ELECTRNICA ANALGICA INGENIERA EN ELECTRNICA CONVOCATORIA DE FEBRERO DE 2012

7 de Febrero de 2012
NOMBRE: APELLIDOS: NIF/NIE:

PUNTUACIONES

Pa U ra u ht niv so tp er de :/ sid alu /w ad m no w w Co s de .u m cm pl la .e ute s ns

P1

P2

P3

e
P4

de

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Total 1

TODOS LOS EJERCICIOS VALEN 2.5 PUNTOS

PROBLEMA 1

Sea el espejo cascode en tecnologa CMOS de la Figura 1. Todos los transistores se han construido en la misma tecnologa pero con distintas dimensiones de canal. As, el transistor k tiene una longitud y anchura de canal Lk y Wk . En estas circunstancias: 1. Determine la relacin existente entre IO e IQ . 2. Determine los valores de tensin en los nudos A, B y C. Desprecie los efectos de modulacin del canal y de sustrato y considere que todos los transistores tienen la misma tensin umbral y conductividad de canal.

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Figura 1

Figura 2

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Figura 3

e
Figura 4

PROBLEMA 2

En la Figura 2, se ha representado un amplicador inversor cuya carga es un PNP en base comn. Suponga que VIN = VIN,Q + VIN y que VB se ha ajustado de tal modo que, en el punto de operacin, VOU T,Q = VCC e IC 2 = IC 1 = IQ . Sabiendo que cada transistor tiene sus 2 VOU T propias caractersticas (hf e ,hF E , VAF ), calcular la ganancia en tensin en funcin de estos VIN parmetros as como la impedancia de salida del amplicador.

PROBLEMA 3
El circuito de la Figura 3 es un oscilador LC que oscila si el valor de K supera un determinado umbral. Determine el valor de ese umbral de K as como la frecuencia de resonancia.

PROBLEMA 4
Intente explicar cual es el objetivo del circuito de la Figura 4.

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PROBLEMA 1 (SOLUCIN)
Sea el espejo cascode en tecnologa CMOS de la Figura 1. Todos los transistores se han construido en la misma tecnologa pero con distintas dimensiones de canal. As, el transistor k tiene una longitud y anchura de canal Lk y Wk . En estas circunstancias: 1. Determine la relacin existente entre IO e IQ . 2. Determine los valores de tensin en los nudos A, B y C. Desprecie los efectos de modulacin del canal y de sustrato y considere que todos los transistores tienen la misma tensin umbral y conductividad de canal.

La primera pregunta es fcil de responder. En primer lugar, cada transistor estar caracterizado 1 k siendo KP un parmetro tecnolgico. Como no debemos por una transconductancia k = 2 KP W Lk tener en cuenta el efecto de modulacin de canal ni el de substrato y sabemos que en un espejo CMOS todos los transistores deben estar en saturacin para funcionar correctamente, se cumple que: IQ = 2 (VGS,2 VT H )2 = 2 (VA VT H )2 y, por otro lado, IO = 1 (VGS,1 VT H )2 = 1 (VA VT H )2 Si dividimos ambas expresiones:
1 KP W1/L1 IO 1 2 W1 L2 = IO = IQ = 2 IQ IQ = 1 W IQ 2 1 W2 L1 KP 2/L2 2

Curiosamente, la corriente de salida no depende de las caractersticas de los transistores 3 y 4. Pasemos ahora al siguiente apartado. En primer lugar, es fcil demostrar a partir de la primera ecuacin que: VA = VT H + IQ 2 3

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Figura 1

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Por otra parte, en el transistor 4 se va a cumplir que: IQ = 4 (VGS,4 VT H )2 = 4 (VC VA VT H )2 de lo que se deduce que: VC = VA + VT H + IQ = VT H + 4 IQ + VT H + 2 IQ = 2VT H + 4 1 1 IQ + 2 4

Finalmente, el valor de la tensin en el nodo B se calcula a partir de las caractersticas del transistor 3: IO = 3 (VGS,3 VT H )2 = 3 (VC VB VT H )2 Esto implica que: VB = VC VT H Sin embargo,
IO 3

