Está en la página 1de 20

ndice

TEMA 5: La unin pn: concepto y estudio en equilibrio termodinmico


5.1. INTRODUCCIN 5.2. ESTRUCTURA DE LA UNIN pn 5.2.1. Definicin 5.2.2. Unin Abrupta Plana

5.1
5.1 5.3 5.3 5.4

5.3. UNIN pn EN EQUILIBRIO. POTENCIAL TERMODINMICO 5.4. ANLISIS DE LA ZONA DIPOLAR EN EQUILIBRIO

5.5 5.11

5.i

Tema 5
La unin pn Concepto y estudio en Eq. Termodinmico

5.1.- INTRODUCCIN
La unin pn es el bloque constructivo bsico del que depende el funcionamiento de todo dispositivo semiconductor. Esta estructura da lugar al dispositivo denominado diodo de unin pn que no es ms que un cristal semiconductor que contiene una unin pn en su interior. A veces, se utilizan indistintamente los trminos diodo y unin pn, aunque nosotros denominaremos diodo al dispositivo. El objetivo de este tema es estudiar el comportamiento del diodo en equilibrio termodinmico, para ello:

5.1

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

1.- Estudiaremos la unin pn en situacin de equilibrio. En ella distinguiremos dos zonas neutras y una zona de carga espacial, centrando la atencin en esta ltima. 2.- Deduciremos las expresiones de la densidad de carga (), campo elctrico (

) y potencial ( ) en la zona de carga de espacio.

u r

3.- Una vez establecidas estas magnitudes, se introduce el concepto de Potencial Interno o Potencial Termodinmico, Vbi T (Built-in Potential).

5.2

Estructura de la unin pn.

5.2.- ESTRUCTURA DE LA UNIN pn


5.2.1.- Definicin Se dice que en un monocristal semiconductor existe una unin pn, cuando la concentracin neta de impurezas, Nd ND NA, (en realidad sera concentracin neta de impurezas ionizadas. Ahora bien, suponemos que nos encontramos a temperatura ambiente, Ta = 300 K y que la ionizacin de las impurezas es total) es variable en dicho material de manera que existe una regin tipo n, con Nd > 0, y otra tipo p con Nd < 0. Evidentemente, existir una regin en la que Nd = 0 y que denominaremos Unin Metalrgica (ver Figura 5.1).

Unin Metalrgica

Nd < 0

Nd > 0

Figura 5.1.- Representacin esquemtica de un cristal semiconductor conteniendo una unin pn.

Dicho de otra manera: En un semiconductor existe una unin pn, cuando hay una regin llamada Unin Metalrgica que separa una zona tipo n de una zona tipo p. A partir de ahora se desarrollarn siempre anlisis unidimensionales eligiendo como direccin de estudio aquella en la que fluye principalmente la corriente, es decir,

5.3

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

la direccin a lo largo de la cual las variables que nos interesan sufren mayores variaciones. 5.2.2.- Unin abrupta plana Las uniones se clasifican atendiendo a la forma de la funcin Nd al pasar de la regin p a la regin n. As, cuando la transicin es extremadamente angosta, se dice que la unin es abrupta. En cambio, la unin gradual es aquella en que la transicin se extiende a una distancia mayor (Figura 5.2).

Nd ND ND

Nd

x -NA -NA

(a)

(b)

Figura 5.2.- Funcin perfil de impurezas: a) Unin Abrupta, b) Unin Gradual o Lineal.

Puesto que el anlisis de los diferentes tipos de uniones es similar, centraremos nuestro inters en el ms sencillo de todas ellas, esto es, la Unin Abrupta Plana. Entendemos por Unin Abrupta Plana aquella en la que la funcin Nd toma valores constantes, aunque de distinto signo, a derecha e izquierda de un plano que constituye la Unin Metalrgica.

5.4

La unin pn en equilibrio. Potencial Termodinmico.

5.3.- UNIN pn EN EQUILIBRIO. POTENCIAL TERMODINMICO.


