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REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA DE LA FUERZA ARMADA

BOLIVARIANA

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES

Asignatura: ELECTRNICA II PROFESOR: Ing. Hendri Guzman. VI SEMESTRE INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES Turno: Nocturno Jueves, 24 de Noviembre de 2011 Alumno: Nombres y Apellidos: Freddy J. Colina H. Alez Zane Darwing Castaeda Cedula de Identidad: 7.570.993 14.765.165 18.493.472

INDICE Contenido
Introduccin Frecuencias de corte y ancho de banda de un amplificador Frecuencia de corte Comprobaciones simples del diagrama de Bode Respuesta de baja frecuencia en: Efectos de condensadores de acoplo y desacoplo Configuraciones de amplificadores BJT y FET Transistor de unin Bipolar (BJT) Amplificador en modo comn Amplificador en modo comn con resistencia de emisor Amplificador en base comn Amplificador en colector comn Transistores de Efecto de Campo (FET) Ventajas de los FET Limitaciones en el uso de los FET Polarizacin de los FET Uso de la superposicin en la serie de polos dominantes Respuesta de alta frecuencia en: Modelo para alta frecuencia del BJT Modelo para alta frecuencia del FET Efecto en las capacitancias parsitas internas de los transistores Comportamiento a altas frecuencias de las diferentes configuraciones de amplificadores BJT y FET. Producto de ganancia: Ancho de banda Respuesta en frecuencia de etapas en cascada Respuesta en frecuencia de amplificadores realimentados El transistor como conmutador y velocidad de respuesta de un Amplificador contra un ancho de banda Conclusin Bibliografa

Pg.
03 05 06 07 08 11 15 15 16 18 20 20 21 21

INTRODUCCIN
La respuesta en frecuencia sirve como una herramienta de anlisis de un sistema en general y de un circuito en particular y permite predecir la respuesta del circuito sobre un rango de frecuencias, cuyos resultados son grficos de amplitud y fase. Muchas reas de la ingeniera usan esta tcnica, como las comunicaciones donde el comportamiento en frecuencia es fundamental para interpretar la operacin del circuito. Con la introduccin de los amplificadores electrnicos, la telefona de larga distancia comenz a ser posible luego de la primera guerra mundial. Sin embargo a medida que las distancias crecan, tambin lo hacan las prdidas de energa. En la imposibilidad de aumentar el dimetro de los conductores, se incrementaban el nmero de amplificadores para recuperar la energa perdida. Desafortunadamente un mayor nmero de amplificadores resultaba en mayor distorsin dadas las pequeas no linealidades de las vlvulas usadas entonces en los amplificadores. Para resolver este problema se cre el amplificador realimentado. Cuanto ms se desea disminuir la distorsin, mas se debe realimentar. Pero esto lleva casi inevitablemente a la inestabilidad. Nyquist en 1932 desarroll un teorema que permita analizar la estabilidad grficamente a partir de la respuesta en frecuencia del lazo realimentado. Desde este trabajo, se comenz a desarrollar intensivamente esta tcnica de anlisis que Bode en 1945 presento extensiva y detalladamente. El amplificador nace como un conjunto especfico de transistores y componentes perifricos que se integran en un solo circuito para realizar una funcin especfica. El amplificador, adems, fue uno de los primeros circuitos integrados que se fabricaron como tales. El tipo de amplificador integrado en un chip se utiliz en la era de la integracin electrnica pero en dispositivos de clculo analgico. Dichas mquinas realizaban clculos matemticos mediante funciones electrnico-matemticas, tales como la "integracin" y la "diferenciacin". Posteriormente, debido a sus excelentes caractersticas se comenzaron a fabricar en forma continua e integrada, hasta llegar a la poca actual donde puede contemplarse como un ente compacto y diferenciado dentro del diseo electrnico. Actualmente, en lugar de disearse un amplificador perfectamente detallado con sus etapas individuales a base de decenas de componentes, se suele disear un circuito con unos cuantos amplificadores operacionales encapsulados y unos pocos elementos bsicos, tales como resistencias, condensadores y diodos. Entre las ventajas que se consiguen se tiene en primer lugar una mayor sencillez en el diseo, su ganancia y su respuesta en frecuencia, son controladas con precisin mediante elementos pasivos estables.

DESARROLLO
El anlisis de amplificadores est limitado en un rango de frecuencias, que normalmente permite ignorar los efectos de los elementos capacitivos, considerando nicamente elementos resistivos y fuentes. Los efectos en frecuencia introducidos por condensadores de gran valor, generalmente externos, que limitan la frecuencia baja de operacin del amplificador, y condensadores internos a los dispositivos activos que limitan su comportamiento en alta frecuencia. Generalmente, el anlisis en frecuencia de un amplificador se realiza sobre un rango muy variable de valores de frecuencia. Para facilitar su caracterizacin se utiliza escalas logartmicas en trminos de decibelio. Inicialmente, el decibelio tuvo su origen para establecer una relacin entre potencia y niveles de audio en escala logartmica. As, un incremento de nivel de potencia, por ejemplo de 4 a 16 W, no corresponde con un nivel de audio multiplicado por un factor de 4 (16/4), sino de 2 puesto que (4)2. La definicin de bel, cuyo nombre se debe a Alexander Graham Bell, relativa a dos niveles de potencia P1 y P2 es:

El bel es una unidad demasiado grande y para aplicaciones prcticas se utiliza el trmino decibelio (dB) definido como 1dB=0.1bel o

Existe una segunda definicin del decibelio aplicada ms frecuentemente que opera sobre tensiones en vez de potencias. Si consideramos la potencia disipada por una resistencia, Pi=(Vi)2/Ri, entonces sustituyendo se obtiene:

En la tabla se indica la conversin de entre la ganancia de un amplificador y su representacin en dB. Por ejemplo, -6dB es un amplificador con una atenuacin de 0.5, 0 dB corresponde a un amplificador de ganancia 1, 20 dB ganancia 10.

