INSTRUMENTACION ELECTRICAY ELECTRONICA(VIII)

INSTRUMENTACION INDUSTRIAL TERMORRESISTENCIAS: METALICAS Y SEMICONDUCTORAS

Tomado de: Principles of Measurement Systems; John P. Bentley; Cap 8; Pearson 2005

 Latermorresistenciatrabajasegnelprincipiodequeamedidaquevara

la temperatura, su resistencia se modifica, y la magnitud de esta modificacinpuederelacionarseconlavariacindetemperatura. Las termorresistencias de uso ms comn se fabrican de alambres finos soportadosporunmaterialaislanteyluegoencapsulados. El elemento encapsulado se inserta luego dentro de una vaina o tubo metlicocerradoenunextremoquesellenaconunpolvoaislanteysesella concementoparaimpedirqueabsorbahumedad

En la mayora de los metales la resistencia se incrementa linealmente con la temperatura en un rango aproximado de 100 a + 800 C, siguiendolasiguienteexpresin: RT =R0(1 +T1 +T2 +T3 +) Donde: R0 es la resistencia a 0 C y,, son coeficientes de temperatura de la resistencia. La magnitud de los trminos nolinealessueleserpequea.
Caractersticas resistencia temperatura de los metales comnmentemsusados.

Unelementodeplatinotpicoposee: R0 =100.0;R100 =138.50;R200 =175.83, =3.91 103 C1 y =5.85 107 C2. Elcambioenlaresistenciaentreelpuntode congelacinyelpuntodeevaporacin,es decir:R100 R0 ,esllamadointervalo fundamental,paraelcasocitadoeste intervaloesde38.5.

Construccintpicadeunasondadeplatino

Un tipo de elemento se construye usando el arreglo parcial mostrado en la figura b. El alambre de platino se enrolla en una espiral muy pequea y se introduce en agujeros axialesenunalminaaisladoradealta pureza.Unapequeacantidad devidrioadhesivo se introduce en los agujeros y la unidad se somete a calor, con lo que se fijan en forma segura cada vuelta a la lmina aislante. El diagrama tambin muestra un elemento alojadoenlafundadeproteccindeaceroinoxidable.

SENSORESDETEMPERATURA. Larelacinresistenciatemperaturacorrespondientealalambredeplatinoestan reproducible que la termorresistencia de platino se utiliza como estndar internacionaldetemperaturadesde260C hasta630C. El aspecto exterior de las termorresistencias industriales es prcticamente idnticoaldelastermocuplas. Se aplican las mismas consideraciones ambientales y de instalacin y se debe prestar la misma atencin a los conceptos de presin, temperatura, ataque qumico, abrasin, vibracin, porosidad y velocidad de fluido, requirindose los mismostiposdevainasdeproteccin El estndar IEC 751:1983 (BS EN 60751:1996) establece los lmites de tolerancia en la variacin mxima de la resistencia entre los elementos de platino a una temperatura dada. Para los elementos de la clase A los lmites de tolerancia son 0.06 a 0C y 0.06 a 200C; para los elementos de clase B los lmites de la tolerancia son 0.126 a 0C y 0.48 a 200C. La cantidad de potencia elctricadisipadaenelelementodebeserlimitadaconelfindeevitarlosefectos de auto calentamiento; en un elemento tpico de 10mW la potencia causa un aumentodetemperaturade0.3C.

SENSORESDETEMPERATURA. Los elementos de termorresistivos hechos con materiales semiconductores son comnmente conocidos como termistores. El tipo ms comnmente utilizado se prepara a partir de xidos de elementos de transicin del grupo del hierro, tales como cromo, magnesio, hierro, cobalto y nquel. La resistencia de estos elementosdisminuyeconlatemperatura. En la figura se muestra las caractersticas resistenciatemperatura tpica de un termistorlacualpuedeserdescritausandolasiguienterelacin: Donde R es la resistencia a una temperatura en Kelvin; K y son constantes paraeltermistor.Unaecuacinalternativaes: R =R1(e)(1/ 1/1) DondeR1 eslaresistenciareferidaalatemperatura1 K,usualmente: 1 =25C=298K. UntermistorNTCtpicoposeeunaresistenciade12k a25C(298K),cayendoa 0.95k a100C(373K),y =3750K.Los lmitesdetoleranciadelfabricante en lasfigurasdearribasonde 7%,esdecir 840 a25C,y 5%,esdecir 47.5 a 100 C, que es mucho mas amplio que para los elementos de metal. La constante de tiempo del elemento es 19 segundos en aire y 3 segundos en aceite, y el efecto de auto calentamiento es 1 C de aumento por cada 7 mW de energaelctrica.

