Está en la página 1de 19

PRACTICA No.

5 TRANSISTOR BIPOLAR

Objetivos: 1. identificar las terminales del transistor bipolar 2. medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura 3. obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colector-base de un transistor bipolar de silicio de tecnologa planar. 4. Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin de emisor comn. Observar su variacin con el voltaje de colector-emisor. 5. Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en configuracin de emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin corte, saturacin y activa directa. Desarrollo Experimental: Conceptos bsicos:

Transistor bipolar

Distintos encapsulados de transistores.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El termino transistor es la contraccin en

ingles de transfer resistor (resistor de transferencia). Los transistores son componentes esenciales para nuestra civilizacin porque toda la electrnica moderna los utiliza, ya sea en forma individual (discreta)como tambin formando parte de circuitos integrados, analgicos o digitales, de todo tipo: microprocesadores, controladores de motores elctricos, procesadores de seal, reguladores de voltaje, etc. Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavarropas automticos, automviles, equipo de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, etc. Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1942 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados con el Premio Nobel de Fsica en 1956. Sus inventores lo llamaron as por la propiedad que tiene el transistor de cambiar su resistencia al paso de la corriente elctrica que lo atraviesa entrando por una de las tres terminales (el emisor) y saliendo por otro (el colector) en funcin de la mayor o menor corriente elctrica que, para excitarlo, se inyecte en el tercero (la base). El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que esta intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitares e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento solo puede explicarse mediante mecnica cuantica, luego en realidad el transistor es un dispositivo cuantico. El transistor bipolar es el mas comn de los transistores y como los diodos puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP y la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grafico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grafico de transistor.

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregara por otra (emisor), una cantidad mayor a esta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama b(beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces: - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificacin ) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). - Ic= B*Ib - Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, solo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el o viceversa. Segn la formula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cando se cambia Vcc.

En el segundo grafico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a mas corriente la curva es mas alta. MATERIAL:

osciloscopio de doble trazo generador de seales multimetro analogico y/o digital una pinza de punta una pinza de corte 6 cables caiman-caiman de 50 cm 6 cables caiman-banana de 50 cm 6 cables banana-banana de 50 cm 4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin bnc y en el otro caimanes. Tablilla de conexiones Fuente de voltaje C.D. (variable) Fuente de corriente C.D. (variable) 1 transistor de germanio NPN AC127 4 transistores de silicio NPN BC547 4 resistores de 1 k( a watt 1 resistor de 100 k( a watt 1 encendedor EXPERIMENTOS: 1. es requisito que para antes de realizar la practica el alumno presente por escrito y en forma concisa y breve los siguientes puntos sobre el transistor bipolar: a) smbolo b) construccin interna c) diagrama tpico de uniones

d) modelo matemtico e) comportamiento grafico de entrada y salida f) parmetros principales y su definicin g) circuitos equivalentes h) parmetro h i) polarizacin tpica el profesor deber revisar que el alumno cumpla con este punto antes de entrar a laboratorio, as como que se presente con los circuitos correspondientes debidamente armados, de NO satisfacer estas indicaciones el alumno NO tendr derecho a quedarse en el laboratorio y se le considerara como falta al mismo.

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. Estructura Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda. Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colector-base antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin baseemisor deben provenir del emisor. El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados

como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de heterojuntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. Regiones operativas del transistor Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados: Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de seal. Regin inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente menor al presente en modo activo. Regin de corte: Un transistor est en corte cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic = Ie = Imaxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib) Modelo de parmetro h Modelo de parmetro h generalizado para un BJT NPN. Reemplazar x con e, b o c para las topologas EC, BC y CC respectivamente. Otro modelo comnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parmetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unin bipolar y permite un fcil

anlisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos ms exactos. Como se muestra, el trmino "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topologa usada. Para el modo emisor-comn los varios smbolos de la imagen toman los valores especficos de: x = 'e' debido a que es una configuracin emisor comn. Terminal 1 = Base Terminal 2 = Colector Terminal 3 = Emisor iin = Corriente de Base (ib) io = Corriente de Colector (ic) Vin = Tensin Base-Emisor (VBE) Vo = Tensin Colector-Emisor (VCE) Y los parmetros h estn dados por: hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re). hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IBVBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se considera cero). hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (DC) in en las hojas de datos. hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia. Como se ve, los parmetros h tienen subndices en minscula y por ende representan que las condiciones de anlisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subndices son expresados en maysculas. Para la topologa emisor comn, un aproximado del modelo de parmetro h es comnmente utilizado ya que simplifica el anlisis del circuito. Por esto los parmetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). Tambin debe notarse que el modelo de parmetro h es slo aplicable al anlisis de seales dbiles de bajas frecuencias. Para anlisis de seales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias. 2. identificar las terminales del transistor bipolar. Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si este es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican como estn ubicadas las terminales de emisor, colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el dispositivo este en buen estado.

