T26377

UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID
FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS Departamento de Fsica de Materiales
TRANSPORTE ELECTRNICO Y LOCALIZACIN EN HETEROESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES

MEMORIA PRESENTADA PARA OPTAR AL GRADO DE DOCTOR POR Ignacio Gmez Cuesta
Bajo la direccin del Doctor: Francisco Domnguez-Adame Acosta Madrid, 2004 ISBN: 978-84-669-1738-4 Ignacio Gmez Cuesta, 2003
Universidad Complutense de Madrid

Departamento de F sica de Materiales Tesis Doctoral
TRANSPORTE ELECTRONICO Y EN HETEROESTRUCTURAS LOCALIZACION DE SEMICONDUCTORES
Ignacio G omez Cuesta Enero 2003
Dirigida por el Dr. Francisco Dom nguez-Adame Acosta
A mi familia.
Agradecimientos
En primer lugar me gustar a agradecer a Francisco Dom nguezAdame, director de esta tesis doctoral, su ayuda y amistad a lo largo de los casi cinco a nos durante los cuales hemos trabajado juntos. Francisco ha resultado durante todo este tiempo un modelo tanto desde el punto de vista profesional, como desde el punto de vista personal. Por otro lado, no quisiera olvidarme de algunas personas con las que he trabajado a lo largo de los u ltimos a nos, sin cuya colaboraci on este trabajo no hubiera sido posible. En primer lugar debo nombrar a Enrique Diez quien, junto con Francisco, ha sido la persona que m as me ha ayudado a llevar esta tesis a buen n, y con quien he compartido amistad y algunos buenos momentos cuando fuimos compa neros de despacho. Por otro lado no debo olvidarme de Pedro Orellana, a quien estoy especialmente agradecido por su amistad y hospitalidad (la suya y la de su maravillosa famila) durante mis dos visitas a la Universidad Cat olica del Norte en Antofagasta. Finalmente quisiera agradecer a Vittorio Bellani por su ayuda y por los buenos momentos pasados en Pav a, especialmente por aquel inolvidable s abado en el techo de Europa. Otras personas con las que he colaborado y que han sido de inestimable ayuda para la realizaci on de esta tesis han sido Indu Satija, Natalia Malkova, y Ara Sedrakyan. Un agradecimiento especial debe ir dirigido a aquellos que han tenido Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...
iv que soportarme realmente tiene m erito compartiendo despacho conmigo. Particularmente duro (y por eso le estar e eterna, sincera y afectuosamente agradecido) ha sido lo de Ana Urbieta que no ha podido evitar tener que aguantarme durante m as de cuatro a nos: pobre!. Recuerdo con agrado y algo de nostalgia los primeros a nos en la comuna con Victor, Mario, Emilio, Enrique, Manuel y Francesco. Y no con menos agrado los u ltimos tiempos junto a Agustina y Pedro. Durante los u ltimos a nos he pasado muy buenos ratos con un mont on de compa neros en el Departamento con los que he compartido tiempo y espacio f sico. Con especial agrado recuerdo los muchos caf es y comidas pasados junto a Enrique, Paloma, Bianchi, Carlos D az-Guerra y Ana Cremades. Y no con menos agrado me acuerdo de otros momentos pasados junto a Lucas, Oscar de Abril, Oscar Rodr guez, Roc o, Andrei, Javi, Micky, Ester, Carlos Romero y Fernando. Finalmente me gustar a agradecer a mi familia (padres, hermana, t os, t as, abuelos, y a Marta, aunque ella no quiera), por el apoyo que me han prestado y por haber estado siempre ah . Me gustar a, adem as, tener un recuerdo especial con Vicenta, que ya no est a aqu , y a la que estoy seguro que hubiera ilusionado ver este momento.
Madrid, Enero de 2003
Indice general
1. Introducci on 1.1. Heteroestructuras de semiconductores 1.2. Transporte electr onico . . . . . . . . 1.3. Desorden . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4. Localizaci on . . . . . . . . . . . . . . 1.5. Objetivos y organizaci on de la tesis .
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2. Transporte electr onico y localizaci on 2.1. Electrones en heteroestructuras . . . . . . 2.1.1. Aproximaci on de la masa efectiva. . 2.1.2. Hamiltoniano de Ben Daniel-Duke . 2.1.3. Modelo de dos bandas . . . . . . . 2.2. Conductancia: la f ormula de Landauer . . 2.3. Sistemas desordenados . . . . . . . . . . . 2.3.1. Localizaci on de Anderson . . . . . 2.3.2. Desorden correlacionado . . . . . . 2.4. Caracterizaci on del desorden . . . . . . . . 2.4.1. Coeciente de Lyapunov . . . . . . 2.4.2. An alisis multifractal . . . . . . . .
3. Heteroestructuras con modulaci on de composici on 3.1. Introducci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...
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Indice general
3.2. Transporte y estructura electr onica . . . . . . . . 3.2.1. Coeciente de transmisi on . . . . . . . . . 3.2.2. Efectos del desorden . . . . . . . . . . . . 3.2.3. Caracter stica j V . . . . . . . . . . . . 3.2.4. Interacci on electr on-electr on: experimentos 3.2.5. Modelo discreto . . . . . . . . . . . . . . . 3.3. Conductancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1. Transici on metal-aislante . . . . . . . . . . 3.4. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . de PL . . . . . . . . . . . . . . . . 30 31 35 43 47 54 62 63 71 73 73 75 77 79 81 85 87 90 93 95 97 101 105 105 106 113 114 116 118 127 129 130 132 138
4. Heteroestructuras con desorden intencionado 4.1. Introducci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2. Aleaciones binarias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.1. Condici on de existencia de estados extendidos 4.2.2. Longitud de localizaci on . . . . . . . . . . . . 4.2.3. Resultados num ericos . . . . . . . . . . . . . . 4.3. Superredes con desorden correlacionado . . . . . . . . 4.3.1. Condici on de existencia de estados extendidos 4.3.2. Resultados num ericos . . . . . . . . . . . . . . 4.4. Superredes binarias con desorden correlacionado . . . 4.4.1. Estados extendidos . . . . . . . . . . . . . . . 4.4.2. Resultados num ericos . . . . . . . . . . . . . . 4.5. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. Heteroestructuras con desorden no intencionado 5.1. Introducci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. Modelo de transporte . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2.1. Conductancia . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2.2. Corriente el ectrica . . . . . . . . . . . . . 5.3. Dobles barreras con desorden en las intercaras . . 5.3.1. Desorden lateral . . . . . . . . . . . . . . . 5.3.2. Desorden composicional . . . . . . . . . . 5.4. Puntos cu anticos autoensamblados . . . . . . . . 5.4.1. Desorden conguracional y morfol ogico . . 5.4.2. Destrucci on de la minibanda . . . . . . . . 5.5. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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6. Localizaci on en heteroestructuras magn eticas 6.1. Introducci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2. Modelo de dos bandas . . . . . . . . . . . . . 6.3. Uniones magn eticas invertidas . . . . . . . . . 6.4. Uniones magn eticas normales . . . . . . . . . 6.5. Esp n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.6. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7. Conclusiones 141 141 145 147 151 154 156 159
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A. Relaciones de dispersi on en uniones magn eticas 165 A.1. Uni on magn etica invertida . . . . . . . . . . . . . . . . . 165 A.2. Uni on magn etica normal . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
CAP ITULO 1 Introducci on

1.1. Heteroestructuras de semiconductores
Aunque el uso de materiales semiconductores para aplicaciones electr onicas se remonta a mediados de este siglo, en la d ecada de los 50, no fue hasta principios de los a nos 70, con el trabajo pionero de Esa1 ki y Tsu [1] , cuando surgi o la idea de construir estructuras articiales de estos materiales. En el contexto del desarrollo de la tecnolog a de los semiconductores, las heteroestructuras surgieron con la nalidad de dise nar dispositivos en los que fuese posible tener un cierto control sobre sus propiedades opticas y electr onicas, es decir, en cierto modo, poder dise nar dispositivos electr onicos a la carta. En cualquier caso, en una primera etapa de desarrollo de las heteroestructuras de semiconductores los exitos obtenidos no fueron muy numerosos debido, en parte, a la falta de control sobre las imperfecciones inherentes a los procesos de crecimiento de los distintos materiales. Los primeros exitos vinieron con la fabricaci on de l aseres de inyecci on [2] a
Todas las referencias de esta memoria se recogen en una u nica secci on que comienza en la p agina 171.
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Introducci on partir de heterouniones de GaAs-AlGaAs, que fueron crecidas mediante la t ecnica de epitaxia en fase l quida (LPE). Todo el inter es por construir heteroestructuras reside en el hecho de que, a pesar de lo complicado del proceso de crecimiento, haci endolo uno es capaz de manipular el comportamiento de electrones y huecos mediante lo que se ha dado en llamar ingenier a de bandas [3,4]. Con el desarrollo de las distintas t ecnicas epitaxiales de crecimiento de supercies a mediados de los 70, en particular de la deposici on qu mica de vapores (CVD) y de la epitaxia por haces moleculares (MBE), comenz o a surgir una nueva tecnolog a basada en el dise no de disferentes tipos de heteroestructuras articiales. Diodos emisores de luz, transistores bipolares, transistores de efecto campo, l aseres de cascada, etc. han ido apareciendo, y sus propiedades se han visto mejoradas merced al empuje realizado, tanto desde el punto de vista tecnol ogico como desde el punto de vista de la mejor comprensi on te orica de la f sica de estos sistemas [5]. Sin embargo, las heteroestructuras de semiconductores no son s olo interesantes desde un punto de vista aplicado. La posibilidad de jugar con su dimensionalidad a la hora de connar los portadores de carga en cero, una, y dos dimensiones, hace de las heteroestructuras una excelente herramienta para estudiar los m as diversos fen omenos f sicos [6]. As , se han usado superredes (SRs en adelante), pozos cu anticos, barreras dobles, etc. para investigar, desde un punto de vista fundamental, diversos fen omenos como el efecto Hall cu antico [7], la localizaci on en sistemas desordenados y la transici on metal-aislante [8].
1.2. Transporte electr onico

Sorprendentemente, no se desarroll o una teor a unicada y com unmente aceptada del transporte electr onico en sistemas mesosc opicos el formalismo de Landauer-Buttiker hasta principios de la d ecada de los ochenta. Los primeros intentos de construir esta teor a vinieron por par-
Cap tulo 1
1.2 Transporte electr onico te de Rolf Landauer, quien en 1957 public o un famoso art culo [9] en el que estudiaba el transporte de electrones en un s olido unidimensional desordenado. La f ormula de Landauer sufri o posteriores revisiones, principalmente debidas al hecho de que su demostraci on no estaba basada en la teor a de la respuesta lineal. El primero en revisar el trabajo de Landauer fue el Premio Nobel de F sica P. W. Anderson [10] quien en 1980 consigui o una demostraci on rigurosa, aunque s olo en el caso unidimensional, de la f ormula de Landauer. Fisher y Lee [11] extendieron el trabajo de Anderson a m as de una dimensi on, considerando un sistema de N canales, y Engquist y Anderson [12] en un nuevo trabajo, recuperaron la f ormula inicial de Landauer, poniendo de maniesto la importancia de los contactos en la teor a del transporte. Finalmente, entre 1985 y 1988 los trabajos de B uttiker [1315] proporcionaron una extensi on unicada de la f ormula de Landauer al caso de varios canales, y una comprensi on mucho mayor de qu e es lo que realmente se obtiene cuando se intenta medir una resistencia.
El desarrollo de la teor a del transporte electr onico en sistemas mesosc opicos ha posibilitado en los u ltimos a nos el estudio de las propiedades electr onicas de muy diversos dispositivos. En particular se ha construido e investigado un sinf n de distintas estructuras articiales, SRs, pozos, hilos, puntos cu anticos, nanotubos, etc., con la nalidad de dise nar dispositivos optoelectr onicos para diferentes aplicaciones tecnol ogicas. En este sentido, una de las contribuciones de esta tesis ser a el estudio del transporte electr onico en un nuevo tipo de SRs, las llamadas SRs gausianas (SRGs en adelante), que como se ver a, constituyen un buen candidato para dise nar ltros pasa banda para aplicaciones como, por ejemplo, el l aser de cascada.
Introducci on
1.3. Desorden
Tras el desarrollo de la teor a, el transporte electr onico en heteroestructuras de semiconductores se ha investigado de forma extensiva en las u ltimas dos d ecadas. El transporte electr onico en presencia de campos magn eticos, o de campos el ectricos aplicados, da lugar a fen omenos como el efecto Hall cu antico [7], las oscilaciones de Bloch [16], el efecto t unel resonante, etc. que han recibido, y siguen haci endolo, intensos esfuerzos para su mejor comprensi on. En particular se han dedicado grandes esfuerzos a estudiar los mecanismos de p erdida de coherencia en estos sistemas. Un ejemplo de esto son los trabajos te oricos de Dom nguez-Adame y col. [] acerca de la p erdida de coherencia en las oscilaciones de Rabi observadas en SRs de semiconductores. Los mecanismos de p erdida de coherencia son muy diversos, siendo uno de ellos la dispersi on electr onica debido a la presencia en las heteroestructuras de desorden no intencional en forma de impurezas o de rugosidad en las intercaras de los distintos materiales que las componen. Un ejemplo de esto es la p erdida de coherencia en las oscilaciones de Rabi en SRs de semiconductores predicha te oricamente por Dom nguez-Adame y col. [102]. Otras fuentes de desorden pueden ser la falta de periodicidad de los elementos que componen la heteroestructura como sucede, por ejemplo, en las matrices de puntos cu anticos autoensamblados. Una parte importante de esta tesis est a dedicada precisamente al estudio de los efectos que este tipo de desorden no intencionado tiene sobre algunas heteroestructuras. En este sentido, la teor a de las propiedades electr onicas de los s olidos desordenados ha madurado considerablemente durante las dos u ltimas d ecadas. En parte, esta mejora en la comprensi on del desorden ha sido debida a la disponibilidad de nuevos m etodos te oricos, as como a la aparici on de mayores y m as r apidos ordenadores que facilitan la tarea de estudiar num ericamente la complejidad de estos sistemas. Por otro lado, la mejora en las t ecnicas de crecimiento epitaxial a las que ya nos hemos referido, as como
Cap tulo 1
1.4 Localizaci on la aparici on de nuevas t ecnicas, han hecho posible la realizaci on de test experimentales de los resultados te oricos existentes. Una de las mayores contribuciones de este trabajo es el desarrollo de una t ecnica num erica para el estudio del efecto de la rugosidad en el transporte en heteroestructuras de doble barrera. Este m etodo, asimismo, ser a de utilidad para el estudio del efecto del desorden en la estructura electr onica y propiedades de transporte de matrices desordenadas de puntos cu anticos.
1.4. Localizaci on
El ingrediente esencial en la descripci on de sistemas electr onicos desordenados, como las heteroestructuras de semiconductores desordenadas, es el concepto de localizaci on. El concepto b asico de localizaci on fue introducido por Anderson. En 1958 Anderson [17] se nal o que la funci on de onda en un s olido desordenado tridimensional resultar a exponencialmente localizada en el espacio para valores sucientemente grandes del desorden. Este hallazgo le vali o la concesi on del Nobel en 1977. En el caso del modelo de Anderson en sistemas de baja dimensionalidad, Mott y Twose [18], posteriormente a este, demostraron rigurosamente la singular propiedad de que, con independencia del grado de desorden del sistema, todos los estados est an localizados en una y dos dimensiones. M as tarde otros autores, extendieron la demostraci on de esta propiedad a diversos modelos distintos a la propuesta original de Anderson. De esta forma se extendi o en la comunidad cient ca la idea de que un sistema unidimensional desordenado no pod a tener estados extendidos, lo que se vino en llamar como principio de localizaci on de Anderson. Sin embargo esta imagen tradicional se vino abajo fundamentalmente a ra z del del trabajo publicado por Dunlap [19] y col., en el que el desorden en un modelo de tipo enlace fuerte presentaba correlaciones de corto alcance de tipo dim erico. Este modelo conocido como random dimer result o presentar una fenomenolog a completamente distinta al de-
Introducci on sorden tradicional sin correlaciones de ning un tipo en sistemas unidimensionales, dado que en el aparecen estados extendidos que pueden tener importancia para el transporte. En una serie de trabajos posteriores Wu y Phillips [20, 21], utilizando el modelo random dimer, presentaron una posible explicaci on a las buenas propiedades conductoras que presentan algunos pol meros desordenados tras ser dopados, como la polianilina. Sin embargo, los pol meros constituyen un sistema en el que es muy dif cil asegurar c omo es el desorden que presentan y, por tanto, estos trabajos no se aceptaron como una prueba experimental de la violaci on del principio de localizaci on de Anderson. En a nos posteriores se han dedicado grandes esfuerzos a la comprensi on de c omo afectan las correlaciones en el desorden a la aparici on de estados extendidos en sistemas desordenados. En particular, Bellani y col. [22] han encontrado la primera evidencia experimental, mediante el empleo de SRs semiconductoras, de que correlaciones de tipo espacial en el desorden inhiben la localizaci on de estados en sistemas desordenados de baja dimensionalidad. Una de las contribuciones de esta tesis ser a la aplicaci on de una nueva t ecnica anal tica al estudio de estados extendidos en SRs desordenadas con desorden correlacionado, encontrando la aparici on de estados extendidos para distintos tipos de desorden.
1.5. Objetivos y organizaci on de la tesis

A lo largo de las anteriores l neas hemos realizado una muy breve introduci on al transporte electr onico en las heteroestructuras fabricadas con materiales semiconductores y a la f sica del desorden. Estos dos temas son el pilar b asico de esta tesis desde tres puntos de vista distintos. Por un lado, estamos interesados en las propiedades de transporte electr onico en si de heteroestructuras como las SRs. En este sentido hemos investigado una nueva clase de heteroestructuras, las antes citadas SRGs, tanto en lo que se reere a su estructura electr onica, como en lo
Cap tulo 1
1.5 Objetivos y organizaci on de la tesis que se reere a sus propiedades de transporte. Adem as hemos investigado la estructura electr onica y la localizaci on en heterouniones magn eticas en semiconductores con intervalo estrecho de energ as prohibidas. Por otro lado, nos hemos ocupado del efecto que el desorden no intencional, inevitable en todo proceso de crecimiento de heteroestructuras, tiene sobre el transporte electr onico en estas. As , hemos estudiado el transporte tanto en heteroestructuras de doble barrera como en SRs de puntos cu anticos autoensamblados. Finalmente nos hemos ocupado de la aparici on de estados extendidos en sistemas unidimensionales desordenados, con desorden de tipo correlacionado. Al respecto, hemos dirigido nuestro inter es hacia la investigaci on de los estados electr onicos en SRs donde se introduce desorden intencionado en alguno de los par ametros estructurales que denen estas heteroestructuras. La presente tesis estar a organizada de la siguiente manera: En el cap tulo segundo haremos una breve introducci on a la descripci on de los estados electr onicos en heteroestructuras semiconductoras, as como a la teor a del transporte electr onico en sistemas mesosc opicos. Tambi en se hace una presentaci on de los fen omenos de localizaci on en sistemas desordenados y se describen algunas t ecnicas empleadas para caracterizar el desorden. El cap tulo tercero est a dedicado al estudio de las SRGs, tanto desde el punto de vista de la estructura electr onica como desde el punto de vista del transporte. Compararemos nuestros resultados te oricos con algunos resultados experimentales existentes. Finalmente estudiaremos un modelo de transici on metal-aislante que puede ser investigado experimentalmente en SRGs. El cuarto cap tulo lo dedicaremos al estudio de estados extendidos en SRs con desorden intencional correlacionado. Utilizaremos para
Introducci on ello una t ecnica anal tica que inicialmente probaremos en el estudio de los estados electr onicos de una aleaci on binaria. En el cap tulo quinto describiremos una t ecnica num erica que hemos desarrollado para estudiar el transporte electr onico en heteroestructuras de tipo doble barrera e investigar el efecto de la rugosidad en las intercaras, as como del desorden composicional, sobre magnitudes como la corriente y la conductancia. Por otro lado, tambi en aplicaremos esta t ecnica para analizar el transporte en matrices de puntos cu anticos autoensamblados con un cierto grado de desorden en la forma y la posici on de los puntos. El sexto cap tulo lo dedicaremos al estudio de las funciones de onda y las propiedades de esp n de los estados electr onicos en heterouniones magn eticas de tipo normal e invertido en semiconductores de intervalo estrecho de energ as prohibidas. Finalmente en el cap tulo s eptimo concluye la memoria un resumen de los principales resultados y conclusiones de nuestro trabajo.
Cap tulo 1
CAP ITULO 2 Transporte electr onico y localizaci on

El prop osito de este cap tulo es presentar brevemente una introducci on a la f sica del transporte electr onico en heteroestructuras de semiconductores, y a la f sica del desorden en esta clase de sistemas. Comenzaremos con una somera discusi on de la aproximaci on de la masa efectiva aplicada al estudio de la estructura electr onica en heterouniones, seguida de una secci on dedicada al c alculo de la conductividad, concluyendo el cap tulo con una introducci on a la f sica del desorden en la que se exponen, sucintamente, algunas t ecnicas para cuanticar dicho desorden.
2.1. Electrones en heteroestructuras

Las actuales t ecnicas de crecimiento por MBE permiten conseguir que la supercie de separaci on entre dos semiconductores integrantes de una heteroestructura sufra s olo alteraciones del orden de una monocapa de un punto a otro de la misma, es decir, que sea altamente plana. Esta caracter astica es muy importante, ya que permite simplicar la descrip-
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Transporte electr onico y localizaci on ci on del movimiento de los portadores en el plano normal a la direcci on de crecimiento. Para simplicar el estudio de la estructura electr onica en heteroestructuras acudiremos al concepto de uni on plana y abrupta. Con este t ermino signicamos una heterouni on perfectamente plana en la que no existe interdifusi on, es decir, aquella en la que a cada lado de la uni on s olo existen atomos correspondientes a un mismo semiconductor. El estudio de la estructura electr onica en heteroestructuras suele hacerse a partir de la aproximaci on de la masa efectiva [2325]. Aunque esta aproximaci on tiene sus limitaciones y no siempre es justicado realizarla, se ha mostrado como un m etodo sencillo y bastante exacto en muchos casos de inter es. La aproximaci on de la masa efectiva describe una situaci on en la que electr on experimenta la acci on de un potencial, cuyo origen se debe al desajuste de las bandas de conducci on de ambos semiconductores, cuando se acerca a la heterouni on. Como es natural, no s olo existe un desajuste en la banda de conducci on en la heterouni on, sino que tambi en est a presente en la banda de valencia. Dependiendo de c omo se alinean las bandas de conducci on y de valencia [26], las heterostructuras pueden ser clasicadas en tres tipos distintos (heterostructuras de tipo I, de tipo II y de tipo III), como puede verse en la gura 2.1.
2.1.1. Aproximaci on de la masa efectiva.

Como hemos avanzado, la forma m as simple de tratar los estados electr onicos en una heteroestructura de semiconductores es mediante la aproximaci on de la masa efectiva, basada en desarrollar la funci on de onda electr onica en t erminos de las funciones de onda de Bloch en cada uno de los semiconductores que componen la heteroestructura. Vamos a considerar el caso de una heterouni on formada por dos semiconductores que llamaremos A y B. La generalizaci on de los resultados a otras heteroestructuras m as complejas, como barreras dobles, SRs,etc.
Cap tulo 2
2.1 Electrones en heteroestructuras
11
Figura 2.1. Esquema mostrando los tres tipos distintos de heterostructuras, en funci on de la alineci on las bandas de conducci on y de valencia. Se indica tambi en un ejemplo de cada una de ellas.
es inmediata. Si suponemos que las funciones peri odicas de Bloch son iguales en los semiconductores A y B (lo que es v alido en casi todos los compuestos III-V directos cerca del punto ; v ease [27] para una discusi on detallada), podemos escribir las soluciones a la ecuaci on de Schr odinger en la heterouni on, (r), como sigue (r) =
A n (r)Un (r, k0 ), B n n (r)Un (r, k0 ), n
en A en B
(2.1)
donde Un (r, k0 ) son las funciones de onda de Bloch en la banda n y k0 es el punto de la zona de Brillouin en el que se construyen los estados electr onicos. Si consideramos que z es la direcci on de crecimiento de la heterouni on y que, como anticipamos, existe simetr a translacional en el A plano normal a esta direcci on, podemos escribir las funciones n (r) y B n (r) como sigue 1 A,B n (r) = exp(ik r )A,B n (z ), S (2.2)
donde S es el area de la heterouni on, y k = (kx , ky ) y r = (x, y ). En an lentamente lo sucesivo vamos a suponer que las funciones A,B n (z ) var
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Transporte electr onico y localizaci on sobre distancias grandes comparadas con el par ametro de red, de manera que la funci on de onda electr onica ser a el producto de dos componenetes, una funci on que var a r apidamente las funciones de Bloch en cada uno de los semiconductores, y una funci on que var a lentamente la llamada funci on envolvente. Para ulteriores c alculos tomaremos k0 = 0.
La ecuaci on de Schr odinger para la heterouni on puede escribirse, con las hip otesis que hemos considerado, de la siguiente manera p2 + VA (r)A + VB (r)B (r) = E (r), 2m0 (2.3)
donde A es una funci on que toma el valor 1 si r corresponde al material A y se anula en otro caso; an alogamente se dene B . Multiplicando esta ecuaci on por la izquierda por (r), e integrando a todo el espacio, llegamos a un sistema de N ecuaciones diferenciales acopladas D = E , (2.4)
donde, por brevedad, hemos denido un vector cuyas N componentes son las funciones envolventes A,B n (z ), y el operador diferencial D es una matriz N N cuyos elementos son Dnm = + 2 nm 2m0 2m0 z 2 i k n |p | m n |p z | m m0 m0 z 2 1 , ij 2 i,j ri Mnm rj
A B En (0)A + En (0)B + 2 2 k 2
(2.5)
ij , con i, j = x, y, z , son los tensores de masa efectiva cuyas donde Mnm
Cap tulo 2
2.1 Electrones en heteroestructuras componentes est an dadas por m0 2 ij = m0 Mnm habiendo denido n |p | m =
d3 rUn (r, 0)pUm (r, 0).
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n |pi | |pj | m , A (0) E B (0) E E A B
(2.6)
(2.7)
N otese que en este sistema de ecuaciones s olo hemos retenido los t erminos de segundo orden en p, descartando los t erminos de orden superior. Es importante observar que el sistema de ecuaciones (2.4) tendr a soluciones sencillas si se despreciaran los elementos de matriz n |p| m , dado que en ese caso s olo ser a distinto de cero el t ermino que multiplica la delta de Kronecker, es decir, las ecuaciones estar an desacopladas. Sin embargo, no en todas las situaciones es posible despreciar estos elementos de matriz que recogen la interacci on entre las distintas bandas de los semiconductores, lo que complica indudablemente la soluci on.
2.1.2. Hamiltoniano de Ben Daniel-Duke

Quiz a el modelo m as sencillo para abordar el problema de la estructura electr onica en una heteroestructura de semiconductores es el llamado hamiltoniano de Ben Daniel-Duke. Esta aproximaci on proporciona resultados muy exactos en el caso de sistemas del tipo GaAs-Alx Ga1x As cuando la anchura de las barreras no es excesivamente peque na, y los estados que se consideran son los m as pr oximos al borde inferior de la banda de conducci on m as baja. En este modelo supondremos que, en ausencia de interacci on esp n- orbita, s olo hay contribuci on de t erminos diagonales al operador diferencial D en la ecuaci on (2.4), de manera que los estados de la heteroestructura pueden construirse a partir de los estados de una u nica banda parab olica en cada uno de los distintos semiconductores y
14 la ecuaci on (2.4) queda como sigue V (z )
Transporte electr onico y localizaci on
2 2 d 1 d k + (z ) = E(z ). 2 dz m(z ) dz 2m(z )
(2.8)
N otese que en esta expresi on la masa efectiva m(z ) es dependiente de la posici on. Esto es debido a que, a pesar de considerar s olo t erminos diagonales, el tensor de masa efectiva (2.6) ha de ser calculado a partir de t erminos cruzados de la banda considerada con el resto de bandas pr oximas. En el hamiltoniano de Ben Daniel-Duke, supondremos que la masa dependiente de la posici on se escribe
1 zz 1 m(z )1 = m 0 + (Mcc ) ,
(2.9)
zz donde Mcc es una cantidad obtenida experimentalmente, de manera que las distintas bandas se suponen realmente desacopladas entre s .
Las condiciones de contorno en las intercaras entre distintos semiconductores se reducen a la continuidad de las funciones (z ) y 1 d(z ) , m(z ) dz (2.10)
como puede comprobarse en la ecuaci on (2.8) integrando esta en la regi on de transici on de un material a otro. Por otro lado, las condiciones (2.10) garantizan la conservaci on de la corriente de probabilidad. Por u ltimo, es importante se nalar que el t ermino proporcional a k , presenta al igual que el t ermino V (z ) variaciones en forma de escal on debido a la discontinuidad de la masa efectiva. Sin embargo, su contribuci on suele ser peque na en la mayor parte de los casos (por ejemplo en heteroestructuras de GaAs-AlGaAs o InP-InGaAs). Adem as suelen estudiarse los estados de conducci on en el centro de la banda, cuando k = 0.
Cap tulo 2
2.1 Electrones en heteroestructuras
15
2.1.3. Modelo de dos bandas

Un renamiento mayor en los c alculos de estructura electr onica en heteroestructuras pasa por considerar los efectos de interacci on entre bandas pr oximas. En el llamado modelo de dos bandas, especialmente u til en el caso de semiconductores de intervalo estrecho de energ as prohibidas, se incluyen los efectos de la banda de conducci on y de la banda de valencia de huecos ligeros. Si denotamos por c y v las funciones envolventes asociadas a la banda de conducci on y la banda de valencia respectivamente, entonces el operador D en (2.5) tiene elementos de matriz Dnm =
A B En (0)A + En (0)B nm
+ (1 nm )
k v i vz
, z
(2.11)
donde hemos despreciado el t ermino de energ a cin etica 2 k2 /m0 que habitualmente suele ser peque no, y hemos denido v = c |p | v /m0 y vz = c |pz | v /m0 . En el caso particular en el que k = 0, el sistema de ecuaciones (2.4) puede escribirse i vz Eg (z )/2 + V (z ) E z i vz Eg (z )/2 + V (z ) E z c v
= 0,
donde Eg (z ) es el intervalo de energ as prohibidas y V (z ) es una funci on que describe la posici on del centro del intervalo de energ as prohibidas. N otese que la ecuaci on (2.12) tiene la estructura formal de una ecuaci on de Dirac unidimensional para un electr on relativista. En el caso m as general en el que no hay necesariamente invariancia translacional en el plano normal al eje z se puede demostrar que la ecuaci on para la funci on envolvente en un modelo de dos bandas se puede reescribir como
16
Eg /2 + V E iv ( p) iv ( p) Eg /2 + V E
c v
= 0,
donde = (x , y , z ) es un vector cuyas componentes son las matrices de Pauli, y v es el modulo del elemento de matriz inter-banda del operador velocidad p/m0 . Esta ecuaci on ser a de inter es, como veremos, para calcular la estructura electr onica de heterouniones magn eticas en semiconductores masivos, en las que la aproximaci on de la funci on envolvente es u til para enlazar las soluciones en dos regiones entre las cuales el campo magn etico presenta una discontinuidad.
2.2. Conductancia: la f ormula de Landauer

