UNIVERSIDAD CATOLICA BOLIVIANA INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES

ELECTRONICA ANALOGICA I LABORATORIO No 1 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES

1. OBJETIVOS Describir el funcionamiento de un diodo semiconductor e interpretar su curva caracterstica Identificar las terminales de distintos tipos de diodos mediante el multmetro Determinar el estado del diodo (conduccin) aplicando la polarizacin directa e indirecta Construir la curva caracterstica (real) de los diodos semiconductores 2. EQUIPO Y MATERIAL A UTILIZAR 4 Diodos de Silicio 1N4001 o 1N4004 4 Diodos Zener a 9 V 2 Diodos de Germanio OA90 4 Led de diferente color 1 Resistencia de 220 a w 1 Potencimetro de 10K 1 Resistencia de 1k a w 1 Resistencia variable de 10K 2 Multmetros Analgico, Digital 1 Fuente de voltaje variable de 0 30V 1 Generador de seales 1 Osciloscopio 3. DESARROLLO DEL LABORATORIO 1. IDENTIFICACION DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS a) Por observacin, identifique el nodo y Ctodo de los distintos diodos que esta utilizando, dibuje y anote sus observaciones b) Empleando un Multmetro Analgico, como primera prueba, en la funcin de OHMS compruebe el inciso anterior, conectando el hmetro en los extremos del diodo en polarizacin directa y polarizacin inversa como se indica en la figura No 1, reportando en cada caso la resistencia medida.

c) Con un Multmetro Digital en funcin de Diodo realice la medicin del voltaje de conduccin (V0) en polarizacin directa y polarizacin inversa de cada elemento Nota: Tome en cuenta la polaridad de los terminales del multmetro 2. CURVA CARACTERISTICA DE UN DIODO SEMICONDUCTOR a) Arme el circuito que se muestra en la figura No 2, utilizando un diodo de silicio, verificando que los instrumentos se conecten en la polaridad indicada

b) Partiendo de 0V, aumente gradualmente la tensin de la fuente V1 en incrementos de 0.1V hasta que el diodo alcance su voltaje de conduccin anote los valores de VD y ID en la tabla No 1

ID VD Tabla No 1

mA V

c) Invierta la polaridad del diodo y repita el inciso anterior d) Realice el procedimiento del inciso b con una carga RL de 1K, como se muestra en la figura No 3, mida el voltaje del diodo VD y la corriente ID, registre sus datos en la tabla No 2

Figura No 3 ID VD Tabla No 2
e) Repita el inciso b y c, empleando el Diodo Emisor de Luz (LED) como de muestra en la figura No 4 y anota las mediciones en la tabla No 3

mA V

Figura No 4 ID VD mA V

f) Construya las graficas de la curva caracterstica de los diodos en polarizacin directa con los valores obtenidos en las tablas anteriores g) Arme el circuito de la figura No 5, utilizando el diodo de Germanio

Figura No 5 h) Ajuste el valor de la fuente de alimentacin a 8V y utilizando la resistencia variable de 10K, ajuste esta resistencia desde su valor mximo hasta un valor en el que se pueda obtener valores de corriente de ID i) Obtenga los diferentes valores de voltaje en las terminales del diodo al variar la resistencia, hasta obtener el valor de la tensin de conduccin, registre los valores. 3. CARACTERIZACION DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACION INVERSA

a) Seleccione el diodo Zener de 10V y construya el circuito de la figura No 6

Figura No 6

b) Partiendo de 0V, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15V y obtenga los valores VAB indicados en la superior de la tabla No 4 y anote los valores de la corriente ID correspondientes a cada voltaje VAB indicado. c) Partiendo de 0V, realice incrementos de voltaje en la fuente V1 hasta alcanzar los 15V, y obtenga los valores de ID indicados en la parte media de la tabla No 4,y anote los valores del voltaje VAB, correspondiente a cada valor de corriente ID indicado
Voltaje Fuente V1

VAB 0.0 2.0 6.0 7.0 10.0

ID mA

RZ

2.0 5 10 20 30 40 50 60

Tabla No 4
d) Para cada valor de VAB y su correspondiente ID, calcule la resistencia RZ del diodo (RZ = VAB/ID), anote los resultados en la columna correspondiente. 4. CARACTERIZACION DE UN DIODO ZENER EN POLARIZACION DIRECTA

a) Arme el circuito como se muestra en la figura No 7

Figura No 7
b) Partiendo de 0V, realice incrementos de voltaje en la fuente V 1 hasta alcanzar los 15V, obtenga valores VAB indicados en la parte superior de la tabla No 5, anote los valores de la corriente ID correspondiente a cada valor de voltaje VAB indicado y obtenga el valor de la resistencia del diodo RZ VAB 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1 I mA RZ Tabla No 5 c) Grafique la resistencia del diodo en funcin del voltaje tanto para la configuracin de polarizacin directa, como polarizacin inversa. 5. CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN ALTAS FRECUENCIAS a) Utilice el diodo de germanio y construya el circuito de la figura No 8

Figura No 8 b) Ajuste la salida del generador a una seal senoidal de 5VPP, partiendo de 10 Hz, realice incrementos en la frecuencia hasta un mximo de 20 MHz c) Con el Osciloscopio, observe y registre el voltaje pico de la seal de salida obtenida en la resistencia, realice 10 lecturas a diferentes frecuencias. d) Remplace el diodo de germanio por el de silicio y repita los incisos b y c , anote sus observaciones para cada caso. 4. PRESENTACION DEL INFORME La presentacin del informe con sus observaciones y conclusiones debe ser entregada antes del prximo laboratorio