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POLARIZACIN DE TRANSISTORES EN BASE COMUN Y COLECTOR COMUN

Adrin F. Moreno, Holmman R. Pineda
Escuela de Ingeniera Electrnica, Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia Tunja, Colombia
Adrian.moreno@ptc.edu.co Holmman.pineda@uptc.edu.co

Abstract A medida que se requieren circuitos que aumenten la

corriente de forma sencilla, sin requerir muchos elementos en su diseo y que adems no se dejen afectar de gran manera por las variaciones en el entorno, se tiene en cuenta cada tipo de polarizacin. En este laboratorio revisaremos las configuraciones en base comn y colector comn, en la configuracin en bese comn tenemos que no se genera una ganancia en corriente, pero si una ganancia en voltaje. Palabras Clave transistor, base, corriente, polarizacin.

Efecto de campo. Los primeros, los bipolares, surgen a partir de la unin de tres cristales de material semiconductor. Este

Tipo de transistores son generalmente utilizados en aparatos electrnicos analgicos y en ciertos aparatos digitales. [1] B. Transistor BJT Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector: de extensin mucho mayor. La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad. [2] C. Polarizacin de los transistores Colector comn: La entrada de seal se produce por la base y la salida por el emisor, en vez de por el colector como en el resto de los circuitos. El terminal comn para la entrada y la salida es el colector, como su nombre indica. Si la unin base

I. OBJETIVOS Realizar circuitos de polarizacin fija de transistores en configuracin base comn y colector comn. Visualizar la accin amplificadora del transistor de una seal elctrica. II. MARCO TERICO A. Transistor Un transistor es un aparato que funciona a base de un dispositivo semiconductor que cuenta con tres terminales, los que son utilizados como amplificador e interruptor. Una pequea corriente elctrica, que es aplicada a uno de los terminales, logra controlar la corriente entre los dos terminales. Los transistores se comportan como parte fundamental de los aparatos electrnicos, anlogos y digitales. Especficamente, en los aparatos electrnicos digitales, un transistor se utiliza como interruptor, pero tambin se les da otros usos que guardan relacin con memorias RAM y puertas lgicas. Por otra parte, en cuanto a los aparatos anlogos, se utilizan, por lo general, como amplificadores. El transistor debe su nombre a su capacidad de transformar la resistencia de la corriente elctrica que pasa entre el receptor y el emisor, y fue inventado por Jahn Bardeen, William Shockley y Walter Brattain. Como ya se mencionaba, un transistor est conformado por tres partes. Una de ellas es la que se encarga de emitir electrones, por lo tanto, es el emisor. Una segunda parte es la que los recibe, el denominado colector, y por ltimo, una tercera parte que opera como un modulador del paso de los electrones. Existen varios tipos de transistores, entre los que encontramos los transistores bipolares y los transistores de

2 emisor est polarizada directamente, el transistor va a conducir, mientras que si est inversamente polarizada no lo har. Este circuito tambin se llama seguidor de emisor, nombre que le viene porque el emisor sigue a la base, lo que quiere decir que la tensin que le apliquemos a la base va a ser reproducida por el emisor. Por ejemplo, si la base se encuentra a cero voltios, el emisor tambin estar a cero voltios y si la tensin de base es de seis voltios el emisor estar a la misma tensin. Para que esto suceda as el circuito tiene que estar funcionando en la zona activa. Pero por qu sigue el emisor a la base en este tipo de circuitos? Como podemos ver en la ilustracin que representa una configuracin de colector comn, el emisor tiene conectada una resistencia, Re, que es la que va a hacer posible que el emisor siga a la base. Base comn: Con un circuito de base comn no vamos a conseguir ganancia en la corriente. La corriente de emisor, que es la corriente de entrada, est formada por la suma de la corriente de base y la de colector, IE = Ic + IB; esto implica que la corriente de colector, es decir, la corriente de salida, sea ms pequea que la corriente de entrada. Por lo tanto, la ganancia de corriente que es el cociente entre la corriente de salida y la de entrada, va a ser menor que la unidad y no vamos a obtener ganancia. La caracterstica principal de estos circuitos es que tienen mucha ganancia de tensin, es decir, la tensin de salida va a ser mucho mayor que la tensin de entrada. Para explicar esto tenemos que profundizar un poco ms en los componentes de este circuito. Hay una resistencia de emisor, Re, que suele ser pequea, por lo tanto, estos circuitos tienen una impedancia de entrada muy baja. Sin embargo, la resistencia del colector, Rc, es alta. Como las intensidades emisor y colector son prcticamente iguales, aplicando la ley de OHM V = R x I comprobamos que la tensin de salida va a ser muy grande y la tensin de entrada mucho ms pequea, por lo que se produce una ganancia importante de tensin en este tipo de configuraciones. IV. DATOS EXPERIMENTALES
MEDIDA TABLA I VALORES DADOS EN CC V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL. % DIFERENCIA

