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DEPARTAMENTO DE INGENIERIA AUDIOVISUAL Y

COMUNICACIONES - UPM
Programa de la asignatura:
ELECTRNICA DE ALTA FRECUENCIA.
Tema 1.- Introducci n a la Electrni ca de Alta Frecuencia.
- Tecnologa Electrni ca Versus Bandas de Frecuencia
- Transmi si n Banda de Base - Portadora..
- Ni veles de complejidad en sistemas de radi ofrecuencia.
- Procesado analgi co - vs procesado digi tal.
- Radi o Software - SDR (Software Defi ned Radi o)
- Tecnologas electrni cas en RF: MMIC, RFIC, etc.
- Comportamiento de l os componentes pasi vos en radi ofrecuenci a -
Frecuenci as de autorresonanci a.
- Uni dades de medi da en RF - dB y dBm
- Ni veles de anli si s y simulaci n: Si stemas, sub-si stemas,
ci rcui tos, componentes - Fl ujo de di seo en RF.
Tema 2 .- Caractersticas generales de los Transmisores de Radiofrecuencia.
- Diagrama de bloques de Transmisores - Clases.
- Frecuencia de transmisin - Caractersticas.
- Ancho de banda.
- Emisiones no deseadas.
- Potencia de emisin.
- Rendimiento.
- Distorsin y ruido.
Tema 3.- Caractersticas generales de los Receptores de Radiofrecuencia.
- Tipos de Receptores - Caractersticas.
- Receptor superheterodino - Tipos.
- Sensibilidad.
- Selectividad.
- Fidelidad - Distorsin.
- Estabilidad.
- Margen dinmico.
Tema 4.- Circuitos y subsistemas en electrnica de alta frecuencia.
-
- Osciladores.
- Sintetizadores de frecuencia. PLL, Fraccional, DDS.
- Comparadores de fase / frecuencia
- Divisores: simple, doble mdulo
- Filtros.
- Mezcladores - Clula de Gilbert.
- Multiplicadores de frecuencia.
- Moduladores.
- Demoduladores
N BIBLIOGRAFA
[0].- Manuel Sierra y Otros, Electrnica de Comunicaciones, Dpto publicaciones
ETSIT- UPM, Madrid julio 2002
[1].- Michel C. Jeruchim, Simulation of Communication Systems: Modeling,
Methodology, and Techiniques (Information Technology: Transmission, Processing
and Storage),
Ed. Plenum Pub Corp, 2 Edicin, Enero 2001
[2].- J. Alvin Connelly, Pyung Choi, Macromodeling with SPICE; . - Englewood
Cliffs, NJ: Prentice Hall, cop. 1992
[3].- Muhammad H. Rashid, SPICE for circuits and electronics using PSpice / . -
2nd ed. . - Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, cop. 1995
[4].- Thomas W. Thorpe, Computerized circuit analysis with SPICE (1st ed.): a comp
guide to SPICE with applications, Wiley-Interscience, New York, NY, 1992
[5].- John Okyere Attia, Pspice And Matlab For Electronics: An Integrated
Approach, Ed. CRC Press, Abril 2002
[6].- Ralph S. Carson, Radio Communications Concepts: Analog,Ed. Wiley, Enero
1990
[7].- Doug DeMaw, Practical RF Design Manual, Prentice Hall, 1982
[8].- Bernard Sklar, Digital Communications: Fundamentals & Applications,
Prentice Hall PTR, 2001
[9].- Ulrich L. Rohde y otros Digital Communications: Fundamentals & Applications,
McGraw Hill Text; ; 2nd edition (January 15, 1997)

[10]. Jeffrey H. Reed. Software Radio: A Modern Approach to Radio Engineering,
Prentice Hall, 2002

