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NELO YOSS SCR

El SCR es un dispositivo semiconductor biestable de cuatro capas, PNPN (Fig 1.1), con tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G), (Fig. 1.2). Puede conmutar de bloqueo a conduccin, o viceversa, en un solo cuadrante.

RAYMIS: CARACTERSTICAS GENERALES


Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

Jose nelo

LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO


La frecuencia de trabajo en los SCR no puede superar ciertos valores. El lmite es atribuible a la duracin del proceso de apertura y cierre del dispositivo. La frecuencia rara vez supera los 10 Khz.

victor Tiristor desactivado por compuerta (GTO).


Son semiconductores discretos que actan como interruptores completamente controlables, los cuales pueden ser encendidos y apagados en cualquier momento con una seal de compuerta positiva o negativa respectivamente. Estos componentes estn optimizados para tener muy bajas prdidas de conduccin y diseados para trabajar en las mas demandantes aplicaciones industriales. Estos componentes son altamente utilizados en Convertidores de Alto Voltaje y Alta Potencia para aplicaciones de baja y media frecuencia. Estructura: Un tiristor GTO tiene la estructura muy similar a un tiristor SRC convencional, como se muestra en la figura I. con sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G).

Figura I

Funcionamiento
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin de una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construye con especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. La simbologa para identificarlo en un circuito es la que se muestra en la figura II.

Figura II.

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en la compuerta, el dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.

Ventajas de los GTO sobre los SCR


Eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen. Eliminacin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de bobinas de induccin en la conmutacin. Desactivacin ms rpida, permitiendo frecuencias de conmutacin ms altas. Una eficiencia mejorada de los convertidores.

Ventajas sobre los transistores bipolares en aplicaciones de baja potencia.


Ms alta capacidad de voltaje de bloqueo. Alta relacin de corriente de pico controlable a corriente promedio. Alta relacin de corriente de pulsacin pico a corriente promedio, tpicamente de 10:1. Alta ganancia en estado activo tpicamente de 600 Seal de compuerta pulsada de corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un GTO pasa a una saturacin ms profunda debido a la accin regenerativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salirse de saturacin

Principales aplicaciones en la industria


Troceadores y convertidores Control de motores asncronos Inversores

Caldeo inductivo Rectificadores Soldadura al arco Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI) Control de motores Traccin elctrica

TRANSISTORES EN CIRCUITOS DE CONMUTACIN


Muchas veces se presenta la difcil situacin de manejar corrientes o tensiones ms grandes que las que entrega un circuito digital, y entonces nos disponemos al uso de transistores, el tema es hacer que estos trabajen en modo corte y saturacin sin estados intermedios, es decir que cambien su estado de plena conduccin a un profundo corte, y eso es lo que veremos en este pequeo tutorial. Los transistores a utilizar en estos casos deben tener la suficiente ganancia para que la onda cuadrada, aplicada en su entrada (Base), no sufra ninguna deformacin en la salida (Colector o Emisor), o sea que conserve perfecta simetra y sus flancos ascendente y descendente se mantengan bien verticales. La corriente mxima que puede circular de colector a emisor est limitada por la tensin de polarizacin de Base y el Resistor o la carga del colector.

Transistor bipolar figura tipo T0-92

Milianni Estructura de materiales interna del transistor (substrato de silicio)


El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de forma que se obtengan las regiones. Vemos el aspecto tpico de un transistor bipolar real, de los que se encuentran en cualquier circuito integrado. Sobre una base n (substrato que acta como colector), se difunden regiones p y n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin basecolector es mucho ms amplia que la base-emisor.

Transistor NPN

Transistor PNP

En la imagen, se tiene un transistor de NPN cuyo punto Q de funcionamiento en continua es desconocido. Se debe calcular dicho punto Q y calcularlo en la RCE.

El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales gracias al cual es posible controlar una gran potencia a partir de una pequea. En la figura se puede ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del mismo. Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base (B) se aplica la seal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con pequeas variaciones de corriente a travs del terminal de base, se consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector y emisor. Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variacin de corriente en variaciones de tensin segn sea necesario.

Polarizacin de un transistor NPN como Emisor Comn


En este caso el emisor est conectado a masa, se dice que este terminal es comn a la seal de base y de colector. El utilizado en este caso un BC547 y estos son algunos de sus datos:

Tensin Base-Colector (VCBO) = 50 V Corriente de Colector (Ic) = 100mA = 0,1A

Cuando la base de Q1 se polariza positivamente, ste conduce la mxima corriente, que le permite Rc. Rc es la resistencia de carga, que bien podra ser un LED, un rel, etc.

Ic = E/R = 12V / 2200 = 0,0054 = 5,4 mA Ib = E/R = 12V / 10000 = 0,0012 = 1,2 mA Es decir la corriente total Colector-Emisor es 6,6mA.

Conexin como seguidor emisivo:


En esta situacin se toma la seal de salida desde el Emisor donde se encuentra la Resistencia de carga, observa que este esquema comparado al anterior tiene la misma fase de salida que la de entrada.

Tambin hay casos en que necesitas que el transistor est conduciendo permanentemente (estado de saturacin) y que pase al corte ante la presencia de un pulso elctrico, esto sera lo inverso de lo visto anteriormente, para lograr esto, los circuitos anteriores quedan como estn y slo se reemplazan los transistores por los complementarios, o sea donde hay un NPN se conecta un PNP.

Cuando la seal es negativa:


En ocasiones se da el caso en que las seales lgicas recibidas son negativas o de nivel bajo, para entonces se puede utilizar un transistor PNP, por ejemplo: el BC557, que es complementario del BC547, para conseguir los mismos resultados. En la siguiente figura se representa esta condicin, es decir, un acoplamiento con transistor PNP.