IO = 2VT H + 3 de modeo que:

1 1 IQ + 2 4

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VT H

IO 3

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VB = VT H +

2 I 3 1 Q

1 1 IQ + 2 4

e
2 3 1 KP=1E-3

con lo que queda resuelto el problema. Para vericar los resultados anteriores, puede utilizarse el siguiente circuito SPICE: *********Ejercicio 1 VCC out 0 dc 10V IREF 0 NudoC dc 1mA M1 NudoB NudoA 0 0 mynmos W=1u L=1u M2 NudoA NudoA 0 0 mynmos W=1u L=1u M3 out NudoC NudoB NudoB mynmos W=1u L=1u M4 NudoC NudoC NudoA NudoA mynmos W=1u L=1u *** Modelo de transistor .model mynmos NMOS (LEVEL=1 VTO=1 LAMBDA = 0 .op .end

de

GAMMA=0)

Jugando con los parmetros del transistor y las caractersticas individuales o con la fuente de referencia, se puede calcular la inuencia en la corriente de salida, que es simplemente la que proporciona la fuente de tensin.

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PROBLEMA 2 (SOLUCIN)
En la Figura 2, se ha representado un amplicador inversor cuya carga es un PNP en base comn. Suponga que VIN = VIN,Q + VIN y que VB se ha ajustado de tal modo que, en el punto de operacin, VOU T,Q = VCC e IC 2 = IC 1 = IQ . Sabiendo que cada transistor tiene sus 2 VOU T propias caractersticas (hf e ,hF E , VAF ), calcular la ganancia en tensin en funcin de estos VIN parmetros as como la impedancia de salida del amplicador.

En primer lugar, reemplazaremos el circuito por su equivalente en pequea seal. Tngase en cuenta que, en p. s., las fuentes de tensin VB y VCC equivalen a tierra. As:

Recordemos que la fuente de corriente del PNP va hacia arriba ya que va del colector al emisor. Evidentemente, ib2 (y, por tanto, hf e2 ib2 ) se anula ya que sus dos extremos estn a tierra. En estas circunstancias, podemos reordenar el circuito anterior:

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Figura 2a

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Figura 2

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Figura 2b En este dibujo, es fcil ver que: ib1 = vin hie1

Por ello:

En consecuencia:
1 1 vout = h oe1 //hoe2 hf e1

Aproximando hf e1 IB 1 IC 1 = IQ , la expresin anterior se simplica a : vout = VAF 1 VAF 2 vin (VAF 1 + VAF 2 ) VT

En consecuencia, este dispositivo se comporta como un inversor de ganancia muy elevada.

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hoe1 =

IC 1 IQ = VAF 1 VAF 1 IC 2 IQ = VAF 2 VAF 2

hoe2 =

1 1 1 h = oe1 //hoe2 = [hoe1 + hoe2 ]

IQ IQ + VAF 1 VAF 2

VAF 1 VAF 2 1 VAF 1 + VAF 2 IQ

vin VAF 1 VAF 2 1 hf e1 IB 1 = vin hie1 VAF 1 + VAF 2 IQ VT

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Antes de calcular la ganancia en corriente, intentemos expresar cada parmetro en funcin de trminos conocidos:

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1 1 vout = h oe1 //hoe2 hf e1 ib1

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El clculo de la impedancia de salida se realiza eliminando todas las fuentes independientes del modelo en p. s. y excitando la salida con una fuente de corriente IX :

Figura 2c Se aprecia fcilmente que ib1 = hf e1 ib1 = 0. La resistencia que ve IX no es sino el paralelo formado por las resistencias restantes, ya calculado con anterioridad:
1 1 h oe1 //hoe2 =

******** Ejercicio 2 VCC alimpos 0 dc 10V VB bias 0 dc 9.3V VIN input 0 dc 0.5558V Q01 out input 0 2N2222 Q02 out bias alimpos 2N2907

