Circuitos Integrados Digitales: - Caractersticas de los Circuitos Integrados Digitales

- Caractersticas del Transistor BipolarTransistor Bipolar, Magdielys - Circuitos RTL y DTL , Esther -Lgica de Inyeccin Integrada (IIL), maria - Lgica de Transistor-Transistor (TTL), hector - Lgica de Emisor Acoplado (ECL), noa - Semiconductor de oxido de metal (MOS), omar - MOS complementado (CMOS), luis

Los Circuitos Integrados son uno de los dispositivos ms importantes en la electrnica ya que sin ellos no se contara con la avanzada tecnologa que actualmente se posee. La razn de su uso es por su tamao; puesto que estos circuitos pueden contener miles de transistores y otros componentes como resistencias, diodos, resistores, capacitadores, entre otros; y medir solamente unos pocos centmetros. En este sentido, los computadores personales hoy en da utilizan esta caracterstica de los Circuitos Integrados ya que todas las funciones lgicas y aritmticas de una computadora pueden ser procesadas por un solo chip a gran escala llamado Microprocesador o cerebro de la computadora. De lo anteriormente planteado, surge la importancia de este trabajo, la cual radica en la gran utilizacin que presentan los Circuitos Integrados, especficamente los de tipo Digitales, en la electrnica y en la fabricacin de cualquier nuevo dispositivo o equipo electrnico. Por tal motivo, en el siguiente trabajo se estudiar de forma breve y sencilla los aspectos ms importantes de los circuitos lgicos, como lo es su definicin, caractersticas, as como tambin las familias lgicas que poseen los mismos. Se espera haber cumplido con el objetivo propuesto, adems de

lograr con ello obtener los conocimientos necesarios para la formacin universitaria y laboral de sus autores. * Circuitos Integrados Digitales: Los circuitos integrados son la base fundamental del desarrollo de la electrnica en la actualidad, debido a la tendencia a facilitar y economizar las tareas del hombre. Es por ello, que es fundamental el manejo del concepto de circuito integrado, no slo por aquellos que estn en contacto habitual con este, sino tambin por las personas en general, debido a que este concepto debe de quedar inmerso dentro de los conocimientos mnimos de una persona. Un circuito integrado es una pieza o cpsula que generalmente es de silicio o de algn otro material semiconductor, que utilizando las propiedades de los semiconductores, es capaz de hacer las funciones realizadas por la unin en un circuito, de varios elementos electrnicos, como: resistencias, condensadores, transistores, etc. Dicho de otro modo, es una pastilla pequea de material semiconductor, de algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la que se fabrican circuitos electrnicos generalmente mediante fotolitografa y que est protegida dentro de un encapsulado de plstico o cermica. El encapsulado posee conductores metlicos apropiados para hacer conexin entre la pastilla y un circuito impreso. En este sentido, estos circuitos digitales trabajan con seales que solo pueden tomar uno de dos valores posibles. Inicialmente, en circuitos digitales discretos con transistores, este tomaba o bien el estado de corte, en el que la tensin de salida de colector era prxima a la de alimentacin, o el de saturacin, en el que dicha tensin de colector pasaba a tener un nivel prximo al del emisor, usualmente tierra. En sistemas de lgica positiva, el nivel prximo a tierra se considera el nivel lgico (0), y el nivel prximo a la tensin de alimentacin se considera como nivel lgico (1). Consideraciones inversas se hacen por sistemas de lgica negativa.