SENSORESDETEMPERATURA. Los termistores con coeficiente de temperatura positivo (P.T.C.) son tambin viables; la resistencia de este elemento tpico incrementa desde 100 a 55 C hasta10k a120C. Sepuedenusarpolmerosdepelculagruesacomosensorestermoresistivospara la medida de humedad y la temperatura. Estas son pastas que consisten en una matriz de polmero (por lo general epoxi, silicona o resina fenlica) que une las partculasderelleno. Si el material de relleno es metlico, por ejemplo, partculas de plata o cobre, entonces la pasta tiene propiedades resistivas similares a un metal. Si se utilizan como material de relleno partculas de carbono, entonces, la pasta tiene propiedades de resistencia elctrica de un semiconductor. Entonces se aaden disolventes para dar a la pasta las propiedades tixotrpicas de una tinta por lo que puede imprimirse en un sustrato (a menudo de almina). Tras el proceso de impresin, los disolventes se secan y las pastas se curan a temperaturas que no afectan a la estabilidad fsica y qumica de los sustratos. Los patrones impresos utilizadosparapastadecarbnyplatasemuestraenlafiguraa.

SENSORESDETEMPERATURA. Lafigura(a)muestralospatronesimpresosde pasta de carbono (izquierda) y pasta de plata (aladerecha) Figura (b) muestra la variacin de la resistencia conlatemperatura parapolmeros decarbnyplata. Figura (c) Cambios en la resistencia de pasta de polmeros de carbono con la humedad relativa Los polmeros de plata muestran un incremento lineal en la resistencia con la temperatura. Esto se describe como una aproximacinlineal: RT =R0(1+ T) Una aproximacin lineal alternativa para T entre25a200Ces:RT =R25(1+(T 25)) Donde =3.732 103 C1 En contraste la pasta de carbn curado a 220 C muestracaractersticasde semiconductoro termistor,laconstante =136K.

(a)

SENSORESDETEMPERATURA. Los polmeros de carbono muestran una variacin de la resistencia con la humedad. La matriz de polmero absorbe el agua, haciendo que se hinche, esto provoca que las partculas de carbono embebidas en la matriz se muevan ms lejos unas de otras, reduciendo as el nmero de caminos conductivos y por consiguienteelaumentodelaresistividaddelmaterial. La figura 8.4C muestra la variacin en la resistencia con humedad en el rango de 30% a 90% para polmeros de carbono curados a 160C y 200C y operando a 25C y a 60C. La relacin resistencia humedad tienen caractersticas no lineales, amayortemperaturaesmayorlanolinealidad. MEDIDORESDEESFUERZOSRESISTIVOS:SEMICONDUCTORESYMETLICOS Esfuerzo=F/A Modulodeelasticidad=presin/tensin

SENSORESDETEMPERATURA. Un extensmetroes unmetaloelementosemiconductor cuya resistenciacambia cuando estn bajo tensin. Podemos derivar la relacin entre los cambios en la resistencia y la tensin considerando los factores que influyen en la resistencia del elemento. La resistencia de un elemento de longitud l, rea de seccin transversalAy resistividad(Figura)vienedadapor:R=L/A Engeneralenlosextensmetro,LyA puedecambiarsielelementoes tensionado,porloqueelcambioenla resistencia,R,est dadopor:

EsdecirdividiendotodoporR=l/A

Elrelacin:l/leslatensinlongitudinal eL enelelemento.Dadoqueelrea transversalesA=wt

SENSORESDETEMPERATURA. Definimosahoraelfactordelextensmetro,G,mediantelarelacin(variacin relativadelaresistencia)/(esfuerzo),esdecir: G=(R/R0)/e Dedonde: R/R0 =Gerelacinresistencia/tensindeunmedidordetensin dondeR0 eslaresistenciaconlagalganotensionada.Apartirdelaecuacin [8,13],elfactordecalibracinest dadapor: G=1+2v+(1/e)(/),donde eslaelacindePoisson. Los medidores de esfuerzo o tensin ms comunes son del tipo unido o pegado, dondeelmedidorconstadeunalminametlica,cortadaenestructuraderejilla mediante un proceso de fotograbado, y montada sobre una base de pelcula de resina. El respaldo de la pelcula se fija entonces a la estructura que se mide con un adhesivo adecuado. El medidor debe colocarse de modo que su eje activo est a lo largo de la direccin de la tensin medida activa: el cambio en la resistencia, debido a una tensin dada, a lo largo del eje pasivo es muy pequea en comparacin con la producida por la misma tensin a lo largo del eje activo. Unmedidortpicotiene:

SENSORESDETEMPERATURA. Paralamayoradelosmetales 0,3,yeltrmino(1/e)(/),querepresentala tensin inducida por los cambios resistividad (efecto piezorresistivo) es pequeo (alrededorde0,4),demodoqueelfactortotalGdelmedidores dealrededorde 2,0.Unmetalmuycomnparalosmedidoresdetensines'Advance',tiene54% de cobre, 44% de nquel y 1% de manganeso. Esta aleacin tiene una resistencia con bajo coeficiente trmico (2x105 C1) y una expansin lineal con bajo coeficiente trmico. La temperatura interfiere modificando la entrada (Seccin 2.2), y las propiedades anteriores aseguran que los efectos de la temperatura en ceroylasensibilidadsonpequeos. Los medidores de deformacin ms comunes son del tipo unido, donde el medidorsecomponedeunalminametlica,cortadaenunaestructuraderejilla porun procesodefotograbado,ymontadosobreuna basedepelculade resina. El respaldo de la pelcula se fija entonces a la estructura a ser medida con un adhesivoadecuado.

SENSORESDETEMPERATURA. El medidor debe colocarse de modo que su eje activo est a lo largo de la direccin de la tensin medida activa: el cambio en la resistencia, debido a una tensin dada, a lo largo del eje pasivo es muy pequea en comparacin con la producidaporlamismatensinalolargodelejeactivo.Unmedidortpicotiene: Factordelmedidor:de2.0a2.2 Resistencianotensionada120 1 Linealidaddentrodel 0.3% Mximoesfuerzodetensin:+2x102 Mximoesfuerzodecompresin:1x102 Mximatemperaturadeoperacin:150C Conlamximatensindetraccintendremosque el cambioen la resistencia es: R = 4,8 , y R = 2.4 a una tensin de compresin mxima. Con el fin de evitar los efectos de autocalentamiento, se especifica un medidor de corriente mxima entre 15 mA y 100 mA, dependiendo del rea. Las galgas extensiomtricasoextensmetrosnounidas(opegadas)consistendeunalambre metlicofinoestiradosobrepilares,queseutilizanenalgunasaplicaciones.

SENSORESDETEMPERATURA. En los medidores de semiconductores el trmino piezorresistivo (1/e)(/) puede ser grande, produciendo grandes factores de medicin. El material ms comneselsiliciodopadoconpequeascantidadesdematerialtipopomaterial tipo n. Factores de medicin de entre 100 y 175 son comunes para el silicio tipo p, y entre 100 y 140 para silicio tipo n. Un factor de calibracin negativo significa una disminucin de la resistencia para una tensin de traccin. As, los medidores semiconductores tienen la ventaja de una mayor sensibilidad a la presin que los de metal, pero tienen la desventaja de una mayor sensibilidad a los cambios de temperatura. Tpicamente un aumento de la temperatura ambientedesde0a40Ccausaunacadaen elfactordel medidorde 135a120. Asimismo,elcoeficientedetemperaturadelaresistenciaesmayor,porloquela resistenciadeuncalibretpicosintensinaumentar de120 a20Ca125 a 60 C. Los elementos de medicin de deformacin se incorporan en los circuitos depuentededeflexin.

SENSORESDETEMPERATURA.

SENSORESRESISTIVOSSEMICONDUCTORESPARAGAS. Los sensores de xido metlico tienen propiedades semiconductoras las cuales son afectadas por la presencia de gases. La resistencia del xido de titanio de cromoesafectadaporlosgasesreductorescomoelmonxidodecarbono(CO)e hidrocarburos; en el proceso de xidoreduccin los tomos de oxigeno reaccionan con las molculas de gases reductores causando una decremento en la conduccin elctrica y un incremento en la resistencia. Estos sensores son operadosaaltastemperaturasporencimadelatemperaturaambiente. La figura muestra la tpica construccin de un sensor de metal oxido usando comotecnologadepelculadelgada. Un sensor tpico de NOx tiene un rango de temperaturaambientede20Ca60Cyoperaconuna potenciade650mW.Laresistenciatpicaesde6K en elaire,39K enpresenciade1.5ppmdeNO2 y68K enpresenciade5.0ppmNO2. Un sensor tpico de CO tiene un rango de temperatura ambiente de20 C a +60 Cyunapotenciadeoperacinde650mW.Suresistenciatpicaesde53K enel aire,85K enpresenciade100ppmCOy120K enpresenciade400ppmCO.