*** Modelo de transistor .model 2N2222 NPN( IS = 1.68844E-13 BF = 192.1 NF = 1 + BR = 1.98 NR = 1 ISE = 1.250E-14 + NE = 1.5 ISC = 2.51826E-09 NC = 1.5 + VAF = 74 VAR = 100 IKF = 0.869453 + IKR = 0.37378 RB = 1.15 RBM = 0.0025 + IRB = 2.51189E-6 RE = 0.0284 RC = 0.18 + CJE = 2.179424E-11 VJE = 0.6464066 MJE = 0.3296434 + CJC = 9.241838E-12 FC = 0.5 VJC = 0.5 + MJC = 0.2804945 TF = 4.7712E-10 TR = 4.142E-8 + XTB = 1.32 EG = 0.81 XTI = 3 ) .model 2N2907 PNP(Is=650.6E-18 Xti=3 Eg=1.11 Vaf=115.7 Bf=231.7 Ne=1.829 + Ise=54.81f Ikf=1.079 Xtb=1.5 Br=3.563 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=.715 Convocatoria Febrero 2012 7

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De este modo, queda resuelto el problema. Esta solucin se puede vericar utilizando el siguiente archivo de SPICE:

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VAF 1 VAF 2 1 VAF 1 + VAF 2 IQ

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+ Cjc=14.76p Mjc=.5383 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=19.82p Mje=.3357 Vje=.75 + Tr=111.3n Tf=603.7p Itf=.65 Vtf=5 Xtf=1.7 Rb=10) .dc vin 0.5 0.6 1u .plot deriv(out) .end Haciendo un barrido DC en la entrada y representando la salida, se obtiene un valor medio igual a -1800. En cambio, tericamente es -1737. Puede verse que, efectivamente, son del mismo orden. Se deja al alumno que averige como se puede determinar el otro parmetro.

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PROBLEMA 3 (SOLUCIN)
El circuito de la Figura 3 es un oscilador LC que oscila si el valor de K supera un determinado umbral. Determine el valor de ese umbral de K as como la frecuencia de resonancia.

Figura 3

VA VOU T VA = R RL + Ls + que, reordenada, se convierte en:

En consecuencia, la ganancia de bucle es: A(s) (s) = (1 + K )

1 L s2 + R s + LC L RL 1 s2 + R + s + LC L

Pasemos ahora al dominio de Fourier reemplazando s j : A(j ) (j ) = (1 + K )

1 L 2 + j R + LC L = (1 + K ) RL 1 2 + j R + + L LC 1 2 LC 1 2 LC
L + j R L

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Una de las maneras de atacar este problema es mediante el criterio de Barkhausen1 . Puede reconocerse el bloque A(s) el conjunto formado por R, RL , L y C donde la entrada sera OU T y la salida A. El bloque de realimentacin (s), sin dependencia de la frecuencia, relaciona el nudo A con OU T pues VOU T = (1 + K ) VA . Examinemos ahora el bloque A(s), que no es sino un divisor de tensiones con impedancias generalizadas: RL + Ls + 1/C s VA = VOU T R + RL + Ls + 1/C s

1 C s

A(s) =

1 L s2 + R s + LC VA L = 2 R+ 1 VOU T s + LRL s + LC

de

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RL + j R+ L

El criterio de Barkhausen establece que, en la frecuencia de oscilacin, [A(j R ) (j R )] = 0.

1

Otra manera es buscar una resistencia negativa en el circuito que compense las prdidas de RL .

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Puede demostrarse de manera rigurosa2 que esto solo es posible si las partes reales del numerador y el denominador se anulan. En otras palabras, 1 1 2 R = 0 R = LC LC De este modo, se determina la frecuencia de resonanancia. Para calcular K , apliquemos la segunda condicin de Barkhausen, |A(j R ) (j R )| 1 con lo que: (1 + K ) Por lo que: 1+K R + RL R R =1+ K RL RL RL
1 2 R LC 1 2 R LC
L + j R R L

RL + j R+ R L

= (1 + K )

L R j R RL L = (1 + K ) 1 R + RL R + RL j L R

Para que la fase total sea nula, las fases de ambos nmeros complejos deben ser iguales o diferir un valor . Ambas condiciones equivalen a decir que las tangentes de las fases son iguales:
R+RL L 1 2 LC

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RL L 1 2 LC

1 LC

e
2 = R + RL
1 LC

de
2 RL
1 En otras palabras, tenemos un mismo nmero LC 2 cuyo valor no cambia al ser dividido por dos nmeros reales distintos. El nico nmero que cumple esto es 0.