FRECUENCIAS DE CORTE Y ANCHO DE BANDA DE UN AMPLIFICADOR


Por medio de los diagramas de Bode se puede demostrar que las funciones de un circuito pueden trazarse grficamente en funcin de frecuencia de forma rpida y fcil, al menos para circuitos sencillos. Existen varias razones para desear obtener un diagrama de la magnitud y la fase de cualquier funcin considerando que toda seal est formada por una suma de componentes senoidales. Las seales de audio contienen componentes que varan entre 20 Hz y 20 kHz. Para los electrocardiogramas, el intervalo est entre 0,05 Hz y 100 Hz, y para las seales de vdeo entre el valor de continua y 4,5 MHz. Para amplificar una seal sin distorsin, la ganancia del amplificador debe ser la misma para todas las componentes de frecuencia. Si se tiene una grfica de la ganancia en funcin de la frecuencia, se puede ver si la ganancia es constante o no para todas las componentes de frecuencia de la seal de inters. Los diagramas de Bode de la ganancia y fas del amplificador en funcin de la frecuencia resultan muy tiles para evitar oscilaciones no deseadas. Para el anlisis, se utiliza la variable s de la transformada de Laplace, se tiene como ejemplo, la funcin de transferencia de tensin del circuito mostrado en la figura y aplicando el principio del divisor de tensin, se puede hallar la relacin entre la tensin de salida y la tensin de entrada.

Multiplicando el numerador y denominador por sC, se obtiene:

Las funciones de los circuitos lineales que no varan en funcin del tiempo, siempre pueden expresarse como una relacin de polinomios en la variable s. En este caso, el numerador es simplemente una constante, y el denominador es un polinomio de primer orden. En circuitos ms complejos, el numerador y el denominador pueden ser ambos polinomios de orden superior.

Las funciones de transferencia para circuitos lineales pueden expresarse como cocientes de polinomios en la variable s de Laplace. Las races del numerador se denominan ceros, y las del denominador, polos. Los valores de s que hacen que el polinomio del denominador sea igual a cero se denominan polos de la funcin de transferencia. La magnitud de la funcin de transferencia no est limitada en los polos. Los valores de s que hacen que el numerador sea igual a cero se denominan ceros de la funcin de red. Por tanto, los polos son las races del polinomio del denominador, y los ceros son las races del polinomio del numerador.

Frecuencias de corte
En el anlisis senoidal en rgimen permanente de cualquier circuito, se utiliza en lugar de la variable transformada de Laplace s. Si sustituimos la Ecuacin , tenemos: en

Esta es una expresin compleja que proporciona la magnitud y la fase de la funcin de transferencia de tensin en funcin de la frecuencia. Por ejemplo, si evalua la ecuacin para , se obtiene:

El significado de este resultado es que, si se aplica una senoide de frecuencia: a la entrada, la salida tendr una amplitud que es 0,707 veces la amplitud de entrada. Adems, la salida estar desfasada -45 respecto de la entrada. Resulta conveniente expresar la ecuacin como:

se denomina frecuencia de corte. Otros nombres alternativos para fb son frecuencia de codo, frecuencia de potencia mitad, y frecuencia para 3-dB.

Comprobaciones simples del diagrama de Bode A menudo, para frecuencias muy altas o muy bajas, un circuito se vuelve lo suficientemente sencillo como para que los resultados puedan encontrarse por simple inspeccin. Por ejemplo, las caractersticas principales de la curva de ganancia mostrada en la figura pueden comprobarse analizando el circuito para frecuencias muy bajas y muy altas. Para frecuencias muy bajas, el condensador se comporta como un circuito abierto. En consecuencia, no fluye corriente alguna por el circuito, no se produce cada de tensin en R1, y la tensin de salida es igual a la tensin de entrada. Por tanto, la magnitud de la ganancia de tensin es igual a la unidad, de acuerdo con la ganancia dibujada de 0 dB para bajas frecuencias.

Para frecuencias muy altas, el condensador se comporta como un cortocircuito. Luego el circuito se reduce a un divisor de tensin resistivo con una ganancia de:

EFECTOS DE CONDENSADORES DE ACOPLO Y DESACOPLO


La presencia de condensadores en un amplificador hace que la ganancia de ste dependa de la frecuencia. Los condensadores de acoplo y desacoplo limitan su respuesta a baja frecuencia, y los parmetros de pequea seal de los transistores que dependen de la frecuencia, as como las capacidades parsitas asociadas a los dispositivos activos limitan su respuesta a alta frecuencia. Adems un incremento en el nmero de etapas amplificadoras conectadas en cascada tambin limitan a su vez la respuesta a bajas y altas frecuencias.