Las funciones digitales esenciales de todos los circuitos integrados digitales son iguales independientemente de la familia de que se trate. Una puerta OR, un flip-flop o un registro de desplazamiento funcionan exactamente de la misma forma tanto si el CI pertenece a la familia ECL o se ha empleado tecnologa CMOS en su fabricacin. Caractersticas de los Circuitos Integrados Digitales: * Son una coleccin de resistores, diodos y transistores fabricados sobre una pieza de material semiconductor (generalmente silicio) denominado sustrato. * El circuito integrado se encuentra dentro de un encapsulado plstico o de cermica con terminales que permiten conectarlo con otro dispositivo. * Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (Y, O, NO) hasta los ms complicados microprocesadores. *stos son diseados y fabricados para cumplir una funcin especfica dentro de un sistema. En general, la fabricacin de los circuitos integrados es compleja ya que tienen una alta integracin de componentes en un espacio muy reducido de forma que llegan a ser microscpicos. Sin embargo, permiten grandes simplificaciones con respecto los antiguos circuitos, adems de un montaje ms rpido.
* Transistor Bipolar (BJT - Bipolar Junction Transistor): En definicin un transistor bipolar es un componente electrnico, tanto para circuitos analgicos como digitales, que va a tener la funcin de aumentar la corriente de seales (audio, pulsos, video, etc.). Est compuesto por uniones de material tipo P y N (o sea Silicio y Germanio, entre otros). Por ser un semiconductor, su uso es extremadamente importante en muchos circuitos. El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, se usa en muchos aparatos elctricos caseros. As mismo, el transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. La forma de distinguir un transistor de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia fuera del transistor; en un PNP la flecha

apunta hacia dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula por el emisor del transistor. En este sentido, el transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son opuestos a los del transistor NPN. Es como un amplificador de corriente, esto quiere decir que si se introduce corriente por la base, esta amplifica la seal y esta sale con mayor nivel de corriente. Caractersticas del Transistor Bipolar: * Un transistor bipolar de unin est formado por dos uniones PN en contraposicin. * Fsicamente, est constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la regin de base muy delgada (< 1m). * Tiene dos formas principales de operacin: como un interruptor o como una resistencia variable. * Basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. * Se puede considerar como un diodo en directa (unin emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unin base-colector), por el que, en principio, no debera circular corriente, pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base. * Circuitos RTL (Resistor Transistor Logic - Lgica de Resistencia-Transistor): RTL son las iniciales de las palabras inglesas Resistor Transistor Logic (Lgica de Resistencia-Transistor). La RTL es una clase de circuitos digitales construido utilizando resistencias como la red de entrada y la salida de transistores bipolares como dispositivos de conmutacin. RTL es la primera clase de lgica digital transistorizado circuito utilizado; otras clases incluyen lgica diodo-transistor DTL y lgica transistor-transistor TTL. Es decir es una familia cuyas puertas se construyen con resistencias y transistores (bipolares).

La principal ventaja de la tecnologa RTL fue que se trataba de un nmero mnimo de transistores, la cual fue una consideracin importante antes de la tecnologa de circuito integrado (es decir, en circuitos utilizando componentes discretos), ya que los transistores fueron el componente ms costoso de producir. Principios de la lgica de produccin de

Circuitos Integrados (como Fairchild en 1961) utilizan el mismo enfoque brevemente, pero rpidamente la transicin a un mayor rendimiento, como los circuitos de transistores, diodos y transistores lgica transistor-lgica (a partir de 1963 en Sylvania), desde diodos y transistores no ms caro que las resistencias en el Circuito Integrado.

Constituyeron un paso adelante en la concepcin de los circuitos digitales electrnicos. Consistieron en encapsular juntos los componentes de la puerta NO-O NOR, constituyendo de esta forma un bloque que el diseador de sistemas digitales poda utilizar como tal. En esta tecnologa se realizaron adems circuitos temporizadores junto con la secuencia de evolucin en el tiempo de sus seales.

El primer circuito que se utiliz representaba una puerta NO-O NOR en lgica negativa realizada con resistencia y un transistor bipolar de germanio. El principal inconveniente de este circuito es la necesidad de utilizar una alimentacin auxiliar para polarizar

inversamente la base del transistor cuando todas las entradas del mismo se encuentran en estado cero a fin de reducir la corriente de prdidas del colector. Este inconveniente se evit posteriormente mediante la utilizacin de transistores de silicio.