[11].- John Coolen, Dennis J. Roddy, Electronic Communications , Prentice Hall
Professional Technical Reference, 1984
[12].- Lisa K. Wells, Jeffrey Travis Wells, Lisa K, LabVIEW for everyone : graphical
programming made even easier , Prentice Hall, 1996
[13].- La edicin de estudiante de SIMULINK : software de simulacin de
sistemas dinmicos : gua de usuario The Math Works, Inc. ; traduccin,
Sebastin Dormido Bencomo, Mara Antonia Canto Dez.
Direcciones URL de fabricantes EDA para RF:
www.agilent.com/eesof-eda
www.ansoft.com
www.appwave.com
www.cadence.com
www.eagleware.com
www.neolinear.com
www.synopsys.com
www.altera.com
www.xilinx.com
www.aplac.com
www.orcad.com
www.sonetusa.com
Espectro Electromagntico (I)
Espectro Electromagntico (II)
Espectro Electromagntico (III)
Designacin de las Bandas Radioelctricas
Tecnologa Electrnica- Vs Bandas de Frecuencias
1 KHz
10-100 MHz 2 20 GHz
100 THz ...
VLF, LF HF
VHF UHF
Microondas Milimtricas
S. pticos
Circuitos
Integrados
Digitales
(DSP)
Circuitos
Integrados
Analgicos
Circuitos
Componentes
Discretos
Optoelectrnica
Comunicaciones
pticas
Concurrencia de disciplinas Electrnica de Alta Frecuencia
Electrnica
Alta Frecuencia
Antenas y Propagacin
de ondas
Electromagnetismo.
Teora de la
Comunicacin
Anlisis y diseo
de circuitos
Electrnica
Digital
Electrnica
Analgica
Microondas
Modelo de Sistema de Comunicacin (I)
- Banda de Base
Analgicos
Digitales
- Se transmite la seal en banda base tal como
es o sometindola a un proceso de codificacin
(no modulacin)
- Ejemplos: Seal de audio (3,4 KHz), Seal de
Vdeo (5 MHz), Datos, etc.
- Canal: Cable coaxial, cable de pares, fibra ptica
- Aplicaciones: Circuitos cerrados TV, LAN,
enlace punto apunto por fibra ptica, etc.
-Limitaciones:
-Mxima distancia de transmisin.
- Capacidad de informacin.
- Nmero de usuarios.
Diagrama de Bloques
Fuente
de
Informacin
Usuario
Codificador
de
Fuente
Codificador
de
Canal
Decodific.
de
Fuente
Decodific.
de
Canal
Canal
Ruido
- Con Modulacin de Poratadora
Analgicas
Digitales
Hbridas
Angulares
(AM,
DBL,
BLU)
Lineales
(FM, PM)
Fase Frecuencia
Amplitud
(PSK,
BPSK,
QPSK,etc)
(ASK,
OOK)
(FSK,
CPSK,
MSK,
GMSK,,etc)
(QAM,
16QAM,
64QAM,etc)
Portadora
Fuente Modulador Canal Demodulador Destino
Interferencias Ruido Seal Moduladora
(Banda Base)
Oscilador Local
Diagrama de Bloques
Modelo de Sistema de Comunicacin (ii)
mbitos de Procesamiento Analgico y Digital Sistemas con
Portadora
Fuente Codificador
Fuente Codificador
Fuente Codificador
Receptor Decodific.
Receptor Decodific.
Receptor Decodific.
D
e
m
u
l
t
i
p
l
e
x
o
r
M
u
l
t
i
p
l
e
x
o
r
Reloj
Reloj
Digital
Digital
Modulador
Demoodulador
FI / RF
FI / RF
PA
LNA
Oscilador
Oscilador
Antena
Analgico
Analgico
TRANSMISOR
RECEPTOR
Complejidad de los Transmisores / Receptores
Esquema de un transmisor de
telemando.
Radio Software Radio Soft (SDR) (I)
- Acuado por Joe Mitola (1991)
Sistema radio substancialmente definido por el software en el que el comportamiento
funcional de la capa fsica puede alterarse significativamente por medio del software
RADIO SOFTWARE: Sistema que basa su flexibilidad en el cambio del software sobre una plataforma
hardware esttica
RADIO SOFT: Sistema radio completamente reconfigurable que puede cambiar su interconexin
hardware por medio de software.
CARACTERSTICAS: (VENTAJAS)
-MULTIFUNCIONALIDAD: capacidad de soportar mltiples servicios por medio de reconfiguracin
software (e.g. Bluetooth, GPS, GPRS, DECT, Wi-Fi (IEEE 802.11) etc)
- MOBILIDAD GLOBAL: capacidad para operar con mltiples estndares (GSM, CDMA, etc) al
desplazarse de forma transparente por diferentes zonas geogrficas
- COMPACTICIDAD Y EFICIENCIA: Un mismo elemento hardware puede reutilizarse para diferentes
funciones.
- FACILIDAD DE FABRICACIN: El uso de procesadores digitales permite reducir el nmero, precio y
volumen de los equipos.
- FACILIDAD DE ACTUALIZACIN: Permite incorporar nuevos servicios o mejoras en los actuales
simplemente cambiando la versin del software.
INCONVENIENTES: Necesidad de integrar (conocimientos) de muy diversos campos: diseo analgico,
diseo de RF, tecnologa de procesado digital, programacin, antenas inteligentes, etc
Radio Software Radio Soft (II)
UNIDADES DE MEDIDA EN ALTA FRECUENCIA (dB, dBm) (I)
Lineales
Logartmicas
Absolutas
Relativas
- Ejemplo Ganancia de una cadena de cuadripolos:
G1 G2 G3 Gn
Ganancia total = GT = G1 x G2 x G3 x x Gn (adimensional)
F= 10 GHz
-Cuando hay mucha diferencia de nivel entre las seales, puede existir cierta incomodidad
en usar las magnitudes tal cual (linealmente)
D= 36.000 Km
D= 36000 Km
Pt= 1Kw
Pr=25 pW
Att= 2,810^20
Att= 2,810^20
UNIDADES DE MEDIDA EN ALTA FRECUENCIA (dB, dBm) (II)
- La respuesta de algunos rganos no es lineal: p.e. el odo
UNIDADES DE MEDIDA EN ALTA FRECUENCIA (dB, dBm) (III)
UNIDADES RELATIVAS (I) BELIO DECIBELIO NEPERIO.
SISTEMA
P1 (w)
P2 (w)
Nmero de Belios entre P2 y P1:
2
1
log
B
P
N
P
=
En la prctica los Belios resultan unidades demasiado grandes, por eso se usa un submltiplo.
Por ejemplo, NB = 2 Belios significa que P2 es 100 veces superior a P1
Nmero de Decibelios entre P2 y P1:
2
1
10 log
dB
P
N
P
=
- El Decibelio es la dcima parte del Belio.
- En el ejemplo anterior si P2 = 100 P1 entonces, P2 est 20 decibelios por encima de P1.
UNIDADES DE MEDIDA EN ALTA FRECUENCIA (dB, dBm) (IV)
UNIDADES RELATIVAS (II) BELIO DECIBELIO NEPERIO.
Los dB tambin se pueden utilizar para comparar niveles de tensiones y corrientes en un sistema:
SISTEMA
P1 (w)
P2 (w)
R1() R2() V1, I1 V2, I2
( ) ( )
( )
( )
2 2
1 2 2 2
2 2 1
1 1
1
2
2
1 2
2
2
2
2 2 1
2
1 2
1
1
V V
como P=V I ; P=V /R ; P =I R P = y P =
V
1 10 log 20 log 1 0 log 10 lo l
V
0 og g
dB
P V R
N
R R
R V R
V R P V R
R

