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SBS (Silicon Bidirectional Switch )

El SBS es un dispositivo de baja potencia simtrico para aplicaciones de disparo. Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A). Tienen alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas aplicaciones. EL SBS no es solamente un versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es fabricado como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias.

Smbolo

Estructura

Caractersticas Sus parmetros de acuerdo a la grafica, son: VS=8 V IS=175 A IH=0.7mA VF=1.4 V Disparo para dispositivo Se supera Vs o Aplicando una corriente de puerta: IGf=100A

DIAC (Diode Alternative Current) Es un dispositivo bidireccional simtrico (sin polaridad) con dos electrodos principales: MT1 y MT2, y ninguno de control. Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de disparo.

SmbolodelDIAC

EstructurabsicadelDIAC

CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente del triac, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos controles de velocidad de motores.

La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuito representado en la Figura siguiente, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta que se alcanza la tensin de disparo del DIAC, producindose a travs de l la descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el semiciclo positivo y otra en el negativo. El momento del disparo podr ser ajustado con el valor de R variando como consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz control de potencia.

DisparodeTRIACmedianteunDIAC

UJT (Transistor de Unijuntura) dispositivo se utiliza, fundamentalmente, como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y un emisor, tal como se muestra en la siguiente figura:

En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce.

R1 y R2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.

PUT (Transistor Uniunion Programable) Se designa a un elemento cuyo comportamiento es similar al UJT, con la diferencia respecto a este, es de que la relacin n puede programarse mediante un divisor de tensin exterior.

IG=0,V G=VBB*[RB2/(RB1+RB2)]=nxVBB donde:n=RB2/(RB1+RB2)

a)SmbolodelPUTyb)osciladorbasadoenunPUT

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1+RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

Funcionamiento Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en conduccin (encendido)y se mantendr en este estado hasta que IA (corriente que atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K

El condensador C se carga a travs de la resistencia R hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp. En este momento el PUT se dispara y entra en conduccin. El voltaje en VG cae casi hasta 0 voltios y el PUT se apaga