En la figura. se muestra la ganancia de un amplificador en funcin de la frecuencia. Claramente se identifican tres zonas: frecuencia bajas, frecuencias medias y frecuencias altas. A frecuencias bajas, el efecto de los condensadores de acoplo y desacoplo es importante. A frecuencias medias, esos condensadores presentan una impedancia nula pudindose ser sustituidos por un cortocircuito. A frecuencias altas, las limitaciones en frecuencia de los dispositivos activos condicionan la frecuencia mxima de operacin del amplificador. Esas zonas estn definidas por dos parmetros: frecuencia de corte inferior o L y frecuencia de corte superior o H. Ambos parmetros se definen como la frecuencia a la cual la ganancia del amplificador decae en 1/ 2 o 0.707 con respecto a la ganancia del amplificador a frecuencias medias. El ancho de banda del amplificador o bandwidth (BW) se define como:

En la figura anexa se indica la respuesta en frecuencia de un amplificador sin condensadores de acoplo y desacoplo. En este caso el amplificador solo tiene frecuencia de corte superior al ser L=0 con capacidad de amplificar seales DC.

En la regin de baja frecuencia, los condensadores externos de acoplo y desacoplo fijan la frecuencia de corte inferior. Los modelos que se utilizan para determinar esta L estn basados en el anlisis de redes RC. En la red RC de la figura es fcil observar que el condensador se comporta como un cortocircuito a frecuencias muy altas y un circuito abierto a frecuencias muy bajas. En general, la relacin entre la tensin de salida y entrada se expresa como:

La magnitud de la relacin anterior viene dada por:

La frecuencia de corte inferior, L, se define como a la frecuencia a la cual |Av| decae en es decir,

(1) En trminos de decibelios sera equivalente a:

Es decir, L se define como la frecuencia a la cual decae en 3 dB la ganancia del circuito respecto a la ganancia a frecuencias medias (Av=1). Sustituyendo la ecuacin anterior en (1), resulta,

La magnitud y fase de esta expresin compleja es,

Desarrollando la expresin de la magnitud en trminos de dB se obtiene,

(1.2) Para frecuencias bajas donde f <<< fL, (es decir fL/f >>> 1) entonces la expresin anterior se reduce a:

(2) Como se puede observar, la representacin en escala logartmica resulta muy til para dibujar grficamente expresiones en dB. En la grfica de la figura anexa se muestra la respuesta frecuencia del circuito y su representacin en trminos de dos segmentos que son las asntotas de la anterior respuesta frecuencial La primera asntota indicara el comportamiento del circuito para <L expresado a travs de la ecuacin (2). La segunda asntota se obtiene para >L resultando un valor de Av=0 dB. La interseccin de ambas lneas se produce para =L que corresponde con el punto -3dB de la respuesta frecuencial. La representacin grfica en trminos de lneas asintticas y puntos asociados se denomina diagrama de Bode. A partir de este ejemplo se puede comprobar fcilmente que un cambio de frecuencia por un factor de 2, equivalente a una octava, corresponde a un cambio de 6 dB. De la misma manera, un cambio de frecuencia por una factor de 10, equivalente a una dcada, corresponde a un cambio de 20dB.

Diagrama de Bode

A veces es interesante representar la fase en funcin de la frecuencia. En la figura 3 se indica la representacin grfica de la fase correspondiente a la ecuacin 1.2 donde se puede observar como el desfase entre la entrada y salida vara entre 90 para frecuencias muy bajas a 0 para las altas frecuencias, siendo de 45 a L.

Fase del circuito

CONFIGURACIONES EN AMPLIFICADORES BJT Y FET TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT)


Un transistor bipolar de unin est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el transistor est constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la regin de base muy delgada (< 1m). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en la figura 1.a para un transistor NPN y a un PNP. En ambos casos se verifica que:

(1) Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor. Este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, Para un transistor NPN, son:

donde IES y ICS representan las corrientes de saturacin para las uniones emisor y colector, respectivamente, F el factor de defecto y R la fraccin de inyeccin de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP, las ecuaciones de Ebers-Moll son:

Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parmetros estn relacionados mediante el teorema de reciprocidad,

Valores tpicos de estos parmetros son: F=0.99, R=0.66, IES=10 -15A y ICS=10-15

Zonas de operacin de un transistor en la regin directa

Principales modos de operacin de un transistor bipolar.

La seleccin del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos de polarizacin que fijen sus tensiones y corrientes. En cuadro siguiente, se incluye con los circuitos de polarizacin mas tpicos basados en resistencias y fuentes de alimentacin; adems, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes. Por ejemplo, el circuito de la figura,

a)

Circuito de polarizacion;

b) Representacion grafica del punto de trabajo Q.

es poco recomendable por carecer de estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva trmica que autodestruye el transistor. La polarizacin de corriente de base en el cuadro anexo es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes discretos es el circuito de auto polarizacin. La polarizacin de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su tensin colector-base positiva

Algunos circuitos de polarizacin tpicos con transistores bipolares

Amplificador en modo comn

Circuito amplificador de tensin con BJT en Emisor Comn

Para obtener el circuito equivalente de alterna, se cortocircuitan las fuentes de tensin de continua y los condensadores. En el circuito resultante, se sustituyen el transistor por su modelo en parmetros hbridos.