* Circuitos DTL (Diode Transistor Logic - Lgica del Diodo-Transistor):

Las siglas DTL vienen de las iniciales de las palabras inglesas DiodeTransistor Logic. Es decir estamos tratando con una familia compuesta bsicamente por diodos y transistores (sin olvidar a las resistencias). Los diodos se encargan de realizar la parte lgica y el transistor acta como amplificador inversor.

El problema bsico con compuertas DL es que ellos deterioran el signo lgico rpidamente. Sin embargo, ellos trabajan para una fase en un momento, si el

signo se re-amplifica entre las compuertas. Lgica del diodo-transistor (DTL) logra esa meta.

La ventaja de este circuito encima de su RTL equivalente es que la lgica de OR habida realizada por los diodos, no son resistencias. No hay ninguna interaccin por consiguiente entre las entradas diferentes, y cualquier nmero de diodos puede usarse. Una desventaja de este circuito es la resistencia de la entrada al transistor. Su presencia tiende a reducir la velocidad el circuito y limita la velocidad en la que el transistor puede cambiar estados.

El circuito bsico de la familia lgica digital DTL es la compuerta AND. Compuerta DTL bsica NAND. La disipacin de potencia de una compuerta DTL es
aproximadamente 12 mW y el retardo de propagacin promedia 30 ns. El margen de ruido es de alrededor de 1 V y es posible un abanico de salida tan alto como 8. El abanico de salida de la compuerta DTL est limitado con la corriente mxima que puede fluir en el colector del transistor saturado.

Por otra parte, la funcin OR todava es realizado por los diodos. Sin embargo, sin importar el nmero de las entradas de la lgica 1, es seguramente bastante voltaje de entrada para conducir el transistor a la saturacin. Solamente si todas las entradas estn en 0 lgico entonces el transistor permanecer apagado.

* Lgica de Inyeccin Integrada (IIL):

Es tambin conocida en su forma abreviada como I2L, es la lgica de Inyeccin integrada, sus siglas vienen de su nombre en ingls: Integrated Interjection Lgic. Es una familia de circuitos digitales construidos con transistores de juntura bipolar de colector mltiple (BJT). Cuando se introdujo su velocidad era comparable a los TTL adems de que casi

eran de tan baja potencia como los CMOS, volvindose ideal para su uso en circuitos integrados VLSI. Aunque los niveles lgicos son muy cercanos entre s (Alto: 0.7 V, Bajo: 0.2 V), I2L tena una alta inmunidad al ruido debido a que operaba por corriente en vez de voltaje.

El corazn de un circuito I2L es el inversor de colector abierto y emisor comn. Tpicamente, un inversor consiste en un transistor NPN con el emisor conectado a tierra y la base alimentada por una corriente entrante. La entrada se suple por la base ya sea por una corriente aplicada (nivel lgico bajo) o una condicin de alta impedancia (alto nivel lgico). La salida de un inversor es el colector. Adems, el colector puede ser un puente que podra ir a tierra (nivel lgico bajo) o una condicin de alta impedancia (nivel lgico alto).

En este sentido, para entender cmo opera el inversor, es necesario entender el flujo de corriente, si la corriente que alimenta es desviada a tierra (nivel lgico bajo), el transistor se apaga y el colector se queda abierto (nivel lgico alto). Si la corriente aplicada no est desviada a tierra debido a que la entrada est en alta impedancia (nivel lgico alto), la corriente aplicada fluye a travs del transistor al emisor, conmutando al transistor, y permitiendo entrar a la corriente por la salida del inversor (nivel lgico bajo), esto hace que la salida del inversor nicamente deje entrar la corriente o ponerse en alta impedancia pero no ser una fuente de corriente. Esto vuelve seguro conectar la salida de inversores mltiples juntos para formar una compuerta AND. Cuando las salidas de dos inversores estn alambradas, el resultado es un compuerta NOR de dos entradas debido a que la configuracin (NOT A) AND (NOT B) es equivalente a NOT (A OR B).