En 1957, Rolf Landauer public o un famoso art culo [9] que completar a en 1970 [28], en el que presentaba un nuevo punto de vista sobre el transporte de electrones en un sistema unidimensional completamente desordenado. Landauer consider o el material como un complejo centro de dispersi on sobre el que incide un ujo de cargas y, como fruto de esta interacci on, aparece la resistividad del material; de esta forma, encontr o que la conductividad a T = 0 de un conductor estrictamente unidimensional viene dada por e2 G= , (2.12) h 1 en donde es el coeciente de transmisi on del sistema. Esta f ormula fue, en su momento, s olo parcialmente aceptada. Por una lado, la ecuaci on no era obtenida utilizando la ampliamente aceptada teor a de la respuesta lineal, y por otro, una f ormula para el caso estrictamente unidimensional despertaba entonces poco inter es en relaci on con los trabajos experimentales sobre fen omenos de transporte cu antico. En 1980 Anderson y col. [10] abordaron una formulaci on rigurosa de la f ormula de Landauer extendi endola al caso de varias dimensiones. Sin
Cap tulo 2
2.2 Conductancia: la f ormula de Landauer embargo, s olo tuvieron exito en el caso estrictamente unidimensional, con lo cual, a pesar del inter es te orico de este trabajo, tuvo poco impacto en el ambito experimental. A continuaci on varios autores intentaron una revisi on de la f ormula de Landauer en el caso unidimensional, as como su extensi on a varias dimensiones (incluyendo canales de dispersi on transversales) de forma que pudiese usarse en c alculos cuantitativos de las propiedades de transporte en sistemas reales. La propuesta de estos autores era utilizar la f ormula de Kubo basada en la teor a de la respuesta lineal. El primer resultado relevante fue obtenido por Economou y Soukoulis [29], quienes partiendo de la f ormula de Kubo obtuvieron para el caso unidimensional la f ormula G= e2 , h (2.13)
17
que contradec a la f ormula de Landauer (2.12). Poco despu es, Fisher y Lee [11] extendieron este resultado al caso de N canales, obteniendo la expresi on e2 G = Tr tt , (2.14) h en la que t es la matriz de transmisi on que conecta el ujo incidente en los diversos canales a un lado del centro dispersor con el ujo saliente en los canales del otro lado. Observemos que la ecuaci on (2.13) no s olo contradice la ecuaci on de Landauer (2.12), sino que aparentemente contradice la intuici on f sica, que nos dice que un conductor perfecto ( = 1) deber a tener resistencia cero, y por tanto una conductividad innita. Al contrario, la f ormula (2.13) predice que ese conductor perfecto tendr a una resistencia h/e2 . Esto hizo que dicha ecuaci on fuese considerada incorrecta por gran parte de la comunidad cient ca a pesar de no poder encontrarse ning un fallo substancial en los trabajos de Economou y Soukoulis. Muy poco tiempo despu es del trabajo de Fisher y Lee, Engquist y
18
Transporte electr onico y localizaci on Anderson [12] abordaron de nuevo la ecuaci on de Landauer pero desde un punto de vista diferente. En vez de intentar s olo una derivaci on rigurosa a partir de la teor a de la respuesta lineal, su prop osito fue acercarse a las condiciones reales en que son realizados los experimentos de transporte. Concretamente subrayaron que, en general, la corriente a trav es del circuito est a controlada por una resistencia en serie con la muestra de inter es. La ca da de potencial en la muestra se mide a nadiendo dos conexiones a ambos lados de la muestra, lo que se conoce como una medida de cuatro conexiones. Como resultado se recupera la f ormula de Landauer a temperatura cero, consiguiendo Engquist y Anderson adem as encontrar una expresi on v alida a temperatura nita
2
G=
e h
f (E )dE E , f [1 (E )]dE E
(2.15)
donde las integrales se extienden a las bandas permitidas, (E ) es el coeciente de transmisi on y f es la distribuci on de Fermi-Dirac. La f ormula de Landauer no fue totalmente aceptada hasta que B uttiker, en una serie de art culos publicados durante la d ecada de los 80 [1315], proporcion o una extensi on unicada a la f ormula de Landauer para un n umero arbitrario de canales y contactos.
2.3. Sistemas desordenados

2.3.1. Localizaci on de Anderson
En su trabajo pionero publicado en 1958 [17], P. W. Anderson utiliz o un modelo de enlace fuerte para simular un s olido cristalino tridimensional. La energ a de sitio en cada punto de la red es una variable aleatoria que toma valores sobre un cierto rango con una determinada
Cap tulo 2
2.3 Sistemas desordenados distribuci on de probabilidad. Desde un punto de vista matem atico esto supone introducir desorden en los elementos diagonales del hamiltoniano, por lo que a este tipo de desorden se le suele conocer con el nombre de desorden diagonal. La conclusi on principal de Anderson en su trabajo de 1958 fue que en un sistema f sico todos los estados est an localizados si la magnitud del desorden supera un determinado valor cr tico que depende de la dimensi on del sistema. Hablamos de un estado localizado cuando la probabilidad de encontrar al electr on en el sistema es relevante en una regi on limitada del espacio y esta probabilidad decrece (generalmente de manera exponencial) cuando nos alejamos de esta regi on. El valor del desorden en que deber a producirse la transici on no ha podido ser calculado con rigor hasta la fecha en dimensi on arbitraria. En 1969 J. Ziman [30] demostr o que la transici on depend a de la variable espectral, es decir, que con la introducci on de desorden podemos encontrar el espectro dividido mediante dos frentes m oviles que separan los estados localizados de los estados extendidos, deduciendo incluso una correcci on a la estimaci on aproximada del valor del desorden cr tico que hab a realizado Anderson. En el caso unidimensional es posible calcular el valor del desorden cr tico, que resulta ser igual cero. Esto es tanto como decir que para cualquier cantidad de desorden, por peque na que sea, todos los estados est an localizados en sistemas unidimensionales. La primera demostraci on rigurosa de esta propiedad fundamental se debe a Mott y Twose [18]. Finalmente Matsuda e Ishii [31] extendieron esta demostraci on a numerosos modelos de desorden (todos ellos con desorden no correlacionado) con lo que establecieron la idea de que estaba demostrado que para cualquier tipo y cantidad de desorden todos los estados est an localizados en una dimensi on [32]. Un estudio extensivo acerca de localizaci on puede encontrarse en la Ref. [33], y en particular en el art culo de Lee y Ramakrishnan [34], donde se presenta de manera detallada la teor a de escala desarrollada por Abrahams y col. [8]. Esta teor a de escala es el marco te orico est andar para el estudio de la localizaci on en
19
20 sistemas electr onicos desordenados.
2.3.2. Desorden correlacionado

Como acabamos de mencionar, hasta nales de la d ecada de los ochenta se pensaba que en un sistema unidimensional desordenado todos los estados est an localizados. A pesar de que las demostraciones de esta armaci on eran dependientes del modelo, se consideraba que el principio de localizaci on de Anderson era un resultado completamente riguroso. Sin embargo, a mediados de 1990 Dunlap, Wu y Phillips [19] propusieron un modelo desordenado unidimensional que presentaba estados deslocalizados. El modelo, al que bautizaron con el nombre de random dimer model (RDM), es muy simple: para introducirlo, consideremos un modelo de enlace fuerte unidimensional en el que la energ a de sitio solamente pueda tomar dos valores, a y b y la constante de acoplo entre sitios vale t en el caso de pr oximos vecinos y 0 en el resto. En el caso en que la secuencia de energ as de sitio es desordenada, altern andose los valores de a y b de forma totalmente aleatoria, se cumplen las predicciones de la teor a de escala, estando todos los estados localizados. Sin embargo, si introducimos la condici on de que una de estas energ as se asigne aleatoriamente por parejas (d meros) de la red, encontramos N estados extendidos si se cumple la condici on | a b | 2t, siendo N el n umero total de sitios. Por tanto, la fracci on de estados extendidos decrece con el tama no del sistema como 1/ N . El RDM presenta problemas de tipo conceptual, dado que no resulta claro si el u nico estado extendido que aparece en el modelo en el l mite termodin amico un conjunto de medida nula desde un punto de vista matem atico, es relevante para las propiedades de transporte en sistemas f sicos reales. De hecho este modelo fue aplicado para describir un posible mecanismo de transporte en pol meros desordenados con propiedades conductoras sorprendentemente buenas como el polipirrol
Cap tulo 2
2.4 Caracterizaci on del desorden y el poliparafenilo [20] o la polianilina [21], pero los resultados no fueron aceptados como una prueba indiscutible de transporte en un sistema desordenado unidimensional por dos razones fundamentales. Por un lado aparece una falta de control experimental a la hora de construir un pol mero con una estructura espacial determinada, lo que hac a dif cil concluir que realmente la estructura de estos pol meros presentaba un desorden de tipo RDM. Por otro lado, desde un punto de vista te orico, Stephens y Skinner [35] sugirieron que los efectos de deslocalizaci on que introduce el desorden correlacionado desaparecen cuando se consideran los efectos tridimensionales siempre presentes en los pol meros citados, aunque esto u ltimo fue cuestionado por Dom nguez-Adame y col. [36]. Durante la d ecada de los 90 se publicaron un elevado n umero de trabajos te oricos dedicados a claricar el papel que juegan los estados extendidos en sistemas desordenados con desorden correlacionado sobre las propiedades de transporte en dichos sistemas. En particular Dom nguezAdame y col. desarrollaron a lo largo de estos a nos una serie de trabajos dedicados a estudiar el transporte electr onico en SRs semiconductoras con desorden correlacionado [3742], que concluyeron en 1999 con la publicaci on de la primera evidencia experimental de que correlaciones de tipo espacial en el desorden inhiben la localizaci on de estados en sistemas desordenados de baja dimensionalidad [22].
21
2.4. Caracterizaci on del desorden

Para introducir el concepto de estado extendido podemos recurrir a las soluciones a la ecuaci on de Schr odinger en un s olido cristalino innito perfectamente peri odico y sin ning un tipo de desorden. Estas soluciones, obtenidas mediante el teorema de Bloch, son perfectamente peri odicas y tienen un momento bien denido, de manera que son autofunciones extendidas en todo espacio. As , un electr on que ocupa un estado dado por una de estas soluciones puede estar con id entica probabilidad en cada
22
Transporte electr onico y localizaci on uno de los atomos del cristal. Esto es lo que entendemos por un estado extendido. De forma an aloga, llamamos estados localizados a los estados caracterizados por funciones de onda que toman valores distintos de cero u nicamente en una regi on nita del espacio. Para estimar el tama no de esta regi on se dene la longitud de localizaci on, como veremos. Cuando consideramos la localizaci on de estados en el sentido de Anderson, tal y como haremos en este trabajo en adelante, suponemos que las funciones de onda correspondientes a estados localizados son tales que al hacer estad stica sobre distintas realizaciones se verica que (x) (x ) exp (|x x |/) . (2.16)
En esta expresi on llamaremos longitud de localizaci on al par ametro , el cual ofrece una estimaci on del tama no de la regi on espacial en la que se encuentra el electr on que ocupe estados descritos por este tipo de funciones de onda. Otra forma de estimar la longitud de localizaci on es mediante el coeciente de Lyapunov, magnitud mucho m as conveniente desde el punto de vista num erico dado que tiene una relaci on muy sencilla con el formalismo de la matriz de transferencia. En cualquier caso, independientemente de m etodo empleado a la hora de estimar la longitud de localizaci on, en un sistema nito nunca podremos decir con total certeza que un estado es completamente extendido. Para evitar en lo posible esta ambig uedad, emplearemos siempre diferentes formas de caracterizar el grado de localizaci on de los estados, de manera que si bien ninguna de ellas es concluyente por si sola, al estudiarlas en conjunto podremos tener una imagen muy precisa del tipo de estado en cuesti on.
2.4.1. Coeciente de Lyapunov

El coeciente de Lyapunov, (E ), mide el ritmo de decrecimiento de la funci on de onda correspondiente al autoestado de energ a E a lo
Cap tulo 2
2.4 Caracterizaci on del desorden largo del sistema. Por consiguiente, su inverso, 1/, determina la longitud de localizaci on de dicho estado. El coeciente de Lyapunov puede ser denido de diversas formas, cada una de las cuales permite relacionarlo con otras magnitudes de inter es. En concreto, es posible encontrar una relaci on directa entre el coeciente de Lyapunov y la conductividad de Landauer a temperatura cero, utilizando la expresi on de Kirkman y Pendry [43] L (E ) = log (E ), (2.17) 2 donde (E ) es el coeciente de transmisi on y L es la longitud del sistema. Con esta denici on del coeciente de Lyapunov es posible reescribir la conductancia a temperatura cero en unidades de e2 /h como sigue g (E ) = 1 exp
2 L
23
(2.18)
Esta expresi on es muy u til, pues la conductividad es una magnitud medible directamente en los experimentos, a diferencia del coeciente de Lyapunov, y podemos extraer informaci on sobre la longitud de localizaci on de un estado determinando c omo escala la conductancia con el tama no del sistema, lo cual es importante si se pretende realizar un experimento para comprobar la veracidad de los hallazgos te oricos. Como vemos, las expresiones que hemos presentado, tanto para el coeciente de Lyapunov como para la conductancia a temperatura cero, e igualmente la conductancia a temperatura nita, se basan en el conocimiento del coeciente de transmisi on del sistema. Esto hace que, desde el punto de vista num erico, sean muy apropiadas pues en una dimensi on podemos calcular mediante expresiones recurrentes exactas el coeciente de transmisi on para un potencial dado utilizando, por ejemplo, el formalismo de la matriz de transferencia.
24
2.4.2. An alisis multifractal

Las t ecnicas de an alisis multifractal permiten determinar la estructura espacial de una determinada funci on a diferentes escalas. Estas t ecnicas fueron introducidas por Halsey y col. en 1986 [44]. Esencialmente el procedimiento consiste en estudiar c omo escalan con el tama no del sistema los momentos asociados a la funci on en estudio, que en nuestro caso ser a el m odulo al cuadrado de la funci on de onda. La denici on habitual en el caso discreto de los distintos momentos es [45] q (N ) =
N 2q n=1 |n | q, N 2 | | n n=1
(2.19)
con q = 1. Mediante los momentos descritos por la ecuaci on anterior es posible determinar un conjunto de dimensiones generalizadas, Dq , por medio del ajuste q (N ) N (q1)Dq . (2.20) Para el caso de los estados localizados Dq tiende a cero para todo valor de q , mientras que para los estados extendidos es igual a la dimensi on espacial del sistema. El momento de segundo orden 2 (N ) corresponde a la inversa del cociente de participaci on (IPR) introducido por Canisius y van Hemmen en 1985 [46] y que se ha revelado como uno de los instrumentos m as u tiles para determinar el car acter extendido o localizado de un estado. Es f acil deducir de la expresi on (2.19) que para un estado extendido el valor de la IPR tomar a valores peque nos, del orden de 1/N , mientras que para estados localizados la IPR tomar a valores mayores cercanos a la unidad, que se alcanza en el caso l mite en que la funci on de onda est e completamente localizada en un atomo. Por u ltimo debemos se nalar que es posible denir la IPR en el caso
Cap tulo 2
2.4 Caracterizaci on del desorden cont nuo mediante la siguiente expresi on
25
IPR =
dz | (z )|4 ,
(2.21)
supuesto que la funci on de onda est a correctamente normalizada. Cabe destacar que (IPR)1 tiene una interpretaci on f sica muy clara: establece el tama no de la regi on donde la funci on de onda tiene una amplitud apreciable. Por tanto, existe una relaci on directa con la longitud de localizaci on de otras funciones de onda pues no se escoge una dependencia exponencial como la indicada en (2.16).
CAP ITULO 3 Heteroestructuras con modulaci on de composici on

3.1. Introducci on
La idea de fabricar s olidos articiales que den lugar a perles de potencial de formas arbitrarias se remonta a principios de la d ecada de los 70. El trabajo pionero de Esaki y Tsu [1] hubiera sido de escasa utilidad sin un avance paralelo en la tecnolog a de crecimiento de heteroestructuras semiconductoras que, con el advenimiento de la MBE, ha hecho posible el nacimiento de la f sica de los sistemas de baja dimensionalidad y una nueva generaci on de dispositivos optoelectr onicos basados en la posibilidad de dise nar articialmente su estructura electr onica. Entre los dispositivos que pueden obtenerse a partir de una SR semiconductora, uno de especial inter es ser a un ltro pasa banda en energ a de alta eciencia, capaz de transmitir electrones situados en un cierto intervalo de energ as seleccionable. Un dispositivo como este podr a utilizarse para muy diversas aplicaciones, siendo una de las m as interesantes la posibilidad de fabricar un ltro u til para incrementar la eciencia de
28
Heteroestructuras con modulaci on de composici on l aseres de cascada [47,48]. En un l aser de cascada el efecto l aser es debido
Figura 3.1. Esquema del perl de la banda de conducci on de una parte de un l aser de cascada, mostrando las activa y de inyecci on reexi on. Para optimizar el dise no se crecen en serie varias regiones como la indicada en la gura con la etiqueta de periodo del l aser.
a electrones que sufren transiciones entre las subbandas de conducci on de una heteroestructura adecuada. En este tipo de l aseres, un electr on connado en la regi on activa emite un fot on al desexcitarse desde el nivel connado de mayor energ a al estado de menor energ a; el electr on entonces abandona una regi on activa, mediante efecto t unel hasta la siguiente, donde el proceso radiativo se repite. La SR que sirve como sistema de inyecci on-relajaci on a ambos lados de la regi on activa debe servir como ltro pasa banda de energ a para los electrones con energ a igual a la del nivel m as bajo, mientras que debe reejar los electrones con energ a igual a la del nivel m as alto. La regiones de inyecci on-relajaci on usadas normalmente sirven como ltros caracterizados por coecientes de transmisi on del orden de 101 en la banda y del orden de 104 en los intervalos de energ a prohibida [49,50]. Es evidente que la eciencia l aser puede ser mucho mayor si el coeciente de transmisi on en la banda, y fuera de ella, pueden incrementarse y decrementarse respectivamente. Tung y Lee [51] dise naron por vez primera un ltro pasa banda ba-
Cap tulo 3
3.1 Introducci on
0.4
29
0.2
(a)
E(eV)
-0.2
0.3
(b)
E(eV)
0.2
0.1
0 0
200
400
600
800
1000
Z
Figura 3.2. Perl de la banda de conducci on de la SRG propuesta por Tung y Lee (a), y de la SRG propuesta por G omez y col. (b).
sado en SRs de GaAs-AlGaAs con modulaci on de composici on. Estas heteroestructuras pose an un perl de tipo gaussiano tanto en pozos como en barreras. Este dise no impone restricciones a la hora de controlar los par ametros estructurales de la SR para seleccionar la posici on y anchura de las minibandas de conducci on. Adem as debido a las elevadas fracciones de Al necesarias, una SR como esta crecida por MBE presentar a un n umero muy elevado de defectos. Posteriormente al trabajo de Tung y Lee, G omez y col. [52] recuperaron la idea de los primeros proponiendo un nuevo dise no de ltro, la denominada SR gaussiana (SRG) que gracias a que s olo requer a de modulaci on composicional en las ba-
30
Heteroestructuras con modulaci on de composici on rreras, permit a un crecimiento epitaxial m as libre de defectos, adem as de mayores posibilidades de dise no (v ease la gura 3.2). M as tarde, nuestros colaboradores del Paul Drude Instit ut crecieron un dispositivo de este tipo siguiendo nuestras indicaciones, que fue caracterizado opticamente [53] encontr andose un buen acuerdo entre los c alculos te oricos de estructura electr onica y experimentos de fotoluminiscencia (PL) a baja temperatura llevados a cabo sobre las muestras crecidas. Adem as, otros trabajos se han dedicado al estudio del efecto del desorden no intencional sobre el transporte en las SRGs [54], as como al estudio de SRGs con barreras de tipo delta [55]. Por u ltimo, las SRGs se han propuesto como sistema u til para estudiar fen omenos de saturaci on en la transici on metal-aislante [56]. A ra z de nuestros trabajos, otros autores han encontrado dise nos alternativos que presentan propiedades similares a las de nuestro dise no [50].
3.2. Transporte y estructura electr onica

En esta secci on nos proponemos estudiar la formaci on de minibandas en heteroestructuras semiconductoras de GaAs-Alx Ga1x As con modulaci on de composici on de tipo gaussiano. Para ello vamos a analizar la estructura de la curva de transmisi on en estos sistemas compar andola con la de una SR sin modulaci on de composici on (SR uniforme). Tambi en pretendemos estudiar c omo las peculiares propiedades de las SRGs se ven afectadas por la existencia de desorden no intencionado. Obtendremos la curva de corriente frente a voltaje en el caso gaussiano, compar andolo con el caso uniforme y, discutiremos la importancia de los efectos de interacci on a muchos cuerpos (interacci on electr on-electr on) para explicar los espectros de PL observados experimentalmente en SRGs. Finalmente discutiremos un modelo discreto de SRG para cuyo estudio desarrollaremos una t ecnica de renormalizaci on. Adem as vamos a mostrar que esta t ecnica es u til para investigar la transici on localizado-deslocalizado en
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica algunos sistemas aperi odicos.
31
3.2.1. Coeciente de transmisi on

Nos proponemos calcular aqu el coeciente de transmisi on de SRs de GaAs-Alx Ga1x As. Para nuestros prop ositos es suciente estudiar los estados electr onicos m as pr oximos al l mite inferior de la banda de conducci on, usando para ello la aproximaci on de la masa efectiva. Consideraremos en nuestro c alculo una masa efectiva dependiente de la posici on que d e cuenta de la variaci on espacial de la fracci on de Al a lo largo de la muestra (modulaci on de composici on). Por otro lado, por simplicidad, consideraremos que los electrones tienen momento electr onico cero en el plano perpendicular a la direcci on z que es la de crecimiento, de manera que la masa efectiva usada ser a la masa en el valle . En la referencia [57] esta masa efectiva es me = (0,067 + 0,083x)m0 , siendo m0 la masa electr onica, y en donde x 0,45 es la fracci on molar de Al. Con estas aproximaciones podemos escribir la ecuaci on de autovalores para las funciones electr onicas envolventes mediante un hamiltoniano de Ben Daniel-Duke como sigue d 2 dz
2
d m (z )dz
+ U (z ) (z ) = E (z ).
(3.1)
Aqu U (z ) es el perl de la banda de conducci on que viene dado por el desajuste entre los bordes de la banda de conducci on entre GaAs y Alx Ga1x As. Para construir la funci on U (z ) en el caso de la SRG vamos a considerar que la altura de una barrera de Alx Ga1x As centrada 2 en zb est a dada por U0 exp(zb / 2 ) mientras que el fondo de cada pozo yace siempre a la misma energ a, que consideraremos como origen, y que ser a la energ a del borde de la banda de conducci on en GaAs. Esto contrasta, como ya hemos anticipado, con el caso de la SRG propuesta por Tung y Lee [51], en la que tanto barreras como pozos se
32
Heteroestructuras con modulaci on de composici on construyen con Alx Ga1x As estando ambos modulados por una envolvente gaussiana. Desde un punto de vista aplicado, un dispositivo como el de Tung y Lee presenta peor calidad cristalogr aca dado que son necesarias elevadas fracciones molares de Al para construirlo (y por tanto mayores temperaturas del sustrato), siendo adem as menor el rango en los par ametros estructurales con los que es posible jugar. En nuestros c alculos U0 = 0,36 eV, la anchura de las barreras ser a de 1,5 nm y la de los pozos 6,2 nm, mientras que el par ametro es 28,875 nm. La longitud total de la SRG as construida es sucientemente peque na para asegurar que el transporte electr onico tiene lugar en r egimen bal stico, como ha sido mostrado recientemente por Rauch y col. [58]. En esta referencia los autores encontraron que la longitud de coherencia en SRs uniformes de GaAs-Alx Ga1x As es de unos 150 nm. Si consideramos un n umero de barreras de N = 15, la longitud de nuestra SR es de unos 110 nm, de manera que podemos suponer que el transporte en los ejemplos que vamos a estudiar es coherente. La gura 3.3 muestra el perl de la banda
0,4
0,3
Energa(eV)
0,2
0,1
0 -600 -400 -200 0 200 400 600
z(nm)
Figura 3.3. Perl de la banda de conducci on de una SRG construida con los par ametros estructurales usados en los c alculos.
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica de conducci on correspondiente a estos valores para una SRG construida con los par ametros estructurales que hemos seleccionado. Es posible relacionar los valores de la funci on envolvente a ambos lados de cualquier barrera, digamos la n- esima, usando para ello la matriz de transferencia 2 2 M (n), cuyos elementos pueden escribir (n) n [3, 40]. Si (n) n y M12 (n) = M21 se como M11 (n) = M22 N es el n umero total de barreras, la matriz de transferencia completa de la heteroestructura puede escribirse a partir del producto T (N ) = M (N )M (N 1) . . . M (1). Ahora bien, es posible calcular el elemento AN = T11 (N ) f acilmente usando la relaci on de recurrencia [40] An =
n + n 1
33
n n1
An1
n n1
An2 ,
(3.2)
junto con las condiciones iniciales A0 = 1 A1 = 1 . El conocimiento de AN nos permite obtener el coeciente de transmisi on a una energ a dada 2 E , = |AN | . Podemos observar en la gura 3.4(a) el coeciente de transmisi on calculado en funci on de la energ a de los electrones incidiendo en la SRG desde uno de los contactos. Se observa la aparici on de dos minibandas por debajo de la barrera m as alta, a 0,35eV. Puede observarse tambi en c omo el valor del coeciente de transmisi on es practicamente 1 para todas las energ as dentro de la minibanda. Esta caracter stica es muy peculiar en esta clase de dispositivos dado que el n umero de barreras es muy peque no. En el caso de una SR uniforme, es decir sin modulaci on de composici on o de tipo Kronig-Penney, con los mismos par ametros estructurales, se observa tambi en la presencia de dos minibandas, centradas en la misma energ a, pero al contrario de lo que ocurr a en el caso de la SRG, la probabilidad de transmisi on ahora no es constante, sino que oscila fuertemente en funci on de la energ a [ver gura 3.4(b)]. La interesante propiedad que acabamos de mostrar en el caso de las SRG hace de ellas un candidato optimo como dispositivo de ltro pasa banda en energ as, ya que su transmitividad, y por extensi on su conduc-
34
1.0
Heteroestructuras con modulaci on de composici on
(a) 0.8 0,6
0.4 0.2 0 1.0 0.8 0.6 (b)
0.4 0.2 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4
E(eV)
Figura 3.4. Coeciente de transmisi on para una SRG (a), y una SR uniforme (b). Se observa la aparici on en los dos casos de dos minibandas por debajo de la barrera m as alta,indicada por la l nea discont nua vertical.
tancia, presenta un mejor comportamiento para dicho n que las tradicionales SR sin modulaci on de composici on. La idea de modular mediante una gaussiana alg un parametro estructural en heteroestructuras de distinta naturaleza ha resultado ser de utilidad. As , en la referencia [59], se discute la validez de un ltro optico en la regi on de los rayos X, para el que se propone una multicapa met alica con modulaci on gaussiana en los ndices de refracci on: en este trabajo se observa como la reectividad optica en la regi on de los rayos X mejora (banda plana de reectividad sobre un mayor rango de longitudes de onda) en el caso de una multicapa con modulaci on gaussiana respecto al caso uniforme, pudi endose seleccionar la regi on del espectro en la que el espejo es efectivo cambiando el
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica valor de la dispersi on de la funci on moduladora (ver gura 3.5).
1.0 0.5 0 1.0 0.5 0 1.0 0.5 0 50 100 150 200 250 =50 =100
35
Uniforme
Reflectividad
()
Figura 3.5. Reectividad en la regi on de los rayos X de multicapas (102 periodos) no absorbentes con dos capas por periodo (A y B) de ndices de refracci on nA = 0,9200 y nB = 0,9995, respectivamente, y anchuras dA = dB = 50 A. La gura muestra los resultados para el caso uniforme en el que nB = 0,9995 es constante a lo largo de toda la estructura (panel superior), y el caso gaussiano en el que N var a a lo largo de la estructura con una envolvente gaussiana, de dispersi on = 100 y = 50 (panel inferior).
3.2.2. Efectos del desorden

En la anterior secci on hemos supuesto para el c alculo del coeciente de transmisi on que las SRs estudiadas estaban libres de defectos e imperfecciones. Sin embargo, durante el proceso de crecimiento de estas heteroestructuras es inevitable la aparici on de una cierta cantidad de desorden que, como es bien sabido, tiene importantes efectos sobre sus propiedades de trasporte [49, 50, 60]. En el caso concreto de las SRGs
36
Heteroestructuras con modulaci on de composici on una peque na cantidad de desorden no intencional puede ser particularmente cr tica en lo que se reere a las peculiares propiedades de estas como ltro pasa banda, m as a un teniendo en cuenta lo estrecho de las barreras que se han considerado. Es por ello que se hace necesario hacer una estimaci on de hasta que punto las sorprendentes propiedades de las SRGs son robustas frente a la existencia de desorden en las muestras, y de qu e precisi on es necesaria sobre los par ametros estructurales para que estas no se pierdan. Si seguimos el criterio de M ader y col. [61], el desorden en las SRs puede clasicarse en dos grandes categor as: desorden lateral y desorden vertical. El desorden vertical aparece siempre que el grosor de las l aminas o la fracci on molar de las especies que forman alguna de las capas (la fracci on molar de Al, x, en el caso de las SRGs) uct uan en torno a sus valores nominales. El desorden vertical destruye la periodicidad de una SR uniforme a lo largo de la direcci on de crecimiento. En lo que se reere al desorden lateral, encontramos esta clase de desorden siempre que uno de los semiconductores (digamos A) penetra dentro del otro (digamos B), y viceversa, apareciendo islas y escalones en la intercara entre los dos materiales. As , aparecen intercaras rugosas en las que se rompe la simetr a translacional en el plano normal a la direcci on de crecimiento. Ambos tipos de desorden aparecen durante el proceso de crecimiento de la heteroestructura. Comenzaremos estudiando el desorden vertical. Para ello vamos a considerar la variaci on en el grosor de las l aminas de los distintos materiales n n permitiendo que sus anchuras wb y wp (las anchuras de la n- esima barrera y del n- esimo pozo respectivamente), uct uen en torno a sus valores nominales, wb y wp , de acuerdo con la ley
n = wb (1 + W wb n ),
(3.3)
n n = wb + wp . Aqu W es un con la condici on adicional de que wb + wp
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica par ametro positivo que mide la uctuaci on m axima de la anchura, mientras que los par ametros n son n umeros aleatorios no correlacionados con valor absoluto menor o igual que 1/2. De forma m as precisa, si P ( n ) es la funci on de distribuci on de probabilidad de la variable aleatoria n , tenemos 1, si | n | < 1 2 P ( n) (3.4) 0, en otro caso. De la misma manera describiremos las uctuaciones en la fracci on molar n n n n de Al: x = x0 (1 + Y n ), y por tanto, Ub = U0 (1 + Y n ), donde xn es el valor de la fracci on molar de Al en la barrera n- esima, xn 0 es su n valor nominal, Ubn es la altura en energ a de la barrera n- esima, U0 el valor nominal de esta, e Y es un par ametro positivo que controla el valor m aximo de las uctuaciones. Unos valores dados de W e Y y de las secuencias de n umeros aleatorios { n } identican de forma u nica un perl de potencial y por tanto una SRG. Nos proponemos a continuaci on dar una descripci on estad stica de las propiedades de transmisi on de las SRGs con desorden no intencional. Para ello procederemos como sigue: 1. Construiremos M perles de potencial a partir de M secuencias aleatorias { n } y calcularemos las correspondientes curvas de transmisi on i (E ), i = 1, . . . , M como lo hicimos en la secci on anterior 2. Calcularemos, para cada valor de la energ a E , el valor medio (E ), as como la desviaci on s(E ) del coeciente de transmisi on. Hemos realizado distintos c alculos con varios valores del grado de desorden (amplitud m axima de la uctuaci on) W . Para cada valor de W se han considerado M = 100 realizaciones del desorden. Podemos observar on en la gura 3.6 el coeciente de transmisi on promedio (E ) y la desviaci est andar s(E ) en los casos W = 0,2, 0,4, y 0,6. Es importante se nalar que M = 100 es un n umero sucientemente grande de realizaciones para dar una descripci on estad sticamente able. De hecho es posible calcular que
37
38
1.0
w=0.2
0.5
0 1.0
0.5
w=0.4
0 1.0
0.5
w=0.6
0,1
0,2
0,3
0,4
E(eV)
Figura 3.6. Efecto del desorden vertical sobre el coeciente de transmisi on en una SRG para distintos valores del par ametro de desorden W . La l nea continua muestra el coeciente de transmisi on promediado sobre 100 realizaciones del desorden, mientras que la l nea discontinua muestra la desviaci on est andar en funci on de la energ a.
existe una probabilidad igual a 0.997 de que el valor medio del coeciente de transmisi on se encuentre en el intervalo[ 3s/ M , + 3s/ M ]. Con M = 100, este intervalo es de un tama no insignicante comparado con la desviaci on est andar. La gura 3.6 muestra claramente que las sorprendentes propiedades de las SRGs como ltros pasa banda permanecen inalteradas hasta valores del grado de desorden tan grandes como W = 0,4. Para valores mayores estas propiedades se degradan cada vez m as. Para W = 0,4, en el caso que consideramos, la uctuaci on m axima en la anchura de las barreras es de 6A. Esta anchura es del orden de la anchura de dos monocapas at omicas depositadas durante el proceso de crecimiento. La curva de desviaci on est andar nos muestra que la variaci on
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica del coeciente de transmisi on de una muestra a otra (de una realizaci on del desorden a otra) presenta sus valores m aximos en los extremos de la banda. En el centro de la banda el coeciente de transmisi on se ve menos afectado por el desorden. Lo que no nos muestra la curva de desviaci on est andar es si, para una realizaci on dada del desorden, la transmisi on en los bordes de la banda es suave, o por el contrario oscila. En la gura 3.7 mostramos las curvas
1.0 0.8
39
a)
w=0.2 w=0.4 w=0.6
0.6 0.4 0.2 0.0 1.0 0.8
b)
w=0.2 w=0.4 w=0.6
0.6 0.4 0.2 0.0 0 0,1 0,2 0,3
0,4
0,5
E(eV)
Figura 3.7. Coeciente de transmisi on para dos realizaciones particulares del desorden vertical (a) y (b). En cada una de las dos guras mantenemos la misma secuencia { n }, mientras que se var a el par ametro de desorden W .
de transmisi on para distintos grados de desorden y dos realizaciones (a) y (b) de este. Estas curvas muestran claramente el efecto destructivo del desorden. Tambi en es posible observar c omo el efecto del desorden no implica necesariamente oscilaciones en la transmisi on en los bordes de la banda. De nuevo observamos c omo para valores grandes del grado de desorden W , para una realizaci on particular del desorden, las propiedades
40
Heteroestructuras con modulaci on de composici on de ltrado se degradan r apidamente. A pesar de ello, como se observa en la gura 3.8, estas propiedades continuan siendo mejores en el caso de una
1.0
Gaussiana Uniforme
0.8
0.6
0.4 0.2 0.0 0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
E(eV)
Figura 3.8. Coeciente de transmisi on para una SRG y una SR uniforme desordenadas, siendo el grado de desorden W = 0,4 en ambos casos.
SRG respecto al caso de una SR uniforme. En esta gura representamos el coeciente de transmisi on promediado sobre M = 100 realizaciones de una SRG frente al promediado en el caso de una SR uniforme. Hasta ahora s olo nos hemos preocupado del desorden vertical, pero el desorden puede ser lateral tambi en. En general es bastante dif cil obtener resultados en el caso del desorden lateral (v ease el cap tulo 5), dado que este problema es estrictamente tridimensional. Sin embargo podemos simplicar el problema en el caso en que D, el tama no promedio de las islas, no es particularmente peque no. Para ello dividiremos la SR en Q canales de tama no transversal d. Si escogemos d de manera que d < D cada canal resulta ser, para un electr on incidente, uniforme en la direcci on
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica transversal. Mostramos esta situaci on en la gura 3.9. Podremos ignorar
e
canal
41
wb
z
Figura 3.9. Divisi on de la SR en Q canales de tama no d en la direcci on transversal. Si escogemos d de manera que d < D, donde D es el tama no promedio de las irregularidades de la supercie, cada canal ser a, en apariencia, uniforme en la direcci on transversal para un electr on incidente. En la gura e es la longitud de onda del electr on incidente, wb es la anchura nominal de la barrera y z es la direcci on de crecimiento de la SR.
la difracci on de los electrones fuera de un canal siempre que e L < d, d (3.5)
donde L es la longitud total de la SR, y e la longitud de onda de De Broglie del electr on. Con esta aproximaci on suprimimos la posibilidad de fen omenos de interferencia entre distintos canales. Con L 100 nm y una energ a de los electrones incidentes Ez 0, 04 eV, la ecuaci on (3.5) se satisface para d 50 nm. Adem as estamos suponiendo que el recorrido libre medio electr onico en la direcci on transversal es menor que el tama no de las islas le D. Dentro de cada canal el problema del transporte puede ahora resolverse en t erminos de desorden vertical: cada canal tendr a unos valores determinados para la anchura de pozos y barreras y el coeciente de transmisi on para cada canal C podremos
42
Heteroestructuras con modulaci on de composici on calcularlo como hemos venido haciendo hasta ahora. Teniendo en cuenta que hemos dividido la SR en Q canales, el coeciente de transmisi on de una realizaci on determinada del desorden lateral es entonces 1 L = Q
Q
C,i ,
i=1
(3.6)
donde C,i es el coeciente de transmisi on del canal i- esimo. De nuevo vamos a caracterizar la distribuci on de valores para el coeciente de transmisi on a una energ a dada mediante su valor medio L (E ) y su desviaci on est andar sL (E ). Estas cantidades pueden ser expresadas, a partir de su denici on y de la ecuaci on (3.6), en t erminos de C (E ) y sC (E ), es decir del valor medio y de la desviaci on est andar del coeciente de transmisi on de un canal. As obtenemos L (E ) = C (E ) y sL (E ) = sC (E )/ Q , donde Q es el n umero de canales no correlacionados. Dado que el tama no transversal de la regi on en la que el grosor de la barrera es del orden de D, se tiene que Q (area total)/D2 . El desorden vertical tiene un impacto m as profundo sobre la curva de transmisi on que el desorden lateral. De hecho, incluso aunque la curva de transmisi on promedio es pr acticamente la misma en ambos casos como es natural, la desviaci on est andar tiene valores mayores en el caso del desorden vertical. Podemos ejemplicar esto considerando que t picamente las dimensiones laterales de una SR son del orden de 100 m [58]. Tomando D 50nm obtenemos una desviaci on est andar 4 para el desorden lateral 10 veces m as peque na que en el caso vertical. Las uctuaciones en la fracci on molar de Al en las barreras son, como ya hemos dicho, otra fuente de desorden vertical. Sin embargo es posible mostrar c omo estos apenas inuyen en la calidad de la SRG y en su capacidad como ltro pasa banda. En la gura 3.10 mostramos el coeciente de transmisi on calculado para una uctuaci on en la fracci on molar de Al de un 10 %, bastante mayor de las encontradas en procesos
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica de crecimiento por MBE. Como se puede ver, este desorden no modica de forma signicativa el coeciente de transmisi on.
1.0
43
0.8 Y=0.1 0.6
0.4 0.2 0.0 0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
E(eV)
Figura 3.10. Efecto de la uctuaci on de la fracci on molar de Al sobre la curva de transmisi on de una SRG. La l nea cont nua nos muestra el coeciente de transmisi on promediado sobre 100 realizaciones del desorden, mientras que la l nea a trazos nos muestra la desviaci on est andar del coeciente de transmisi on en funci on de la energ a. El grado de desorden considerado es Y = 0,1.
3.2.3. Caracter stica j V