En el caso que no se cuente con la informacin suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.

1. usar el multmetro en su funcin de ohmetro y aplicar la prueba conocida como prueba del amplificador e identificar las terminales del transistor. a) use un multmetro analgico en su funcin de ohmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna del ohmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos terminales deber medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deber de ser alta (use la misma escala del multmetro para la realizacin de estas pruebas)). b) Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales y el tipo de transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el caso del NPN, conectar el positivo del ohmetro a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe de aparecer en el ohmetro es de alta resistencia, enseguida hacer contacto con el dedo entre el colector y la base (esto es equivalente a colocar entre estas terminales una resistencia del orden de M ohms) y observar la disminucin en el valor de la resistencia es considerables, si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de emisor, al efectuar dicha prueba la disminucin de la resistencia no ser tan importante. Para estar seguro de cual es cual, debern realizarse ambos casos y comparar las resistencias medidas.

2. otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo es mediante el uso de un multmetro digital que nos permita medir la beta del transistor. Esto es que elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin de la beta, colocamos las terminales del transistor como creamos que estn correctamente colocado la beta medida, generalmente es grande (en la mayora de los casos mayor a 50), cuando no esta bien colocado la beta que se mide es pequea (en la mayora de los casos menor a 20 y en algunos casos indica circuito abierto). 3. Despus de identificar las terminales de sus transistores bipolares, dibjelos en isomtrico en la figura 1, indicando donde esta el colector, el emisor y la base.

Figura 1 dibujo isomtrico del transistor bipolar indicando la base, el emisor y el colector en un NPN y en un PNP

Figura 2 smbolo del transistor

3. medir la corriente de fuga icbo y su variacin con la temperatura Al igual que en el diodo (uniones rectificantes) se tuvo la presencia de corrientes de fuga (generadas por los portadores minoritarios),en los transistores bipolares tambin se presentan, de tal forma si polarizamos inversamente en cualquier par de terminales del transistor se podrn medir estas corrientes tendrn valores diferentes aunque del mismo orden de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy pequeas comparadas con las corrientes de operacin del dispositivo y que adems para el caso del silicio son muchos menores que para el germanio. En la expresin matemtica que se usa para la corriente de saturacin inversa colector-base con el emisor abierto, en la figura 3 se propone un circuito para medir esta corriente y observar como vara con la temperatura. Para sta medicin usaremos el transistor de germanio AC127.

Figura 3 circuito propuesto para medir la corriente icbo y su variacin con la temperatura usando e transistor de germanio. ICBO = ICO =___0.06________________ a temperatura ambiente ICBO1 = ICO1 =_____0.04______________ a temperatura mayor que el ambiente Para aumentar la temperatura acerque un cerillo encendido por cinco segundos. 4.- observar y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de la unin colector- base de un transistor bipolar con tecnologa planar. Actualmente la gran mayora de los transistores bipolares estn construidos con tecnologa planar, en ellos las regiones del emisor, y colector presentan diferentes concentraciones de impureza y tamaos, debido a las caractersticas de construccin que se tienen en las uniones emisor- base y colector-base, el voltaje de ruptura que se presenta en la unin colector-base, legndose en la prctica a generalizar diciendo; que la unin emisor-base de un transistor bipolar de silicio se comporta como un diodo Zener. Arme el circuito de la figura 4 y obtenga a curva del diodo emisor-base, posteriormente

desconecte en emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diodo colector-base, use una seal senoidal con voltaje entre 10 y 12 v a una frecuencia entre 60 Hz y 1 kHz.

Figura 4.a circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor base y colector base de un transistor bipolar

2V/DIV

Figura 4.b curva del diodo emisor-base Reporte el voltaje al cual rompe la unin emisor-base VEB = 1.6 v

Figura 4.c curva del diodo colector-base Figura 4

5.-obtener las curvas de caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin emisor comn. Observar sus variaciones con el voltaje de colector-emisor. Armar el circuito del a figura 5 (observar que este circuito es semejante al de la figura 4, solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener el comportamiento de la unin del emisor-base del transistor bipolar y observar su variacin con el voltaje de colector-emisor.

Figura 5.a circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor-base en un transistor bipolar y su variacin con el voltaje colector-emisor. Reporte en la tabla 1 los valores medidos de corriente en la base para los diferentes voltajes de base-emisor. |Is (A) medida sobre la curva |IBE (V)medido sobre la curva del|IBE (V)medido sobre la curva del|IBE (V)medido sobre la curva del| |del diodo |diodo |diodo |diodo | |emisor-base |emisor-base cuando VCE=0 v |emisor-base cuando VCE=0.5 v |emisor-base cuando VCE=5.0 v | |20 A |0.7 |0.77 |0.76 | |100 A |0.7 |0.77 |0.77 | |150 A |0.7 |0.77 |0.76 |

Tabla 1 6.- obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar n la configuracin de emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Armar el circuito del a figura 6 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar emisor- comn, para diferentes corrientes en la base.