* Lgica de Transistor-Transistor (TTL):

TTL es la sigla en ingls de Transistor-Transistor Logic, es decir, "Lgica Transistor a

Transistor". Es una familia lgica o lo que es lo mismo, una tecnologa de construccin de circuitos electrnicos digitales. En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son transistores bipolares.

Caractersticas del Circuito Lgico TTL:

* El circuito lgico TTL bsico es la compuerta NAND. * En 1964 Texas Instruments Corporation introdujo la primera lnea de Circuitos Integrados estndar TTL. * En la actualidad muchos fabricantes producen Circuitos Integrados TTL. * Todos ellos utilizan el mismo sistema de numeracin. * Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75v y los 5,25V (como se ve un rango muy estrecho). * Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,2V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto). * La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y ltimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco ms de los 250 MHz. * Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de circuitos adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves prdidas).

Familias TTL:

Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en las series militares e industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras que representa la familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.

Con respecto a las familias cabe distinguir: * TTL : Serie estndar * TTL-L (low power) : Serie de bajo consumo * TTL-S (schottky) : Serie rpida (usa diodos Schottky) * TTL-AS (advanced schottky) : Versin mejorada de la serie anterior * TTL-LS (low power schottky) : Combinacin de las tecnologas L y S (es la familia ms extendida) * TTL-ALS (advanced low power schottky) : Versin mejorada de la serie AS * TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky) * TTL-AF (advanced FAST) : Versin mejorada de la serie F * TTL-HC (high speed CMOS) : Realmente no se trata de tecnologa TTL bipolar sino CMOS * TTL-HCT (high speed C-MOS) : Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles con TTL * TTL-G (GHz C-MOS) : GHz ( From PotatoSemi)

Tecnologa TTL:

La tecnologa TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le nombra: 1. Etapa de entrada por emisor. Se utiliza un transistor multiemisor en lugar de la matriz de diodos de DTL. 2. Separador de fase. Es un transistor conectado en emisor comn que produce en su colector y emisor seales en contrafase. 3. Driver. Est formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero va conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para producir el nivel bajo a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del

divisor de fase y produce el nivel alto.

Esta configuracin general vara ligeramente entre dispositivos de cada familia, principalmente la etapa de salida, que depende de si son bferes o no y si son de colector abierto, tres estados (ThreeState), etc. Mayores variaciones se encuentran entre las distintas familias: 74N, 74L y 74H difieren principalmente en el valor de las resistencias de polarizacin, pero la mayora de los 74LS (y no 74S) carecen del transistor multiemisor caracterstico de TTL. En su lugar llevan una matriz de diodos Schottky (como DTL). Esto les permite aceptar un margen ms amplio de tensiones de entrada, hasta 15V en algunos dispositivos, para facilitar su interface con CMOS. Tambin es bastante comn, en circuitos conectados a buses, colocar un transistor pnp a la entrada de cada lnea, para disminuir la corriente de entrada y as cargar menos el bus.

* Lgica de Emisor Acoplado (ECL):

Emitter Coupled Logic (Lgica de Emisores Acoplados) pertenece a la familia de circuitos MSI implementada con tecnologa bipolar; es la ms rpida disponible dentro de los circuitos de tipo MSI.

A pesar de su limitada utilizacin, se trata de unas de las familias lgicas de ms estabilidad, y tradicional condicin, dentro de las tecnologas digitales. Incluso se podra decir que dentro de la electrnica en general, pues el par diferencial, en el que se basa la familia, domina ampliamente los circuitos integrados analgicos.

Como familia bipolar que es, el margen de ruido no es bueno. En este caso no slo es reducido en margen a nivel bajo, sino que tambin lo es el margen a nivel alto. Esto es consecuencia de la reducida excursin lgica. Y la razn es que para

conseguir velocidad deben variar poco los valores de tensin.