= +

= = =


Si en los dos extremos del sistema se tiene el mismo valor de resistencia de referencia R1 = R2:
2 2
1 1
10 log 20 log
dB
P V
N
P V
= =
De igual forma es fcil llegar a:
2 2
1
1
2
1
2
1
10 log 20 log 10 log R
dB
P I R
N
P I
i
R
s R = = = +
2 2
1 1
10 log 20 log
dB
P I
N
P I
= =
UNIDADES DE MEDIDA EN ALTA FRECUENCIA (dB, dBm) (V)
UNIDADES RELATIVAS (III) BELIO DECIBELIO NEPERIO.
Ejemplo: La tensin de entrada de un amplificador de audio mide 1,35 mV sobre una
impedancia de 760 ohmios. La salida se realiza sobre un altavoz de 8 ohmios y vale 0,54 V.
Hallar: 1.- Las potencias de entrada y salida del amplificador y determinar su ganancia en
decibelios. 2.- Cunto vale la ganancia del amplificador en decibelios si se emplean
nicamente las medidas de tensin?. 3.- Cul es la verdadera ganancia del amplificador en
dB a travs de las medidas de las tensiones y teniendo en cuenta las resistencias?.
Solucin:
( )
( )
( ) ( )
2
2 2 2 3
3
9
dB
dB
1,35 10
0,54
1. 2,398 36,45 m
760 8
36,45 10
10 log 10 log 71,82
2,398 10
0,54
2.- G (slo V) =20 log 20 log 52,04 dB
0,00135
3.- G (
in out
in out
in out
out
dB
in
out
in
V V
P nW P W
R R
P
G dB
P
V
V
c

= = = = = =

= = =

= =
760
) ( ) 10 log 52,04 10 log 71,82 dB
8
in
dB
out
R
ompleta G slo V
R
= + = + =
UNIDADES DE MEDIDA EN ALTA FRECUENCIA (dB, dBm) (VI)
UNIDADES ABSOLUTAS dBm, dBW, dBV (I)
- Se comparan las potencias medidas respecto a un valor de referencia dado, p.e: 1 mW, 1 W, etc
0
10 log
1
dBm
ref
P
N
P mW
=
=
0
10 log
1
dBW
ref
P
N
P W
=
=
( )
0
12 2
10 log
Potencia que 1 V desarrolla sobre una R de referencia dada
10
W
( )
dB V
ref
ref
P
N
v
P
R

=
=

Ejemplos: (I)
) 1 0
) 2 3
) 0 0 0 los dBm no se pueden sumar o restar
) Si a un amplificador que tiene una ganancia de potencia de 100 le aplicamos una seal de entrada de 2 m
o o
o o
a P mW P dBm
b P mW P dBm
c dBm dBm dBm
d
= =
=
+
23
10
0
Solucin: 2 100 200 o bien
( ) (
W
Canto vale en dBm la seal
) ( ) 3( ) 10 log(100) 23( ) 10 199,
de salida?
52 200
o i
i o
P P G x mW
P dBm P dBm G dB dBm dBm P mW
= = =
= + = + = = =
UNIDADES DE MEDIDA EN ALTA FRECUENCIA (dB, dBm) (VII)
Ejemplos: (II)
3
3
( ) 10 ( ) ( )
Solucin: 1(W) 10 ( ) 10 log 10 log 30 10 l
)
og 30 ( )
1( ) 1( ) 1
A cuntos dBm equivalen 12 dBw?
) Cuntos dBm son 0 dBw?
g
( )
12 42
Solucin:
) Si una seal de -
30 dBm
o
N W N mW N mW
mW P dBm
W mW m
e
f
W
dbW dBm

= + = +

20
10
20
Solucin: 20( ) 10 0,0
dBm se amplifica por 1
1( ) 0,01( ) 400 (1/60) 0,066( )
10 log0,066 11,76( ) o bien
00 y se atena en 60, Qu nivel tiene a la
de otra
sali
form
d ?
:
a
a
salida
dBm mW P mW x x mW
dBm

= = =
=
ref
g) Hallar la relacin entre dBm y dB V para una im
20( ) 10 log(400)( ) 10 log(60)( )
20( ) 2
epd
6( ) 17,78( ) 1
ancia de re
1,78( )
(10
Solucin: ( ) 10 log co
ferencia de
n P
60
ref
dBm dB dB
dBm dB dB dBm
P
P dB V
P

+ =
+ =

= =
6 2
3
6 2
)
60
1 1
ahora ( ) 10 log 10 log 10 log
1 1
10
( ) 10 log ( ) 107,78( ) ( ) ( ) 107,78( )
(10 )
60
ref ref
P mW P mW
P dB V
mW P mW P
P dBm P dBm dB P dB V P dBm dB



= = + =







= + = + = +



UNIDADES DE MEDIDA EN ALTA FRECUENCIA (dB, dBm) (VIII)
Ejemplos: (III)
) Cunto vale la potencia (en dBm) de una seal compuesta por dos sinusoides dedistinta frecuencia
Solucin:
y de pot
Como la
encias -23 dBm y
s seales son in
5 W
re
cohere
spectivament
ntes se sum
?

e
and
h
( ) ( ) ( )
1 2
23
3
10
1 2
T 1 2 T 1
irectamente sus potencias: ( ) ( ) ( )
10 0,0050( ) 5 ; 5 10 ( ) 10 log(10 10 ) 20( )
o bien como tenemos P el doble de P (P ) P (dBm)=P(dBm)+3(dB)=- 23 (dBm)+
T
T T
P mW P mW P mW
P mW W P W P W P dBm dBm