Figura 6.a circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar.

Figura 6.b ejemplo de curvas caractersticas de salida del transistor bipolar ubicado las regiones de corte, saturacin y activa directa Figura 6.c curvas caractersticas de salida del transistor bipolar Figura 6 Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colectoremisor solicitados en la tabla 2, alija los valores adecuados para la corriente de base, tal que la IB, haga que le transistor bipolar trabaje eb la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente IB4 lo lleva la la regin de saturacin. |CORRIENTE EN LA |MEDIR LAS VALORES DE LA CORRIENTE DE COLECTOR IC (mA) PARA CADA UNO DE LOS VALORES | |BASE (A) | | | |VCE= 0 V |VCE= 2 V |VCE= 4 V |VCE= 6 V |VCE= 8 V |VCE=10 V |VCE= 12 V |

|IB1 CORTE= |0.01 |0.03 |0.03 |0.04 |0.06 |0.10 |0.13 | |IB2 ACTIVA |0.01 |0.07 |0.09 |0.04 |0.10 |0.11 |0.13 | |IB3 ACTIVA |0.01 |0.10 |0.09 |0.09 |0.11 |0.13 |0.11 | |IB4 ACTIVA |0.04 |0.09 |0.09 |0.09 |0.09 |0.10 |0.9 |

Tabla 1 Fije la corriente de base en el valor de IB3 (regin activa), acerque un cerillo en encendido al transistor bipolar 5 seg. Y observe que le pasa a la corriente de colector. Diga si aumento o disminuye la corriente R=AUMENTA

Temperatura ambiente mayor a temperatura ambiente

Reporte en la grafica de abajo la curva caracterstica de la salida del transistor bipolar para IB3 a temperatura ambiente y a mayor temperatura. Ilustre sobre la misma grafica el cambio con difentes colores de tinta.

Figura 7 curva caracterstica de salida en configuracin de emisor comn para el transistor bipolar a dos diferentes temperaturas y considerando a corriente en la base constante.

Cuestionario:

1.- dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual la unin emisor-base est polarizada directamente y la unin colector-base presente polarizacin cero. UNION EMISOR-BASE

UNION COLECTOR-BASE

2.- determinar el valor de alfa () para las lecturas qu se relaizaron en el circuito de la figura 2 =,+1-. =,65+1-65. =1.0153

3.- escriba la expresin matemtica que se usa para determinar al aumeto de la corriente de la fuga en una unin rectificante cuanod aumenta la temepratura, hgalo tanto para el caso del silicio como opara el germanio

|n=1 |n=2 |

|Silicio |Germanio |

4.- defina que otras corrientes de fuga pueden otenerse entre las terminales de un transistor bipolar e indique con que literales se conocen Una unin PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero no de minoritarios.

5.- proponga un circuito que permita obtener la corriente de fuga de la unin emisor-base con el colector corto- circuitado

6.- de qu orden es el voltaje de ruptura colector-emisor en el transistor de silicio BC547? Es de segundo orden 7.- a partir de la tabla 2 obtenga las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en emisor comn

8.-proponga el circuito equivalente de parmetros h para el transistor bipolar en emisor-comn y defina cada uno de los parmetros h

hix = hie - la impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re). hrx = hre - representa la dependencia de la curva ibvbe del transistor en el valor de vce. Es usualmente un valor muy pequeo y es generalmente despreciado (se considera cero). hfx = hfe - la ganancia de corriente del transistor. Este parmetro es generalmente referido como hfe o como la ganancia de corriente continua (dc) in en las hojas de datos. hox = hoe - la impedancia de salida del transistor. Este trmino es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

9.-a partir de las curvas caractersticas de la pregunta 7, obtenga los parmetros hfe,hoe, para la grafica que obtuvo con la corriente de la IB3 y un VCE=4v respectivamente 10.- cuando la corriente en la base es cero Cunto debe valer la corriente del colector? ES CERO 11.- usando los datos del a tabal 1,obtenga las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en emisor comn 12.- determine los parmetros hbridos hie,hre, usando las graficas de la pregunta anterior para la corriente de base de 40 A =,-.=,7-40.=175000 =,-.=,7-5.=1.4 13.-Anote sus conclusiones Se pudo aprender a identificar las terminales de un transistor bipolar adems de trabajar el transistor bipolar en sus diferentes configuraciones vimos cuales son sus curvas de entrada y

salida en una temperatura ambiente y a temperaturas altas.

14.- Anote sus bibliografas consultadas Anlisis Introductorio de Circuitos Robert L. Boylestad,Louis Nashelsky