VCC VEE VC VE VCE VB IB IC IE re

12 V -12V 10,91V 1,09 V 12V 0V 6.86 A 1,09 mA 1,09 mA 23.85 159

12 V 12 V 10,90 V 679 mV 11,66 V 0V 7,08 A 1,126 mA 1,122 mA 21,28 159

0 0 0,09% 37,7% 2,8% 0% 3,21% 3,30% 2,93% 10,78% 0%

Tabla 1. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por base comn

Calculo de valores tericos con VCE= 12v. IC= VCE/ (RE+RC) IC= 12V/ (10+1) K IC= 1.09 mA IE IE IC = IB IB= IC/ IB= 1.09mA / 159 IB= 6.86 A re = 26mV/IE re= 26mV/1.09mA re= 23.85 VE= IE*RE VE= 1.09 mA * 10K VE= 1,09 V VB= 0V VC= VCE-VE VC= 12V 1.09V VC=10.91V TABLA II
VALORES DADOS EN AC CON UNA RESISTENCIA DE CARGA RL= 1K
MEDIDA V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL. %
DIFERENCIA

III. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL A. Se realiza el montaje indicado en la Fig 1.se toman los datos de VC, VB, VE, IC mediante multmetro sin conectarle un generador, luego se le conecta el generador y se observa cmo se comporta la seal en su proceso de amplificacin.

Vin Vout Zo Zi AV AI

25mV 524mV 500 23,29 20,96 -1

25,6 mV 432 mV 500 20,84 18,71 -0.92

2.4% 17.58% 0% 10.52% 10.73% 8%

Tabla 2. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por base comn con una resistencia de carga Rl= 1K TABLA III VALORES DADOS EN AC CON UNA RESISTENCIA DE CARGA RL= 2K MEDIDA V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL. % DIFERENCIA

Fig 1. Polarizacin del transistor en configuracin de base comn.

Vin Vout Zo Zi AV AI

25mV 698.75mV 666 23,29 27.95 -1

25,2 mV 560 mV 666.67 20,84 22.22 -0.92

0.8% 19.86% 0% 10.52% 20.5% 8%

3
Tabla 3. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por base comn con una resistencia de carga Rl= 2K TABLA IV VALORES DADOS EN AC CON UNA RESISTENCIA DE CARGA RL= 8K MEDIDA V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL % DIFERENCIA

Vin Vout Zo Zi AV AI

25mV 931.75 mV 888.89 23,29 37.27 -1

24 mV 740 mV 888.89 20,84 30.83 -0.92

4% 20.58% 0% 10.52% 17.27% 8%

Fig.3 forma de onda para polarizacin de base comn del transistor con RL=8K

Tabla 4. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por base comn con una resistencia de carga Rl= 2K TABLA V VALORES DADOS EN AC CON RL= 220 MEDIDA V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL % DIFERENCIA

Vin Vout Zo Zi AV AI

25mV 189.02 mV 180.32 23,29 7.56 -1

23.6 mV 152 mV 180.32 20,84 6.44 -0.92

5.6% 19.59% 0% 10.52% 15.93% 8%

Tabla 5. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por base comn con una resistencia de carga Rl= 2K

Fig.4 forma de onda para polarizacin de base comn del transistor con RL=220

IV.II Configuracin en colector comn Realice la polarizacin del transistor con el circuito indicado sin colocarle la seal del generador con VCC = 15V; con el valor de del datasheet realice los clculos tericos para re, IE, VB.

