Está en la página 1de 8

CAPITULO II. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.

Tema 4. SEMICONDUCTORES. Las caractersticas fsicas que permiten distinguir entre un aislante, un semiconductor y un metal, estn determinadas por la estructura atmica, molecular y cristalina de las diferentes sustancias. Sabemos que, los electrones que constituyen la corteza de un tomo, solo pueden poseer determinadas energas discretas (primer postulado de Bohr), de acuerdo a las cuales se ubican en rbitas permitidas cuyo radio se modifica en el mismo sentido que lo hace la energa del electrn. Cada nivel de energa, estado cuntico u rbita solo puede ser ocupado por un electrn (Principio de exclusin de Pauli), y estos ocupan siempre los estados ms bajos o inferiores de energa. Los diferentes niveles posibles de energa se distribuyen de acuerdo a cuatro nmeros cunticos, en capas, subcapas, niveles y subniveles, perfectamente definidos en un tomo aislado y que los electrones van ocupando conforme se ha dicho. Pero cuando los tomos estn muy prximos, hay interaccin de unos niveles con otros dando lugar a desdoblamientos por el principio de exclusin de Pauli, comenzando dicho desdoblamiento por las rbitas superiores.

En la figura 4.2, se aprecia el desdoblamiento de niveles de las subcapas d y p, de acuerdo a la distancia entre los tomos: 1

d0: Distancia a la cual los tomos no tienen influencia entre si y los niveles no se desdoblan. d1: Distancia entre tomos que produce desdoblamiento de niveles, pudiendo encontrarse los electrones en las bandas permitidas AB y CD, pero no en la banda prohibida BC. d2: Distancia a la cual la superposicin de niveles da lugar a un a nica banda permitida EF. Cuando el nmero de tomos que se influencian por su proximidad es muy grande, se produce un elevado nmero de niveles que dan lugar a la formacin de bandas de energa continua. A una banda que tiene todos los subniveles ocupados por electrones se le llama "Banda de Valencia" (BV). En la BV no se produce conduccin al no poder moverse los electrones por estar todos los subniveles ocupados. A las bandas que estn vacas de electrones, o bien, no tienen todos los subniveles llenos se les denominan "Bandas de Conduccin" (BC). En las sustancias aislantes (Fig. 4.3.a), la BC est vaca, la BV est llena y la "Banda Prohibida" (BP) es grande. Por lo que, aunque se aplique un campo elctrico exterior no pueden saltar electrones de la BV a la BC. En el caso de los conductores (Fig. 4.3.b), las bandas de conduccin y valencia se solapan pudiendo moverse libremente los electrones por la BC. Los semiconductores (Fig. 4.3.c), son sustancias en los que la anchura de la BP es del orden de 1 eV. Al cero absoluto, todos los electrones estn en la BV y la BC est vaca, por lo que no puede producirse conduccin (aislante), al aumentar la temperatura ambiente, algunos electrones de la BV, adquieren la suficiente energa como para pasar de la BV a la BC, con lo que podra producirse conduccin en el semiconductor. 2

Cuando un electrn pasa de la BV a la BC, en la BV deja un hueco (nivel vaco), que podr captar otro electrn de otro nivel de la BV y desplazarse dicho hueco como un electrn positivo contribuyendo a la conduccin. Es decir, tambin se producir conduccin en la BV. 4.1. Semiconductor intrinseco. Se denominan semiconductores intrnsecos, a aquellos materiales puros que presentan caractersticas semiconductoras. Los ms importantes, utilizados en electrnica son, el Germanio y el Silicio, que presentan una estructura electrnica: Si : 1 s2 2 s2 p6 3 s2 p2 Ge: 1 s2 2 s2 p6 3 s2 p6 d10 4 s2 p2 Ambos tienen cuatro electrones en la ltima capa. Y en su configuracin cristalina, cada tomo se rodea de otros cuatro, con los que comparte mediante enlaces covalentes, los cuatro electrones de su ltima capa. Los electrones libres, que no formasen parte de algn enlace, se encontraran en la BC. En un semiconductor a 0 K, la BC est vaca y la de valencia llena. La altura o anchura de la BP, que separa las bandas de conduccin y valencia en el Ge es de 0,72 eV. y en el Si de 1,1 eV. A temperatura ambiente, la agitacin trmica hace que algunos electrones se liberen del enlace covalente y pasen a la BC quedando libres para vagar por el interior del cristal. Siendo el fenmeno importante, que cuando un electrn pasa de la BV a la BC, se crea un hueco (nivel libre) en la BV, que es tan efectivo en la conduccin como el electrn.

El hueco dejado en el enlace covalente captar un electrn de un enlace vecino, y por tanto, ser como si se hubiese desplazado. Los desplazamientos del electrn en la BC y el hueco en BV, bajo la accin de un campo elctrico, sern en sentidos contrarios, dando lugar a corrientes que se suman. En un semiconductor intrnseco, esto es, si el Si Ge puros, el nmero de huecos es igual al nmero de electrones libres. Llamando: n = n de electrones libres en BC / volumen = concentracin de electrones p = n de huecos en BV / volumen = concentracin de huecos Se tiene: n = p = ni Siendo ni la concentracin intrnseca, que como podemos suponer depender notablemente de la temperatura. 4.2. Semiconductor extrnseco. Tipo de impurezas. Se les denomina extrnsecos a aquellos semiconductores, a los cuales se le han aadido impurezas, para aumentar su conductividad y rendimiento elctrico. Estas impurezas, corresponden a elementos del grupo V (P, As, Sb) del grupo III (B, In, Ga).