SENSORESRESISTIVOSSEMICONDUCTORESPARAGAS. Las reacciones de los gases sensores ocurren en o cerca de la superficie de los semiconductores de polmeros orgnicos, de tal forma que solo se requiere una pelcula delgada de material en un sensor. Las ftalocianinas metlicas [phthalocyanines (MPc)], usadas en los sensores para deteccin de las bombas caseras, tienen una alta sensibilidad a ciertos gases. Las pelculas delgadas de MPc actan como semiconductores tipo p donde la conductividad elctrica es debida a los agujeros positivos. Los gases receptores de electrones como el dixido de cloro o de nitrgeno, son absorbidos por la pelcula y capturan los electronesdelaMPc.Estocausaunincrementodeladensidadde agujeroslibres y un correspondiente incremento en la conductividad elctrica por lo tanto un decrementoenlaresistenciaconrespectoalaconcentracindegas. El metal M se elige de modo que tenga la mayor sensibilidad a un gas en particular.As,elplomotienelamayorsensibilidadaldixidodenitrgeno(NO2) ycobrelamayorsensibilidadalclorurodehidrgeno(HCl).

SENSORESRESISTIVOSSEMICONDUCTORESPARAGAS. Para que una pelcula de ftalocianina de plomo detecte NO2, la relacin entre la resistenciaRylaconcentracin[NO2]esaproximadamentelogartmica,esdecir log10R= Klog10 (NO2)+a Aqu K y a son constantes y concentraciones en el rango de partes por billn (ppb). Una ftalocianina metlica dada responder tambin a otros gases adems de aquel para el cual ha sido seleccionada: por ejemplo el cobre tiene una respuesta mxima al HCl, pero tambin responde al NO2, Cl2 y H2S. As, los otros gasesactancomoelmedioambientequemodificaeinterfierelasentradas.

SENSORESRESISTIVOSSEMICONDUCTORESPARAGAS.

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. Lossensorescapacitivossonuntipodesensorelctrico. Los sensores capacitivos reaccionan ante metales y no metales que al aproximarse a la superficie activa sobrepasan una determinada capacidad. La distanciadeconexinrespectoaundeterminadomaterialestantomayorcuanto ms elevada sea su constante dielctrica. Estos sensores se emplean para la identificacin de objetos, para funciones contadoras y para toda clase de controlesdeniveldecargadematerialesslidosolquidos.

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. Elcapacitorocondensadormssimpleconstadedosplacasmetlicasparalelas separadasporundielctricoomaterialaislante(Figura).Lacapacitanciadeeste condensadordeplacasparalelasest dadapor: C=(oA)/d donde 0 es la permitividad del espaciolibre (vaco) de magnitud 8,85 pF m1, es la permitividad relativa o constante dielctrica del material aislante, A en m2 es elreadecoincidenciaotraslape de las placas, y d en m es su separacin. A partir de , vemos queCsepuedevariarcambiando yasead,A o. **

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. La Figura ** muestra los sensores capacitivos de desplazamiento para cada uno deestosmtodos.Sieldesplazamientox provocaquelaseparacindelasplacas seincrementead+x lacapacitanciadelsensores: C=(oA)/(d+1),Variabledeseparacindelsensordedesplazamiento es decir, existe una relacin no lineal entre C y x. En el tipo de rea variable, el desplazamiento x hace que el rea de superposicin disminuya en la cantidad: A=wx,dondeweslaanchuradelasplacas,dando: C=[(oA)/(d)](A wx),Variablereadedesplazamientodelsensor En la variable del tipo dielctrico, el desplazamiento x cambia la cantidad de material dielctrico 2 (2> 1) que se inserta entre las placas. La capacitancia total del sensor es la suma de dos capacitancias, una zona A1 y constante dielctrica1,yunreaA2 yconstantedielctrica2,esdecir:

DondeA1 =wx,A2 =w(lx),cuandoweselanchodelasplacas,

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. Variabledielctricadeldesplazamientodelsensor: Un sensor de presin capacitivo comnmente utilizado se muestra en la figura **. Aqu una placa se fija a un disco metlico, la otra es un diafragma flexible, circular,sujetadaalrededor de sucircunferencia, el materialdielctricoesaire ( 1). El diafragma es un elemento elstico de deteccin que se dobla en una curva por la presin aplicada P. La deflexin y en cualquier radio r estn dados por: donde a=radiodeldiafragma;t=espesordeldiafragma E=mdulodeYoung; =relacindePoisson. La deformacin del diafragma significa que la separacin media de las placas se reduce.ElincrementoresultanteenlacapacitanciaCest dadapor:

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. Donde d es la separacin inicial de las placas y C =oa2/d es la capacitancia a presincero. Variable de separacin del sensor de desplazamiento tiene la desventaja de ser no lineal (C = (oA)/(d+1)). Este problema se supera mediante el diferencial de tresplacasosensordedesplazamientodevaivnquese muestra en la figura **. Este consta de una placa M se mueve entre dos placas fijas F1 y F2; si x es el desplazamiento de M desde la lnea de centro AB, entonces, las capacitancias C1 yC2 formadasporMF1 yMF2,respectivamente,sern:

Las relaciones entre C1, C2 y X son todava no lineales, pero cuando C1 y C2 son incorporados al puente de deflexin en A.C, la relacin general entre la tensin desalidadelpuenteyXeslinealcomolomuestralaanteriorecuacin.

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. El elemento de deteccin mostrado en la siguiente Figura ** es un sensor de nivel que consta de dos cilindros metlicos concntricos. El espacio entre los cilindros contiene lquido a la altura h del lquido en el recipiente. Si el lquido es no conductor (conductividad elctrica inferior a 0,1 cm 3), se forma un dielctrico adecuado y la capacidad total del sensor es la suma de las capacitancias del lquido y del aire. La capacitancia/unidad de longitud de dos cilindros coaxiales con radios b y a (b>a), separadas por un dielctrico es 20/loge(b/a). Suponiendo que la constante dielctrica del aire es la unidad, la capacitanciadelsensordenivelest dadopor:

ElsensorpuedeserincorporadoaunpuentededeflexinenA.C

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. El sensor final mostrado en la figura ** es un sensor de humedad capacitiva de pelculadelgada.Eldielctricoesunpolmeroquetienelacapacidaddeabsorber molculas de agua. El cambio resultante en la constante dielctrica de la capacitancia, por tanto, es proporcional al porcentaje de humedad relativa de la atmsfera circundante. Un condensador de placa compuesto por una capa de tantalio depositado sobre un sustrato de vidrio, a continuacin se aade la capa de polmero dielctrico, seguido por la segunda placa, que es una capa delgada de cromo. La capa de cromo se hace bajo tensin de traccin alta, de manera que se rompe en un mosaico fino que permite que las molculas de agua pasen al dielctrico. La tensin en el cromo tambin hace que el polmero se agriete formando una estructura de mosaico. Un sensor de este tipo tiene un rango de entrada de 0 a 100% de HR, una capacitancia de 375 pF a 0% de HR y una sensibilidadlinealde1,7pF/%HR.Larelacindecapacitanciahumedadesporlo tantounaecuacinlineal:C=375+1,7pFRH.

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. El sensor final mostrado en la figura ** es un sensor capacitivo de humedad de pelculadelgada.Eldielctricoesunpolmeroquetienelacapacidaddeabsorber molculas de agua. El cambio resultante en la constante dielctrica de la capacitancia, por tanto, es proporcional al porcentaje de humedad relativa de la atmsfera circundante. Un condensador de placa compuesto por una capa de tantalio depositado sobre un sustrato de vidrio, a continuacin se aade la capa de polmero dielctrico, seguido por la segunda placa, que es una capa delgada de cromo. La capa de cromo se hace bajo tensin de traccin alta, de manera que se rompe en un mosaico fino que permite que las molculas de agua pasen al dielctrico. La tensin en el cromo tambin hace que el polmero se agriete formando una estructura de mosaico. Un sensor de este tipo tiene un rango de entrada de 0 a 100% de HR, una capacitancia de 375 pF a 0% de HR y una sensibilidadlinealde1,7pF/%HR.Larelacindecapacitanciahumedadesporlo tantounaecuacinlineal:C=375+1,7pFRH. La desviacin mxima de esta lnea es del 2% debido a la nolinealidad y el 1% debidoalahistresis.

