo, carece de
importancia porque aparece otro efecto capacitivo: La capacidad de
difusin.
Esta capacidad est ligada a la concentracin de minoritarios en los
bordes externos de la zona de transicin.
0
V
C
trans
Incremento de concentracin
de minoritarios debido al
aumento de tensin de
60mV.
Capacidades parsitas: capacidad de difusin (II)
10
10
10
12
10
14
10
16
P
o
r
t
a
d
.
/
c
m
3
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm]
p
P
p
NV
n
N
n
PV
V=180mV
Al incrementar la tensin tiene que producirse un aumento de
concentracin de minoritarios, que tarda tiempo en producirse, lo que se
asocia a la llamada capacidad de difusin
V=240mV
Comportamiento dinmicamente
ideal
Transicin de a a b (apagado), en
una escala amplia (ms o s).
a
b
V
1
V
2
R
i
V
+
-
i
V
t
t
V
1
/R
-V
2
Tiempos de conmutacin (I)
a
b
V
1
V
2
R
i
V
+
-
Tiempos de conmutacin (II)
Transicin de a a b (apagado), en una escala detallada (s o ns).
i
V
t
t
t
rr
V
1
/R
-V
2
/R
t
s
t
f
(i= -0,1V
2
/R)
-V
2
t
s
= tiempo de almacenamiento
(storage time )
t
f
= tiempo de cada (fall time )
t
rr
= tiempo de recuperacin inversa
(reverse recovery time )
Muy
importante
a
b
V
1
V
2
R
i
V
+
-
Tiempos de conmutacin (III)
Por qu ocurre esto?
Porque no habr capacidad de bloqeo
hasta que las concentraciones de
minoritarios sean menores que las de
equilibrio
V
1
/R
V
t
i
t
p
NV
n
PV
Portad./cm
3
810
13
410
13
0
-1
0 1
Longitud [mm]
t
0
t
0
t
3
t
3
t
1
t
1
t
2
t
2
-V
2
-V
2
/R
t
4
t
4
t
0
t
0
a
b
V
1
V
2
R
i
V
+
-
Tiempos de conmutacin (IV)
p
NV
n
PV
Portad./cm
3
810
13
410
13
0
-1
0 1
Longitud [mm]
i
t
d
= tiempo de retraso (delay time )
t
r
= tiempo de subida (rise time )
t
fr
= t
d
+ t
r
= tiempo de recuperacin directa
(forward recovery time )
t
r
0,9V
1
/R
t
d
0,1V
1
/R
t
fr
Transicin de b a a
(encendido)
t
0
t
0
t
1
t
1
t
2
t
2
t
3
t
3
t
4
t
4
El proceso de encendido es ms
rpido que el apagado.
Zona P
(neutra)
Barrera que impide la difusin
Zona N
(neutra)
E
v
E
Fi
E
c
E
F
E
v
E
Fi
E
c
E
F
Zonas P y N incomunicadas
Diagramas de bandas en la unin PN (I)
Zona P
(neutra)
E
v
E
Fi
E
c
E
F
E
v
E
Fi
E
c
E
F
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar (I)
Diagramas de bandas en la unin PN (II)
V
O
q
Zona de transicin
-
-
-
+
+
+
-
+
V
O
Zona N
(neutra)
E
v
E
Fi
E
c
E
F
E
v
E
Fi
E
c
E
F
Zona P neutra Zona N neutra
Z. trans.
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar
Representamos la distribucin de los portadores
Diagramas de bandas en la unin PN (III)
n
P
n
N
p
P
p
N
Estados posibles para los electrones
(estados vacos)
Estados posibles para los huecos
(electrones de valencia)