El principio que gua a la familia es tratar de evitar a toda costa que los transistores que configuran el circuito entren en saturacin; la forma que tiene de hacerlo no es empleando diodos Schottky en los transistores, sino mediante un diseo particular de sus circuitos internos.

Por lo que las conmutaciones sern entre corte (o casi corte) y conduccin. Por lo tanto siempre vamos a tener transistores conduciendo, con lo que el consumo es continuo. Es decir no slo hay picos de corriente en las transiciones, sino que siempre tendremos un consumo apreciable en el circuito. Por otro lado la presencia de corrientes significativas en el circuito en todo momento, hace que el fan-out sea bueno.

Es la forma de lgica ms rpida, ya que los dispositivos activos se las arreglan para trabajar fuera de la saturacin. Tambin se hace aun mucho ms rpida haciendo que las variaciones de seal lgicas sean aun menores (Dt=800mV), eso hace que el tiempo de carga y descarga de C de carga y parasitas sean aun menores.

El circuito ECL se basa en el uso de un interruptor de direccin de corriente, que se puede construir con un par diferencial, que se polariza con un voltaje Vr y de corriente I cte ambos. La naturaleza diferencial del circuito lo hace menos susceptible a captar ruido.

Existen 2 formas conocidas, la ECL 100k y la ECL 10K, la 100k es ms rpida pero consume mayor corriente.

Ambas familias son prcticamente idnticas con la diferencia de que la familia ECL 100K es un poco ms rpida que ECL 10K y adems posee una mayor estabilidad frente a variaciones de la temperatura.

Las familias ECL son las ms rpidas que existen en el mercado, llegando sus retardos a sobrepasar en muchas ocasiones un nanosegundo por puerta y la frecuencia de reloj suele ser de 50 MHz, pudiendo llegar a las cercanas del GHz. Todo esto las hace recomendables en contadores, comunicaciones digitales de alta velocidad, sistemas de clculo de alta velocidad, entre otros.

De acuerdo a lo anteriormente planteado, la familia ECL tiene unas propiedades ideales; pero falta definir sus caractersticas en cuanto a la disipacin de potencia. De esta manera, si ECL es la familia ms rpida que existe en el mercado, tambin es la familia que ms potencia disipa (20 mW por puerta), y si a esto le aadimos que su tensin de alimentacin es negativa, entonces podemos decir que no es una familia tan apetecible como en un principio pareca, puesto que no slo consume mucho, sino que los niveles lgicos que proporciona no son en nada compatibles con los de las restantes familias lgicas, por lo que los problemas en la interconexin con otras familias lgicas son muchos.

* Semiconductor de oxido de metal (MOS):

Los transistores de la tecnologa MOS (Metal Oxide Semiconductors) son transistores de efecto de campo a los que llamamos MOSFET, la gran mayora de los circuitos integrados digitales MOS se fabrican solamente con este tipo de transistores.

El MOSFET tiene varias ventajas: es muy simple, poco costoso, pequeo y

consume muy poca energa. Los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio en un Circuito integrado que los BJT, un MOSFET requiere de 1 mlesimo cuadrado del rea del circuito mientras que un BJT ocupa 50 mlesimos del rea del mismo. Esta ventaja provoca que los circuitos integrados MOS estn superando por mucho a los bipolares en lo que respecta a la integracin a gran escala (LSI, VLSI). Todo esto significa que los circuitos integrados MOS pueden tener un nmero mucho mayor de elementos en un solo subestrato que los circuitos integrados bipolares.

La velocidad de este tipo de tecnologa es relativamente lenta cuando se compara con los BJT, esto se puede considerar como una de sus principales desventajas.

Los Circuitos Integrados digitales MOS utilizan exclusivamente MOSFET de incremento, adems nos interesa utilizarlos solamente como interruptores al igual que se usan los BJT en la familia TTL.