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. El sensor de presin capacitivo bsico se muestra en la Figura ** tiene algunas limitaciones. Se compone de dos placas metlicas circulares o diafragmas, una flexible, una rgida, con aire como dielctrico. Debido a que la constante dielctrica para el aire es slo 1, los cambios en la capacitancia,C, causados por la presin, P, aplicada sern muy pequeos. Para aumentar C, se puede reducir el espesor T de la placa flexible o diafragma, lo que da una mayor deformaciny paraunapresindadaP,peroreducelaresistenciamecnica.Por otra parte muchos metales tienen una resistencia a la corrosin limitada. Estos problemas se pueden superar en gran medida mediante el uso de sensores de membrana cermica llenados con lquido. Los lquidos dielctricos tales como aceite de silicona tienen una mucho ms alta que el aire, de manera que se pueden obtener cambios significativos en la capacitancia C con desplazamientos pequeas de la membrana, del orden de 10 micras. Estos pequeos desplazamientos, junto con menores mdulo de Young para la cermica respecto a los metales, significa que las membranas cermicas se pueden hacer mucho ms gruesas que los diafragmas metlicos tpicamente entre 0,25 y 1,5 mm. Esto da una mayor resistencia mecnica y fcil mantenimiento, adems, cermicas tales como xido de aluminio tienen una excelenteresistenciaalacorrosin.

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS.

Sensordepresindiferencialcermicollenoconlquido

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. LapresindelfluidodeprocesoP1 enlacmaradelaizquierdaylapresinP2 en la cmara de la derecha est en contacto con la membrana cermica. La membrana est soportadaenun sustrato cermico.Las dos capacitancias C1 y C2 se forman utilizando planchas de oro y el aceite de silicona como dielctrico. Un aumento de la presin diferencial P1 P2 hace que la membrana de la izquierda se mueva hacia la derecha, causando que C1 aumente en C. El cambio de presin se transmite a travs del fluido hacia la derecha, haciendo que la membranadeladerechasemuevahacialaderechayC2 disminuyaenC.C1 yC2 seincorporanluegoauncircuitopuentedecorrientealterna. Los elementos sensores capacitivos estn incorporados ya sea a un circuito puente de deflexin A.C, a o a circuitos osciladores. Los sensores capacitivos no son capacitancias puras, sino que tienen asociada una resistencia R en paralelo, para representar las prdidas en el dielctrico, lo que tiene una influencia importanteeneldiseodecircuitos,enparticularconcircuitososciladores.

ELEMENTOSSENSORESCAPACITIVOS. Por ejemplo, un sensor de humedad capacitivo tpico tendra una resistencia en paralelo de prdida dielctrica, R, de aproximadamente 100 kW a 100 kHz. La calidad de un dielctrico se expresa a menudo en trminos de su "tangente de prdida,tan,donde:tan =1/CR En este ejemplo, si C = 500 pF entonces 0,03. Q El "factor de calidad" del circuitoest dadapor:

y por lo tanto depende fundamentalmente de R. Si la frecuencia natural fn del circuito con el sensor de humedad anterior es fn = 105 Hz, entonces el factor Q delcircuitoesdeaproximadamente30. Se deben tomar precauciones para minimizar el efecto de la capacitancia del cableycapacitanciasparsitasenestoscircuitos.

ELEMENTOS SENSORES CAPACITIVOS. FUNCIONES Lafuncindeldetectorcapacitivoconsiste en sealar un cambio de estado, basado en la variacin del estmulo de un campo elctrico. Los sensores capacitivos detectan objetos metlicos, o no metlicos, midiendo el cambio en la capacitancia, la cual depende de la constante dielctrica del material a detectar, su masa, tamao, y distancia hastalasuperficiesensibledeldetector. LosdetectorescapacitivosestnconstruidosenbaseaunosciladorRC.Debidoa la influencia del objeto a detectar, y del cambio de capacitancia, la amplificacin seincrementahaciendoentrarenoscilacineloscilador. El cambio de la capacitancia es significativo para una distancia grande. Si se aproxima un objeto no conductor, solamente se produce un cambio pequeo en la constante dielctrica, y el incremento en su capacitancia es muy pequeo comparadoconlosmaterialesconductores.