E
v
E
Fi
E
c
E
F
E
v
E
Fi
E
c
E
F
Zona P neutra Zona N neutra
Z. trans.
n
P
n
N
p
P
p
N
Estados posibles para los electrones
Estados posibles para los huecos
- +
- +
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar
Valoracin de las corrientes
Diagramas de bandas en la unin PN (IV)
-j
n campo
-j
n difusin
j
p campo
j
p difusin
j
n campo
+ j
n difusin
= 0 j
p campo
+ j
p difusin
= 0
Diagramas de bandas en la unin PN (V)
Sin polarizar Polarizacin inversa (V<0). Valoracin de las corrientes
Corriente total dbil debida a campo elctrico y que no vara casi con la
tensin inversa (V<0) aplicada
E
c
E
v
E
Fi
E
c
E
F
n
P
p
N
- +
- +
E
v
E
Fi
E
F
p
P
n
N
-j
n campo
E
F
E
v
E
Fi
E
c
n
N
p
N
- +
- +
(V
O
-V)q
j
total
~ j
n campo
+ j
p campo
j
p campo
E
c
E
v
E
Fi
E
c
E
F
n
P
p
N
- +
- +
E
v
E
Fi
E
F
p
P
n
N
Diagramas de bandas en la unin PN (VI)
Sin polarizar Polarizacin directa (V>0). Valoracin de las corrientes
Corriente total fuerte debida a difusin, que vara mucho con la tensin
directa (V>0) aplicada
-j
n campo
E
F
E
v
E
Fi
E
c
n
N
p
N
- +
- +
(V
O
-V)q
-j
n difusin
j
p difusin
j
total
~ j
n difusin
+ j
p difusin
j
p campo
Tensin inversa mxima que puede soportar una
unin PN (I)
La tensin inversa mxima que puede soportar una unin est limitada por una
de estas 3 posibles causas:
Perforacin (punch-through)
Ruptura por avalancha primaria
Ruptura zener
Perforacin: en uniones extremadamente cortas, la zona de transicin puede
llegar a invadir toda la zona neutra cuando se aumenta excesivamente la
tensin inversa aplicada. En estas condiciones la unin ya no es capaz de
soportar tensin inversa sin conducir.
0
i
V
i
+ V -
P
N
+ -
- +
+ -
+ -
+
-
+
--
+
+
-
-
+
Ruptura por avalancha primaria: Como se coment en ATE-UO PN 65, la
corriente inversa aumenta fuertemente si se producen pares electrn-
hueco adicionales por choque. El fenmeno se vuelve degenerativo si la
intensidad del campo elctrico aumenta suficientemente.
Tensin inversa mxima que puede soportar una
unin PN (II)
El coeficiente de temperatura en este caso es positivo (al aumentar la
temperatura aumenta la tensin de ruptura.)
Ruptura Zener: Dopando muy fuertemente ambas zonas se puede
conseguir que L
ZTO
sea muy pequea (<10
-6
cm) y E
maxO
muy grande
(~10
6
volt/cm). En estas condiciones, con tensiones inversas pequeas
(~5 voltios) se puede dar la ruptura de la unin al producirse conduccin
inversa por efecto tunel.
Tensin inversa mxima que puede soportar una
unin PN (III)
c(N
A
+N
D
)
E
maxO
=
2qN
A
N
D
V
O
L
ZTO
=
2c(N
A
+N
D
)V
O
qN
A
N
D
Valores de la longitud de la zona de transicin L
ZTO
y del campo
elctrico mximo E
maxO
sin polarizar (ver ATE-UO PN 27):
El coeficiente de temperatura en este caso es negativo (al aumentar la
temperatura disminuye la tensin de ruptura)
Existen 4 posibilidades dependiendo de la naturaleza del metal y del
semiconductor (de la funcin de trabajo del metal y del semiconductor):
Caso 1: El semiconductor N cede electrones al metal
Introduccin a los contactos metal-
semiconductor (I)
Zona N
Metal
N
+
+
+
+
+
+
+ +
-
-
-
-
-
-
-
-
N
Iones del donador
Electrones
(pelcula estrecha)
Introduccin a los contactos metal-
semiconductor (II)
Zona P
Metal
P
-
-
-
-
-
-
- -
+
+
+
+
+
+
+
+
P
Iones del aceptador
Falta de electrones
(pelcula estrecha)
Caso 2: El semiconductor P roba electrones al metal
En los casos 1 y 2 se crea una zona de transicin en el semiconductor. En ambos
casos se forman las llamadas uniones rectificadoras o contactos rectificadores.
Caso 3: El semiconductor N roba electrones al metal
Intr. a los contactos metal-semiconductor (III)
Zona N
Metal
N
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
Electrones
(pelcula estrecha)
Falta de electrones
(pelcula estrecha)
Caso 4: El semiconductor P cede electrones al metal
Zona P
Metal
P
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
Electrones
(pelcula estrecha)
Huecos
(pelcula
estrecha)
En ambos casos se forman los llamados contactos hmicos.
Contactos metal-semiconductor. Caso 1(el
semiconductor N cede electrones al metal)
La longitud de la zona de transicin, el campo elctrico y la capacidad de
transicin se calculan como en una unin PN con la zona P infinitamente
dopada.
c
E
maxO
=
2qN
D
V
O
2cV
O
L
ZTO
=
qN
D
C
trans
= A
p
P
p
N
e
V
U
V
T
=
2V
O
cqN
D
+
+
+
+
+
+
+ +
-
-
-
-
-
-
-
-
N
L
ZTO
Metal
Para calcular la tensin de contacto y las corrientes al polarizar, hay que
introducir nuevos conceptos.