Nuestro punto de partida va a ser la situacin de Equilibrio Termodinmico, esto es, suponemos que no hay tensin aplicada ni iluminacin que incida sobre el dispositivo, no existen gradientes trmicos, ni tampoco campos elctricos o magnticos aplicados. Consideremos, entonces, dos muestras de material semiconductor, una de tipo p y otra de tipo n caracterizadas por contener una gran concentracin de h+ y de erespectivamente (Figuras 5.3b y 5.3c). En la unin abrupta o unin escaln que estamos considerando, las regiones p y n son homogneas. Al poner en contacto estas dos muestras, aparecern enseguida flujos por difusin de e- y de h+ tendentes a eliminar los grandes gradientes de concentracin de portadores existentes en la Unin Metalrgica. Esto es, aparecer un flujo de h+ desde la regin p a la regin n, y un flujo de e- desde la regin n a la regin p (Figuras 5.3d y 5.3e). Si los h+ y los e- no fueran partculas cargadas, estos flujos continuaran hasta uniformizar las concentraciones de h+ y de e- a lo largo de toda la estructura alcanzando as la situacin de equilibrio termodinmico. Sin embargo, al ser los h+ y los e- portadores de carga, a la situacin de equilibrio se llega de forma totalmente distinta (Figura 5.3f). En efecto, cuando los h+ abandonan la regin p dejan tras de s las impurezas aceptadoras ionizadas no compensadas que fijas a la red cristalina no pueden abandonar su posicin. Anlogamente, cuando los e- abandonan la regin n dejan tras de s las impurezas donadoras ionizadas que clavadas a la red cristalina no pueden abandonar su posicin. El resultado neto es que la Unin Metalrgica se rodea de dos capas con cargas elctricas fijas aunque de distinto signo. Este dipolo origina un campo elctrico dirigido desde la zona n a la zona p que, a su vez, acta sobre los portadores mviles, ey h+, impidiendo que stos abandonen las regiones en las que son mayoritarios. Esto es, este campo elctrico da lugar a componentes de arrastre de e- y de h+ que se oponen a los flujos por difusin. A la situacin de equilibrio termodinmico se llegar, entonces, cuando las componentes de arrastre y de difusin se compensan en cada punto. Esto es:

5.5

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

uu r uuur uuur uuur uuur uu r J n = 0 = J a ,n + J d ,n J a ,n = J d ,n uuuu r uuuu r uuuu r uuuu r J T = 0 uur = = + = J 0 J J J J p a , p d , p a , p d , p


ND - NA p n ND x

( 5.1)

-NA p p = NA [1016] p = ni2/ND n x [1015] n = ni2/NA p

(a)

n n = ND

[105] p

[104] n x

(b)
p

(c)
n

(d)
p

(e)

z.c.e.

(f)
Figura 5.3.- a) Unin Escaln; b) y c) concentraciones hipotticas de portadores iniciales; d) y e) representacin aproximada de las concentraciones de portadores en equilibrio; f) diagramas d) y e) combinados. Los nmeros encerrados entre corchetes indican valores tpicos.

5.6

La unin pn en equilibrio. Potencial Termodinmico.

Por otra parte, dicho campo elctrico determina un potencial electrstatico interno variable desde la regin p a la regin n, estando la regin n a mayor potencial. Este potencial, denominado Potencial Interno o Potencial Termodinmico (Built-in Potencial, se representa por Vbi o T y es una consecuencia del equilibrio termodinmico. Por lo tanto, no puede dar lugar a ninguna corriente.
p z.c.e. n

-xp

xj

xn

(a) (x)
qND -xp

+ xn

-qNA

(b) (x)
-xp xn

(c) (x)
Vbi -xp xn

(d)
Figura 5.4.- Electrosttica de la Regin de Vaciamiento

5.7

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

La regin que rodea a la Unin Metalrgica, y en la que las variaciones de la densidad de carga (), campo elctrico ( ) y potencial () son importantes, se denomina Regin de Vaciamiento, Zona de Deplexin, Zona Deplectada, Zona Dipolar o Zona de Carga de Espacio, (z.c.e.) y en ella las concentraciones de portadores mviles han cado por debajo de sus valores de equilibrio. En la Figura 5.4, se han representado ,

u r

u r

y en la Zona Dipolar.

Para el clculo del Potencial Termodinmico, tomaremos como referencia los electrones. Puesto que el semiconductor est en Equilibrio Termodinmico:
ur uu r uuur uuur dn J n = J a ,n + J d ,n = qnn + qDn =0 dx

( 5 .2 )

=D

ur

kT d ( Ln n ) 1 dn = n dx q dx

Por otro lado:

=d dx
Sustituyendo:
kT d ( Ln n) q

ur

d =

En general, si tomamos dos puntos de referencia, tal como se muestra en la Figura 5.5a,
kT n ( x2 ) Ln q n ( x1 )

( x2 ) ( x1 ) =

En el caso de haber tomado como referencia los h+: 5.8

La unin pn en equilibrio. Potencial Termodinmico.

