Universidad politcnica salesiana

LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA 1

Practica # 5: Diodos AC

1. OBJETIVOS:
Objetivo General: Analizar los voltajes en cada resistencia del circuito formado de diodos y resistencias Objetivos Especficos: Observar las curvas en las resistencias y los diodos del Circuito. Analizar el circuito. Comprobar que los valores calculados y los valores medidos en el se
aproximen para cada ciclo.

Simular los resultados obtenidos.

2. MARCO TEORICO

EL DIODO
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.

presenta resistencia nula. presenta resistencia infinita.

Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal. Segn est colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario. En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulacin, ya que la corriente entra por el nodo, y ste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una cada de tensin de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA. En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo. Polarizacin directa El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de depleccin (Figura 7). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Figura 7: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7): 1. Electrones y huecos se dirigen a la unin. 2. En la unin se recombinan. En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de depleccin. La tensin aplicada se emplea en:

Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

2.3 Polarizacin inversa Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos

portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de deplecin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula (Figura 8). Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de deplecin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destruccin del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles admisibles). 2.4 Caracterstica tensin-corriente La Figura 9 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura 9: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN. En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior:

Regin de conduccin en polarizacin directa (PD). Regin de corte en polarizacin inversa (PI). Regin de conduccin en polarizacin inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V. Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta. NIVELES DE RESISTENCIA EN AC O DINMICA Si se aplica una entrada senoidal en lugar de un entrada de dc. La entrada variante desplazara de manera instantnea el punto de operacin hacia arriba y abajo en una regin de las caractersticas y, por tanto, define un cambio especifico en corriente y voltaje.

Figura 3: Representacin Grfica de Resistencia Dinmica RESISTENCIA EN AC PROMEDIO Si la seal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursin a la resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se le llama resistencia en ac promedio. La resistencia en ac promedio es la resistencia determinada por un line recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores mximos y mnimos del voltaje de entrada. TENSIN RECTIFICADA

3. DESARROLLO
GRFICOS
D1

D2
A

R2
B

+
12 Vac

R1

D3

R3

R4 D4

Vo

FIGURA 1: CIRCUITO 1

FIGURA 2: CIRCUITO 2

FIGURA 3: CIRCUITO 3

FIGURA 4: CIRCUITO 4

FIGURA 5: CIRCUITO 5

FIGURA 6: CIRCUITO 6

FIGURA 7: CIRCUITOS ARMADOS 7

4. CLCULOS
Circuito 1

SEMICICLO ( + )

SEMICICLO ( - )

 Circuito 2 SEMICICLO ( + )

SEMICICLO ( - )

 Circuito 3 SEMICICLO ( + )

SEMICICLO ( - )

Circuito 4 SEMICICLO ( + )

SEMICICLO ( - )

Circuito 5 SEMICICLO ( + )

SEMICICLO ( - )

Circuito 6 SEMICICLO ( + )

SEMICICLO ( - )

5. MATERIALES
DESCRIPCIN Resistencia de 470 Diodos 1N4004 Protoboard Transformador Multmetro Puntales CANTIDAD 12 21 1 1 1 2

6. CONCLUSIONES
Se comprob que los clculos realizados son similares a los obtenidos en el multmetro y en la simulacin.

7. RECOMENDACIN
Utilizar sondas ms avanzadas. Trabajar con voltajes pico-pico que sean enteros(4V)

8. SIMULACIN: *CIRCUITO 1 CICLO POSITIVO

XSC1 D1 1N4004 R1 470 V1 T1 120 Vrms 60 Hz 0 D3 1N4004 R3 470 R4 1k R2 470
A + _ + B _ Ext T rig + _