Circuito equivalente en AC

Amplificador en Emisor Comn con resistencia de emisor. Amplificador en emisor comn con la resistencia de emisor sin desacoplar, es decir, sin colocar el condensador C3 en paralelo con RE. De esta forma se comprueba cmo esta resistencia aparece en el circuito de pequea seal haciendo que la ganancia del amplificador disminuya, lo que justificara la conveniencia de colocar el condensador C3. Se obtiene el circuito equivalente en parmetros hbridos para el circuito.

Amplificador en emisor comn con resistencia de emisor

Circuito equivalente en AC

Con lo que, sustituyendo el transistor por su modelo simplificado el circuito que nos queda es el de la figura

Circuito de pequea seal para amplificador en E-C con RE sin desacoplar

Amplificador en base comn

Circuito amplificador con BJT en Base Comn

Se cortocircuitan las fuentes de tensin de continua y los condensadores. En el circuito resultante, se sustituye el transistor por su modelo en parmetros hbridos

Circuito equivalente en AC

Circuito equivalente de pequea seal con el modelo simplificado

Amplificador en colector comn

Circuito amplificador con BJT en Colector Comn

Circuito equivalente en AC

Circuito equivalente de pequea seal con el modelo simplificado

En la siguiente tabla se ilustra un resumen de los valores calculados para las distintas configuraciones

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET)


Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo metal-oxido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por tensin con una alta impedancia de entrada (1012). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como conmutador. Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa y estructura fsica son totalmente diferentes. Ventajas del FET: 1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un C1. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Limitaciones en el uso de los FET 1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. Polarizacin de los FET . Se utiliza una fuente de tensin externa para generar una VGS<0, y auto polarizacin , la cada de tensin en la resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

Circuito de polarizacion simple de un NJFET. a) Diagrama circuital. b) Ecuaciones analiticas. Representacion grafica del punto de trabajo.

CONCLUSIN
La ganancia de un amplificador es en general, un nmero complejo que depende de la frecuencia. La representacin grfica del mdulo de la ganancia {A(w)}, es lo que se denomina respuesta en frecuencia del amplificador. Gracias a los amplificadores podemos aumentar el nivel de las seales elctricas que captan los sensores (resistencias dependientes, micrfonos, antenas, entre otros.) para despus aplicarlas con suficiente energa a los dispositivos que las trasforman en algo til. En los amplificadores, gracias a los transistores, se consigue elevar la intensidad de los sonidos y de las seales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la seal debil y otra por donde se alimenta con corriente continua. La seal de salida se ve aumentada gracias a la aportacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas variaciones que la de entrada.

Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que se est tratando, se pueden observar tres tipos de ganancias,

Ganancia de tensin: que se obtiene midiendo el valor de la tensin de entrada y el de salida y realizando su cociente.

Ganancia de corriente: se obtiene midiendo el valor de la intensidad de salida y el de entrada, efectuando su cociente

Ganancia de potencia: se obtiene al dividir la potencia obtenida en la salida entre la potencia entregada a la entrada. Se puede comprobar con facilidad que, al realizar esta operacin, el resultado que se obtiene coincide con el producto de las ganancias de tensin y corriente,

No todos los amplificadores son iguales; existen diferencias entre unos y otros, dependiendo de la magnitud de la seal que se va a amplificar, configuracin, clase, acopiamiento y aplicaciones. En la siguiente tabla se hace una clasificacin de los mismos:

Dependiendo de la seal: existen muchas aplicaciones donde el uso de una sola etapa amplificadora no es suficiente para elevar la seal de entrada al nivel deseado. Por esta razn, se emplean varias etapas amplificadoras acopladas adecuadamente, con el fin de imprimir en cada una de ellas el nivel de amplificacin adecuado y, as, conseguir una seal de salida sin distorsin y con el mximo rendimiento por parte del conjunto del amplificador

As, por ejemplo, la seal de audio proporcionada por un micrfono o la seal recogida en la antena de un receptor de radio posee un nivel que en la mayora de las ocasiones no alcanza unos pocos milivoltios o incluso microvoltios. En estos casos se hace necesario por lo menos de dos, tres o ms etapas amplificadoras. Los amplificadores de pequea seal se utilizan en etapas previas y poseen una ganancia muy grande de tensin. Este tipo de amplificadores poseen una respuesta lineal, es decir, debe ser fiel y no distorsionar las seales. Un amplificador de valencia maneja seales ms fuertes y se emplea en las etapas finales. En este amplificador la zona de trabajo es del todo lineal. Por su configuracin:

Por su clase: Esta clasificacin es debida a que no todos los amplificadores presentan todo el conjunto del ciclo de seal de entrada en la salida. Clase A: En la figura se muestra el aspecto de las seales de entrada y salida de un amplificador de clase A.