Hasta ahora hemos estudiado u nicamente el coeciente de transmisi on de las SRGs. Esta cantidad es de utilidad dado que, esencialmente, es equivalente a la conductancia a temperatura cero. Ahora estamos, sin embargo, interesados en encontrar una magnitud f sica susceptible de ser observada experimentalmente de forma directa. Por ello, a continuaci on vamos a calcular las curvas de corriente-voltaje en medidas de dos
44
Heteroestructuras con modulaci on de composici on contactos tanto para una SRG como para una SR uniforme a distintas temperaturas. La densidad de corriente unidimensional a temperatura T para una SR sometida a un campo el ectrico uniforme puede calcularse en el marco de un modelo de estado estacionario [62, 63] mediante la siguiente expresi on m ekB T N (E, V ) (E, V )dE, (3.7) j (V ) = e 2 3 2 0 donde V es el potencial aplicado, y kB es la constante de Boltzman. N (E, V ) es una funci on estad stica que tiene en cuenta la ocupaci on de los estados en los contactos de la SR, de acuerdo con una distribuci on de Fermi, y que est a dada por N (E, V ) = ln 1 + exp[(EF E )/kB T ] 1 + exp[(EF E eV )/kB T ] , (3.8)
siendo EF el nivel de Fermi en el contacto que se encuentra a mayor potencial, que supondremos para este c alculo que coincide con el borde de la banda de conducci on del GaAs. El coeciente de transmisi on para un valor del voltaje dado V , (E, V ) lo obtendremos discretizando la ecuaci on (3.1) en la que sustituiremos el potencial U (z ) por U (z ) = U (z ) eV z/L en el que el t ermino lineal da cuenta de un campo el ectrico uniforme aplicado [64]. Supondremos que el campo el ectrico es aplicado u nicamente en el interior de la SR, mientras que se hace cero en los contactos. Para la discretizaci on consideraremos el intervalo [0, L] como una malla de puntos zk ks, en donde s ser a la constante de red de la malla. De esta forma, la versi on discretizada de la ecuaci on (3.1) puede reescribirse en forma matricial de la siguiente manera (zk+1 ) (zk ) k 1 1 0 (zk ) (zk1 ) Pk (zk ) (zk1 ) , (3.9)
2 2 donde k 2+(2m e s / )[U (zk ) eV zk /L E ]. Expresada de esta forma
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica matricial, la ecuaci on (3.1), es susceptible de ser resuelta mediante un m etodo de matriz de transferencia. De hecho, iterando (3.9) obtenemos (zNs +1 ) (zNs ) = PNs . . . P0 (z0 ) (z1 ) T (Ns ) (z0 ) (z1 ) , (3.10)
45
donde T (Ns ) es la matriz de transferencia global y Ns es el n umero total de puntos en la discretizaci on de la SR. La cantidad T (Ns ) es real y relaciona los valores de la funci on envolvente en presencia de un voltaje aplicado a ambos extremos de la SR. La soluci on de la ecuaci on (3.1) en la regi on libre de campo puede escribirse como (zk ) = eiqi k + reiqi l k 0, teiqd k k Ns , (3.11)
2 2 y q 2m donde, para valores peque nos de s, qi d e Es / 2 2 2m e (E + eV )s / . Usando las ecuaciones (3.10) y (3.11), encontramos que el coeciente de transmisi on viene dado por
(E, V ) = con
2 sen (qi ) sen (qd ) , D(E, V )
(3.12)
2 2 2 2 D(E, V ) T11 + T12 + T21 + T22 +2(T11 T12 + T21 T22 ) cos qi 2(T11 T21 + T12 T22 ) cos qd 2(T11 T22 + T12 T21 ) cos qi cos qd +2 sen qi sen qr ,
donde, por brevedad, se ha omitido la dependencia de Tij en Ns . Teniedo en cuenta que T (k ) = Pk T (k 1) y que T (0) = P0 es posible encontrar
46
Heteroestructuras con modulaci on de composici on las siguientes relaciones de recurrencia: T11 (k ) = k T11 (k 1) T11 (k 2), T12 (k ) = k T12 (k 1) T12 (k 2), T21 (k ) = T11 (k 1), T22 (k ) = T12 (k 1), k = 1, 2, . . . , Ns .
(3.13)
Estas ecuaciones recursivas junto con las condiciones iniciales Tij (1) = ij , T1 1(0) = 0 , T12 (0) = 1, T21 (0) = 1, y T22 (0) = 0, nos van a permitir calcular el coeciente de transmisi on usando (3.12). Una vez calculado num ericamente el coeciente de transmisi on, podemos determinar la curva de corriente-voltaje a partir de la ecuaci on (3.7). En la gura 3.11 mostramos la curva j V tanto para una SRG como para una SR uniforme a dos temperaturas distintas (77 y 300K). Lo prime200 150 300K Gaussiana Cuadrada
j (u.a.)
100 50 0 20 15
77K x100
j (u.a.)
10 5 0 0
0.05
0.10 0.15 Voltaje aplicado (V)
0.20
Figura 3.11. Curvas de corriente frente a voltaje para una SRG (l nea continua) y para una SR uniforme (l nea a trazos), calculadas a dos valores distintos de la temperatura, T = 300K y T = 77K.
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica ro que se observa es que las densidades de corriente encontradas en la SRG llegan a ser ordenes de magnitud mayor que las encontradas para la SR uniforme. Tambi en se puede observar en las guras la aparici on en las curvas de regiones de resistencia diferencial negativa para ambas SRs, aunque las tasas pico-valle son muy distintas en los dos casos. En particular las tasas pico-valle en el caso gaussiano son 40 y 20 a 77 y 300K respectivamente. Estos resultados corroboran a un m as la idea de que las SRGs constituyen un buen candidato como dispositivo de ltro en energ as.
47
3.2.4. Interacci on electr on-electr on: experimentos de PL

Durante el desarrollo de esta tesis, y en colaboraci on con los grupos del Dr. Rudolf Hey del Paul Drude Institu f ur Festk orperelektronik (Berl n) y del Dr. Vittorio Bellani del Dipartimento di Fisica A. Volta (Universit a di Pavia), se crecieron y caracterizaron mediante medidas opticas de PL a baja temperatura, muestras de SRG y SR uniforme. Las muestras fueron crecidas por MBE, y las tablas 3.1 y 3.2 muestran los par ametros estructurales y de composici on que fueron considerados en cada una de las dos SRs. Semiconductor GaAs:Si Al0,3 Gas0,7 As:Si Al0,014 Gas0,986 As GasAs Al0,036 Gas0,964 As GasAs Al0,079 Gas0,921 As GasAs Al0,15 Gas0,85 As Dopado 6 1018 cm3 4 1018 cm3 Tama no 3,0 nm 100.0 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm
48
Heteroestructuras con modulaci on de composici on Semiconductor GasAs Al0,247 Gas0,753 As GasAs Al0,352 Gas0,648 As GasAs Al0,436 Gas0,564 As GasAs Al0,468 Gas0,532 As GasAs Al0,436 Gas0,564 As GasAs Al0,352 Gas0,648 As GasAs Al0,247 Gas0,753 As GasAs Al0,15 Gas0,85 As GasAs Al0,079 Gas0,921 As GasAs Al0,036 Gas0,964 As GasAs Al0,014 Gas0,986 As Al0,3 Gas0,7 As:Si GaAs:Si n+ - GaAs
Cuadro 3.1. de Al.
Dopado
Tama no 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm
4 1018 cm3 4 1018 cm3
100.0 nm 50,0 nm
Par ametros estructurales de la SRG usada en los
experimentos de PL. N otese la ausencia de uniformidad en la fracci on
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica Semiconductor GaAs:Si Al0,3 Gas0,7 As:Si Al0,35 Gas0,65 As GasAs Al0,35 Gas0,65 As Dopado 6 1018 cm3 4 1018 cm3 Tama no 3,0 nm 100.0 nm 1.5 nm 6.2 nm 1.5 nm . . . 14 4 1018 cm3 4 1018 cm3 100.0 nm 50,0 nm
49
Al0,3 Gas0,7 As:Si GaAs:Si n+ - GaAs

Cuadro 3.2.
Par ametros estructurales de la SR uniforme usada en
los experimentos de PL.
En la gura 3.12 podemos observar los espectros de emisi on de PL obtenidos a una temperatura de 4K tanto para la SRG como para la SR uniforme. Los espectros de emisi on fueron realizados con un l aser de Argon ( = 514,5 nm), siendo la densidad de potencia luminosa sobre la muestra de unos 2,5 W/cm2 . La luz emitida por las muestras fue detectada usando un detector de PbS enfriado, mediante una t ecnica convencional de lock-in, y analizada con un monocromador Jobin Yvon-Spex HR 460 de 0,5 m. En los resultados cabe destacar un claro desplazamiento a menores energ as del m aximo de PL en el caso gaussiano frente al uniforme. Este desplazamiento es provocado, evidentemente, por la distinta estructura electr onica de las dos SRs. Debido a las concentraciones de dopado en los reservorios de las muestras de los experimentos, se hace necesario un estudio de la estructura electr onica de las SRs que tenga en cuenta el efecto de la interacci on electr on-electr on en ellas. En esta secci on nos proponemos realizar un c alculo te orico de tipo autoconsistente
50
Heteroestructuras con modulaci on de composici on de la estructura electr onica de las SRs que incorpore este tipo de interacci on, comprobando si nuestros resultados se ajustan a los observados en la gura 3.12.
10000 8000 (a) uniforme
I(cts/sg)
6000 4000 2000 0 3000 2500 1.56 1.57 (b) gaussiana 1.58 1.59
I(cts/sg)
2000 1500 1000 500 0 1.50 1.51 1.52 1.53 1.54
E(eV)
Figura 3.12. Espectros de PL obtenidos para una SRG y una SR uniforme a T = 4K. N otense las distintas escalas de energ as.
A continuaci on vamos a desarrollar un m etodo autoconsistente de diagonalizaci on del hamiltoniano electr onico de la SR, que nos permitir a calcular los autoestados electr onicos de esta y, a partir de ellos, de forma aproximada, la energ a de las transiciones interbanda que nos dan la posici on en el espectro del pico de PL. La ecuaci on de partida para el c alculo autoconsistente ser a la ecuaci on para la funci on envolvente d2 2 + U (z ) (z ) = E (z ), 2m dz
2
(3.14)
en la que m ser a la masa efectiva, bien electr onica m e en la banda de conducci on, bien de huecos pesados m otese hp en la banda de valencia. N
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica que en el presente c alculo vamos a utilizar por simplicidad una masa efectiva homog enea a lo largo de la SR. En nuestra ecuaci on de partida sustituiremos el t ermino de potencial U (z ) por un nuevo t ermino U (z ) que constar a de distintas contribuciones U (z ) U (z ) U (z ) + UCC (z ) + UH (z ), (3.15)
51
donde UCC , es el t ermino local de canje-correlaci on, y UH es el t ermino de Hartree. El potencial de canje-correlaci on obtenido mediante la parametrizaci on de Hedin-Lundquist [65] es UCC (z ) = 1 Ry 1 + 0,7734r(z ) ln 1 + 10,5r(z ) r (z ) , (3.16)
donde = (4/9 )1/3 y r(z ) = 1 21 4 3 a n(z ) 3

1/3
Aqu n(z ) es la densidad electr onica local, y Ry = e2 /8 0 a y a = 4 0 2 /m son la constante de Ryberg y radio de Bohr efectivos respectivamente. La constante diel ectrica local , al igual que la masa efectiva, supondremos que no depende de la coordenada espacial z . El potencial de Hartree UH (z ) lo obtendremos por integraci on de la ecuaci on de Poisson unidimensional en la que las fuentes de potencial son, por un + lado la densidad de donadores ionizados en los reservorios, ND (z ), que no coincide necesariamente con la densidad de dopado, y por otro lado la densidad electr onica en la SR, n(z ), d2 UH (z ) e + n(z )]. = [ND 2 dz 0 (3.17)
La condici on de contorno a aplicar a esta ecuaci on ser a la anulaci on de UH fuera de la SR y los reservorios. La densidad electr onica puede escribirse
52 como
n(z ) =
j
nj |j (z )|2 ,
(3.18)
donde el ndice j etiqueta los distintos autoestados de la ecuaci on (3.14), y nj es la funci on de ocupaci on del nivel j- esimo que est a dada por la siguiente expresi on nj = kB T m ln 1 + exp 2 EF Ej kB T , (3.19)
siendo Ej la energ a del nivel j- esimo. Esta forma de plantear el problema impone la necesidad de una soluci on autoconsistente, dado que la densidad electr onica depende del valor local de las funciones envolventes, mientras que estas a su vez se calculan a partir del potencial de Hartree para cuyo c alculo es necesaria la densidad electr onica. El proceso de autoconsistencia puede caracterizarse mediante un esquema iterativo. Si usamos el super ndice i para denotar todas las cantidades calculadas en el paso i- esimo del procedimiento iterativo, entonces un paso del m etodo autoconsistente puede describirse como sigue:
i i 1. Calculamos el potencial U i (z ) = U (z ) + UC C (z ) + UH (z ).
2. Diagonalizamos el Hamiltoniano en la ecuaci on (3.14) obteniendo i i as j (z ) y Ej . 3. Calculamos el nivel de Fermi en los contactos a partir de la expresi on
N
+ ND
=
j =1
ni j.
4. Calculamos ni (z ) a partir de la ecuaci on (3.18).

i+1 i+1 5. Calculamos UH (z ), as como UCC (z ), a partir de la ni (z ) calculada con anterioridad.
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica 6. Comprobamos si se satisface la condici on de autoconsistencia. En nuestro caso esta condici on consiste en que la contribuci on de Hartree al hamiltoniano sea igual, dentro de una cierta tolerancia, en dos pasos consecutivos, esto es
i+1 i (z )| |U H ( z ) UH 100 < , i+1 |UH (z )|
53
donde es la tolerancia expresada en tanto por ciento. 7. Si la condici on de autoconsistencia no se alcanza, entonces redei+1 i+1 i (z ), nimos el potencial de Hartree UH (z ) UH (z ) + (1 )UH hacemos i i + 1 y volvemos al punto 1. 8. En el caso de que se alcance la condici on de autoconsistencia harei i mos j (z ) j (z ) y Ej Ej y nalizamos el c alculo autoconsistente. El par ametro que aparece en el punto 7 se introduce para controlar la convergencia del m etodo autoconsistente. Se sabe, por ejemplo, que en el caso = 1, este m etodo autoconsistente no converge para densidades + de dopado ionizado tales que ND 1012 cm2 . Una buena elecci on para densidades de donores ionizados no muy elevadas, como es el caso que nos ocupa, es = 0,5. En la gura 3.13 mostramos los resultados obtenidos para los autoestados y autonerg as de electrones y huecos pesados en el borde de las bandas de conducci on y valencia, respectivamente, en el caso de la SRG. La diferencia de energ a entre estos estados es de 1,53 eV, en buen acuerdo con lo observado en el experimento de PL (gura 3.12). Esta misma diferencia de energ a calculada en el caso de la SR uniforme es de 1,58 eV (v ease la gura 3.14), de nuevo en muy buen acuerdo con en el experimento.
54
400 300 200 100 0 1.53 eV 100 0 100 200 300
E 00 = 14.52 meV + E 10 = 43.31 meV
Energa (meV)
E HP0 = 0.01 meV + E HP0 = 10.64 meV
50
100
150
200
z (nm)
Figura 3.13. Niveles de energ a de electrones y huecos pesados para una SRG a T = 4K. Se muestran las funciones envolventes correspondientes al estado fundamental y el primer estado excitado. Tambi en se ha representado los perles de las bandas de conducci on y de valencia obtenidos autoconsistentemente.
3.2.5. Modelo discreto

En esta secci on estamos interesados en investigar un modelo de SRG en la que las barreras de potencial son del tipo delta de Dirac. El inter es por este modelo es doble. Por un lado hay un inter es pr actico, dado que un modelo como este simula una SRG con modulaci on de dopado de tipo delta. Por otro lado la herramienta matem atica que vamos a desarrollar para estudiar el sistema resulta de utilidad, como veremos, para el estudio de la transici on localizado-deslocalizado en sistemas aperi odicos, en particular en sistemas descritos mediante la ecuaci on de Harper.
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica

Temp = 4 K
300 200 100 0 1,58 eV
E 10 = 40.14 meV E 10 = 41.25 meV
+
55
Energa (meV)
100 0
E HP0 = 12.92 meV + E HP0 = 20.10 meV
100
200
50
100
150
200
z (nm)
Figura 3.14. Niveles de energ a de electrones y huecos pesados para una SR uniforme a T = 4K. Se muestran las funciones envolventes correspondientes al estado fundamental y el primer estado excitado. Tambi en se han representado los perles de las bandas de conducci on y de valencia obtenidos autoconsistentemente.
Nuestro punto de partida ser a la ecuaci on para la funci on envolvente electr onica en una SR d2 (z ) + 2m dz 2
2 n (z n
na) (z ) = E (z ),
(3.20)
donde a equivale al periodo de la SR, y n al area de las barreras. Para los n vamos a considerar la siguiente expresi on
n
= 2 cos [2(n n0 )] exp
(n n0 )2 . 2 2
(3.21)
56
Heteroestructuras con modulaci on de composici on Esta expresi on se reduce en el caso = 0 a la de la altura de las barreras en una SRG con barreras de tipo delta, mientras que para = ( 5 1)/2, la inversa de la secci on aurea, y en el l mite , la ecuaci on (3.20) con n as denido se transforma en la ecuaci on de Harper. La ecuaci on (3.20) puede ser convertida, mediante una transformaci on de Poincar e [37, 66], en una ecuaci on de tipo enlace fuerte de la forma n+1 + n1 En n = 0, donde En =
n
(3.22)
sen (k ) cos(k ), k
2 2
(3.23) k /2m .
siendo k el vector de onda dado por la ecuaci on E =
Estamos interesados ahora en resolver la ecuaci on (3.22) en el caso gaussiano, es decir, con un valor nito de . Podemos considerar el potencial gaussiano como un defecto local no puntual conectado a dos redes semi innitas en las que hay transmisi on perfecta. Para calcular la transmitividad de este sistema vamos a tratar de eliminar el defecto local gaussiano, aprovechando la simetr a de este, de manera que, una vez eliminado, el c alculo del coeciente de transmisi on del sistema se reduzca al de un sistema renormalizado consistente en una red uniforme con un u nico defecto de tipo dim erico. Para ello iremos diezmando los sitios de la red empezando por el situado por el centro de la campana gaussiana, etiquetado como n0 , tal y como se muestra en la gura 3.15. Esto conduce a un sistema renormalizado consistente en un d mero en el que las energ as de sitio se pueden escribir como E 1 = E1 1 y la constante de acoplo entre los dos sitios del d mero inicialmente esta constante de acoplo es 1 en todos los sitios de la red como puede verse en la ecuaci on (3.22), es 1 = 1/E0 . Si continuamos iterativamente con este proceso de diezmado de sitios de la red, en el paso n- esimo, tendremos una red renormalizada con un d mero en el que las energ as de sitio se denotan por E n+1 y la costante de acoplo entre estos sitios se denota por n+1 .
Cap tulo 3
57
E3 n=1 E3 n=2 E3
E2
E1
E0
E1
E2
E3
E2
E1
E1
E2
E3
E2
E2
E3
Figura 3.15. Modelo de enlace fuerte con modulaci on de tipo gaussiano mostrando el proceso iterativo de diezmado.
Este esquema de diezmado nos conduce a las siguientes ecuaciones que describen una transformaci on iterativa en el espacio bidimensional de E y n+1 = n
2 En
E n+1
2 n En = En+1 2 . En 2 n
(3.24)
En lo que sigue denominaremos esta transformaci on como transformaci on dim erica (TD). Es importante se nalar que los par ametros espec cos del modelo los valores de y se encuentran contenidos en el t ermino En+1 , y que, por tanto, la TD contiene toda la complejidad del sistema estudiado, que se maniesta en una constante de acoplo y energ a de sitio que tienen una dependencia altamente no lineal en la energ a. La aparente falta de simetr a de las ecuaciones (3.24) puede hacerse desaparecer
58
Heteroestructuras con modulaci on de composici on mediante el siguiente cambio de variables 1 En + n , 2 1 n = En n . 2

n
(3.25)
El resultado de hacer este cambio de variables es la siguiente nueva transformaci on discreta

n+1
n+1
1 1 En+1 , 2 n 1 1 = En+1 . 2 n =
(3.26)
Como podemos ver el cambio de variable, no s olo hace sim etricas las ecuaciones, sino que ademas desacopla las antiguas variables convirtiendo el problema matem atico originalmente bidimensional en dos problemas unidimensionales. Dado que no estamos interesados tanto en las propiedades matem aticas de la transformaci on como en el signicado f sico de las variables, continuaremos nuestro estudio con las variables originales E n y n. La utilidad de la TD surge del hecho de que cambios en los par ametros del sistema ( en el caso del sistema bajo estudio) se reejan en cambios signicativos en las trayectorias de la transformaci on en el espacio {E, }, tanto para valores nitos de como en el caso . De hecho, a pesar de que la existencia de un defecto local de tipo gaussiano nos ha sido de ayuda para visualizar el proceso de diezmado, esta no es realmente necesaria. Las trayectorias en el espacio de fases (el espacio {E, } en el caso de la TD) el llamado diagrama de fases de la transformaci on nos va a proporcionar informaci on relevante acerca de propiedades del sistema. En particular, un cambio en las soluciones de equilibrio de la transformaci on discreta (3.24) cuando cambiamos los par ametros de la transformaci on, y en nuestro caso, van a mostrar un cambio en el
Cap tulo 3
3.2 Transporte y estructura electr onica comportamiento f sico del sistema que estudiamos. Estas soluciones de equilibrio, llamadas tambi en puntos jos, pueden ser de distintos tipos. Concretamente, cuando las trayectorias en el espacio de fases convergen a una o N soluciones hablaremos de atractores simples o de periodo N , respectivamente.
1.0
59
tanh(n) tanh(En)
0.5 0.0 -0.5 -1.0 1.0 0.5 0.0 -0.5 -1.0 0.90 0.95
(/2)
1.00
1.05
Figura 3.16. Variaci on en los valores asint oticos de la constante de acoplo n y energ a de sitio E n renormalizadas en funci on del par ametro , calculadas para = 0 y = 100. La funci on tangente hiperb olica es usada por una cuesti on de escala cuando las cantidades n y E n divergen.
A continuaci on vamos a estudiar el modelo puramente gaussiano, es decir, el caso en el que = 0. La gura 3.16 muestra c omo la transici on localizado deslocalizado se maniesta a trav es de una variaci on del atractor de la transformaci on bajo estudio. En la fase subcr tica, en la
60
Heteroestructuras con modulaci on de composici on que el sistema tiene un coeciente de transmisi on igual a 1, el atractor presenta un ciclo l mite biperi odico en el caso de la constante de acoplo renormalizada , mientras que est a caracterizado por un punto jo en el caso de la energ a de sitio renormalizada E . Lejos del punto cr tico el atractor muestra un patr on oscilatorio regular, que es peri odico en con per odo 1/ . A medida que nos acercamos a la zona de transici on el ciclo biperi odico comienza a perder su simetr a, degenerando en un atractor con un ciclo tambi en biperi odico pero asim etrico en el caso tico para el atractor de E en la fase de . Por otro lado, el punto cr deslocalizada es sustituido por un ciclo biperi odico en la fase localizada. La fase localizada se caracteriza adem as por un decaimiento exponencial de la constante de acoplo con el tama no del sistema, con una longitud caracter stica que est a relacionada con la longitud de localizaci on de la funci on envolvente , exp[(2n/ )]. Este decaimiento resulta, en el l mite termodin amico, en la anulaci on de la constante de acoplo, de manera que el d mero se rompe y el coeciente de transmisi on se anula en la fase localizada. En la transici on que hemos discutido, la fase met alica est a descrita por soluciones en forma de onda plana que sufren un cambio de fase real en el defecto dim erico. En la fase aislante, por contra, este cambio de fase est a dado por una cantidad imaginaria. Imponiendo esta condici on sobre las soluciones del sistema renormalizado, es posible encontrar la condici on de transmisi on perfecta que viene dada por el conjunto de valores de la energ a E para los que la siguiente funci on se anula fn (, , E ) = 1 2 n + E n (E n En ). (3.27)
La gura 3.17 muestra la variaci on en fn y el coeciente de transmisi on en el caso puramente gaussiano, es decir, con = 0, en funci on de la energ a. Podemos ver que la condici on de anulaci on de fn coincide con la condici on de transmisi on perfecta, es decir, es cero para las energ as
Cap tulo 3

1.5 1.0
61
fn
0.5 0.0 -0.5 1.0
0.5
0.0 0
20
40
60
80
100
E
Figura 3.17. Coeciente de transmisi on (recuadro inferior) para una SRG con barreras de tipo . El recuadro superior muestra el comportamiento de la funci on fn en funci on de la energ a, comprob andose que esta funci on se anula cuando se satisface la condici on de transmisi on perfecta.
correspondientes a las minibandas de transmisi on de la SRG con barreras de tipo delta. Por tanto, la anulaci on de la funci on fn resulta de utilidad para determinar el umbral de localizaci on en sistemas como los estudiados. Como ya hemos mencionado, el esquema de renormalizaci on que hemos descrito puede resultar u til para estudiar sistemas aperi odicos. En particular haciendo obtenemos y K = /2 nos encontramos en el centro de la banda en la ecuaci on de Harper unidimensional. En este caso la fase subcr tica no es un atractor, como en el caso puramente gaussiano. A medida que crece, las trayectorias de la TD resultan ser cada vez
62
Heteroestructuras con modulaci on de composici on m as complejas (ver la gura 3.18) colapsando nalmente sobre una l nea vertical correspondiente a , cuando el d mero se rompe en el umbral de localizaci on. La fase localizada estar a de nuevo caracterizada por un decaimiento exponencial de la constante de acoplamiento d mero con una longitud caracter stica igual a la mitad de la longitud de localizaci on en la ecuaci on de Harper.
1.0
0.5
tanh(En)
0.0
-0.5
-1.0 -1.0 -0.5
tanh(n)
0.0
0.5
1.0
Figura 3.18. Trayectorias en la TD para = 0,992, cerca del punto cr tico de la transici on ( = 1). Aqu se expresa en unidades de K , siendo K = /2.
3.3. Conductancia
Durante muchos a nos los experimentos de efecto Hall cu antico han sido com unmente aceptados como paradigma de las transiciones de fase cu anticas [67], siendo su descripci on te orica uno de los mayores exitos
Cap tulo 3
3.3 Conductancia de la teor a de escala [34]. Sorprendentemente se ha descubierto un comportamiento distinto al predicho por la teor a de escala en unos recientes experimentos de Shahar y col. [68], en los que se mostraba una clara inconsistencia con la descripci on que esta teor a hace de la transicione Hall cu antica. En ellos se observaba un nuevo r egimen de transporte en una gran variedad de muestras para un amplio rango de valores de campo magn etico y temperatura. M as recientemente Schaijk y col. [69] criticaban los experimentos de Shahar y col. [68] y publicaron nuevos datos en los que no aparece rastro alguno del nuevo r egimen de saturaci on de conductancia a bajas temperaturas. En esta secci on pretendemos mostrar un modelo muy simple de transici on metal-aislante en la que se encuentra un r egimen de saturaci on de conductancia a bajas temperaturas como el observado en los experimentos de Shahar y col. [68]. Adem as proponemos un experiemento de transporte sobre SRGs en las que dicho r egimen podr a ser observado.
63
3.3.1. Transici on metal-aislante

