UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

SEDE GUAYAQUIL

D IODOS SEMICONDUCTORES

M ATERIALES

SEMICONDUCTORES

Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los tres semiconductores ms frecuentemente usados en la construccin de dispositivos electrnicos son: Germanio (Ge), Silicio (Si) y el arseniuro de Galio (GaAs).

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma: Intrnsecos Extrnsecos Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura.

M ATERIALES

SEMICONDUCTORES

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".

Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica.

M ATERIALES
Tipos de materiales Extrnsecos Material tipo N

SEMICONDUCTORES

Se crea introduciendo elementos de impureza como el antimonio, el arsnico y el fsforo (cinco electrones de valencia). Los cuatro enlaces covalentes permanecen, sin embargo, existe un electrn libre debido al tomo de impurezas. Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como tomos donadores.

M ATERIALES
Tipos de materiales Extrnsecos Material tipo P

SEMICONDUCTORES

Se crea introduciendo elementos de impureza como tales como: Boro, Galio e Indio (tres electrones de valencia). Es insuficiente el nmero de electrones para realizar los enlaces covalente. El vaco resultante se llama hueco, el cul aceptar con facilidad un electrn libre: Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se conocen como tomos aceptadores.

D IODO S EMICONDUCTOR
El diodo es el dispositivo electrnico ms simple. Es un semiconductor de dos terminales (nodo y Ctodo) que ofrece una baja resistencia del orden de los m en una polarizacin y del orden de los G en la otra. Los diodos semiconductores se forman a partir de la unin de los materiales semiconductores tipo P y tipo N.

D IODO S EMICONDUCTOR
La unin de estos dos materiales provocan una regin intermedia llamada regin de deflexin

Propiedades: Sin polarizacin aplicada (Vd = 0V) El flujo neto de carga en una direccin es cero. (Id = 0 mA) Existe una modesta regin de deflexin.

D IODO S EMICONDUCTOR
Polarizacin inversa (Vd < 0V) La corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama corriente de saturacin en inversa y est representada por Is. Los electrones (-) en el material tipo N son atrados por el terminal positivo de la fuente de voltaje aplicada. Los huecos (+) en el material tipo P son atrados por el terminal negativo de la fuente de voltaje aplicada. La regin de deflexin aumenta creando una barrera demasiado grande para el flujo de corriente.

D IODO S EMICONDUCTOR
Polarizacin directa (Vd > 0V) La corriente en condiciones de polarizacin en directa se llama corriente de diodo y est representada por Id. Los electrones (-) en el material tipo N son empujados por el terminal negativo de la fuente de voltaje aplicada. Los huecos (+) en el material tipo P son empujados por el terminal positivo de la fuente de voltaje aplicada. La regin de deflexin disminuye creando un flujo de corriente que aumenta de forma exponencial.

D IODO S EMICONDUCTOR
Polarizacin directa (Vd > 0V)

Is: Corriente de saturacin en inversa. VD: Voltaje en polarizacin directa. n: factor de idealidad, valor entre 1 y 2 segn aplicacin. VT: Voltaje trmico.

k: constante de Boltzman = 1.38 x 10-23 J/K T: Temperatura en grados Kelvin = 273 + C q: es la magnitd de la carga del electrn = 1.6 x 10-19 Coulomb

D IODO S EMICONDUCTOR
Polarizacin directa (Vd > 0V)

D IODO S EMICONDUCTOR
Regin Zener El mximo potencial de polarizacin en inversa que se puede aplicar antes de entrar a la regin Zener se llama voltaje inverso pico (PIV) o voltaje de reversa pico (PRV). El potencial de polarizacin en inversa que produce un incremento rpido en una direccin opuesta de la corriente del diodo se llama voltaje zener (Vz).

D IODO S EMICONDUCTOR
Efectos de la Temperatura Cuando hay un incremento en la temperatura se modifican ciertas caractersticas del diodo. En la regin de polarizacin directa las caractersticas del diodo de silicio se desplazan a la izquierda. En la regin de polarizacin inversa la corriente de saturacin en inversa se incrementa. El voltaje de saturacin en inversa de un diodo semiconductor se incrementar o reducir con la temperatura segn el potencial zener. Los diodos de Ge son ms sensibles a la temperatura en comparacin a los de Silicio y Arseniuro de Galio.

D IODO S EMICONDUCTOR
Efectos de la Temperatura

D IODO I DEAL
Es un modelo til que permite simplificar el anlisis por medio de las siguientes aproximaciones: En polarizacin directa, el diodo acta como un cortocircuito. (R = 0 ohmios). En polarizacin inversa, el diodo se comporta como un circuito abierto. (R = infinito)

D IODO I DEAL

Polarizacin Directa El voltaje del diodo es 0V. La corriente es infinita.

Polarizacin Inversa El voltaje inverso del diodo. La corriente es 0mA.

D IODO REAL
Niveles de Resistencia Resistencia en DC o esttica. Produce un punto de operacin en la curva de operacin que no cambia con el tiempo.

VD RD = ID
Cuanto mayor sea la corriente a travs de un diodo menor ser el nivel de resistencia DC.

D IODO REAL
Niveles de Resistencia Resistencia en AC o dinmica. Se produce cuando se aplica una seal variable (senoidal) a la entrada del diodo. Esta seal provocar un cambio en el voltaje como en la corriente del diodo a partir de un punto de operacin definido por los niveles DC aplicados. Se puede aproximar este valor con la siguiente ecuacin:

rd =

26 mV + rB ID

Id: Corriente DC o quiescente.

rd =

VD ID

dVD nVT = dID ID

D IODO REAL
Niveles de Resistencia Resistencia en AC promedio. Se produce cuando se aplica una seal variable (senoidal) a la entrada del diodo. Esta seal provocar un cambio en el voltaje como en la corriente del diodo a partir de un punto de operacin definido por los niveles DC aplicados. Se puede aproximar este valor con la siguiente ecuacin:

rprom

Vd = I d

pt. to pt.

C IRCUITO EQUIVALENTE DEL

DIODO

Circuito Lineal por segmentos

Circuito Equivalente Simplificado Circuito Equivalente Ideal

C IRCUITO EQUIVALENTE DEL

DIODO
Circuito Equivalente Ideal

ID

ID

A + VD
ID

B
Ecuacin Condicin ID 0

P.D. :

A + VD = 0
ID = 0

VD = 0

P.I. :

A + VD

ID = 0

VD 0

C IRCUITO EQUIVALENTE DEL

DIODO
Circuito Equivalente Simplificado ID ID

B + VD
ID 0,7 V

Ecuacin ID Condicin ID 0

P.D. :

+
+ V D = 0,7 V
ID = 0

V D = 0,7 V

P.I. :

A + VD

ID = 0

VD 0, 7 V

C IRCUITO EQUIVALENTE DEL

DIODO
Circuito Lineal por segmentos ID ID

+ VD
ID 0,7 V

B
Ecuacin Condicin ID 0

P.D. :

A +
V
D

V D = 0,7 + rID
( r = 0,5 - 1 )

= 0, 7 + rI

r resistencia interna

ID = 0

P.I. :

A + VD

ID = 0

VD 0, 7 V