La seal que aparece en la salida no est distorsionada con respecto a la de entrada. Clase B: La seal que aparece en la salida est recortada, de tal forma que nicamente parecen los semiciclos positivos, tal como se puede apreciar en los scilogramas de la siguiente figura,

Clase C: en este caso, la corriente que aparece como seal de salida fluye menos de un semciclo, tal como se aprecia en la figura siguiente,

Clase AB: La seal que aparece en la salida es una combinacin de la clase A y B, es decir, aparece una pequea distorsin en los picos de la seal de salida, segn la figura siguiente,

Por la frecuencia de la seal: Como las seales que se quieren amplificar son alternativas, es necesario disear los circuitos amplificadores teniendo en cuenta el valor de la frecuencia de las mismas. Los amplificadores de corriente continua trabajan con seales no alternativas y, por lo tanto, poseen una frecuencia cero. Los de audiofrecuencia o de baja frecuencia trabajan con frecuencias audibles en un margen de 20 a 20 KHz. Los amplificadores de videofrecuencia se utilizan para seales en un margen de frecuencias de entre 20 Hz y 15 MHz. Los amplificadores radiofrecuencia o de alta frecuencia, se utilizan en sistemas de transmisin de seales de radio y manejan frecuencias del orden de 200 KHz a 300 MHz. Los de VHF y UHF trabajan en frecuencias de cientos o miles de MHz y se utilizan para la transmisin de seales de audio y televisin.

5.3
Tcnica del Polo Dominante

El bloque delineado con magenta es la etapa de ganancia clase A. El espejo superior derecho Q12/Q13 carga esta etapa con una corriente constante, desde el colector de Q13, que es prcticamente independiente de la tensin de salida. La etapa consiste en dos transistores NPN en configuracin Darlington y utiliza la salida del espejo de corriente como carga activa de alta impedancia para obtener una elevada ganancia de tensin. El condensador de 30 pF ofrece una realimentacin negativa selectiva en frecuencia a la etapa clase A como una forma

de compensacin en frecuencia para estabilizar el amplificador en configuraciones con relimentacin. Esta tcnica se llama compensacin Miller y funciona de manera similar a un circuito integrador con amplificador operacional. Tambin se la conoce como "compensacin por polo dominante" porque introduce un polo dominante (uno que enmascara los efectos de otros polos) en la respuesta en frecuencia a lazo abierto. Este polo puede ser tan bajo como 10 Hz en un amplificador 741 e introduce una atenuacin de -3 dB a esa frecuencia. Esta compensacin interna se usa para garantizar la estabilidad incondicional del amplificador en configuraciones con realimantacin negativa, en aquellos casos en que el lazo de realimentacin no es reactivo y la ganancia de lazo cerrado es igual o mayor a uno. De esta manera se simplifica el uso del amplificador operacional ya que no se requiere compensacin externa para garantizar la estabilidad cuando la ganancia sea unitaria; los amplificadores sin red de compensacin interna pueden necesitar compensacin externa o ganancias de lazo significativamente mayores que uno.

5.4
Respuesta en Frecuencia del BJT y el modelo de alta frecuencia Hasta el momento se ha supuesto que el transistor responde de manera instantnea, es decir no se ha trabajado en los modelos con elementos que generen una dependencia del tiempo o de frecuencia. Sin embargo los transistores reales exhiben fenmenos de almacenamiento de carga que limitan la velocidad y la frecuencia de operacin, como se vio en la unin pn. A continuacin se hablar de estas capacitancias que modelaran ese comportamiento. Capacitancias internas del BJT Capacitancia de difusin de pequea seal , esta es debida a los portadores minoritarios de la base que generan una carga igual a

Donde

Se le conoce como tiempo de transito de base directo y es el tiempo que demora un electrn en cruzar la base, este valor esta en el intervalo de 10 a 100ps

Capacitancia de unin base-emisor , sta es la capacitancia de la capa de agotamiento y del estudio del diodo podemos expresar
( )

Donde es el valor de a voltaje 0, es el voltaje integrado de unin baseemisor = 0.9V y m = 0.5 aunque es ms utilizada pues es ms cercano al comportamiento real

Capacitancia de unin colector base Esto sucede al tener la polarizacin inversa en esta juntura se genera una regin de agotamiento que almacena carga esta viene dada por la ecuacin
( )

Donde

es el valor de

a voltaje 0,

y m est entre 0.2 y 0.5

Con esto tenemos que entre las junturas existirn las siguientes capacitancias (Capacitancia Emisor-Base) (Capacitancia Colector-Base) Con estos nuevos parmetros se puede modificar el modelo de pequea seal anteriormente visto para tener en cuenta estas capacitancias y hacer un anlisis global del circuito. Este modelo se muestra en la figura 3.1

Figura 3.1

Por lo general las hojas de datos no especifican el valor de sino el comportamiento de ( ) en funcin de la frecuencia y a partir de ste encontrar los valores de estas capacitancias, para tal caso debemos estudiar el circuito de la figura 3.2

Figura 3.2

(
( (

)
) )

Como a las frecuencias para las que este modelo es valido puede ignorar, en trminos de ( ) ( )

, por tanto se

Teniendo as el siguiente diagrama de bode, en donde el | | cae a la unidad. Y donde se atena 3db del ,

es la frecuencia a la cual

Figura 3.2

Para encontrar 1=|


( )

debemos igualar la magnitud del |

a la unidad.

((

((

Si es un valor que dan las hojas de datos de all podemos encontrar , adems es bueno aclarar que el modelo de la figura 3.1 opera bastante bien para frecuencias menores a 0.2 . Respuesta en frecuencia del amplificador emisor comn

Figura 3.3

En la figura 3.4 se muestra las 3 bandas en las cuales se puede dividir la respuesta en frecuencia de un amplificador. Se puede ver que en la banda baja, hay disminucin de la ganancia debido a los capacitores , y , esto a causa de que a bajas frecuencias los capacitores dejan de comportarse como un cortocircuito y generan atenuacin, en la siguiente banda (la banda media) los capacitores antes mencionados ya no tienen un efecto significativo y en la ltima banda las capacitancias internas del BJT el y comienzan a ser significativas y ya no son circuitos abiertos por lo tanto generan atenuacin.