Experimentalmente la identicaci on de una fase aislante est a basada en la extrapolaci on de la componente xx del tensor de resistividad a una cierta temperatura T , xx (T ), a su valor a temperatura T = 0. Este proceso es siempre algo ambiguo. La f sica subyacente en las transiciones de tipo Hall cu antico es la transici on de Anderson localizado-deslocalizado [70]. Entre estados localizados y no localizados existe una regi on estrecha en la que pueden sobrevivir algunos estados cuasi-localizados estados con longitud de localizaci on del orden del tama no del sistema, en el caso de muestras nitas (o de medidas a temperatura nita). Estos estados son obviados en las interpretaciones usuales de los datos experimentales, que los consideran irrelevantes para las propiedades de transporte. En esta secci on vamos que esto no es cierto en un caso muy simple de transici on metal-aislante.
64
Heteroestructuras con modulaci on de composici on El modelo de transici on metal-aislante m as simple que uno puede imaginar consiste en considerar un sistema cuya curva de transmitividad est a dada por la funci on (E ) = 1, E Ec , 0, E < Ec , (3.28)
donde Ec es la energ a cr tica de la transici on. Podemos ver esta curva de transmisi on en el recuadro de la gura 3.19(a). Calcular la dependencia con la temperatura T de la conductancia G para valores del potencial qu mico por encima y por debajo de la energ a cr tica Ec , as como la dependencia con el potencial qu mico para distintos valores de T , es inmediato a partir del formalismo de Landauer-B uttiker [15]. Podemos ver estas dependencias en las guras 3.19(a) y 3.19(b) respectivamente. Adem as, es posible obtener una expresi on anal tica para la conductancia a partir de la f ormula de Engquist-Anderson [12] f (E )dE E , f [1 (E )]dE E
G=
e h
(3.29)
donde f es la distribuci on de Fermi f= 1 e(E ) +1 , = (kB T )1 .
A partir de (3.28) y (3.29) es posible obtener en el l mite de bajas temperaturas, es decir cuando , siendo = Ec , la siguiente expresi on para la conductancia e2 (3.30) G e . h La teor a de escala implica la existencia de un punto cr tico que es independiente de la temperatura T [71]. Este comportamiento es muy similar
Cap tulo 3
3.3 Conductancia
10
65
(a)
G (e /h)
=101 meV
0,5
E (meV)
0 0 100 200 300 400
1
=99 meV
0 0 10
20
40 T (K)
60
80
100
G (e /h)
(b)
1
T=10 K
T=80 K
100 (meV)
Figura 3.19. Distintas curvas de conductancia en funci on de la temperatura correspondientes a distintos valores constantes del potencial qu mico (a), y en funci on del potencial qu mico correspondientes a distintos valores constantes de la temperatura (b), en el caso de una transici on metal-aislante ideal (ver el recuadro interior mostrando la transici on abrupta en el coeciente de transmisi on).
al observado en la gura 3.19, pero no es el mismo dado que una soluci on anal tica de este modelo muestra una regi on de cruce, de area S , para las curvas de conductancia a distinta temperatura, en lugar de un u nico punto e2 Ec S (T )e(T ) , (3.31) h 2 donde (T ) = 2Ec . Como se observa en esta expresi on, el area de la regi on de cruce tiende a cero en el l mite , en cuyo caso existe acuerdo entre el modelo y la teor a de escala. Se sabe [17] que a bajas temperaturas, si los centros de dispersi on
66
Heteroestructuras con modulaci on de composici on el astica est an situados aleatoriamente en el espacio, las fases de las ondas de electrones reejados ser an coherentes e interferir an constructivamente entre si, aumentando la probabilidad de que un electr on vuelva en el sentido opuesto al de origen, dando como resultado su localizaci on. Este es, precisamente, el caso contrario al de un sistema rigurosamente ordenado, en el que las ondas reejadas intereren destructivamente a bajas temperaturas, dando como resultado un comportamiento met alico. Esta reexi on por coherencia de fase ser a m as importante a medida que disminuya la temperatura y los procesos incoherentes de dispersi on inelastica sean congelados, aunque estos no desaparezcan del todo a temperaturas nitas [72]. Para lograr la aparici on de las dos fases, en los experimentos habituales de transici on metal-aislante normalmente se eligen sistemas como pozos cu anticos de InGaAs en los que el desorden en la aleaci on es el predominante ( atomos de In insertados aleatoriamente en una red de GaAs [69]). Sin embargo, es fundamental se nalar que otros procesos incoherentes, como la dispersi on por impurezas, dan lugar a la aparici on de estados cuasi-localizados en la regi on entre la fase met alica y la fase aislante, y cuyos efectos son despreciables en el interior de estas fases. La anchura de esta regi on de estados cuasi-localizados ser a una funci on de los detalles de la muestra, pero claramente depender a de la importancia del papel desempe nado por los procesos de dispersi on inel astica.
Teniendo todo esto en consideraci on, parece claro que un modelo algo m as elaborado de la transici on metal-aislante que el descrito en la ecuaci on (3.28), deber a dar cuenta de la existencia de estos estados cuasilocalizados de los que hablamos. Vamos a modicar, por lo tanto, este modelo, considerando que en lugar de una energ a cr tica Ec , existe una regi on de anchura 2 en la que la transmitividad var a de forma suave,
Cap tulo 3
3.3 Conductancia en sentido matem atico, entre 0 y 1 E Ec + , 1, (E ) = g (E ), Ec + > E > Ec , 0, E Ec .
67
(3.32)
Aqu g (E ) es una funci on que var a suavemente entre Ec y Ec + .
10
(a)
=110 meV
0,5
G (e /h)
E (meV)
0
0 100 200 300 400
1
=92 meV
0 0 10
100 T (K)
T=30 K
200
300
G (e /h)
(b)
1
T=240 K
96
102 (meV)
108
Figura 3.20. Distintas curvas de conductancia en funci on de la temperatura correspondientes a distintos valores constantes del potencial qu mico (a), y en funci on del potencial qu mico correspondientes a distintos valores constantes de la temperatura (b), en el caso de una transici on metal-aislante no ideal (ver el recuadro interior mostrando la transici on de anchura distinta de cero en el coeciente de transmisi on).
Con esta denici on, el comportamiento asint otico de la conductancia en
68
Heteroestructuras con modulaci on de composici on el l mite de bajas temperaturas puede escribirse de la siguiente forma G= e2 g () + O(T 2 ). h 1 g () (3.33)
De esta expresi on se deduce que, cuando se representa en funci on de la temperatura para distintos valores del potencial qu mico, la conductancia muestra un plateau a bajas temperaturas, saturando a un valor constante en el l mite T 0. Puede observarse este comportamiento en la gura 3.20. Esta gura muestra un comportamiento muy distinto del esperado en una transici on metal-aislante convencional. De hecho, esta gura es completamente inconsistente con la descripci on que proporciona la teor a de escala aunque, sin embargo, muestra una dependencia compatible con la ley fenomenol ogica propuesta por Shahar y col. [68] para explicar una saturaci on id entica observada en sus experimentos. Como ya hemos mencionado, Schaijk y col. han puesto en tela de juicio los resultados de Shahar y col., mostrando nuevos datos en los que no hay indicios de saturaci on al menos a temperaturas por encima de los 100 mK. En la gura 3.21 mostramos la conductancia en funci on de T para distintos valores del par ametro cuando g (E ) = (E Ec )/2 +1/2, es decir en el caso m as simple en el que la transmitividad en la regi on de transici on var a linealmente. Como se puede apreciar en la gura una transici on metal-aislante como la propuesta en la ecuaci on (3.32) hace compatibles los resultados de los experimentos de Shahar y Schaijk, dado que, como se observa, el par ametro controla la temperatura a la que tiene lugar la saturaci on en la curva de conductancia. El caso ideal corresponde a un valor = 0, para el cual no hay saturaci on. Sin embargo para valores de distintos de cero la saturaci on en la conductancia aparece a un valor particular de la temperatura Ts que depender a del valor de ; cuanto m as peque no es el valor de , m as peque na es la temperatura de saturaci on Ts . En el art culo de Shahar y col. se mostraron los resultados obteni-
Cap tulo 3
3.3 Conductancia
1,00 =0.01 =0.001 =0
69
G (e /h)
0,10
0,01
10
100
T (K)
Figura 3.21. Conductancia en funci on de la temperatura para un valor jo del potencial qu mico. En la gura se observa c omo la anchura de la la regi on de transici on ( ) en la curva de transmisi on determina la temperatura de saturaci on que se se nala con una echa en cada caso.
dos con una gran variedad de muestras de muy distintos materiales. La saturaci on se observ o en todas ellas pero a temperaturas muy distintas, entre 100 y 500 mK. Como ya hemos discutido anteriormente, cuanto menos importantes son los procesos de dispersi on incoherente, m as peque na ser a la anchura de la regi on de transici on y, consecuentemente, m as peque na ser a la temperatura de saturaci on observada. As , para muestras de mayor calidad, en las que la importancia de los procesos de dispersi on incoherentes es menor, es posible que la temperatura de saturaci on se reduzca hasta no resultar observable a las temperaturas experimentalmente accesibles, como en los experimentos de Schaijk y col.. La curva de transmitividad en la ecuaci on (3.28) recuerda a la curva de transmitividad observada en las SRGs en los bordes de las minibandas
70
4
=209 meV
G (e /h)
1
=198 meV
10
100
T(K)
Figura 3.22. Conductancia frente a la temperatura para distintos valores de la energ a de Fermi en el caso de una SRG, mostrando la regi on de saturaci on. N otese la escala logar tmica de temperaturas.
(gura 3.4). Esto sugiere que es posible utilizar estas SRs para vericar la existencia de la regi on saturaci on en la curva de conductancia frente a temperatura. En la regi on de bajas temperaturas s olo los electrones pr oximos al nivel de Fermi contribuyen a la conductancia, de manera que la minibanda de transmisi on en una SRG puede considerarse en primera aproximaci on como semi innita a energ as mayores que Ec + para temperaturas sucientemente bajas, es decir, para temperaturas tales que kB T , donde es la anchura de la minibanda. En la gura 3.22 mostramos la conductancia en funci on de la temperatura para distintos valores del nivel de Fermi pr oximos al borde de la minibanda. Se puede observar como a temperaturas por encima de unos 10 K el sistema tiene el comportamiento predicho por la teor a de escala para una
Cap tulo 3
3.4 Conclusiones transici on metal-aislante, con una conductancia que crece al disminuir la temperatura en la fase met alica, mientras que disminuye con la temperatura en la fase aislante. Sin embargo, a temperaturas por debajo de 10 K es posible observar c omo la conductancia satura a un valor constante que depender a del valor del potencial qu mico en el sistema.
71
3.4. Conclusiones
A continuaci on, presentamos los principales resultados de este cap tulo resumidos en las siguientes conclusiones. En este cap tulo hemos estudiado las propiedades de transporte electr onico en SRs semiconductoras con modulaci on de composici on, en las que la modulaci on es de tipo gaussiano (SRGs). Hemos calculado la transmitividad de una SRG compar andola con la de una SR convencional (uniforme). La minibanda de transmisi on en el caso gaussiano es pr acticamente plana, lo que contrasta con las fuertes oscilaciones del coeciente de transmisi on en la SR uniforme. Esto hace de la SRG un buen candidato a dispositivo de ltro pasa banda en energ a, con aplicaciones en l aseres de cascada. Se ha estudiado el efecto del desorden no intencional sobre las propiedades de transmisi on de la SRG. Se han considerado dos tipos de desorden, desorden vertical y desorden lateral, mostr andose que es el primero el que tiene un mayor impacto sobre las propiedades de transporte de la SRG. Hemos calculado el espectro de energ as de la SRG teniendo en cuenta el efecto de la interacci on electr on-electr on, utilizando para ello un modelo de campo medio (potencial de Hartree autoconsistente). Hemos comparado el valor te orico obtenido para la posici on
72
Heteroestructuras con modulaci on de composici on del m aximo de PL con el obtenido experimentalmente, observando un excelente acuerdo entre estos dos valores. Hemos desarrollado una t ecnica de renormalizaci on para estudiar SRGs con barreras de tipo delta. Dicha t ecnica ha resultado ser de utilidad para estudiar la transici on localizado-deslocalizado en otro tipo de sistemas, como los descritos, por ejemplo, por la ecuaci on de Harper. Finalmente hemos estudiado un modelo de transici on metalaislante que puede explicar la regi on de saturaci on observada en la curva de conductancia frente a temperatura en ciertos experimentos de efecto Hall cu antico cuyos resultados son inconsistentes con la teor a convencional de escala. Hemos propuesto la SRG como sistema f sico en el que observar dicha saturaci on en la curva de conductancia.
Cap tulo 3
CAP ITULO 4 Heteroestructuras con desorden intencionado

4.1. Introducci on
Desde que Anderson public o su famoso art culo [17], la localizaci on electr onica en sistemas desordenados ha sido un activo tema de investigaci on. Recordemos que fue conjeturado por Mott y Twose [18], demostrado rigurosamente en algunos sistemas por Ziman [32], y argumentado de forma general por Abrahams y col. [8], que en el caso de un modelo con par ametros totalmente aleatorios (desordenados), todos los estados est an localizados en 1 y 2 dimensiones. Sin embargo, hoy en d a es bien sabido que pueden aparecer estados extendidos en sistemas aleatorios en los que el desorden exhibe correlaciones de corto [1921, 3739, 7483] o largo [84, 85] alcance. Estas correlaciones en el desorden implican que la variables aleatorias del sistema no son independientes entre s dentro de una determinada longitud de correlaci on. Recientemente ha crecido de forma notable el inter es en las condiciones bajo las cuales tiene lugar la supresi on de la localizaci on de An-
74
Heteroestructuras con desorden intencionado derson debido a la presencia de correlaciones en el desorden. Debido a la escasez de conrmaciones experimentales, hay a un cierta controversia acerca de la importancia de estos resultados y de su aplicaci on f sica. Los grandes avances experimentados por la nanotecnolog a han permitido el crecimiento de SRs de semiconductores con propiedades f sicas a medida, lo que abre la posibilidad de vericar experimentalmente las predicciones te oricas al respecto de la deslocalizaci on debida a las correlaciones en el desorden. En esta l nea, Chomette y col. [86] sugirieron la localizaci on de Anderson como responsable del aumento en la intensidad de la fotoluminiscencia observada en SRs con desorden intencionado. Por otro lado, Diez y col. [3941] conjeturaron que las llamadas SRs con pozos constituyendo d meros (SPD), deber an mostrar un incremento en la conductancia debido a las correlaciones de corto alcance en el desorden. Algunos a nos despu es de esta propuesta, la supresi on de la localizaci on debida a las correlaciones en SPDs fue usada de nuevo para explicar las medidas de transporte observadas en SRs de este tipo, crecidas en GaAs-Alx Ga1x As, por Bellani y col. [22]. En este cap tulo pretendemos estudiar la existencia de estados electr onicos extendidos en heteroestructuras semiconductoras con desorden correlacionado. Comenzaremos por introducir una t ecnica anal tica de caracter bastante general, que ya fue usada en el estudio de fonones en SRs desordenadas [87], basada en el formalismo de la matriz de transferencia, al problema de la localizaci on de estados electr onicos en una clase de aleaciones binarias [88], por ser este sistema m as f acilmente tratable desde un punto de vista matem atico. A continuaci on aplicaremos este mismo formalismo a la obtenci on de la condici on de existencia para la aparici on de estados extendidos en SRs con dos tipos de desorden correlacionado [89]. Finalmente estudiaremos la presencia de estados extendidos en SRs de tipo binario con desorden correlacionado, las SRs con barreras constituyendo d meros (SBD), en las que observaremos la aparici on simult anea de dos tipos de estados deslocalizados cuyo origen
Cap tulo 4
4.2 Aleaciones binarias ser a discutido en detalle [90].
75
4.2. Aleaciones binarias

Con la nalidad de introducir la t ecnica anal tica que usaremos para el estudio de estados extendidos en sistemas unidimensionales desordenados [87], vamos a estudiar una aleaci on binaria unidimensional con dos clases de atomos, aniones y cationes, de manera que los aniones se encuentran en las posiciones impares de una cadena, y los cationes en las pares. Este sistema puede asimilarse a un modelo sencillo de aleaci on binaria semiconductora como pueda ser compuesto ternario de los grupos III-V. En estas aleaciones digamos Alx Ga1x As, una subred est a ocupada por un u nico tipo de cati on digamos el As, mientras que en la otra subred los aniones digamos Ga y Al est an situados altern andose de forma aleatoria. Modelizaremos este sistema mediante una ecuaci on de tipo enlace fuerte en la que denotaremos la energ a del sitio n por n . La fuente de desorden en el sistema bajo estudio ser a la uctuaci on estoc astica de la energ a de sitio en las posiciones impares. En las posiciones pares la energ a de sitio es la misma y podemos asumir, sin p erdida de generalidad, que esta es igual a cero. La ecuaci on que describir a el sistema es (E
n )n
+ n+1 + n1 = 0,
n = 1, 2, . . . , N ,
(4.1)
donde E es la autoenerg a correspondiente a cada uno de los estados del sistema y N 2N es el n umero total de atomos. Supondremos de aqu en N adelante que las energ as { 2n1 }n=1 son un conjunto de variables aleatorias no correlacionadas distribuidas de forma normal con valor medio v y varianza 2 . En lo que sigue denotaremos como grado de desorden.
76
Heteroestructuras con desorden intencionado Con estas deniciones tenemos que los correladores
2n1
= v,
2n1 2n 1
= (v 2 + 2 )nn ,
(4.2)
La ecuaci on (4.1) puede ser reescrita a partir de la matriz de promoci on 2 2, Pn , como sigue n n+1 = 0 1 1 E + n1 n Pn n1 n . (4.3)
Iterando esta ecuaci on es posible relacionar (n , n+1 ) con (0 , 1 ) haciendo 0 0 n n+1

1
=
k=n
Pk
0 1
Mn
0 1
(4.4)
donde Mn denota la matriz de transferencia. Deniremos Tn P2n P2n1 como la matriz de promoci on para la celda unidad diat omica en la cadena unidimensional, y trabajaremos con ella en lugar de la matriz de promoci on de un s olo atomo por razones de conveniencia. Con esta denici on podemos escribir la matriz de transferencia total del sistema como MN = 1 on n=N Tn . Para valores reales de E y n , la matriz de promoci Tn puede ser considerada como un elemento del grupo SO(1,2), que es isomorfo al grupo SL(2,R). Por ello Tn puede ser expresada en t erminos de las matrices de Pauli, , como sigue Tn = + E (E 2
2n1 2n1 )
1 I2
2n1
E (E 2
2n1 )3
1 + i E
2 ,
(4.5)
donde Im denota la matriz unidad de orden m m. Adem as se puede 1 ltimo demostrar f acilmente la siguiente propiedad Tn = 2 Tn 2 . Por u
Cap tulo 4
4.2 Aleaciones binarias ser a tambi en de utilidad el teorema de Oseledec [91], que arma que la siguiente matriz l mite existe = l m con autovalores e .
MN MN 1/2N
77
(4.6)
4.2.1. Condici on de existencia de estados extendidos

Estamos interesados en calcular la longitud de localizaci on del sistema, dado que a partir de esta obtendremos informaci on acerca del car acter extendido o localizado de los autoestados. Utilizando la f ormula para la descomposici on del producto de dos estados de esp n 1/2 en suma de estados escalares y de esp n 1, tenemos 1 1 1 (Tj ) (Tj ) = ( ) ( ) + ( ) j ( ) , 2 2 donde j = (4.7)
1 Tr Tj Tj1 (4.8) 2 es la parte de esp n 1 en la suma. Multiplicando la expresi on (4.7) a la derecha y a la izquierda por 2 tenemos 1 1 + (Tj ) (Tj ) = (2 ) (2 ) + ( 2 ) j ( 2 ) . 2 2 (4.9)
A partir de esta u ltima expresi on es posible calcular el valor de la matriz en (4.6). Si consideramos una distribuci on estoc astica de energ as como en (4.2) es posible obtener el valor medio de calculado sobre dicha distribuci on 1 1 = 2 2 + ( 2 ) ( 2 ) 2 2
N
j
j =1
(4.10)
78
Heteroestructuras con desorden intencionado donde j est a denido como en (4.8). De acuerdo con el ya citado teorema de Oseledec [91], el exponente de Lyapunov para una cierta energ a E , que es igual a la inversa de la longitud de localizaci on 1 , donde viene dado en unidades de la celda unidad diat omica, estar a dado por 1 = ln[ (E )], (4.11)
donde (E ) es el autovalor de j m as pr oximo a la unidad. Tras algo de algebra se obtienen los elementos de j que est an dados por 11 j = 1 2 + E 4 + 4Ev 2E 3 v 2 v 2 2 +( 2 + v 2 4)E 2 ,
12 j 13 j 21 j
i E 4 2E 3 v + 2 + v 2 + ( 2 + v 2 2)E 2 , 2 = E 3 v + 2E 2 v ( 2 + v 2 2)E, i E 4 + 4Ev 2E 3 v 2 v 2 = 2 +( 2 + v 2 2)E 2 , = = 1 2 + E 4 2E 3 v + 2 + v 2 + ( 2 + v 2 )E 2 , 2 = i E 3 + v 2E 2 v + ( 2 + v 2 )E ,
22 j 23 j 31 j 32 j 33 j
= 2E + E 3 + v E 2 v, = i E 3 v E 2 v , = 1 2E 2 + 2Ev. (4.12)
Los estados deslocalizados tienen longitud de localizaci on innita y, por tanto, a una cierta energ a, la matriz j debe tener un autovalor igual a uno. De esta manera llegamos a la siguiente condici on para la aparici on
Cap tulo 4
4.2 Aleaciones binarias de estados deslocalizados det I3 j = 2 2 E 2 = 0, (4.13)
79
por lo que existe un estado deslocalizado cuando E = 0. Este resultado est a apoyado por el hecho de que el estado con E = 0 es soluci on a la ecuaci on (4.1) para una cadena innita en la que 2n+1 + 2n1 = 0, de manera que se extiende uniformemente a lo largo de toda la red dado que la amplitud de probabilidad en los sitios impares |2n+1 |2 permanece constante.
4.2.2. Longitud de localizaci on

Como vemos, encontrar en el modelo que nos ocupa el estado extendido con E = 0 no requiere de toda la herramienta matem atica que hemos empleado hasta ahora. Sin embargo, todos los desarrollos anteriores s nos van a servir para el estudio de modelos m as complejos y, en este caso, para poder obtener de forma anal tica el comportamiento de la longitud de localizaci on en funci on de la energ a. Para ello podemos desarrollar la ecuaci on (4.11) en serie de potencias de E en torno a E = 0. El resultado es 2 E + O(E 2 ), 4 E < 0, 1 v = (4.14) 2v 1/2 E 1/2 + O(E 3/2 ), E > 0, para v > 0. N otese que la longitud de localizaci on es asim etrica en un entorno de la energ a del estado extendido dado que escala como E por la izquierda, y como E 1/2 por la derecha. La situaci on es justo la contraria en el caso en el que v < 0. Adem as es importante se nalar que el prefactor para E < 0 depende del grado de desorden de la aleaci on, mientras que para E > 0 es independiente de . En el caso en que el sistema es ordenado ( = 0), la aleaci on es simplemente una cadena peri odica diat omica con energ as de sitio 0 y v en cada celda unidad y,
80
Heteroestructuras con desorden intencionado consecuentemente, habr a dos bandas permitidas. La banda de energ as 2 1/2 m as bajas se extiende desde v/2 (v /4 + 4) hasta 0, mientras que la banda de energ as m as altas se extiende desde v hasta v/2 + (v 2 /4 + 4)1/2 para v > 0. En este caso todos los autoestados son funciones de Bloch que se extienden sobre la cadena completa. La localizaci on tiene lugar tan pronto como se introduce una peque na cantidad de desorden en el sistema
3
=0.1 =0.5 =1.0
1 0 -2
-1
-1
E
Figura 4.1. Inversa de la longitud de localizaci on en funci on de la energ a cuando v = 1 y = 0,1, 0,5 y 1,0. N otese que en E = 0.
pero, de acuerdo con los anteriores resultados, el estado con E = 0 permanece extendido. Esto puede observarse claramente en la gura 4.1, donde representamos la inversa de la longitud de localizaci on obtenida a partir de la expresi on (4.11) en funci on de la energ a con v = 1 para distintos valores del grado de desorden . En todos los casos la inversa de la longitud de localizaci on es distinta de cero excepto para E = 0, en
Cap tulo 4
4.2 Aleaciones binarias donde 1 = 0. Como ya hemos comentado esto indica la existencia de un estado deslocalizado a esta energ a, si admitimos localizaci on exponencial. En la siguiente secci on abordaremos la discursi on de la existencia de estados extendidos en el caso de sistemas nitos, es decir, aquellos con longitud de localizaci on mayor que el tama no del sistema.
81
4.2.3. Resultados num ericos

Para conrmar los anteriores resultados anal ticos hemos diagonalizado num ericamente la ecuaci on (4.1) con condiciones de contorno jas. Fundamentalmente centraremos nuestro estudio num erico en la densidad de estados normalizada (densidad de estados por unidad de longitud) (E ), y en el grado de localizaci on (raz on inversa de participaci on, IPR) IP R(E ) de un determinado estado con energ a E . Estas cantidades se denen respectivamente como [92] (E ) = 1 N 1 R R |E Ek | 2
N
(4.15)
1 IP R(E ) = N (E )
1 R
R |E Ek | 2
a4 kn
n=1
(4.16)
donde el promedio . . . est a denido sobre un conjunto de cadenas lineales desordenadas, akn es el autovector de (4.1) correspondiente al autovalor Ek con k = 1, 2, . . . , N , R es la resoluci on espectral, y es la funci on paso de Heaviside. Para estados extendidos a lo largo de todo el sistema la IPR se comporta como 1/N . En concreto, para autoestados de la red peri odica, la IPR puede calcularse de forma exacta, siendo su valor 0 en el l mite N . En el caso de estados localizados, en dicho l mite, la IPR toma valores mayores, siendo su valor 1 en el caso extremo en que el autoestado se encuentra localizado en un u nico sitio de la red. Hemos realizado todos los c alculos para v = 1 estudiando varios va-
82
Heteroestructuras con desorden intencionado lores del grado de desorden en el intervalo de 0,1 a 1,0. El mayor valor para el grado de desorden que consideramos aqu es tal que las uctuaciones t picas de la energ a de sitio son del orden de la constante de acoplo entre pr oximos vecinos. El n umero m aximo de atomos en la cadena es N = 1000 (500 celdas unidad), aunque se han estudiado tambi en sistemas mayores para comprobar que nuestros resultados son independientes del tama no del sistema. Los resultados se obtienen como un promedio sobre 100 realizaciones del desorden para cada par dado de valores v y . La resoluci on espectral es de R = 4 103 , m as que suciente para nuestros prop ositos. A continuci on vamos a comentar los resultados que hemos obtenido num ericamente. La gura 4.2 muestra la densidad de estados para dos valores distintos del grado de desorden ( = 0,1 y 1,0) cuando el tama no de sistema es N = 1000 y v = 1. La densidad de estados presenta la habitual forma de U dentro de las bandas cuando el grado de desorden es peque no. Las singularidades en el l mite de las bandas permitidas se suavizan y desaparecen al aumentar el grado de desorden excepto a E = 0, energ a para la que la divergencia permanece incluso para el valor m as grande del grado de desorden ( = 1,0). Este resultado sugiere que el estado con E = 0 es deslocalizado. La IPR muestra un incremento global cuando el grado de desorden aumenta, lo que signica que cuanto mayor es el grado de desorden menor es la longitud de localizaci on. Esto se observa claramente en la gura 4.3, donde mostramos la IPR en funci on de la energ a para los mismos par ametros que en la gura 4.1. Puede observarse que el incremento de la IPR depende fuertemente de la energ a, siendo m as acusado cerca del centro de las dos bandas permitidas. Como podr a esperarse, la IPR para E = 0 resulta ser independiente del grado de desorden, mientras que no lo es del tama no del sistema aunque esto u ltimo no se muestra en la gura. Esta peculiaridad pone de maniesto el car acter extendido del estado con E = 0. Es destacable la buena correspondencia que existe entre la gura
Cap tulo 4
4.2 Aleaciones binarias

2
83
=0.1 =1.0
(E)
0 -0.04
-0.02
0.00
-2
E
Figura 4.2. Densidad de estados en funci on de la energ a para N = 1000, v = 1 y grados de desorden = 0,1 y 1,0. El recuadro interior muestra aumentada la regi on pr oxima al borde superior de la banda m as baja para = 1,0. La curva en dicho recuadro es el ajuste a E .
4.1 (resultado anal tico) y la gura 4.2 (resultado num erico). Desde un punto de vista matem atico, la ecuaci on (4.14) demuestra la existencia de un u nico estado extendido en sistemas innitos. Sin embargo, la divergencia de la longitud de localizaci on para la energ a resonante supone que varios estados presenten longitud de localizaci on mayor que el tama no del sistema en el caso de un sistema nito. Podemos calcular de forma aproximada el n umero de dichos estados a partir de ciertas consideraciones b asicas: observando la divergencia de la densidad de estados a la energ a resonante (gura 4.2), est a claro que existen estados pr oximos al borde superior de la banda inferior incluso en presencia
84
0.3
Heteroestructuras con desorden intencionado
0.2
=0.1 =0.5 =1.0
IPR(E)
0.1 0.0 -2
-1
E
Figura 4.3. IPR para los mismos casos mostrados en la gura 4.1. N otese el aumento global de la IPR al incrementar el grado de desorden excepto para E = 0.
de desorden. Podemos admitir que, al igual que en el caso peri odico, la densidad de estados diverge como 1/ E cerca de borde superior de la banda inferior incluso en el caso de sistemas desordenados (ver el recuadro interior en la gura 4.2). Se deduce f acilmente de la ecuaci on (4.14) que la longitud de localizaci on es mayor que el tama no del sistema para aquellos estados cuya energ a yace en el intervalo comprendido entre 2 E = Ec 4v/N y E = 0. El n umero de dichos estados es entonces
0
N (E ) dE
Ec
N.
Por tanto, llegamos nalmente a la conclusi on de que la longitud de localizaci on de N estados es mayor que el tama no del sistema. Es interesante se nalar que un comportamiento similar fue encontrado en el
Cap tulo 4
4.3 Superredes con desorden correlacionado modelo random dimer [19].
85
4.3. Superredes con desorden correlacionado

En esta secci on vamos a utilizar la t ecnica anal tica que hemos empleado en el caso de la aleaci on binaria, aplic andola al estudio de la localizaci on de estados electr onicos en SRs fabricadas con GaAs-Alx Ga1x As, con desorden intencional correlacionado. En concreto, pretendemos estudiar los estados electr onicos de dos tipos distintos de SRs desordenadas. Los dos modelos de desorden considerados son: El espesor de las l aminas de GaAs es constante e igual a dp , mientras que el espesor de las l aminas de Alx Ga1x As viene dado por una variable aleatoria distribuida uniformemente entre 0 y un valor db . De nuevo el espesor de las l aminas de GaAs es constante e igual a dp pero ahora el espesor de las l aminas de Alx Ga1x As alterna entre un valor jo y un valor aleatorio. Encontraremos en ambos casos las condiciones para la energ a que en caso de ser satisfechas implican la existencia de alg un estado deslocalizado. Para ello, partiremos para la descripci on matem atica de los estados electr onicos en estas SRs de una ecuaci on tipo Ben Daniel-Duke para la funci on envolvente en el marco de la aproximaci on de la masa efectiva. La ecuaci on, en el caso de tener invariancia traslacional en el plano normal a la direcci on de crecimiento, se escribe como
2
d 1 d (z ) + V (z ) (z ) = E (z ), dz m (z ) dz
(4.17)
donde m (z ) es la masa efectiva dependiente de la posici on. Denimos el 2 cuadrado del momento electr onico en GaAs como 2m p E/ , donde 2 m p es la masa efectiva en GaAs. Por otro lado 2mb (E V )/ , donde
86
Heteroestructuras con desorden intencionado m mites b es la masa efectiva en Alx Ga1x As y V la diferencia entre los l de la banda de conducci on de GaAs y Alx Ga1x As. Con estas deniciones la matriz de transferencia Tj que relaciona las soluciones de la ecuaci on (4.17) entre dos periodos consecutivos en la SR, entendiendo un periodo como el conjunto de una l amina de GaAs (pozo) y otra de Alx Ga1x As (barrera), se puede escribir como Tj = donde j = j m j i m p b sen (dp ) + cos(dp ) eidb , + 2 mp mb m j i m p b = sen (dp )edb , 2 mp mb j j j j , (4.18)
(4.19)
siendo dj esima. Consideraremos las SRs bajo b la anchura de la barrera j - estudio como formadas por un conjunto de N periodos pozo-barrera. El problema del transporte de portadores en una dimensi on para una amplia clase de modelos de desorden fue tratado en la referencia [93] dentro del formalismo de la matriz de transferencia y se obtuvieron algunos resultados de car acter general. En particular se demostr o que la matriz de transferencia cont nua para problemas unidimensionales, que pertenece al grupo SL(2,R), puede ser usada para calcular de forma exacta cantidades como la resistividad. Esta u ltima puede obtenerse, siguiendo las referencias [10, 28, 93], a partir de la expresi on = 1 , = T12 T21 (4.20)
donde T12 y T21 son los elementos no diagonales de la matriz de transferencia total del sistema T . Es f acil demostrar que las matrices Tj que aparecen en la ecuaci on (4.18) pertenecen al grupo SL(2,R) y por tanto
Cap tulo 4
4.3 Superredes con desorden correlacionado la ecuaci on (4.7) usada en el caso de la aleaci on binaria es v alida tambi en en este caso. Dado que estamos interesados en calcular la resistividad en la ecuaci on (4.20), y en esta aparecen productos de elementos de T y T , la expresi on (4.7) no es u til y debemos transformarla de alguna forma. Es inmediato comprobar la siguiente propiedad 3 T 1 3 T . (4.21)
87
Multiplicando (4.7) a derecha e izquierda por la matriz 3 nalmente obtenemos 1 1 + (Tj ) (Tj ) = (3 ) (3 ) + ( 3 ) j ( 3 ) . 2 2 (4.22)
A partir de esta u ltima expresi on y de la ecuaci on (4.20) es inmediato calcular la resistividad. Recordando la denici on de las matrices j dada en la ecuaci on (4.8) podemos escribir 1 = 1 + 2
N
j
j =1
33
(4.23)
de manera que s olo depende del elemento {3, 3} de la parte esp n 1 del producto directo de matrices de transferencia. Esta expresi on resulta ser de un notable inter es por el hecho de ser multiplicativa en j , j = 1, 2, . . . , N , cada una de las cuales depende u nicamente de los par ametros locales en el periodo j- esimo de la SR.
4.3.1. Condici on de existencia de estados extendidos