= +
= = = = = = =

) Cuntos decibelios se incrementa la potencia al duplicar la tensin (e


3 (dB) =- 20 (dB
n voltios
m)
Soluci
)?
n:
i
Algunas Tecnologas en comunicaciones en Alta Frecuencia.
- RFIC = Radio Frequency Integrated Circuit
- MMIC = Microwave Monolithic Integrated Circuit
- Distributed Amplifier
- Tecnologa SiGe
- Tecnologa BiCMOS
- Tecnologa HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
- Transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor)
- Tecnologa SMT
-Etc
RFIC = CIRCUITO INTEGRADOS DE RADIOFRECUENCIA
La tecnologa Digital CMOS estndar no es la ptima para fabricar CI de RF, debido a:
1. Altas prdidas del substrato de silicio
2. Elevadas capacidades parsitas del surtidor y drenador
3. Alto ruido 1/f (Flicker)
4. Resistencia serie de la puerta
Ahora bien, cuenta con las ventajas de:
1. Elevada capacidad de escalado.
2. Los valores de f
T
(y f
max
) en CMOS estn en el rango de los 60GHz actualmente, y se
duplican aproximadamente cada tres aos.
3. La tecnologa CMOS es muy barata.
Conclusin: Se emplea CMOS siempre que sea posible.
MMIC = MONOLITHIC MICROWAVE (Milimeter) INTEGRATED
CIRCUIT (Circuitos Integrados Monolticos de Microondas)
Amplificador 200 GHz MMIC
Dispositivos Pasivos:
Lneas de Transmisin: Guiaondas coplanares / microstrip,
etc
Discontinuidades: Circuito Abierto / Corto C. / Uniones/
Tapers
Resistores: Pelcula delgada NiCr / Semiconductores en
volumen
Condensadores: Nitruro de Silicio / Interdigitados / Stub de
Lneas de Transmisin,etc
Inductores: Rectos / Espirales / Stub de Lneas de
Transmisin, etc
Otros Disposiitivos Pasivos: Acopladores, Divisores,
Transiciones, etc.
Disposiitvos activos: Tecnologa III-V, SiGe : BJT, CMOS, HEMT,etc
Amplificador MMIC 120 GHz
SiGe 0,3 micras
Tcnicas de Integracin en RF (i)
Apilamiento de hasta 50 capas cermicas, curadas en un bloque monoltico:
Dispositivos activos
Montados en superficie
Condensadores
e Inductores
Vas
Resistencias
Substrato de metal
Metalizacin sobre cermica
Tcnicas de Integracin en RF (ii)
DISTRIBUTED AMPLIFIERS = AMPLIFICADORES DISTRIBUIDOS
Se basa en la suma de diferentes ondas progresivas (retardadas) con fase
adecuada.
Tcnica empleada en amplificadores de alta frecuencia y gran ancho de
banda. P.e. con tecnologa de InP se pueden lograr arnchos de banda
de100 GHz. (Aproximadamente fT/2)
Se obtienen ganancias moderadas (escalado de N x A con el nmero de
etapas).
La ganancia del conjunto de N etapas viene dado por:
0
. .
2
m
v
N g Z
A =
Fundamentos de Lneas de Transmisin (i)
-Consideremos una Lnea de Transmisin formada por un par de hilos conductores:
Por ejemplo u trozo de cable de pares o de cable coaxial, un par de pistas de circuito
impreso, etc
Generador
de seal Carga
(ZL)
L
Z= 0
Z= L Direccin de propagacin (positiva)
( , ) i z t
( , ) v z t
Problema: Cmo estudiar el comportamiento de este circuito, en funcin de la frecuencia de
la seal aplicada por el generador y de la longitud de la lnea de transmisin?.
Solucin adoptada: Estudiar el comportamiento de un pequeo trocito (diferencial) de esta
lnea y luego tratar de generalizar los resultados a la lnea completa.
z
( ) i z
( ) ( ) i z z i z i + = +
( ) v z
( ) ( ) v z z v z v + = +
Fundamentos de Lneas de Transmisin (ii)
- En este pequeo trozo de cable qu es razonable esperar?.
-Algn fenmeno relacionado con la corriente que circula y con el campo magntico que ella
genera: un efecto resistivo y un efecto inductivo.
- Algn fenmeno relacionado con la tensin (diferencia de potencial) entre los dos
conductores y con el campo elctrico entre ellos: un efecto capacitivo y una conductancia.
- Cmo reflejar cada uno de estos posibles (y razonables) efectos?:
- Solucin: mediante un circuito elctrico de constantes concentradas.
Resistencia por unidad
de longitud (/m)
Inductancia por unidad
de longitud (L/m)
Conductancia por unidad
de longitud (S/m)
Capacidad por unidad de
longitud (F/m)
Fundamentos de Lneas de Transmisin (iii)
-Planteamos las ecuaciones elctricas que se verifican en este trozo diferencial:
ECUACIONES DEL TELEGRAFISTA (Heaviside 1850-1925)
En rgimen permanente sinusoidal
0
0
j t
j t
I I e
V V e

=
=
- Derivando ambas ecuaciones con respecto a z obtenemos:
2
2
2
2
( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
d V z dI z
R j L
dz dz
d I z dV z
G j C
dz dz

= +
= +
2
2
2
2
2
2
( )
( )
( )
( )
d V z
V z
dz
d I z
I z
dz

=
=
Ecuaciones de Onda
(Homogneas de Helmholtz) (1821-1894)
Fundamentos de Lneas de Transmisin (iv)
Donde:
( ).( )
Constante de Propagacin
R j L G j C Z Y j = + + = +
Las soluciones de las Ecuaciones de Onda son de la forma:
Constante de Atenuacin
(neperios / metro)
Seal Incidente (viaja desde el generador a la carga)
Seal Reflejada (viaja desde la carga hacia el generador)
Siendo:
0
Impedancia Caracterstica de la lnea.
ref
in
in ref
V
V R j L Z
Z
G j C Y I I

+
= = = =
+
( ) V z
( ) I z
z
in
I e

z
ref
I e
+

z
in
V e

z
ref
V e
+

Constante de Fase
2

=
Fundamentos de Lneas de Transmisin (v)
- Las corrientes y tensiones en la lnea en el dominio del tiempo vienen dadas por:
- La corriente y la tensin Total en cualquier punto z de la lnea viene dada por:
0, 0,
0, 0,
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
z z
in ref in ref
z z
in ref in ref
V z V z V z V e V e
I z I z I z I e I e