( x2 ) ( x1 ) =

p ( x2 ) kT Ln q p ( x1 )

Extendiendo las lneas de referencia hasta el borde de la z.c.e.:


n ( x2 ) = N D n ( x1 ) = ni2 NA

T =

N N kT Ln D 2 A q ni

( 5.3)

Por lo tanto,

T depende de la concentracin de impurezas ionizadas y de la temperatura. T se define siempre en valor absoluto.


La expresin (5.3) es vlida para todo tipo de uniones ya que no depende de cmo se realice la transicin desde la regin p a la regin n. Es decir, no depende de la forma de la funcin Nd(x).

T es una consecuencia del equilibrio termodinmico no puede dar lugar


a ninguna corriente. No puede medirse experimentalmente a travs de un voltmetro, ya que en un sistema cerrado el sumatorio de todas las tensiones ha de ser cero.

En la Figura 5.5b, puede observarse el diagrama de bandas de una unin pn en equilibrio termodinmico y del que se desprende que T < EG.

5.9

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

x1 (a)

x2

Energa de los e-

qVbi Zona tipo p z.c.e B.C.

Energa de los e-

Zona tipo n qVbi B.V.

(b)
Figura 5.5.- (a) Referencias utilizadas en el clculo de T en una unin; (b) Modelo de Bandas de Energa para la unin pn en equilibrio termodinmico.

5.10

Anlisis de la zona bipolar en equilibrio.

5.4.- ANLISIS DE LA ZONA DIPOLAR EN EQUILIBRIO


De las tres regiones que podemos distinguir en una unin pn, dos regiones neutras (la regin p y la regin n, en las que podemos considerar los dopajes uniformes) y una Zona de Carga de Espacio, sabemos calcular las concentraciones de portadores en las zonas neutras. Nos falta, por tanto, obtener las expresiones de ,

u r

y la

concentracin de portadores en la z.c.e.. El mtodo a seguir se ilustra en el siguiente diagrama:

(x) Teorema de Gauss

(x)

(x)
ur uu r =

u r

n(x) = f((x)) p(x) = f((x))


Figura 5.6.- Procedimiento de clculo de , , y de la concentracin de portadores en una unin pn.

El problema que se nos plantea es el siguiente:

( x) = q ( p + ND n N A )
y las concentraciones de portadores son desconocidas puesto que, a su vez, son funcin 5.11

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

de la distribucin de potencial, (x). Sin embargo, es posible obtener una solucin analtica a partir de ciertas hiptesis simplificativas. Los resultados as obtenidos estn conformes con los resultados experimentales. La hiptesis de la que estamos hablando recibe el nombre de Hiptesis de Despoblacin Total (H.D.T.) o Aproximacin por Vaciamiento y, consiste en suponer que la prctica totalidad de la carga existente en la z.c.e. es debida a impurezas ionizadas no compensadas, esto es, consiste en despreciar la carga debida a los portadores mviles ya que sus concentraciones son mucho menores que el dopado. En la Figura 5.7 aparecen representados , , bajo esta hiptesis. Entonces las ecuaciones a manejar son:

u r

( x) = q ( p + ND n N A )
d 1 = ( x) dx S

( 5.4 )

( 5.5) ( 5.6 )

( x ) =

( x ) dx

siendo xn y xp los extremos de la z.c.e. (el sentido positivo de las x se elige desde la regin p a la regin n, y el origen de coordenadas en la Unin Metalrgica, xj = 0).

5.12

Anlisis de la zona bipolar en equilibrio.

z.c.e.

-xp

xj

xn

(a)

(x)
qND -xp

+ xn

-qNA

(b)

(x)
-xp xn

(c)

(x)
Vbi -xp xn

(d)

Figura 5.7.- Aproximacin por vaciamiento a la unin escaln.