Como se desprende de la forma de la expresi on (4.23), debido a la forma multiplicativa de la dependencia de la resistividad de Landauer en los par ametros locales, es posible promediar sobre distintos tipos de desorden correlacionado de forma relativamente sencilla.
88
Heteroestructuras con desorden intencionado Sustituyendo la expresi on (4.18) para la matriz de transferencia en la ecuaci on (4.8) obtenemos las siguientes expresiones para los elementos de j
j 11 = cos(2dp ) cos(2dj j b ) cosh( ) sen (2db ) sen (2dp ),
12 = [cosh2 () cos(2dp ) senh 2 ()] sen (2dj j b) + cosh() cos(2dj b ) sen (2dp ), 13 = i senh ()[cos(2dj j b ) sen (2dp ) cosh()[1 cos(2dp )] sen (2dj b )],
j 21 = sen (2dj j b ) cos(2dp ) cosh( ) cos(2db ) sen (2dp ),
22 = [cosh2 () cos(2dp ) senh 2 ()] cos(2dj j b) cosh() sen (2dp ) sen (2dj b ), 23 = i senh () sen (2dp ) sen (2dj j b ) + cosh( )[1 cos(2dp )] , 31 = i senh () sen (2dp ), j 32 = i senh (2)[1 cos(2dp )]/2, j 33 = cosh2 () senh 2 () cos(2dp ), j en donde, por simplicidad, hemos denido cosh() = 1 2 m m p b + mp mb . (4.25) (4.24)
Como anticipamos, cada una de las dj b es una variable aleatoria distribuida uniformemente entre 0 y db para los dos modelos de desorden que vamos a estudiar. Para obtener el promedio estad stico de las distintas componentes de , tendremos en cuenta que con la citada distribuci on
Cap tulo 4
4.3 Superredes con desorden correlacionado de probabilidad se satisface sen (2db ) , 2d2 sen 2 (d2 ) b sen (2dj . 2) = d2 a cos(2dj 2) = Tomando promedios tambi en en la ecuaci on (4.23) tenemos = 1 1 + ( 2
N 33
89
(4.26)
(4.27)
Para tama nos grandes del sistema, en el r egimen N 1, la resistiviN dad debe comportarse como e [28, 94, 95], donde el coeciente de Lyapunov nos proporciona la longitud de correlaci on. Usando la ecuaci on (4.27) y la denici on del coeciente de Lyapunov = l mN ln /N , podemos obtener una expresi on exacta para la longitud de localizaci on , que resulta ser = 1 = ln , (4.28) donde es el autovalor de en el caso del primer modelo de desorden, o de en el caso del segundo, m as pr oximo a la unidad. Aqu es la matriz cuyos elementos est an dados por (4.24) con anchura de la barrera ja e igual a db . Los estados electr onicos estar an localizados o no dependiendo del comportamiento de . Si para un estado electr onico a una energ a dada la longitud de localizaci on se hace innita, en general se tratar a de un estado deslocalizado [96] y la expresi on (4.28) muestra que esto suceder a cuando (E ) = 1. Ser a por tanto necesario calcular los determinantes det(1 ) det(1 ), (4.29)
para encontrar las condiciones de estados extendidos en cada uno de los
90
Heteroestructuras con desorden intencionado modelos propuestos de desorden correlacionado. Para el primero de los dos determinantes obtenemos 1 det [1 ] = sen 2 (dp ) 2 m m p b mp mb
2
a2 + b2 1 ,
(4.30)
lo que conduce a la siguiente condici on para tener un estado extendido sen (dp ) = 0. Por otro lado para el segundo determinante se tiene det(1 ) = cos(dp ) cos(db ) m 1 m p b sen (dp ) sen (db ), 2 mp mb (4.31)
(4.32)
de manera que la condici on ahora para que exista un estado extendido es 1 cos(dp ) cos(db ) = 2 m m p b + m m p b sen (dp ) sen (db ). (4.33)

Con la nalidad de vericar los resultados anal ticos obtenidos con el anterior formalismo, hemos realizado extensivos c alculos num ericos que permiten mostrar la existencia de los estados extendidos discutidos anteriormente. Vamos a dirigir nuestra atenci on al modelo de desorden en el que la anchura de todas las barreras de Alx Ga1x As uct ua aleatoriamente, calculando en este modelo el coeciente de transmisi on del sistema como una funci on de la energ a para un tama no N jo, y como una funci on del tama no N para una energ a ja. Se ha calculado el coeciente de transmisi on del sistema mediante el formalismo de la matriz
Cap tulo 4
4.3 Superredes con desorden correlacionado
91
1.0 0.8 0.6
0.4 0.2 0.0
3 E/V
Figura 4.4. Coeciente de transmisi on esn funci on de la energ a reducida E/V . Las echas muestran las energ as dadas por la ecuaci on (4.34). La altura y la anchura nominal de las barreras son, respectivamente, V = 0,4 eV y db = 15 A, mientras que la anchura de los pozos es dp = 200 A, y el n umero de periodos es N = 200.
de transferencia [3, 52]. La gura 4.4 muestra el coeciente de transmisi on calculado en funci on de la energ a reducida E/V para estados por encima de la barrera. Los par ametros estructurales elegidos para el c alculo son los siguientes: dp = 200 A, db = 15 A, V = 0,4 eV, y N = 200. Las echas se encuentran colocadas a las energ as dadas por la relaci on (4.31) y que pueden expresarse como sigue n2 2 2 , (4.34) E= 2 2m p dp donde n es un n umero entero. En la gura puede verse claramente que estas energ as coinciden con las resonancias estrechas que aparecen en la
92
Heteroestructuras con desorden intencionado curva del coeciente de transmisi on.

1.0
E = 0.6875 eV E = 2.7501 eV E = 2.9500 eV
0.1 0
100
200
300
400
N
Figura 4.5. Coeciente de transmisi on en funci on del tama no del sistema N . Las l neas punteada y discontinua corresponden, respectivamente, a n = 7 y n = 14 en la ecuaci on (4.34). La l nea cont nua se corresponde a una energ a de E = 2,95 eV, situada entre n = 14 y n = 15. Los par ametros estructurales son los mismos que en la gura 4.4.
Para comprobar si las energ as dadas por (4.34) se corresponden con aut enticos estados extendidos o no, hemos representado en la gura 4.5 el coeciente de transmision para un par de ellas en funci on del tama no del sistema N , y lo hemos comparado con el coeciente de transmisi on para una energ a cualquiera que yace entre dos de las resonancias. Para las energ as en (4.34) el coeciente de transmisi on permanece constante en funci on del tama no N , siendo este comportamiento el esperado para un estado extendido. Por el contrario, para un estado con energ a en-
Cap tulo 4
4.4 Superredes binarias con desorden correlacionado tre dos cualquiera de las resonancias el coeciente de transmision decae exponencialmente.
93
4.4. Superredes binarias con desorden correlacionado

La t ecnica anal tica utilizada en las dos secciones anteriores, aunque de car acter general, no es de aplicaci on sencilla en cualquier modelo de desorden correlacionado. En particular en el caso de SRs binarias, es decir, aquellas en las que uno de los par ametros estructurales de la SR puede tomar u nicamente dos valores de forma aleatoria, puede resultar m as provechoso atacar el problema de alguna forma m as directa aunque menos sistem atica. En esta secci on nos proponemos estudiar la existencia de estados extendidos en SBDs fabricadas con GaAs-AlGaAs. En estas SRs las alturas de las barreras (la diferencia en energ a entre los l mites de la banda de conducci on en GaAs y Alx Ga1x As) toma dos posibles valores de forma totalmente aleatoria en cada periodo porci on de la SR formada por una barrera y la mitad del pozo anterior y el posterior, salvo que cuando aparece la barrera m as alta lo hace en pares formando lo que denominaremos un d mero. Un sistema similar al que planteamos, en el que el par ametro binario es la anchura de los pozos en lugar de la altura de las barreras, las SPDs, ha sido estudiado de forma extensiva en las referencias [3941]. En la gura 4.6 mostramos el perl de la banda de conducci on de una SBD. Para la descripci on mat ematica de nuestro sistema partimos, tal y como hicimos en la secci on anterior, de un hamiltoniano de Ben DanielDuke para la funci on envolvente. Al igual que entonces, la ecuaci on (4.17) nos servir a para estudiar estados pr oximos al borde de la banda de conducci on en las pr oximidades del valle . Vamos a llamar Vj (j = 1, 2, . . . , N , donde N es el n umero de periodos de la SR), a la altura de la barrera correspondiente al periodo j . Las Vj podr an tomar
94
Contacto
dw
Figura 4.6. Vista esquem atica del perl del borde de la banda de conducci on de una SBD, en la que se aprecia la presencia de dos tipos de barreras con alturas V y V , apareciendo las de altura V siempre en pares (d meros).
on dos valores distintos, V y V , dependiendo del valor x o x de la fracci molar de aluminio en Alx Ga1x As, y lo har an de forma aleatoria salvo por el hecho de que siempre que aparezca V lo har a en dos periodos consecutivos. Sin p erdida de generalidad, en lo que sigue supondremos que V < V y nos jaremos exclusivamente en los estados electr onicos con energ as por debajo de la barrera m as baja V . Entonces el cuadrado del momento electr onico de la j - esima barrera se puede escribir como 2 2 j = 2mb,j (Vj E )/ , donde mb,j es la masa efectiva electr onica en dicha barrera. Con la denici on de periodo ligeramente distinta a la de la secci on anterior, y considerando estados con E < V , podemos reescribir los elementos de la matriz de transferencia (4.18) como sigue j = cosh(j db ) + i 2 i 2 m m b,j p j m mb,j p j senh (j db ) eidp (4.35)
j =
m m p n b,j + m mb,j p j
senh (j db )eidp .
El momento electr onico en la j - esima barrera puede tomar dos valores, y , al igual que la masa efectiva que toma valores m un la b o mb , seg fracci on molar de aluminio sea x o x.
Cap tulo 4
Contacto
db
V V
Dmero
4.4 Superredes binarias con desorden correlacionado
95
4.4.1. Estados extendidos

En el caso de SPDs [40] se ha demostrado que existe un estado extendido cuando Re(d ) = 0 y |Tr(Tr )| 2, donde i d = cosh(db ) + 2 m m p b mp mb senh (db ) eidp ,
siendo dp la anchura de cada pozo cu antico constituyente de un d mero, y Tr es la matriz de transferencia para el periodo de una SR no dim erica, es decir aquella en la que dp,j = dp , j . Es posible obtener de forma directa condiciones similares para la existencia de estados extendidos en el caso de las SRs con d meros en las barreras. Estas condiciones resultan ser formalmente las mismas, aunque la expresi on para d var a ligeramente d = cosh(db ) + i 2 m m p b mp mb senh (db ) eidp . (4.36)
De las anteriores condiciones de deducen las siguientes condiciones |cosh(db ) cos(dp ) senh (db ) sen (dp )| 1, cosh(db ) cos(dp ) senh (db ) sen (dp ) = 0. (4.37)
para energ as por debajo de la barrera mas baja. En estas u ltimas ecuaciones hemos denido por brevedad 1 2 m m p b mp mb 1 2 m m p b mp mb .
La energ a para la que las dos condiciones (4.37) se satisfacen (si es que existe) se corresponde con un estado extendido en la SR uniforme con un u nico defecto de tipo dim erico. Llamaremos energ a de resonancia dim erica, Ed , a esta energ a. M as adelante demostraremos num ericamente que, de hecho, esta energ a se corresponde con la de un estado extendido
96
Heteroestructuras con desorden intencionado en una SR con un conjunto de d meros distribuidos aleatoriamente a lo largo de ella. Adem as de la anterior energ a de resonancia debida a la existencia de correlaciones de corto alcance de tipo dim erico, las SRs con d meros en las barreras presentan otro tipo de resonancia debido a correlaciones de tipo binario. Consideremos una SR formada por dos tipos de barreras distribuidas de forma aleatoria. Es evidente que los efectos de la aletoriedad ser an eliminados cuando las posiciones de dos barreras cualesquiera puedan ser intercambiadas para un cierto valor de la energ a. En el caso de que esto suceda, al existir u nicamente dos tipos de barreras, es posible desplazar todas las barreras de un tipo a cada lado. Podemos ilustrar este proceso esquem aticamente V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V . Este argumento puede aplicarse al caso de las SRs con d meros en las barreras dentro del formalismo de la matriz de transferencia, considerando que la condici on de intercambio de dos barreras etiquetadas por los ndices i y j es matem aticamente equivalente a la condicion de que las matrices de transferencia Ti y Tj conmuten entre s (un argumento similar ha sido utilizado para el estudio de estados cr ticos en sistemas de Fibonacci [97]). En concreto, dado que s olo existen dos tipos de barreras, con alturas V y V , podemos escribir la condici on de conmutaci on de matrices de transferencia como [T, T ] = 0, siendo T la matriz de transferencia asociada a un periodo de la SR con una barrera de altura V , y T la matriz de transferencia asociada a un periodo de la SR con una barrera de altura V . Esta condici on de conmutaci on conduce a las siguientes ecuaciones Im( ) = 0, Im() = Im(). (4.38)
Cap tulo 4
4.4 Superredes binarias con desorden correlacionado donde , son los elementos de la matriz de transferencia T , mientras que , son los elementos de la matriz de transferencia T . En el caso de la SR con d meros en las barreras estas dos condiciones pueden satisfacerse simultaneamente, dado que la primera de ellas se reduce a una identidad, mientras que la segunda proporciona la siguiente ecuaci on transcendente cosh(db ) sen (dp ) + senh (db ) cos(dp ) + senh (db ) = . + senh (db ) cosh(db ) sen (dp ) + senh (db ) cos(dp ) (4.39)
97
Para poder tener un estado extendido a la energ a que es soluci on de la ecuaci on (4.39), esta energ a debe yacer dentro de las minibandas de las SRs formadas u nicamente con barreras de altura V o de altura V , es decir |Tr(T )| 2, |Tr(T )| 2. (4.40) De aqu en adelante llamaremos energ a de resonancia conmutativa, Ec , a la energ a que es soluci on de las ecuaciones (4.39) y (4.40).

Para determinar si las energ as Ed y Ec corresponden a aut enticos estados extendidos hemos realizado un estudio num erico. En la gura 4.7 mostramos el coeciente de transmisi on de una SBD hecha de GaAs-Alx Ga 1x As con los siguientes par ametros estructurales db = 25 A, dp = 25 A, x = 0,33 y x = 0,44. La fracci on de barreras de altura V es el 30 % del n umero total de barreras. Con estos par ametros puede observarse como aparecen dos resonancias en el coeciente de transmisi on pr oximas a los bordes de la minibanda. Las energ as a las que aparecen estas resonancias resultan ser aquellas obtenidas resolviendo las ecuaciones (4.37) y (4.39), (4.40). Las soluciones son Ed 0,140eV y Ec 0,212eV para las resonancias dim erica y conmutativa respectivamente. En la gura 4.8 representamos la dependencia del coeciente de transmisi on con el tama no del sistema para diversas energ as. Puede verse que las curvas de
98
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 0.12 0.16

E (eV)
Figura 4.7. Coeciente de transmisi on en funci on de la energ a para una SR con d meros en las barreras con db = 25 A, dp = 25 A, x = 0,33 y x = 0,44 y N = 1000 periodos. El n umero de barreras de altura V es el 30 % del total. Se observa la aparici on de dos resonancias con energ as E = Ed 0,140eV y E = Ec 0,212eV.
0.20
0.24
Ed y Ec tienen pendiente cero, siendo esto consecuencia de una longitud de localizaci on innita. Mientras, lejos de las resonancias, observamos que los estados tienen longitud de localizaci on nita. Esto sugiere que las energ as obtenidas a partir de las ecuaciones (4.37) y (4.39), (4.40) corresponden de hecho a dos tipos distintos de estados extendidos. Puede tambi en observarse en la gura el efecto del desorden no intencionado sobre las resonancias. Con el n de comprobar si nuestros resultados son aplicables a SRs reales, en las que es inevitable la presencia de cierto grado de desorden no intencionado debido a la rugosidad en las intercaras entre distintos materiales, hemos permitido en nuestros c alculos que la anchura de pozos y barreras uct ue aleatoriamente de la forma que explicamos en el cap tulo anterior [40]. La anchura de las l aminas teniendo
Cap tulo 4
4.4 Superredes binarias con desorden correlacionado

0
99
-20
ln()
-40
E=0.2119112 eV E=0.1400451 eV E=0.1700000 eV E=0.2119112 eV, W=0.05
-60 0
1000
2000
N
Figura 4.8. Dependencia del coeciente de transmisi on en funci on con el tama no del sistema (n umero de periodos N ). La l nea cont nua y los c rculos se corresponden con Ec y Ed respectivamente, mientras que la l nea a trazos se corresponde con E = 0,170 eV. La l nea de puntos se corresponde con una SR con desorden no intencional a la energ a Ec , en la que la anchura de las barreras y los pozos uct ua un 1 % en torno a sus valores medios.
en cuenta la uctuaci on con la que modelizamos la rugosidad puede expresarse como di (1 + W ), donde di = db , dp es la anchura nominal de la capa, W es un par ametro adimensional que mide el grado de desorden no intencionado y es una variable aleatoria distribuida uniformemente entre 1/2 y 1/2. La gura 4.8 muestra que la rugosidad en las intercaras hace que el estado electr onico correspondiente a la resonancia conmutativa se localice. En la gura hemos considerado W = 0,05, es decir, uctuaciones que en promedio son del orden del 1 % de la anchura de la l amina. En la gura es posible observar que la longitud de localizaci on es sucientemente grande como para permitir la posible comprobaci on experimental de la existencia de las resonacias dim erica y conmutativa
100
Heteroestructuras con desorden intencionado en SRs con un elevado control estructural en las que la rugosidad en las intercaras es peque na. Es importante se nalar que los estados extendidos de tipo conmutativo que estamos describiendo no son caracter sticos de las SBDs, en el sentido de que las correlaciones de t po dim erico no son en absoluto necesarias para su aparici on. Esto signica que cualquier SR con una distribuci on binaria en la altura de las barreras que satisfaga la siguiente funci on de 2 correlaci on Vn Vm = V nm deber a mostrar el mismo tipo de estado extendido. As , debemos enfatizar que, debido a la existencia de dos tipos de correlaciones en la distribuci on de valores de unos de los par ametros estructurales de la SR, hemos encontrado un sistema en el que aparecen dos tipos de estados extendidos, siendo sus or genes totalmente distintos: uno de ellos se debe a las correlaciones dim ericas de corto alcance, mientras que el otro surge de la naturaleza conmutativa de las matrices de transferencia que describen el sistema a ciertas energ as. Realmente el tipo de resonancias conmutativas que hemos descrito parecen ser ub cuas en estructuras de tipo binario. Por ejemplo, una condici on similar a la encontrada en el caso de la SBDs se puede obtener en el caso de las SPDs. En estas SRs se encuentra que una nueva resonancia aparece cuando se satisface la condici on p dp ) = . (d (4.41)
w y dp son los anchuras de los dos tipos de pozos Aqu n es un entero, y d cu anticos en la SR. Otro ejemplo de esta clase de resonancias es la modelo de Kronig-Penney binario y aleatorio con barreras de potencial de tipo delta. En este modelo las condiciones de conmutaci on (4.39) conducen a la misma energ a de resonancia encontrada por Ishii [98] y discutida por Hilke y Flores [99]. Concluimos esta secci on con algunos comentarios acerca de la posibilidad de observaci on de los estados extendidos estudiados en SRs con
Cap tulo 4
4.5 Conclusiones desorden intencional. Se ha demostrado [22] que la existencia de estados extendidos en SPDs se pone de maniesto en medidas de transporte a baja temperatura. En particular la resistividad de una muestra de este tipo con una elecci on adecuada de los par ametros, y una muestra ordenada (peri odica), hechas de GaAs-Alx Ga1x As, muestran un plateau a baja temperatura, mientras que este plateau est a ausente cuando se relaja la restricci on dim erica, es decir, cuando los dos tipos de pozos se disponen aleatoriamente pero sin formar pares. Nuestra conjetura es que el mismo tipo de medidas puede llevarse a cabo en SBDs para determinar el aut entico car acter extendido de los estados conmutativos los cuales, en esta clase de SRs, son m as f aciles de situar dentro de la minibanda. Sin embargo las medidas de resistividad ser an, probablemente, incapaces de separar los efectos de estados dim ericos y conmutativos, de manera que se har a necesaria una selecci on cuidadosa de los par ametros estructurales de la SR con el n de situar la resonancia dim erica fuera de la minibanda, dejando la conmutativa dentro de esta. De este modo las desviaciones en el comportamiento de la resistividad respecto al valor obtenido para la SR ordenada ser an s olo achacables a la presencia de un estado extendido de tipo conmutativo.
101
4.5. Conclusiones
A continuaci on presentamos los principales resultados de este cap tulo resumidos en las siguientes conclusiones. En este cap tulo hemos estudiado la existencia de estados extendidos en SRs desordenadas con desorden intencional correlacionado. Para el estudio de estados extendidos en sistemas con desorden correlacionado hemos comenzado por aplicar la t ecnica anal tica que utilizamos posteriormente en el caso de las SRs, al caso de una
102
Heteroestructuras con desorden intencionado aleaci on binaria, por ser este m as sencillo desde un punto de vista algebraico. En el caso de la aleaci on binaria hemos demostrado la existencia de un estado deslocalizado para sistemas innitos. Se ha obtenido, adem as, una expresi on aproximada para la longitud de localizaci on en un entorno de la energ a a la que aparece el estado extendido. Por u ltimo se han mostrado resultados num ericos de densidad de estados e IPR, que sugieren la existencia de N estados extendidos en el caso de un sistema nito, donde N es el tama no del sistema. Esto u ltimo es importante desde un punto de vista experimental, dado que las propiedades de transporte en sistemas reales (nitos) estar an inuenciadas por la existencia de estos estados con longitud de localizaci on mayor que el tama no del sistema. El mismo m etodo anal tico utilizado en el caso de la aleaci on binaria se ha usado para estudiar SRs semiconductoras con dos tipos de desorden correlacionado. Se han encontrado expresiones para la energ a de las resonancias de transmisi on y se ha demostrado num ericamente en uno de los dos tipos de desorden que estas resonancias en la energ a coinciden con estados electr onicos extendidos de la SR. Las resonancias de transmisi on encontradas num ericamente son anchas en energ a, lo que sugiere longitudes de localizaci on grandes para las energ as pr oximas a las energ as resonantes encontradas anal ticamente, y por tanto la posibilidad de que las propiedades de transporte en la SR se vean afectadas por la existencia de estados con longitud de localizaci on mayor que el tama no del sistema. Hemos estudiado la existencia de estados extendidos en SBDs. En este tipo de SRs en las que uno de los par ametros estructurales puede tomar dos valores de forma aleatoria, se han encontrado dos
Cap tulo 4
4.5 Conclusiones tipos de resonancias de transmisi on. El origen de una de ellas est a en las correlaciones de corto alcance de tipo dim erico, mientras que el or gen de la otra se encuentra en la naturaleza conmutativa de las matrices de transferencia que describen el sistema. Finalmente se ha demostrado num ericamente la naturaleza extendida de los estados electr onicos correspondientes a las energ as de las resonancias de transmisi on encontradas.
103
CAP ITULO 5 Heteroestructuras con desorden no intencionado

5.1. Introducci on
Desde la aparici on de diversos m etodos de crecimiento epitaxial, como la MBE, ha sido posible el desarrollo de dispositivos basados en heteroestructuras de semiconductores de alta calidad cristalina, caracterizados por una baja presencia de defectos e impurezas, as como por un elevado control de la rugosidad en las intercaras entre los distintos materiales. Con todo, es inevitable la aparici on de irregularidades durante el crecimiento de estos dispositivos, de manera que se hace necesario un tratamiento te orico que investigue los efectos de estas imperfecciones estructurales sobre sus propiedades opticas y de trasporte. Se han dedicado diversos trabajos al estudio te orico de las propiedades de la estructura y transporte electr onicos en superredes, tanto en estado estacionario [72, 100, 101] como dependientes del tiempo [102], y en heteroestructuras de doble barrera [103, 104], en las que est a presente alg un tipo de desorden no intencionado. As mismo, se han desarrollado
106
Heteroestructuras con desorden no intencionado diversas t ecnicas num ericas y anal ticas para tratar este tipo de problemas, basadas en formalismos del tipo matriz de transferencia [105], o en el formalismo de las funciones de Green [106,107]. Aunque estos m etodos pueden resultar convenientes desde un punto de vista anal tico o computacional, las aproximaciones necesarias para simular la presencia de desorden hacen de ellos modelos poco realistas. Si bien hasta la fecha se han desarrollado algunos modelos unidimensionales para estudiar la propagaci on de paquetes de ondas en multicapas rugosas, en las que el desorden se introduce a trav es de un potencial que es una funci on aleatoria de una u nica coordenada [108], estos modelos fallan a la hora de describir sistemas con un peque no n umero de capas (por ejemplo heteroestructuras de doble barrera). En este cap tulo nos proponemos desarrollar una herramienta te orica para tratar de forma m as realista, mediante un modelo bidimensional, el desorden presente en las heteroestructuras de semiconductores que se crecen hoy en d a. Una vez desarrollada esta herramienta, la utilizaremos para estudiar c omo afecta la rugosidad en las intercaras entre distintos materiales, as como la falta de homogeneidad en las concentraciones de Al que aparecen durante el proceso de crecimiento epitaxial, al transporte electr onico en heteroestructuras de doble barrera de GaAs-Alx Ga1x As [109, 110]. Posteriormente pasaremos a estudiar la formaci on de minibandas en matrices bidimensionales (superredes) de puntos cu anticos de GaAs-Inx Ga1x As, y c omo el desorden debido a la falta de homogeneidad en el tama no o la forma de los puntos, o a la desviaci on de la posici on de los puntos respecto a una ordenaci on peri odica, afecta a dicha formaci on de minibandas y a la conductancia en estos sistemas [111].
5.2. Modelo de transporte

En lo que sigue consideraremos heteroestructuras de semiconductores conectadas a dos contactos en las que, modicando el nivel de Fermi en
Cap tulo 5
5.2 Modelo de transporte cada uno de los contactos, es posible inyectar electrones en una direcci on u otra (con la aplicaci on de un campo el ectrico, por ejemplo). El potencial de la heteroestructura, actuando como centro dispersor de los electrones inyectados en el sistema, va a determinar el comportamiento de magnitudes como la conductancia o la corriente el ectrica.
107
Figura 5.1. Vista esquem atica del sistema bajo estudio. Las regiones I y III son los contactos izquierdo y derecho respectivamente, mientras que los electrones s olo sufren procesos de dispersi on en la regi on II.
Para nuestros prop ositos vamos a considerar la ecuaci on de Schr odinger bidimensional para un u nico electr on en un modelo de una banda dentro de la aproximaci on de masa efectiva. En las proximidades del valle esta aproximaci on conduce a una ecuaci on tipo Ben DanielDuke para la funci on envolvente de la siguiente forma:
2
2m
2 2 + y 2 z 2
+ U (y, z ) (y, z ) = E (y, z ).
(5.1)
siendo z la coordernada en la direcci on de crecimiento (ver gura 5.1). Por simplicidad consideraremos, en lo que sigue, una masa efectiva constante m en el punto a lo largo de toda la heteroestructura. Esto no representa una seria limitaci on, dado que la ecuaci on (5.1) puede ser f acilmente modicada de manera que incluya una masa efectiva dependiente de la posici on. Con la nalidad de resolver num ericamente esta ecuaci on vamos
108
Heteroestructuras con desorden no intencionado a denir una malla en el espacio con distancias entre nodos en los ejes y e z dadas por ay y az respectivamente. Si ahora denimos las constantes 2 2 ty 2 /(2m a2 y ) y tz /(2m az ) y tomamos diferencias nitas en la ecuaci on (5.1) llegamos a la siguiente versi on discreta de la misma tz (n+1,m + n1,m ) + ty (n,m+1 + n,m1 ) + (Un,m 2tz 2ty )n,m = En,m . (5.2)
Aqu el t ermino de energ a potencial Un,m es debido a la diferencia de energ a entre los bordes de la banda de conducci on en los materiales que componen la heteroestructura. Para resolver esta ecuaci on de tipo enlace fuerte utilizaremos el m etodo de la matriz de transferencia. Si dividimos nuestro sistema en rodajas (o regiones del sistema con ndice n constante) a lo largo del eje z podemos utilizar la soluci on conocida en una de estas rodajas para calcular la soluci on desconocida en la siguiente. Denamos el vector n n,1 n,2 . . . n,M donde M y N +1 son el n umero de divisiones de la malla en las direcciones y y z respectivamente, y la matriz Mn = Rn + Bn . Rn es una matriz tridiagonal cuyos elementos diagonales son (Rn )mm = Un,m 2tz 2ty y los no diagonales son iguales a ty . Bn es una matriz que depende de las condiciones de contorno elegidas en la direcci on y . Si elegimos, como haremos en lo sucesivo, condiciones de contorno peri odicas, tendremos que (Bn )1,M = (Bn )M,1 = ty , siendo el resto de los elementos cero. Con estas deniciones es posible reescribir la ecuaci on (5.2) en forma matricial , n = 0, 1, . . . , N + 1, (5.3)
Cap tulo 5
5.2 Modelo de transporte como sigue n1 n =

1 t z (E I Mn ) I I O
109
n n+1
(5.4)
donde I y O son las matrices identidad y cero, respectivamente, de dimensiones M M . Esta u ltima expresi on nos permite relacionar por iteraci on las amplitudes de las funciones envolventes en rodajas no consecutivas. En particular podemos obtener la expresi on para las amplitudes de las funciones envolventes en el contacto izquierdo en funci on de las amplitudes en el derecho 0 1 donde T
(N ) N
= T (N )
N N +1
(5.5)
n=1
1 t z (E I Mn ) I I O
(5.6)
es la matriz de transferencia asociada a la heteroestructura. Como ya ha sido indicado, nuestro objetivo es resolver el problema de la dispersi on de electrones que inciden sobre la heteroestructura desde uno de los contactos. En lo que sigue consideraremos electrones incidiendo sobre la heteroestructura desde el contacto izquierdo (zona I en la gura 5.1). Las funciones envolventes en los contactos estar an determinadas por las condiciones de contorno los mismos. Estas condiciones de contorno son abiertas en la direcci on de crecimiento z y, como se anticip o, son peri odicas en y . Entonces, en la direcci on de crecimiento, las soluciones son ondas planas, mientras que en la direcci on normal existir a una discretizaci on de la energ a. Como consecuencia de esta discretizaci on aparece un n umero nito de canales transversales igual al n umero de puntos en la direcci on y de la malla. En equilibrio se tiene que Un,m = 0 en los contactos, e imponiendo n,1 = n,M +1 , es posible encontrar una
110
Heteroestructuras con desorden no intencionado soluci on particular a la ecuaci on (5.2) de la forma 1 2l l n,m = exp i m exp (ikl az n) M Nl l = 1, 2, . . . , M, (5.7)
donde Nl es una constante de normalizaci on necesaria para que todos los distintos modos propagantes transporten la misma corriente de probabilidad. Esta constante de normalizaci on est a dada por Nl = 1 sen 2 a2 y 2l M + 1 sen 2 (kl az ) . a2 z (5.8)
Es importante notar que estamos considerando una dependencia del momento en la direccion z con el ndice l. Este hecho es una consecuencia de haber asumido impl citamente que todos los procesos de dispersi on en la regi on II son el asticos, de manera que la energ a se conserva. Para una energ a dada se tendr a kl = 1 cos1 az 1 2l 1 E 2ty cos 2tz M +1 . (5.9)
Con estas consideraciones podemos ahora escribir una soluci on general para el problema de dispersi on de un electr on que incide con energ a E sobre la regi on II a trav es del canal transversal l. En el contacto izquierdo, es decir, para (m, n) I, est a soluci on ser a de la forma 1 2l l n,m = exp i m exp (ikl az n) M Nl
M
+
j =1
rlj
1 2j exp i m exp (ikj az n) , M Nj
(5.10a)
Cap tulo 5
5.2 Modelo de transporte mientras que en el contacto derecho, con (m, n) III, tendremos
M l n,m
111
=
j =1
tlj
1 2j exp i m exp (ikj az n) . M Nj
(5.10b)
Las matrices r y t que aparecen en estas dos soluciones son la matrices de reexi on y transmisi on , y son las responsables de la mezcla de canales debida a la dispersi on por el potencial de la heteroestructura. De esta manera, rij representa la amplitud de probabilidad de que un electr on incidiendo en el canal i sea reejado en el canal j . De la misma manera tij representa la amplitud de probabilidad de que un electr on que incida en el canal i se transmita a trav es de la heteroestructura saliendo en el canal j . En este punto, la soluci on en la regi on II es desconocida. Realmente no estamos interesados en esta soluci on, dado que toda la f sica del problema de dispersi on de electrones por el potencial de la heteroestructura est a contenido en las matrices de mezcla r y t. En lo que sigue nuestro principal objetivo ser a relacionar los elementos de r y t con los de la matriz de transferencia T (N ) que aparece en la ecuaci on (5.6), dado que estos u ltimos son conocidos. Comenzaremos reescribiendo formalmente la ecuaci on (5.2) como H = E . A continuaci on vamos a realizar la siguiente transformaci on sobre las funciones envolventes = t1 . (5.11)
Es f acil ver que el hamiltoniano H es invariante bajo dicha transformaci on, esto es, H t1 Ht = H. Que es as es evidente dado que, formalmente, t y H conmutan entre s por actuar sobre espacios vectoriales diferentes. El hecho de que H sea un invariante implica que T (N ) no se ve afectada por la transformaci on (5.11) de las funciones envolventes, de manera que permanece inalterada. Adem as, bajo esta transformaci on, es
112
Heteroestructuras con desorden no intencionado posible reescribir las soluciones (5.10a) y (5.10b) de la siguiente forma
M l n,m
=
j =1 M
alj blj
j =1
1 2j exp i m exp (ikj az n) M Nj 2j 1 exp i m exp (ikj az n) , M Nj (5.12a)
v alida para (m, n) I, y 1 2l l = exp i n,m m exp (ikl az n) , M Nl (5.12b)
1 que es valida en (m, n) III. Aqu hemos denido blj M s=1 tls rsj y 1 alj t on transformada lj . Para cada canal l podemos escribir la ecuaci de (5.5) como l l 0 N (N ) = T . (5.13) l l 1 N +1
Si ahora introducimos las siguientes deniciones A0 A0 jm = B 0 A0 , A1 A1 jm = B1 1 2j m exp ikj az , exp i M Nj 1 2j 1 Bjm = exp i m exp ikj az , M Nj bl 1 al 1 bl 2 al 2 l , b = . , = . . . . . blM alM 1 2j m , exp i M Nj
al
(5.14)
llegamos a la siguiente transformada de la ecuaci on (5.13) en t erminos
Cap tulo 5
5.2 Modelo de transporte de los elementos de las matrices de mezcla l 0 l 1 = A0 B 0 A1 B 1 al bl = T (N ) l N 1 l N , (5.15)
113
y, nalmente, tenemos al bl = A0 B 0 A1 B 1
1
T (N )
l N 1 l N
(5.16)
que nos proporciona los elementos de matriz alj y blj con j = 1, 2, . . . , M para cada canal l en t erminos del producto de dos matrices conocidas y de las soluciones transformadas (5.12b) en el contacto derecho para el canal l. Es importante se nalar aqu que toda la informaci on acerca del potencial de la heteroestructura est a contenida en la matriz T (N ) , de manera que esta resulta ser la magnitud fundamental en la resoluci on del problema de dispersi on.
5.2.1. Conductancia
Una vez que a y b han sido calculadas, obtener las matrices de mezla r y t es sencillo. Sin embargo, las matrices calculadas de esta manera son matrices de respuesta del sistema que incluyen informaci on sin contenido f sico. Esta informaci on esp urea proviene del hecho de haber estado considerando todas las soluciones matem aticas del problema de dispersi on, incluidas las que divergen en innito. Estas soluciones son aquellas para las que el momento en la ecuaci on (5.9) es una cantidad imaginaria. Para evitar estas soluciones esp ureas desecharemos todos los elementos de t para los que el n umero cu antico transversal l entrante y/o saliente satisfaga la siguiente condici on E < 2ty cos 2l 1 . M (5.17)
114
Heteroestructuras con desorden no intencionado Una vez que son conocidas las matrices de mezcla , en particular la matriz t, podemos utilizarlas para calcular distintas cantidades f sicas como la conductancia o la corriente el ectrica. A partir del formalismo de Landauer-B uttiker [9, 1315] es posible determinar la conductancia para un sistema de dos contactos y muchos canales a temperatura cero, usando para ello la f ormula de Fisher-Lee [11] G= 2e2 Tr(t t). h (5.18)
5.2.2. Corriente el ectrica