TS_PQ4_12

Fig 1. Simulacin del voltaje de salida Vo

Fig 2. Forma de onda del voltaje Vo

XSC1 D1 1N4004 R1 470 V1 T1 120 Vrms 60 Hz 0 D3 1N4004 R3 470 R4 1k R2 470

A + _ + B _ Ext T rig + _

TS_PQ4_12

Fig 3. Simulacin del voltaje de salida VAB

Fig 4. Forma de onda del voltaje VAB

CICLO NEGATIVO
XSC1
Ext T rig + _ A B _ + _ +

R1 470 V2 T1 120 Vrms 60 Hz 0

D2 1N4004 R3 470

TS_PQ4_12

D4 1N4004

R4 1k

Fig 5. Simulacin del voltaje de salida VO

Fig 6. Forma de onda del voltaje VO

XSC1
Ext T rig + _ A B _ + _ +

R1 470 V2 T1 120 Vrms 60 Hz 0

D2 1N4004 R3 470

TS_PQ4_12

D4 1N4004

R4 1k

Fig 7. Simulacin del voltaje de salida VAB

Fig 8. Forma de onda del voltaje VAB

Fig 9. Forma de onda del voltaje en el diodo uno

*CIRCUITO 2 Ciclo positivo

XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

D1 V1 T1 120 Vrms 60 Hz 0 1N4004

R1 470 D2 1N4004

TS_PQ4_12

Fig 10. Simulacin del voltaje de salida V0

Fig 11. Forma de onda del voltaje V0

XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

D1 V1 T1 120 Vrms 60 Hz 0 1N4004

R1 470 D2 1N4004

TS_PQ4_12

Fig 12. Simulacin del voltaje de salida VAB

Fig 13. Forma de onda del voltaje VAB

Ciclo negativo
XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

D3 V1 T1 120 Vrms 60 Hz 0 1N4004

R3 470

R2 470 D4 1N4004

TS_PQ4_12

Circuito 7: Clculo del voltaje de salida Vo

Forma de onda del voltaje VAB y Vo

Forma de onda del voltaje en el diodo uno

*CIRCUITO 3

Ciclo positivo
XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

R1 470 V2 T1 120 Vrms 60 Hz 0

R2 1k D1 1N4004

TS_PQ4_12

R3 470

Circuito 8: Clculo del voltaje de salida Vo

Forma de onda del voltaje Vo

XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

R1 470 V2 T1 120 Vrms 60 Hz 0

R2 1k D1 1N4004

TS_PQ4_12

R3 470

Circuito 9: Clculo del voltaje de salida VAB

Forma de onda del voltaje VAB

Ciclo negativo

XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

R4 470 V2 T1 120 Vrms 60 Hz 0

R5 1k D3 1N4004 D2 1N4004 R6 470

TS_PQ4_12

Circuito 10: Clculo del voltaje de salida Vo

Forma de onda del voltaje Vo

XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

R4 470 V2 T1 120 Vrms 60 Hz 0

R5 1k D3 1N4004 D2 1N4004 R6 470

TS_PQ4_12

Circuito 11: Clculo del voltaje de salida VAB

Forma de onda del voltaje VAB

Voltaje en el diodo 1

Forma de onda del voltaje del diodo uno

*CIRCUITO 4

Ciclo positivo
XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

V2 T1 120 Vrms 60 Hz 0

D1 1N4004

D3 1N4004 R2 470

TS_PQ4_12

R1 470

Circuito 12: Clculo del voltaje de salida Vo

Forma de onda del voltaje Vo

XSC1
Ext T rig + _ A + _ + B _

V2 T1 120 Vrms 60 Hz 0

D1 1N4004

D3 1N4004 R2 470

TS_PQ4_12

R1 470

Circuito 13: Clculo del voltaje de salida VAB

Forma de onda del voltaje VAB

Ciclo negativo

Voltaje en el diodo 5

Forma de onda del voltaje del diodo 5

*CIRCUITO 5

Ciclo positivo
XSC1
Ext Trig + _ A B _ + _ +

D1 V3 T1 120 Vrms 60 Hz 0 1N4004

TS_PQ4_12

D2 1N4004 R1 470

V1 T2 60 Vrms 60 Hz 0

TS_PQ4_12

Circuito 14: Clculo del voltaje de salida VO

Forma de onda del voltaje Vo

Ciclo negativo

Voltaje en el diodo 1

Forma de onda del voltaje del diodo 1

*CIRCUITO 6

Ciclo positivo
XSC1 D1 1N4004 T1 120 Vrms 60 Hz 0 D2 1N4004
+ Ext Trig + _ A _ + B _

V3

TS_PQ4_12

D3 1N4004

R1 470

Circuito 15: Clculo del voltaje de salida VO

Forma de onda del voltaje Vo

XSC1 D1 1N4004 T1 120 Vrms 60 Hz 0 D2 1N4004

+ Ext Trig + _ A _ + B _

V3

TS_PQ4_12

D3 1N4004

R1 470

Circuito 16: Clculo del voltaje de salida VAB

Forma de onda del voltaje VAB

Ciclo negativo Voltaje en el diodo 2

Forma de onda del voltaje del diodo 2