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Con lo que queda resuelto el problema.

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PROBLEMA 4 (SOLUCIN)
Intente explicar cual es el objetivo del circuito de la Figura 4.

Se intuye en esta gura un par diferencial formado por MN01 y MN02 y cargado con un espejo cascode formado por MP01-MP04. Su salida sera el drenador de MN02, que es la puerta de MN05. La entrada no inversora estara conectada a IN en tanto que la inversora a OUT. Por tanto, podemos reemplazar el amplicador diferencial por su smbolo:

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Contemplando el circuito, pueden observarse algunos bloques conocidos en tecnologa CMOS. En primer lugar, el bloque formado por R01, R02, MN03 y MN04 no es sino una fuente de corriente que sacara corriente del nudo compartido por las fuentes de MN01 y MN02. Este hecho nos permite ver reducir el circuito a

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Figura 4

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y esto no es sino un detector de pico mximo, que fue estudiado en clase. Como curiosidad, el circuito de la gura 4 puede representarse en SPICE como * Spice netlister for gnetlist Vee alimneg 0 -10V Vcc alimpos 0 10V MP04 MP02 MP03 MP01 7 7 alimpos 1 CMOSP W=1u L=0.5u 8 6 outinv alimpos CMOSP W=1u L=0.5u alimpos 7 8 alimpos CMOSP W=1u L=0.5u 6 6 7 alimpos CMOSP W=1u L=0.5u

MN02 5 OUT outinv alimneg CMOSN W=1u L=0.5u MN01 6 ninv 5 alimneg CMOSN W=1u L=0.5u MN03 alimneg 3 2 alimneg CMOSN W=1u L=0.5u MN04 5 2 3 alimneg CMOSN W=0.5u L=1u R02 alimneg 3 1k R01 2 alimpos 10k MN05 alimpos outinv OUT alimneg CMOSN W=0.5u L=1u C01 OUT 0 1nF VIN ninv 0 dc 0V PWL(0m 0V 1m 0V 2m 1V 3m -1V 4m 2V 5m -2V 6m 3V 7m -3V) .MODEL CMOSN NMOS ( LEVEL = 49 +VERSION = 3.1 TNOM = 27 TOX = 1.42E-8 +XJ = 1.5E-7 NCH = 1.7E17 VTH0 = 0.6411523 +K1 = 0.8687083 K2 = -0.0852395 K3 = 26.1121444 +K3B = -8.3384039 W0 = 1E-8 NLX = 1.063778E-9 +DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0 +DVT0 = 0.8009049 DVT1 = 0.3971616 DVT2 = -0.5 Convocatoria Febrero 2012 12