Para poder calcular la corriente el ectrica debida a un campo aplicado F debemos modicar ligeramente nuestras ecuaciones y adem as son necesarias algunas aproximaciones adicionales. En primer lugar consideraremos contactos el ectricos perfectos, de manera que no haya ca da de potencial en ellos. Adem as no tendremos en cuenta la contribuci on a la corriente de los electrones en el mar de Fermi del contacto derecho. Esta aproximaci on es buena siempre que eV > EF , donde V es la ca da de tensi on a lo largo de la regi on II y EF es el nivel de Fermi en el contacto izquierdo. Finalmente, haremos nuestro estudio a temperatura cero. Cuando consideramos un campo el ectrico aplicado a lo largo de la direcci on z , el potencial U (y, z ) en la ecuaci on (5.1) ha de ser reemplazado por U (y, z ) + UF (z ), donde UF es constante en los contactos, (UF (z ) = 0 en la regi on I, y UF (z ) = eV en la regi on III) y se comporta linealmente en la regi on II, es decir, UF (z ) = eF z . Aqu V = F L es la ca da de potencial a lo largo de la regi on II, cuya longitud es L. El momento electr onico en el contacto derecho ahora es ql = 1 cos1 az 2l 1 E + eV 2ty cos 1 2tz M +1 , (5.19)
Cap tulo 5
5.2 Modelo de transporte mientras que la nueva soluci on general en este mismo contacto es
M l n,m
115
=
j =1
tlj
1 2j exp i m exp (iqj az n) , M Nj
(5.20)
donde (m, n) III. Teniendo en cuenta todas las aproximaciones consideradas hasta ahora, es posible calcular una nueva matriz de transferencia T (N ) para cada valor de F . Insertando la soluci on (5.20) en la ecuaci on (5.16) podemos obtener ahora las matrices de mezcla para un determinado campo aplicado y, a partir de ellas, calcular la corriente el ectrica inducida por dicho campo. Partiendo de la expresi on para la corriente de probabilidad podemos escribir una versi on discreta de la contribuci on del canal l a la densidad de corriente electr onica a lo largo de la direcci on del campo aplicado en el contacto derecho (calculada en una rodaja de ndice n dentro de la regi on III, esto es, dentro de dicho contacto) como
l jz
etz az 1 =i ay M
M l l Im[(n,m ) n +1,m ]. m=1
(5.21)
Para calcular la densidad total de corriente a trav es de la muestra simplemente necesitamos sumar sobre todos los estados transversales permitidos por debajo del nivel de Fermi en el contacto izquierdo, esto es etz az 1 jz = i 2 ay M
M M 0
l kF
l l Im[(n,m ) n +1,m ]dk.
(5.22)
m=1 l=1
N otese que aqu el momento electr onico en la direcci on z , k , var a de manera continua dado que la energ a de un electr on incidente puede tomar l cualquier valor comprendido entre 0 y EF . En esta u ltima expresi on kF es la componente del momento electr onico a lo largo de la direcci on z de un electr on que incide con n umero cu antico transversal l y energ a incidente EF . Utilizando los elementos de la matriz de transmisi on nalmente
116 llegamos a jz etz az 1 = i 2 ay M

M M
Heteroestructuras con desorden no intencionado
l kF
M tlj tls
m=1 l=1
j =1 s=1
1 2 (s j )m exp i M Ns Nj (5.23)
exp (i(qs qj )az n) [exp (iqs az ) exp (iqj az )] dk.
Los resultados que hemos obtenido proporcionan una descripci on anal tica exacta, aunque no cerrada, de cualquier heteroestructura bidimensional basada en semiconductores de gap ancho, siempre que el hamiltoniano de Ben Daniel-Duke resulte v alido como aproximaci on. Adem as es importante se nalar que la generalizaci on a tres dimensiones es directa, aunque desde un punto de vista computacional las dicultades en este caso aumentan sensiblemente.
5.3. Dobles barreras con desorden en las intercaras

El efecto t unel resonante en heteroestructuras de doble barrera hace de estos sistemas candidatos muy prometedores para constituir una nueva generaci on de dispositivos electr onicos de alta velocidad. Por ejemplo, en la literatura se han descrito heteroestructuras de doble barrera fabricadas en GaAs-Alx Ga1x As funcionando a frecuencias del orden de los terahercios [112]. El origen del efecto t unel resonante en las heteroestructuras de doble barrera es un efecto cu antico cuyas caracter sticas fundamentales son hoy en d a bien conocidas: existe un incremento espectacular de la transmisi on electr onica a trav es de la doble barrera cuando la energ a de los electrones incidentes est a pr oxima a alguno de los niveles cuasi ligados del pozo [113]. En la pr actica, se aplica un voltaje con la nalidad de desplazar la energ a del nivel cuasi ligado de manera que su centro se alinee con el nivel de Fermi. En consecuencia, la curva corrientevoltaje presenta resistencia diferencial negativa, dado que si seguimos aumentando el
Cap tulo 5
5.3 Dobles barreras con desorden en las intercaras potencial aplicado el nivel de Fermi estar a por debajo de la resonancia de transmisi on, y esta caer a abruptamente. Esta imagen extremadamente
117
Figura 5.2. Regi on de resistencia diferencial negativa en la curva de corriente frente a voltaje obtenida en un dispositivo de doble barrera [26].
simple de los dispositivos basados en heteroestructuras de doble barrera contrasta con las dicultades encontradas para describir de forma apropiada las muestras reales de este tipo. Dispersi on por fonones, electrones, o defectos reducen la coherencia cu antica necesaria, y de hecho, se observan desviaciones respecto a la descripci on anterior. Estos mecanismos de dispersi on pueden explicar la aparici on de efectos como resonancias en bandas laterales debidos a la interacci on con fonones [114, 115] y fotones [116, 117], hist eresis en las curvas de corrientevoltaje debidas a efectos de interacci on de muchos cuerpos [118120], o la disminuci on de la movilidad electr onica debida a la rugosidad en las supercies, existente incluso en heteroestructuras de alta calidad cristalina [104]. En la siguiente secci on vamos a tratar de estudiar los efectos que sobre las propiedades de transporte electr onico tiene la rugosidad presente en las intercaras entre los distintos semiconductores que aparece durante el proceso de crecimiento de heteroestructuras de doble barrera formadas por GaAs y Alx Ga1x As. Esta rugosidad puede considerarse como desorden no intencional que, siguiendo a M ader y col. puede clasicarse en dos categor as, lateral y vertical [61] (v ease la gura 5.4). Este desorden
118
Figura 5.3. Vista esquem atica de un dispositivo de doble barrera con rugosida en la intercara entre distintos materiales.
no intencional depende cr ticamente de las condiciones de crecimiento (presiones parciales, temperatura, etc.) y puede ser caracterizado usando distintas t ecnicas, como la microscop a t unel de barrido [121123] o la dispersi on de rayos X [124]. Como ya dijimos, el desorden lateral aparece cuando un semiconductor se introduce en el otro, dando lugar a intercaras qu micamente entremezcladas, escalones e islas. Como consecuencia de dicho desorden lateral, la intercara no es plana y se rompe la simetr a translacional en el plano perpandicular a la direcci on de crecimiento. Por otro lado el desorden vertical se observa cuando el grosor de una l amina uct ua en torno a su valor nominal. A continuaci on vamos a estudiar c omo afecta a la corriente y la conductancia la rugosidad presente en las intercaras de una doble barrera tanto en forma de desorden lateral como en forma desorden composicional el debido a uctuaciones locales de la concentraci on de Al que puede ser visto como una mezcla de desorden lateral y vertical.
5.3.1. Desorden lateral

Para tratar el desorden lateral hemos desarrollado un modelo de intercara en el que consideramos la formaci on de islas consecutivas las unas
Cap tulo 5
5.3 Dobles barreras con desorden en las intercaras
119
Figura 5.4. y vertical.
Esquema mostrando la diferencia entre desorden lateral
a las otras, todas ellas con el mismo tama no lateral. En este modelo las islas tienen alturas que est an distribuidas estoc asticamente (v ease la gura 5.5). Es posible expresar el perl de rugosidad de la intercara entre dos l aminas consecutivas deniendo la siguiente funci on para la altura de la intercara en cada punto respecto a su valor nominal h(y ) =
n
wn {(y n ) + [(n + 1) y ] 1}.
(5.24)
Aqu h(y ) representa la desviaci on respecto a una supercie plana en la posici on y , es la funci on theta de Heaviside, es la anchura de las islas, wn es la variable aleatoria asociada a la n-sima isla que controla la uctuaci on de la altura en torno al valor medio, y es la desviaci on m axima en valor absoluto suponiendo que las variables wn est an uniformemente distribuidos entre 1 y 1. De aqu en adelante nos referiremos a como grado de desorden lateral. Para simular el desorden lateral, vamos a considerar dos tipos de modelos. El primero de ellos es el que llamaremos desorden no correlacionado, para el cual las variables aleatorias wn toman valores desde 1 a 1 con distribuci on uniforme, veric andose el correlador wn wm = nm /3.
120
h(y) GaAs y AlxGa1-xAs
Figura 5.5. Islas y escalones modelando el desorden lateral (rugosidad) en la intercara entre dos capas de distintos materiales semiconductores.
Un correlador como este implica que la altura de la supercie en cada punto es independiente del valor de la altura en cualquier otro punto del resto de la intercara. Sin embargo, resultados experimentales y modelos te oricos de procesos de crecimiento por MBE [125] muestran que las alturas de la supercie en puntos distantes est an fuertemente correlacionadas [126]. Para modelizar esta situaci on consideraremos un segundo modelo de desorden lateral en el que las variables aleatorias wn siguen una distribuci on normal con valor medio cero y ser an tales que satisfagan el siguiente correlador exponencial wn wm = exp(|n m|/ )/3, donde es la longitud de correlaci on del desorden. En lo que sigue todos los resultados presentados han sido calculados a temperatura cero, salvo que se indique otra cosa. Pasando ya a los resultados obtenidos con nuestro modelo para los distintos tipos de desorden lateral, comenzamos realizando algunas c alculos num ericos para estudiar el efecto que sobre la conductancia tienen distintos valores del grado de desorden en el caso de desorden no corre-
Cap tulo 5
5.3 Dobles barreras con desorden en las intercaras lacionado. La gura 5.6 muestra la conductancia calculada para distintos valores de . Aqu ay = 10 nm, az = 0,3 nm, = 20 nm, M = 50, y N = 38. La anchura de las barreras es de 2,1 nm tanto para el emisor como para el colector, sus alturas son tambi en id enticas e iguales a 0,3 eV, y la anchura del pozo es de 4,8 nm. Las curvas se corresponden con el
50 40 30
Ordenada Desordenada =0.3 nm Desordenada =0.6 nm
121
30
20 10 0 0
25
20
0.09 0.10 0.11 0.12
E (eV)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
E (eV)
Figura 5.6. Conductancia en unidades de 2e2 /h de una doble barrera ordenada, comparada con la de una desordenada para dos valores distintos del grado de desorden lateral . Los resultados con desorden fueron obtenidos promediando sobre 100 realizaciones distintas del desorden lateral. En el recuadro interior se puede apreciar el desplazamiento de la primera resonancia de conductancia hacia energ as menores a medida que crece el desorden lateral.
promedio calculado para un conjunto de curvas de conductancia calculadas sobre 100 realizaciones distintas del desorden lateral. Se estudiaron tres valores distintos del grado de desorden, = 0 (doble barrera perfecta sin rugosidad en las intercaras), = 0,3 nm (la mayor uctuaci on es del orden de una monocapa) y = 0,6 nm (la mayor uctuaci on es del
122
Heteroestructuras con desorden no intencionado orden de dos monocapas). Como resultado principal puede apreciarse en la gura 5.6 que al aumentar el grado de desorden se produce una disminuci on del valor de la conductancia a la energ a de la resonancia de la doble barrera. Tambi en es posible observar como el m aximo de conductancia se ensancha ligeramente debido a las uctuaciones en la energ a del nivel resonante que se producen en cada realizaci on del desorden. Es posible observar, adem as, un efecto adicional: a medida que el grado de desorden lateral aumenta, el m aximo de conductancia se desplaza hacia menores energ as. Este efecto ser a importante para explicar m as adelante las curvas de corriente-voltaje.
30 T=77K 20
G
10 0 T=300K 20 Ordenada Desordenada =0.3 nm
G
10 0 0
0.05
0.10
0.15
0.20
E(eV)
Figura 5.7. Conductancia en unidades de 2e2 /h de una doble barrera ordenada comparada con la de una desordenada para dos valores distintos de la temperatura, T = 77 K y T = 300 K. Las curvas con desorden se obtuvieron promediando sobre 100 realizaciones. = 0,3 nm en el caso desordenado.
Con la nalidad de comprobar cu al es el efecto de una temperatura
Cap tulo 5
5.3 Dobles barreras con desorden en las intercaras nita (distinta de cero) sobre la conductancia, hemos calculado esta cantidad a dos valores distintos de la temperatura, T = 77 K y T = 300 K, usando para ello la f ormula de Engquist-Anderson [12]. La gura 5.7 muestra la conductancia en el caso de un sistema ordenado y de uno desordenado en el que = 0,3 nm. En ambos casos puede observarse como la curva de conductancia se ensancha a medida que la temperatura se incrementa, a la vez que su valor m aximo disminuye. Se sigue observando una disminuci on en el valor de la conductancia como consecuencia de la presencia del desorden lateral.
123
2.0 1.5
Ordenada Desordenada =1nm Desordenada =10nm
1.0
0.5 0.0
0.06 0.08 0.10 0.12 0.14
E(eV)
Figura 5.8. Conductancia en unidades de 2e2 /h en funci on del tama no de las islas para e (l nea de puntos) y < e (l nea rayada). Las curvas fueron calculadas promediando sobre 50 realizaciones del desorden.
Pasando ahora al efecto del tama no de las islas, , hemos podido observar que es inexistente salvo cuando dicho tama no es del orden de la longitud de onda de de Broglie del electr on, es decir, cuando e la conductancia no depende de . Como uno esperar a, cuando e
124
Heteroestructuras con desorden no intencionado el elctr on comienza a ver el desorden y la conductancia se incrementa a medida que disminuye, como se observa en la gura 5.8. Para energ as en torno a 0,1 eV la transici on tiene lugar para tama nos 10 nm. La gura 5.9 nos muestra la corriente en funci on del campo aplicado. Para realizar este c alculo escogimos los siguientes par ametros:
1.0
Ordenada Desordenada =0.3 nm
0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 0.0
I(u.a.)
0.1
0.2
0.3
0.4
V(eV)
Figura 5.9. Corriente electr onica en unidades arbitrarias en funci on del voltaje aplicado a lo largo de la direcci on z para una doble barrera ordenada y para otraa desordenada. La curva fue calculada promediando sobre 50 realizaciones del desorden.
ay = 10 nm, az = 0,1 nm, = 10 nm, M = 20 y N = 77. La anchura de las barreras es de 2,1 nm para ambas, al igual que su altura, que se tom o como 0,25 eV. La anchura del pozo es 2,9 nm. Las curvas mostradas en la gura 5.9 corresponden a un promedio sobre 50 realizaciones del desorden lateral. El nivel de Fermi se j o en 20 meV, el voltaje m aximo aplicado fue de 0,5 V, y el grado de desorden lateral escogido fue = 0,3 . Sorprendentemente, se encontro que la corriente en el sistema desordenado es mayor que aquella observada en el ordenado. Este resultado,
Cap tulo 5
5.3 Dobles barreras con desorden en las intercaras contrario a la intuici on, puede explicarse recordando el desplazamiento a energ as m as bajas del pico de conductancia que hemos discutido anteriormente. Este desplazamiento puede entenderse suponiendo que la rugosidad supercial hace que la anchura efectiva del pozo cu antico sea mayor que su valor nominal. Esto implicar a una resonancia de transmisi on a una energ a m as baja, de manera que el m aximo de corriente se desplaza tambi en hacia voltajes m as bajos. Sin embargo, un pozo de mayor anchura efectiva implica tambi en una corriente mayor, de manera que, desde un punto de vista estad stico, la corriente para una doble barrera desordenada ser a mayor.
125
24.4
24.2
24.0
23.8
23.6
10
10
(nm)
10
10
10
Figura 5.10. Conductancia en unidades de 2e2 /h de una doble barrera desordenada en el caso en el que el desorden lateral es exponencialmente correlacionado, en funci on de la longitud de correlaci on, para un energ a Ec = 0,1025 meV. Cada punto de la curva fue calculado promediando sobre 50 realizaciones de desorden correlacionado con un valor jo de la longitud de correlaci on .
126
Heteroestructuras con desorden no intencionado Hasta ahora hemos considerado s olo desorden lateral no correlacionado en las heterouniones. Hemos calculado tambi en la conductancia para una doble barrera en la que la rugosidad en las intercaras est a exponencialmente correlacionada tal y como describimos previamente. La gura 5.10 muestra la conductancia a una cierta energ a, Ec = 0,1025 eV, pr oxima a la de la resonancia para el caso ordenado (a energ as pr oximas a la de resonancia las uctuaciones son de menor amplitud), cuando la longitud de correlaci on var a varios ordenes de magnitud. Los par ametros f sicos son los mismos que se escogieron para la gura 5.6. El tama no de las islas es de 20 nm, mientras que el grado de desorden lateral es = 0,3 nm. Para la obtenci on de la curva se promedi o sobre 50 realizaciones del desorden lateral correlacionado. En la gura puede observarse como la conductancia incrementa a medida que incrementa la longitud de correlaci on. Se observan claramente dos reg menes asint oticos para longitudes de correlaci on peque nas y grandes respectivamente. El primero de estos l mites, 0 puede extrapolarse al caso ya estudiado en el que el desorden lateral no es correlacionado. Un estudio m as detallado de la gura 5.10 revela que este l mite no correlacionado describe correctamente las propiedades de transporte del sistema siempre que la longitud de correlaci on no exceda los 10 nm. As llegamos a la importante conclusi on de que aquellos modelos de transporte electr onico en dobles barreras desordenadas basados en la suposici on de que el desorden no es correlacionado proporcionan valores correctos para la conductancia incluso en algunos casos en los que la longitud de correlaci on es no nula (aunque no excesivamente grande). No es necesario decir que los modelos de desorden no correlacionado son mucho m as convenientes desde un punto de vista anal tico que aquellos en los que el desorden es correlacionado. El tama no de la zona de la gura 5.10 en la que las correlaciones no juegan ning un papel esencial est a determinado por el tama no de las islas, , como es de esperar. Esto es debido a que s olo correlaciones en el desorden cuya longitud de correlaci on sea mayor que el tama no de las islas afectan
Cap tulo 5
5.3 Dobles barreras con desorden en las intercaras al movimiento electr onico. Para peque nos tama nos de isla comparados con la longitud de correlaci on la conductancia aumenta a medida que la longitud de correlaci on crece. Esta tendencia se observa hasta tama nos del orden de los 100 nm que son del orden del tama no del sistema en la direcci on y , observ andose entonces la aparici on de un nuevo r egimen. En este r egimen es posible calcular el valor l mite de la conductancia como un promedio sobre distintas heteroestructuras de doble barrera ordenadas, cada una de ellas con una anchura aleatoria distribuida normalmente.
127
5.3.2. Desorden composicional

El desorden composicional en heteroestructuras fabricadas a partir de GaAs y Alx Ga1x As es debido a la ausencia de uniformidad espacial en la fracci on molar de aluminio durante el proceso de crecimiento epitaxial de la heteroestructura. Nos proponemos simular el desorden composicional deniendo una malla espacial bidimensional sobre la regi on en la que se encuentran las barreras de Alx Ga1x As como mostramos en la gura 5.11. Hecho esto, asociaremos un valor xij para la fracci on molar de Al a cada regi on de la malla etiquetada con el par de ndices {ij }. Este valor uctuar a aleatoriamente en torno al valor nominal de la fracci on molar de aluminio x , en la barrera. De esta manera podemos escribir xij = x + wij (5.25)
donde es la uctuaci on m axima de la fracci on molar de Al, y wij es una variable aleatoria asociada al punto {ij } de la malla, que toma valores entre 1 y 1. N otese que la fracci on molar promediada sobre toda la malla tiene un valor apr oximadamente igual a x . Para poder estudiar el efecto del desorden composicional sobre el transporte electr onico y aislar dicho efecto de aquellos debidos a la presencia de rugosidad en las intercaras, supondremos que dichas intercaras son perfectamente planas y que las anchuras de las distintas l aminas semiconductoras son iguales a sus
128
xi,j+1
xi,j
xi+1,j
b GaAs AlxGa1-xAs
Figura 5.11. Esquema de la malla introducida en las barreras de Alx Ga1x As mostrando la distribuci on de concentraciones de Al en distintas posiciones.
respectivos valores nominales, es decir, despreciaremos cualquier uctuaci on en el valor de dichas espesores. En la gura 5.12 pueden observarse resultados t picos para la conductancia en un sistema de doble barrera con desorden composicional en el que los par ametros estructurales son los mismos que en la gura 5.6. Las dimensiones de la regi on en la que asumimos que la fracci on molar de Al permanece constante se escogieron como a = 10 nm y b = 1 nm (v ease la gura 5.11). En los resultados puede observarse como para uctuaciones tan grandes como = 0,14, esto es, para uctuaciones del orden de 0,1eV en la altura de la barrera, cuando promediamos sobre 100 realizaciones, la conductancia pr acticamente no cambia (las variaciones son del orden del 3 %). Este comportamiento es consecuencia de que la densidad de probabilidad electr onica dentro de las barreras, all donde consideramos el desorden composicional, es muy peque na. En otras palabras, incluso inhomogeneidades espaciales moderadamente elevadas dejan la conductancia pr acticamente inalterada. Por tanto, podemos concluir que los efectos del desorden composicional so-
Cap tulo 5
5.4 Puntos cu anticos autoensamblados

50 40 30
Ordenada Desordenada =0.07 Desordenada =0.14
29.5 29.0
129
28.5 28.0 27.5

0.100 0.105 0.110 0.115
20 10 0 0
E(eV)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
E(eV)
Figura 5.12. Conductancia en unidades de 2e2 /h de una doble barrera ordenada, comparada con la misma magnitud de una doble barrera con desorden composicional para dos valores distintos de . En el recuadro interior se muestra aumentada la zona pr oxima a la primera resonancia.
bre la conductancia pueden ser descartados frente a aquellos debidos al desorden lateral.
5.4. Puntos cu anticos autoensamblados

Recientes avances en nanotecnolog a han hecho posible el crecimiento de superredes de puntos cu anticos [127, 128] . A la vista de la analog a entre atomos y puntos cu anticos, cabe esperar que cuando dichos puntos cu anticos sean colocados con una distribuci on espacial peri odica formando una matriz, como en el caso de una superred, tenga lugar la formaci on de una minibanda de estados electr onicos [132,133] a causa de la superposici on de funciones de onda electr onicas en puntos pr oximos
130
Heteroestructuras con desorden no intencionado entre s . Aunque esta analog a no puede ser llevada muy lejos debido a que los portadores en puntos cu anticos se ven inuenciados por la presencia de fonones, defectos, estados superciales, etc., es claro que los niveles de la minibanda dependeran sensiblemente de c omo es la distribuci on de posiciones en una matriz de puntos cu anticos. En este sentido las matrices de puntos cu anticos crecidas por MBE pueden tener distribuciones de posiciones totalmente aleatorias [129, 130], parcialmente ordenadas [127, 128], o bien perfectamente peri odicas [131]. A continua-
Figura 5.13. Imagen de microscop a de fuerzas mostrando islas de InAs (izquierda) e InGaAs (derecha) crecidas epitaxialmente sobre un sustrato de GaAs. Las islas, con forma de pir amide de unos 30-40 nm de base y 4-8 nm de altura, dan lugar a puntos cu anticos cuando son cubiertas por una capa epitaxial de GaAs [151].
ci on nos proponemos caracterizar la formaci on de minibandas de estados electr onicos en superredes de puntos cu anticos, mediante de las propiedades de transporte electr onico en estos sistemas. Tambi en observaremos la destrucci on de estas minibandas cuando desaparece la ordenaci on peri odica de los puntos en estas heteroestructuras. Para ello tendremos en cuenta la destrucci on del ordenamiento por la existencia de dos tipos de desorden, que denominaremos conguracional y morfol ogico.
5.4.1. Desorden conguracional y morfol ogico

Consideraremos en lo que sigue una matriz de 4 4 puntos cu anticos de GaAs en Inx Ga1x As (v ease la gura 5.14) distribuidos irregularmen-
Cap tulo 5
5.4 Puntos cu anticos autoensamblados
131
Figura 5.14. Vista esquem atica de una matriz de puntos cu anticos mostrando desorden morfol ogico y conguracional.
te en una red (desorden conguracional), y cuyas formas son ligeramente distintas entre si (desorden morfol ogico). Para simular ambos tipos de desorden supondremos que los puntos se encuentran desplazados de su posici on en una red regular en una cantidad vectorial aleatoria r, y que son de forma rectangular, variando el tama no en la direcci on de crecimiento en una cantidad respecto al valor nominal. Para evitar la profusi on de par ametros libres en el modelo, consideraremos que la energ a de connamiento, dada por la discontinuidad entre las bandas de conducci on de los semiconductores que componen la heteroestructura Ec , es la misma para todos los puntos. Esto no es una limitaci on seria dado que las inhomogeneidades espaciales en la discontinuidad entre las bandas de conducci on, y las uctuaciones de la forma de los puntos, conducen esencialmente a los mismos resultados. En cualquier caso las modicaciones necesarias para tener en cuenta distintas energ as de connamiento Ec son sencillas en nuestro esquema num erico. Por una cuesti on de claridad, separaremos en lo que sigue los efectos de desorden conguracional y morfol ogico. Como hemos anticipado, desorden conguracional signica que cada punto cu antico desplaza su posici on r = (y, z ), mientras que su tama no dy dz y su forma permanecen
132

Configuracional Morfolgico
Y /2 r dy dz Z
Figura 5.15. Modelos de desorden conguracional y morfol ogico. En el primero de ellos el punto cu antico desplaza su posici on una cantidad r mientras que su tama no nominal dy dz permanece inalterado. En el segundo la posici on del centro del punto no cambia, mientras que su tama no a lo largo del eje Z puede incrementarse o disminuirse en una cantidad .
constante (v ease la gura 5.15). Aqu y y z son variables aleatorias no correlacionadas con valor medio cero, y distribuidas uniformemente en los intervalos [Wy /2, Wy /2] y [Wz /2, Wz /2] respectivamente. En cuanto al desorden morfol ogico, consideraremos que cada punto se alarga a lo largo del eje Z una cantidad , mientras que su centro permanece en su posici on en la red regular (v ease la gura 5.15), siendo una variable aleatoria distribuida uniformemente con anchura W .
5.4.2. Destrucci on de la minibanda