IV.I Graficas obtenidas:

Fig.2 forma de onda para polarizacin de base comn del transistor con RL=1K

Fig.5. Polarizacin del transistor BJT en emisor comn. TABLA VI VALORES DADOS EN CC V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL.

MEDIDA

% DIFERENCIA

VCC IB IE re
Fig.3 forma de onda para polarizacin de base comn del transistor con RL=2K

15 V 43.95 A 7.03 mA 3.698 159

15 V 33.7 A 7.46 mA 3.485 159

0 23.32% 6.11% 5.77% 0%

Tabla 1. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por colector comn.

4 Calculo de valores tericos con VCE= 15v. ETH= R2*VCC/ (R1+R2) ETH = 27k*15V/ (22K+27K) ETH = 8.265V IB= ETH -VBE/RTH + (+1) RE IB= 7.56V / 172K IB= 43.95 A IE= IB (+1) IE= 43.95 A (159+1) IE= 7.03 mA re = 26mV/IE re= 26mV/7.03mA re= 3.698 TABLA VII
VALORES DADOS EN AC CON UNA RESISTENCIA DE CARGA RL= 1K
MEDIDA V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL. %
DIFERENCIA

clculo se haya podido hacer en la impedancia de entrada, aun as los valores son casi correspondientes. Con respecto a la ganancia de corriente, en todos los casos al no depender de las impedancias, es igual. Con respecto a las grficas se puede observar como no existe un desfase del voltaje de salida con respecto al voltaje de entrada, tal y como describe el comportamiento de este tipo de configuracin.

VI. CONCLUSIONES Al aumentar el valor de RL, la ganancia de voltaje es mayor. Al variar el RL, la ganancia de corriente no se modifica. En un circuito con polarizacin base comn, la seal de salida no sufre ningn desfase con respecto a la entrada. Las variaciones con respecto a los clculos tericos se le atribuyen a los mrgenes de error que poseen las resistencias usadas en el circuito, adems de la variacin con respecto al voltaje de polarizacin.

Vin Vout Zo Zi AV AI

140mV 140mV 3.67 11.26 K 1 -21.03

141 mV 138.3 mV 3.6 10.8 K 0.92 -22.1

0.7% 1.21% 0% 4.8% 8% 5.88%

Tabla 7. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por base comn con una resistencia de carga Rl= 1K TABLA VIII VALORES DADOS EN AC CON UNA RESISTENCIA DE CARGA RL= 100 MEDIDA V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL % DIFERENCIA

REFERENCIAS
[1] http://www.misrespuestas.com/que-es-un-transistor.html [2] www.ucm.es/info/electron/laboratorio/componentes/.../pag06-03.htm [3] http://es.scribd.com/doc/88810194/44/CONFIGURACION-BASICA-DELOS-TRANSISTORES

Vin Vout Zo Zi AV AI

140mV 138mV 3.55 11.26 K 1 -72.52

141 mV 135 mV 3.5 10.8 K 0.92 -69.4

0.7% 19.86% 0% 4.8% 8% 4.30%

Tabla 8. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por base comn con una resistencia de carga Rl= 2K TABLA IX VALORES DADOS EN AC CON UNA RESISTENCIA DE CARGA RL=68 MEDIDA V. TERICO VALOR EXPERIMENTAL % DIFERENCIA

Vin Vout Zo Zi AV AI

140mV 135.5 mV 3.49 11.26 K 1 -86.64

141 mV 134 mV 3.5 10.8 K -0.92 -83.2

0.7% 20.58% 0% 4.8% 8% 0.5%

Tabla 9. Comparacin de valores tericos y experimentales para la configuracin por base comn con una resistencia de carga Rl= 2K

V. ANLISIS DE LOS DATOS Se puede observar como los valores en corriente directa se acercan de gran manera en la Tabla I, de tal modo que las ecuaciones que describen esta configuracin son muy cercanas. En las tablas II a V se puede ver como esos errores en la ganancia de voltaje estn alejados de la realidad, esto lo podemos concluir a factores respecto al clculo de la impedancia de salida y cualquier aproximacin que durante el