Los elementos del grupo V tienen 5 electrones en su ltima capa, y cuando son utilizados como impurezas o para dopar un material semiconductor, comparten cuatro electrones mediante enlace covalente con los correspondientes cuatro tomos que lo rodean en la estructura cristalina, y el electrn no compartido, se sita en una rbita 4

cuyo nivel de energa es muy prximo al de la BC, por lo que puede saltar fcilmente a ella y quedar libre para desplazarse por el cristal. Como aportan electrones, se les denominan impurezas donadoras, y al semiconductor con estas impurezas extrnseco tipo n. En los semiconductores tipo n, la mayora de los electrones provienen de tomos donadores, por lo que el nmero de huecos en BV es mucho menor que el nmero de electrones en la BC, esto es: n p.

Los elementos del grupo III poseen tres electrones en su ltima capa, y cuando se utilizan para dopar un material semiconductor, los comparten mediante enlace covalente con tres de los cuatro tomos que los rodean en la estructura cristalina, y con el cuarto se forma un enlace covalente incompleto crendose un nivel de energa hueco muy cerca de la BV, por lo que puede captar fcilmente electrones de enlaces covalentes prximos, generando un hueco (nivel libre) dentro de la BV que puede desplazarse en su interior. A estas impurezas, se las denominan aceptadoras, por que originan niveles aceptadores o captadores de electrones , y al semiconductor dopado con estas impurezas extrnseco tipo p. En los semiconductores tipo p, habr muy pocos electrones en la BC, porque la mayora sern captados por el nivel aceptador, por lo que: p n. Resumen:
Intrnsecos (no impurezas): n=p =ni Semiconductores Impurezas G.V, donadoras Tipo n Muchos electrones en la BC (portadores mayoritarios) Pocos huecos en la BV (portadores minoritarios) Extrnsecos Impurezas G.III, aceptadoras Tipo p Muchos huecos en la BV (portadores mayoritarios) Pocos electrones en la BC (portadores minoritarios)

Ley de accin de masas: Al aadir impurezas a un semiconductor intrnseco varan los niveles de n y p (concentraciones de electrones libres y huecos). Se demuestra mediante densidades de corriente Jn y Jp, que: (ley de accin de masas) Densidad de carga: Sea ND la concentracin de tomos donadores, suponiendo todos ionizados tendramos una densidad de cargas positivas total de ND+p. Del mismo modo, si NA es la densidad de tomos aceptadores, la densidad de cargas negativas total, es: NA+ n. Dado que el semiconductor es neutro: ND+p = NA+ n Si suponemos un material tipo n con NA=0, como np nND, o sea, en un semiconductor extrnseco la concentracin de electrones libres es aproximadamente igual a la de impurezas donadoras. Entonces:

En un material de tipo p: pn pNA, de donde:

4.3. Corrientes en un semiconductor. La corriente en un semiconductor, es debida al desplazamiento de electrones a travs de la banda de conduccin y al de los huecos por la banda de valencia. De los diferentes fenmenos que dan lugar a corriente en un semiconductor, los ms importantes son, los de arrastre y difusin. Corriente de arrastre: El efecto de arrastre es anlogo al que se produce en los metales, est motivado por el campo elctrico aplicado, debido al cual los electrones libres de la BC y los huecos en la BV se mueven en sentidos opuestos, dando lugar a una corriente en el mismo sentido suma de ambos. En ausencia de campo elctrico aplicado, no existe corriente de arrastre.

Corriente de difusin: El efecto de difusin se produce cuando la concentracin de portadores no es uniforme a lo largo del semiconductor, o lo que es lo mismo, existe un gradiente de concentracin de portadores con la distancia, producindose un desplazamiento de portadores que trata de establecer el equilibrio (igualar la concentracin en la totalidad del volumen). Este desplazamiento de portadores dara lugar a un transporte neto de carga a travs de una superficie y por tanto a una corriente de difusin. La corriente total en un semiconductor es el resultado de ambos efectos: desplazamiento por campo elctrico o diferencia de potencial y difusin por gradiente de concentracin. En un semiconductor en circuito abierto con gradiente de concentracin, se producir un corriente de difusin que dara lugar a iones, concentracin de carga y consecuentemente un campo elctrico que dara lugar a una corriente de arrastre, que en el equilibrio anulara la de difusin, dando lugar a una corriente total nula, esto es, en el equilibrio la tendencia a la difusin se compensa con la tendencia al arrastre. 4.4. Unin p-n en circuito abierto. Se forma una unin p-n, cuando en un mismo cristal semiconductor, se difunden impurezas donadoras por un extremo y aceptadoras por el otro. En las cercanas de la unin, se produce un fuerte gradiente de concentracin, debido a que los portadores que a un lado de unin son mayoritarios, pasan a ser minoritarios en la otra y viceversa. Debido al gradiente de concentracin, los electrones mayoritarios de la regin n se difundirn sobre la regin p y los huecos mayoritarios de la regin p a la n inversa, lo que dar lugar a la aparicin de iones sin neutralizar por cargas mviles a ambos lados de la unin (Fig. 4.10). Estas cargas fijas sin neutralizar, forman un campo elctrico que va aumentando segn van pasando portadores de un lado al otro de la unin. El campo elctrico as originado se opone al paso de cargas mviles, llegndose al equilibrio cuando la tendencia a la difusin se contrarresta por el efecto de arrastre a que da lugar dicho campo.
p

A la zona en que no hay portadores mviles, pero si iones fijos, se le denomina zona de transicin, de carga espacial o de carga de espacio.
p n p n

Fig. 4.10 contacto o barrera de potencial: .

X z.c.e = 0,50 m. .

Asociado al campo elctrico de la zona de transicin, aparece el potencial de

Fuera de la zona de transicin el campo elctrico es nulo.