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+U0 = 454.5474058 UA = 1E-13 UB = 1.41332E-18 +UC = 1.86643E-12 VSAT = 1.982902E5 A0 = 0.8107957 +AGS = 0.1320018 B0 = 1.292393E-6 B1 = 5E-6 +KETA = -7.503206E-3 A1 = 1.298492E-4 A2 = 0.3 +RDSW = 1.171934E3 PRWG = 0.0866685 PRWB = -0.0189653 +WR = 1 WINT = 1.755035E-7 LINT = 8.705476E-8 +XL = 1E-7 XW = 0 DWG = 2.219467E-9 +DWB = 2.934613E-8 VOFF = -1.366211E-4 NFACTOR = 0.8108577 +CIT = 0 CDSC = 2.4E-4 CDSCD = 0 +CDSCB = 0 ETA0 = 2.804673E-3 ETAB = -3.229532E-4 +DSUB = 0.0653362 PCLM = 2.1480697 PDIBLC1 = 5.881068E-4 +PDIBLC2 = 2.116916E-3 PDIBLCB = 0.1047169 DROUT = 3.45494E-3 +PSCBE1 = 8E10 PSCBE2 = 1.502056E-8 PVAG = 0 +DELTA = 0.01 RSH = 84.6 MOBMOD = 1 +PRT = 0 UTE = -1.5 KT1 = -0.11 +KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E-9 +UB1 = -7.61E-18 UC1 = -5.6E-11 AT = 3.3E4 +WL = 0 WLN = 1 WW = 0 +WWN = 1 WWL = 0 LL = 0 +LLN = 1 LW = 0 LWN = 1 +LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5 +CGDO = 1.89E-10 CGSO = 1.89E-10 CGBO = 1E-9 +CJ = 4.261755E-4 PB = 0.8482016 MJ = 0.4326766 +CJSW = 3.344281E-10 PBSW = 0.8 MJSW = 0.2019414 +CJSWG = 1.64E-10 PBSWG = 0.8 MJSWG = 0.2019414 +CF = 0 PVTH0 = 3.249769E-3 PRDSW = 230.9847454 +PK2 = -0.0754049 WKETA = 2.503364E-3 LKETA = 3.606834E-3 ) * .MODEL CMOSP PMOS ( LEVEL = 49 +VERSION = 3.1 TNOM = 27 TOX = 1.42E-8 +XJ = 1.5E-7 NCH = 1.7E17 VTH0 = -0.9152268 +K1 = 0.553472 K2 = 7.871921E-3 K3 = 1.4894229 +K3B = 0.024928 W0 = 1E-8 NLX = 1.002614E-9 +DVT0W = 0 DVT1W = 0 DVT2W = 0 +DVT0 = 0.562667 DVT1 = 0.3064583 DVT2 = -0.3 +U0 = 201.3603195 UA = 2.408572E-9 UB = 1E-21 +UC = -1E-10 VSAT = 7.762453E4 A0 = 0.7616978 +AGS = 0.1081785 B0 = 5.611458E-7 B1 = 7.767182E-9 +KETA = -4.865785E-3 A1 = 1.363859E-3 A2 = 0.7560318

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+RDSW = 3E3 PRWG = -0.0260688 PRWB = -0.0518397 +WR = 1 WINT = 2.370297E-7 LINT = 1.270513E-7 +XL = 1E-7 XW = 0 DWG = 5.805442E-9 +DWB = -1.051717E-8 VOFF = -0.0620394 NFACTOR = 0.8999885 +CIT = 0 CDSC = 2.4E-4 CDSCD = 0 +CDSCB = 0 ETA0 = 3.81997E-4 ETAB = -0.2 +DSUB = 1 PCLM = 2.4172623 PDIBLC1 = 0.0414719 +PDIBLC2 = 3.120264E-3 PDIBLCB = -0.0366384 DROUT = 0.249426 +PSCBE1 = 1E8 PSCBE2 = 3.394931E-9 PVAG = 2.957943E-3 +DELTA = 0.01 RSH = 108.5 MOBMOD = 1 +PRT = 0 UTE = -1.5 KT1 = -0.11 +KT1L = 0 KT2 = 0.022 UA1 = 4.31E-9 +UB1 = -7.61E-18 UC1 = -5.6E-11 AT = 3.3E4 +WL = 0 WLN = 1 WW = 0 +WWN = 1 WWL = 0 LL = 0 +LLN = 1 LW = 0 LWN = 1 +LWL = 0 CAPMOD = 2 XPART = 0.5 +CGDO = 2.29E-10 CGSO = 2.29E-10 CGBO = 1E-9 +CJ = 7.149816E-4 PB = 0.8791663 MJ = 0.4854245 +CJSW = 2.372517E-10 PBSW = 0.8 MJSW = 0.2261452 +CJSWG = 6.4E-11 PBSWG = 0.8 MJSWG = 0.2261452 +CF = 0 PVTH0 = 5.98016E-3 PRDSW = 14.8598424 +PK2 = 3.73981E-3 WKETA = 1.236911E-3 LKETA = -9.223727E-3 ) * .END

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