5.13

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

Si aplicamos la H.D.T., la ecuacin 5.4 se reduce a:


0 < x < xn x p < x < 0 qN D qN A

( x) =

( 5.7 )
Introduciendo la expresin de (x) en la ec.(5.5) resulta:

0 < x < xn xp < x < 0

( x ) = qN

x + C1 S qN A x + C1 ( x) = S
D

( 5 .8 )

Con el fin de calcular C1 y C1 aplicamos las siguientes condiciones de contorno: Campo nulo en las zonas neutras:

( x ) = 0 = qN
n

xn + C1

A x + C1 ( x p ) = 0 = qN S

qN D xn S qN A C1 = xp S C1 =

( 5 .9 )

Por lo tanto, 0 < x < xn ( x) = x < x < 0 p qN D ( x xn ) S qN A ( x + xp ) S

( 5.10 )

Adems se verifica la continuidad del campo elctrico en la Unin Metalgica, es decir,

5.14

Anlisis de la zona bipolar en equilibrio.

qN D qN A xn = x p qN D xn = qN A x p S S

( 5.11)

Esto es, la carga total por unidad de rea a un lado y otro de la Unin Metalrgica es la misma, lo que nos indica que la zona de carga positiva iguala en carga a la zona de carga negativa. Por lo tanto, las dos reas de la Figura 5.7 son iguales.

Por otra parte, el valor mximo del

u r

se alcanza en la Unin Metalrgica,

max

( 0) = qN

xn =

qN A xp S

( 5.12 )

Introduciendo el perfil del

u r

en la ecuacin 5.6 obtenemos,

0 < x < xn xp < x < 0

( x) =

qN D 2 ( x xn ) + C2 2 S 2 qN A ( x) = ( x + x p ) + C2 2 S

( 5.13)

Aplicamos las siguientes condiciones de contorno para determinar C2 y C2 El origen de potenciales es totalmente arbitrario, vamos a elegirlo en la unin metalrgica. Por tanto, qN D 2 qN D 2 xn + C2 C2 = xn 2 S 2 S qN A 2 C2 = xp 2 S

(0) = 0 =

qN ( 0) = 0 = A x2 p + C2 2 S

( 5.14 )

Indudablemente, hemos tenido en cuenta la continuidad del en xj = 0. La distribucin de potencial resulta entonces,

5.15

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

0 < x < xn ( x) = x < x < 0 p

qN D ( x 2 xn ) x 2 S

qN A ( x + 2xp ) x 2 S

( 5.15)

Por otra parte, la diferencia de potencial entre las regiones n y p es el Potencial Termodinmico, es decir,
T = ( xn ) ( x p ) =
qN D 2 qN A 2 xn + xp 2 S 2 S

( 5.16 )

Clculo de la anchura de la z.c.e., l

T = rea encerrada bajo la curva del


1 2

u r
( 5.17 )

T =

(x
max

+ xn ) =

1 2

max

Por otra parte, sabemos que:

max

( 0) = qN
=

xn =

xn + x p qN A q xn q xp q xp = = = S S 1 S 1 S 1 + 1 ND NA ND NA
l

max

q ( 0) =

NA

+ 1

( 5.18)
ND

l=

S 1 1 + q N A ND

max

S 1 1 2 T + q N A ND l

5.16

Anlisis de la zona bipolar en equilibrio.

l=

2 S q

1 1 + T N A ND

( 5.19 )

De la ecuacin 5.18,
l 1 N AND N A N A + ND ND l N A + ND

xp =

xp =

l 1 xn = ND N A ND N A + ND

NA xn = l N A + ND

( 5.20 )

La ec. 5.19 pone de manifiesto que cuanto mayor sea el dopaje, menor ser l. Adems, de las ec. 5.20 se deduce que la z.c.e. se extiende fundamentalmente por el lado menos dopado.

5.17

Tema 5: La unin pn. Concepto y estudio en Equilibrio Termodinmico.

RESUMEN DE LAS CONSIDERACIONES EN LA UNIN pn EN EQ. TERMODINMICO 1. Existe una zona dipolar en la unin que est totalmente despoblada de

portadores de corriente a efectos de clculo de la densidad espacial de carga (H.D.T.).


2. La carga espacial viene dada simplemente por los tomos de impurezas

ionizados en la zona dipolar (H.D.T.)


3. Fuera de la zona dipolar el campo elctrico es nulo y el semiconductor neutro. 4. La variacin total de potencial de un extremo al otro de la zona dipolar es igual

al potencial Termodinmico T.
5. El campo elctrico y el potencial se obtienen llevando los puntos (2), (3) y (4) a

la Ecuacin de Poisson.

5.18