+
+
= + = +
= =
- La Impedancia que se ve desde cualquier punto de la lnea es el cociente entre la tensin
total y la corriente total en dicho punto:
0, 0,
0, 0,
( )
( )
( )
z z
in ref
z z
in ref
V e V e
V z
Z z
I z I e I e


+
+
+
= =

La impedancia cambia es funcin de z, luego es dependiente de la posicin en la lnea.
Fundamentos de Lneas de Transmisin (vi)
- Uno de los parmetros ms importantes en toda lnea de transmisin, es el valor de su
Impedancia Caracterstica Zo.
- Cmo medir o calcular Zo?.
- Recordando la definicin anterior de Zo:
0,
0
0
0, 0
z
in
in
z
in in
V e
V V R j L Z
Z
G j C Y I I e I


+
+

+
= = = = =
+
- Es decir: la impedancia caracterstica sera la que tuviese la lnea en cualquier punto si no
existiese onda reflejada en la carga.
-Hacer la lnea infinitamente larga
- Elegir una Impedancia de carga adecuada (Adaptada)
- Habitualmente se suele escoger el origen de la lnea en la posicin donde se encuentra
conectada la carga (y no donde est el generador):
Fundamentos de Lneas de Transmisin (vii)
- Con ellos las ecuaciones de corriente y tensin en la lnea se escriben, en notacin habitual,
como:
0 0
0 0
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
z z
in ref
z z
in ref
V z V z V z V e V e
I z I z I z I e I e


+ +
+ +
= + = +
= =
- La tensin y corriente que tendremos en bornas de la impedancia de carga en la que se
termina la lnea de transmisin sern (poniendo z = 0 en la ecuaciones anteriores:)
0
( 0)
( 0)
L
L
V V z V V
V V
I I z I I
Z
+
+
+
= = = +

= = = =
0 0
0 0
1
1
L
L
L
V
V V V V V
V
Z Z Z
V V V I V V
Z Z V

+ +
+
+ +
+
+
+ +
= = = =


-Se define el Coeficiente de Reflexin en cualquier punto de la lnea a:
2
Onda de tensin reflejada
( )
Onda de tensin incidente
z
z
z
V e V
z e
V e V



+ + +

= = =

- Vemos que se cumple que:


0 ( ) 1 z
Adaptacin perfecta de la carga
Completa desadaptacin
Fundamentos de Lneas de Transmisin (viii)
- En particular, para la carga el coeficiente de reflexin que sta produce ser: (poniendo z=0)
0
0
0
0
1
1
( 0)
1
1
L L
L L L
L
L
L L
Z Z
Z Z
V
V V
V
z Z Z Z
V V I
V

+
+
+

=
+
+
= = = = = =
+

- En conclusin: si terminamos la lnea de transmisin con una impedancia de carga de valor


igual al que tenga Z0 (impedancia caracterstica), entonces no habr onda reflejada y toda la
energa que transporta la onda incidente se disipar en dicha carga.
- Con estos resultados, tambin se puede escribir que:
2
( )
z
L
z e



=
- La impedancia que se ve a la entrada de la lnea de transmisin (de longitud l) ser:
0
0
2
0
2
0
0 0 0
2
2
0
0
( )
( )
( )
1
1 1 ( )
Operando
1 ( ) 1
1
l l l l
v
l l l l
z
L
z
L L
z
z
L
L
L
V z l V e V e V e V e
Z z l Z
V e V e I z l V e V e
Z
Z Z
e
Z Z e z l
Z Z Z
Z Z
z l e
e
Z Z

+ + + +
+ + + +




= + +
= = = = =
=

+
+ + + =
= = =

=

+
Fundamentos de Lneas de Transmisin (ix)
( )
( )
0
0
0
tanh
( )
tanh
L
v
L
Z Z l
Z z l Z
Z Z l

+
= =
+
- Como es lgico, en la prctica se usan lneas de transmisin que tengan las menores
prdidas posibles, por lo tanto:
( ) ( )
( )
( )
( )
( )
0 0
0 0
0 0
tanh tan
tan cos( ) sen
( )
tan cos( ) sen
L L
v
L L
j j l j l
Z j Z l Z l j Z l
Z z l Z Z
Z j Z l Z l j Z l



= + =
+ +
= = =
+ +
-Notemos que dependiendo de los valores de Zo, ZL y de la longitud de la lnea de transmisin,
podemos conseguir que la impedancia a la entrada tenga cualquier valor que podamos querer
sintetizar.
- Es muy interesante notar que en bajas frecuencias se verifica que:
0
v L
l Z Z
- Esta es la base de muchos dispositivos pasivos de Alta Frecuencia (circuitos de constantes
distribuidas), y de tcnicas de adaptacin de impedancias (Stub).
Fundamentos de Lneas de Transmisin (x)
Amplificador LNA 10 GHz
- Stub en Corto Circuito:
0
0 tan( )
L v
Z Z j Z l = =
- Stub en Circuito Abierto:
0
cotan( )
L v
Z Z j Z l = =
- Stub Transformador en lambda-cuartos:
2
0
0
para obtener la Zv deseada basta
4
elegir una lnea de longitud /4 y de impedancia
caracterstica Z
v
L
v L
Z
l Z
Z
Z Z

= =
=
Oscilador MMIC en banda Ka
Fundamentos de Lneas de Transmisin (xi)
- ROE (VSWR) en una lnea de transmisin..
- En toda lnea de transmisin que no se encuentra perfectamente adaptada, se produce la
aparicin de las ondas progresiva (incidente) y regresiva (reflejada) lo que da lugar a la
generacin de una Onda Estacionaria.
- Una forma de evaluar el estado de la lnea es por medio del parmetro Relacin de Ondas
Estacionarias o VSWR (Voltage Standing Wave Ratio) en ingls, que se define como:
max
min
1
1
1
1
L
L
V
V
V
V V
V
ROE
V
V V
V
V
V

