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UNIVERSIDAD DE VALLADOLID Departamento de Electricidad y Electrnica

TECNOLOGA ELECTRNICA 2 CURSO INGENIERO EN ELECTRNICA

OXIDACIN TRMICA. PROBLEMAS 1) Calcular el espesor de xido resultante de la siguiente secuencia: 20 minutos en O2 seco, seguidos de 20 minutos en O2 hmedo, ambos a 1100C. Suponer silicio <100>. 2) Una oblea de Si <100> tipo P con resistividad = 10 cm se somete a oxidacin trmica hmeda a 1050C para crecer un capa de xido de 4500 de espesor. a) Determinar el tiempo necesario para este proceso. b) Despus de la primera oxidacin se abre una ventana para crecer un xido de puerta a 1000C durante 20 minutos en ambiente seco. Calcular el espesor del xido de puerta y del xido de campo total. c) Si se aadiera un 3% de HCl durante la oxidacin seca del apartado b), cul sera el espesor de los dos xidos? 3) Se fabrica una unin lateral N+P de silicio mediante difusin de fsforo en un substrato de tipo P con orientacin <100>. El dopado de ambas zonas es ND = 81020 cm-3 y NA = 1015 cm-3. Si se realiza una oxidacin seca a 900 C durante 5 horas, calcular la diferencia de espesor del xido entre los dos lados de la unin. 4) Se necesita obtener un xido de campo de 1 m de espesor para aislar los transistores en una cierta tecnologa bipolar. Debido a condicionantes relacionados con la difusin de los dopantes y la formacin de defectos, la oxidacin se debe realizar a 1050C. Calcular el tiempo necesario para realizar este proceso en ambiente hmedo: a) A presin atmosfrica. b) A 5 atm y 20 atm de presin, suponiendo que el coeficiente parablico es proporcional a la presin de la cmara de oxidacin. 5) a) En una cierta tecnologa se requiere obtener un xido de puerta de 1000 , mediante una oxidacin seca a 1000C. Si no existe xido inicialmente, cunto tiempo ser necesario? b) Por consideraciones tecnolgicas, se prefiere realizar la oxidacin del apartado anterior en dos pasos. Primero se obtiene un xido de 500 y despus se har una segunda oxidacin hasta el espesor total de 1000 . Si ambas oxidaciones se realizan a 1000C en oxgeno seco, cunto tiempo es necesario para cada una? c) Suponer que la especie O2 tiene un coeficiente de difusin doble que el del O2 neutro, y una reactividad superficial 10 veces mayor. Los valores para la energa de activacin trmica del coeficiente de reaccin superficial son los mismos para ambas especies. Repetir el apartado a) en una cmara de oxidacin a 1 atm de presin de O2.

6) Se est interesado en la diferencia de espesor de xido (x1 x2) despus de la oxidacin trmica hmeda de una ventana de xido sobre una oblea de silicio (ver dibujo). a) Demostrar: A + x0 Oxidacin ( x2 x1) = x0 trmica A + x1+ x2

Si

b) Expresar la diferencia de altura de la superficie del xido fuera y dentro de la ventana, , en funcin de x0, x1 y x2. c) Razonar muy brevemente cul sera la variacin de si: Si (i) el espesor inicial del xido fuese mayor (ii) se aumentase el tiempo de oxidacin, con el mismo espesor inicial de xido.

1200C 1100C

900C 1000C

Oxidacin hmeda

7) Sobre la superficie plana de una oblea de Si se han depositado 4000 de xido de campo. En l se abre una ventana para realizar la difusin de base de un transistor. Esta difusin se realiza en ambiente oxidante hmedo durante 33 minutos a 1100C. a) Al final de la difusin/oxidacin, cul es el espesor del xido en las regiones de base y de xido de campo? b) Si se elimina totalmente el xido, de qu altura es el escaln que queda entre las dos regiones en la superficie del silicio? Usar la grfica adjunta.
200 nm

8) Se desea oxidar la oblea de la figura a 900C en ambiente hmedo. Se puede suponer una constante lineal 4 veces mayor en la zona N+ que en la zona cubierta por el xido. En algn momento el espesor de los xidos en las dos zonas ser igual? Si es as, qu tiempo se tardara en alcanzar esta condicin? Es razonable pensar que la constante parablica en las dos zonas ser similar?

N+

9) Sobre la superficie plana de una oblea de silicio <100> con un dopado bajo se deposita 1 m de xido y se abre una ventana dejando en ella el silicio al descubierto. Seguidamente se introduce la oblea en el horno de oxidacin a 1000C en ambiente hmedo. a) Calcular el tiempo necesario ttot para que el espesor de xido en la ventana sea el 40% del que haya fuera de ella. b) Seguidamente se elimina todo el xido. Cul es la diferencia de altura del silicio entre las dos zonas? c) Si antes de hacer la oxidacin se hace una implantacin con dosis muy alta en la oblea, el tiempo ttot sera mayor o menor que en el apartado a)? 10) En una oblea de silicio (100) tipo P se ha difundido fsforo. La unin PN resultante tiene una profundidad de 0.125 m. Los dopados de las dos zonas no son elevados. a) Una vez formada la unin, se forma sobre la oblea un xido de alta calidad a 1200C durante una hora. Cul es el espesor de xido despus de este paso? b) Despus del proceso anterior la oblea se vuelve a oxidar. No es necesario que este nuevo xido sea de calidad, y sin embargo, s que es importante que el crecimiento sea rpido. El espesor final del xido es 0.12 m ms ancho que el obtenido en el paso (a). Qu tiempo se necesita para el segundo paso? c) Despus de (b), todava puede existir la unin PN? 11) Se crea una trinchera de 1m de anchura mediante grabado en una oblea de silicio tipo N. Las caras de la trinchera son planos <100>. Se realiza una oxidacin hmeda a 1100C de forma que la trinchera quede totalmente llena de xido. Debido a la relacin de aspecto, se puede despreciar el xido que crece en el fondo de la trinchera, y considerar slo la oxidacin de las caras laterales. a) Qu tiempo se tarda en completar la oxidacin? b) Suponer que antes de la oxidacin se ha hecho una implantacin oblicua que introduce un dopado N+ en la cara izquierda de la trinchera, lo que incrementa la constante lineal en un factor 4 en esa zona. Si se realiza una oxidacin en las mismas condiciones que el apartado anterior, cunto tiempo tardar? Cul ser el espesor de xido crecido en cada una de las caras? Realizar las aproximaciones que se consideren convenientes para resolver este apartado.