INSTITUTO TECNOLGICO DE OAXACA

INGENIERA ELCTRICA. DISPOSITIVOS DE ELECTRONICA INSUTRIAL.

MATERIA:

ELECTRONICA INDUSTRIAL
CATEDRATICO: ING. ENRIQUE RODRIGUEZ CALVO

PRESENTA:
REYES CASTELLANOS OSCAR ALEJANDRO.

OAXACADE JUREZ,OAX. 30 DE SEPTIEMBRE DE 2013.

CONTENIDO. INTRODUCCION.3 DIODO DE POTENCIA...3 TIRISTOR..4 SCR ...4 TRIAC 5 GTO6 TRANSISTORES.6 TBP6 MOSFET...7 IGBT..7 BIBLIOGRAFIA....7

DISPOSITIVOS DE ELECTRNICA DE POTENCIA INTRODUCCIN. Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden Clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de control: Dispositivos no controlados: En este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de Conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de Potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control Externo. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros. DIODO DE POTENCIA. Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de tensin y corriente, permite la circulacin de corriente en un nico sentido. El diodo est formado por una sola unin PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a la de un diodo de seal, puesto que en este caso existe una regin intermediaria con un bajo dopaje. El papel de esta regin es permitir al componente soportar tensiones inversas ms elevadas. Esta regin de pequea densidad de dopaje dar al diodo una significativa caracterstica resistiva en polarizacin directa, la cual se vuelve ms significativa cuanto mayor sea la tensin que ha de soportar el componente

FIG.1 SIMBOLO ESQUEMATICO DE UN DIODO. Polarizacin inversa. Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas. Los diodos de potencia pueden llegar a soportar tensiones de ruptura de kilovolts (kV), y pueden conducir corrientes de kiloamperes (kA). Evidentemente, el tamao del diodo condiciona sus caractersticas elctricas, llegndose a tener diodos con tamaos del orden de varios cm2. En rgimen transitorio cabe destacar dos fenmenos: 3

1) Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se efecta instantneamente. Cuando el diodo conduce una corriente I en polarizacin directa, la zona central de la unin est saturada de portadores mayoritarios, y aunque un circuito externo fuerce la anulacin de la corriente aplicndole una tensin inversa, cuando la corriente pasa por cero an existe una cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten la conduccin de una corriente inversa durante un tiempo, denominado tiempo de recuperacin inverso (trr). El tiempo de recuperacin de un diodo normal es del orden de 10 s, siendo el de los diodos rpidos del orden de algunos nanosegundos. 2) Recuperacin Directa: Es otro fenmeno de retardo de menor importancia que el anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a conduccin, en el proceso de puesta en conduccin, la respuesta del diodo es inicialmente de bloqueo a la corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobre tensin Vfp, ocasionada por la modulacin de la conductividad del diodo durante la inyeccin de portadores minoritarios. As el diodo se asemeja a una resistencia donde su valor decrece con el tiempo TIRISTORES. El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una puerta. El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutacin, teniendo en comn una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia PN-P-N, la cual presenta un funcionamiento biestable (dos estados estables). La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin (ON) se realiza normalmente por una seal de control externa. La conmutacin desde el estado ON al estado OFF se produce cuando la corriente por el tiristor es ms pequea que un determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica para cada tiristor. Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales). SCR (Rectificador Controlado de Silicio). De las siglas en ingls Silicon Controlled Rectifier, es el miembro ms conocido de la familia de los tiristores. En general y por abuso del lenguaje es ms frecuente hablar de tiristor que de SCR. El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de la Electrnica de Potencia (data de finales de los aos 50). Adems, continua siendo el dispositivo que tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y mayor circulacin de corriente). El SCR est formado por cuatro capas semiconductoras, alternadamente P-N-P-N, teniendo 3 terminales: nodo (A) y ctodo (K), por los cuales circula la corriente principal, y la puerta (G) que, cuando se le inyecta una corriente, hace que se establezca una corriente en sentido nodo-ctodo.

FIG 2.SIMBOLO ESQUEMATICO DE UN SCR.

TRIAC. El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y puede ser Disparado con tensiones de puerta de ambos signos. Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un SCR, slo podemos controlar el paso de corriente en un sentido. Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente. El primer TRIAC fue inventado a finales de los aos 60. Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en anti paralelo (tiristor bidireccional). De esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulacin de corriente.

FIG 3.SIMBOLO ESQUEMATICO DE UN TRIAC. GTO (Gate Turn-Off Thyristor) A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha sido poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnologa en el desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrnica de potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que alcanzan los 5000 V y los 4000 A. Como se ha visto en los apartados anteriores, uno de los inconvenientes de los tiristores tipo SCR o TRIAC es que no tenemos control externo por parte del usuario del paso de conduccin a bloqueo. Para aquellas aplicaciones en las que nos interese poder bloquear 5

un interruptor de potencia en cualquier instante es necesario utilizar otro tipo de semiconductores diferentes a los SCRs o TRIACs.

FIG 4.SIMBOLO ESQUEMATICO DE UN GTO. TRANSISTORES. En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como interruptores. Los circuitos de excitacin (disparo) de los transistores se disean para que stos trabajen en la zona de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Esto difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona activa o lineal. Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por ejemplo, el SCR o el TRIAC slo dispone de control de la puesta en conduccin. Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrnicos de potencia incluyen los transistores BJT, los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo, los transistores de unin bipolar de puerta aislada (IGBT). A continuacin veremos cada uno de ellos.

Transistor Bipolar de Potencia (TBP) Ms conocidos como BJTs (Bipolar Junction Transistors), bsicamente se trata de interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordar existen dos tipos fundamentales, los npn y los pnp, si bien en Electrnica de Potencia los ms usuales y utilizados son los primeros en la realidad, la estructura interna de los transistores bipolares de potencia (TBP) es diferente. Para soportar tensiones elevadas, existe una capa intermediaria del colector, con baja concentracin de impurezas (bajo dopado), la cual define la tensin de bloqueo del componente.

FIG 5.SIMBOLO ESQUEMATICO DE UN TBP.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors). As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los MOSFET son transistores controlados por tensin. Ello se debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los primeros, por presentar menores prdidas y mayor velocidad de conmutacin, debido a la mayor movilidad de los electrones con relacin a los agujeros.

FIG 6.SIMBOLO ESQUEMATICO DE UN MOSFET. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un dispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados anteriores, o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal.

FIG 7.SIMBOLO ESQUEMATICO DE UN IGBT.

BIBLIOGRAFIA. Electrnica industrial dispositivos y sistemas. Timothy J. Maloney . http://comunidad.ingenet.com.mx/electronicaindustrial/2011/04/27/hola mundo/#sthash.JJaoiOvB.dpuf