+
+
+
+

+
+

+
+

+

= = =



- Para una carga adaptada ZL=Zo se


tiene que ROE = 1
-Para una carga totalmente
desadaptada ROE es
1 ROE
Fundamentos de Lneas de Transmisin (xii)
- Para separar las seales incidentes y reflejadas que viajan por una lnea de transmisin se
emplean dispositivos tales como puentes y acopladores direccionales.
Puente Direccional para RF
Acoplador Direccional para RF
Acopladores Direccionales para
Microondas
Fundamentos de Lneas de Transmisin (xiii)
- Balance de Potencias en la lnea de transmisin.
- La potencia que incide en la carga es:
2
0
in
V
P P
Z
+
+
= =
- La potencia que la carga refleja de nuevo hacia el generador ser:
2 2
2
2
0 0
L
refl L
V V
P P P
Z Z

+
+

= = = =
- La potencia transmitida de forma efectiva a la carga ser entonces:
2
(1 )
L in refl L
P P P P P P
+ +
= = =
- A raz de esto se definen:
- Prdidas de Insercin:
2
1
10 log
1
in
inser
L
L
dB
P
L
P

=


- Prdidas de Retorno:
2
1
10 log
in
ret
refl
L
dB
P
L
P

=



Fundamentos de Lneas de Transmisin (xiv)


Lneas de Transmisin Planares en Radiofrecuencia y Microondas (i)
Lneas de Transmisin Planares en Radiofrecuencia y Microondas (ii)
MULTICAPA
Lneas de Transmisin Planares en Radiofrecuencia y Microondas (iii)
Caractersticas de las Lneas Planares de RF tpicas.
Mezclador balanceado a diodos en banda W
(75 110 GHz) en tcnica ssupended strip line
Amplificador a FET en push-pull en banda S
(2 4 GHz) en tcnica slot line
Lneas de Transmisin Planares en Radiofrecuencia y Microondas (iv))
Lnea Microstrip (i)
Lneas de Transmisin Planares en Radiofrecuencia y Microondas (v)
Lnea Microstrip (ii)
Dielctrico baja permitividad Dielctrico alta permitividad
Carta de Smith (i)
- Inventada por Philip H. Smith de los laboratorios Bell en 1949.
- Es una herramienta grfica para el clculo de lneas de transmisin en Radiofrecuencia.
- Se emplea ampliamente en muchas de las etapas de diseo de circuitos de RF y
microondas y se encuentra implementada en muchos programas de CAD de RF.
- Aunque tiene muchas utilidades, su funcin bsica es la de transformar coeficientes de
reflexin e impedancias normalizadas (y viceversa) en una Lnea de Transmisin.
-Se define la Impedancia Normalizada en una lnea de transmisin de impedancia
caracterstica Zo a:
[ ]
0
Siendo: Re ; Im[ ]
N N
Z
z r jx r Z x Z
Z
= = + = =
- Recordando la relacin entre impedancia en un punto de una lnea y el coeficiente de
reflexin en el mismo:
0 0
0
0
0
1
1 1 1
1 1 1
1
Z
Z Z Z z
z Z Z
Z
Z Z z
Z

+ +
= = = = =
+ +
+
- Como el Coeficiente de Reflexin, es en general un nmero complejo, se puede escribir:
Re[ ] Im[ ]
j
j e

= + =
Carta de Smith (ii)
Carta de Smith (iii)
Re[]
Im[]
= 0
= 1
Crculos de constante
x
X

Carta de Smith (iv)


Circunferencias de
Resistencia
normalizada
constante.
Z = 0
Z =
Carta de Smith (v)
Arcos de Reactancia
normalizada constante
(positiva = inductiva)
Arcos de Reactancia
normalizada constante
(negativa = capacitiva)
Carta de Smith (vi)
Escalas de la carta de Smith
Carta de Smith (vi) Ejemplos 1
Problema 1: Una lnea de transmisin de Zo = 50 ohmios, y de longitud 0,3 se termina con una
impedancia de carga de 100 + j50 ohmios. Utilizando las ecuaciones adecuadas y la Carta de
Smith obtener: a) Coeficiente de reflexin de la carga, b) Z de entrada a una distancia de 0,2
longitudes de onda de la carga, c) Admitancia de carga, d) Valor de la ROE, e) Distancia a la
que hay mximos y mnimos de tensin en la lnea.
Solucin: a) La impedancia de carga normalizada es:
0
100 50
2
50
L
L
Z j
z j
Z
+
= = = +
El coeficiente de reflexin podemos calcularlo tericamente:
1 1
0,4 0,2 0,447 27
1 3
L
L
L
z j
j
z j
+
= = = + =
+ +
O bien determinarlo grficamente en la propia Carta de Smith.
b)
( )
( )
( )
( )
0
0
0
tan
2
( 0,2 ) 0,2 0,4
tan
2 3,08
tan 3,08 0,496 0,492 24,8 24,6
1 2 3,08
L
in v
L
in in
Z Z l
Z Z z l Z l
Z Z l
j
l z j Z j
j

+
= = = = = =
+
+ +
= = = =
+ +
Esta impedancia tambin se puede obtener muy rpidamente con auxilio de la Carta e Smith, con
la construccin grfica de la figura.
Carta de Smith (vii) Ejemplos 1
Carta de Smith (viii) Ejemplos 1
c)
0
1 1 0,4 0,2
0,4 0,2 0,008 0,004
2 50
L L L
L
j
y j Y Y y j
z j

= = = = = =
+
En la Carta de Smith se puede obtener directamente la admitancia correspondiente a una
impedancia dada, sencillamente como la imagen de la misma sobre el crculo de coeficiente de
reflexin constante:
0
0
0
2
tan
1
4
2
4
tan
4
L
in L
L L
L
Z j Z
Z
z l y
Z z
Z j Z