Figura 3.4

Del diagrama se ve que el intervalo de operacin del amplificador es la banda media a este intervalo se le conoce como ancho de banda

En estas frecuencias la ganancia donde:


( )

o ganancia de banda media se ha reducido 3dB en )

En los amplificadores el ancho de banda no es constante, lo que es constante es la relacin ganancia con ancho de banda

Respuesta en alta frecuencia Para el anlisis en alta frecuencia los capacitores , y se comportan como corto circuitos entonces obtenemos el modelo que muestra la figura 3.5.

Figura 3.5

Se pueden hacer operaciones circutales y simplificar el circuito al mostrado en la figura 3.6

Figura 3.6

[ (

( )

)]

Del circuito se puede observar que ( ) se puede suponer que para las frecuencias cercanas a relacin a por lo tanto

Para hacer otra reduccin es muy pequea en

)]

Siendo esto as podemos remplazar este capacitor por otro que vaya entre genere la misma corriente como se muestra en la figura 3.7.
( )

y tierra y

Figura 3.7

) ( )

) ( )

5.5 Efecto de las capacitancias parsitas internas de los transistores


En los circuitos elctricos, la capacitancia parsita, capacitancia parsita o, en su caso, la libre capacidad, es una capacitancia inevitable y por lo general no deseado que existe entre las partes de un componente electrnico o circuito simplemente por su proximidad entre s. Todos los elementos de circuito reales, tales como inductores, diodos, transistores y tienen capacidad interna, lo que puede causar su comportamiento para apartarse de la de los elementos de circuito "ideales". Adems, siempre hay capacitancia no-cero entre los dos conductores, lo que puede ser importante a frecuencias ms altas con conductores muy prximas entre s, tales como cables o trazas de placas de circuitos impresos.

Descripcin
Cuando dos conductores a diferentes potenciales estn cerca uno del otro, se ven afectados por el campo elctrico de cada uno y tienda de enfrente cargas elctricas como un condensador. Cambio de la V de potencial entre los

conductores requiere una corriente i dentro o fuera de los conductores para cargar o descargar ellos. Por ejemplo, un inductor a menudo acta como si se incluye un condensador en paralelo, debido a sus devanados estrechamente espaciados. Cuando existe una diferencia de potencial a travs de la bobina, cables situadas adyacentes entre s se encuentran en diferentes potenciales. Actan como las placas de un condensador, y cobran tienda. Cualquier cambio en el voltaje en la bobina necesita corriente adicional para cargar y descargar estos pequeos "condensadores. Cuando el voltaje cambia slo lentamente, como en los circuitos de baja frecuencia, la corriente adicional es generalmente insignificante, pero cuando la tensin cambia rpidamente la corriente adicional es ms grande y puede afectar el funcionamiento del circuito. Bobinas para las altas frecuencias son a menudo la cesta de la herida para minimizar la capacitancia parsita.

Efectos
A bajas frecuencias, la capacitancia parsita por lo general puede ser ignorada, pero en circuitos de alta frecuencia que puede ser un problema importante. En los circuitos de amplificador con una respuesta de frecuencia extendida, la capacitancia parsita entre la salida y la entrada puede actuar como un camino de realimentacin, haciendo que el circuito oscile a alta frecuencia. Estas oscilaciones no deseadas se llaman oscilaciones parsitas. La capacitancia del circuito de carga conectado a la salida de los amplificadores operacionales puede reducir su ancho de banda. Los circuitos de alta frecuencia requieren tcnicas especiales de diseo, tales como cuidado de separacin de cables y componentes, anillos de proteccin, planos de tierra, planos de energa, protegiendo entre la entrada y la salida, la terminacin de las lneas y lneas de cinta para minimizar los efectos de la capacitancia no deseado. La capacitancia parsita entre la base y el colector de los transistores y otros dispositivos activos es el principal factor que limita su rendimiento de alta frecuencia. Se aadi la rejilla de pantalla a los tubos de vaco en la dcada de 1930 para reducir la capacitancia parsita entre la rejilla de control y la placa, y dio lugar a un gran aumento de la frecuencia de funcionamiento. En los cables estrechamente espaciados y buses de ordenador, acoplamiento capacitivo parsito puede causar diafona, lo que significa que la seal de uno sangra circuito a otro, causando la interferencia y un funcionamiento poco fiable. Programas de automatizacin de diseo electrnico informticos, que se utilizan para el diseo de circuitos impresos comerciales, pueden calcular la capacitancia parsita y otros efectos parsitos de ambos componentes y trazas de placas de circuitos, e incluirlos en las simulaciones del funcionamiento del circuito. Esto se denomina extraccin de parsitos.

5.7 RESPUESTA REALIMENTADOS

FRECUENCIAL

EN

AMPLIFICADORES

LA RESPUESTA FRECUENCIAL DE AMPLIFICADORES REALIMENTADOS Ancho de banda y estabilidad El efecto que produce la realimentacin depende de la funcin de Transferencia A*. Esta funcin de transferencia incluye, en general, la presencia de polos y Ceros. En la prctica los ceros suelen encontrarse a frecuencias muy elevadas Comparadas con las de los polos. Por lo tanto, y para simplificar, se realiza el estudio ignorando la existencia de los ceros. Si se utiliza una red de realimentacin independiente de la frecuencia, Solamente hay que tener en cuenta los polos del amplificador bsico.