En los MOSFET canal N, el voltaje de la compuerta a la fuente VGS es el voltaje que determina si el dispositivo esta en ENCENDIDO o en APAGADO. Cuando VGS = 0 V, la resistencia del canal es muy alta de 1010 , o sea, que no existe un canal conductor entre la fuente y el drenaje ya que para propsitos prcticos esto es un circuito abierto. Mientra VGS sea cero o negativo el dispositivo permanecer apagado. Cuando VGS se hace positivo, en particular un valor mayor al voltaje de umbral (VT) que por lo general es de 1.5 V, el MOSFET conduce. En este caso el dispositivo esta encendido y la resistencia del canal entre la fuente y el drenaje es de 1 k. El MOSFET canal P opera exactamente igual excepto que emplea voltajes de polaridad opuesta. Para encender los P-MOSFET, debe aplicarse un voltaje VGS negativo que exceda VT. Los circuitos integrados P-MOS y N-MOS tiene una mayor densidad de integracin

por lo que son ms econmicos que los CMOS. Los N-MOS son ms comnmente utilizados que los P-MOS, ya que son dos veces ms rpidos y tienen cerca de dos veces la densidad de integracin de los P-MOS.

Caractersticas de los Circuitos MOS:

* Velocidad de Operacin 50 ns. * Margen de Ruido 1.5 V * Factor de Carga 50 * Consumo de Potencia 0.1 mW

Los circuitos MOS tienen algunos aspectos mejores y otros peores en comparacin con los TTL o los ECL. El tiempo de retardo tan alto se debe a la alta resistencia de entrada que tienen estos dispositivos y a la capacitancia de entrada razonablemente alta. Los MOS consumen muy pequeas cantidades de potencia por lo que son ampliamente utilizados para el LSI y el VLSI, donde se guardan grandes cantidades de compuertas en un solo encapsulado sin ocasionar sobrecalentamiento. Otro aspecto favorable es que los MOS son muy simples de fabricar, no requiere de otros elementos como resistencias o diodos. Esta caracterstica y su bajo consumo de potencia son la causa de su gran auge en el campo digital.

La familia lgico MOS tiene una caracterstica que no se haba tomado en cuenta en las familias anteriormente estudiadas, la sensibilidad esttica. Esto es, que los dispositivos MOS son sensibles a dao por electricidad esttica. Al grado de que las mismas cargas almacenadas en el cuerpo humano pueden daarlos. La descarga electrosttica provoca grandes prdidas de estos dispositivos y circuitos electrnicos por lo que se deben tomar medidas especiales como: conectar todos

los instrumentos a tierra fsica, conectarse a s mismo a tierra fsica, mantener los circuitos integrados en una esponja conductora o en papel aluminio; todo esto para evitar cargas electrostticas que puedan daar los dispositivos MOS.

* MOS complementado (CMOS):

La lgica del Cmos es una nueva tecnologa, basada en el uso de los transistores complementarios del MOS de realizar funciones de la lgica con casi ningn actual requerido. Esto hace estas puertas muy tiles en aplicaciones con pilas. El hecho de que trabajarn con los voltajes de fuente de hasta slo 3 voltios y tan arriba como 15 voltios son tambin muy provechosos.

Todas las puertas del Cmos se basan en el circuito fundamental del inversor mostrado. Ambos transistores son el realce-modo MOSFETs; un N-canal con su fuente puesto a tierra, y un P-canal con su fuente conectada con +V. sus puertas estn conectados juntos para formar la entrada de informacin, y sus drenes estn conectados juntos para formar la salida.

Los dos MOSFETs se disean para tener caractersticas que son complementarios el
uno al otro. Cuando est apagado, su resistencia es con eficacia infinita; cuando encendido, su resistencia del canal est sobre 200 ohms. Puesto que la puerta es esencialmente un circuito abierto que no traza ninguna corriente, y el voltaje de la salida ser igual o a molido o al voltaje de la fuente de alimentacin, dependiendo de cual transistor est conduciendo.

Este concepto se puede ampliar en las estructuras NI y del NAND combinando los inversores en parcialmente una serie, estructura parcialmente paralela.