Hemos realizado varios c alculos num ericos con el n de estudiar el efecto tanto del desorden conguracional como del morfol ogico sobre la conductancia de superredes de puntos cu anticos fabricadas sobre GaAs
Cap tulo 5
5.4 Puntos cu anticos autoensamblados en Inx Ga1x As. La discontinuidad entre las bandas de conducci on de estos materiales, Ec , se tom o como el 70 % de la diferencia de sus intervalos de energ a prohibida Eg , que en heteroestructuras tensionadas de GaAs-Inx Ga1x As tiene el valor Eg = 1,45x eV. En adelante tomaremos x = 0,35 y, por tanto, Ec = 0,35 eV. Puesto que estamos principalmente interesados en los efectos del acoplo entre niveles a trav es del semiconductor de intervalo de energ a prohibida m as ancho, en lugar de en los niveles individuales connados dentro de cada punto cu antico, tomaremos como valor para la masa efectiva en toda la heteroestructura el valor en GaAs, m = 0,067m, donde m es la masa del electr on libre. De cualquier manera, como ya se mencion o en el caso de la doble barrera de GaAs-Alx Ga1x As, nuestro modelo permite f acilmente ser generalizado para poder incluir una masa efectiva distinta en el interior de los puntos cu anticos. Las dimensiones de cada punto se eligieron como dy = 8,0 nm y dz = 1,6 nm, y la separaci on entre los centros de los puntos en la matriz ordenada como 14,0 nm y 6,8 nm en el eje Y y en el eje Z respectivamente. El n umero de puntos en la malla usada para el c alculo num erico fue M = 50 y N + 1 = 39. Como resultado t pico de nuestros c alculos, mostramos en la gura 5.16 la conductancia del sistema frente a la energ a de Fermi, medida a partir del borde de la banda de conducci on en Inx Ga1x As, en ausencia de campo el ectrico aplicado. La l nea cont nua corresponde al resultado obtenido para la matriz peri odica (ordenada). El acoplo entre los puntos cu anticos de la matriz da lugar a un desdoblamiento de cada nivel resonante asociado un estado ligado dentro de un punto cu antico, en tantos niveles como puntos contiene la matriz. Podemos observar en la gura 5.16 la aparici on de dos minibandas por debajo de la energ a de connamiento en ausencia de desorden, lo que est a de acuerdo con otros estudios previos [132]. Cada banda est a caracterizada por cuatro m aximos de conductancia, siendo cada uno de ellos la convoluci on de otros cuatro que no pueden ser resueltos excepto en el caso del que presenta menor energ a en
133
134
4
3
0.28
G (2e /h)
0.29 E (eV)
0.20
0.25 E (eV)
0.30
Figura 5.16. Conductancia en unidades de 2e2 /h frente a la energ a de Fermi para una matriz ordenada de 4 4 puntos cu anticos, en ausencia de campo el ectrico aplicado. El recuadro interior muestra un detalle del m aximo de conductancia de m as baja energ a en la segunda minibanda.
la minibanda m as alta (v ease el recuadro de la gura 5.16). Estos cuatro picos se mezclan en uno u nico m as ancho debido a la gran separaci on existente entre puntos cu anticos a lo largo de la direcci on Y . Esta separaci on hace que el acoplamiento entre puntos cu anticos vecinos en el eje Y sea menor, es decir, |ty | < |tz |. De esta forma, el desdoblamiento de niveles debido al acoplamiento entre puntos vecinos en el eje Y es menor. El efecto de mezcla es mayor en la minibanda superior (v ease el recuadro de la gura 5.16) debido a una mayor superposici on de las funciones envolventes, lo que a su vez se maniesta en un ensanchamiento de los cuatro picos principales. El transporte a trav es de la minibanda cambia tan pronto como con-
Cap tulo 5
5.4 Puntos cu anticos autoensamblados sideramos cierto grado de desorden en la heteroestructura, como es de esperar. El tama no medio y la separaci on entre puntos cu anticos, as como las uctuaciones en torno a sus valores medios, dependen fuertemente de las condiciones de crecimiento (como, por ejemplo, la temperatura), as como de tratamientos t ermicos posteriores [130]. Como muestra, la
135
5
W=0.4nm
W=0.8nm
G(2e /h)
3 2 1 0
0.20
0.25 E (eV)
0.30
Figura 5.17. Conductancia en unidades de 2e2 /h para una matriz de 4 4 puntos cu anticos con desorden morfol ogico: W = 0,4 nm (l nea de trazos) y W = 0,8 nm (l nea punteada). Estos resultados se comparan con los obtenidos para la conductancia en el caso de una matriz ordenada (l nea continua).
gura 5.17 presenta la conductancia para dos valores distintos del grado de desorden en el caso de desorden morfol ogico; W = 0,4 nm en un caso y W = 0,8 nm en el otro. Por otro lado, la gura 5.18 muestra la conductancia calculada para dos valores distintos del grado de desorden en el caso de desorden conguracional; Wz = 2,0 nm es igual en los dos
136
Heteroestructuras con desorden no intencionado casos, mientras que Wy = 0 nm en un caso y Wy = 1,2 nm en el otro.
5
Wz=2.0nm, Wy=0nm
Wz=2.0nm, Wy=1.2nm
G(2e /h)
3 2 1 0
0.20
0.25 E (eV)
0.30
Figura 5.18. Conductancia en unidades de 2e2 /h para una matriz de 4 4 puntos cu anticos con desorden conguracional: Wy = 2,0 nm y Wz = 0 nm (l nea de trazos), y Wy = 2,0 nm y Wz = 1,2 nm (l nea punteada). Estos resultados se comparan con los obtenidos para la conductancia en el caso de una matriz ordenada (l nea continua).
Como principal resultado es importante se nalar que los estados electr onicos en la matriz desordenada se comportan como los correspondientes a un material amorfo, en el sentido de que un incremento en el desorden supone una fuerte disminuci on en la conductancia, mientras que los intervalos de energ as permitidas se ensanchan debido a las uctuaciones de los niveles de energ a de los puntos cu anticos para cada realizaci on del desorden. Est a claro a la vista de la gura 5.17 que el intervalo de energ as prohibidas desaparece, en el caso de un grado de desorden morfol ogico muy elevado, a medida que el efecto t unel es menos probable debido a una gran separaci on entre los niveles de distintos
Cap tulo 5
5.4 Puntos cu anticos autoensamblados puntos cu anticos. Por otro lado, el efecto del desorden conguracional sobre la estructura de bandas es menos profundo, en el sentido de que el ensanchamiento es despreciable para valores realistas de los par ametros, aunque se sigue observando una disminuci on de la conductancia (v ease la gura 5.18). Por otro lado, como es natural, se observa un m aximo de conductancia para un valor de le energ a igual a la del nivel individual de un u nico pozo.
2.0 1.5 1.0
137
E=0.27 eV
G(2e /h)
0.5 0.0
2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0
E=0.17 eV
0.025
0.050 0.075 V (voltios)
0.100
Figura 5.19. Conductancia en unidades de 2e2 /h para una matriz ordenada de 4 4 puntos cu anticos en funci on del voltaje aplicado (l nea cont nua), cuando el nivel de Fermi es EF = 0,27eV (panel superior) y cuando el nivel de Fermi es EF = 0,17eV (panel inferior). Se compara este resultado con el obtenido para matrices 4 4 con desorden conguracional (Wy = 2,0 nm, Wz = 1,2 nm; l nea a puntos), y morfol ogico (W = 0,8 nm; l nea a trazos).
En cuanto a los efectos de un campo el ectrico uniforme aplicado sobre la matriz de puntos cu anticos en la direcci on z , hemos calculado la
138
Heteroestructuras con desorden no intencionado conductancia para una energ a de Fermi dada en funci on del voltaje aplicado V . Hemos considerado dos casos, EF = 0,17 eV y EF = 0,27 eV, que se corresponden, aproximadamente, con el fondo de las dos primeras minibandas. La raz on de esta elecci on es observar el comportamiento de la conductancia cuando la minibanda baja y cruza el nivel de Fermi a medida que se incrementa el voltaje aplicado. Se consider o una ca da uniforme de potencial a lo largo de la regi on II (gura 5.1). La gura 5.19 muestra la conductancia frente al voltaje aplicado, tanto para una superred de puntos cu anticos ordenada, como para superredes con desorden conguracional o morfol ogico. Las matrices ordenadas muestran tres regiones bien denidas de derivada dG/dV negativa debidas al efecto t unel resonante a trav es de los puntos cu anticos. Las tasas picovalle observadas empeoran en el momento en que el desorden es tenido en consideraci on en el c alculo.
5.5. Conclusiones
Los principales resultados expuestos en este cap tulo se pueden resumir en las siguientes conclusiones. Hemos desarrollado una herramienta te orica para el estudio de problemas de transporte electr onico en heteroestructuras semiconductoras con alg un tipo de desorden o imperfecci on, en los que las aproximaciones anal ticas cl asicas no resultan apropiadas para su resoluci on. Esta nueva herramienta nos ha permitido estudiar el transporte electr onico en heteroestructuras de doble barrera de GaAsAlx Ga1x As con desorden no intencional, as como el transporte en matrices bidimensionales (superredes) de puntos cu anticos de GaAs-Inx Ga1x As parcialmente ordenadas.
Cap tulo 5
5.5 Conclusiones En el caso de la doble barrera con desorden no intencional, hemos considerado dos tipos de desorden, lateral y composicional, debidos a la rugosidad en las intercaras y a la inhomogeneidad en la fracci on de Al en las barreras, respectivamente. Hemos mostrado que el principal efecto del desorden lateral es una reducci on de la conductancia. Cuando introducimos correlaciones en la rugosidad, la conductancia comienza aumentar: cuanto mayor es la longitud de correlaci on, mayor es la conductancia. Adem as, de los resultados con rugosidad correlacionada se ha inferido que los modelos no correlacionados proporcionan valores correctos para la conductancia en el supuesto de que la longitud de correlaci on no exceda un cierto valor cr tico. En cuanto a la corriente el ectrica, hemos observado un comportamiento sorprendente: esta es mayor al considerar el desorden lateral que en el caso ordenado. Hemos atribuido este efecto a un desplazamiento en energ as de la resonancia de transmisi on en la doble barrera. Respecto al desorden composicional, hemos llegado a la conclusi on de que pueden ignorarse, dado que sus efectos son mucho menores sobre el transporte que los debidos al desorden lateral. En el estudio de las matrices bidimensionales de puntos cu anticos, tambi en consideramos dos tipos de desorden; morfol ogico y conguracional. El desorden morfol ogico es debido esencialmente a la dispersi on en el tama no de los puntos, mientras que el conguracional aparece por la disposici on desordenada de los puntos respecto a la conguraci on ordenada en una red peri odica bidimensional. En las matrices de puntos cu anticos se observ o la formaci on de una minibanda de estados electr onicos la cual es destruida con la introduci on del desorden que, a causa de la localizaci on de Anderson
139
140
Heteroestructuras con desorden no intencionado en las funciones envolventes, reduce el valor de la conductancia y ensancha la regi on de energ as permitidas. Nuestros resultados sugieren que, de cara a la fabricaci on y crecimiento de matrices y superredes de puntos cu anticos, resulta m as interesante poner enfasis en el control estructural de los puntos en si, que sobre la disposici on regular de estos en una red. Esto es debido a que, como hemos visto, el efecto del desorden morfol ogico sobre las propiedades de transporte es mucho m as acusado que el efecto del desorden conguracional. Por u ltimo, la curva de conductancia frente a voltaje presenta varias regiones de dG/dV negativa, cuyas tasas pico valle decrecen fuertemente al introducir el desorden.
Cap tulo 5
CAP ITULO 6 Localizaci on en heteroestructuras magn eticas

6.1. Introducci on
Las m as recientes t ecnicas litogr acas han abierto el camino a la realizaci on de experimentos con campos m agneticos no homog eneos en los que el tama no de la regi on en la que cambia el campo magn etico es del orden de los nan ometros [134]. La consecuci on de este tipo de campos magn eticos ha sido posible a partir de la fabricaci on de puntos magn eticos, deposici on de materiales superconductores sobre heteroestructuras convencionales, o el crecimiento en patrones de ciertos materiales ferromagn eticos. El creciente inter es en el estudio de gases de electrones bidimensionales (2DEG en adelante) sometido a campos magn eticos no homog eneos se debe principalmente a las especiales propiedades de transporte de las heteroestructuras magn eticas. Podemos citar algunos ejemplos que muestran el inter es del estudio del transporte en heteroestructuras magn eticas. En contraste con los fen omenos de trasporte en r egimen de efecto t unel a trav es de heteroes-
142
Localizaci on en heteroestructuras magn eticas tructuras el ectricas, por ejemplo de tipo doble barrera, la probabilidad de t unel en heteroestructuras magn eticas depende no s olo de la componente del momento en la direcci on normal a la barrera, sino tambi en del momento en el plano de esta. Este hecho convierte el trasporte electr onico en r egimen de efecto t unel, en un proceso inherentemente bidimensional en el que las barreras de tipo magn etico poseen propiedades de ltro en el espacio de momentos [135]. El efecto de un campo magn etico local sobre la corriente t unel a trav es de una barrera de potencial ancha considerado en la referencia [136] se ha relacionado con esta propiedad de ltrado. En esta misma referencia se ha mostrado que un campo magn etico localizado estrictamente en el interior de la barrera de potencial conduce a resonancias localizadas dentro de la barrera. Por otro lado, un gran n umero de art culos han tratado aspectos del transporte en un gas electr onico bidimensional (2DEG en adelante) en el seno de un campo magn etico d ebilmente modulado [134, 137, 138]. Otro trabajo de inter es en el area de los campos magn eticos espacialmente oscilantes es la medida de la magnetoresistencia en el r egimen de campos peque nos observada en un 2DEG sometido a un campo magn etico que alterna de signo de forma peri odica [139]. Adem as de todo esto, el inter es por el estudio del 2DEG en el seno de un campo magn etico alternante est a motivado por la relevancia de este problema en la descripci on en t erminos del fermi on compuesto de un nivel de Landau semi-lleno como an alogo cl asico del efecto Hall cu antico fraccional [140, 141]: como es sabido, en el caso de un 2DEG modulado en densidad, que se supone que se encuentra en r egimen de efecto Hall cu antico fraccionario [142,143], el problema del transporte se reduce al del movimiento en r egimen bal stico de fermiones compuestos en el seno de un campo magn etico peri odico. Un tratamiento semicl asico del problema conduce a considerar estados conocidos como estados-serpiente debido a la forma caracter stica de las trayectorias en la analog a cl asica. M uller, en la referencia [145], parece ser el primero en haber propuesto
Cap tulo 6
6.1 Introducci on un tratamiento mecano-cu antico de los estados-serpiente en un campo de gradiente constante. En presencia de un campo magn etico constante se sabe que los electrones de un 2DEG idealmente no acotado se encuentran localizados en orbitas ciclotr onicas [146]. De esta forma, la conducci on se hace cero en ausencia de dispersi on por defectos o de l mites en las muestras. Entre tanto, un campo magn etico no uniforme puede dar como resultado un estado extendido en forma de estado-serpiente. Un estudio te orico detallado de los estados-serpiente puede encontrarse en [147], mientras que la conrmaci on experimental de su existencia y propagaci on a lo largo de l neas de campo magn etico cero obtenida a partir de medidas del transporte se puede hallar en las referencias [134, 139]. La inusuales propiedades cin eticas y de t unel de las heteroestructuras magn eticas son consecuencia del reordenamiento del espectro energ etico debido a la presencia de un campo magn etico no homog eneo. Hasta el momento, todos los trabajos te oricos dedicados al estudio del transporte electr onico en heteroestructuras magn eticas han utilizado modelos de una sola banda para describir el espectro energ etico. Esta aproximaci on es v alida para semiconductores como el GaAs dado que en este caso, para campos magn eticos como los empleados normalmente en los experimentos, entre 0,1 y 1 T, el intervalo de energ as prohibidas es mayor que la energ a de ciclotr on. Esta situaci on, sin embargo, cambia en el caso de semiconductores con intervalo estrecho de energ as prohibidas de tipo III-V, IV-VI y II-VI en donde un modelo de una u nica banda resulta inadecuado para la descripci on de fen omenos de transporte electr onico. En este cap tulo pretendemos estudiar estructuras magn eticas en las que un semiconductor homog eneo de intervalo estrecho de energ as prohibidas es sometido a un campo magn etico no homog eneo [149]. Nuestra intenci on es proporcionar una descripci on clara de los efectos de un campo magn etico alternado sobre el espectro energ etico de un semiconductor de intervalo estrecho de energ as prohibidas. En las estructuras magn eticas que consideraremos el campo magn etico estar a dirigido a lo largo del
143
144
Localizaci on en heteroestructuras magn eticas eje Z , siendo homog eneo en la direcci on del eje Y , y variando u nicamente en la direcci on del eje X . Como primera aproximaci on para el estudio del campo magn etico no homog eneo, vamos a considerar una transici on abrupta en forma de funci on escal on. La raz on de esta aproximaci on es que, como ha sido mostrado en [135], con una elecci on adecuada de los parametros experimentales, es posible hacer que la anchura de la regi on en la que se produce la variaci on del campo magn etico sea menor que la longitud magn etica caracter stica lH , que para valores del campo magn etico de hasta 10 T no puede ser menor de 10 nm. En este cap tulo estudiaremos dos tipos de uniones magn eticas. Por un lado consideraremos las llamadas uniones magn eticas invertidas en las que B+ B < 0, donde B Bz (x = ). Por otro lado estudiaremos las denominadas uniones magn eticas normales, en las que B+ B > 0 (v ease la gura 6.1).
Figura 6.1. Dibujo esquem atico que muestra una uni on magn etica invertida y una uni on magn etica normal.
Cap tulo 6
6.2 Modelo de dos bandas
145
6.2. Modelo de dos bandas

La forma m as sencilla de tratar te oricamente los semiconductores de intervalo estrecho de energ as prohibidas es mediante lo que se conoce como modelo de dos bandas [148] (v ease la secci on 2.1.3). La aproximaci on perturbativa a primer orden de la teor a k p nos conduce al siguiente hamiltoniano de Dirac H0 = +V i v ( k) i v ( k) + V , (6.1)
siendo la semianchura del intervalo de energ as prohibidas, = Eg /2, V la llamada funci on de trabajo, que describe el desplazamiento del centro del intervalo de energ as prohibidas, k es el operador momento k = i, v es el elemento de matriz inter-banda del operador velocidad, y = (x , y , z ) es el vector cuyas componentes son las matrices de Pauli. En su forma m as simple el hamiltoniano de Dirac del modelo de dos bandas trata los estados de los portadores en las bandas de valencia y de conducci on, como dos estados de Kramers conjugados. De esta forma el hamiltoniano en la ecuaci on (6.1) tiene en consideraci on las propiedades de esp n de las funciones de onda, que en este caso se denominan espinores. En lo que sigue vamos a prescindir del t ermino que da cuenta de la correcci on Zeeman a la energ a en presencia de un campo magn etico. As , es posible incorporar un campo magn etico est atico en H0 mediante la siguiente transformaci on de aforo kk+ |e | A(r). c (6.2)
Para un campo magn etico B = (0, 0, Bz ) el potencial vector A es, con la elecci on de aforo de Landau, A(r) = (0, xBz , 0). Siguiendo la referencia [150], podemos escribir las autofunciones del hamiltoniano (6.1) para
146
Localizaci on en heteroestructuras magn eticas el material masivo en la forma (r) = ei(ky y+ ) c1 Dp1 ( )u + c2 Dp ( )v c3 Dp1 ( )u + c4 Dp ( )v , (6.3)
donde los vectores u y v se denen de la forma u= 1 2 1+ 1 , v= 1 2 1 1+ . (6.4)
Aqu hemos denido la siguiente variable espacial adimensionalizada = 2 2(x0 + x)/lH , donde x0 = ky lH es el centro de las orbitas de Landau, = sgn(Bz ) = 1 dene la orientaci on del campo magn etico ( = 1 corresponde a un vector de campo apuntando en la direcci on del eje Z positivo) y lH = c/|eBz | es la longitud magn etica caracter stica. Por u ltimo = lH kz , y = z/lH son la componente z del momento y la coordenada espacial en el eje Z adimensionales, respectivamente. Las funciones Dp ( ) son las funciones especiales parab olicas cil ndricas, que constituyen dos soluciones independientes de la ecuaci on diferencial del oscilador arm onico [144] d2 2 1 Dp ( ), + Dp ( ) = p + 2 d 4 2 (6.5)
siendo la relaci on de dispersi on correspondiente al material masivo 2 lH + 2p = v

2
(E V )2 2 ,
(6.6)
donde P se determina a partir de las condiciones de contorno.
Cap tulo 6
6.3 Uniones magn eticas invertidas Los coecientes espinoriales de la ecuaci on (6.3) vienen dados por c1 c 2 , = 1 c3 i v 1 (kp ) EV + c4 p donde hemos denido k p = 1/lH (i(1 p)/ 2, 1 + p/ 2, ). Partiendo la ecuaci on de tipo Schr odinger determinada por el hamiltoniano (6.1) con la sustituci on (6.2), pretendemos buscar una soluci on que sea combinaci on lineal de las autofunciones (6.3). En el caso de una uni on magn etica con un cambio abrupto (en forma de funci on paso) del campo magn etico en x = 0, es necesario aplicar ciertas condiciones de contorno al problema. Estas se reducen a exigir la continuidad de la funci on de onda en la regi on en la que el campo magn etico cambia de forma abrupta. Adem as deberemos considerar que las dos soluciones Dp ( ) presentan distintos comportamientos asint oticos cuando (x) . Dado que las soluciones deben decaer a cero lejos de la discontinuidad magn etica, las funciones de onda s olo pueden incluir autofunciones de la + forma para x > 0, mientras que s olo autofunciones de la forma ser an aceptables para x < 0. 1 1 p (6.7)
147
6.3. Uniones magn eticas invertidas

En el caso de la uni on magn etica invertida, consideraremos la situaci on en la que se verica B+ = B = B (uni on invertida sim etrica), de manera que, tras un largo c alculo algebraico (ver ap endice A) llegamos a la siguiente expresi on para la relaci on de dispersi on
2 2 (0 ) pDp Dp 1 (0 ) = 0,
(6.8)
148
Localizaci on en heteroestructuras magn eticas donde 0 = 2ky lH es la coordenada x adimensional del centro de las orbitas de Landau. Esta ecuaci on dene, para cada energ a, los valores permitidos de la componente ky del momento electr onico, que est an relacionadas con la posici on de los centros de las orbitas de Landau. En la
5
p
2 1 0 -4
-2
Figura 6.2. sim etrica.
Espectro de energ a de la uni on magn etica invertida
gura 6.2 se presenta la soluci on num erica de la relaci on de dispersi on de la ecuaci on (6.8), represent andose los valores permitidos de p en funci on de 0 . Considerando la dependencia de E con p que aparece en la ecuaci on (6.6), parece claro que podemos entender esta gura como el espectro energ etico del sistema. Vamos a particularizar nuestro estudio al caso de un campo magn etico semicl asico, en el que la energ a cin etica de un electr on puede escribirse 2 como E = 1/2m v . Entonces la energ a de Fermi es F = 4 H siendo H la frecuencia de ciclotr on. En lo que sigue Utilizaremos para nuestros
Cap tulo 6
6.3 Uniones magn eticas invertidas c alculos el siguiente valor para la energ a de Fermi F = = 0,1 eV. En el caso de un 2DEG (esto es, cuando = 0), la ecuaci on (6.6) implica que (E V )/ = p + 1. En la gura se puede observar c omo el espectro de energ a de la uni on magn etica invertida consiste en un conjunto de bandas sucesivas, que son los remanentes de los niveles de Landau, mostrando una rotura de la simetr a de inversi on temporal [145]. El espectro de energ a que mostramos en la gura 6.2 tiene una analog a directa con el obtenido en el caso del modelo de una sola banda [147] y puede ser interpretado de la misma forma. En el caso de un 2DEG sometido a un campo magn etico en forma de funci on paso el problema de una sola banda se reduce a resolver la ecuaci on de Schr odinger unidimensional 1 d2 Vky (x) + E (x) = 0 2m dx2 con el potencial efectivo Vky (x) = ky x 1 1 B+ (x) B
2
149
que depende de ky . En esta u ltima expresi on (x) es la funci on theta de Heaviside. Podemos analizar el espectro de energ a de la uni on magn etica invertida en t erminos del potencial efectivo Vky . Para ky 0 el potencial tiene la forma de dos pozos parab olicos desacoplados. Para cada uno de ellos se obtienen como soluci on los niveles de Landau (n + 1/2) H ; estos niveles de Landau son doblemente degenerados debido a que los estados son iguales en los dos pozos desacoplados, y su velocidad es vy = (En,ky /ky )(1/ ) = 0 a lo largo del eje y . A medida que aumentamos ky los dos pozos parab olicos comienzan a acoplarse. Como resultado la funci on de onda comienza a localizarse cerca de la regi on en la que el campo magn etico var a. Estos estados localizados se caracterizan por una velocidad vy distinta de cero que aumenta con el momento ky , y por tener orbitas que penetran alternativamente en las regiones con campos
150
Localizaci on en heteroestructuras magn eticas B+ y B (estados-serpiente). Como ya anticipamos, no estamos teniendo en consideraci on el efecto Zeeman en nuestros c alculos. As , cada nivel de Landau se encuentra doblemente degenerado y es descrito mediante dos funciones de onda. El m odulo cuadrado de una de las funciones de onda normalizadas a ambos lados de la regi on donde tiene lugar de discontinuidad del campo se escribe como sigue 1 2 2 1/pDp ( ) + Dp 1 ( ) 2lH I 2 [D2 ( ) 1/pDp ( )] . E V p1 donde + = (x > 0), = (x < 0), = ( 2/lH )(x0 x), y | |2 =
(6.9)
I=
0
2 2 Dp 1 (y ) + Dp (y ) dy.
La expresi on anal tica para la funci on de densidad de probabilidad del estado de esp n conjugado de este, , se escribe igual que (6.9) pero con un cambio de signo en el segundo t ermino de esta ecuaci on. En la gura 6.3 mostramos las funciones de densidad de probabilidad para los cuatro primeros cuasi-niveles de Landau en 0 = 2, 0, 2. En ella las funciones de densidad de probabilidad de los distintos niveles han sido desplazadas hacia arriba unas respecto a las otras, correspondiendo la inferior al estado de menor energ a empezando por la de menor energ a (la inferior). En la gura puede observarse como el valor de 0 determina no s olo la posici on de los centros de las orbitas ciclotr onicas sino tambi en la extensi on de los cuasi-niveles de Landau. Cuanto mayor es el valor de 0 m as localizada se encuentra la funci on de onda. Como se observa en la gura 6.3(a), en 0 = 2, cuando los electrones experimentan un potencial de doble pozo efectivo, la funci on de onda para los estados excitados es asim etrica. Sin embargo, cuando 0 = 0 y 0 = 2 (guras
Cap tulo 6
6.4 Uniones magn eticas normales 6.3(b) y 6.3(c) respectivamente) los electrones experimentan un potencial efectivo acoplado sim etrico, de manera que la funci on de onda se hace sim etrica.
2.0 1.5
151
||
1.0 0.5
(c)
0 2.0 1.5
||
1.0 0.5
(b)
0 2.0 1.5
||
1.0 0.5
(a) -10
0
-5
0 x(lH)
10
Figura 6.3. Funciones de onda de la uni on magn etica sim etrica invertida para los cuatro niveles de Landau de menor energ a en los puntos (a) 0 = 2, (b) 0 = 0, y (c) 0 = 2.
6.4. Uniones magn eticas normales

En el caso de la uni on magn etica normal, el campo magn etico simplemente cambia en valor absoluto en la regi on de transici on que, al igual que en el caso de la uni on magn etica invertida, supondremos que es
152
5
Localizaci on en heteroestructuras magn eticas
(a)
1 -4 -2
(b)
4 -4
-2
Figura 6.4. Espectro de energ as de la uni on magn etica normal para (a) = 0,5 y (b) = 0,9.
abrupta. En este caso obtenemos la siguiente relaci on de dispersi on (ver ap endice A)

+ + + lH Dq1 (0 )Dp (0 ) + lH Dq (0 )Dp1 (0 ) = 0.
(6.10)
+ Aqu lH y lH son los valores de la longitud magn etica para x > 0 y + x < 0, respectivamente, q/p = lH /lH , y 0 = 2ky lH son de nuevo las coordenadas x adimensionales de los centros de las orbitas de Landau a cada lado de la uni on normal. En la gura 6.4 mostramos la soluci on num erica a la ecuaci on (6.10). Los c alculos se realizaron para dos valores + distintos del par ametro = lH /lH , = 0,5 y = 0,9. El espectro energ etico es ahora cualitativamente distinto al obtenido para la uni on magn etica invertida. En primer lugar, puede apreciarse que los estados dejan de ser degenerados para ky 0 (aunque siguen siendo doblemente degenerados en lo referente al esp n). En segundo lugar, para ky 0 los niveles de energ a se aproximan a los valores de Landau en el caso de un campo magn etico uniforme. Por u ltimo, la velocidad electr onica
Cap tulo 6
6.4 Uniones magn eticas normales

2.0
153
1.5
2
||
1.0
0.5
(b)
0 2.0
1.5
2
||
1.0
0.5
(a)
0 -10 -5 0
x(lH )
10
Figura 6.5. Funci on de onda de la uni on magn etica normal para = 0,5 en los puntos (a) 0 = 0 y (b) 0 = 2.
a lo largo del eje Y o, lo que es lo mismo, la pendiente de las curvas de dispersi on, depende del valor de . Cuanto mayor es , menor es la velocidad electr onica. Cuando 1 la velocidad electr onica se anula y, en consecuencia, los estados-serpiente desaparecen. De nuevo es posible analizar el espectro en t erminos del potencial efectivo. La velocidad de las orbitas electr onicas se reduce y tiende a cero tanto en el caso ky 0 como en el caso en que ky 0 en todos los cuasi-niveles de Landau. La gura 6.5 muestra la funci on de densidad de probabilidad para dos estados con 0 = 2 (a) y 0 = 0 (b) en el caso en que = 0,6. Podemos observar el resultado esperado pues en ambos casos
154
Localizaci on en heteroestructuras magn eticas los electrones se encuentran en estados localizados cerca de la regi on de discontinuidad del campo magn etico, estando m as localizados en 0 = 0 que en 0 = 2.
6.5. Esp n
Podemos encontrar a partir del modelo de dos bandas que hemos utilizado, en el que las propiedades de esp n est an directamente caracterizadas por los autoestados, el valor medio del vector de esp n a partir de la siguiente expresi on S(x) = || , (6.11)
donde es el operador de esp n. Tras el c alculo llegamos a la conclusi on de que el valor medio de ninguna de las tres componentes del vector de esp n para cada valor de ky se anula, ni siquiera en el caso de la uni on magn etica invertida sim etrica. Por supuesto, la direcci on de estos vectores para cada uno de los dos estados esp n conjugados es opuesta a la del otro. En el caso de un 2DEG (es decir, cuando = 0) en una uni on magn etica invertida, se obtiene S(x) = (0, 0, Sz ( )) donde
Sz ( ) =
1 2 2 (1/pDp ( ) Dp 1 ( ) 2lH I 2 [D2 ( ) + 1/pDp ( )] . E V p1
Tras integrar a lo largo del eje x tenemos que Sz = . EV (6.12)
Cap tulo 6
6.5 Esp n De esta expresi on se sigue que, a pesar de que en la uni on magn etica invertida el n umero de electrones con esp nes opuestos es el mismo, el esp n de cada uno de los estados de esp n conjugados promediado a lo
0.4 0.2
155
Sz
0 -0.2 -0.4
(b)
0.4 0.2
Sz
0 -0.2 -0.4 -10 -5 0 5 10
(a)
x(lH)
Figura 6.6. Valor medio del esp n de la uni on magn etica invertida en funci on de x en los puntos (a) 0 y (b) 0 = 2.
largo del eje X resulta tener una componente distinta de cero. Es m as, el valor absoluto de esta componente depende del valor de 0 . En la gura 6.6 mostramos la componente z del esp n en funci on de x en una uni on magn etica invertida para 0 = 0 y 0 = 2. Como se puede observar en esta gura el esp n de los estados electr onicos localizados (los estadossepiente) es una funci on de la posici on localizada cerca de la regi on en la que el campo magn etico cambia de forma abrupta. Obviamente, el otro estado de esp n conjugado tiene direcci on opuesta, de manera que la suma total del esp n es cero. En la gura 6.7 aparece el valor promediado a lo largo del eje x de la componente z del esp n en funci on
156
Localizaci on en heteroestructuras magn eticas
1.0 0.5
Sz
0 -0.5 -1.0 -3 -2 -1 0 1 2 3
Figura 6.7. Esp n promediado a lo largo del eje x de la uni on (curva magn etica invertida en funci on de 0 para (curva inferior) y superior).
de 0 para los dos estados de esp n conjugados correspondiente al primer cuasi-nivel de Landau. Es importante se nalar que el esp n promedio en el caso de estados deslocalizados (es decir, cuando ky 0) tiende a 1 para los dos estados degenerados y decrece lentamente hasta casi anularse para los estados localizados (con ky 0). Cuando se incluye el t ermino Zeeman la degeneraci on de esp n desaparece. Como resultado, cada cuasinivel de Landau de la uni on magn etica estar a caracterizado por un valor no nulo del valor medio del esp n, estando este localizado cerca de la discontinuidad en el campo en el caso de los estados-serpiente.
6.6. Conclusiones
A continuaci on resumimos los principales resultados presentados en este cap tulo.
Cap tulo 6
6.6 Conclusiones En este cap tulo hemos estudiado el espectro de energ a de uniones magn eticas basadas en semiconductores de intervalo estrecho de energ as prohibidas. Para ello hemos usado un modelo de dos bandas basado en un hamiltoniano de Dirac. Hemos mostrado como los niveles de Landau, en el caso de las uniones mag eticas, son sustituidos por bandas de cuasi-niveles de Landau degenerados. Adem as hemos interpretado el espectro de energ as de las uniones magn eticas en t erminos de la forma de un potencial efectivo en un modelo de una banda. En la uni on magn etica invertida sim etrica las velocidades electr onicas crecen con el momento ky en la direcci on en la que cambia el valor del campo, implicando esto un incremento de la conductividad en esta direcci on. Mientras, en la uni on magn etica normal, + la velocidad depende del cociente lH /lH , siendo cero en los l mites ky . El valor medio del vector de esp n para los cuasi-niveles de Landau es distinto de cero. La componente z de este vector es una funci on de x localizada en la regi on en la que el campo cambia de valor. De esta forma podemos considerar los estados serpiente, para los que ky 0, como sistemas de esp n cuasi-unidimensionales.
157
CAP ITULO 7 Conclusiones