Respuesta frecuencial del amplificador realimentado. En general el amplificador realimentado se disea para que opere en determinada banda de paso (BW) presentando una respuesta de frecuencia plana (sin picos) o que el pico sea de una magnitud prefijada. Adems se debe garantizar que el amplificador realimentado sea estable para lo cual normalmente hay que compensarlo.

Una de las caractersticas del amplificador realimentado es el aumento de ancho de banda, para demostrar esto, si un amplificador bsico tiene una frecuencia de corte superior f entonces su ganancia se puede expresar:

Siendo Ao , la ganancia a frecuencias medias y f la frecuencia de la seal de entrada, se obtiene :

Siendo Aof, la ganancia del amplificador realimentado y Fhf su frecuencia de corte superior, se obtiene:

Se comprueba que la ganancia del amplificador realimentado a frecuencias medias Aof es igual a la ganancia del amplificador bsico a frecuencias medias dividida por 1 + ao. Asimismo, la frecuencia de corte del amplificador realimentado Hf, es igual a la frecuencia de corte del amplificador bsico (H) multiplicado 1+o. De la misma man era, un amplificador realimentado, cuyo amplificador bsico tenga una frecuencia de corte inferior L, tiene una frecuencia de corte inferior Lf definida por:

En el caso de verificar que H>>L, y por consiguiente Hf>>>>Lf, el producto ganancia ancho de banda no se ha modificado por la presencia de la realimentacin es decir,

Sin realimentacin, el ancho de banda es H-L y con ella es Hf-Lf; se puede observar claramente que Hf-Lf > H-L, luego se aumenta el ancho de banda. Sin embargo, este aumento es proporcional a la disminucin de la ganancia del amplificador realimentado (Aof).

5.8 TRANSISTOR BJT COMO CONMUTADOR


Aplicar los transistores no se limita nicamente a la amplificacin de seales. A travs de un diseo adecuado pueden utilizarse como un interruptor para computadora y para aplicaciones de control. Puede emplearse como un inversor en los circuitos lgicos de las computadoras. Observe la figura 4.24 donde el voltaje de salida Vc es opuesto al que se aplic sobre la base o a la terminal de entrada. Tambin obsrvese la ausencia de una fuente de dc conectada al circuito de la base. La nica fuente de dc est conectada al colector o lado de la salida, y para las aplicaciones de computadoras normalmente es igual a la magnitud del nivel "alto" de la seal aplicada, en este caso 5 V.

Figura 4.24. Transistor inversor. El diseo ideal para el proceso de inversin requiere que el punto de operacin conmute de corte a la saturacin, pero a lo largo de la recta de carga. Para estos propsitos se asumir que Ic = Iceo = 0 mA cuando IB = 0 A (una excelente aproximacin de acuerdo con las mejoras de las tcnicas de fabricacin). Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrar "encendido" y el diseo debe asegurar que la red est saturada totalmente por un nivel de IB mayor asociado con la curva IB, que aparece cerca del nivel de saturacin. El nivel de saturacin para la corriente del colector y para el circuito est definido por: ICsat = Vcc/ Rc

www.itlp.edu.mx\publica\tutoriales\electronica\index.html

Comportamiento del bipolar en conmutacin

A continuacin, estudiaremos brevemente el comportamiento en conmutacin del transistor bipolar. Nuestro objetivo principal es relacionar el comportamiento en conmutacin del inversor RTL con la fsica interna del bipolar. Idealmente, nos gustara que el bipolar conmutara instantneamente de saturacin a corte y viceversa. Sin embargo, las capacidades de transicin de las uniones y el almacenamiento de portadores minoritarios en la base, ralentizan las transiciones.

Consideremos el inversor RTL de la Figura 4.46. El transistor es un 2N2222, un viejo favorito de los diseadores de circuitos electrnicos. Muchas de las versiones educacionales de SPICE incluyen el modelo completo del 2N2222. Este modelo contiene parmetros que tienen en cuenta las capacidades parsitas del dispositivo y los efectos del almacenamiento de carga. No nos extenderemos en esto; simplemente queremos mostrar los efectos de la conmutacin en un circuito tpico.

Parte de la corriente de base fluye a travs de la capacidad de la unin del colector, y sale del terminal del colector (lo contrario del sentido normal de la corriente de colector para un transistor npn en la regin activa). Esta corriente hace que aumente la tensin de salida. As, la tensin de salida es, de hecho, ligeramente mayor que la tensin de alimentacin de 3 V. Poco despus del comienzo del pulso de entrada, la tensin de la base se hace lo suficientemente alta como para polarizar en directa la unin del emisor. Entonces, los electrones cruzan desde el emisor hacia a la base. Estos electrones se difunden hacia la unin del colector. As, empieza a fluir corriente hacia el colector y la tensin del colector comienza a caer.

Aproximadamente en t%190 ns, el transistor entra en la regin de saturacin. Entonces, la tensin de colector se hace (aproximadamente) constante, con un valor de unas pocas dcimas de voltio.

