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Los transistores bipolares hace aos si que se utilizaban bastante para aplicaciones de potencia, pero hoy en dia se utilizan

mas los transistores mosfet o igbt dependiendo de la aplicacin que vayamos a realizar. Un transistor Mosfet al igual que un transistor BJT tiene tres terminales, a los cuales denominamos puerta, drenador y fuente, y la puerta es un terminal que esta unido a un aislante, por lo que con tensiones continuas la corriente por la puerta es casi nula, ya que al estar unida a un aislante, la impedancia ser muy grande, sin embargo en las conmutaciones si que existir corriente como veremos mas adelante, el terminal de puerta y el aislante al que esta conectado actan de manera similar a como si seria un condensador, en continua parece un circuito abierto, y en alterna el condensador es atravesado por una corriente que lo carga y lo descarga Como vemos en la figura en la que se nos muestra la estructura interna de un transistor Mosfet, entre los terminales drenador y fuente, tenemos material n, distribuido a su vez en dos zonas, n y n-, luego material p, y de nuevo material n. Por lo que parece como si tuvisemos dos diodos en serie enfrentados, por lo que parece difcil que pueda pasar la corriente, pero el funcionamiento es de la siguiente forma, al aplicar una tensin positiva entre puerta y fuente, se crean electrones libres en la parte p, lo que da lugar a un canal n, por lo tanto al polarizar adecuadamente al transistor lo que tenemos es un canal n que va desde el drenador a la fuente, por el cual circulara la corriente, la anchura de ese canal depender del nivel de polarizacin puerta fuente, a mayor tensin mayor anchura de canal, y por lo tanto la resistencia que ofrecer ser menor y la corriente podr pasar de una manera mas fcil. Lo bueno de este diseo es que no son necesarios los portadores minoritarios, que como hemos visto hasta ahora en los diodos, tiristores, triacs y transistores BJT, nos creaban bastantes problemas en las conmutaciones. Por lo tanto la construccin del Mosfet evitara que tengamos problemas con portadores minoritarios.

Como el Mosfet no tiene portadores minoritarios, esto va a permitir que las conmutaciones se produzcan en tiempos muy cortos, del nivel de nanosegundos, niveles a los que no podamos llegar en los transistores BJT, por el problema de tener que eliminar los portadores minoritariosen el paso a off. Como vemos aparecen componentes parsitos, como un transistor BJT, un diodo parsito y van a aparecer capacidades parsitas, y estos elementos van a ser los que nos van a crear problemas en los transistores Mosfet.