+



= = = = =



+


d)
1
1 0,447
0,447 27 0,447 2,62
1 1 0,447
L
L L
L
ROE
+
+
= = = = =

La ROE puede leerse en la Carta de Smith en la escala correspondiente, o bien directamente en
el punto de corte del crculo de constante y el eje real.
e) El valor donde se encuentra un mximo de tensin se puede localizar directamente
sobre la Carta de Smith, localizando el punto donde tiene fase 0, es decir sobre el eje
real, por lo tanto:
max min max
27 0,0375
4
d d d

= = = +
Efecto Pelicular en un Conductor en Radiofrecuencia (i)
- Es quizs el efecto ms notable que se produce en los conductores cuando transportan seales
alternas de elevada frecuencia.
- Cuando se interconectan elementos o dispositivos electrnicos en baja frecuencia o en continua,
hay que cuidar casi exclusivamente factores tales como la resistividad del conductor, capacidad de
transporte de la corriente y tal vez la capacidad.
- Al incrementarse la frecuencia de la seal, es cada vez ms notable la aparicin del denominado
Efecto Pelicular (Skin Effect) que da lugar a un notable incremento de la resistencia del conductor
(y por ende de sus prdidas).
- El Efecto Pelicular puede describirse de forma sencilla como la tendencia que tiene la
corriente a fluir principalmente por la superficie de un conductor a medida que aumenta la
frecuencia de la seal.
- Debido a esto, las regiones ms internas del conductor resultan menos efectivas para el
transporte de la corriente (que en baja frecuencia), con lo que disminuye la seccin transversal
efectiva del conductor, y por ende se produce un incremento de su resistencia al paso de la
corriente.
- Sin embargo, esto no significa que todas las superficies de los conductores se comporten de la
misma manera.
Efecto Pelicular en un Conductor en Radiofrecuencia (ii)
Distribucin de la corriente en DC Distribucin de la corriente para
f = 100 MHz
Distribucin de la corriente para
f = 10 GHz
- Para entender las razones por las que se produce el efecto pelicular, considrese un conductor
circular por el que circula una corriente alterna:
I (alterna)
Campo H
inducido
(variable)
Flujo de corriente
inducido
Direccin en que las corrientes
se suman.
Direccin en que las corrientes
se restan.
Efecto Pelicular en un Conductor en Radiofrecuencia (iii)
Se define la Profundidad de Penetracin como la distancia a la cual, la densidad de
corriente ha cado exponencialmente a un valor de 1/e = 0,368 (36,8 %) de su mximo:
1
f


=

- En alterna, la impedancia del conductor es:
Z R j X = +
7
Al Al
7
Cu Cu
: 2 GHz
3,72 10 (S/m) 1,85 m
5,8 10 (S/m) 1,47 m
Ejemplo f


=
= =
= =
Para la misma corriente circulando,
el conductor de Cobre disipa el 80,7 %
que el de Aluminio.
Efecto Pelicular en un Conductor en Radiofrecuencia (iv)
Distribucin de la corriente en el
interior de conductor
Regla prctica: El efecto pelicular es ms
importante en las regiones donde es ms intenso
el campo magntico.
- El efecto pelicular no acta por igual en todas las
superficies de un cable conductor:
Ejemplo: Cable Coaxial.
Conductor interno
Conductor externo
Zona de mximo Campo H
Zona de alto valor de
densidad de corriente
Efecto Pelicular en un Conductor en Radiofrecuencia (v)
EFECTO PROXIMIDAD
-Es una de las consecuencias del efecto pelicular de RF.
- Se produce cuando se enfrentan (aproximan) dos conductores que transportan seal de RF,
entonces en funcin del sentido de las corrientes que por ellos fluyen, da lugar a que se
redistribuyan las mismas de una u otra forma en el interior de dichos conductores.
Ejemplo: Cable de Pares
Dos conductores con corrientes opuestas
.
x
Zona de alto Campo H
.
.
Dos conductores con corrientes en el
mismo sentido
Efecto Pelicular en un Conductor en Radiofrecuencia (vi)
EFECTO CONFINAMIENTO DE LA ENERGA
- Es otro fenmeno importante a tener en cuenta cuando se trabaja en Radiofrecuencia.
- Est relacionado con el mnimo espesor que debe tener un conductor para transportar de
manera efectiva una corriente o para actuar como apantallamiento
2

(1)
(2)
2 3 4
x
E incidente
max
( )
x
E x E e

=
Conductores (1) y (2) Cobre
1 max
minimo Conductor usad
2 ax
max
o
m
1,47 36,8% de E
2 2,94 13,5% de E
Si elegi
Regla prctica: Ele
mos =4 1,8% de E
gir 4
Cu saliente
Cu saliente
saliente
m E
m E
E