La tensin de entrada vin vuelve a cero en t%300 ns. Sin embargo, la tensin de salida permanece baja hasta aproximadamente t%520 ns, debido al exceso de portadores minoritarios (electrones) almacenados en la regin de la base vin vo4

Cuando el transistor es llevado a saturacin, ambas uniones estn polarizadas en directa por lo que se va acumulando una alta concentracin de electrones en la base. Hasta que estos electrones no han sido quitados de la base, sigue fluyendo corriente directa a travs de las uniones. Observe que la corriente de base cambia de direccin al final del pulso de entrada. Esto se debe a la carga almacenada que sale del terminal de la base.

Aproximadamente en t%520 ns, la mayor parte del exceso de carga contenido en la base ha sido extrado y la corriente de colector comienza a caer, haciendo que crezca la tensin de salida. Sin embargo, la tensin de salida crece paulatinamente a causa de las capacidades parsitas de la unin. Al final, el transistor vuelve al estado de corte.

Como era de esperar, el circuito acta como inversor lgico. Cuando la entrada es baja, la salida, con el tiempo, se hace alta. De igual manera, cuando la entrada es alta, la salida, al final, se hace baja. A causa de los efectos del almacenamiento de cargas, los cambios en la salida no tienen lugar inmediatamente al cambiar la entrada. Desde luego, en muchas aplicaciones se desea que los retardos de la conmutacin sean lo ms breves que sea posible.

Definiciones del intervalo de conmutacin

A menudo, las hojas de datos de los transistores ofrecen especificaciones de los intervalos de tiempo de conmutacin para circuitos de prueba similares al inversor RTL.

Definimos el inicio de una transicin lgica como el punto en el que ya ha ocurrido el 10% del cambio de tensin. Por ejemplo, el inicio del flanco de subida del impulso de entrada de 3 voltios, es el punto en el que el impulso de entrada alcanza los 0,3 V. De igual manera, el inicio del flanco de bajada del impulso de salida es el punto en el que vo cae a 2,7 V. Estos puntos de inicio se indican en la Figura 4.50.

De igual forma, definimos el final de una transicin lgica como el punto en el que ya ha tenido lugar el 90% del cambio de tensin. Las hojas de datos de los transistores utilizados en aplicaciones de conmutacin, especifican a menudo los siguientes intervalos de conmutacin:

td es el tiempo de retardo, medido desde el comienzo del flanco de subida de la entrada hasta el comienzo del flanco de bajada de la salida. Vase la Figura 4.50.

tr es el tiempo de subida, medido desde el punto de inicio hasta el punto final del flanco de subida del impulso de salida. Por ejemplo, en la Figura 4.50, tr es el intervalo entre el punto de 2,7 V y el punto de 0,3 V del flanco de subida del impulso de salida.

ts es el tiempo de almacenamiento, medido desde el punto de inicio del flanco de bajada del impulso de entrada hasta el punto inicial del flanco posterior del impulso de salida.

tf es el tiempo de cada, medido entre los puntos inicial y final del flanco de bajada del impulso de salida. Si examinamos la hoja de datos del fabricante para el 2N2222 o el 2N2222A, que es muy similar, encontraremos que se ofrecen valores tpicos de td, tr, ts y tf para determinadas condiciones de prueba. Los circuitos con los que se han hecho pruebas se suelen facilitar en las hojas de datos.

VELOCIDAD DE RESPUESTA DE UN AMPLIFICADOR


Slew rate En electrnica el Slew Rate es un efecto no lineal en los amplificadores . Representa la incapacidad de un amplificador para seguir variaciones rpidas de la seal de entrada. Tambin se le define como la velocidad de cambio del voltaje de salida con respecto a las variaciones en el voltaje de entrada. El slew rate de un amplificador se define como el rango mximo de cambio de la tensin de salida para todas las seales de entrada posibles, por lo que limita la velocidad de funcionamiento, es decir la frecuencia mxima a la que puede funcionar el amplificador para un nivel dado de seal de salida.

El Slew Rate se expresa tpicamente en unidades de V/s. Para un amplificador operacional 741 la mxima velocidad de respuesta es 0,5 V/s. , y para el OP-07 es de 0,3V/s, lo que quiere decir que el voltaje de salida cambiar a una razn mxima de 0,5 V en 1s y 0,3 V en 1s respectivamente.

La razn de la limitacin del SR es el condensador de 30 pF que se usa para compensarlo internamente en frecuencia, la corriente mxima que el Amp Op 741 le puede suministrar al condensador y la relacin es la siguiente: SR=Imax/C por lo que SR=15A/30pf SR=0,5V/s LIMITACION DE LA VELOCIDAD DE RESPUESTA (SLEW RATE) /strong> En un Amplificador Operacional real la velocidad de cambio de la salida (SR en V / MS) no podr nunca exceder un mximo llamado "rapidez de respuesta"

Anlisis: En t=0, v+= Vin= 0.1 V vout = 0 y v-= 0 V Salida del OPAMP tratar de saturarse positivamente a una velocidad mxima dada por la slew rate (0.5V/s). La salida crecer hasta que el terminal inversor alcance el voltaje de la entrada no inversora

BIBLIOGRAFA
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Franco, Sergio. DISEO CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES Y CIRCUITOS INTEGRADOS ANALGICOS. McGraw Hill Interamericana de Editores, S.A. de C.V. Tercera Edicin. Mxico, 2002.