En este u ltimo cap tulo vamos a resaltar los principales resultados encontrados a lo largo de este trabajo, su relevancia en el contexto de la F sica de los Semiconductores y su proyecci on de futuro. A lo largo del primer cap tulo hemos estudiado el transporte electr onico en un nuevo tipo de heteroestructura con modulaci on de composici on, las denominadas superredes gausianas (SRGs), fabricadas a partir de GaAs-Alx Ga1x As, en las que la fracci on de Al en las barreras es una funci on gaussiana de la posici on. La principal conclusi on de este cap tulo ha sido que estas SRs constituyen una interesante opci on en el dise no del ltros electr onicos de pasa banda en energ as, con aplicaciones, por ejemplo, en la construcci on de l aseres de cascada. Desde un punto de vista del transporte electr onico hemos comprobado c omo las SRGs presentan una banda plana de conducci on donde las SRs normales presentan un comportamiento oscilatorio. Nuestros c alculos adem as han mostrado c omo esta interesante propiedad es robusta frente a la aparici on de desorden en forma de rugosidad en las intercaras de los distintos semiconductores que forman la heteroestructura. Para vericar si nuestras predicciones te oricas eran acertadas en lo referente a las SRGs, los grupos del Dr.
160
Conclusiones R. Hey del Paul Drude Institut f ur Festk orperelektronik (Berl n) y del Dr. Vittorio Bellani del Dipartimento di Fisica A. Volta (Universit a di Pavia) se encargaron de crecer y caracterizar opticamente, respectivamente, varias SRs como las estudiadas te oricamente en este trabajo. Los resultados han sido optimos, en el sentido de que hemos sido capaces de reproducir mediante un c alculo de estructura electr onica, en el que se han tenido en cuenta efectos no lineales de interacci on electr on-electr on, la posici on del m aximo de PL observado en los experimentos. En esta l nea, esperamos en el futuro disponer de datos experimentales de medidas de transporte vertical en las muestras de SRGs para poder cotejar con nuestros resultados te oricos. Tambi en hemos tratado en este trabajo el caso de las SRs tipo delta, con envolvente de tipo gausiano. Aparte del posible inter es pr actico del problema, el planteamiento de este nos ha servido para desarrollar una t ecnica de renormalizaci on de utilidad, por ejemplo, en el estudio de la transici on localizado-deslocalizado en sistemas aperi odicos como los descritos por la ecuaci on de Harper. Finalmente, y desde un punto de vista algo m as especulativo, hemos estudiado un modelo simple de transici on metal-aislante que podr a resultar u til para explicar los resultados contradictorios encontrados recientemente en experimentos de efecto Hall cu antico, que han mostrado discrepancias con la teor a convencional de escala. En este contexto, medidas de conductancia en SRGs pueden resultar de utilidad para vericar experimentalmente el modelo que hemos propuesto. En el segundo cap tulo nos hemos centrado en el estudio del desorden correlacionado en SRs con desorden intecionado. Es bien sabido que estos sistemas, debido a la existencia de correlaciones en el desorden, presentan estados deslocalizados. El principal resultado del cap tulo ha sido la aplicaci on de una nueva t ecnica anal tica al estudio de estados deslocalizados. Esta t ecnica es introducida y desarrollada en el caso de una aleaci on binaria y nos permite calcular la longitud de localizaci on en un
Cap tulo 7
161 entorno de la energ a del estado extendido que aparece como consecuencia de las correlaciones en las energ as de sitio que describen la aleaci on. Por otro lado, hemos estudiado tambi en mediante esta t ecnica la existencia de estados extendidos en SRs semiconductoras de GaAs-Alx Ga1x As con desorden de tipo binario. As , hemos obtenido expresiones anal ticas para la posici on de las distintas resonancias de transmisi on que aparecen en dos modelos distintos de desorden correlacionado. Un estudio num erico de dichas resonancias nos ha permitido concluir que estas aparecen a energ as que se corresponden con estados extendidos del sistema. Por u ltimo hemos estudiado la aparici on de estados extendidos en SRs dim ericas en las que las correlaciones de tipo dim erico aparecen en la altura de las barreras. Una interesante propiedad de estas SRs es que, como hemos demostrado, presentan dos tipos de estados extendidos. El origen de estos dos tipos de estado se encuentra en las correlaciones de tipo dim erico en uno de los casos, y en la propia naturaleza binaria de la SR en el otro. En el tercer cap tulo hemos tratado el problema del transporte electr onico en heteroestructuras de semiconductores en las que una cierta cantidad de desorden no intencional est a presente. El desorden no intencional aparece de diversas maneras, como en forma de rugosidad en la intercara de distintos materiales, como uctuaciones en la fracci on molar en uno de los componentes del material, etc. Para poder tratar este desorden, hemos resuelto la ecuaci on de Schr odinger bidimensional mediante un m etodo de matriz de transferencia discreta. Hemos aplicado esta t ecnica al estudio del transporte en heteroestructuras semiconductoras de doble barrera, as como a SRs de puntos cu anticos autoensamblados. En el caso de la doble barrera hemos considerado desorden lateral (tanto correlacionado como no correlacionado), as como desorden composicional. De nuestros resultados se desprende que es mucho m as acusado el efecto sobre el transporte del desorden lateral que el debido al desorden composicional. Por otro lado, al estudiar el desorden lateral correlacionado, hemos llegado a la interesante conclusi on de que existen distintos
162
Conclusiones reg menes de transporte en funci on de la longitud de correlaci on del desorden lateral. En particular hemos mostrado c omo incluso en sistemas en los que las correlaciones son peque nas, aunque no nulas (del orden del tama no caracter stico de la rugosidad en las intercaras), podemos ignorar dichas correlaciones obteniendo resultados muy precisos. Esto explicar a por qu e muchos modelos te oricos en los que se admite la ausencia de correlaciones en la rugosidad han tenido exito, a pesar de que las correlaciones est an presentes en los sistemas f sicos reales. En cuanto a las SRs de puntos cu anticos, hemos tenido en cuenta dos tipos de desorden que hemos llamado desorden conguracional y desorden morfol ogico. Nuestra conclusi on principal en lo que se reere al transporte en SRs de puntos cu anticos es que el efecto del desorden conguracional sobre el transporte electr onico es mucho menor que el del desorden morfol ogico. Este resultado es de inter es, dado que proporciona una gu a a la hora de construir este tipo de sistemas: se requiere un mayor control sobre la forma y tama no de los puntos que sobre su disposici on ordenada en la red. La t ecnica num erica que hemos utilizado a lo largo de este cap tulo es bastante general. Esto hace que pueda ser empleada en el estudio de muy diversos sistemas f sicos. En particular esperamos continuar el trabajo realizado en esta tesis estudiando sistemas de gran inter es como los nanotubos o las mol eculas articiales de puntos cu anticos. Adem as esperamos incluir en nuestro estudio las interacciones a muchos cuerpos (interacci on electr on-electr on), as como estudiar el transporte en presencia de campos magn eticos y campos de radiaci on dependientes del tiempo. La localizaci on electr onica en uniones magn eticas de semiconductores de intervalo estrecho de energ as prohibidas ha sido el tema central del cap tulo cuarto. Aqu hemos visto c omo en esta clase sistemas no son v alidos los modelos m as simples de una banda, de manera que hemos recurrido a modelos que incorporan el acoplamiento entre banda de conducci on y de valencia. El principal resultado alcanzado ha sido la ob-
Cap tulo 7
163 tenci on de las relaciones de dispersi on para uniones magn eticas normales e invertidas. Hemos observado c omo en el caso de las uniones magn eticas los niveles de Landau son sustituidos por bandas de estados cuasidegenerados, y hemos llegado a la conclusi on de que la conductancia en estos sistemas depende de forma no trivial del momento electr onico en la direcci on normal al plano formado por la direcci on del campo, y la direcci on en la que este presenta una discontinuidad. Finalmente hemos investigado las propiedades de esp n de estos sistemas, llegando a la interesante conclusi on de que la componente z del esp n en una uni on magn etica invertida es una funci on distinta de cero en una regi on localizada en la direcci on en la que el campo presenta la discontinuidad. Esto implica que las uniones magn eticas invertidas pueden considerarse como sistemas de esp n cuasi-unidimensionales. Sin duda estos resultados son relevantes en el dise no de nuevos dispositivos en el marco de una ciencia de muy reciente aparici on: la espintr onica.
APENDICE A Relaciones de dispersi on en uniones magn eticas

En este ap endice pretendemos explicar con alg un detalle el c alculo de las relaciones de dispersi on, tanto para la uni on magn etica invertida, como para la uni on magn etica normal, que han sido investigadas en el cap tulo 6.
A.1. Uni on magn etica invertida

A cada uno de los lados de la uni on magn etica es posible escribir las dos soluciones independientes como sigue [150] 1 = ei(ky y+ ) Dp1 ( ) Dp1 ( ) Dp1 ( ) i 2Dp ( ) Dp1 ( ) + i 2Dp ( ) , (A.1)
i v E V + i v E V +
~ ~
166 2 = ei(ky y+ )
Relaciones de dispersi on en uniones magn eticas Dp ( ) Dp ( ) i~v D ( ) + i 2Dp1 ( ) p E V + i~v Dp ( ) + i 2Dp1 ( ) E V + , (A.2)
para , mientras que para las soluciones pueden escribirse de la siguiente forma 1 = e
i(ky y + )
Dp1 ( ) Dp1 ( ) i~v Dp1 ( ) + i 2Dp ( ) E V + i~v Dp1 ( ) + i 2Dp ( ) E V + Dp ( ) Dp ( ) Dp ( ) i 2Dp1 ( ) Dp ( ) + i 2Dp1 ( )
, , (A.4) (A.3)
2 = e
i(ky y + )
i v E V + i v E V +
~ ~
Dado que 1 y 2 , as como 1 y 2 son soluciones independientes a un lado y otro de la uni on, una soluci on general a cada uno de estos lados se escribir a como una combinaci on lineal de estas soluciones, es decir + = A 1 + B 2 , a un lado de la uni on, y = A 1 + B 2 , (A.6) (A.5)
al otro. Si ahora imponemos la condici on de que las soluciones + y sean iguales en la uni on, es decir, en la regi on en la que el campo magn etico presenta su discontinuidad, y suponemos que esta tiene lugar
Ap endice A
A.1 Uni on magn etica invertida en x = 0, entonces A 1 (0 ) + B 2 (0 ) = A 1 (0 ) + A 1 (0 ), en donde 0 = 2x0 /lH . Denimos ahora el siguiente vector w= A B A B , (A.8) (A.7)
167
y a continuaci on la matriz M, cuyos elementos vienen dados por M11 = Dp1 (0 ), M12 = Dp (0 ), M13 = Dp1 (0 ), M14 = Dp (0 ), M21 = Dp1 (0 ), M22 = Dp (0 ), M23 = Dp1 (0 ), M31 = Dp1 (0 ) i 2Dp (0 ) , M32 = Dp (0 ) + i 2pDp1 (0 ) , M33 = Dp1 (0 ) i 2Dp (0 ) , M34 = Dp (0 ) + i 2pDp1 (0 ) , M41 = Dp1 (0 ) + i 2Dp (0 ) , M42 = Dp (0 ) + i 2pDp1 (0 ) , M43 = Dp1 (0 ) i 2Dp (0 ) , M24 = Dp (0 ),
168
Relaciones de dispersi on en uniones magn eticas M44 = Dp (0 ) i 2pDp1 (0 ) , siendo = i v . EV + (A.9)
(A.10)
Con estas deniciones, podemos reescribir la ecuaci on (A.7) como sigue Mw =0 (A.11)
de manera que s olo existe soluci on w = 0 si se cumple que det(M) = 0. Esta u ltima condici on nos conduce directamente a la relaci on de dispersi on para la uni on magn etica invertida
2 2 Dp (0 ) pDp 1 (0 ) = 0.
(A.12)
A.2. Uni on magn etica normal

En este caso las soluciones a cada lado de la uni on pueden escribirse de la siguiente manera + 1 = ei + K K+ + 2 = ei Dp1 ( + ) Dp1 ( + ) + Dp1 ( + ) i 2Dp ( + ) + Dp1 ( + ) + i 2Dp ( + ) , , (A.14) (A.13)
Dp ( + ) Dp ( + ) K + + Dp ( + ) + i 2pDp1 ( + ) K + + Dp ( + ) + i 2pDp1 ( + )
Ap endice A
A.2 Uni on magn etica normal para , mientras que para las soluciones pueden escribirse de la siguiente forma 1 = ei K K 2 = ei Dq1 ( ) Dq1 ( ) Dq1 ( ) + i 2Dq ( ) Dq1 ( ) i 2Dq ( ) , . (A.16) (A.15)
169
Dq ( ) Dq ( ) K Dq ( ) i 2qDq1 ( ) K Dq ( ) i 2qDq1 ( )
Aqu , , K , y son constantes que depender an del valor del campo magn etico y por tanto del valor de lH a un lado u otro () de la uni on. En concreto K 1/lH mientras que lH , de manera que podemos denir K K . K ser a independiente del lado de la uni on en que nos + + encontremos siempre que q/p = lH /lH . Adem as deniremos J + 1/lH y J 1/lH . Construiremos en este caso una soluci on general al igual que como lo hicimos para la uni on magn etica invertida, es decir, a partir de combinaciones lineales de las soluciones independientes a cada uno de los lados de la uni on. La matriz M que aparece en (A.11) tiene los siguientes elementos en el caso de la uni on magn etica normal
+ M11 = ei Dp1 (0 ), + M12 = ei Dp (0 ), M13 = ei Dq1 (0 ), M14 = ei Dq (0 ), + M21 = ei Dp1 (0 ), + ), M22 = ei Dp (0
+ + + +
170
Relaciones de dispersi on en uniones magn eticas

M23 = ei Dq1 (0 ), M24 = ei Dq (0 ),
M31 = ei M32 = M33 = M34 = M41 = M42 = M43 = M44 =
+ + KDp1 (0 ) i 2J + Dp (0 ) , + + + ei KDp (0 ) + i 2J + pDp1 (0 ) , ei KDq1 (0 ) + i 2J Dq (0 ) , ei KDq (0 ) i 2J qDq1 (0 ) , + + ) + i 2J + Dp (0 ) , ei KDp1 (0 + + ) + i 2J + pDp1 (0 ei KDp (0 ) , + ei KDq1 (0 ) i 2J Dq (0 ) , + ) , ei KDq (0 ) i 2J qDq1 (0
+
(A.17)
de manera que el sistema (A.11) s olo tiene s oluci on distinta de la trivial cuando, al igual que antes, se cumpla que det(M) = 0. Finalmente la relaci on de dispersi on para la uni on magn etica normal tras resolvier el determinante
+ + + lH Dq1 (0 )Dp (0 ) + lH Dq (0 )Dp1 (0 ) = 0.
(A.18)
Ap endice A
Referencias
171
Referencias
[1] L. Esaki y R. Tsu, IBM J. Res. Dev. 14, 61 (1970). [2] H. Kressel y J. K. Butler, Semiconductor Lasers and Heterojunction LEDs, (Academic, New York, 1977). [3] J. H. Luscombe, Nanotechnology 4, 1 (1993). [4] F. Capasso y S. Datta, Physics Today, Febrero, 74 (1990) [5] C. Weisbuch y B. Vinter, Quantum Semiconductor Structures, (Academic Press, San Diego, 1991). [6] L. J. Challis, Contemporary Physics 33, 111 (1992). [7] R. E. Prange y S. M. Girvin (editores), The Quantum Hall Eect, (Springer-Verlag, New York, 1987). [8] E Abrahams, P. W. Anderson, P. Liccardello, y D. Ramakrishnan, Phys. Rev. Lett. 42, 673 (1979). [9] R. Landauer, IBM J. Res. Dev. 1, 223 (1957). [10] P. W. Anderson, D. J. Thouless, E. Abrahams, y D. S. Fisher, Phys. Rev. B 22, 3519 (1980). [11] D. Fisher y P. A. Lee, Phys. Rev. B 23, 6851 (1981). [12] H. L. Engquist y P. W. Anderson, Phys. Rev. B 24, 1151 (1981). [13] M. B uttiker, Phys. Rev. Lett. 57, 1761 (1986). [14] M. B uttiker, IBM J. Res. Dev. 32, 63 (1988). [15] M. B uttiker, IBM J. Res. Dev. 32, 317 (1988).
172
Referencias [16] K. Leo, P. Haring, F. Br uggemann, R. Schwedler, y K. K ohler, Solid State Commun. 84, 943 (1992). [17] P. W. Anderson, Phys. Rev. 109, 1492 (1958). [18] N. F. Mott y W. D. Twose, Adv. Phys. 10, 107 (1961). [19] D. H. Dunlap, H.-L. Wu, y P. Phillips, Phys. Rev. Lett. 65, 88 (1990). [20] H.-L. Wu y P. Phillips, Phys. Rev. Lett. 66, 1366 (1991). [21] P. Phillips y H.-L. Wu, Science 252, 1805 (1991). [22] V. Bellani, E. Diez, R. Hey, L. Toni, L. Tarricone, G. B. Parravicini, F. Dom nguez-Adame, y R. G omez-Alcal a, Phys. Rev. Lett. 82, 2159 (1999). [23] S. R. White y L. J. Sham, Phys. Rev. Lett. 47, 879 (1981). [24] G. Bastard, Phys. Rev. B 24, 5693 (1981). [25] M. Altarelli, Phys. Rev. B 28, 842 (1983). [26] J. H. Davies The Physics of Low-Dimensional Semiconductors, (Cambridge University, Cambridge, 1998). [27] A. El ci, Phys. Rev. B 49, 7432 (1994). [28] R. Landauer, Philos. Mag. 21, 863 (1970). [29] E. N. Economou y C. M. Soukoulis, Phys. Rev. Lett. 46, 618 (1981). [30] J. M. Ziman, J. Phys. C 2, 1230 (1969). [31] H. Matsuda y K. Ishii, Prog. Theor. Phys. Supp. 45, 56 (1970).
Referencias
Referencias [32] J. M. Ziman, Models of Disorder (Cambridge University Press, London, 1979). [33] B. Kramer y A. MacKinnon, Rep. Prog. Phys. 56, 1469 (1993). [34] A. P. Lee y T. V. Ramakrishnan, Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985). [35] M. D. Stephens y J. L. Skinner, J. Chem. Phys. 177, 727 (1993). [36] F. Dom nguez-Adame, E. Diez, y A. S anchez, Phys. Rev. B 51, 8115 (1995). [37] A. S anchez, E. Maci a, y F. Dom nguez-Adame, Phys. Rev. B 49, 147 (1994). [38] A. S anchez y F. Dom nguez-Adame, J. Phys. A: Math. & Gen. 27, 3725 (1994). [39] E. Diez, A. S anchez, y F. Dom nguez-Adame, Phys. Rev. B 50, 14 359 (1994). [40] F. Dom nguez-Adame, A. S anchez, y E. Diez, Phys. Rev. B 50, 17 736 (1994). [41] E. Diez, A. S anchez, and F. Dom nguez-Adame, IEEE J. Quantum Electron. 31, 1919 (1995). [42] E. Diez, A. S anchez, y F. Dom nguez-Adame, Solid State Electron. 40, 433 (1996). [43] P. D. Kirkman y J. B. Pendry, J. Phys. C: Solid State Phys. 17, 4327 (1984). [44] T. Halsey, M. H. Jensen, L. P. Kadano, I. Procaccia, y B. I. Shraiman, Phys. Rev. A 33, 1141 (1986). [45] M. Schreiber y H. Grussbach, Mod. Phys. Lett. B 6, 851 (1992).
173
174
Referencias [46] J. Canisius y J. L. van Hemmen, J. Phys. C 18, 4873 (1985). [47] J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori, A. L. Hutchinson, y A. Y. Cho, Science 264, 553 (1994). [48] G. Scamarcio, F. Capasso, C. Sirtori, J. Faist, A. L. Hutchinson, D. L. Sivco, y A. Y. Cho, Science 276, 773 (1997). [49] Q. K. Yang y A. Z. Li, Physica E 4, 239 (1999). [50] Q. K. Yang y A. Z. Li, J. Appl. Phys. 87, 1963 (2000). [51] H. H. Tung y C. P. Lee, IEEE J. Quantum Electron. 32, 507 (1996). [52] I. G omez, F. Dom nguez-Adame, E. Diez, y V. Bellani, J. Appl. Phys. 85, 3916 (1999). [53] E. Diez, I. G omez, F. Dom nguez-Adame, R. Hey, V. Bellani, y G. B. Parravicini, Physica E 7, 832 (2000). [54] F. Ban, V. Bellani, I. G omez, E. Diez, y F. Dom nguez-Adame, Semicond. Sci. Technol. 16, 304 (2001). [55] I. G omez e I. Satija, Phys. Lett. A 268, 128 (2000). [56] E. Diez, I. G omez, y F. Dom nguez-Adame, en preparaci on. [57] S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R12 (1985). [58] C. Rauch, G. Strasser, K. Unterrainer, W. Boxleitner, y E. Gornik, Phys. Rev. Lett. 81, 3495 (1998). [59] I. G omez, F. Dom nguez-Adame, A. Flitti, y E. Diez, Phys. Lett. A 48, 431 (1998). [60] C. Sirtori, J. Faist, F. Capasso, D. L. Sivco, A. L. Hutchinson, y A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 66, 3242 (1996).
Referencias
Referencias [61] K. A. M ader, L. -W. Wang, y A. Zunger, J. Appl. Phys. 78, 6639 (1995). [62] C. B. Duke, Tunneling in Solids, (Academic, New York, 1969). [63] T. B. Boykin, Phys. Rev. B 51, 4289 (1995). [64] F. Dom nguez-Adame, B. M endez, y E. Maci a, Semicond. Sci. Technol. 9, 263 (1994). [65] L. Hedin y B. I. Lundqvist, J. Phys. C: Solid State Phys. 4, 2064 (1971). [66] J. V. Sokolo, y J. V. Jos e, Phys. Rev. Lett. 49, 334 (1982). [67] H. P. Wei, D. C. Tsui, M. A. Paalanen, y A. M. M. Pruisken, Phys. Rev. Lett. 61, 1294 (1988). [68] D. Shahar, M. Hilke, C. C. Li, D. C. Tsui, S. L. Sondhi, J. E. Cunningham, y M. Razeghi, Solid State Commun. 107, 19 (1998). [69] R. T. F. van Schaijk, A. de Visser, S. M. Olsthoorn, H. P. Wei, y A. M. M. Pruisken, Phis. Rev. Lett. 84, 1567 (2000). [70] D. C. Tsui, Rev. Mod. Phys. 71, 891 (1999). [71] S. L. Sondhi, S. M. Girvin, J. P. Carini, y D. Shahar, Rev. Mod. Phys. 69, 315 (1997). [72] M. Lee, S. A. Solin, y D. R. Hines, Phys. Rev. B 48, 11921 (1993). [73] P. W. Anderson, Phys. Rev. 23B, 4828 (1981). [74] J. C. Flores, J. Phys. Condens. Matter 1, 8471 (1989). [75] H.-L. Wu y P. Phillips, J. Chem. Phys. 93, 7369 (1990). [76] A. Bovier, J. Phys. A: Math. & Gen. 25, 1021 (1992).
175
176
Referencias [77] H.-L. Wu, W. Go, y P. Phillips, Phys. Rev. B 45, 1623 (1992). [78] S. N. Evangelou y D. E. Katsanos, Phys. Lett. A 164, 456 (1992). [79] P. K. Datta, D. Giri, y K. Kundu, Phys. Rev. B 47, 10 727 (1993). [80] S. N. Evangelou y A. Z. Wang, Phys. Rev. B 47, 13 126 (1993). [81] J. C. Flores y M. Hilke, J. Phys. A: Math. & Gen. 26, L1255 (1993). [82] S. N. Evangelou, A. Z. Wang, y S. J. Xiong, J. Phys. Cond. Matter 6, 4937 (1994). [83] P. K. Datta y K. Kundu, J. Phys. Cond. Matter 6, 4465 (1994). [84] F. A. B. F. de Moura y M. L. Lyra, Phys. Rev. Lett. 81, 3735 (1998). [85] F. M. Izrailev y A. A. Krokhin, Phys. Rev. Lett. 82, 4062 (1999). [86] A. Chomette, B. Deveaud, A. Regreny, y G. Bastard, Phys. Rev. Lett. 57, 1464 (1986). [87] D. Sedrakyan, y A. Sedrakyan, Phys. Rev. B 60, 10114 (1999). [88] F. Dom nguez-Adame, I. G omez, A. Avakyan, D. Sedrakyan, y A. Sedrakyan, phys. stat. sol. (b) 221, 633 (2000). [89] T. Hakobyan, D. Sedrakyan, A. Sedrakyan, I. G omez y F. Dom nguez-Adame, Phys. Rev. B 61, 11432 (2000). [90] I. G omez, F. Dom nguez-Adame, y E. Diez, Phys. B 324, 235 (2002). [91] V. I. Oseledec, Trans. Moscow Math. Soc. 19, 197 (1968).
Referencias
Referencias [92] H. Fidder, J. Knoester, y D. A. Wiersma, J. Chem. Phys. 95, 7880 (1991). [93] E. Erd os y R. C. Herndon, Adv. Phys. 31, 65 (1982). [94] A. Abrikosov, Solid State Commun. 37, 997 (1981) [95] V. Melnikov, Sov. Phys. Solid State 23, 444 (1981). [96] G. G. Kozlov, V. A. Malyshev, F. Dom nguez-Adame, y A. Rodr guez, Phys. Rev. B 58, 5367 (1998). [97] E. Maci a y F. Dom nguez-Adame, Phys. Rev. Lett. 76, 2957 (1996). [98] K. Ishii, Prog. Theor. Phys. Suppl. 53, 77 (1973). [99] M. Hilke y J. C. Flores, Phys. Rev. B 55, 10625 (1997). [100] A. Wacker, S. Bose, C. Rauch, G. Strasser, y E. Gornik, Superlattices and Microstructures, 20, 1 (1996). [101] A. Wacker, A. Jauho, S. Rott, A. Markus, P. Binder, y H. D oler, Phys. Rev. Lett. 83, 836 (1999). [102] F. Dom nguez-Adame, E. Diez y J. Dev s, Recent Res. Devel. Quantum Electronics 1, 137 (1999). [103] G. Klimeck, R. Lake, y D. Blanks, Phys. Rev. B 58, 7279 (1998). [104] U. Penner, H. R ucker, y I. N. Yassievich, Semicond. Sci. Technol. 13, 709 (1998). [105] P. Pereyra, Phys. Rev. Lett. 80, 2677 (1998) [106] P. H. Bagwell, Phys. Rev. B 41, 10354 (1990). [107] L. E. Henrickson, K. Hirakawa, J. Frey, y T. Ikoma, J. Appl. Phys. 71, 3883 (1992).
177
178
Referencias [108] V. D. Freilikher y S. A. Gradeskul, Prog. Opt. 30, 137 (1991). [109] I. G omez, E. Diez, F. Dom nguez-Adame, y P. Orellana, Physica E, (en prensa) (2002). [110] I. G omez, E. Diez, F. Dom nguez-Adame, y P. Orellana Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 692 (2002). [111] I. G omez, F. Dom nguez-Adame, E. Diez y P. Orellana, J. Appl. Phys. 92, 4486 (2002). [112] T. C. L. G. Sollner, W. D. Goodhue, P. E. Tannenwald, C. D. Parker, y D. D. Peck, Appl. Phys. Lett. 43, 588 (1984). [113] B. Ricco y M. Ya. Azbel, Phys. Rev. B 29, 1970 (1984). [114] N. S. Wingreen, K. W. Jacobsen, y J. W. Wilkins, Phys. Rev. Lett. 61, 1396 (1988). [115] W. Cai, T. F. Zheng, P. H. Hu, B. Yudanin, y M. Lax, Phys. Rev. Lett. 63, 418 (1989). [116] V. A. Chitta, C. Kutter, R. E. M. de Bekker, J. C. Maan, S. J. Hawksworth, J. M. Chamberlain, M. Henini, y G. Hill, J. Phys.: Condens. Matter 6, 3945 (1994). [117] J. I narrea, G. Platero, y C. Tejedor, Semicond. Sci. Technol. 9, 515 (1994). [118] A. Levy Yeyati, F. Flores, y E. V. Anda, Phys. Rev. B 47, 10 543 (1993). [119] P. Orellana y F. Claro, Appl. Phys. Lett. 75, 1643 (1999). [120] P. Orellana, F. Claro, y E. Anda, Phys. Rev. B 62, 9959 (2000).
Referencias
Referencias [121] R. M. Feenstra, D. A. Collins, D. Z. -Y. Ting, M. W. Wang, y T. C. McGill, Phys. Rev. Lett. 72, 2749 (1994). [122] H. W. Salemik, O. Albrektsen, y P. Koenraad, Phys. Rev. B 45, 6946 (1992). [123] S. Gwo, K. -J. Chao, C. K. Shih, K. Sandra, y B. G. Streetman, Phys. Rev. Lett. 71, 1883 (1993). Luby, R. Sender [124] M. Jergel, V. Hol y, E. Majkov a, S. ak, H. J. Stock, D. Menke, U. Kleineberg, y U. Heinzmann, Physica B 253, 28 (1998). [125] A. L. Barab asi y H. E. Stanley, Fractal Concepts in Surface Growth, (Cambridge University Press, Cambridge, 1995). [126] M. Castro, tesis doctoral, Universidad Complutense (2001). [127] J. L. Liu, W. G. Wu, A. Balandin, G. L. Jin, y K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 74, 185 (1999). [128] J. L. Liu, W. G. Wu, A. Balandin, G. L. Jin, Y. H. Luo, S. G. Thomas, y K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 1745 (1999). [129] I. Tanaka, I. Kamiya, H. Sasaki, N. Qureshi, S. J. Allen, y P. M. Petro, Appl. Phys. Lett. 74, 844 (1999). [130] P. C. Sharma, K. W. Alt, D. Y. Yeh, y K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 1273 (1999). [131] G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits, y G. Bauer, Science 282, 734 (1998). [132] O. L. Lazarenkova y A. A. Balandin, J. Appl. Phys. 89, 5509 (2001). [133] O. L. Lazarenkova y A. A. Balandin, Phys. Rev. B 66, 245319 (2002).
179
180
Referencias [134] P. D. Ye, D. Weiss, R. R. Gerhardts, M. Seeger, K. von Klitzing, K. Eberl, y H. Nickel, Phys. Rev. Lett. 74, 3013 (1995). [135] A. Matulis, F. M. Peeters, y P. Vasilopoulos, Phys. Rev. Lett. 72, 1518 (1992). [136] V. M. Ramaglia, A. Tiagliacozzo, F. Ventriglia, y G. P. Zucchelli, Phys. Rev. B 43, 2201 (1991). [137] F. M. Peeters y P. Vasilopoulos, Phys. Rev. B 47, 1466 (1993). [138] C. W. J. Beenakker, Phys. Rev. Lett. 62, 2020 (1989). [139] A. Nogaret, S. Carlton, B. L. Gallagher, P. C. Main, M. Henini, R. Wirtz, R. Newbury, M. A. Howson, y S. P. Beaumont, Phys. Rev. B, 55, R16037 (1997). [140] I. S. Ibrahim y F. M. Peeters, Phys. Rev. B 52, 17321 (1995). [141] F. Evers, A. D. Mirlin, D. G. Polyakov, y P. Wole, Phys. Rev. B 60, 8951 (1999). [142] D. B. Chklovskii y P. A. Lee, Phys. Rev. B 48, 18060 (1993). [143] D. B. Chklovskii, Phys. Rev. B 51, 9895 (1995). [144] M. Abramowitz e I. Stegun, Handbook of Mathematical Functions with Formulas, Graphs, and Mathematical Tables, (Dover, Nueva York, 1970). [145] J. E. M uller, Phys. Rev. Lett. 68, 385 (1992). [146] S. Datta, Electron Transport in Mesoscopic Systems, (Cambridge University, Cambridge, 1995). [147] F. M. Peeters, J. Reijniers, S. M. Badalian, y P. Vasilopoulos, Microelectronic Engineering 47, 405 (1999).
Referencias
Referencias [148] D. Agassi y V. Korenman, Phys. Rev. B 37, 10095 (1988). [149] N. Malkova, I. G omez, y F. Dom nguez-Adame, Phys. Rev. B 63, 035317 (2001). [150] D. Agassi, Phys. Rev. B 49, 10393 (1994) 10393. [151] P. M. Petro, A. Lorke, y A. Imamoglu, Physics Today, Mayo (2001).
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UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID

FACULTAD DE CIENCIAS FSICAS Departamento de Fsica de Materiales

TRANSPORTE ELECTRNICO Y LOCALIZACIN EN HETEROESTRUCTURAS DE SEMICONDUCTORES

Universidad Complutense de Madrid

TRANSPORTE ELECTRONICO Y EN HETEROESTRUCTURAS LOCALIZACION DE SEMICONDUCTORES

Ignacio G omez Cuesta Enero 2003

Dirigida por el Dr. Francisco Dom nguez-Adame Acosta

Madrid, Enero de 2003

3. Heteroestructuras con modulaci on de composici on 3.1. Introducci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

CAP ITULO 1 Introducci on

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

1.2. Transporte electr onico

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

1.5. Objetivos y organizaci on de la tesis

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

CAP ITULO 2 Transporte electr onico y localizaci on

2.1. Electrones en heteroestructuras

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

2.1.1. Aproximaci on de la masa efectiva.

2.1 Electrones en heteroestructuras

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

ij , con i, j = x, y, z , son los tensores de masa efectiva cuyas donde Mnm

n |pi | |pj | m , A (0) E B (0) E E A B

2.1.2. Hamiltoniano de Ben Daniel-Duke

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

14 la ecuaci on (2.4) queda como sigue V (z )

Transporte electr onico y localizaci on

2 2 d 1 d k + (z ) = E(z ). 2 dz m(z ) dz 2m(z )

2.1 Electrones en heteroestructuras

2.1.3. Modelo de dos bandas

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

Transporte electr onico y localizaci on

2.2. Conductancia: la f ormula de Landauer

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

2.3. Sistemas desordenados

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

20 sistemas electr onicos desordenados.

Transporte electr onico y localizaci on

2.3.2. Desorden correlacionado

2.4. Caracterizaci on del desorden

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

2.4.1. Coeciente de Lyapunov

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

Transporte electr onico y localizaci on

2.4.2. An alisis multifractal

2.4 Caracterizaci on del desorden cont nuo mediante la siguiente expresi on

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

CAP ITULO 3 Heteroestructuras con modulaci on de composici on

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

3.2. Transporte y estructura electr onica

3.2 Transporte y estructura electr onica algunos sistemas aperi odicos.

3.2.1. Coeciente de transmisi on

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

0 -600 -400 -200 0 200 400 600

Transporte electr onico y localizaci on en heteroestructuras...

Heteroestructuras con modulaci on de composici on

(a) 0.8 0,6

0.4 0.2 0 1.0 0.8 0.6 (b)

0.4 0.2 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4

3.2.2. Efectos del desorden