= = =
= = =
=


Efecto Pelicular en un Conductor en Radiofrecuencia (vii)
Integridad de la Seal (i)
Objetivo: Determinar cmo se ven alteradas las seales elctricas en las interconexiones
entre dispositivos electrnicos, y como minimizar sus efectos.
- El estudio de la integridad de la seal se encuentra a medio camino entre el diseo digital y la
teora de circuitos analgicos.
Integridad de la Seal (ii)
Estimacin de la evolucin de las seales de reloj en circuitos digitales.
Integridad de la Seal (iii)
. Condiciones para buena integridad
de la seal:
- Entorno de impedancia controlada
- Bajas reflexiones
- Mnima diafona
- Baja atenuacin
- Mnimo jitter
. Condiciones para una mala integridad de la
seal:
- Constantes desadaptaciones de impedancias
- Diafona y otros acoplamientos incontrolados
- Grandes atenuaciones y Jitter
- Problemas de las seales digitales de alta frecuencia.
1- Calidad de la seal en la malla / red : reflexiones y distorsiones debidas a discontinuidades
de impedancias del camino de la seal o de las vas de retorno.
2.- Diafona (cross-talk) entre diferentes mallas / redes. Acoplamientos mutuos capacitivos y/o
inductivos que generan problemas debido a retardos y ruidos aadidos.
3.- Colapso de la lnea de alimentacin (Rail collapse): cadas de tensin en impedancias en
las pistas de alimentacin o de masa.
4.- Interferencias Electromagnticas (EMI) procedentes de algn componentes dentro o fuera
del sistema.
5.- Resonancias LC descontroladas.
6.- Ruidos de conmutacin
7.- Acoplamiento por el substrato
Integridad de la Seal (iv)
Requerimientos para la buena prediccin de problemas de integridad de la seal:
- Modelado preciso del diseo fsico: Modelado electromgantico
- Disponibilidad de modelos precisos de diferentes tipos de lneas de transmisin: microstrip,
stripline, multicapa, etc
- Simuladores robustos en los dominios del tiempo y la frecuencia
- Posibilidad de adquisicin continua de medidas
Beneficios de una prediccin prematura de problemas de integridad de la seal:
- Posibilidad de encontrar y subsanar problemas lo antes posible dentro del ciclo de diseo.
- Reduccin del tiempo de puesta en el mercado del producto
- Reduccin de riesgos
- Reduccin de costes de desarrollo y produccin.
Integridad de la Seal (v)
Integridad de la Seal (v-bis)
Integridad de la Seal (vi)
Acoplamiento capacitivo
Diafona (capcitiva e inductiva)
Propagacin de ruido
Incremento del retardo
Modelado circuital de la diafona
Integridad de la Seal (vii)
Integridad de la Seal (vii)
Tcnicas para disminucin de la diafona
- Uso de capas de apantallamiento
(inter-capas)
- Uso de pistas de apantallamiento
(intra-capas)
Colapso de la alimentacin
Integridad de la Seal (viii)
Integridad de la Seal (ix)
Resonancias LC
- Pueden afectar al funcionamiento
del circuito incluso en baja
frecuencia.
- Pueden ser no localizadas (las
ondas de resonancia pueden
propagarse por la totalidad de las
placas y / o chips).
Acoplamiento por el substrato
- El substrato no es equipotencial
- Los circuitos digitales pueden
acoplar corrientes de ruido sobre
los circuitos analgicos.
Integridad de la Seal (x)
Ruidos de conmutacin
- Las corrientes de alta frecuencia generadas
por las redes de alimentacin de los circuitos
digitales, pueden producir interferencias
electromagnticas (EMI) dentro del mismo PCB
o en placas adyacentes y a frecuencia del reloj
o sus armnicos.
Comportamiento de los Componentes Pasivos en Radiofrecuencia (i)
- CONSTANTES CONCENTRADAS Y DISTRIBUIDAS
- EFECTOS PARSITOS
- FRECUENCIA DE AUTORESONANCIA
Ejemplo: INDUCTOR
Bajas Frecuencias
(Constantes Concentradas)
Altas Frecuencias
(Constantes Distribudas)
Comportamiento de los Componentes Pasivos en Radiofrecuencia (ii)
Valores medidos:
Medida de un Inductor por medio de un Puente RLC
de Radiofrecuencia
Regin
Resistiva
Bajas Frecuencias
(Constantes concentradas)
Comportamiento
Inductivo
Comportamiento
Capacitivo
Frec. Autoresonancia
Comportamiento de los Componentes Pasivos en Radiofrecuencia (iii)
Ejemplo de Medida de Impedancia:
Condensador en torno a su autoresonancia.
Modelado del circuito equivalente.
Espiral cuadrada de 1.75 espiras Espiral hexagonal
Espiral octogonal
Espiral circular
INDUCTANCIAS Y TRANSFORMADORES INTEGRADOS
Transformador
Entrelazado
Transformador
Apilado
Leyenda:
(a) Salto de Impedancia
(b) Acoplador Direccional
(c) Acoplador Direccional
(d) Filtro
(e) Inductancia
(f) Inductancia
(g) Condensador
(h) Antena de Parche
(i) Circuito Abierto
(j) Corto Circuito
(k) Corto Circuito
PARAMETROS SCATTERING (PARAMETROS S)
Analizador de Redes
Carta de Smith
TECNOLOGA DE MONTAJE SUPERFICIAL
Nomenclatura:
SMT = Surface Mount Technology
SMD = Surface Mount Device
SMA = Surface Mount Assembly
Montaje Axial
Montaje Superficial
Componentes Activos
Componentes Pasivos
RESISTENCIAS DE MONTAJE SUPERFICIAL (SMD)
CONDENSADORES DE MONTAJE SUPERFICIAL. (SMD)
Factor de disipacin y ESR
INDUCTANCIAS SMD
COMUNICACIN POR CABLE RADIANTE RADIANTE (I)
Las ondas electromagnticas de alta frecuencia se propagan en lnea recta y sufren elevada
atenuacin al atravesar determinado tipo de materiales.
El Cable Radiante (Leaky Wave) se usa en comunicaciones por tneles, minas, etc.
Fundamento: Comportamiento del Cable Coaxial
0
0
138
Z log ( )
D =Dimetro interno del conductor externo
d =Dimetro externo del conductor int

por ejemplo si D/d =3,5
Impedanci
4 y =2,3
ern
a
Z 0
o
5
D
d

=
=

COMUNICACIN POR CABLE RADIANTE RADIANTE (II)


Tipos de Cable Radiante:
COMUNICACIN POR CABLE RADIANTE RADIANTE (III)
COMUNICACIN POR CABLE RADIANTE RADIANTE (IV)
ARQUITECTURA DEL SISTEMA
COMUNICACIN POR CABLE RADIANTE RADIANTE (V)
TCNICA DE INSTALACIN